WO2013167567A1 - Verfahren zum herstellen eines bauelementträgers, einer elektronischen anordnung und einer strahlungsanordnung und bauelementträger, elektronische anordnung und strahlungsanordnung - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines bauelementträgers, einer elektronischen anordnung und einer strahlungsanordnung und bauelementträger, elektronische anordnung und strahlungsanordnung Download PDF

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WO
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contact
component carrier
electronic component
lead frame
contact element
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PCT/EP2013/059445
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English (en)
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Stefan GRÖTSCH
Thomas Schwarz
Michael Zitzlsperger
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a component carrier for an electronic component, in which a leadframe section is provided.
  • Lead frame section has an electrically conductive
  • the lead frame portion further includes a first contact portion for forming a first contact portion
  • At least the receiving area and the second contact portion are electrically conductive with each other
  • the invention relates to a method for producing an electronic device having, for example, the component carrier, and a method for
  • Radiation arrangement comprising, for example, the component carrier, and / or the electronic device, the
  • the component carrier for example, has the component carrier.
  • German priority application DE 10 2012 207 519.4 which expressly forms part of the disclosure of the present
  • Component carrier an electronic device and a
  • To component carrier such as housing, for example
  • Radiation arrangements such as LEDs
  • LEDs are often required that the LEDs are easy to contact, that the heat generated in the LED's during operation can be removed quickly and effectively and that the entire radiation arrangement of LED and component carrier is simple and inexpensive to produce.
  • conventional component carriers are among others
  • One of the electrical contacts can have such a large area
  • An LED for example a thin-film LED and / or a vertical LED (emission direction and / or power line perpendicular to
  • Layer structure can be attached to the electrical contact so that it is fixed to the electrical contact and at the same time the electrical contact is given over the physical contact.
  • Another contact of the LED can be contacted with the other electrical contact of the component carrier, for example by means of a
  • the ceramic body electrically isolates the electrical contact to which the electronic component is attached and dissipates the heat from the electronic component. To further dissipate the heat from the component carrier can on a side opposite the electronic component side of the ceramic
  • Support body to be formed on the support body metallization.
  • the metallization can also serve for example for producing a solder joint.
  • the component carrier with the ceramic carrier body can be placed on a printed circuit board, for example on an FR4 printed circuit board, so that the Carrier body between the electronic component and the circuit board is located. Which through the ceramic
  • Support body extending therethrough electrical contacts are connected to tracks of the circuit board.
  • the metallization is connected to thermal lines that extend through the circuit board and that can be connected to a heat sink.
  • PCB contributes to a good, simple and easy
  • the component carrier an electrically conductive, for example metal
  • ladder frame section having to use ladder frame section. This is particularly easy and inexpensive to produce.
  • the leadframe portion may be part of a leadframe and the component support may be fabricated in a component carrier assembly by all
  • the lead frame section contacts the electronic component electrically and there is an electrical
  • Heat sink to be electrically coupled in many applications is used to attach the
  • Component carrier used for example a metal core circuit board, wherein the metal core of the circuit board of the electrical contacts of the circuit board by means of a
  • Metal core circuit board may serve as a heat sink and / or an additional heat sink may be provided which is thermally coupled to the metal core.
  • an electronic component may be used, for example a horizontal LED
  • FR4 printed circuit board Connecting the component carrier to the heat sink a FR4 printed circuit board can be used.
  • a method for producing a component carrier a method for producing an electronic arrangement and / or a
  • Component carrier, an electronic device and / or a radiation arrangement provided that can be produced in a simple and cost-effective manner and / or enable a simple and cost-effective manner, a good electrical and thermal coupling of an electronic component with a circuit board and / or a heat sink.
  • a method for manufacturing a component carrier for an electronic component is provided. This is a
  • Ladder frame portion which is an electrical having conductive material.
  • the lead frame portion further includes a first contact portion for forming a first electrical contact element, a second contact portion for forming a second electrical contact element, and a receiving area for receiving the electronic component. At least the receiving area and the second contact portion are electrically conductively connected to each other. At least on one
  • Lead frame portion is formed a thermally conductive and electrically insulating intermediate member for dissipating heat from the receiving area and for electrically insulating the receiving area. At least on a side facing away from the receiving area of the intermediate element is a thermal contact for thermal contacting of
  • Receiving area and the formation of the thermal contact s on the intermediate element help to be able to produce the component carrier easily and inexpensively, to dissipate heat generated during operation of the electronic component quickly and effectively and the component carrier in a simple and cost-effective manner with a good
  • the electronic arrangement can be very good behavior
  • the printed circuit board may be, for example, an FR1, FR2, FR3, FR4, FR5, CEM1, CEM2, CEM3, CEM4 or CEM5 printed circuit board.
  • the component carrier may for example also be referred to as a housing, QFN housing or QFN carrier.
  • the Leadframe portion may also be referred to as a QFN leadframe, for example.
  • the component carrier with the electronic component can also be used as electronic
  • the electronic component is, for example, a semiconductor chip and / or a light-emitting or light
  • the heat sink may, for example, comprise aluminum.
  • the component carrier can be coupled, for example, via the printed circuit board or directly to the heat sink.
  • the component carrier can serve, for example, for receiving an electronic component.
  • the component carrier with the electronic component can be as electronic
  • the component positions with the electronic component can be referred to as a radiation arrangement if the electronic component has a radiation source, for example a light-emitting component.
  • the lead frame portion comprises the electrically conductive material and / or may be formed of the electrically conductive material.
  • the electrically conductive material comprises, for example, a metal, for example copper, for example CuW or CuMo, copper alloys, brass, nickel and / or iron, for example FeNi, and / or is formed therefrom.
  • the leadframe portion is part of a leadframe having a plurality of leadframe portions connected to each other, each of which
  • Lead frame sections may be formed, for example, for forming a de component carrier.
  • the leadframe may extend over a plurality of component carriers, wherein the plurality of component carriers may be formed and / or fabricated simultaneously, thereby producing a component carrier assembly.
  • the lead frame and / or the lead frame sections may for example be formed flat, which, for example means that the lead frame or each of the
  • Lead frame sections compared with its length and its width has a relatively small thickness. Editing the leadframe section and thus the
  • Fabrication of the component carrier may be representative of the processing of the leadframe and thus representative of the manufacture of the component carrier assembly.
  • all the leadframe portions of the leadframe can be processed simultaneously in the same operations as with respect to the one leadframe portion
  • Component carrier composite are separated, inter alia, the compounds of the leadframe sections
  • the first contact element serves for contacting a first contact of the electronic component.
  • the Contact element serves for contacting a second contact of the electronic component.
  • the first and the second contact portion may, for example, side by side
  • the receiving area may be formed between the two contact portions.
  • Be arranged receiving portion which is formed between the first and the second contact portion.
  • the intermediate element has, for example, a thickness between 1 and 1000 ⁇ m, for example between 10 and 200 ⁇ m, for example between 20 and 80 ⁇ m.
  • the intermediate element has, for example, a thermal conductivity of between 0.1 and 100 W / mK, for example between 0.5 and 20 W / mK, for example between 1 and 5 W / mK.
  • the intermediate element can already be structured on the
  • Ladder frame section are applied.
  • the material of the intermediate element by means of screen printing,
  • the intermediate element can be applied flat to the leadframe section and then patterned.
  • that can be
  • Intermediate be applied as an intermediate layer, for example by means of printing, printing, casting or
  • Laminating and for example by means of laser ablation or etching or mechanically, for example by milling or scratching, removed and structured in this way.
  • the solderable thermal contact has, for example, a thickness between 0.1 and 100 ⁇ m, for example between 1 and 10 ⁇ m, for example about 5 ⁇ m.
  • the thermal contact points are, for example, a thickness between 0.1 and 100 ⁇ m, for example between 1 and 10 ⁇ m, for example about 5 ⁇ m.
  • a high thermal conductivity for example between 100 and 1000 W / mK, for example between 200 and 500 W / mK, for example between 250 and 400 W / mK.
  • the thermal contact is like this, for example
  • the thermal contact has, for example, metal,
  • the thermal contact can be applied, for example, in a contact layer and then be patterned or applied structured.
  • the thermal contact can be formed and / or structured for example with the aid of a photolithographic process and / or an etching process and / or the
  • Thermal contact can be applied in a galvanic process.
  • the intermediate element has, for example, a dielectric and / or, for example, an organic and / or a
  • Dielectric ceramic particles and / or a ceramic particles having carrier mass are ceramic
  • the carrier composition comprises epoxy resin, silicone and / or acrylic resin.
  • the ceramic has alumina, quartz,
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the metal on for example, the
  • the first contact element and the second contact element from the
  • the Contact element is physically separated from the second contact element.
  • the first and the second contact element may be formed before and after the application of the intermediate element and / or separated from each other.
  • the receiving region is for example after the formation or separation of the two contact elements in physical contact with the second contact element.
  • the first contact element is physically separated from the second contact element by means of an etching process. This can contribute to a simple formation of the contact elements.
  • Lead frame section formed an intermediate region for receiving the intermediate element.
  • the intermediate area is optional and possibly before the application of the
  • Intermediate element is formed and can before, during or after the formation and / or separation of the first and second
  • the intermediate region can for example have a recess in the leadframe section or the intermediate region can have a taper at which the leadframe section has a smaller one Has thickness than at the first and / or second contact element.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the intermediate region can be formed in the same etching process in which the first and the second contact element are formed and / or separated from one another.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Intermediate layer or the thermal contact can be formed from the contact layer.
  • the first and the second contact element are at least partially embedded in a molding material.
  • the fact that the first and the second contact element are embedded in a molding material in this context means that the first and the second contact element at least partially of the
  • the molding material may for example be a potting compound or a spray mass.
  • the molding material may for example be an inorganic material, for example a
  • Composite material for example epoxy resin, and / or
  • Silicone have a silicone hybrid and / or a silicone-epoxy hybrid.
  • the first and the second contact element may, for example, before or after the formation of the Intermediate area are embedded in the molding material.
  • the first and the second contact element can, for example, before or after the formation of the intermediate element and / or before or after the formation of the thermal contact in the
  • the molding material can serve, for example, the first and the second
  • Form material serve to at least partially isolate the two electrical contacts to the outside.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Forming material used as an intermediate element For example, the molding material and the intermediate element can be formed in one step and / or from the same
  • the molding material may form the intermediate element. This can help to form the intermediate element in a particularly simple and cost-effective manner.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Shaped molding material such that it has a receiving recess in which at least partially the first
  • a method for producing an electronic device in which a component carrier is produced, for example, according to the method explained above and in which the electronic component is placed on the receiving region of the electronic component
  • Component carrier is applied.
  • a first electrical contact of the electronic component is contacted with the first contact element and a second electrical
  • the first and / or the second electrical contact for example by means of bonding with the corresponding first and second contact element
  • the electronic component is
  • a light-emitting component for example, a light-emitting component
  • an LED or OLED for example, an LED or OLED, or a light
  • absorbent component for example a solar cell.
  • Device is formed, for example, if the electronic component is a vertical LED, the contacting of the second contact with the second
  • a method for producing a radiation arrangement in which an electronic arrangement is produced, for example, according to the method or methods explained above, wherein a radiation source is used as the electronic component.
  • the radiation source is, for example, a light-emitting component, for example an OLED or an LED, for example a thin-film LED and / or, for example, a horizontal or vertical LED.
  • Component carrier provided for receiving and contacting an electronic component.
  • Component carrier has a lead frame section, a
  • Lead frame portion has a first contact element, a second contact element and a receiving area.
  • the first contact element is used to contact a first
  • the receiving area serves to receive the electronic component.
  • the second contact element serves to contact a second one Electrode of the electronic component.
  • the receiving area and the second contact element are electrically conductive
  • the intermediate element is used for
  • the thermal contact is used for thermal contacting of the electronic component, for example via the intermediate element and the
  • the thermal contact is arranged on a side remote from the receiving area side of the intermediate element on the intermediate element.
  • the component carrier is
  • the component carrier is
  • component carrier and the electronic component are, for example, fastened together as described above and contacted with each other.
  • Radiation arrangement comprising the component carrier and the electronic component, wherein the
  • Component carrier, the electronic device and / or the radiation arrangement are transmitted.
