JP5523199B2 - 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 - Google Patents

素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 Download PDF

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Description

本発明は、例えば、光半導体素子などを収納するための素子収納用パッケージに用いられる素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置に関する。
素子収納用パッケージにおいて、入出力端子への熱電冷却素子の接続は、熱電冷却素子に接続されているリード線が入出力端子に設けられた切り欠き部に半田等を介して接合されているものがある。このような素子収納用パッケージとしては、例えば、特許文献1に開示されている。
特開2000−183254号公報
しかしながら、上記素子収納用パッケージは、素子収納用パッケージ本体が小型集積化するに伴い、入出力端子に設けられる切り欠き部の幅も狭くなり、熱電冷却素子のリード線が切り欠き部に挿入しにくいという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、入出力端子の切り欠き部への挿入性を向上することができる素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置に関する。
上記目的を達成するために本発明における素子収納用パッケージは、上側主面に光半導
体素子が熱電冷却素子を介して載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取り付け部を有する枠体と、該枠体の内側に突出する平板状の突出部を有するとともに、該突出部の上面に前記熱電冷却素子のリード線と電気的に接続される第1の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第2の配線導体層を有する、前記枠体の前記取り付け部に取り付けられた入出力端子と、を備え、該入出力端子は、前記枠体の内側の前記第1の配線導体層の形成部内に、前記突出部を上下に貫通して設けられた、平面視して前記突出部の側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、前記熱電冷却素子のリード線が挿入される切り欠き部を有しており、前記切り欠き部は、該切り欠き部の内壁面と前記突出部の側面とがなす角部が、C面またはR面の形状に面取りされていることを特徴とするものである。
また、上記目的を達成するために本発明における電子装置は、本発明に係る素子収納用パッケージと、前記リード線を前記入出力端子の前記切り欠き部に挿入して前記第1の配線導体層に電気的に接続され、前記載置部に載置された前記熱電冷却素子と、該熱電冷却素子の上面に載置され、前記入出力端子の前記第2の配線導体層に電気的に接続された前記光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体と、を備えたことを特徴とするものである。
本発明の素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置は、入出力端子の切り欠き部への挿入性を向上することができるという効果を奏する。
本実施形態に係る素子収納用パッケージの斜視図である。 本実施形態に係る素子収納用パッケージの入出力端子の拡大斜視図である。 図1に示す素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部の拡大平面図である。 本実施形態に係る素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置の斜視図である。 本実施形態の変形例1に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、(A)は切り欠き部の拡大平面図、(B)は切り欠き部の拡大斜視図である。 本実施形態の変形例2に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、(A)は切り欠き部の拡大平面図、(B)は切り欠き部の拡大斜視図である。 本実施形態の変形例3に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部の拡大図である。 本実施形態の変形例4に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、(A)は切り欠き部の拡大平面図、(B)は切り欠き部の他の例の拡大平面図である。
以下、本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置について、図面を参照しながら説明する。
<実施形態>
<素子収納用パッケージの構成、および電子装置の構成>
本実施形態に係る素子収納用パッケージは、図1乃至図4に示すように、上側主面に光半導体素子9が熱電冷却素子8を介して載置される載置部1aを有する基体1と、上側主面に載置部1aを取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子3の取り付け部を有する枠体2と、枠体2の内側に突出する平板状の突出部3bを有するとともに、該突出部3bの上面に熱電冷却素子8のリード線8aと電気的に接続される第1の配線導体層3dおよび光半導体素子9に電気的に接続される第2の配線導体層3eを有する、枠体2の取り付け部2aに取り付けられた入出力端子3と、を備え、入出力端子3は、枠体2の内側の第1の配線導体層3eの形成部内に、突出部3bを上下に貫通して設けられた、平面視して突出部3bの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、熱電冷却素子8のリード線8aが挿入される切り欠き部3fを有している。
