JP2004253556A

JP2004253556A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

Info

Publication number: JP2004253556A
Application number: JP2003041483A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Takayama; 和之高山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-02-19
Filing date: 2003-02-19
Publication date: 2004-09-09

Abstract

【課題】基体の上面にシールリングをろう付けした半導体素子収納用パッケージにおいて、シールリングと蓋体の溶接の際に、基体の上面にクラックが生ずるのを防ぐこと。
【解決手段】半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子５を載置し収容するための凹部１ｂが形成されたセラミックス製の基体１と、この基体１の上面の凹部１ｂの周囲に下面が接合された、上下端に外側に延出する延出部２ａ，２ｂがそれぞれ全周にわたって形成された金属製のシールリング２とを具備しており、シールリング２は、上端の延出部２ａの幅が下端の延出部２ｂの幅よりも大きい。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質セラミックス，ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質セラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部を有する基体と、凹部の内側から外側にかけて導出された、半導体素子を外部電気回路に電気的に接続するためのタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配線層とを具備している。
【０００３】
また、基体の凹部の底面に半導体素子をガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配線層に接続し、しかる後、基体の上面に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る蓋体を溶接し、基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容することによって、最終製品としての半導体装置となる。
【０００４】
なお、従来のパッケージは、一般に、基体の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成るシールリングを予めろう付けしておくとともに、シールリングに蓋体をシームウェルド法等により溶接することによって蓋体が基体の上面に取着されている。これによって基体と蓋体とからなる容器がより気密に封止される。
【０００５】
このような従来のパッケージのシールリング周辺の拡大断面図を図７（ａ），（ｂ）に示す。以下、このパッケージについて説明する。
【０００６】
図７（ａ），（ｂ）のパッケージは、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質セラミックス，ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質セラミックス等から成る基体１０の上面に、ろう材との濡れ性のよいＮｉめっき等のめっきが表面に施されたメタライズ層１０ａが形成され、このメタライズ層１０ａに基体１０の上面の幅よりも幅が細いＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング２０が、ろう付け接合されることによって形成されている。
【０００７】
また、図７（ａ），（ｂ）に示すように、シールリング２０の下端の側面中途部に切欠き部２０ａが設けられている。具体的には、図７（ａ）に示したパッケージでは、シールリング２０下端の内外の側面中途部に断面コの字状をした切欠き部２０ａをそれぞれ設けている。図７（ｂ）に示したパッケージでは、シールリング２０下端の内外の側面中途部に断面レの字状をした切欠き部２０ａをそれぞれ設けている。
【０００８】
こうして、基体１０上面にシールリング２０をろう付け接合した際に、シールリング２０の内外の側面をその上方に這い上がろうとするろう材３０が、切欠き部２０ａに邪魔されて、切欠き部２０ａ下端よりその上方に這い上がれないようにしている。それと共に、切欠き部２０ａ下端を乗り越えてその上方に這い上がろうとするろう材３０を、切欠き部２０ａ内側のコーナー部表面に働く表面張力作用を用いて、切欠き部２０ａ内側のコーナー部表面に吸引、付着させて、ろう材３０が切欠き部２０ａ下端を乗り越えてシールリング２０の内外の側面をその上方に這い上がれないようにしている。そして、シールリング２０下端の内外の側面に、短いろう材のメニスカスであって、その上端が切欠き部２０ａ下端で確実に途切れたろう材のメニスカスがそれぞれ形成されるようにしている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００９】
