JP2014204077A - 接合構造体及び半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】ろう付けの強度や信頼性を低下させることなく、メタライズ剥がれの発生を低減することができる接合構造体及び半導体素子収納用パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体素子収納用パッケージ１は、基部１１から延出部１３が延出する構成の金属部材５において、延出部１３の下面に凹部２３を備えている。従って、十分なろう材７を配置したときでも、外側メタライズ層２１ｂと金属部材５の基部１１の外周側との間に十分な大きさの外側フィレット１７ｂを形成できる。つまり、十分な大きさの外側フィレット１７ｂを設けて、メタライズ層２１と金属部材５の基部１１とを接合する際に、外側フィレット１７ｂの先端が延出部１３側に大きく伸びる場合でも、外側フィレット１７ｂの先端は、凹部２３の内部に収容される。そのため、ろう材７の収縮時に（収縮による）応力が加わった場合でも、外側メタライズ層２１ｂの剥がれを抑制できる。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば半導体素子収納用パッケージにおいて、セラミック部材と金属部材とをろう材で接合する際等に使用される接合構造体、及びそのような構造接合体を用いた半導体素子収納用パッケージに関する。

従来より、半導体素子収納用パッケージ等において、セラミック部材と金属部材とをろう材を用いて接合することが行われている（例えば特許文献１〜３参照）。
この種の技術としては、例えば、セラミック基板の表面に、セラミック基板の外周に沿った形状の金属製の枠体（金具）を、ろう材を用いて接合した半導体素子収納用パッケージが知られている。

上述した従来技術では、図１１（ａ）に示すように、セラミック基板Ｐ１の（ろう付けを行う）表面にメタライズ層Ｐ２を形成し、そのメタライズ層Ｐ２と金具Ｐ３との間にろう材を配置して、メタライズ層Ｐ２と金具Ｐ３とをろう付けするとともに、断面が略三角形状のろう溜まり（フィレット）Ｐ４を形成するようにしてろう付けを行っていた。

特開２００９−２５２８５８号公報 特開２０１０−０６７６７８号公報 特開２０１０−２４５１４１号公報

ところが、図１１（ｂ）に示すように、金具Ｐ３の形状が部分的にメタライズ層Ｐ２より外周側に突出している場合には、ろう付けの際に、金具Ｐ３の突き出した箇所Ｐ５とセラミック基板Ｐ１とに囲まれてコ字状となった箇所（凹部）Ｐ６に、ろう材Ｐ７が過剰に溜まる「ろう溜まり過多」が発生することがある。

このように、コ字状の凹部Ｐ６にろう材Ｐ７が過剰に溜まると、ろう材Ｐ７は、金具Ｐ３の側面だけでなく、金具Ｐ３の突き出した箇所Ｐ５の内面（同図下面）にも到達することがある。

このような場合には、ろう材Ｐ７の収縮時（冷却時）に、ろう材Ｐ７自身に凹部Ｐ６の中心側に向けて大きな（自身の収縮による）応力が加わるので、メタライズ層Ｐ２に剥がれ（メタライズ剥がれ）が発生することがあった。

この対策として、ろう材Ｐ７のボリューム（量）を減らすことが考えられるが、金具Ｐ３には突き出しの無い箇所もあり、その部分のろう材Ｐ７が減ると、ろう材Ｐ７が不足してフィレットＰ４が小さくなり、ろう付けの強度の低下やろう付けの信頼性が低下するという問題がある。

本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ろう付けの強度や信頼性を低下させることなく、メタライズ剥がれの発生を低減することができる接合構造体及び半導体素子収納用パッケージを提供することである。