基体1は、平面視したとき、矩形状に形成された板状の部材である。基体1は、上側主面に、例えば、光半導体レーザ、フォトダイオード等の光半導体素子9がペルチェ素子等の熱電冷却素子8を間に介して載置される載置部1aを有している。基体1は、例えば、銅(Cu)、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または銅(Cu)−タングステン(W)合金等の金属材料から成る。
基体1は、例えば、それらの金属材料を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定の形状にして製作される。
なお、基体1は、基体1の外表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性が良い金属、具体的には、厚さ0.5μm以上9μm以下のNi層と厚さ0.5μm以上5μm以下のAu層を順次、メッキ形成法によりメッキ層を被着させておくのがよい。メッキ層は基体1が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体1の上側主面の光半導体素子9の
下部に配置される熱電冷却素子8を強固に接着固定することができる。
枠体2は、基体1の上側主面に載置部1aを取り囲むように接合され、枠体2の内側に光半導体素子9を収容するための空所を形成している。枠体2は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属材料から成る。枠体2は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金のインゴットを周知のプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。
また、枠体2は、枠体2の側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子3の取り付け部2aが設けられている。なお、入出力端子3については後述する。
また、枠体2には、内部に収容する光半導体素子9との間で光信号を授受するための光ファイバ10が挿通固定される筒状の光ファイバ固定部材7が設けられている。また、光ファイバ固定部材7は、枠体2を貫通して、銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材を介して接合される。この光ファイバ固定部材7は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属から成り、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金のインゴットを周知のプレス加工することにより所定の筒状にして製作される。
また、光ファイバ固定部材7は、光ファイバ10を挿通可能な貫通孔を有する筒体であり、外部より貫通孔に光ファイバ10の一端を挿通するとともに光ファイバ10を半田等の接着剤やレーザ溶接により固定し、これにより光ファイバ10を介して内部に収容する光半導体素子9と外部との光信号の授受が可能となる。
入出力端子3は、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eを有する平坦部3a、および平坦部3aの上面に第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eを挟んで接合された立壁部3cから構成される。また、平坦部3aは、枠体2の内外に突出する突出部3bを有している。
また、枠体2の内側の第1の配線導体層3dは、熱電冷却素子8のリード線8aと電気的に接続され、枠体2の内側の第2の配線導体層3eは、光半導体素子9と電気的に接続される。また、第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eは、同一材料で構成されることが好ましい。入出力端子3は、枠体2の取り付け部2aに銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材を介して取り付けられる。なお、入出力端子3は、入出力端子3と枠体2の取り付け部2aとの接合部にメタライズ層が形成されている。
入出力端子3は、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料から成る。また、第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eは、タングステン、モリブデンまたはマンガン等で形成されている。
第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eは、平坦部3aの上面に、光半導体パッケージの内外を導出するように、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合してなる金属ペーストをセラミックグリーンシートに予め周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって入出力端子3の上面に形成される。そして、熱電冷却素子8および光半導体素子9と外部電気回路基板とを電気的に接続する。
入出力端子3は、図2または図3に示すように、切り欠き部3fが、枠体2の内側の第
1の配線導体層3dの形成部内の平坦部3aに上下に貫通して設けられるとともに、平面視して突出部3bの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有している。そして、切り欠き部3fは、熱電冷却素子8のリード線8aが挿入され、入出力端子3と熱電冷却素子8のリード線8aとの接続部となる。すなわち、切り欠き部3fは、平坦部3aの突出部3bの枠体2の内側に位置する第1の配線導体層3dの上下を貫通して設けられるとともに平面視して突出部3bの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有している。
