CN104103597B - 接合结构体及半导体元件收纳用封装体 - Google Patents

Abstract

本发明提供不会降低钎焊的强度、可靠性、且能够减少金属喷镀剥离的产生的接合结构体及半导体元件收纳用封装体。半导体元件收纳用封装体在延伸部自基部延伸的结构的金属构件中、在延伸部的下表面包括凹部。因而，即使在配置了足够的钎料时，也能够在外侧金属喷镀层与金属构件的基部的外周侧之间形成足够大小的外侧填角。即，在设置足够大小的外侧填角、并接合金属喷镀层与金属构件的基部时，即使在外侧填角的顶端向延伸部侧较大地伸长的情况下，外侧填角的顶端也收纳于凹部的内部。因此，即使在钎料收缩时施加有（由收缩引起的）应力的情况下，也能够抑制外侧金属喷镀层的剥离。

Description

接合结构体及半导体元件收纳用封装体

技术领域

本发明涉及一种在例如半导体元件收纳用封装体中、在利用钎料接合陶瓷构件与金属构件等时使用的接合结构体及使用了这种结构接合体的半导体元件收纳用封装体。

背景技术

一直以来，在半导体元件收纳用封装体等中，使用钎料来接合陶瓷构件与金属构件（例如参照专利文献1～专利文献3）。

作为这种技术，例如公知有在陶瓷基板的表面使用钎料接合了沿着陶瓷基板的外周的形状的金属制的框体（金属配件）而成的半导体元件收纳用封装体。

在上述现有技术中，如图11的（a）所示，在陶瓷基板P1的（进行钎焊的）表面形成金属喷镀层P2，在该金属喷镀层P2与金属配件P3之间配置钎料，对金属喷镀层P2与金属配件P3进行钎焊，并且以形成截面为大致三角形状的焊脚（填角）P4的方式进行钎焊。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－252858号公报

专利文献2：日本特开2010－067678号公报

专利文献3：日本特开2010－245141号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如图11的（b）所示，在金属配件P3的形状局部比金属喷镀层P2向外周侧突出的情况下，在钎焊时，有时在由金属配件P3的突出的部位P5与陶瓷基板P1包围而成为コ字状的部位（凹部）P6产生了钎料P7过度滞留的“焊脚过多”。

这样，若钎料P7在コ字状的凹部P6过度滞留，则钎料P7不仅到达金属配件P3的侧面，而且有时也到达金属配件P3的突出的部位P5的内表面（该图下表面）。

在这种情况下，在钎料P7收缩时（冷却时），在钎料P7自身上朝向凹部P6的中心侧施加有较大的（由自身的收缩引起的）应力，因此有时金属喷镀层P2产生剥离（金属喷镀剥离）。

作为其对策，考虑减少钎料P7的体积（量），但是金属配件P3也具有没有突出的部位，若该部分的钎料P7减少，则钎料P7不足且填角P4变小，存在钎焊的强度降低、钎焊的可靠性降低这样的问题。

本发明是为了解决上述问题而做成的，其目的在于提供一种以不会降低钎焊的强度、可靠性为前提、能够减少金属喷镀剥离的产生的接合结构体及半导体元件收纳用封装体。

用于解决问题的方案

（1）本发明作为第1技术方案（接合结构体），提供一种接合结构体，其包括：陶瓷构件；金属喷镀层，其形成于该陶瓷构件的表面；以及金属构件，其借助钎料接合于该金属喷镀层；其特征在于，上述金属构件包括竖立设置在上述金属喷镀层上的基部和自该基部相对于上述金属喷镀层隔开预定间隔地延伸的延伸部，并且上述基部的顶端部利用由上述钎料构成的钎料层接合于上述金属喷镀层，而且，上述基部的侧部利用由形成在该基部的周围的上述金属喷镀层上的上述钎料构成的填角接合于该周围的金属喷镀层，而且，在上述延伸部上，在与形成有上述填角的上述金属喷镀层相对的位置具有凹部。

在本第1技术方案中，金属构件包括竖立设置在金属喷镀层上的基部和自基部相对于金属喷镀层隔开预定间隔地（例如与金属喷镀层平行地）延伸的延伸部。而且，基部的顶端部利用钎料层接合于金属喷镀层，基部的侧部利用形成在基部的周围的金属喷镀层上的填角接合于基部的周围的金属喷镀层。而且，在延伸部上，在与形成有填角的金属喷镀层相对的位置形成有凹部。