（１）本発明は、第１態様（接合構造体）として、セラミック部材と、該セラミック部材の表面に形成されたメタライズ層と、該メタライズ層にろう材を介して接合された金属部材と、を備えた接合構造体において、前記金属部材は、前記メタライズ層上に立設される基部と、該基部から前記メタライズ層に対して所定間隔をあけて延出される延出部と、を備えるとともに、前記基部の先端部は、前記ろう材からなるろう材層によって前記メタライズ層に接合され、且つ、前記基部の側部は、該基部の周囲の前記メタライズ層上に形成された前記ろう材からなるフィレットによって当該周囲のメタライズ層に接合され、更に、前記延出部には、前記フィレットが形成された前記メタライズ層と対向する位置に、凹部を有することを特徴とする。

本第１態様では、金属部材は、メタライズ層上に立設される基部と、基部からメタライズ層に対して所定間隔をあけて（例えばメタライズ層に平行に）延出される延出部とを備えている。更に、基部の先端部は、ろう材層によってメタライズ層に接合され、基部の側部は、基部の周囲のメタライズ層上に形成されたフィレットによって基部の周囲のメタライズ層に接合されている。しかも、延出部には、フィレットが形成されたメタライズ層と対向する位置に、凹部が形成されている。

従って、金属部材とセラミック部材と（詳しくは金属部材の基部とセラミック部材上のメタライズ層と）をろう材によって接合する場合に、その接合部分に、良好な接合を行うために十分なろう材を配置したときでも、ろう材は、メタライズ層の表面と金属部材の基部の側面との間に、断面が略三角形状の十分な大きさのフィレットを形成できる。つまり、十分な大きさのフィレットによって、メタライズ層と金属部材の基部とを接合する際に、フィレットの先端が延出部側に大きく伸びるような場合でも、そのフィレットの先端側のろう材は、凹部の内部に収容され、従来のように、略コ字状に折れ曲がって形成されることはない。

そのため、ろう材の収縮時（冷却時）に、ろう材に自身の収縮による応力が加わった場合でも、メタライズ層を剥がす方向の応力が小さいので、メタライズ層に剥がれ（メタライズ剥がれ）が発生することを抑制できる。

また、本第１態様では、上述のように、メタライズ層を剥がす方向の応力が小さいので、メタライズ剥がれを予防するために、ろう材のボリューム（量）を減らす必要がない。よって、ろう材が不足しないので、ろう付けの強度の低下やろう付けの信頼性の低下を防止することができる。

（２）本発明では、第２態様として、前記基部は、前記延出部側から前記基部側に凹むとともに前記凹部と一体に構成された第１拡張凹部を有することを特徴とする。
本第２態様では、金属部材の基部には、前記凹部と一体に構成された第１拡張凹部を備えているので、接合に十分なろう材を用いて、大きなフィレットを形成した場合でも、フィレットの先端側は、第１拡張凹部に収容され、従来のように、略コ字状に折れ曲がって伸びることはない。

これによって、より一層大きなフィレットに対応できるという利点がある。
（３）本発明では、第３態様として、前記基部は、前記メタライズ層の形成平面に対して垂直に見た場合に前記第１拡張凹部から前記基部の前記延出部が形成されていない部分側に凹むとともに前記第１拡張凹部と一体に形成された第２拡張凹部を有することを特徴とする。

ろう材は加熱によって溶融する際に粘度が高いので、延出部の根元部分（基部から突出する根元部分）は延出部が突出していない箇所よりも、ろう材が溜まり易い。そのため、ろう材は、延出部の根元部分の周囲（例えば基部の側面上）にて盛り上がるよう形成され易いので、ろう材が過剰に溜まるという問題がある。

それに対して、本第３態様では、第１拡張凹部と一体に形成された第２拡張凹部を備えているので、即ち、ろう材が溜まり易い延出部の根元の周囲が凹んでいるので、ろう材が基部の側面上にて盛り上がることを抑制できる。これによって、安定したろう材のボリュームを確保できるという利点がある。

（４）本発明では、第４態様として、前記セラミック部材は、板状のセラミック基板であり、前記金属部材は、前記セラミック部材の外縁部に沿って配置された枠状部材であることを特徴とする。