  • the differences achieved by the different methods and / or method steps Embodiments of the component carrier, the electronic device and / or the radiation arrangement constitute separate aspects of the invention. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of electronic arrangements on a printed circuit board and a heat sink
  • FIG. 1 shows another embodiment of electronic
  • FIG. 3 shows a blank of an embodiment of a
  • FIG. 4 shows the leadframe section in a first state during a first exemplary embodiment of a method for producing a component carrier
  • FIG. 5 shows the leadframe section in a second state during the first exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 6 shows the leadframe section in a third state during the first exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 7 shows the leadframe section in a fourth state during the first exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 8 shows the leadframe section in a first state during a second embodiment of the invention
  • FIG. 9 shows the leadframe section in a second state during the second embodiment of FIG
  • FIG. 10 shows the leadframe section in a third state during the second embodiment of FIG.
  • FIG. 12 shows the leadframe section in a fifth state during the second embodiment of FIG.
  • FIG. 13 shows the leadframe section in a first state during a third exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 14 shows the leadframe section in a second state during the third embodiment of FIG
  • FIG. 15 shows the leadframe section in a third state during the third embodiment of FIG
  • FIG. 16 shows the leadframe section in a fourth state during the third embodiment of FIG
  • FIG. 17 shows the leadframe section in a fifth state during the third embodiment of FIG.
  • FIG. 18 shows the leadframe section in a sixth state during the third embodiment of FIG
  • FIG. 2 shows the leadframe section in a first state during a fourth exemplary embodiment of the method for producing a component carrier.
  • FIG. 20 shows the leadframe section in a second state during the fourth exemplary embodiment of FIG
  • FIG. 21 shows the leadframe section in a third state during the fourth exemplary embodiment of FIG
  • FIG. 22 shows the leadframe section in a fourth state during the fourth exemplary embodiment of FIG
  • FIG. 23 shows the leadframe section in a fifth state during the fourth embodiment of FIG.
  • FIG. 24 shows the leadframe section in a sixth state during the fourth exemplary embodiment of FIG
  • FIG. 25 shows the leadframe section in a first state during a fifth embodiment of the invention
  • FIG. 26 shows the leadframe section in a second state during the fifth exemplary embodiment of FIG
  • FIG. 27 shows the leadframe section in a third state during the fifth exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 28 shows the leadframe section in a fourth state during the fifth exemplary embodiment of the method for producing a component carrier
  • FIG. 29 shows the leadframe section in a fifth state during the fifth exemplary embodiment of the method for producing a component carrier.
  • a light emitting device may, in various embodiments, be a light emitting diode
  • LED Light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
  • FIG. 1 shows two electronic arrangements 10 which are arranged on a printed circuit board 14. Alternatively, more or less electronic devices 10 may be arranged. A housing of the electronic devices 10 may also be referred to as a QFN package.
  • Arrangements 10 may each have a component carrier and / or the component carrier may be the housing of the
  • Arrangement 10 may be, for example, a semiconductor chip and / or for example a light-emitting component or a light-absorbing component, for example a
  • the printed circuit board 14 is, for example, a FR4 circuit board or a FR5 circuit board. Alternatively, the printed circuit board 14 may be a metal core printed circuit board.
  • the printed circuit board 14 has, for example, glass fiber mats which are embedded in a resin, for example epoxy resin.
  • the printed circuit board 14 aluminum, copper, Al-SiC and / or AISi.
  • the printed circuit board 14 has on its side facing the electronic assemblies 10 side
  • the first interconnects 12 have, for example, copper or are formed from it.
  • the electronic devices 10 are electrically connected to the first tracks 12 of the circuit board 14.
  • the electronic devices 10 are connected to the first interconnects 12 via solder connections.
  • the first interconnects 12 are partly for electrical contact and partly for thermal
  • Thermal lines 16 extend through the printed circuit board 14. The thermal lines 16 are connected via some of the first tracks 12 to the electrical devices 10 for dissipating heat from the electronic devices 10. The thermal lines 16 are facing
  • the thermal lines 16 serve to heat from the
  • the printed circuit board 14 On its side remote from the electronic arrangements 10, the printed circuit board 14 has electrically conductive second printed conductors 20.
  • the second interconnects 20 comprise copper or are formed therefrom.
  • Conductor tracks 12, 20 have, for example, aluminum, copper, nickel, platinum, gold, silver and / or TiW.
  • the printed circuit board 14 is thermally and mechanically coupled to a heat sink 18, for example via the second
  • Conductor tracks 20 may be fixed to the second conductor tracks 20 on the heat sink 18 via a thermally and / or electrically conductive adhesive 22.
  • the heat sink 18 has, for example, aluminum, nickel, iron or copper and / or, for example, alloys based on copper, nickel, iron and / or aluminum.
  • FIG. 2 shows a further exemplary embodiment, in which the electrical arrangements 10 are coupled to the printed circuit board 14 and / or the heat sink 18.
  • the printed circuit board 14 and the heat sink 18 may be formed according to the embodiment shown in Figure 1.
  • the electronic devices 10 can be connected directly to the heat sink 18 or it can be dispensed with the heat sink 18, so that the circuit board 14 additionally assumes the function of a heat sink.
  • the electronic assemblies 10 in this embodiment are radiation assemblies that are light
  • the emitting components that emit electromagnetic radiation 24 have have.
  • the emitting components that emit electromagnetic radiation 24 have have.
  • the emitting components that emit electromagnetic radiation 24 have have.
  • the electromagnetic radiation 24 in the direction away from the circuit board 14 and the heat sink 18, for example, parallel to a surface normal, which is perpendicular to the circuit board 14.
  • Radiation 24 is for example light, for example UV light, infrared light and / or light in the visible range.
  • FIG. 3 shows a blank for a leadframe section 30.
  • the leadframe section 30 is a part of a leadframe, not fully illustrated, which has a plurality of corresponding leadframe sections 30. The manufacturing methods explained below are
  • Lead frame portion 30 are representative of
  • Lead frame sections 30 of the lead frame are connected to Lead frame.
  • Lead frame sections 30 can thus be processed in the lead frame in the composite.
  • the lead frame and in particular the lead frame section 30 are used in all of the manufacturing methods explained below as base and / or
  • the leadframe can also act as a QFN leadframe
  • the leadframe portion 30 includes, for example, a metal, such as copper, and / or is formed therefrom.
  • the lead frame portion 30 has a high electrical
  • the lead frame portion 30 has a high thermal conductivity. Furthermore, the
  • Lead frame section 30 optionally be coated.
  • Lead frame portion 30 has, for example, a thickness of 10 to 1000 pm, for example 100 to 500 pm,
  • Lead frame section 30 serves as a carrier body for one of the component carriers.
  • the lead frame thus has carrier body for a plurality of component carriers.
  • the lead frame portion 30 has a first one
  • the sections 32, 34, 26 and the receiving area 38 initially represent unprocessed sections or areas of the printed circuit board section 30 and serve for
  • FIG. 4 shows a first state of the leadframe section 30 during the first exemplary embodiment of the method for producing the component carrier. Starting from the blank of the leadframe section 30 shown in FIG. 3, to achieve the state shown in FIG.
  • Lead frame portion 30 at least one etching process
  • a two-sided etching process is performed in which the blank of the leadframe portion 30 is etched from both sides.
  • an etch stop material is applied to both sides of the lead frame portion 30, and subsequently, the lead frame portion 30 is etched from both sides, for example, in one operation.
  • Lead frame portion 30 physically separated from each other, but may be connected together in the composite of the lead frame via adjacent, not shown, lead frame sections 30.
  • the second contact element 44 is physically coupled to the receiving region 38 and is formed, for example, in one piece with the receiving region 38.
  • Lead frame portion 30, an intermediate portion 48 is formed, which has a recess in the lead frame portion 30. Further, optionally at a transition from the second
  • the intermediate region 48 and / or the further recess have a depth which corresponds, for example, to half the thickness of the leadframe section 30, the depth being, for example, up to 100 ⁇ m, for example up to 50 ⁇ m, for example up to 30 ⁇ m, of half the thickness of the leadframe section 30 may differ.
  • the intermediate region 48 may be formed, for example, by drilling, grinding and / or embossing in the etching process
  • Lead frame portion 30 are formed.
  • FIG. 5 shows a second state of the
  • the intermediate element 50 is, for example, a dielectric and / or has
  • the intermediate element 50 has a carrier mass in which particles are embedded.
  • the carrier material has
  • a polymer such as epoxy resin
  • alumina for example, alumina, quartz, aluminum nitride,
  • the intermediate element 50 serves to electrically isolate the receiving region 38 and / or to remove heat from the receiving region 38.
  • the intermediate element 50 can be introduced, for example, by means of dispensing or doctoring into the intermediate region 48. If necessary, the intermediate element 50 may be dried and / or hardened after being introduced into the intermediate region 48.
  • the intermediate element 50 may for example have a thickness that corresponds to a depth of the intermediate region 48 and / or have a thickness that is half the thickness of the
  • Lead frame portion 30 corresponds.
  • FIG. 6 shows a third state of
  • Form material 54 embedded lead frame portion 30 may be referred to as a component carrier. The in the
  • Molding material 54 embedded lead frame can as
  • Component carrier composite are called.
  • the molding material 54 is formed, for example, by molding, for example transfer, or by overmolding the leadframe section with the molding material 54.
  • the lead frame may include all
  • Lead frame sections 30, each with two contact elements 44, 42 are inserted into a cast or molded body and then encapsulated with the liquid molding material 54 or
  • the molding material 54 can be dried or cured.
  • Shaped body is formed so that in the mold material 54, a receiving recess 56 is formed.
  • Receiving recess 56 at least the receiving area 38 is exposed. Furthermore, in the receiving recess 56, the first and second contact elements 42, 44 may be at least partially exposed. In addition, the two contact elements 42, 44 on their side remote from the receiving recess 56 sides at least partially free of mold material 54th
  • the intermediate region 48 can be kept free of molding material 54 during the formation of the molding material 54 and the
  • Form material 54 are introduced into the intermediate region 48.
  • thermal contact 52 is formed.
  • the thermal contact 52 for example, as explained in more detail below, for example, with reference to Figures 12 and / or 17, are applied flat on the intermediate element 50 and / or the component carrier and below
  • the thermal contact 52 are applied to the intermediate element 50.
  • the thermal contact 52 is suitable for example to enter into a solder joint and can
  • the thermal contact 52 has, for example, a metal, for example copper,
  • the thermal contact 52 serves to thermally to the intermediate element 50 to contact. In addition, the thermal contact 52 serves to dissipate heat from the intermediate element 50.
  • the thermal contact 52 constitutes a metallization of the intermediate element 50,
  • FIG. 7 shows a fourth state of the component carrier during the first exemplary embodiment of the method for producing the component carrier, in which an electronic component 60 is applied to the receiving region 38.
  • the component carrier with the electronic component 60 can also be referred to as an electronic device 10 or as an electronic component.
  • the component carrier can serve as a housing for the electronic component.
  • Electronic component 60 is for example a
  • emissive component is, for example, an OLED or an LED, for example a vertically emitting OLED or LED, in which a preferred direction of the emitted
  • electromagnetic radiation is perpendicular to layers of the layer structure of the LED.
  • the electronic component 60 has, for example, on its side facing away from the lead frame section 30 side, a first electrical contact 62 and on a the
  • first electrical contact 62 and the second electrical contact 66 at least one, for example a plurality of optical layers is formed.
  • optically functional for example, are optically functional
  • Device 60 is connected via a first bonding contact 70, an electrical line 72 and a second bonding contact 74 with the first electrical contact element 42 of the
  • electrical contact 66 is in physical contact with the receiving area 38 of the leadframe portion 30
  • Receiving portion 38 and thus the second electrical contact 66 of the electronic component 60 are electrically coupled to the second contact element 44.
  • Receiving portion 38 of the leadframe portion 30 for both the mechanical and for the electrical coupling of the electronic component 60 to the circuit board portion 30. During operation of the electronic component 60, heat may be generated by the leadframe portion 30 in the
  • Recording area 38 is recorded.
  • the heat can be dissipated via the intermediate element 50 to the thermal contact 52.
  • the intermediate element 50 forms an electrical insulation of the receiving region 38 of the thermal contact 52 and thus an electrical insulation of the thermal contact 52 of the electronic component 60th
  • the electronic component 60 is arranged in the receiving recess 56 of the molding material 54.
  • the receiving recess 56 may otherwise be filled, for example, with a filling material, for example with a light-scattering material.
  • the electronic component 60 in the receiving recess 56 in a filling material in a filling material
  • leadframe sections 30 from the leadframe or the component carrier from the Component carrier composite are separated, for example by means of cutting or sawing.