また、切り欠き部3fの内壁面は、第1の配線導体層3dと電気的に接続されるように第1の配線導体層3dから切り欠き部3fの内壁面にかけてメタライズ層が形成されている。すなわち、第1の配線導体層3dが切り欠き部3fの内壁面にかけて延出されている。切り欠き部3fの内壁面の全面に第1の配線導体層3dが延出されているので、第1の配線導体層3dと熱電冷却素子8のリード線8aとの接合が切り欠き部3fの内壁面の広い面積で行われるため、接合面積を大きくすることができる。したがって、両者の接合を強固とするとともに接触抵抗を均一で小さなものとすることができ、接続信頼性を向上させることができる。
また、熱電冷却素子8を駆動するための電力を十分に供給することができ、熱電冷却素子8および光半導体素子9の動作を安定化させることができる。また、熱電冷却素子8で光半導体素子9を冷却しつつ光半導体素子9に光を励起させた場合、熱電冷却素子8による光半導体素子9の温度もほぼ均一となり、光半導体素子9の励起する光の波長を常に一定として光通信を正確に行なうことができる。
なお、第1の配線導体層3dの切り欠き部3fへの延出は、金属ペーストを使用して入出力端子3の平坦部3aに第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eを形成する際に、金属ペーストの一部を切り欠き部3fの内壁面に塗布することによって形成される。なお、第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eは、メッキ形成方法によって、ニッケルメッキ層、金メッキ層が形成される。
なお、切欠き部3fは、入出力端子3の平坦部3aとなるセラミックグリーンシートに予め突出部3bの側面に向かって漸次広がるようなテーパー形状に打ち抜き加工を施すことによって、熱電冷却素子8のリード線8aが接続される入出力端子3の部位に形成される。
外部リード端子4は、外部電気回路と入出力端子3との高周波信号の入出力を行うものである。すなわち、外部リード端子4は、光半導体素子9および熱電冷却素子8の電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、外部リード端子4を外部電気回路に接続することによって熱電冷却素子8および光半導体素子9は、リード線8a、第1の配線導体層3d、第2の配線導体層3eおよび外部リード端子を介して外部電気回路に接続されることになる。外部リード端子4は、枠体2の外側の入出力端子3の第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eに銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材を介して接合される。
また、外部リード端子4は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属材料から成る。これらの金属のインゴットを周知の圧延加工法や打ち抜き加工法、エッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の形状となるように製作される。
入出力端子3は、入出力端子3の枠体2の内側の第2の配線導体層3eに、光半導体素子9と第2の配線導体層3eとを電気的に接続するためにボンディングワイヤで接合され
る。
シールリング5は、枠体2の上面に銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材で接合され、シールリング5の上面に蓋体6をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属材料から成る。なお、蓋体6は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属材料から成る。蓋体6が、基体1と枠体2と入出力端子3とシールリング5とからなる内部に光半導体素子を気密に封止することになる。なお、蓋体6は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等のインゴットを周知のプレス加工により所定の形状となすことによって製作される。
図4に示すように、基体1の上側主面の載置部1aに光半導体素子9が熱電冷却素子8を間に介して接着固定される。そして、光半導体素子7の電極がボンディングワイヤ等を介して第2の配線導体層3eに接続されるとともに、熱電冷却素子8の電極に接続されたリード線8aが入出力端子3の切り欠き部3fに挿入されて第1の配線導体層3dに半田等を介して電気的に接続される。次に、枠体2の上面にシールリング5を介して蓋体6をシーム溶接等の溶接法で接合し、基体1と枠体2と入出力端子3とシールリング5および蓋体6の内部に光半導体素子9及び熱電冷却素子8が気密に収納されて電子装置となる。
また、枠体2の光ファイバ固定部材7に光ファイバ10一端を挿通させるとともにこれを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合し、光ファイバ10を枠体2に固定する。この電子装置において、光ファイバは電子装置が外部電気回路基板等に搭載された後に設けることもできる。または、製品として電子装置自体に設けておくこともできる。そして、光ファイバ10を介して内部に収容する光半導体素子7と外部との光信号の授受が可能となる。
本実施形態によれば、入出力端子3が、平坦部3aの突出部3bの枠体2の内側に位置する第1の配線導体層3dに上下に貫通して設けられるとともに平面視して突出部3bの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する切り欠き部3fを有しているので、切り欠き部3fに熱電冷却素子8のリード線8aの一端を挿入する際に容易に挿入することができ、熱電冷却素子8のリード線8aの挿入性を向上することができる。結果として、リード線8aを正確に、かつ容易に所定の位置に挿入することができ、リード線8aを第1の配線導体層3dに正確かつ容易に電気的に接続させることができる。
また、切り欠き部3fは、逆テーパー形状部を有しているので、熱電冷却素子8のリード線8aを半田等で接続する際に、逆テーパー形状部で半田溜まりが設けられ、半田の体積が増加して接続強度を向上させることができる。すなわち、外力に対する強度が向上し、熱電冷却素子8のリード線8aの外れを抑制することができる。