因而，在利用钎料接合金属构件与陶瓷构件（详细地说金属构件的基部与陶瓷构件上的金属喷镀层）的情况下，即使在该接合部分为了进行良好的接合而配置了足够的钎料时，钎料也在金属喷镀层的表面与金属构件的基部的侧面之间形成截面为大致三角形状的足够大小的填角。即，在利用足够大小的填角接合金属喷镀层与金属构件的基部时，即使在填角的顶端向延伸部侧较大地伸长那样的情况下，该填角的顶端侧的钎料也收纳于凹部的内部，不会像以往那样弯折形成为大致コ字状。

因此，在钎料收缩时（冷却时），即使在钎料上施加有由自身的收缩引起的应力的情况下，由于剥离金属喷镀层的方向的应力较小，因此也能够抑制金属喷镀层产生剥离（金属喷镀剥离）。

另外，在本第1技术方案中，如上所述，由于剥离金属喷镀层的方向的应力较小，因此不必为了预防金属喷镀剥离而减少钎料的体积（量）。因此，由于钎料不会不足，因此能够防止钎焊的强度降低、钎焊的可靠性降低。

（2）在本发明中，作为第2技术方案，其特征在于，上述基部具有第1扩张凹部，该第1扩张凹部自上述延伸部侧向上述基部侧凹陷并且与上述凹部构成为一体。

在本第2技术方案中，由于在金属构件的基部具有与上述凹部构成为一体的第1扩张凹部，因此即使在接合中使用足够的钎料形成了较大的填角的情况下，填角的顶端侧也收纳于第1扩张凹部，不会像以往那样弯折为大致コ字状并伸长。

由此，具有能够对应于更大的填角这样的优点。

（3）在本发明中，作为第3技术方案，其特征在于，上述基部具有第2扩张凹部，在相对于上述金属喷镀层的形成平面垂直观察的情况下，该第2扩张凹部自上述第1扩张凹部向上述基部的未形成有上述延伸部的部分侧凹陷并且与上述第1扩张凹部形成为一体。

钎料在通过加热而熔融时由于粘度较高，因此延伸部的根部部分（自基部突出的根部部分）相比于未突出有延伸部的部位易于滞留钎料。因此，钎料易于形成为在延伸部的根部部分的周围（例如基部的侧面上）隆起，因此存在钎料过度滞留这样的问题。

与此相对，在本第3技术方案中，由于具有与第1扩张凹部形成为一体的第2扩张凹部，即，由于钎料易于滞留的延伸部的根部的周围凹陷，因此能够抑制钎料在基部的侧面上隆起。由此，具有能够确保稳定的钎料的体积这样的优点。

（4）在本发明中，作为第4技术方案，其特征在于，上述陶瓷构件是板状的陶瓷基板，上述金属构件是沿着上述陶瓷构件的外缘部配置的框状构件。

在本第4技术方案中，例示了陶瓷构件与金属构件的形状、配置。由此，在金属构件的框内，能够在陶瓷构件的表面上收纳例如半导体元件等。

（5）本发明作为第5技术方案（半导体元件收纳用封装体），其特征在于，该半导体元件收纳用封装体包括上述第1技术方案～第4技术方案中的任一个接合结构体。

本发明例示了包括上述接合结构体的半导体元件收纳用封装体。

这样的半导体元件收纳用封装体由于金属构件与陶瓷构件可靠地接合在一起，因此具有可靠性、耐久性较高这样的优点。

附图说明

图1的（a）是表示实施例1的半导体元件收纳用封装体的俯视图，图1的（b）是表示该半导体元件收纳用封装体的主视图。

图2是表示将图1的A－A截面放大并从X方向看到的状态的立体图。

图3是将图2的Ｂ部进一步放大表示的立体图。

图4是表示使半导体元件收纳用封装体垂直于基部的长度方向断裂后的状态的剖视图。

图5是表示在图4中减少了所使用的钎料的情况下的状态的剖视图。

图6是表示将图1的A－A截面放大并从Y方向看到的状态的立体图。

图7是将图6的C部进一步放大表示的立体图。

图8的（a）是将图6的C部放大表示的俯视图，图8的（b）是将图6的C部放大表示的主视图，图8的（c）是表示图8的（a）的D－D截面的剖视图。

图9的（a）是表示使实施例2的半导体元件收纳用封装体垂直于基部的长度方向断裂后的状态的剖视图，图9的（b）是表示使实施例3的半导体元件收纳用封装体垂直于基部的长度方向断裂后的状态的剖视图。