  • FIGS. 8 to 12 show different states of the leadframe section 30 and of the component carrier during a second exemplary embodiment of the method for
  • FIG. 8 shows a first state of the leadframe section 30 or of the component carrier during the second
  • Component carrier in which starting from the
  • the intermediate region 48 may be formed by means of an etching process, for example a flat etching in which
  • Lead frame portion 30 are formed.
  • the intermediate region 48 can be made, for example by means of milling,
  • a depth of the intermediate region 48 may, for example, be between 10 and 100 ⁇ m, for example between 20 and 60 ⁇ m, for example between 30 and 50 ⁇ m, for example approximately 40 ⁇ m
  • FIG. 9 shows a second state of the component carrier during the second exemplary embodiment of the method for producing the component carrier, in which the
  • Leadframe portion 30 has been subjected to an etching process from both sides, for example according to the explained on 4 sided etching process for making the contact elements 42, 44.
  • the lead frame portion 30 has after the two-sided etching process due to the explained with reference to Figure 8 etching process at the receiving area 38th and at the intermediate region 48 has a smaller thickness than in the region of the first and second contact elements 42, 44th
  • FIG. 10 shows a third state of
  • Lead frame portion 30 is embedded in the mold material 54, for example, as explained in more detail with reference to Figure 6.
  • the molding material 54 is also formed adjacent to the intermediate region 48, so that the intermediate region 48 is covered or filled with molding material 54.
  • the molding material 54 thereby forms the intermediate element 50.
  • the intermediate element 50 is formed by the molding material 54.
  • a thickness of the intermediate element 50 corresponds approximately to a depth of the intermediate region 48 shown in FIG.
  • Figure 11 shows a fourth state of
  • an additional layer 80 is applied, in such a way that the two contact elements 42, 44 and the intermediate element 50 remain free from the additional layer 80.
  • the additional layer 80 may also be referred to as a solder mask and / or for a lift-off method or the like. be used.
  • FIG. 12 shows a fifth state of the leadframe 30 or of the component carrier during the second
  • Component carrier in which on a side remote from the receiving area 38 side of the leadframe portion 30 on the first contact element 42, a first layer contact 82nd
  • Layer contact 82, the second layer contact 84 and / or the thermal contact 52 are, for example, surface by means of a galvanic process on the additional layer 80 and the
  • Additional layer 80 is removed with the layer elements of the galvanic layer thereon, so that the first layer contact 82, the second layer contact 84 and / or the thermal contact 52 are formed.
  • the layer contacts 82, 84 and / or the thermal contact 52 may alternatively also with
  • the electronic component 60 is on the
  • Lead frame portion 30 is applied and on the
  • Lead frame portion 30 contacted, for example, as explained in more detail with reference to Figure 7.
  • Component carrier composite are separated, for example by means of cutting or sawing.
  • molding material 54 has, for example, a particularly high
  • Figure 13 shows a first state of
  • Lead frame section 30 is subjected to a two-sided etching process, for example, as explained in more detail with reference to Figure 4.
  • a two-sided etching process for example, as explained in more detail with reference to Figure 4.
  • Lead frame portion 30 is formed.
  • FIG. 14 shows a second state of the
  • FIG. 15 shows a third state of
  • the intermediate layer 86 can be applied, for example, flat on the component carrier, for example by spin coating, printing, printing, casting or knife coating and / or by
  • the intermediate layer 86 comprises the material of the intermediate element 50.
  • the intermediate layer 86 may for example be made as thin as possible and / or For example, have a thickness of 1 to 50 pm, for example from 20 to 40 pm, for example about 38 pm.
  • FIG. 16 shows a fourth state of FIG
  • the intermediate layer 86 structured.
  • the intermediate layer 86 may, for example, by means of laser ablation, etching and / or
  • the intermediate layer 86 can also be applied in structured fashion to the component carrier, for example by screen printing or stencil printing or in one
  • Jet printing for example a
  • FIG. 17 shows a fifth state of FIG
  • a contact layer 88 is formed on a side facing away from the receiving portion 38 side of the component carrier.
  • the contact layer 88 extends over the intermediate layer 86, the surface
  • the contact layer 88 may be, for example, a metal, such as copper
  • the contact layer 88 may be, for example, a
  • FIG. 18 shows a sixth state of FIG.
  • Thermal contact 52 are formed.
  • the contact layer 88 may, for example, by means of a photolithographic
  • the structure of the contact layer 88 may be formed by means of a photomask on the
  • FIG. 19 shows a first state of the
  • the intermediate region 48 is formed on the side of the leadframe section opposite the receiving region 38 in the leadframe section 30.
  • the intermediate region 48 is formed, for example, by means of etching.
  • the intermediate region 48 can be formed, for example, as explained in more detail with reference to FIG.
  • the intermediate region 48 can be formed with a small depth of, for example, between 10 and 100 ⁇ m, for example between 20 and 50 ⁇ m, for example of about 40 ⁇ m.
  • Figure 20 shows a second state of
  • the intermediate element 50 is introduced.
  • the intermediate element 50 is introduced into the intermediate region 48, for example by means of doctoring or dispensing.
  • the intermediate element 50 is introduced, for example, as explained in more detail with reference to Figure 5 in the intermediate region 48.
  • the intermediate element 50 may comprise, for example, materials such as those shown in connection with FIG. 1
  • intermediate element 50 may be liquid in the
  • Intermediate 48 are introduced and / or cured there thermally or optically.
  • Figure 21 shows a third state of
  • Contact layer 88 is applied flat.
  • the contact layer 88 may, for example, according to the one shown in FIG.
  • Contact layer 88 may be formed and / or formed.
  • the contact layer 88 may, for example, have a thickness of 1 to 10, for example 5 microns.
  • Figure 22 shows a fourth state of
  • Lead frame portion 30 is subjected to the two-sided etching process with the intermediate element 50 and the contact layer 88, for example, as with reference to Figure 4 closer
  • the two-sided etching process makes the first contact element 42 with the first layer contact 82, the second contact element 44 with the second layer contact 84, and the intermediate element 50 with the thermal contact 52
  • first contact element 42 with the first layer contact 82, the second contact element 44 with the second layer contact 84 and the intermediate element 50 with the thermal contact 52 by a on or Two-sided mechanical processing are formed, for example, if the performing the etching process
  • Figure 23 shows a fifth state of
  • the forming of the molding material 54 takes place, for example, as with reference to Figure 6 in more detail
  • the molding material 54 is formed such that the first layer contact 82, the second layer contact 84 and the thermal contact 52 remain free of molding material.
  • Figure 24 shows a sixth state of
  • Lead frame portion 30 is contacted, for example, as explained in more detail with reference to Figure 7.
  • the intermediate element 50 can be made particularly thin, resulting in a particularly good dissipation of heat via the intermediate element 50
  • the component carrier can contribute. Furthermore, the component carrier,
  • the housing for example the QFN housing, formed flat on its side remote from the electronic component 60 side, which can contribute to a simple arrangement of the component carrier, for example, on the circuit board 14.
  • Figures 25 to 29 show different states of the
  • Figure 25 shows a first state of
  • Lead frame section 30 according to Figure 3, the intermediate member 50 on the receiving area 30 facing away from the
  • Lead frame portion 30 is formed.
  • Intermediate element 50 is already structured, for example, by means of stencil printing, screen printing or by means of an inkjet printing process (jetting) applied to the lead frame section 30.
  • the intermediate element 50 can be applied as an intermediate layer 86 and then structured as explained in more detail with reference to FIG. 16, so that subsequently the intermediate element 50 is formed.
  • Figure 26 shows a second state of
  • Lead frame portion 30 and the intermediate member 50 is applied flat contact layer 88, for example, as explained in more detail with reference to Figure 17.
  • Figure 27 shows a third state of
  • Lead frame portion 30 is subjected to the two-sided etching process with the contact layer 88 and the intermediate element 50, for example, as with reference to Figure 4 in more detail
  • the first contact element 42 with the first layer contact 82, the second contact element 44 with the second layer contact 84, the intermediate element 50 and the thermal contact 52 are formed.
  • the first contact element 42 with the first layer contact 82, the second contact element 44 with the second layer contact 84 and the intermediate element 50 with the thermal contact 52 are formed by a one- or two-sided mechanical processing, for example, if performing the etching process is unfavorable.
  • the conductor frame section 30 has a greater thickness in the region of the thermal contact 52, the intermediate element 50 and the receiving region 38 than in the region of the first and / or second contact element 42, 44.
  • FIG. 28 shows a fourth state of FIG
  • Lead frame portion 30 is embedded in the mold material 54.
  • the molding material 54 is formed, for example, as explained in more detail with reference to Figure 6.
  • the molding material 54 has the receiving recess 56.
  • the molding material 54 has the receiving recess 56.
  • Forming material 54 formed such that the first and the second layer contact 82, 84 and the thermal contact 52 are free of molding material 54.
  • the component carrier has a stepped structure on its side applied by the receiving area 38. In particular, the
  • Component carrier in the intermediate portion 36 has a greater thickness than in the first and second contact portions 32, 34.
  • the gradation is shown exaggerated in Figure 28 for clarity.
  • the gradation can also be made significantly smaller relative to the dimensions of the component carrier. This can be achieved, for example, by making the intermediate layer 50 as thin as possible.
  • FIG. 29 shows a fifth state of FIG.
  • the fifth exemplary embodiment of the method for producing the component carrier can be carried out, for example, with only a single etching process. The invention is not indicated on the
  • the molding material 54 may be formed in all embodiments by means of transfer-compression or in ection-molding. Basically, for all embodiments that a small thickness of the intermediate element 50 contributes to a good heat dissipation. The small thickness of the
  • Intermediate element 50 can be achieved for example by a small depth of the recess of the intermediate region 48 or by a small thickness of the intermediate layer 86.

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement (60) bereitgestellt, bei dem zunächst ein Leiterrahmenabschnitt (30) bereitgestellt wird. Der Leiterrahmenabschnitt (30) weist ein elektrisch leitfähiges Material auf. Der Leiterrahmenabschnitt (30) weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt (32) zum Ausbilden eines ersten elektrischen Kontaktelements (42), einen zweiten Kontaktabschnitt (34) zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements (44) und einen Aufnahmebereich (38) zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements (60) auf. Zumindest der Aufnahmebereich (38) und der zweite Kontaktabschnitt (34) sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts (30) wird ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Zwischenelement (50) zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich (38) und zum elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs (38) ausgebildet. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) abgewandten Seite des Zwischenelements (50) wird ein Thermokontakt (52) zum thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements (60) ausgebildet.

Description

Besehreibung
Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, einer elektronischen Anordnung und einer Strahlungsanordnung und Bauelementträger, elektronische Anordnung und
Strahlungsanordnung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement, bei dem ein Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt wird. Der
Leiterrahmenabschnitt weist ein elektrisch leitfähiges
Material auf. Der Leiterrahmenabschnitt weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines ersten
elektrischen Kontaktelements, einen zweiten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements und einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen
Bauelements auf. Zumindest der Aufnahmebereich und der zweite Kontaktabschnitt sind elektrisch leitend miteinander
verbunden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung, die beispielsweise den Bauelementträger aufweist, und ein Verfahren zum
Herstellen einer Strahlungsanordnung, die beispielsweise die elektronische Anordnung aufweist. Ferner betrifft die
Erfindung den Bauelementträger und/oder die
Strahlungsanordnung, die beispielsweise den Bauelementträger aufweist, und/oder die elektronische Anordnung, die
beispielsweise den Bauelementträger aufweist.
Die deutsche Prioritätsanmeldung DE 10 2012 207 519.4, die ausdrücklich einen Teil der Offenbarung der vorliegenden
Anmeldung bildet, beschreibt ebenfalls bereits Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, einer elektronischen Anordnung und einer Strahlungsanordnung, sowie einen
Bauelementträger, eine elektronische Anordnung und eine
Strahlungsanordnung.
An Bauelementträger, beispielsweise Gehäuse, für
elektronische Bauelemente, beispielsweise Strahlungsanordnungen, wie beispielsweise LED's, werden häufig Anforderungen gestellt, dass die LED's einfach zu kontaktieren sind, dass die in den LED's während des Betriebs entstehende Wärme schnell und effektiv abtransportiert werden kann und dass die gesamte Strahlungsanordnung aus LED und Bauelementträger einfach und kostengünstig herstellbar ist. Bei herkömmlichen Bauelementträgern sind neben anderen
Konzepten insbesondere zwei unterschiedliche Aufbaukonzepte für Bauelementträger bekannt.