このような構成により、基体１０上面にシールリング２０をろう付け接合した際に、シールリング２０側面に形成されるろう材３０のメニスカスを短くして、そのろう材３０のメニスカスから基体１０上面に加わる力を小さく抑えることができる。そして、基体１０の上面にクラックが生ずるのを防ぐことができる。
【００１０】
【特許文献１】
特開平７−３０００７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のシールリング２０では、シールリング２０の上側に金属製の蓋体（図示せず）を溶接接合すると、溶接接合時にシールリング２０が熱膨張し、シールリング２０と基体１０との熱膨張差による熱応力がそれらの接合部に加わって、基体１０の上面にクラックが生じてしまう場合があった。
【００１２】
このような課題を解消するために、シールリング２０の幅を狭くしてシールリング２０の熱伝導量を少なくすることが可能である。しかし、この場合、基体１０とシールリング２０とをろう付けする際にシールリング２０が変形しやすくなってシールリング２０の表面の平坦性が悪くなり、シールリング２０と蓋体との接合部に隙間が生じてパッケージ内部の気密性を保持しにくくなるという問題点を有していた。
【００１３】
従って、本発明はこのような問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、基体の上面にシールリングをろう付けしたパッケージにおいて、シールリングと蓋体との溶接の際に基体の上面にクラックが生ずるのを防ぐことができるとともに、気密信頼性に優れたパッケージを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置し収容するための凹部が形成されたセラミックス製の基体と、該基体の上面の前記凹部の周囲に下面が接合された、上下端に外側に延出する延出部がそれぞれ全周にわたって形成された金属製のシールリングとを具備しており、前記シールリングは、上端の延出部の幅が下端の延出部の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、基体の上面の凹部の周囲に下面が接合された、上下端に外側に延出する延出部がそれぞれ全周にわたって形成された金属製のシールリングを具備しており、シールリングの上端の延出部の幅が下端の延出部の幅よりも大きいことにより、シールリングの上端の延出部の外周部と金属製の蓋体とを溶接接合しても、シールリングの蓋体との接合部から基体との接合部までの距離が長くなるためにシールリングの下端と基体との接合部に熱が伝わりにくくなり、シールリングと基体との熱膨張差による熱応力がそれらの接合部に加わるのを抑制することができる。また、シールリングの上端の延出部が蓋体との接合時に熱膨張したとしても、細くなっているシールリングの上下方向の中央部が優先的に変形し熱膨張差による歪みを吸収することができ、基体の上面にクラックが発生するのを有効に抑制することができる。
【００１６】
また、上下端にそれぞれ形成した延出部によりシールリングの強度が向上するため、シールリングを基体にろう付けする際にシールリングの上面の平坦性を保持することができ、シールリングと蓋体との接合部に隙間が生じるのを防止して、半導体素子収納用パッケージ内部の気密信頼性を向上させることができる。
【００１７】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置し収容するための横断面形状が四角形状の凹部が形成された、円板状のセラミックス製の基体と、該基体の上面の前記凹部の周囲に下面が接合された、上端に外側に延出する延出部が全周にわたって形成された環状の金属製のシールリングとを具備しており、前記シールリングは、前記四角形状の４つの角に対応する部位の外周面の前記延出部と下端との間に凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置し収容するための横断面形状が四角形状の凹部が形成された、円板状のセラミックス製の基体と、この基体の上面の凹部の周囲に下面が接合された、上端に外側に延出する延出部が全周にわたって形成された環状の金属製のシールリングとを具備しており、シールリングは、四角形状の４つの角に対応する部位の外周面の延出部と下端との間に凹部が形成されていることから、円板状の基体と環状のシールリングは角がないため応力が集中しにくく、シールリングの上端の延出部の外周部に金属製の蓋体を溶接接合しても、シールリングと基体との熱膨張差による熱応力が局所的に加わるのを有効に抑制できる。
【００１９】
また、一般に四角形状である半導体素子に対して基体の凹部の横断面形状を四角形状とすることにより、円形とするよりも横断面積をより小さくすることができるため、厚みが薄く強度の弱い部位である凹部の比率を小さくして基体の強度をより向上し、基体が歪むのを有効に抑制することができる。さらに、基体とシールリングとの熱膨張差による熱応力がもっとも加わり易い四角形状の凹部の４つの角部に対応する部位の外周面の延出部と下端との間に凹部が形成されていることから、この凹部でこれらの熱応力を有効に吸収することができる。その結果、シールリングに蓋体を溶接する際に基体の上面にクラックが発生するのを有効に抑制できる。
【００２０】
