TWI274430B - Light emitting device - Google Patents

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TWI274430B
TWI274430B TW094133671A TW94133671A TWI274430B TW I274430 B TWI274430 B TW I274430B TW 094133671 A TW094133671 A TW 094133671A TW 94133671 A TW94133671 A TW 94133671A TW I274430 B TWI274430 B TW I274430B
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Ming-Yao Lin
Chia-Chang Kuo
Sheng-Pan Huang
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Description

1274430 ' 九、發明說明： .【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光裝置，尤指一種應用於高功 【先前技術】 按’發光二極體（Light Emitting Diode ; LED)由於 具備有哥命長、體積小、發熱量低、耗電量少、反應速度 陕無巾田射及單色性發光之特性及優點，因此被廣泛應用 於#曰示:k、廣告看板、交通號誌、燈、汽車車燈、顯示器面 板、通訊器具、消費性電子等產品中。 叙光一極體之覆晶技術係攸關著未來高功率發光二 極體的產業發展，而現今產業所採用的封裝技術各有不 同。百先如第1(^)至KC)圖所示，係用以表示覆晶式 (⑴p chip)封農製程，如第1(A)圖，係於一鋁基: 上形成有複數個電性連接電極⑶⑽“丨丨，再如第以扪 ::-:1先二？體晶片12以覆晶的方式與該鋁基板10 以接者如第1(C)圖所示，進 及封衣（P^kage)製程。 b:=(C=;係用以表示打線式(一 佈銀膠21,再如帛2_1 仅曰曰兀成之發光二極體晶片裝置22 陶究基板(如圖中符號20)，並進行打^=㈣基板启 2⑹圖所示，進行點膠以及縣製接著如第 18612 5 1274430 ， 然，上述二種封裝製程係因封裝膠體與該鋁基板 _ 1基板之_—鱼1不同，兩者接合時易產生形變與剥離之 U事而4 |g基板或pg竟基板係用以將發光二極體晶 性連接至外部，其導電路徑過長，會造成紹基板或陶究二 板吸熱過度，而導致量產困難，另外，於多顆產品使用時土， 紹基板或基板的結構較㈣，因此，進行迴婷⑽ Reflow)剛，必需對於鋁基板或陶瓷基板作加工，才得以 _順利完成迴銲步驟，因而造成成本過高的問題。' 再如第3(A)圖至3(c)以及似）至4(c)圖所示，係用 以表示二種利用導線架（i^£lMe)3〇及40以及散熱片 (Heat Sink)31及41之封裝製程，如第3(〇及4(a)圖
係於-導線架30及40上之散熱片31及41塗佈銀膠A 及42,再如第3(B)及4(B)圖，將已覆晶完成之發光二極 體晶片裝置33及43黏合於該導線架30及4〇，並進行打 線製程，接著如f 3(c)及4(c)圖所示，進行 7 •裝製程。 对 熱’上述二種封裝製程係因串聯熱阻較高，易產生件 賴度的問題，另外，此種製程之產品係使用堆疊技術，: 而造成產品厚度過厚的問題，而從正面進行加工時，槽内 深度必需設計較淺（如第4(A)至4(C)圖），以方便進行加 工故而因槽内珠度淺’導致收光效果差的問題。 