Beispielsweise ist es bekannt, einen Trägerkörper aus Keramik auszubilden und diesen mit elektrischen Kontakten zu
versehen, die sich auf der Oberfläche des Trägerkörpers und teilweise durch den Trägerkörper hindurch erstrecken. Einer der elektrischen Kontakte kann eine so große Fläche
aufweisen, dass das elektronische Bauelement auf den
elektrischen Kontakt aufgesetzt werden kann. Eine LED, beispielsweise eine Dünnfilm-LED und/oder eine vertikale LED (Emissionsrichtung und/oder Stromleitung senkrecht zu
Schichtaufbau) , kann an dem elektrischen Kontakt so befestigt werden, dass sie an dem elektrischen Kontakt fixiert ist und gleichzeitig über den körperlichen Kontakt die elektrische Kontaktierung gegeben ist. Ein weiterer Kontakt der LED kann mit dem anderen elektrischen Kontakt des Bauelementträgers kontaktiert werden, beispielsweise mittels einer
Bondverbindung. Der Trägerkörper aus Keramik isoliert den elektrischen Kontakt, an dem das elektronische Bauelement befestigt ist, elektrisch und leitet die Wärme von dem elektronischen Bauelement ab. Zum weiteren Abführen der Wärme aus dem Bauelementträger kann auf einer dem elektronischen Bauelement gegenüberliegenden Seite des keramischen
Trägerkörpers eine Metallisierung auf dem Trägerkörper ausgebildet sein. Die Metallisierung kann beispielsweise auch zum Herstellen einer Lotverbindung dienen.
Der Bauelementträger mit dem keramischen Trägerkörper kann auf eine Leiterplatte, beispielsweise auf eine FR4- Leiterplatte, so aufgesetzt werden, dass sich der Trägerkörper zwischen dem elektronischen Bauelement und der Leiterplatte befindet. Die sich durch den keramischen
Trägerkörper hindurch erstreckenden elektrischen Kontakte werden mit Leiterbahnen der Leiterplatte verbunden. Außerdem wird die Metallisierung mit thermischen Leitungen verbunden, die sich durch die Leiterplatte hindurch erstrecken und die mit einer Wärmesenke verbunden werden können. Die
Leiterplatte trägt zu einer guten, einfachen und
kostengünstigen Kontaktierung und Kühlung des elektronischen Bauelements bei.
Alternativ dazu ist es bekannt, für den Bauelementträger einen elektrisch leitenden, beispielsweise Metall
aufweisenden, Leiterrahmenabschnitt zu verwenden. Dieser ist besonders einfach und kostengünstig herstellbar.
Beispielsweise kann der Leiterrahmenabschnitt Teil eines Leiterrahmens sein und der Bauelementträger kann in einem Bauelementträgerverbund hergestellt werden, indem alle
Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens im Verbund
bearbeitet werden. Verwendet man nun wie vorstehend
beschrieben als elektronisches Bauelement eine vertikale LED, so kontaktiert der Leiterrahmenabschnitt das elektronische Bauelement elektrisch und es entsteht eine elektrische
Verbindung zwischen dem elektronischen Bauelement und der Wärmesenke. Da das elektronische Bauelement und die
Wärmesenke in vielen Anwendungen nicht elektrisch miteinander gekoppelt sein sollen, wird zum Befestigen der
Bauelementträgers beispielsweise eine Metallkern-Leiterplatte verwendet, wobei der Metallkern der Leiterplatte von den elektrischen Kontakten der Leiterplatte mittels einer
dielektrischen Schicht isoliert ist. Der Metallkern der
Metallkern-Leiterplatte kann als Wärmesenke dienen und/oder es kann eine zusätzliche Wärmesenke vorgesehen werden, die mit dem Metallkern thermisch gekoppelt wird. Das Abführen der Wärme aus der Strahlungsanordnung mit dem Bauelementträger und der LED zu der Wärmesenke erfolgt über die dielektrische Schicht der Metallkern-Leiterplatte. Alternativ dazu kann ein elektronisches Bauelement verwendet werden, beispielsweise eine horizontale LED
(Emissionsrichtung und/oder Stromleitung parallel zu
Schichtauf au) , bei dem allein durch die Befestigung an dem Leiterrahmenabschnitt kein elektrischer Kontakt zwischen dem elektronischen Bauelement und dem Leiterrahmenabschnitt entsteht. Beide elektrischen Kontakte des elektronischen Bauelements können dann beispielsweise mittels
Bondverbindungen hergestellt werden. Ferner kann zum
Verbinden des Bauelementträgers mit der Wärmesenke eine FR4- Leiterplatte verwendet werden.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Stand der Technik zu verbessern.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung und/oder ein
Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung
bereitgestellt, die auf einfache und kostengünstige Weise das Herstellen des Bauelementträgers, der elektronischen
Anordnung bzw. der Strahlungsanordnung ermöglichen und/oder die eine gute elektrische und thermische Kopplung eines elektronischen Bauelements mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke ermöglichen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein
Bauelementträger, eine elektronische Anordnung und/oder eine Strahlungsanordnung bereitgestellt, die auf einfache und kostengünstige Weise herstellbar sind und/oder die auf einfache und kostengünstige Weise eine gute elektrische und thermische Kopplung eines elektronischen Bauelements mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke ermöglichen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Dabei wird ein
Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt, der ein elektrisch leitfahiges Material aufweist. Der Leiterrahmenabschnitt weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines ersten elektrischen Kontaktelements, einen zweiten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements und einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements auf. Zumindest der Aufnahmebereich und der zweite Kontaktabschnitt sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Zumindest auf einer dem
Aufnahmebereich gegenüberliegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts wird ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Zwischenelement zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich und zum elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs ausgebildet. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich abgewandten Seite des Zwischenelements wird ein Thermokontakt zum thermischen Kontaktieren des
elektronischen Bauelements ausgebildet.
Das Bereitstellen des Leiterrahmenabschnitts mit dem
elektrisch leitfähigen Material, das Ausbilden des
Zwischenelements nahe dem oder anschließend an den
Aufnahmebereich und das Ausbilden des Thermokontakt s an dem Zwischenelement tragen dazu bei, den Bauelementträger einfach und kostengünstig herstellen zu können, im Betrieb des elektronischen Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv abführen zu können und den Bauelementträger auf einfache und kostengünstige Weise mit einer guten
elektrischen und thermischen Kopplung mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke koppeln zu können. Ferner kann die elektronische Anordnung ein sehr gutes Verhalten bei
Temperaturwechselbelastung aufweisen, da das Material des Leiterplattenabschnitts besonders gut an die
Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterplatte und/oder der Wärmesenke angepasst werden kann. Dabei kann die Leiterplatte beispielsweise eine FR1-, FR2-, FR3- , FR4-, FR5-, CEM1-, CEM2-, CEM3-, CEM4- oder CEM5-Leiterplatte sein,
beispielsweise eine durchkontaktierte FR-4-Leiterplatte . Der Bauelementträger kann beispielsweise auch als Gehäuse, QFN- Gehäuse oder QFN-Träger bezeichnet werden. Der Leiterrahmenabschnitt kann beispielsweise auch als QFN- Leadframe bezeichnet werden. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement kann auch als elektronisches
Bauteil oder elektronische Anordnung bezeichnet werden. Das elektronische Bauelement ist beispielsweise ein Halbleiter- Chip und/oder ein Licht emittierendes oder Licht
absorbierendes Bauelement.
Die Wärmesenke kann beispielsweise Aluminium aufweisen. Der Bauelementträger kann beispielsweise über die Leiterplatte oder direkt mit der Wärmesenke gekoppelt sein kann.
Der Bauelementträger kann beispielsweise zum Aufnehmen eines elektronischen Bauelements dienen. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement kann als elektronische
Anordnung bezeichnet werden. Ferner kann der Bauelementträge mit dem elektronischen Bauelement als Strahlungsanordnung bezeichnet werden, falls das elektronische Bauelement eine Strahlungsquelle, beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement, aufweist.
Der Leiterrahmenabschnitt weist das elektrisch leitfähige Material auf und/oder kann aus dem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein. Das elektrisch leitfähige Material weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer, beispielsweise CuW oder CuMo, Kupferlegierungen, Messing, Nickel und/oder Eisen, beispielsweise FeNi, auf und/oder ist daraus gebildet. Der Leiterrahmenabschnitt ist Teil eines Leiterrahmens, der mehrere Leiterrahmenabschnitte aufweist, die miteinander verbunden sind, wobei jeder der
Leiterrahmenabschnitte beispielsweise zum Ausbilden eines de Bauelementträger ausgebildet sein kann. In anderen Worten kann sich der Leiterrahmen über mehrere Bauelementträger hinweg erstrecken, wobei die Mehrzahl der Bauelementträger gleichzeitig ausgebildet und/oder hergestellt werden können, wodurch ein Bauelementträgerverbund hergestellt wird. Der Leiterrahmen und/oder die Leiterrahmenabschnitte können beispielsweise flächig ausgebildet sein, was beispielsweise bedeutet, dass der Leiterrahmen bzw. jeder der
Leiterrahmenabschnitte verglichen mit seiner Länge und seiner Breite eine relativ geringe Dicke aufweist. Das Bearbeiten des Leiterrahmenabschnitts und damit das
Herstellen des Bauelementträgers können repräsentativ für das Bearbeiten des Leiterrahmens und damit repräsentativ für das Herstellen des Bauelementträgerverbunds sein. In anderen Worten können alle Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens gleichzeitig in denselben Arbeitsschritten bearbeitet werden, wie mit Bezug auf den einen Leiterrahmenabschnitt
beschrieben. Nach dem Herstellen des Bauelementträgerverbunds können dann die einzelnen Bauelementträger aus dem
Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, indem unter anderem die Verbindungen der Leiterrahmenabschnitte
zueinander durchtrennt werden.
Das erste Kontaktelement dient zum Kontaktieren eines ersten Kontakts des elektronischen Bauelements. Das zweite
Kontaktelement dient zum Kontaktieren eines zweiten Kontakts des elektronischen Bauelements. Der erste und der zweite Kontaktabschnitt können beispielsweise nebeneinander
ausgebildet sein, wobei der Aufnahmebereich zwischen den beiden Kontaktabschnitten ausgebildet sein kann.
Beispielsweise kann der Aufnahmebereich in einem
Aufnahmeabschnitt angeordnet sein, der zwischen dem ersten und dem zweiten Kontaktabschnitt ausgebildet ist.
Das Zwischenelement weist beispielsweise eine Dicke zwischen 1 und 1000 pm, beispielsweise zwischen 10 und 200 pm, beispielsweise zwischen 20 und 80 pm auf. Das Zwischenelement weist beispielsweise eine thermische Leitfähigkeit zwischen 0,1 und 100 W/mK, beispielsweise zwischen 0,5 und 20 W/mK, beispielsweise zwischen 1 und 5 W/mK auf. Das Zwischenelement kann beispielsweise bereits strukturiert auf den
Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden. Beispielsweise kann das Material des Zwischenelements mittels Siebdruck,
Schablonendruck, Aufsprühen ( Jet-Printing) oder in einem Dispensverfahren aufgebracht oder flüssig in einen
formgebenden Zwischenbereich des Leiterrahmenabschnitts eingebracht werden. Alternativ dazu kann das Zwischenelement flächig auf den Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden und dann strukturiert werden. Beispielsweise kann das
Zwischenelement als Zwischenschicht aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufdrucken, Drucken, Gießen oder
Laminieren, und beispielsweise mittels Laserabiation oder Ätzen oder mechanisch, beispielsweise mittels Fräsen oder Kratzen, abgetragen und auf diese Weise strukturiert werden.