本発明の半導体装置は、上記構成の半導体素子収納用パッケージと、前記基体の前記凹部の底面に載置された半導体素子と、前記シールリングの上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた気密信頼性の高いものとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細を説明する。図１は本発明のパッケージについて実施の形態の例を示す断面図であり、図２は本発明のパッケージの上面図である。
【００２３】
図１，図２において、１は上面にメタライズ層１ａと凹部１ｂを有する基体、２は金属製のシールリング、３はろう材、４は蓋体である。基体１とシールリング２と蓋体４とで内部に半導体素子５を収容するための容器が構成される。
【００２４】
本発明のパッケージは、上面に半導体素子５を載置するための凹部１ｂが形成された基体１と、基体１の上面の凹部１ｂの周囲に下面がろう付け接合された金属製のシールリング２とから成り、シールリング２は、上下端に外側に延出する延出部２ａ，２ｂがそれぞれ全周にわたって形成されている。
【００２５】
本発明の基体１は、円板状や、長方形状等の平板状であり、Ａｌ_２Ｏ_３質セラミックス，ＡｌＮ質セラミックス，３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２質セラミックス等のセラミックスから成る。
【００２６】
基体１は、例えばＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスから成る場合、次のようにして作製される。先ず酸化アルミニウム、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。次にセラミックグリーンシートに金型等によって打ち抜き加工を施して凹部１ｂとなる穴を形成する。そして、基体１の上面のシールリング２を接合するためのメタライズ層１ａや、基体１の内外を導通させて半導体素子５に駆動信号を入力したり半導体素子５で発生した電気信号を取り出したりするための導体層（図示せず）となるＷ，Ｍｏ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布し、しかる後、これらのセラミックグリーンシートを積層，焼成することによって基体１が形成される。
【００２７】
なお、メタライズ層１ａと導体層は、その露出する表面に良導電性で耐蝕性に優れたＮｉや金（Ａｕ）等の金属をめっき法により所定厚み（１〜２０μｍ程度）に被着させておくのがよく、メタライズ層１ａと導体層の酸化腐蝕を有効に防止できるとともにメタライズ層１ａとシールリング２とのろう材３による接合および導体層とボンディングワイヤ等の電気的な接続手段との接続信頼性の高いものと成すことができる。
【００２８】
また、基体１は円板状である場合、図５に基体１の上面図で示すように、基体１の外周に対向する一対の直線部１ｄを設けるのがよい。このような直線部１ｄを有することによって、基体１は、図６に平面図で示すように、基体１を作製するためのセラミックグリーンシート１ｃの斜線部を打ち抜き加工して円弧状の側面を形成し、これらのシートを多層積層し焼成した後に点線部をスライス加工して個片に切断することにより量産性よく形成される。即ち、基体１が円形である場合、焼成体を切削加工して円形にすることが困難であるため、セラミックグリーンシート１ｃを焼成前の段階で打ち抜き加工して円形の基体１の個片に切断した後に焼成しなければならず、その場合円形の各個片を焼成炉内に設置する手間がかかるため作業効率が低下する。一方、基体１が上記のように直線部１ｄを有する場合、多数の基体１をグリーンシート１ｃに保持した状態で焼成することができるため、作業効率が著しく向上する。
【００２９】
基体１の上面にはシールリング２が、基体１の上面に設けられたメタライズ層１ａを介して、銀（Ａｇ）ろう，Ａｇ−銅（Ｃｕ）ろう，Ａｕ−錫（Ｓｎ）ろう等のろう材３によってろう付け接合されている。
【００３０】
シールリング２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成り、図３（ａ），（ｂ）に示すように、上下端に外側に延出する延出部２ａ，２ｂがそれぞれ全周にわたって形成されているとともに上端の延出部２ａの幅が下端の延出部２ｂの幅よりも大きくされている。この構成により、シールリング２の上端の延出部２ａの外周部と金属製の蓋体４とを溶接接合しても、シールリング２の蓋体４との接合部から基体１との接合部までの距離が長くなるためにシールリング２の下端と基体１との接合部に熱が伝わりにくくなり、シールリング２と基体１との熱膨張差による熱応力がそれらの接合部に加わるのを抑制することができる。また、シールリング２の上端の延出部２ａが蓋体４との接合時に熱膨張したとしても、細くなっているシールリング２の上下方向の中央部が優先的に変形し熱膨張差による歪みを吸収することができ、基体１の上面にクラックが発生するのを有効に抑制することができる。
【００３１】
また、上下端にそれぞれ形成した延出部２ａ，２ｂによりシールリング２の強度が向上するため、シールリング２を基体１にろう付けする際にシールリング２の上面２ａの平坦性を保持することができ、シールリング２と蓋体４との接合部に隙間が生じるのを防止して、パッケージ内部の気密信頼性を向上させることができる。
【００３２】
さらに、図３（ｂ）に示すように、シールリング２の上下方向の中央部は上側から下側にかけて幅が漸次小さくなっているのがよい。これにより、シールリング２の上端の延出部２ａの外周部と金属製の蓋体４とを溶接接合しても、シールリング２の下端と基体１との接合部に熱がより伝わりにくくなり、シールリング２と基体１との熱膨張差による熱応力がそれらの接合部に加わるのを抑制することができ、その結果、シールリング２に蓋体４を溶接する際に基体１の上面にクラックが発生するのを有効に抑制できる。