又如第5(A)至5(C)及6(A)至6(C)圖’係為陶瓷基板 以及射出成形的導線架之封裝製程及組裝應用示意圖，其 中，若以陶瓷材料作為基板50材質（如第5(A)至5(C) ]8612 6 1274430 --圖），會造成成本過高的n .基板51，另外，對於第且組裝應用時必須使用叙 的方式，亦會造成串’其利用射出成形 高功率發光二極體封;的問題，因而無法應用於 圖），受限於凹槽深产；^ 同前述（第4⑴至4(c) 題。 X 乂久的關係，造成收光效果差的問 何提供_ ^熱阻、低盥 本，且降低封裝後產 ^,一~1^、^一用成 極體封裝結構，實二t 提^發光二 【“容;•“此產業中亟欲待解之問題。 在提m上所述f知技術之問題，本發明之主要目的係 在棱供一種發光裝置 知 本發明之另—曰/源，減低結構厚度。 發光裝置。 的係在提供一種能降低串聯熱阻之 -—_____ 發光^ί。月之再—目的係在提供—種能降低製造成本之 ^ --------------------------------------—- 發之又—目的係錢供—難提昇收光效率之 置，Λ達f上揭及其他目的，本發明係揭露一種發光裝 以供奸It括一發光體’其具有至少二個用以連接電源 夕？ 先肢提供光源之電極以及一用以接置該發光俨 倒’體’其中’該電極係與該發光體提 ^ 间侧，而該承載體係具有 = 提供 今1尤肢且對應该發光體 ’、"、出光面的凹槽，且言亥凹槽係靠近該發光體出光 18612 7 1274430 ，= = 二並於該承载體與該發光體之接置處分別 . /…哀發光體電極電性 部係由該承载體與該 I ° ’該導接 載體之外緣，源^連接處延伸設置於該承 先^在的問題—^ 源接置，合，利料接部供外部電 路徑短僅，結構厚度薄，使電源之電流 •… 聯熱阻以及低成本之優點，更可進-步 其它所有目的…升收光效率，達成上述之主要及 【實施方式】 以下#^由特定的具體實施例說明本發明之實.施方 r熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之内二 明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同 丨可其於仃次忍用，本矹明書中的各項細節亦 土；不同硯點與應用，在不悖離本發明之 種修飾與變更。 甲卜進仃各 如第 7(A)至 7⑻、8(Α)至 8(β)、9(α)至 9(β)、ι〇、 H、12、13及14圖所示，係為本發明發光裝置的相關圖 式，將以此些圖式配合詳細說明，敘述本發明發光裝置的 =佳實施例。其中，須注意的是，該等圖式均為簡：之示 ，意圖，僅以示意方式說明本發明之基本結構。因此，在該 等圖式中僅顯示與本發明有關之元件，且所顯示之元件2 非以實際實施時之數目、形狀、及尺寸比例等加以繪製， ]86]2 8 1274430 其實際實施時之數目、形狀及尺寸比例為一種選擇性之設 計，且其元件佈局形態可能更為複雜，於此合先敘明。X 如第7(A)至7(E)圖所示，係為本發明發光裝置之結 構組合不意圖’本發明發光裝置於接置電源後，輸出光源 、七、二用，其至少包括一發光體6 〇 (如第7 (A)圖所示）以 及用以接置該發光體60之承載體61 (如第7(B)圖所 +該發光體60如第7(A)圖所示，具有至少二個用以接 置电源之電極，並於接置電源後用以提供光 '、'、中°玄屯極6 0 0及601係與該發光體6 0提供光源 之出光面同側，而該發光體之較佳實施方式係由至少—笋 光晶粒教2以及至少一供該發光晶粒602作接置之基板 6〇3所組成，其中，該發光晶粒6Q2係^金球以或錫球或 任何導電導熱材質藉由覆晶方式⑴lp dnp)與該基板 603電性連接，並於該電源μ 極600及601，而該基板6〇3之較佳實施方武得為石夕⑻） 或鋁（Α1)或碳（〇等材料所製成之基板。 —該承載體61如第7⑻圖所示，係為ΡΡΑ樹脂（聚石鼻 本-胺）或PC熱塑性等任何絕緣材料射出或組裝成形的 導線架（Lead Frame)，其具有—容置該發光體勒之凹槽 610 ’該凹槽610係對應於該發光體6〇提供光源之出光 面，且該凹槽6H)係靠近該發光體⑽出光面形成一漸缩 狀，並對應該發光體60電極_及_設有用以盘奸 光體6〇電極_及601電性連接之導接部⑴及6、12, 18612 9 1274430 '為3發光體60電極_及6〇1與該導接部611及612 固定黏合，於此實施例中，該導接部611及612復塗佈有 導电知613及614，該導電勝613及614係用以令該導接 # 611及612與该發光體6〇電極6〇〇及6〇1相互固定黏 合亚電性連接，且該導電膠613及614之較佳實施方式係 為銀膠、錫I以及含錯錫膏等，而前述用以令導接部川 及與5玄發光體6〇電極6〇〇及相互固定並電性連 鲁接之只施方式並非侷限於前述所揭之導電膠613及β 14， 復可利用金球以及錫球之其中—者以覆晶方式（ηιρ chlp)加以實施，或利甩導電鍵合材料ιτίΐ：波鍵合技術 的方式加以實施，其中，該導接部611及612係由該承載 體61與該發光體60 t性連接處延伸設置於該承截體6ι 之外緣，以供電源接置，其材質係為導電導體，如金、銀、 銅、锡、鋁等導電材料。 如f 7(C)圖所示，將該發光體6〇如箭頭方向與該承 ♦ «6!藉由前述之導電勝613及614相互接置，形成如 弟7(D)圖所不之結構’接著如第7(E)圖所示，以點膠 (underfill)以及封裳（package)步驟，於該凹槽㈣内填 充用以固定該發光體6〇於該承載體61之谬體617，即刑 成本發明發光裝置，另外，該膠體61?除了如第了⑻圖/ 所不，於出光面形成平面狀之外，亦可於點膠（⑽化出⑴ =及封裝（package)步驟進行時，將出光面之處設置為透 叙或其他與透鏡等效的形狀，如此一來，.更能提高其收光 效果，再者，如8(A)圖所示，更可於該凹槽m對應該 18612 10 1274430 之處係設置一光反射部615,該树 該發光體6〇所發出光源之光束反射 =1"曰壁後’糟由該凹槽61◦槽壁反射形成—近 :ΐ6Γ7Γ光源利用率，而此光反射部615係藉由 定，且該光反射部615之較佳實施方式係 置。曰*鑛反光材料、套合組裝反光材料等方式進行設 又如第8⑻圖所示’該凹槽對應該發光 處亦可設有-光轉換部616 ’該光轉換部 二 該發光體㈣之紐絲圍，讀昇 率，而此光轉換部616係藉由前述膠體617加以固定，』 該光轉換部616係藉由塗佈螢光轉換材料的方式進行設 置。 如第9(A)圖所示，本發明所揭露之承載體…因本 身的結”構厚度薄’因而可藉由增加承載體仏内的凹槽 • 610a珠度，提高其收光效率，最後如帛9⑻圖所示，亦 經由點膠及封裝步驟，將該發光體6Ga爲於該承載㉚ 61a，故，本發明發光裝置的基本實施態樣結構厚度不僅 較習知技術的結構厚度薄，更因較薄結構減少了製程成 本，另外，若欲製作與習知技術的結構厚度相同時，本笋 明發光裝置更因凹槽㈣&深度較深，亦比習知技術具^ 較好的收光效率。 而為解決本發明發光裝置的散熱問題，本發明亦提供 了另一種貫施態樣，如第丨〇圖所示，係將本發明發光裝 18612 13 1274430 置2 ^光版60b之非出光面與一導熱體62相互接置，進 灯热傳導，以提供該發光體6〇b於接置電源後一較佳的散 二、效果（如圖中所示，係由印刷電路板70提供電源），而 忒導熱體62之較佳實施方式係為鋁（A1)、銅（Cu)、鐵 (Ρ6)以及導熱系數為至少50之材質的板體，另外，該 ，熱體62與該發光體_之相互接置處更可設置有^ 63 ’以固定該發光體60b於該導熱體62表面，而此 黏63之較佳實施方式係為羝熱膠，以作為傳導熱能 =介質。