本第４態様では、セラミック部材と金属部材との形状や配置を例示している。これによって、金属部材の枠内にて、セラミック部材の表面に、例えば半導体素子等を収容することができる。

（５）本発明は、第５態様（半導体素子収納用パッケージ）として、前記第１態様〜第４態様のいずれか１つの接合構造体を備えたことを特徴とする。
本発明は、上述した接合構造体を備えた半導体素子収納用パッケージを例示したものである。

この様な半導体素子収納用パッケージは、金属部材とセラミック部材とが確実に接合されているので、信頼性や耐久性が高いという利点がある。

（ａ）は実施例１の半導体素子収納用パッケージを示す平面図、（ｂ）はその半導体素子収納用パッケージを示す正面図である。 図１のＡ−Ａ断面を拡大しＸ方向から見た状態を示す斜視図である。 図２のＢ部を更に拡大して示す斜視図である。 半導体素子収納用パッケージを基部の長手方向に垂直に破断した状態を示す断面図である。 図４において、使用するろう材を低減した場合の状態を示す断面図である。 図１のＡ−Ａ断面を拡大しＹ方向から見た状態を示す斜視図である。 図６のＣ部を更に拡大して示す斜視図である。 （ａ）は図６のＣ部を拡大して示す平面図、（ｂ）は図６のＣ部を拡大して示す正面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。 （ａ）は実施例２の半導体素子収納用パッケージを基部の長手方向に垂直に破断した状態を示す断面図、（ｂ）は実施例３の半導体素子収納用パッケージを基部の長手方向に垂直に破断した状態を示す断面図である。 実施例４の半導体素子収納用パッケージを基部の長手方向に垂直に破断した状態を示す断面図である。 従来技術を示す説明図である。

以下では、本発明を実施するための形態（実施例）の接合構造体及び半導体素子収納用パッケージについて説明する。

ａ）まず、本実施例１の接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージについて説明する。
図１に示す様に、本実施例１の半導体素子収納用パッケージ１は、（平面形状が）正方形の板状のセラミック部材（セラミック基板）３の一方の表面に、セラミック基板３の外縁部に沿って配置された四角枠状の金属部材５が、ろう材７によって接合（ろう付け接合）されたものである。

なお、半導体素子（図示せず）は、セラミック基板３上にて、金属部材５で囲まれた空間に収納される。
このうち、前記セラミック基板３は、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる複数のセラミック層からなり、例えばセラミックグリーンシートを積層して一体に焼成されたものである。なお、このセラミック基板３の材料としては、アルミナ以外に、ムライト、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、ベリリヤ等が挙げられる。

また、前記金属部材５は、例えば熱伝導性の良い銅−モリブデン（ＣｕＭｏ）合金からなる。なお、金属部材５の材料としては、銅−モリブデン以外に、銅−タングステン（ＣｕＷ）合金、コバール（Ｋｏｖａｒ）と称する鉄−ニッケル−コバルト（ＦｅＮｉＣｏ）合金で形成されていてもよく、また、その他の金属で形成されていてもよい。

更に、前記ろう材７としては、銀−銅（Ａｇ＋Ｃｕ）などの銀ろうや、その他の各種のろう材を使用できる。
また、同図に示す様に、前記金属部材５は、（平面形状が）正方形の枠体である基部１１と、基部１１の上部（図１（ｂ）の上方）より側方に延びる延出部１３とから構成されている。

この延出部１３は、セラミック基板３の表面と平行（図１（ｂ）の左右方向）に、基部１１の外周側に向かって板状に突出している。詳しくは、延出部１３は、基部１１のうち、図１（ａ）の下辺に対応する位置に形成された第１延出部１３ａと、図１（ａ）の上辺に対応する位置に形成された第２延出部１３ｂとから構成されている。

また、図２に拡大して示すように、金属部材５の基部１１の根元、詳しくは、基部１１の根元の内周側（図２左側）と外周側（図２右側）とには、ろう材７によって断面が略三角形状のフィレット１７（内側フィレット１７ａ、外側フィレット１７ｂ）が形成されている。