【００３３】
好ましくは、シールリング２は、図３（ａ），（ｂ）において、下端の幅をＡ、上下方向の中央部の幅が最も小さい部位における幅をＢとしたとき、Ｂ＝０．２５Ａ〜０．７５Ａであるのがよい。この構成により、シールリング２に蓋体４を溶接接合する際に基体１にクラックが発生するのを有効に抑制することができる。Ｂ＜０．２５Ａであると、シールリング２の上下方向の中央部が薄くなりすぎて、シールリング２と基体１とのろう付け時にシールリング２が変形し易くなり、シールリング２の上面の平坦性を保持するのが困難になる。その結果、シールリング２と蓋体４との接合部に隙間が生じて、パッケージ内部の気密性を保持するのが困難になる。また、Ｂ＞０．７５Ａであると、シールリング２に蓋体４を溶接接合する際に発生する熱が基体１に伝わり易くなって、基体１にクラックが入り易くなる。
【００３４】
また、延出部２ａと延出部２ｂとの間隔は１〜７ｍｍであるのがよい。１ｍｍ未満であると、シールリング２の上下端の距離が短くなり、シールリング２に蓋体４を溶接接合する際に発生する熱が基体１に伝わり易くなって、基体１にクラックが入り易くなる。また、７ｍｍを超えると、シールリング２の上下方向の中央部が長くなってシールリング２の強度が弱くなり、シールリング２を基体１に接合する際に延出部２ａの平坦性を保持するのが困難になる。
【００３５】
また、本発明のパッケージは、図４の上面図に示すように、上面に半導体素子５を載置し収容するための横断面形状が四角形状の凹部１ｂが形成された、円板状のセラミックス製の基体１と、この基体１の上面の凹部１ｂの周囲に下面が接合された、上端に外側に延出する延出部２ａが全周にわたって形成された環状の金属製のシールリング２とを具備しており、シールリング２は、四角形状の４つの角に対応する部位の外周面の延出部２ａと下端との間に凹部２ｃが形成されている。
【００３６】
これにより、円板状の基体１と環状のシールリング２は角がないため応力が集中しにくく、シールリング２の上端の延出部２ａの外周部に金属製の蓋体４を溶接接合しても、シールリング２と基体１との熱膨張差による熱応力が局所的に加わるのを有効に抑制できる。
【００３７】
また、一般に四角形状である半導体素子５に対して基体１の凹部１ｂの横断面形状を四角形状とすることにより、円形とするよりも凹部１ｂの横断面積をより小さくすることができるため、厚みが薄く強度の弱い部位である凹部の比率を小さくして基体の強度をより向上し、基体１の強度をより向上して基体１が歪むのを有効に抑制することができる。さらに、基体１とシールリング２との熱膨張差による熱応力がもっとも加わり易い四角形状の凹部１ｂの４つの角部に対応する部位の外周面の延出部２ａと下端との間に凹部２ｃが形成されていることから、この凹部２ｃでこれらの熱応力を有効に吸収することができる。その結果、シールリング２に蓋体４を溶接する際に基体２の上面にクラックが発生するのを有効に抑制できる。
【００３８】
このような凹部２ｃの断面は、四角形状や三角形状、円弧状、Ｕ字状等の形状であり、例えば、シールリング２の凹部２ｃにおける縦断面形状は、図３（ａ），（ｂ）と同様の形状とされ得る。また、凹部２ｃの深さは、シールリング２の下端の幅をＡ、凹部２ｃの深さをＣとしたとき、Ｃ＝０．２５Ａ〜０．７５Ａであるのがよい。この構成により、シールリング２に蓋体４を溶接接合する際に基体１にクラックが発生するのを有効に抑制することができる。Ｂ＜０．２５Ａであると、シールリング２の上下方向の中央部が薄くなりすぎて、シールリング２と基体１とのろう付け時にシールリング２が変形し易くなり、シールリング２の上面の平坦性を保持するのが困難になる。その結果、シールリング２と蓋体４との接合部に隙間が生じて、パッケージ内部の気密性を保持するのが困難になる。また、Ｂ＞０．７５Ａであると、シールリング２に蓋体４を溶接接合する際に発生する熱が基体１に伝わり易くなって、基体１にクラックが入り易くなる。
【００３９】
本発明の半導体装置は、上記本発明のパッケージと、基体１の凹部１ｂの底面に載置された半導体素子５と、シールリング２の上面に取着された金属製の蓋体４とを具備している。
【００４０】
このような半導体装置は、上記本発明のパッケージの基体１の凹部１ｂの底面に半導体素子５をガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子５の各電極をボンディングワイヤを介して基体１に形成した導体層（図示せず）に接続し、しかる後、基体１の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る蓋体を溶接等の方法により取着し、基体１と蓋体４とから成る容器内部に半導体素子５を気密に収容することによって作製される。
【００４１】
かくして、本発明の半導体装置は、上記本発明のパッケージを用いた気密信頼性の高いものとなる。