因此，本發明發光裝置係利用導電與導熱分離^ 心j设計結構，可避免習知技術導電與導熱係由同一元件 進仃傳:，因導電路徑過長，造成鋁基板吸熱嚴重、串聯 熱阻過局以及信賴性的問題。 士第11圖所不，係為第丨〇圖實施態樣的俯視圖，由 此圖式即可得知，此實施態樣之發光體60b係為單晶單 。色，然，本發明發光裝置之發光體6〇b的應用並非揭限於 皁晶單色，如f !2圖所示，亦可實施為多晶單色，以混 先的效果達成單色光源輸出’又如第13及14圖所示，亦 可貫施為多晶多色’以多個發光體6〇c及_，交互閃烨， 令發光面形成多彩光源輸出以供應用，此外，更可實力包卞 所卷出之光為紫外光之發光體（未予圖示）。 ' μ由前述及圖式的表現，可清楚的了解本發明之技術特 被及其實施的方式，本發明發光I置至少包括—具有至少 二個用以接置電源以提供光源之電極的發光體以及 以接置該發光體之承載體，其中，該電極係與該發光體提 18612 12 J274430 ，供光源之出光面關，㈣ .且對應該發光體提供光源之出㈣凹有一谷置該發光體 近該發光體出光面彤成— /丸，且该凹槽係靠 體之接置處分別設有—盘二:於該承載體與該發光 :Γ，該導接部係載體：=生= 延伸設置於該承載體之外緣，以供…：連接處 明係精由該發光體與承关£ 口此本發 接部供外部電源接置，以提# = 了構相互配合’利用導 使電源之電流路徑短 :Λ、’不僅因結構厚度薄， 點，更可進-抑加凹^ 熱阻以及低成本之優 本發明與習知技:最以提昇收光效率;此外， 承載體，於組農時，由今7?=在於f發明係使用一中空 承載體内之凹_，此_^ 後方將一發光體置入該 承替正^ 形式可改善習知技術只能從該 承載脰正向置入該發光體之缺點 ;謝心槽的深淺度，改變輸出光線之 見有封裝機台本身只能使用凹槽深度為二 下的承载體之限制。 上达之貫施例僅為例示性說明本發明之原理及其功 效二而非用於限制本發明。任何熟習此技藝之人士均可在 f迷背本發明之精神及範訂，對上述實施例進行修飾與 ^ 口此本每明之權利保護範圍，應如後述之申靖專 利範圍所列。 ^ 【圖式簡單說明】 第1(A)至1(c)圖係為一結構組合示意圖，係表示第 18612 13 1274430 -~種習知發光二極體封裝結構. - 第2(A)至2(c)圖係為一結構組合示意 二種習知發光二極體封裂結構· 一第3(A)至3(C)圖係為—結構組合示意 二種習知發光二極體封裝結構· 第4(A)至4(C)圖係為—結構組合示意 四種習知發光二極體封裝結構· 魯 第5(A)至5(〇圖係為—結構組合示意 五種習知發光二極體封裝結構； 第6(A)至6(C)圖係為—結構組合示意 六種習知發光二極體封裝結構； 第7(A)至7(E)圖係為—結構組合示意 發明發光裝置之基本結構的組合方式； 第8(A)及8(B)圖係為一結構示意圖， 發光裝置之另外二種實施方式； 鲁 第9(A)及9(B)圖係為一結構示意圖， 發光裝_置之承載體的另—實施方式； 第10圖係為一側視剖面示意圖，係表 裝置的另一實施態樣； 第11圖係為一俯視示意圖，係表示第 的俯視狀態；以及 第12、13及14圖係為一俯視示意圖， 發光裝置的發光體之其他實施態樣。 【主要元件符號說明】 圖，係表示第 圖，係表示第 圖，係表示第 圖，係表示第 圖，係表示第 圖，係表示本 係表示本發明 係表示本發明 示本發明發光 9圖實施態樣 係表示本發明 18612 14 1274430 10?20 鋁基板 11 電極 12 發光二極體晶片 21，32, 42 銀膠 22, 33, 43 發光二極體晶片裝置 30, 40 導線架 31, 41 散熱片 50 基板 60，60a, 60b，60c, 60d 發光體 61，61a 承載體 600, 60 1 電極 602 發光晶粒 603 基板 610, 610a 凹槽 611,612 導接部 φ 613,614 導電膠 615 光反射部 616 光轉換部 617 膠體 62 導熱體 63 黏著層 70 印刷電路板 15 18612