图10是表示使实施例4的半导体元件收纳用封装体垂直于基部的长度方向断裂后的状态的剖视图。

图11是表示现有技术的说明图。

附图标记说明

1、31、51、71…半导体元件收纳用封装体；3、33、53、73…陶瓷基板；5、39、59、79…金属构件；7、37、57、77…钎料；11、45、65、81…基部；13、41、61、83、85…延伸部；17、17a、17b、47b、69b、91a、91b…填角；21、21a、21b、21c、35、55、75…金属喷镀层；23…凹部；27…第1扩张凹部；29…第2扩张凹部。

具体实施方式

以下，说明用于实施本发明的方式（实施例）的接合结构体及半导体元件收纳用封装体。

【实施例1】

a）首先，说明具有本实施例1的接合结构体的半导体元件收纳用封装体。

如图1所示，本实施例1的半导体元件收纳用封装体1是沿着陶瓷基板3的外缘部配置的四边框状的金属构件5利用钎料7接合（钎焊接合）于（平面形状为）正方形的板状的陶瓷构件（陶瓷基板）3的一个表面而成的。

另外，半导体元件（未图示）在陶瓷基板3上收纳于由金属构件5包围的空间内。

其中，上述陶瓷基板3由例如多个由氧化铝（Al₂O₃）构成的陶瓷层构成，且层叠例如陶瓷生坯片并一体烧固而成的。另外，作为该陶瓷基板3的材料，除氧化铝以外，还可列举富铝红柱石、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si₃N₄）、氧化铍等。

另外，上述金属构件5例如由导热性较好的铜－钼（CuMo）合金构成。另外，作为金属构件5的材料，除铜－钼以外，也可以由铜－钨（CuW）合金、称作科瓦合金（Kovar）的铁－镍－钴（FeNiCo）合金形成，另外，也可以由其他金属形成。

而且，作为上述钎料7，能够使用银－铜（Aｇ＋Cu）等的银焊料、其他各种钎料。

另外，如该图所示，上述金属构件5由作为（平面形状为）正方形的框体的基部11和比基部11的上部（图1的（b）的上方）向侧方延伸的延伸部13构成。

该延伸部13与陶瓷基板3的表面平行（图1的（b）的左右方向）地朝向基部11的外周侧呈板状突出。详细地说，延伸部13由形成于与基部11中的、图1的（a）的下边对应的位置的第1延伸部13a和形成于与基部11中的、图1的（a）的上边对应的位置的第2延伸部13b构成。

另外，如图2放大所示，在金属构件5的基部11的根部，详细地说在基部11的根部的内周侧（图2左侧）与外周侧（图2右侧），利用钎料7形成有截面为大致三角形状的填角17（内侧填角17a、外侧填角17b）。

另外，也在金属构件5的基部11与陶瓷基板3之间利用钎料7形成有中央钎料层19（参照图3），该中央钎料层19与内侧填角17a及外侧填角17b相连并成为一体。

而且，如图3和图4中进一步放大所示，在接合有金属构件5的基部11的陶瓷基板3的表面上形成有在向左右（图4的左右）方向上宽度比基部11的底面11a的宽度宽的、例如由钨（W）构成的金属喷镀层21。

即，金属喷镀层21由供内侧填角17a的底面接触的具有预定宽度（例如0.40mm）的内侧金属喷镀层21a、金属构件5的基部11与陶瓷基板3之间的具有预定宽度（例如0.60mm）的中央金属喷镀层21c以及供外侧填角17b的底面接触的具有预定宽度（例如0.60mm）的外侧金属喷镀层21b构成。

另外，该金属喷镀层21的厚度例如为30μm，与金属构件5的基部11相同地沿着陶瓷基板3的外缘部形成为四边框状。

作为该金属喷镀层21的材料，除钨以外，还能够采用钨与钼的混合材料等。另外，在金属喷镀层21的表面上，根据需要，利用电镀法形成有与钎料7之间的润湿性优异的金属、例如厚度1.0μm～2.5μm左右的镍（Ni）层。也可以在镍（Ni）层上利用电镀法进一步形成有厚度2μm～3μm左右的金（Au）层。