Der lötbare Thermokontakt weist beispielsweise eine Dicke zwischen 0,1 und 100 pm, beispielsweise zwischen 1 und 10 pm, beispielsweise etwa 5 pm auf. Der Thermokontakt weist
beispielsweise eine hohe thermische Leitfähigkeit auf, beispielsweise zwischen 100 und 1000 W/mK, beispielsweise zwischen 200 und 500 W/mK, beispielsweise zwischen 250 und 400 W/mK. Der Thermokontakt ist beispielsweise so
ausgebildet, dass er über eine Lotverbindung kontaktierbar ist. Der Thermokontakt weist beispielsweise Metall,
beispielsweise Kupfer, Titan, Gold, Silber, Nickel und/oder Palladium, beispielsweise NiPdAu, auf. Der Thermokontakt kann beispielsweise in einer KontaktSchicht flächig aufgebracht und dann strukturiert werden oder strukturiert aufgebracht werden. Der Thermokontakt kann beispielsweise mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses und/oder eines Ätzprozesses ausgebildet und/oder strukturiert werden und/oder der
Thermokontakt kann in einem galvanischen Prozess aufgebracht werden .
Das Zwischenelement weist beispielsweise ein Dielektrikum und/oder beispielsweise ein organisches und/oder ein
anorganisches Material auf. Beispielsweise weist das
Dielektrikum Keramikpartikel und/oder eine Keramikpartikel aufweisende Trägermasse auf. Beispielsweise sind keramische
Partikel in der Trägermasse eingebettet. Beispielsweise weist die Trägermasse Epoxidharz, Silikon und/oder Acrylharz auf. Beispielsweise weist die Keramik Aluminiumoxid, Quarz,
Aluminiumnitrid, Bornitrid und/oder Siliziumkarbid auf.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Thermokontakt ein Metall auf. Beispielsweise weist der
Thermokontakt Kupfer auf oder ist daraus gebildet.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden das erste Kontaktelement und das zweite Kontaktelement aus dem
Leiterrahmenabschnitt ausgebildet, wobei das erste
Kontaktelement körperlich von dem zweiten Kontaktelement getrennt wird. Das erste und das zweite Kontaktelement können vor oder nach dem Aufbringen des Zwischenelements ausgebildet und/oder voneinander getrennt werden. Der Aufnahmebereich ist beispielsweise auch nach dem Ausbilden bzw. der Trennung der beiden Kontaktelemente in körperlichem Kontakt mit dem zweiten Kontaktelement. Beispielsweise ist der
Aufnahmebereich an demselben Materialstück ausgebildet wie das zweite Kontaktelement. In anderen Worten können der
Aufnahmebereich und das zweite Kontaktelement einstückig ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das erste Kontaktelement mit Hilfe eines Ätzprozesses körperlich von dem zweiten Kontaktelement getrennt. Dies kann zu einem einfachen Ausbilden der Kontaktelemente beitragen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird auf der dem Aufnahmebereich gegenüber liegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts ein Zwischenbereich zum Aufnehmen des Zwischenelements ausgebildet. Der Zwischenbereich wird optional und gegebenenfalls vor dem Aufbringen des
Zwischenelements ausgebildet und kann vor, während oder nach dem Ausbilden und/oder Trennen des ersten und zweiten
Kontaktelements ausgebildet werden. Der Zwischenbereich kann beispielsweise eine Ausnehmung in dem Leiterrahmenabschnitt aufweisen oder der Zwischenbereich kann eine Verjüngung aufweisen, an der der Leiterrahmenabschnitt eine geringere Dicke als an dem ersten und/oder zweiten Kontaktelement aufweist .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der
Zwischenbereich in demselben Arbeitsschritt ausgebildet wie das erste und das zweite Kontaktelement. Beispielsweise kann der Zwischenbereich in demselben Ätzprozess ausgebildet werden, in dem das erste und das zweite Kontaktelement ausgebildet und/oder voneinander getrennt werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das
Zwischenelement und/oder der Thermokontakt in demselben
Arbeitsschritt ausgebildet wie das erste und das zweite
Kontaktelement. Beispielsweise können zunächst eine
Zwischenschicht und/oder eine KontaktSchicht auf den
Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden und dann können in demselben Ätzprozess, in dem die beiden Kontaktelemente hergestellt werden, das Zwischenelement aus der
Zwischenschicht bzw. der Thermokontakt aus der KontaktSchicht ausgebildet werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden das erste und das zweite Kontaktelement zumindest teilweise in einen Formwerkstoff eingebettet. Dass das erste und das zweite Kontaktelement in einen Formwerkstoff eingebettet werden, bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das erste und das zweite Kontaktelement zumindest teilweise von dem
Formwerkstoff umgeben werden, dass jedoch auch Bereiche des ersten und zweiten Kontaktelements und/oder auch der
Aufnahmebereich und/oder der Zwischenbereich und/oder der Thermokontakt frei von Formwerkstoff bleiben können. Der Formwerkstoff kann beispielsweise eine Vergussmasse oder eine Spritzmasse sein. Der Formwerkstoff kann beispielsweise ein anorganisches Material, beispielswiese einen
Verbundwerkstoff, beispielsweise Epoxidharz, und/oder
Silikon, ein Silikon-Hybrid und/oder ein Silikon-Epoxid- Hybrid aufweisen. Das erste und das zweite Kontaktelement können beispielsweise vor oder nach dem Ausbilden des Zwischenbereichs in den Formwerkstoff eingebettet werden. Das erste und das zweite Kontaktelement können beispielsweise vor oder nach dem Ausbilden des Zwischenelements und/oder vor oder nach dem Ausbilden des Thermokontakts in den
Formwerkstoff eingebettet werden. Der Formwerkstoff kann beispielsweise dazu dienen, das erste und das zweite
elektrische Kontaktelement mechanisch zu verbinden und elektrisch voneinander zu isolieren. Ferner kann der
Formwerkstoff dazu dienen, die beiden elektrischen Kontakte zumindest teilweise nach außen hin zu isolieren.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der
Formwerkstoff als Zwischenelement verwendet. Beispielsweise können der Formwerkstoff und das Zwischenelement in einem Arbeitsschritt ausgebildet werden und/oder aus demselben
Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Formwerkstoff das Zwischenelement bilden. Dies kann dazu beitragen, das Zwischenelement auf besonders einfache und kostengünstige Weise auszubilden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der
Formwerkstoff so geformt, dass er eine Aufnahmeausnehmung aufweist, in der zumindest teilweise das erste
Kontaktelement, das zweite Kontaktelement und/oder der
Aufnahmebereich freigelegt sind. Dies trägt dazu bei, das elektronische Bauelement auf einfache Weise auf dem
Bauelementträger befestigen und/oder kontaktieren zu können.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung bereitgestellt, bei dem ein Bauelementträger beispielsweise gemäß dem vorstehend erläuterten Verfahren hergestellt wird und bei dem das elektronische Bauelement auf den Aufnahmebereich des
Bauelementträgers aufgebracht wird. Ein erster elektrischer Kontakt des elektronischen Bauelements wird mit dem ersten Kontaktelement kontaktiert und ein zweiter elektrischer
Kontakt des elektronischen Bauelements wird mit dem zweiten Kontaktelement kontaktiert. Der erste und/oder der zweite elektrische Kontakt können beispielsweise mittels Bonden mit dem entsprechenden ersten bzw. zweiten Kontaktelement
kontaktiert werden. Das elektronische Bauelement ist
beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement,
beispielsweise eine LED oder OLED, oder ein Licht
absorbierendes Bauelement, beispielsweise eine Solarzelle.
Falls der zweite elektrische Kontakt an einer dem
Aufnahmebereich zugewandten Seite des elektronischen
Bauelements ausgebildet ist, beispielsweise falls das elektronische Bauelement eine vertikale LED ist, so kann die Kontaktierung des zweiten Kontakts mit dem zweiten
Kontaktelement durch Aufbringen des elektronischen
Bauelements auf den Aufnahmebereich und über die körperliche Verbindung des Aufnahmebereichs mit dem zweiten
Kontaktelement erfolgen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung bereitgestellt, bei dem eine elektronische Anordnung beispielsweise gemäß dem bzw. den vorstehend erläuterten Verfahren hergestellt wird, wobei als elektronisches Bauelement eine Strahlungsquelle verwendet wird. Die Strahlungsquelle ist beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement, beispielsweise eine OLED oder eine LED, beispielsweise eine Dünnfilm-LED und/oder beispielsweise eine horizontale oder vertikale LED.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
Bauelementträger zum Aufnehmen und Kontaktieren eines elektronischen Bauelements bereitgestellt. Der
Bauelementträger weist einen Leiterrahmenabschnitt, ein
Zwischenelement und einen Thermokontakt auf. Der
Leiterrahmenabschnitt weist ein erstes Kontaktelement, ein zweites Kontaktelement und einen Aufnahmebereich auf. Das erste Kontaktelement dient zum Kontaktieren einer ersten
Elektrode des elektronischen Bauelements. Der Aufnahmebereich dient zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements. Das zweite Kontaktelement dient zum Kontaktieren einer zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements. Der Aufnahmebereich und das zweite Kontaktelement sind elektrisch leitend
miteinander verbunden. Das Zwischenelement dient zum
elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs und zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich und ist auf einer dem
Aufnahmebereich gegenüberliegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der Thermokontakt dient zum thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements beispielsweise über das Zwischenelement und den
Aufnahmebereich . Der Thermokontakt ist auf einer von dem Aufnahmebereich abgewandten Seite des Zwischenelements an dem Zwischenelement angeordnet. Der Bauelementträger ist
beispielsweise mit Hilfe eines der vorstehend erläuterten Verfahren ausgebildet. Der Bauelementträger wird
beispielsweise im Bauelementträgerverbund ausgebildet und dann vereinzelt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine
elektronische Anordnung bereitgestellt, die den
Bauelementträger und das elektronische Bauelement aufweist. Der Bauelementträger und das elektronische Bauelement sind beispielsweise wie vorstehend erläutert aneinander befestigt und miteinander kontaktiert.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine
Strahlungsanordnung bereitgestellt, die den Bauelementträger und das elektronische Bauelement aufweist, wobei das
elektronische Bauelement eine Strahlungsquelle ist,
beispielsweise wie vorstehend beschrieben.
Zu unterschiedlichen Ausführungsformen des Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung führende Verfahren und/oder Verfahrensschritte können ohne Weiteres auf unterschiedlichen Ausführungsformen des
Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung übertragen werden. In anderen Worten können die durch die unterschiedlichen Verfahren und/oder Verfahrensschritte erzielten unterschiedlichen Ausführungsformen des Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung eigene Aspekte der Erfindung darstellen. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen: Figur 1 ein Ausführungsbeispiel elektronischer Anordnungen auf einer Leiterplatte und eine Wärmesenke;
Figur 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel elektronischer
Anordnungen auf einer Leiterplatte und/oder Wärmesenke;
Figur 3 ein Rohling eines Ausführungsbeispiels eines
Leiterrahmenabschnitts ; Figur 4 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines ersten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 5 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 6 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 7 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 8 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines zweiten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 9 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 10 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 11 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 12 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 13 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 14 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 15 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 16 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 17 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 18 den Leiterrahmenabschnitt in einem sechsten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers
Figur 20 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 21 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 22 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 23 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 24 den Leiterrahmenabschnitt in einem sechsten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 25 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines fünften Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 26 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des
Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 27 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 28 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;
Figur 29 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein Licht emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine Licht emittierende Diode
(light emitting diode, LED) oder eine organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organischer Licht emittierender Transistor
ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Figur 1 zeigt zwei elektronische Anordnungen 10, die auf einer Leiterplatte 14 angeordnet sind. Alternativ können auch mehr oder weniger elektronische Anordnungen 10 angeordnet sein. Ein Gehäuse der elektronischen Anordnungen 10 kann auch als QFN-Gehäuse bezeichnet werden. Die elektronischen
Anordnungen 10 und/oder das Gehäuse der elektronischen
Anordnungen 10 können je einen Bauelementträger aufweisen und/oder der Bauelementträger kann das Gehäuse der
elektronischen Anordnungen 10 bilden. Die elektronische
Anordnung 10 kann beispielsweise ein Halbleiter-Chip und/oder beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement oder ein Licht absorbierendes Bauelement, beispielsweise eine
Solarzelle, sein. Die Leiterplatte 14 ist beispielsweise eine FR4-Leiterplatte oder eine FR5-Leiterpleite . Alternativ dazu kann die Leiterplatte 14 eine Metallkern-Leiterplatte sein. Die Leiterplatte 14 weist beispielsweise Glasfasermatten auf, die in ein Harz, beispielsweise Epoxidharz eingebettet sind. Beispielsweise weist die Leiterplatte 14 Aluminium, Kupfer, Al-SiC und/oder AISi auf. Die Leiterplatte 14 weist an ihrer den elektronischen Anordnungen 10 zugewandten Seite
elektrisch leitende erste Leiterbahnen 12 auf. Die ersten Leiterbahnen 12 weisen beispielsweise Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die elektronischen Anordnungen 10 sind elektrisch mit den ersten Leiterbahnen 12 der Leiterplatte 14 verbunden. Beispielsweise sind die elektronischen Anordnungen 10 mit den ersten Leiterbahnen 12 über Lotverbindungen verbunden. Die ersten Leiterbahnen 12 dienen teilweise zum elektrischen Kontaktieren und teilweise zum thermischen
Kontaktieren der elektronischen Anordnungen 10.