【００４２】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、シールリング２の上下方向の中央部の断面形状は、図３（ａ）に示した四角形状、図３（ｂ）に示した三角形状の他に円弧状やＵ字状等の種々の形状としても何ら差し支えない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置し収容するための凹部が形成されたセラミックス製の基体と、この基体の上面の凹部の周囲に下面が接合された、上下端に外側に延出する延出部がそれぞれ全周にわたって形成された金属製のシールリングとを具備しており、シールリングは、上端の延出部の幅が下端の延出部の幅よりも大きいことにより、シールリングの上端の延出部の外周部と金属製の蓋体とを溶接接合しても、シールリングの蓋体との接合部から基体との接合部までの距離が長くなるためにシールリングの下端と基体との接合部に熱が伝わりにくくなり、シールリングと基体との熱膨張差による熱応力がそれらの接合部に加わるのを抑制することができる。また、シールリングの上端の延出部が蓋体との接合時に熱膨張したとしても、細くなっているシールリングの上下方向の中央部が優先的に変形し熱膨張差による歪みを吸収することができ、基体の上面にクラックが発生するのを有効に抑制することができる。
【００４４】
また、上下端にそれぞれ形成した延出部によりシールリングの強度が向上するため、シールリングを基体にろう付けする際にシールリングの上面の平坦性を保持することができ、シールリングと蓋体との接合部に隙間が生じるのを防止して、半導体素子収納用パッケージ内部の気密信頼性を向上させることができる。
【００４５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置し収容するための横断面形状が四角形状の凹部が形成された、円板状のセラミックス製の基体と、この基体の上面の凹部の周囲に下面が接合された、上端に外側に延出する延出部が全周にわたって形成された環状の金属製のシールリングとを具備しており、シールリングは、四角形状の４つの角に対応する部位の外周面の延出部と下端との間に凹部が形成されていることから、円板状の基体と環状のシールリングは角がないため応力が集中しにくく、シールリングの上端の延出部の外周部に金属製の蓋体を溶接接合しても、シールリングと基体との熱膨張差による熱応力が局所的に加わるのを有効に抑制できる。
【００４６】
また、一般に四角形状である半導体素子に対して基体の凹部の横断面形状を四角形状とすることにより、円形とするよりも横断面積をより小さくすることができるため、厚みが薄く強度の弱い部位である凹部の比率を小さくして基体の強度をより向上し、基体が歪むのを有効に抑制することができる。さらに、基体とシールリングとの熱膨張差による熱応力がもっとも加わり易い四角形状の凹部の４つの角部に対応する部位の外周面の延出部と下端との間に凹部が形成されていることから、この凹部でこれらの熱応力を有効に吸収することができる。その結果、シールリングに蓋体を溶接する際に基体の上面にクラックが発生するのを有効に抑制できる。
【００４７】
本発明の半導体装置は、上記構成の半導体素子収納用パッケージと、基体の凹部の底面に載置された半導体素子と、シールリングの上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた気密信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージの上面図である。
【図３】（ａ）は本発明の半導体素子収納用パッケージにおけるシールリングについて実施の形態の例を示す拡大断面図、（ｂ）は本発明の半導体素子収納用パッケージにおけるシールリングについて実施の形態の他の例を示す拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の他の例を示す上面図である。
【図５】本発明の半導体素子収納用パッケージにおける基体について実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図６】本発明の半導体素子収納用パッケージにおける基体を作製するためのセラミックグリーンシートについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージにおけるシールリングの例を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ｂ：凹部
２：シールリング
２ａ：上端の延出部
２ｂ：下端の延出部
３：ろう材
４：蓋体
５：半導体素子

Claims

上面に半導体素子を載置し収容するための凹部が形成されたセラミックス製の基体と、該基体の上面の前記凹部の周囲に下面が接合された、上下端に外側に延出する延出部がそれぞれ全周にわたって形成された金属製のシールリングとを具備しており、前記シールリングは、上端の延出部の幅が下端の延出部の幅よりも大きいことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
上面に半導体素子を載置し収容するための横断面形状が四角形状の凹部が形成された、円板状のセラミックス製の基体と、該基体の上面の前記凹部の周囲に下面が接合された、上端に外側に延出する延出部が全周にわたって形成された環状の金属製のシールリングとを具備しており、前記シールリングは、前記四角形状の４つの角に対応する部位の外周面の前記延出部と下端との間に凹部が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージと、前記基体の前記凹部の底面に載置された半導体素子と、前記シールリングの上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。