即，在本实施例中，金属构件5基本上利用形成在金属喷镀层21上的内侧填角17a、外侧填角17b以及中央钎料层19接合于陶瓷基板3。

b）接着，说明作为本实施例1的主要部分的延伸部13及其周围的结构。

＜延伸部13的沿着基部11的框的方向的中间位置处的结构＞

在本实施例中，如上述图4所示，金属构件5包括竖立设置在金属喷镀层21上的基部11和自基部11相对于金属喷镀层21（详细地说外侧金属喷镀层21b）隔开预定间隔地与金属喷镀层21平行地延伸的延伸部13，而且，在延伸部13上，在与外侧金属喷镀层21b相对的位置（该图上方）形成有凹部23。在此，延伸部13中的比凹部23靠外周侧的部分相对于沿着金属喷镀层21的表面形成的平面隔开0.50mm的间隔地形成。

该凹部23形成为其截面（即与基部11的长度方向垂直的截面）成为长方形。另外，截面是指与作为框状构件的基部11沿着陶瓷基板3的外缘部延伸的方向（以下记为长度方向）垂直的截面。

即，凹部23是延伸部13的外侧金属喷镀层21b侧（该图下表面侧）沿着基部11的外周侧（该图右侧）的侧面以预定宽度（例如1.00mm）且预定深度（例如1.00mm）开槽而成的，沿着基部11的长度方向形成于延伸部13整体。

因而，外侧填角17b形成在外侧金属喷镀层21b上，沿着基部11的外周侧（该图右侧）的侧面向该图上方延伸，并且其顶端到达凹部23的内部。详细地说，外侧填角17b到达凹部23的内侧侧面23a的中间位置，但是未到达内侧上表面23b。

另一方面，内侧填角17a形成在内侧金属喷镀层21a上，沿着基部11的内周侧（该图左侧）的侧面向该图上方延伸。

另外，如图5所示，在所使用的钎料7的量较少的情况下，外侧填角17b的顶端有时未到达凹部23。

＜延伸部13的沿着基部11的框的方向的端部附近的结构＞

另外，如图6所示，延伸部13自基部11延伸的根部部分的结构、详细地说延伸部13的（基部11的长度方向上的）端部25的根部部分及其周围的结构与上述图2所示的部分不同。即，与延伸部13沿着基部11的长度方向延伸的中央部分26（不是端部25的部分）的根部部分的结构不同。

详细地说，如图7和图8放大所示，在延伸部13的端部25的根部部分，上述凹部23不仅沿着基部11的长度方向（图8的（a）的左右方向）形成，而且在基部11上形成有自延伸部13侧向基部11侧凹陷并且与凹部23成为一体的第1扩张凹部27。

该第1扩张凹部27不仅是凹部23以预定宽度（图8的（a）的左右方向的宽度）向基部11侧凹陷预定深度（图8的（a）的上下方向的深度），而且是为了成为预定高度（图8的（b）的上下方向的高度）而以到达基部11的底面11a的方式开槽而成的。即，第1扩张凹部27是以例如高度1.00mm×深度1.00mm的尺寸开槽而成的。

而且，在基部11上形成有自第1扩张凹部27向基部11的未形成有延伸部13的部分侧（图8的（a）的右侧）凹陷并且与第1扩张凹部27一体形成的第2扩张凹部29。

该第2扩张凹部29是基部11以与第1扩张凹部27相同的深度（图8的（a）的上下方向的深度）且以与第1扩张凹部27相同的高度（图8的（b）的上下方向的高度）向图8的（a）的右方向开槽预定宽度（图8的（a）的左右方向的宽度）而成的。即，第2扩张凹部29是以例如纵向1.00mm×横向0.50mm×高度1.00mm的尺寸开槽为长方体形状而成的。

因而，凹部23、第1扩张凹部27以及第2扩张凹部29成为一体的凹状的结构。

c）接着，简单地说明本实施例1的半导体元件收纳用封装体1的制造方法。

虽未图示，但是利用众所周知的方法制作氧化铝制的陶瓷基板3，而且，利用众所周知的方法制作铜－钼制的金属构件5。

例如，陶瓷基板3能够层叠以氧化铝为材料的陶瓷生坯片、进行烧固并一体化制作而成。此时，通过将钨浆印刷于预定的位置并在烧固陶瓷生坯片的同时进行烧固，能够形成金属喷镀层21。