Claims (1)

  1. J274430 十、申請專利範圍·· L —.種發光裝置，其至少包括： 一發光體，係且右5 2 極，以㈣勺上 個用以連接電源之電 令，該；；接電源後使該發光體提供光源 及° %與該發光體提供光源之出光面同側 -承載體，係用以接置該發光 該發光體之凹样，轉明描产、·版其具有一谷置 ^ φ 4, ^ ^ S ^對應於該發光體提供光源 出先面，且該凹槽係靠近 縮狀，並於該斗 ^亢版出先面形成一j 盥該發光规^纟肢人S /發光體之接置處分別設有一 二電性連接之導接部，其中，該導接部 2· 3· 承載^之㈣光體電性連接處延伸設置於該 承載體之外緣，以供電源接置。 如申請專利範圍第i項之發光裝置 係為至少一發光曰#B $丨 、甲。亥卷先月豆 罢少宜4 先B曰拉以及至少一供該發光晶粒作接 兮其：反’且該基板係與該發光晶粒電性連接，並於 咳基板上设有用以接置電源之電極。 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，巧，评 光體係為單晶單色、多 / x 之光為紫外光之其中:者…色以及所發出 如申請專利範圍第2項之發光裝置，齡，該發光晶 粒係以金球、媒付、n、曾 曰曰 ^相及導電導熱材質之其中—者藉由 復日日方式（fllp chlp)與該基板電性連接。 如申請專利範圍第2或4項之發光裝置，其中，該發 186 4· 1274430 6· 光晶粒係為二極體（LED)發光晶粒。 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，該基板之 主要材質係為矽（Si)、鋁（A1)及碳（C)之其中一者。 7·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該承載體 係為導線架（Lead Frame)。 8· ^中請專利範圍第7項之發光裝置，其中，該導線架 係以射出以及組裝之其中一者成形。 9· ^ f請專利範圍第7或8項之發光裝置，其中，該導 線架之主要材質為PPA樹脂（聚磷苯二胺）、PC熱塑性 材料及絕緣材料之其中一者。 1〇·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該凹槽對 ^發光體出光面之處復設有—光反射部，該光反射 梯:用以將該發光體所發出光源之光束反射至該凹 u如曰申 ’形成—近似準直光束’以提昇光源利用率。 •申叫專利範圍第10項之發光裝置，其中，該 藉由電鍍反光材料及套合組裝反光材料心、 一者的方式進行設置。 、 12.如申請專利範圍第i項之發光裝置，其中，該 =:光體出光面之處復設有—光 ::: 體所發^之光波長範= 請:利範圍第12項之發光敦置，其中 邛仏猎由塗佈螢光轉換材料的方式進行設 軺換 i4.如申請專利範圍第10項之發 二二。 元衣置，其中，該凹 Π ]86]2 1274430 填充有膠體，該膠體係用以固定該光反射部以及該發 光體於該承載體。 is·如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，該凹槽係 填充有膠體，該膠體係用以固定該光轉換部以及該發 光體於該承載體。 1申明專利範圍第1 5項之發光裝置，其中，該膠體名 方'忒發光裝置之出光面形成透鏡形狀，以提高收光交 果。 17·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該導接部 之材質係為導電導體。 18.