Durch die Leiterplatte 14 hindurch erstrecken sich thermische Leitungen 16. Die thermischen Leitungen 16 sind über einige der ersten Leiterbahnen 12 mit den elektrischen Anordnungen 10 verbunden zum Abführen von Wärme aus den elektronischen Anordnungen 10. Die thermischen Leitungen 16 weisen
beispielsweise Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die thermischen Leitungen 16 dienen dazu, Wärme aus den
elektronischen Anordnungen 10 schnell und effektiv
abzuführen. An ihrer von den elektronischen Anordnungen 10 abgewandten Seite weist die Leiterplatte 14 elektrisch leitende zweite Leiterbahnen 20 auf. Die zweiten Leiterbahnen 20 weisen Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die
Leiterbahnen 12, 20 weisen beispielsweise Aluminium, Kupfer, Nickel, Platin, Gold, Silber und/oder TiW auf.
Die Leiterplatte 14 ist thermisch und mechanisch mit einer Wärmesenke 18 gekoppelt, beispielsweise über die zweiten
Leiterbahnen 20. Beispielsweise kann die Leiterplatte 14 über einen thermisch und/oder elektrisch leitenden Klebstoff 22 an den zweiten Leiterbahnen 20 an der Wärmesenke 18 festgelegt sein. Die Wärmesenke 18 weist beispielsweise Aluminium, Nickel, Eisen oder Kupfer und/oder beispielsweise Legierungen auf Kupfer-, Nickel-, Eisen- und/oder Aluminium-Basis auf.
Figur 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die elektrischen Anordnungen 10 mit der Leiterplatte 14 und/oder der Wärmesenke 18 gekoppelt sind. Beispielsweise können die Leiterplatte 14 bzw. die Wärmesenke 18 dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechend ausgebildet sein. Alternativ dazu kann bei dem in Figur 2 gezeigten Ausführungsbeispiel beispielsweise auf die Leiterplatte 14 verzichtet werden und die elektronischen Anordnungen 10 können direkt an der Wärmesenke 18 angebunden sein oder es kann auf die Wärmesenke 18 verzichtet werden, so dass die Leiterplatte 14 zusätzlich die Funktion einer Wärmesenke übernimmt. Die elektronischen Anordnungen 10 sind bei diesem Ausführungsbeispiel Strahlungsanordnungen, die Licht
emittierende Bauelemente, die elektromagnetische Strahlung 24 emittieren, aufweisen. Beispielsweise emittieren die
Strahlungsanordnungen die elektromagnetische Strahlung 24 in Richtung weg von der Leiterplatte 14 und der Wärmesenke 18, beispielsweise parallel zu einer Flächennormalen, die auf der Leiterplatte 14 senkrecht steht. Die elektromagnetische
Strahlung 24 ist beispielsweise Licht, beispielsweise UV- Licht, Infrarot-Licht und/oder Licht im sichtbaren Bereich.
Nachfolgend werden mehrere Ausführungsbeispiele von Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für die elektronischen Anordnungen 10 und/oder für die Strahlungsanordnungen
beschrieben.
Figur 3 zeigt einen Rohling für einen Leiterrahmenabschnitt 30. Der Leiterrahmenabschnitt 30 ist ein Teil eines nicht vollständig dargestellten Leiterrahmens, der eine Mehrzahl von entsprechenden Leiterrahmenabschnitten 30 aufweist. Die nachfolgend erläuterten Herstellungsverfahren sind
ausschließliche anhand des einen Leiterrahmenabschnitts 30 erläutert. Die dargestellten Zustände des
Leiterrahmenabschnitts 30 sind repräsentativ für
entsprechende Zustände der anderen nicht dargestellten
Leiterrahmenabschnitte 30 des Leiterrahmens. Die
Leiterrahmenabschnitte 30 können somit im Leiterrahmen im Verbund bearbeitet werden. Der Leiterrahmen und insbesondere der Leiterrahmenabschnitt 30 dienen bei allen nachfolgend erläuterten Herstellungsverfahren als Basis- und/oder
Ausgangselement, das allen Herstellungsverfahren zu Grunde liegt. Der Leiterrahmen kann auch als QFN-Leadframe
bezeichnet werden. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer, auf und/oder ist daraus gebildet. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist eine hohe elektrische
Leitfähigkeit auf. Ferner weist der Leiterrahmenabschnitt 30 eine hohe thermische Leitfähigkeit auf. Ferner kann der
Leiterrahmenabschnitt 30 optional beschichtet sein. Der
Leiterrahmenabschnitt 30 weist beispielsweise eine Dicke von 10 bis 1000 pm, beispielsweise von 100 bis 500 pm,
beispielsweise von 150 bis 300 pm auf. Der
Leiterrahmenabschnitt 30 dient als Trägerkörper für einen der Bauelementträger. Der Leiterrahmen weist somit Trägerkörper für mehrere Bauelementträger auf. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist einen ersten
Kontaktabschnitt 32 und einen zweiten Kontaktabschnitt 34 auf. Zwischen den beiden Kontaktabschnitten 32, 34 ist ein Aufnahmeabschnitt 36 angeordnet, der einen Aufnahmebereich 38 aufweist. Die Abschnitte 32, 34, 26 und der Aufnahmebereich 38 stellen zunächst unbearbeitete Abschnitte bzw. Bereiche des Leiterplattenabschnitts 30 dar und dienen zum
Veranschaulichen der beschriebenen Verfahren.
In Figuren 4 bis 7 sind unterschiedliche aufeinander folgende Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 und/oder des
entsprechenden Bauelementträgers während eines ersten
Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers gezeigt. Figur 4 zeigt einen ersten Zustand des Leiterrahmenabschnitts 30 während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers. Ausgehend von dem in Figur 3 gezeigten Rohling des Leiterrahmenabschnitts 30 wird zum Erreichen des in Figur 4 gezeigten Zustands des
Leiterrahmenabschnitts 30 mindestens ein Ätzprozess
durchgeführt. Beispielsweise wird ein beidseitiger Ätzprozess durchgeführt, bei dem der Rohling des Leiterrahmenabschnitts 30 von beiden Seiten her geätzt wird. Beispielsweise wird in einem photolithographischen Verfahren ein Ätzstoppmaterial auf beide Seiten des Leiterrahmenabschnitts 30 aufgebracht und nachfolgend wird der Leiterrahmenabschnitt 30 von beiden Seiten her geätzt, beispielsweise in einem Arbeitsschritt.
Bei dem Atzprozess werden der erste und der zweite
Kontaktabschnitt 32, 34 voneinander getrennt, so dass in dem ersten Kontaktbereich 32 ein erstes Kontaktelement 42
gebildet ist und in dem zweiten Kontaktabschnitt 34 ein zweites Kontaktelement 44 gebildet ist. Die beiden
Kontaktelemente 42, 44 sind innerhalb des dargestellten
Leiterrahmenabschnitts 30 körperlich voneinander getrennt, können jedoch im Verbund des Leiterrahmens über benachbarte nicht dargestellte Leiterrahmenabschnitte 30 miteinander verbunden sein. Das zweite Kontaktelement 44 ist körperlich mit dem Aufnahmebereich 38 gekoppelt und ist beispielsweise einstückig mit dem Aufnahmebereich 38 ausgebildet.
Außerdem wird bei dem Atzprozess auf einer dem
Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts 30 ein Zwischenbereich 48 ausgebildet, der eine Ausnehmung in dem Leiterrahmenabschnitt 30 aufweist. Ferner kann optional an einem Übergang von dem zweiten
Kontaktbereich 34 zu dem Aufnahmebereich 36, also zwischen dem zweiten Kontaktelement 44 und dem Zwischenbereich 48 eine weitere Ausnehmung ausgebildet werden. Der Zwischenbereich 48 und/oder die weitere Ausnehmung weisen eine Tiefe auf, die beispielsweise der halben Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 entspricht, wobei die Tiefe beispielsweise bis zu 100 pm, beispielsweise bis zu 50 pm, beispielsweise bis zu 30 pm von der halben Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 abweichen kann. Alternativ zu dem Ausbilden des Zwischenbereichs 48 in dem Atzprozess kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise durch Bohren, Schleifen und/oder Prägen in dem
Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet werden.
Figur 5 zeigt einen zweiten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ein Zwischenelement 50 in den Zwischenbereich 48 eingebracht ist. Das Zwischenelement 50 ist beispielsweise ein Dielektrikum und/oder weist
beispielsweise ein anorganisches Material auf. Beispielsweise weist das Zwischenelement 50 eine Trägermasse auf, in die Partikel eingebettet sind. Das Trägermaterial weist
beispielsweise ein Polymer, beispielsweise Epoxidharz,
Silikon und/oder Acrylat auf. Die Partikel weisen
beispielsweise Aluminiumoxid, Quarz, Aluminiumnitrid,
Bornitrid und/oder Siliciumcarbid auf. Das Zwischenelement 50 dient dazu, den Aufnahmebereich 38 elektrisch zu isolieren und/oder Wärme von dem Aufnahmebereich 38 abzuführen. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise mittels Dispensen oder Rakeln in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden. Falls nötig kann das Zwischenelement 50 nach dem Einbringen in den Zwischenbereich 48 getrocknet und/oder gehärtet werden.
Beispielsweise kann das Zwischenelement 50 in flüssigem
Zustand in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden und in dem Zwischenbereich optisch und/oder thermisch gehärtet werden. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise eine Dicke haben, die einer Tiefe des Zwischenbereichs 48 entspricht und/oder eine Dicke haben, die der halben Dicke des
Leiterrahmenabschnitts 30 entspricht.
Figur 6 zeigt einen dritten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der Leiterrahmenabschnitt 30 in einen Formwerkstoff eingebettet ist. Der in den
Formwerkstoff 54 eingebettete Leiterrahmenabschnitt 30 kann als Bauelementträger bezeichnet werden. Der in den
Formwerkstoff 54 eingebettete Leiterrahmen kann als
Bauelementträgerverbund bezeichnet werden.
Der Formwerkstoff 54 wird beispielsweise durch Molden, beispielsweise Transfermolden, oder durch Umspritzen des Leiterrahmenabschnitts mit dem Formwerkstoff 54 ausgebildet. Beispielsweise kann der Leiterrahmen umfassend alle
Leiterrahmenabschnitte 30 mit jeweils beiden Kontaktelementen 44, 42 in einen Guss- oder Formkörper eingelegt werden und dann mit dem flüssigen Formwerkstoff 54 umgössen oder
umspritzt werden, wobei nachfolgend der Formwerkstoff 54 getrocknet bzw. gehärtet werden kann. Der Guss- bzw.
Formkörper ist so ausgebildet, dass in dem Formwerkstoff 54 eine Aufnahmeausnehmung 56 gebildet ist. In der
Aufnahmeausnehmung 56 ist zumindest der Aufnahmebereich 38 freigelegt. Ferner können in der Aufnahmeausnehmung 56 das erste und zweite Kontaktelement 42, 44 zumindest teilweise freigelegt sein. Außerdem sind die beiden Kontaktelemente 42, 44 auf ihren von der Aufnahmeausnehmung 56 abgewandten Seiten zumindest teilweise frei von Formwerkstoff 54.
Alternativ dazu, das Zwischenelement 50 vor dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 in den Zwischenbereich 48 einzubringen, kann beim Ausbilden des Formwerkstoffs 54 der Zwischenbereich 48 frei von Formwerkstoff 54 gehalten werden und das
Zwischenelement 50 kann erst nach dem Bilden des
Formwerkstoffs 54 in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden .
Vor oder nach dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 wird auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des
Zwischenelements 50 ein Thermokontakt 52 ausgebildet. Der Thermokontakt 52 kann beispielsweise, wie beispielsweise nachfolgend mit Bezug zu den Figuren 12 und/oder 17 näher erläutert, flächig auf das Zwischenelement 50 und/oder den Bauelementträger aufgebracht werden und nachfolgend
strukturiert werden. Alternativ dazu kann der bereits
strukturierte Thermokontakt 52 auf das Zwischenelement 50 aufgebracht werden. Der Thermokontakt 52 ist beispielsweise dazu geeignet, eine Lotverbindung einzugehen und kann
beispielsweise mit Lot benetzt werden. Der Thermokontakt 52 weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer,
Silber, Nickel, Gold oder Palladium auf. Der Thermokontakt 52 dient dazu, dass Zwischenelement 50 thermisch zu kontaktieren. Außerdem dient der Thermokontakt 52 dazu, Wärme aus dem Zwischenelement 50 abzuführen. Der Thermokontakt 52 stellt eine Metallisierung des Zwischenelements 50,
insbesondere einer Oberfläche des Zwischenelements 50 dar. Beispielsweise ist die Metallisierung derart, dass sie lötbar ist, d.h. dass über sie eine Lötverbindung herstellbar ist. Der Thermokontakt 52 kann somit auch zu Herstellen einer Lötverbindung genutzt werden. Figur 7 zeigt einen vierten Zustand des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ein elektronisches Bauelement 60 auf den Aufnahmebereich 38 aufgebracht ist. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement 60 kann auch als elektronische Anordnung 10 oder als elektronisches Bauteil bezeichnet werden. Der Bauelementträger kann als Gehäuse für das elektronische Bauelement dienen. Das
elektronische Bauelement 60 ist beispielsweise ein
Halbleiter-Chip und/oder ein Licht emittierendes Bauelement oder ein Licht absorbierendes Bauelement. Das Licht
emittierende Bauelement ist beispielsweise eine OLED oder eine LED, beispielsweise eine vertikal emittierende OLED oder LED, bei der eine Vorzugsrichtung der emittierten
elektromagnetischen Strahlung senkrecht auf Schichten der Schichtstruktur der LED steht.
Das elektronische Bauelement 60 weist beispielsweise an seiner von dem Leiterrahmenabschnitt 30 abgewandten Seite einen ersten elektrischen Kontakt 62 und auf einer dem
Leiterrahmenabschnitt 30 zugewandten Seite einen zweiten elektrischen Kontakt 66 auf. Zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 62 und dem zweiten elektrischen Kontakt 66 ist mindestens eine, beispielsweise mehrere optische Schichten ausgebildet. Beispielsweise sind optisch funktionelle
Schichten ausgebildet, die beispielsweise Licht emittieren, wenn zwischen dem ersten und dem zweiten elektrischen Kontakt 62, 66 eine elektrische Spannung angelegt wird. Ferner können als optisch funktionelle Schichten diverse Streu- und/oder Konversionsschichten vorgesehen sein zum Streuen bzw.
Konvertieren der in dem Licht emittierenden Bauelement erzeugten elektromagnetischen Strahlung. Der erste elektrische Kontakt 62 des elektronischen
Bauelements 60 ist über einen ersten Bondkontakt 70, eine elektrische Leitung 72 und einen zweiten Bondkontakt 74 mit dem ersten elektrischen Kontaktelement 42 des
Bauelementträgers elektrisch verbunden. Der zweite
elektrische Kontakt 66 ist in körperlichen Kontakt mit dem Aufnahmebereich 38 des Leiterrahmenabschnitts 30. Der
Aufnahmebereich 38 und damit der zweite elektrische Kontakt 66 des elektronischen Bauelements 60 sind elektrisch mit dem zweiten Kontaktelement 44 gekoppelt. Somit dient der
Aufnahmebereich 38 des Leiterrahmenabschnitts 30 sowohl zur mechanischen als auch zur elektrischen Ankopplung des elektronischen Bauelements 60 an den Leiterplattenabschnitt 30. Beim Betrieb des elektronischen Bauelements 60 kann Wärme entstehen, die von dem Leiterrahmenabschnitt 30 in dem
Aufnahmebereich 38 aufgenommen wird. Die Wärme kann über das Zwischenelement 50 zu dem Thermokontakt 52 abgeführt werden. Gleichzeitig bildet das Zwischenelement 50 eine elektrische Isolierung des Aufnahmebereichs 38 von dem Thermokontakt 52 und damit eine elektrische Isolierung des Thermokontakts 52 von dem elektronischen Bauelement 60.
Das elektronische Bauelement 60 ist in der Aufnahmeausnehmung 56 des Formwerkstoffs 54 angeordnet. Die Aufnahmeausnehmung 56 kann ansonsten beispielsweise mit einem Füllmaterial, beispielsweise mit einem lichtstreuenden Material gefüllt sein. In anderen Worten kann das elektronische Bauelement 60 in der Aufnahmeausnehmung 56 in einem Füllmaterial
eingebettet sein.
Abschließend können die Leiterrahmenabschnitte 30 aus dem Leiterrahmen bzw. die Bauelementträger aus dem Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, beispielsweise mittels Schneiden oder Sägen.
Die Figuren 8 bis 12 zeigen unterschiedliche Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers.
Figur 8 zeigt einen ersten Zustand des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten
Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des
Bauelementträgers, bei dem ausgehend von dem
Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 zunächst nur der
Zwischenbereich 48 in dem Aufnahmeabschnitt 36 auf einer von dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet wird. Beispielweise kann der Zwischenbereich 48 mit Hilfe eines Ätzprozesses, beispielsweise einer flachen Ätzung, in dem
Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet werden. Alternativ dazu kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise mittels Fräsen,
Bohren, Schleifen oder Prägen ausgebildet werden. Eine Tiefe des Zwischenbereichs 48 kann beispielsweise zwischen 10 und 100 pm, beispielsweise zwischen 20 und 60 pm, beispielsweise zwischen 30 und 50 pm, beispielsweise ungefähr 40 pm
betragen.
Figur 9 zeigt einen zweiten Zustand des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der
Leiterrahmenabschnitt 30 von beiden Seiten einem Ätzprozess unterzogen wurde, beispielsweise gemäß dem mit Bezug zu Figur 4 erläuterten beidseitigen Ätzprozesses zum Herstellen der Kontaktelemente 42, 44. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist nach dem beidseitigen Ätzprozess aufgrund des mit Bezug zu Figur 8 erläuterten Ätzprozesses an dem Aufnahmebereich 38 und an dem Zwischenbereich 48 eine geringere Dicke auf als im Bereich des ersten und zweiten Kontaktelements 42, 44. Figur 10 zeigt einen dritten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der
Leiterrahmenabschnitt 30 in den Formwerkstoff 54 eingebettet ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert.
Aufgrund der geringeren Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 an dem Aufnahmebereich 38 und dem Zwischenbereich 48 ist der Formwerkstoff 54 auch an den Zwischenbereich 48 angrenzend ausgebildet, so dass der Zwischenbereich 48 mit Formwerkstoff 54 bedeckt bzw. gefüllt ist. Der Formwerkstoff 54 bildet dadurch das Zwischenelement 50. In anderen Worten ist bei diesem Ausführungsbeispiel das Zwischenelement 50 durch den Formwerkstoff 54 gebildet. Eine Dicke des Zwischenelements 50 entspricht beispielsweise ungefähr einer Tiefe des in Figur 8 gezeigten Zwischenbereichs 48.
Figur 11 zeigt einen vierten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den
Bauelementträger an einer dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Leiterrahmenabschnitts 30 eine Zusatzschicht 80 aufgebracht ist, und zwar so, dass die beiden Kontaktelemente 42, 44 und das Zwischenelement 50 frei von der Zusatzschicht 80 bleiben. Die Zusatzschicht 80 kann auch als Lotmaske bezeichnet werden und/oder für ein Lift-Off-Verfahren o.ä. genutzt werden.
Figur 12 zeigt einen fünften Zustand des Leiterrahmens 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten
Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des
Bauelementträgers, bei dem auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Leiterrahmenabschnitts 30 an dem ersten Kontaktelement 42 ein erster Schichtkontakt 82
ausgebildet ist, an dem zweiten Kontaktelement 44 ein zweiter Schichtkontakt 84 ausgebildet ist und an dem Zwischenelement 50 der Thermokontakt 52 ausgebildet ist. Der erste
Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und/oder der Thermokontakt 52 werden beispielsweise flächig mittels eines galvanischen Prozesses auf die Zusatzschicht 80 und den
Formkörper 54 aufgebracht, wobei nachfolgend die
Zusatzschicht 80 mit den darauf befindlichen Schichtelementen der galvanischen Schicht entfernt wird, so dass der erste Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und/oder der Thermokontakt 52 entstehen. Die Schichtkontakte 82, 84 und/oder der Thermokontakt 52 können alternativ auch mit
Hilfe eines Lift-Off-Verfahrens , durch ein Aufdampfverfahren und/oder ein Sputterverfahren aufgebracht sein.
Das elektronische Bauelement 60 ist auf den
Leiterrahmenabschnitt 30 aufgebracht und an dem
Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 7 näher erläutert.
Abschließend können die Leiterrahmenabschnitte 30 aus dem Leiterrahmen bzw. die Bauelementträger aus dem
Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, beispielsweise mittels Schneiden oder Sägen.
Bei dem zweiten Herstellungsverfahren kann auf ein Ausbilden eines separierten Zwischenelements 50 verzichtet werden, da dies durch den Formwerkstoff 54 gebildet ist. Der
Formwerkstoff 54 weist bei diesem Ausführungsbeispiel des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers beispielsweise eine besonders hohe
Wärmeleitfähigkeit auf.
In Figuren 13 bis 18 sind unterschiedliche Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen eines Bauelementträgers gezeigt und/oder während eines dritten Verfahrens zum Herstellen des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers. Figur 13 zeigt einen ersten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, wobei zunächst ausgehend von dem in Figur 3 gezeigten Zustand der
Leiterrahmenabschnitt 30 einem beidseitigen Atzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher erläutert. Im Gegensatz zu dem in Figur 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist jedoch kein Zwischenbereich 48 auf der dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des
Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet.
Figur 14 zeigt einen zweiten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem der Leiterrahmen, insbesondere der Leiterrahmenabschnitt 30 bereits von dem Formwerkstoff 54 umgeben und/oder in diesen eingebettet ist. Das Ausbilden des Formwerkstoffs 54 erfolgt beispielsweise entsprechend dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert.
Figur 15 zeigt einen dritten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem auf der von der Aufnahmeausnehmung 56 abgewandten Seite des Bauelementträgers eine Zwischenschicht 86 aufgebracht ist. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise flächig auf den Bauelementträger aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufschleudern, Drucken, Aufdrucken, Gießen oder Rakeln und/oder durch
Sputtern, thermische Abscheidung und/oder Auflaminieren, wobei nachfolgend die Zwischenschicht 86 falls nötig
getrocknet oder gehärtet werden kann, beispielsweise optisch und/oder thermisch. Die Zwischenschicht 86 weist das Material des Zwischenelements 50 auf. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise möglichst dünn ausgebildet werden und/oder beispielsweise eine Dicke von 1 bis 50 pm, beispielsweise von 20 bis 40 pm, beispielsweise ungefähr 38 pm aufweisen.
Figur 16 zeigt einen vierten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem die Zwischenschicht 86 derart strukturiert ist, dass das erste Kontaktelement 42 und das zweite Kontaktelement 44 zumindest teilweise von der Zwischenschicht 86 befreit sind. In anderen Worten ist die
Zwischenschicht 86 strukturiert. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise mittels Laserabiation, Ätzen und/oder
mechanisch, beispielsweise mittels Fräsen und/oder Kratzen, strukturiert werden.
Alternativ zum flächigen Aufbringen der Zwischenschicht 86, wie mit Bezug zu Figur 15 erläutert, und dem nachfolgenden Strukturieren der Zwischenschicht 86, wie mit Bezug zu Figur 16 erläutert, kann die Zwischenschicht 86 auch strukturiert auf den Bauelementträger aufgebracht werden, beispielsweise mittels Siebdruck oder Schablonendruck oder in einem
Strahldruckverfahren ( Jetting) , beispielsweise einem
Tintenstrahldruckverfahren entsprechend . Figur 17 zeigt einen fünften Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem eine KontaktSchicht 88 auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Bauelementträgers ausgebildet ist. Die KontaktSchicht 88 erstreckt sich flächig über die Zwischenschicht 86, das
Zwischenelement 50 und die freigelegten Bereiche des ersten und zweiten Kontaktelements 42, 44. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer
aufweisen. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise eine
Dicke zwischen 1 und 50 pm, beispielsweise zwischen 3 und 10 pm, beispielsweise ungefähr 5 pm aufweisen. Figur 18 zeigt einen sechsten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem die KontaktSchicht 88 derart strukturiert ist, dass durch sie der erste
Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und der
Thermokontakt 52 gebildet sind. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise mit Hilfe eines photolithographischen
Prozesses und eines Ätzprozesses ausgebildet und/oder
strukturiert werden. Beispielsweise kann die Struktur der KontaktSchicht 88 mit Hilfe einer Photomaske auf der
KontaktSchicht 88 aufgebracht werden.