另外，金属构件5能够通过如下工序制造而成：在将铜－钼制的金属基板冲压为框状之后，或者，在通过铸造制造出金属基板之后，在必要部位，例如在形成凹部23、第1扩张凹部27、第2扩张凹部29、固定孔15等的部位，进行切削加工、打孔加工。

之后，在形成有金属喷镀层21的陶瓷基板3上载置金属构件5，并且在陶瓷基板3与金属构件5之间夹持具有预定宽度的薄板状的由银焊料构成的钎料7。

之后，若将这些构件加热到预定的钎焊温度（例如800℃），则通过该加热，钎料7熔融，并成为内侧填角17a、外侧填角17b的形状，通过冷却而在保持着该形状的状态下凝固。

另外，在熔融时，外侧填角17b沿着基部11的外周侧的侧面上升，但是钎焊所使用的钎料的量被设定为外侧填角17b的顶端到达凹部23内的程度（详细地说到达内侧侧面23a的中间位置的程度），因此不会到达凹部的内侧上表面23b。

由此，能够获得本实施例1的半导体元件收纳用封装体1。

d）接着，说明本实施例1的效果。

在本实施例1中，在延伸部13自基部11延伸的结构的金属构件5中，在延伸部13的下表面（详细地说与外侧金属喷镀层21b相对的部分）具有截面形状为长方形的凹部23。

因而，在利用钎料7接合金属构件5与陶瓷基板3的情况下，即使在该接合部分为了进行接合而配置了足够的钎料7时，也能够利用钎料7在外侧金属喷镀层21b的表面与金属构件5的基部11的外周侧的侧面之间形成截面为大致三角形状的足够大小的外侧填角17b。另外，在内侧金属喷镀层21a的表面与金属构件5的基部11的内周侧的侧面之间也能够形成相同的截面为大致三角形状的足够大小的内侧填角17a。

即，在本实施例1中，在设置足够大小的外侧填角17b、并接合金属喷镀层21与金属构件5的基部11时，即使在形成为外侧填角17b的顶端向延伸部13侧较大地伸长的情况下，该外侧填角17b的顶端侧的钎料7也收纳于凹部23的内部，不会像以往那样弯折为大致コ字状并伸长。

因此，在钎料7收缩时（冷却时），即使在钎料7上施加有由自身的收缩引起的应力的情况下，由于剥离外侧金属喷镀层21b的方向的应力较小，因此也能够抑制外侧金属喷镀层21b产生剥离（金属喷镀剥离）。

另外，在本实施例1中，如上所述，由于剥离外侧金属喷镀层17b的方向的应力较小，因此不必为了预防金属喷镀剥离而减少钎料7的体积（量）。因此，由于钎料7不会不足，因此能够防止钎焊的强度降低、钎焊的可靠性降低。

而且，在本实施例1中，在延伸部13的端部25的根部侧，基部11具有与凹部23构成为一体的第1扩张凹部27，并且具有与第1扩张凹部27形成为一体的第2扩张凹部29。

因此，即使在接合中使用足够的钎料7形成了较大的外侧填角17b的情况下，外侧填角17b的顶端侧也收纳于第1扩张凹部27。因此，具有能够对应于更大的外侧填角17b这样的优点。

另外，延伸部13的端部25的根部的周围虽然易于滞留钎料7，但是通过设置第1扩张凹部27、第2扩张凹部29，钎料7变得难以滞留，因此钎料7难以隆起，因此，具有能够形成合适的填角17这样的优点。

因而，本实施例1的半导体元件收纳用封装体1由于金属构件5与陶瓷基板3可靠地接合在一起，因此起到可靠性、耐久性较高这样的明显的效果。

【实施例2】

接着，说明本实施例2，但是省略与上述实施例1相同的内容的说明。

如图9的（a）所示，本实施例2的半导体元件收纳用封装体31与上述实施例1相同地在陶瓷基板33上形成有金属喷镀层35，在该金属喷镀层35上，利用钎料37接合有金属构件39。

特别是在本实施例2中，在金属构件39的延伸部41上，与上述实施例1相同地形成有凹部43，但是凹部43的形状与实施例1不同。

即，在本实施例2中，凹部43的截面（与基部45的长度方向垂直的截面）的形状为三角形。详细地说，延伸部41的（该图的）下表面侧被沿着基部45的外周侧的侧面朝向（该图的）上方开槽，以将该侧面的切口部分作为一个边的方式形成有三角形的截面。