=請專利範圍第17項之發光裝置，其中，該導體卷 為孟、銀、銅、錫、鋁及導電材料之其中一者。 :二專利範圍第1或1 7項之發光裝置，其中，該導 接"卩设藉由導電膠或金球以及錫球之其中一者或導 毛鍵6材料與該發光體電極電性連接。' 20.:::青專利範圍第19項之發光裝置，其中 係為銀膠、錫膏以及含錯錫膏之其中一者。 先 置圍第1項之發光裝置，其中，該發光裝 面相互接置1體，該導熱體係與該發光體之非出光 果。 進订熱傳導，以提供該發光體一散熱效 22.如申請專利範圍第21項之發光裝置，其中， 之材貝係為鋁（A1)、銅（Cu)、鐵 導气 為至少5〇之材質之其中一者。 及# 18612 18 l27443〇 一 23·如申請專利範圍第^士 鱼兮a上麵 發先叙置，其中，該導熱體 —“ /、舍先肢之相互接置處復設有一黏著層。 .如申請專利範圍第 係為散熱膠。項之考祕置，其中，該黏著層 25.—種發光裝置，其包括： 毛光版，係具有至少二個用以連接電源之恭 $，以於該電極連接電源後使該發光體提供光源，里 中，該電極係與該發光，接 ’…、 月旦& {、光源之出光面同側；以 及 ?載月旦，係用以接置該發光體，其具一 該發光體之凹槽，該样 钆知對應於该發先體提供光源 ，且該凹槽係靠近該發光體出光面形成一 縮狀1於該承载體與該發光體之接置處分2有 與该發光體電極電性連接之導接部，該導接部俜由 ί載體無發光體電性連接處㈣w承载體 罪近該發光體出光面之外緣，以供電源接置，並中 方；5亥凹槽對應該發光體出光面之處係設有一光反射 部’該光反射部係用以將該發 、 反射至凹槽槽壁後，形 九 源利用率，而該凹槽侍埴充有= 昇· ，、充有貪體，該膠體係用以丨 疋5亥先反射部以及該發光體於該承载體；以及 、隹行體，係與該發光體之非出光面相互接置， #¥’時供該發光體-散熱效果。 26·如申請專利範圍第25項之發光f 亢衣置，其中，該發光焦 J8612 19 1274430 {了、為至少 '—曰 1、，Τ7 署夕14 X7bBS粒以及至少一供該發光晶粒作接 土反，且該基板係與該發光 該基板上設有用以接置電源之電極。接亚於 27·如申請專利範圍f 25或26項之發光裝置， 發光體係為單晶單色 ”中该 出之光為紫外光之其中—者早色及所發 a t Π ^利範圍第Μ項之發光裝置，其中，該發光晶 二：球、錫球以及導電導熱材質之其中-者藉由 後日日方式與該基板電性連接。 29.:!f:專利範圍第26或28項之發光裝置，其中，該 ，“日日粒係為二極體（LED)發光晶粒。 ^ 、如申請專利範圍第26項之發光裝置， 主要材質係為矽（Sl)、鋁5亥基板之 31如卜主車， （Α1)及兔⑹之其中-者。 申π專利範圍第25項之發光裝置，1中， 係為導線架aeadFrame)。 〃中，絲載體 32,如申請專利範圍第3項之發 卞 ”係以射出以及組裝之其中一者成形，、中5亥導線架 青專利範圍第31或32項之發光裝置，其中，兮 v線架之主要材f為ppA樹脂（聚罐苯二胺八二 3 2性材料及絕緣材料之其中一者。 产、、 34.如申請專利範圍第25項之發光 之材質係為導電導體。 中’该導接部 35·Π請Γ範圍第34項之發光裝置，其中，該购 為孟、銀、銅、錫、鋁及導電材料之其中一者。/、 18612 20 1274430 36. 如申請專利範圍第25或34項之發光裝置，复二 導接部復藉由導電膠或金球以及錫球之其中::、該 ‘包鍵合材料與該發光體電極電性連接。 或 37. 如申請專利範圍第36項之發光裝置，其中道— 係為銀膠、錫膏以及含錯錫膏之其中—者。…电膠 38. :tt=圍第25項之發光裝置，其中，該膠_ 專4先衣置之出光面形成透鏡形狀’以提高收光效 禾0 ·39.二範圍第25項之發光裝置，其中，該先反射 τ、猎由笔鍍反光材料及套合組裝反光材料之其中 一者的方式進行設置。 