In Figuren 19 bis 24 sind unterschiedliche Zustände es
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers gezeigt.
Figur 19 zeigt einen ersten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ausgehend von dem Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 der Zwischenbereich 48 auf der dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts in dem Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet ist. Der Zwischenbereich 48 wird beispielsweise mittels Ätzen ausgebildet. Ferner kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 8 näher erläutert ausgebildet werden. Der Zwischenbereich 48 kann mit einer geringen Tiefe von beispielsweise zwischen 10 und 100 pm, beispielsweise zwischen 20 und 50 pm, beispielsweise von ungefähr 40 pm ausgebildet werden.
Figur 20 zeigt einen zweiten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, wobei in den
Zwischenbereich 48 das Zwischenelement 50 eingebracht ist. Das Zwischenelement 50 wird beispielsweise mittels Rakeln oder Dispensen in den Zwischenbereich 48 eingebracht. Das Zwischenelement 50 wird beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 5 näher erläutert in den Zwischenbereich 48 eingebracht. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise Materialen aufweisen, wie sie im Zusammenhang mit dem in Figur 5 gezeigten
Zwischenelement 50 aufgeführt sind. Das Material des
Zwischenelements 50 kann beispielsweise flüssig in den
Zwischenbereich 48 eingebracht werden und/oder dort thermisch oder optisch gehärtet werden.
Figur 21 zeigt einen dritten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem auf das
Zwischenelement 50 und auf den Leiterrahmenabschnitt 30 in dem ersten und zweiten Kontaktabschnitt 32, 34 die
KontaktSchicht 88 flächig aufgebracht ist. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise gemäß der in Figur 17 gezeigten
Kontaktschicht 88 ausgebildet sein und/oder ausgebildet werden. Die Kontaktschicht 88 kann beispielsweise eine Dicke von 1 bis 10, beispielsweise von 5 Mikrometern aufweisen.
Figur 22 zeigt einen vierten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, dem vorausgehend der
Leiterrahmenabschnitt 30 mit dem Zwischenelement 50 und der Kontaktschicht 88 dem beidseitigen Ätzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher
erläutert. Durch den beidseitigen Ätzprozess werden das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52
ausgebildet. Alternativ können das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52 auch durch eine ein- oder zweiseitige mechanische Bearbeitung ausgebildet werden, beispielsweise falls das Durchführen des Ätzprozesses
ungünstig ist. Figur 23 zeigt einen fünften Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der
Leiterrahmenabschnitt 30 mit dem Formwerkstoff 54 umgössen bzw. umspritzt ist. Das Ausbilden des Formwerkstoffs 54 erfolgt beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher
erläutert. Der Formwerkstoff 54 wird derart ausgebildet, dass der erste Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und der Thermokontakt 52 frei von Formwerkstoff bleiben.
Figur 24 zeigt einen sechsten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem das elektronische Bauelement 60 auf den Aufnahmebereich 38 aufgebracht ist und das elektronische Bauelement 60 bereits mit dem
Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 7 näher erläutert. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann das Zwischenelement 50 besonders dünn ausgebildet werden, was zu einem besonders guten Abführen der Wärme über das Zwischenelement 50
beitragen kann. Ferner ist der Bauelementträger,
beispielsweise das Gehäuse, beispielsweise das QFN-Gehäuse, an seiner von dem elektronischen Bauelement 60 abgewandten Seite flach ausgebildet, was zu einem einfach Anordnen des Bauelementträgers beispielsweise an der Leiterplatte 14 beitragen kann. Die Figuren 25 bis 29 zeigen unterschiedliche Zustände des
Bauelementträgers während eines fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers. Figur 25 zeigt einen ersten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den
Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 das Zwischenelement 50 auf der dem Aufnahmebereich 30 abgewandten Seite des
Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet ist. Das
Zwischenelement 50 wird beispielsweise bereits strukturiert, beispielsweise mittels Schablonendruck, Siebdruck oder mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens (Jetting) auf den Leiterrahmenabschnitt 30 aufgebracht. Alternativ dazu kann das Zwischenelement 50, wie mit Bezug zu Figur 15 erläutert, als Zwischenschicht 86 aufgebracht werden und dann, wie mit Bezug Figur 16 näher erläutert, strukturiert werden, so dass nachfolgend das Zwischenelement 50 ausgebildet ist.
Figur 26 zeigt einen zweiten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den
Leiterrahmenabschnitt 30 und das Zwischenelement 50 flächig die Kontaktschicht 88 aufgebracht ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 17 näher erläutert. Figur 27 zeigt einen dritten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, dem vorausgehend der
Leiterrahmenabschnitt 30 mit der Kontaktschicht 88 und dem Zwischenelement 50 dem beidseitigen Atzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher
erläutert. Bei dem beidseitigen Atzprozess werden das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84, das Zwischenelement 50 und der Thermokontakt 52 ausgebildet. Alternativ dazu können das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52 auch durch eine ein- oder zweiseitige mechanische Bearbeitung ausgebildet werden, beispielsweise falls das Durchführen des Ätzprozesses ungünstig ist. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist im Bereich des Thermokontakts 52, des Zwischenelements 50 und des Aufnahmebereichs 38 eine größere Dicke auf als im Bereich des ersten und/oder zweiten Kontaktelements 42, 44.
Figur 28 zeigt einen vierten Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem der
Leiterrahmenabschnitt 30 in den Formwerkstoff 54 eingebettet ist. Der Formwerkstoff 54 wird beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert ausgebildet. Der Formwerkstoff 54 weist die Aufnahmeausnehmung 56 auf. Außerdem ist der
Formwerkstoff 54 derart ausgebildet, dass der erste und der zweite Schichtkontakt 82, 84 und der Thermokontakt 52 frei von Formwerkstoff 54 sind. Der Bauelementträger weist auf seiner von dem Aufnahmebereich 38 angewandten Seite eine abgestufte Struktur auf. Insbesondere weist der
Bauelementträger in dem Zwischenabschnitt 36 eine größere Dicke auf als in dem ersten und zweiten Kontaktabschnitt 32, 34. Die Abstufung ist in Figur 28 zur besseren Darstellung übertrieben groß dargestellt. Die Abstufung kann relativ zu den Ausmaßen des Bauelementträgers auch deutlich kleiner ausgestaltet sein. Dies kann beispielsweise erreicht werden, indem die Zwischenschicht 50 möglichst dünn ausgebildet wird. Figur 29 zeigt einen fünften Zustand des
Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum
Herstellen des Bauelementträgers, bei dem das elektronische Bauelement 60 auf dem Bauelementträger angeordnet und mit dessen Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert ist. Das fünfte Ausführungsbeispiel des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers kann beispielsweise mit nur einem einzigen Ätzprozess durchgeführt werden. Die Erfindung ist nicht auf die angegeben
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann der Formwerkstoff 54 bei allen Ausführungsbeispielen mittels Transfer-Compression- oder In ection-Molding ausgebildet werden. Grundsätzlich gilt für alle Ausführungsbeispiele, dass eine geringe Dicke des Zwischenelements 50 zu einer guten Wärmelableitung beiträgt. Die geringe Dicke des
Zwischenelements 50 kann beispielsweise durch eine geringe Tiefe der Ausnehmung des Zwischenbereichs 48 oder durch eine geringe Dicke der Zwischenschicht 86 erzielt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement (60), bei dem
- ein Leiterrahmenabschnitt (30) bereitgestellt wird, der ein elektrisch leitfähiges Material aufweist, wobei der Leiterrahmenabschnitt (30) einen ersten Kontaktabschnitt (32) zum Ausbilden eines ersten elektrischen Kontaktelements (42), einen zweiten Kontaktabschnitt (34) zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements (44) und einen
Aufnahmebereich (38) zum Aufnehmen des elektronischen
Bauelements (60) aufweist, wobei zumindest der
Aufnahmebereich (38) und der zweite Kontaktabschnitt (34) elektrisch leitend miteinander verbunden sind,
- zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts (30) ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes
Zwischenelement (50) zum Abführen von Wärme aus dem
Aufnahmebereich (38) und zum elektrischen Isolieren des
Aufnahmebereichs (38) ausgebildet wird,
- zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) abgewandten Seite des Zwischenelements (50) ein Thermokontakt (52) zum thermischen Kontaktieren des elektronischen
Bauelements (60) ausgebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Thermokontakt (52) ein Metall aufweist.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das erste Kontaktelement (42) und das zweite
Kontaktelement (44) aus dem Leiterrahmenabschnitt (30) ausgebildet werden, wobei das erste Kontaktelement (42) körperlich von dem zweiten Kontaktelement (44) getrennt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das erste
Kontaktelement (42) mit Hilfe eines Ätzprozesses körperlich von dem zweiten Kontaktelement (44) getrennt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, bei dem auf der dem Aufnahmebereich (38) gegenüber liegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts (30) ein Zwischenbereich (48) zum Aufnehmen des Zwischenelements (50) ausgebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der
Zwischenbereich (50) in demselben Arbeitsschritt ausgebildet wird wie das erste und das zweite Kontaktelement (42, 44) .
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, bei dem das Zwischenelement (50) und/oder der Thermokontakt (52) in demselben Arbeitsschritt ausgebildet werden wie das erste und das zweite Kontaktelement (42, 44) .
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei dem das erste und das zweite Kontaktelement (42, 44) zumindest teilweise in einen Formwerkstoff (54) eingebettet werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Formwerkstoff (54) als Zwischenelement (50) verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem der Formwerkstoff (54) so geformt wird, dass er eine
Aufnahmeausnehmung (56) aufweist, in der zumindest teilweise das erste Kontaktelement (42), das zweite Kontaktelement (44) und/oder der Aufnahmebereich (38) freigelegt sind.
11. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung (10), bei dem ein Bauelementträger gemäß dem Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche hergestellt wird und bei dem das elektronische Bauelement (60) auf den Aufnahmebereich (38) aufgebracht wird und ein erster elektrischer Kontakt (62) des elektronischen Bauelements (60) mit dem ersten
Kontaktelement (42) kontaktiert wird und ein zweiter
elektrischer Kontakt (66) des elektronischen Bauelements (60) mit dem zweiten Kontaktelement (44) kontaktiert wird.
12. Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung, bei dem die elektronische Anordnung (10) gemäß Anspruch 11 hergestellt wird, wobei als elektronisches Bauelement (60) eine Strahlungsquelle verwendet wird.
13. Bauelementträger zum Aufnehmen und Kontaktieren eines elektronischen Bauelements (60), aufweisend:
- einen Leiterrahmenabschnitt (30) mit einem ersten Kontaktelement (42) zum Kontaktieren einer ersten Elektrode (62) des elektronischen Bauelements (60), mit einem zweiten Kontaktelement (44) zum Kontaktieren einer zweiten Elektrode (66) des elektronischen Bauelements (60) und mit einem
Aufnahmebereich (38) zum Aufnehmen des elektronischen
Bauelements (60), wobei der Aufnahmebereich (38) und das zweite Kontaktelement (44) elektrisch leitend miteinander verbunden sind,
- ein Zwischenelement (50) zum elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs (38), das auf einer dem Aufnahmebereich (38) gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts (30) angeordnet ist,
- einen Thermokontakt (52) zum thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements (60), wobei der Thermokontakt (52) auf einer von dem Aufnahmebereich (38) abgewandten Seite des Zwischenelements (50) an dem Zwischenelement (50)
angeordnet ist.
14. Elektronische Anordnung, die den Bauelementträger gemäß Anspruch 13 und das elektronische Bauelement (60) aufweist .
15. Strahlungsanordnung, die den Bauelementträger gemäß
Anspruch 13 und das elektronische Bauelement (60) aufweist, wobei das elektronische Bauelement (60) eine Strahlungsquelle ist .
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