なお、金属部材５の基部１１とセラミック基板３との間にも、ろう材７によって中央ろう材層１９（図３参照）が形成されており、この中央ろう材層１９は、内側フィレット１７ａ及び外側フィレット１７ｂと繋がって一体となっている。

更に、図３及び図４に一層拡大して示す様に、金属部材５の基部１１が接合されるセラミック基板３の表面には、基部１１の底面１１ａの幅よりも左右（図４の左右）に幅の広い例えばタングステン（Ｗ）からなるメタライズ層２１が形成されている。

つまり、メタライズ層２１は、内側フィレット１７ａの底面が接する所定幅（例えば ０．４０ｍｍ）の内側メタライズ層２１ａと、金属部材５の基部１１とセラミック基板３との間の所定幅（例えば０．６０ｍｍ）の中央メタライズ層２１ｃと、外側フィレット１７ｂの底面が接する所定幅（例えば０．６０ｍｍ）の外側メタライズ層２１ｂとから構成されている。

なお、このメタライズ層２１の厚みは、例えば３０μｍであり、金属部材５の基部１１と同様に、セラミック基板３の外縁部に沿って四角枠状に形成されている。
このメタライズ層２１の材料としては、タングステン以外に、タングステンとモリブデンの混合材等を採用できる。また、メタライズ層２１の表面には、必要に応じて、ろう材７との濡れ性に優れる金属、例えば厚さ１．０〜２．５μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）層がめっき法により形成される。ニッケル（Ｎｉ）層上に、更に厚さ２〜３μｍ程度の金（Ａｕ）層をめっき法により形成してもよい。

つまり、本実施例では、基本的に、メタライズ層２１上に形成された、内側フィレット１７ａ、外側フィレット１７ｂ、中央ろう材層１９によって、金属部材５がセラミック基板３に接合されている。

ｂ）次に、本実施例１の要部である延出部１３及びその周囲の構成について説明する。
＜延出部１３の基部１１の枠に沿った方向の中間位置における構成＞
本実施例では、前記図４に示す様に、金属部材５は、メタライズ層２１上に立設される基部１１と、基部１１からメタライズ層２１（詳しくは外側メタライズ層２１ｂ）に対して所定間隔をあけて、メタライズ層２１に平行に延出される延出部１３とを備えており、しかも、延出部１３には、外側メタライズ層２１ｂと対向する位置（同図上方）に、凹部２３が形成されている。ここで、延出部１３のうち凹部２３よりも外周側の部分は、メタライズ層２１の表面に沿って形成される平面に対して、０．５０ｍｍの間隔をあけて形成されている。

この凹部２３は、その断面（即ち基部１１の長手方向と垂直の断面）が、長方形となるように形成されている。なお、断面とは、枠状部材である基部１１がセラミック基板３の外縁部に沿って延びる方向（以下長手方向と記す）に対して垂直の断面である。

つまり、凹部２３は、延出部１３の外側メタライズ層２１ｂ側（同図下面側）が、基部１１の外周側（同図右側）の側面に沿って、所定幅（例えば１．００ｍｍ）で且つ所定深さ（例えば１．００ｍｍ）で切り欠かれたものであり、基部１１の長手方向に沿って延出部１３の全体にわたって形成されている。

従って、外側フィレット１７ｂは、外側メタライズ層２１ｂ上に形成されて、基部１１の外周側（同図右側）の側面に沿って、同図上方に延びるとともに、その先端は、凹部２３の内部に達している。詳しくは、外側フィレット１７ｂは、凹部２３の内側側面２３ａの途中まで達しているが、内側上面２３ｂには達していない。

一方、内側フィレット１７ａは、内側メタライズ層２１ａ上に形成されて、基部１１の内周側（同図左側）の側面に沿って、同図上方に延びている。
なお、図５に示す様に、使用されるろう材７の量が少ない場合には、外側フィレット１７ｂの先端は凹部２３には達しないことがある。