40·=料利範圍第25項之發光裝置，其中，該導教體 U ;钔（Cu)、鐵（Fe)、以及導熱系數 為至少50之材質之其中一者。 41.2=利範圍第25項之發光裝置，其中，該導熱體 一忒卷光體之相互接置處復設有一黏著層。 ^申請專利範圍第41項之發光裝置，其中.，該黏著層 係為散熱膠。 '4? 種發光裝置，其包括： η 一發光體，係具有至少二個用以連接電源之電 極，=該電極連接電源後使該發光體提供光源，其 。亥电極係與该發光體提供光源之出光面同側；以 及 I載肢，备、用以接置該發光體，其具有一容置 18612 21 1274430 > 該發光體之凹槽， 之出光面，且該凹係對應於該發光體提供光源 縮狀，並於該承裁體與 ：面形成-漸 與該發光體電極電性 旦接置^刀別設有一 承載體與該發光卜 ¥ ^部’該導接部係由該 "爾光體出光面之外緣，以供電源接置= 於該凹槽針庫兮八f Μ 置 /、中’ 發光體出光面之處係 部，該光轉換部科田、，1 先^換 1波長範圍，財^ 變該發光體所發出光源之光 體，該膠體係：：=:用率，而該凹槽係填充有膠 承載體；M U域換部Μ該發光體於該 nit體’、係與該發光體之非出光面相互接置， 〜仃Λ、、、寺，以提供該發光體一散熱效果。 44 =請專利範圍第43項之發光裝置，其中，該發光體 知為至少-發光晶粒以及至少一供該發光晶粒作接 1 置之基板，且該基板係與該發光晶粒電性連接，並於 戎基板上設有用以接置電源之電極。 45.如申請專利範圍第43或α項之發光裝置，其中，該 發光體係為單晶單色、多晶單色、多晶多色以及所發 出之光為紫外光之其中一者。 46·如申請專利範圍第44項之發光裝置，其中，該發光晶 粒係以金球、錫球以及導電導熱材質之其中一者藉由 覆晶方式與該基板電性連接。 47·如申請專利範圍第44或46項之發光裝置，其中，該 22 18612 1274430 發光晶粒係為二極體（LED)發光晶粒。 48·如申請專利範圍第44項之發光装置，其中，哕 主要材質係為矽（si)、鋁（A1)及碳（〇之其中1基板之 49·如申凊專利範圍第43項之發者。 係為導線架aeadFr繼)。 /、中’该承裁體 5〇.如申請專利範圍第49項之發光裝置，盆中， 係以射出以及組裝之其中—者成形。 μ導線架 >51.如申請專利範圍第49或50項之發光裝置， j 導線架之主要材質為PPA樹脂（聚鱗苯二胺）、p °亥 塑性材料及絕緣材料之其中一者。 c熱 52.如申請專利範圍第43項之發光裝置，其中，該 之材質係為導電導體。 人妾邛 说如申請專利範圍第52項之發光裝置，並中，今 為仝、加， …、T 邊導體係 銀、硐、錫、鋁及導電材料之其中—者。 .、°申請專利範圍第43或52項之發光裝置，其中 部復藉由導電膠或金球以及錫球之其中二者或w 導電鍵合材料與該發光體電極電 2 ，申請專利範圍第54項之發光裝 本為銀膠、錫膏以及含鉛錫膏之其t—者。 6.^申請專利範圍第43項之發光裝置，其中，該膠體復 要錢光裝置之出光面形成透鏡形狀，以提高收光效 果。 5 7. 2請專利範圍第4 3項之發光裝置，其中，該光轉換 邛係猎由塗佈螢光轉換材料的方式進行設置。 18612 23 1274430 _ 58.如申請專利範圍第43項之發光裝置，其中，該導熱體 之材質係為鋁（A1)、銅（Cu)、鐵（Fe)、以及導熱系數 為至少50之材質之其中一者。 59.如申請專利範圍第43項之發光裝置，其中，該導熱體 與該發光體之相互接置處復設有一黏著層。 6 0.如申請專利範圍第59項之發光裝置，其中，該黏著層 係為散熱膠。
    24 18612
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