根据本实施例2，也起到与上述实施例1相同的效果。

另外，作为凹部43的截面形状，只要构成为外侧填角47b的顶端未到达与外侧金属喷镀层35b的上方对应的位置，就不特别限定。

【实施例3】

接着，说明本实施例3，但是省略与上述实施例1相同的内容的说明。

如图9的（b）所示，本实施例3的半导体元件收纳用封装体51与上述实施例1相同地在陶瓷基板53上形成有金属喷镀层55，在该金属喷镀层55上，利用钎料57接合有金属构件59。

特别是在本实施例3中，在金属构件59的延伸部61上，与上述实施例1相同地形成有凹部63，但是以与凹部63连接的方式形成有基部65的一部分被（向该图左侧）开槽而成的第1扩张凹部67。

根据本实施例3，也起到与上述实施例1相同的效果，并且由于与凹部63一体地形成有第1扩张凹部67，因此具有即使钎料57变多且外侧填角69b变大、其顶端也难以到达凹部63的内侧上表面63b这样的优点。

【实施例4】

接着，说明本实施例4，但是省略与上述实施例1相同的内容的说明。

如图10所示，本实施例4的半导体元件收纳用封装体71与上述实施例1相同地在陶瓷基板73上形成有金属喷镀层75，在该金属喷镀层75上，利用钎料77接合有金属构件79。

特别是在本实施例4中，金属喷镀层75形成在比陶瓷基板73的外缘部靠内侧（该图左侧）的位置，在该金属喷镀层75上接合有金属构件79的基部81。

另外，在本实施例4中，在基部81的两侧（该图的左右）设有延伸部83、85，在各个延伸部83、85上形成有与上述实施例1相同的凹部87、89。

因此，内侧填角91a的顶端（上端）进入内侧的凹部87，并到达内侧侧面87a的中间位置，而且，外侧填角91b的顶端进入外侧的凹部89，并到达内侧侧面89a的中间位置。

根据本实施例4，也起到与上述实施例1相同的效果。

另外，本发明丝毫并不限定于上述实施例、变形例，当然在不脱离本发明的主旨的范围内能够以各种方式进行实施。

例如能够适当地组合实施例1～实施例4的各个结构。

Claims (4)

1.一种接合结构体，其包括：

陶瓷构件(3)；

金属喷镀层(21)，其形成于该陶瓷构件(3)的表面；以及

金属构件(5)，其借助钎料(7)接合于该金属喷镀层(21)；其特征在于，

上述金属构件(5)包括竖立设置在上述金属喷镀层(21)上的基部(11)和自该基部(11)相对于上述金属喷镀层(21)隔开预定间隔地延伸的延伸部(13)，并且

上述基部(11)的顶端部(11a)利用由上述钎料(7)构成的钎料层(19c)接合于上述金属喷镀层(21)，而且，上述基部(11)的侧部利用由形成在上述金属喷镀层(21)的位于该基部(11)的周围的金属喷镀层部分(21b)上的上述钎料(7)构成的填角(17b)接合于该金属喷镀层部分(21b)，

而且，在上述延伸部(13)上，在与形成有上述填角(17b)的上述金属喷镀层部分(21b)相对的位置具有凹部(23)，

上述基部(11)具有第1扩张凹部(27)，该第1扩张凹部(27)自上述延伸部(13)侧向上述基部(11)侧凹陷并且与上述凹部(23)构成为一体。

2.根据权利要求1所述的接合结构体，其特征在于，

上述基部(11)具有第2扩张凹部(29)，在相对于上述金属喷镀层(21)的形成平面垂直观察的情况下，该第2扩张凹部(29)自上述第1扩张凹部(27)向上述基部(11)的未形成有上述延伸部(13)的部分侧凹陷并且与上述第1扩张凹部(27)形成为一体。

3.根据权利要求1或2所述的接合结构体，其特征在于，

上述陶瓷构件(3)是板状的陶瓷基板(3)，上述金属构件(5)是沿着上述陶瓷构件(3)的外缘部配置的框状构件。

4.一种半导体元件收纳用封装体，其特征在于，该半导体元件收纳用封装体包括权利要求1至3中任一项所述的接合结构体。