＜延出部１３の基部１１の枠に沿った方向の端部近傍の構成＞
また、図６に示す様に、延出部１３が基部１１から延出される根元部分の構成、詳しくは、延出部１３の（基部１１の長手方向における）端部２５の根元部分及びその周囲の構成は、前記図２に示した部分とは異なっている。即ち、延出部１３が基部１１の長手方向に沿って延びる中央部分２６（端部２５ではない部分）の根元部分の構成とは異なっている。

詳しくは、図７及び図８に拡大して示す様に、延出部１３の端部２５の根元部分には、上述した凹部２３が、基部１１の長手方向（図８（ａ）の左右方向）に沿って形成されているだけでなく、基部１１には、延出部１３側から基部１１側に凹むとともに凹部２３と一体となった第１拡張凹部２７が形成されている。

この第１拡張凹部２７は、凹部２３が所定幅（図８（ａ）の左右方向の幅）で、基部１１側に所定深さ（図８（ａ）の上下方向の深さ）凹むだけでなく、所定高さ（図８（ｂ）の上下方向の高さ）となるように、基部１１の底面１１ａに達するように切り欠かれたものである。つまり、第１拡張凹部２７は、例えば高さ１．００ｍｍ×深さ１．００ｍｍの寸法で切り欠かれたものである。

更に、基部１１には、第１拡張凹部２７から基部１１の延出部１３が形成されていない部分側（図８（ａ）の右側）に凹むとともに第１拡張凹部２７と一体に形成された第２拡張凹部２９が形成されている。

この第２拡張凹部２９は、第１拡張凹部２７と同じ深さ（図８（ａ）の上下方向の深さ）で、且つ、第１拡張凹部２７と同じ高さ（図８（ｂ）の上下方向の高さ）で、所定幅（図８（ａ）の左右方向の幅）にて、基部１１が図８（ａ）の右方向に切り欠かれたものである。つまり、第２拡張凹部２９は、例えば縦１．００ｍｍ×横０．５０ｍｍ×高さ１．００ｍｍの寸法で、直方体形状に切り欠かれたものである。

従って、凹部２３と第１拡張凹部２７と第２拡張凹部２９とは一体の凹状の構造となっている。
ｃ）次に、本実施例１の半導体素子収納用パッケージ１の製造方法について簡単に説明する。

図示しないが、周知の方法によって、アルミナ製のセラミック基板３を作製し、また、周知の方法によって、銅−モリブデン製の金属部材５を作製する。
例えば、セラミック基板３は、アルミナを材料とするセラミックグリーンシートを積層し、焼成して一体化して作製することができる。このとき、タングステンペーストを所定の位置に印刷しセラミックグリーンシートと同時に焼成することで、メタライズ層２１を形成することができる。

また、金属部材５は、銅−モリブデン製の金属基板を枠状に打ち抜いた後に、又は、鋳造によって金属基板を製造した後に、必要な箇所に、例えば凹部２３、第１拡張凹部２７、第２拡張凹部２９、固定孔１５等を形成する箇所に、切削加工や孔明け加工を行うことにより製造することができる。

その後、メタライズ層２１が形成されたセラミック基板３の上に金属部材５を載置するとともに、セラミック基板３と金属部材５との間に、所定幅の薄板状の銀ろうからなるろう材７を挟むようにする。

その後、これらの部材を所定のろう付け温度（例えば８００℃）に加熱すると、この加熱により、ろう材７が溶融し、内側フィレット１７ａや外側フィレット１７ｂの形状となり、冷却によってその形状が保たれたまま固化する。

なお、溶融した際には、外側フィレット１７ｂは、基部１１の外周側の側面に沿って上昇するが、ろう付けに用いられるろう材の量は、外側フィレット１７ｂの先端が凹部２３内に達する程度（詳しくは内側側面２３ａの途中まで達する程度）に設定されているので、凹部の内側上面２３ｂまでには達しない。

これにより、本実施例１の半導体素子収納用パッケージ１が得られる。
ｄ）次に、本実施例１の効果を説明する。
本実施例１では、基部１１から延出部１３が延出する構成の金属部材５において、延出部１３の下面（詳しくは外側メタライズ層２１ｂと対向する部分）に、断面形状が長方形の凹部２３を備えている。

従って、金属部材５とセラミック基板３とをろう材７によって接合する場合に、その接合部分に、接合を行うために十分なろう材７を配置したときでも、ろう材７によって、外側メタライズ層２１ｂの表面と金属部材５の基部１１の外周側の側面との間に断面が略三角形状の十分な大きさの外側フィレット１７ｂを形成できる。また、内側メタライズ層２１ａの表面と金属部材５の基部１１の内周側の側面との間にも、同様な断面が略三角形状の十分な大きさの内側フィレット１７ａを形成できる。

つまり、本実施例１では、十分な大きさの外側フィレット１７ｂを設けて、メタライズ層２１と金属部材５の基部１１とを接合する際に、外側フィレット１７ｂの先端が延出部１３側に大きく伸びるように形成される場合でも、その外側フィレット１７ｂの先端側のろう材７は、凹部２３の内部に収容され、従来のように、略コ字状に折れ曲がって伸びることはない。

そのため、ろう材７の収縮時（冷却時）に、ろう材７に自身の収縮による応力が加わった場合でも、外側メタライズ層２１ｂを剥がす方向の応力が小さいので、外側メタライズ層２１ｂに剥がれ（メタライズ剥がれ）が発生することを抑制することができる。

また、本実施例１では、上述のように、外側メタライズ層１７ｂを剥がす方向の応力が小さいので、メタライズ剥がれを予防するために、ろう材７のボリューム（量）を減らす必要がない。よって、ろう材７が不足しないので、ろう付けの強度の低下やろう付けの信頼性の低下を防止することができる。

更に、本実施例１では、延出部１３の端部２５の根元側において、基部１１は、凹部２３と一体に構成された第１拡張凹部２７を備えるとともに、第１拡張凹部２７と一体に形成された第２拡張凹部２９を備えている。

よって、接合に十分なろう材７を用いて、大きな外側フィレット１７ｂを形成した場合でも、外側フィレット１７ｂの先端側は、第１拡張凹部２７に収容される。よって、一層大きな外側フィレット１７ｂに対応できるという利点がある。

また、延出部１３の端部２５の根元の周囲は、ろう材７が溜まり易いが、第１拡張凹部２７や第２拡張凹部２９を設けることにより、ろう材７が溜まり難くなるので、ろう材７が盛り上がり難くなる、よって、適正なフィレット１７が形成できるという利点がある。

従って、本実施例１の半導体素子収納用パッケージ１は、金属部材５とセラミック基板３とが確実に接合されているので、信頼性や耐久性が高いという顕著な効果を奏する。

次に本実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
図９（ａ）に示す様に、本実施例２の半導体素子収納用パッケージ３１は、前記実施例１と同様に、セラミック基板３３上にメタライズ層３５が形成され、そのメタライズ層３５上に、ろう材３７によって金属部材３９が接合されたものである。

特に本実施例２では、金属部材３９の延出部４１に、前記実施例１と同様に凹部４３が形成されているが、凹部４３の形状が実施例１とは異なる。
つまり、本実施例２では、凹部４３の断面（基部４５の長手方向と垂直の断面）の形状が、三角形である。詳しくは、延出部４１の（同図の）下面側が基部４５の外周側の側面に沿って（同図の）上方に向かって切り欠かれており、その側面の切り欠き部分を１辺とするように三角形の断面が構成されている。

本実施例２によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
なお、凹部４３の断面形状としては、外側フィレット４７ｂの先端が、外側メタライズ層３５ｂの上方に対応する位置まで達しないように構成する限りは、特に限定はない。

次に本実施例３について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
図９（ｂ）に示す様に、本実施例３の半導体素子収納用パッケージ５１は、前記実施例１と同様に、セラミック基板５３上にメタライズ層５５が形成され、そのメタライズ層５５上に、ろう材５７によって金属部材５９が接合されたものである。

特に本実施例３では、金属部材５９の延出部６１に、前記実施例１と同様に凹部６３が形成されているが、凹部６３と連接するように、基部６５の一部が（同図左側に）切り欠かれた第１拡張凹部６７が形成されている。

本実施例３によっても、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、凹部６３と一体に第１拡張凹部６７が形成されているので、ろう材５７が多く外側フィレット６９ｂが大きくなっても、その先端が凹部６３の内側上面６３ｂにまで到達し難いという利点がある。

次に本実施例４について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は省略する。
図１０に示す様に、本実施例４の半導体素子収納用パッケージ７１は、前記実施例１と同様に、セラミック基板７３上にメタライズ層７５が形成され、そのメタライズ層７５上に、ろう材７７によって金属部材７９が接合されたものである。

特に本実施例４では、メタライズ層７５は、セラミック基板７３の外縁部より内側（同図左側）に形成されており、そのメタライズ層７５に金属部材７９の基部８１が接合されている。

また、本実施例４では、基部８１の両側（同図の左右）に延出部８３、８５が設けられており、各延出部８３、８５に、前記実施例１と同様な凹部８７、８９が形成されている。

よって、内側フィレット９１ａの先端（上端）は、内側の凹部８７に入り込んで、内側側面８７ａの途中にまで達しており、また、外側フィレット９１ｂの先端は、外側の凹部８９に入り込んで、内側側面８９ａの途中にまで達している。

本実施例４によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
尚、本発明は前記実施例や変形例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。

例えば実施例１〜４の各構成を適宜組み合わせることが可能である。

１、３１、５１、７１…半導体素子収納用パッケージ
３、３３、５３、７３…セラミック基板
５、３９、５９、７９…金属部材
７、３７、５７、７７…ろう材
１１、４５、６５、８１…基部
１３、４１、６１、８３、８５…延出部
１７、１７ａ、１７ｂ、４７ｂ、６９ｂ、９１ａ、９１ｂ…フィレット
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、３５、５５、７５…メタライズ層
２３…凹部
２７…第１拡張凹部
２９…第２拡張凹部

Claims (5)

1. セラミック部材と、
   該セラミック部材の表面に形成されたメタライズ層と、
   該メタライズ層にろう材を介して接合された金属部材と、
   を備えた接合構造体において、
   前記金属部材は、前記メタライズ層上に立設される基部と、該基部から前記メタライズ層に対して所定間隔をあけて延出される延出部と、を備えるとともに、
   前記基部の先端部は、前記ろう材からなるろう材層によって前記メタライズ層に接合され、且つ、前記基部の側部は、該基部の周囲の前記メタライズ層上に形成された前記ろう材からなるフィレットによって当該周囲のメタライズ層に接合され、
   更に、前記延出部には、前記フィレットが形成された前記メタライズ層と対向する位置に、凹部を有することを特徴とする接合構造体。
2. 前記基部は、前記延出部側から前記基部側に凹むとともに前記凹部と一体に構成された第１拡張凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の接合構造体。
3. 前記基部は、前記メタライズ層の形成平面に対して垂直に見た場合に前記第１拡張凹部から前記基部の前記延出部が形成されていない部分側に凹むとともに前記第１拡張凹部と一体に形成された第２拡張凹部を有することを特徴とする請求項２に記載の接合構造体。
4. 前記セラミック部材は、板状のセラミック基板であり、前記金属部材は、前記セラミック部材の外縁部に沿って配置された枠状部材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の接合構造体。
5. 前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の接合構造体を備えたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。