<素子収納用パッケージ、および電子装置の製造方法>
ここで、素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置の製造方法を説明する。
基体1は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、枠体2は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、蓋体6は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周
知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。
また、入出力端子3は、平坦部3aと平坦部3aの上面に接合される立壁部3dから形成される。入出力端子3が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、平坦部3aおよび立壁部3dのグリーンシートは、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、溶剤、分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によって形成される。
そして、平板形状のグリーンシートに金型を用いた打ち抜きを施すことによってそれぞれの形状に合わせて製作される。なお、切り欠き部3fは、入出力端子3の平坦部3aとなるセラミックグリーンシートに予め枠体の内側に向かって漸次広がる逆テーパー形状となるように打ち抜き加工を施すことによって製作される。
平坦部3aは、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属粉末に有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加してなる導電ペーストを、平坦部3aの上面の所定位置にスクリーン印刷法等によって印刷塗布して、第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eとなる金属ペースト層が形成される。また、平坦部3aおよび立壁部3cは、枠体2との接合部に該当する位置に導金属ペーストを印刷塗布してメタライズ層が形成される。また、入出力端子3の取り付け部2aが切り欠いて設けられている場合には、平坦部3aおよび立壁部3cは、枠体2およびシールリング5との接合部に該当する位置にメタライズ層が形成される。
さらに、グリーンシート状態の平坦部3a上に、グリーンシート状態の立壁部3cを積層して、約1600℃の温度で同時に焼成することにより、焼成後に、平坦部3aと立壁部3cが一体化されて、入出力端子3が製作される。
また、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3e上、およびメタライズ層上に厚さ1.0μm以上3.0μm以下のニッケルメッキ層が形成される。
外部リード端子4は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。そして、入出力端子3の第1の配線導体層3dおよび第2の配線導体層3eの枠体2の外側に銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材を介して接合される。
シールリング5は、例えば、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。
基体1と枠体2と入出力端子3とシールリング5が銀(Ag)ロウまたは銀(Ag)−銅(Cu)ロウ等のロウ材を介して接合されることによって素子収納用パッケージが製作される。
また、素子収納用パッケージから露出してニッケルメッキ層が形成されている第1の配線導体層3d、第2の配線導体層3eおよびメタライズ層は、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、更に、厚さ0.5μm以上3.0μm以下のニッケルメッキ層、厚さ0.5μm以上3.0μm以下の金メッキ層が形成される。
ここで、電子装置の製造方法について説明する。
電子装置は、素子収納用パッケージの基体1の載置部1aに熱電冷却素子8を、例えば、金(Au)−錫(Sn)半田または金(Au)−ゲルマニウム(Ge)半田等の材料で接着固定する。そして、熱電冷却素子8上に光半導体素子9を金(Au)−錫(Sn)半田等を介して接着固定する。熱電冷却素子8のリード線8aが入出力端子3の切り欠き部3fに、金(Au)−錫(Sn)半田等を介して電気的に接続される。次に、シールリング5の上面に蓋体6をシーム溶接等の溶接法によって接合し、基体1と枠体2と入出力端子3とシールリング5および蓋体6の内部に光半導体素子9及び熱電冷却素子8を気密に収容して電子装置とする。
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る素子収納用パッケージのうち、本実施形態に係る素子収納用パッケージと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
<変形例1>
本実施形態に係る変形例の素子収納用パッケージでは、図5に示すように、入出力端子3の切り欠き部3fは、入出力端子3の切り欠き部3fの内壁面と突出部3bと側面とがなす角部が、R面の形状に面取りされてもよい。すなわち、切り欠き部3fは、切り欠き部3fの開口部の角部にR面取り部3gが形成されている。
入出力端子3の切り欠き部3fの角部がR面の形状に面取りされているので、切り欠き部3fに熱電冷却素子8のリード線8aを滑らかに挿入することができ、切り欠き部3fの角部でリード線8aが傷ついて断線するのを抑制することができる。なお、R面の曲率半径は、0.1mm以上0.5mm以下に設定することが好ましい。なお、R面の形状の面取りは、R面をグリーンシートに、打ち抜き加工によって形成しておく。なお、平坦部3aは、R面形状に打ち抜き加工したグリーンシートを積層して製作される。
<変形例2>
さらに、図6に示すように、入出力端子3の切り欠き部3fは、入出力端子3の切り欠き部3fの内壁面と突出部3bと側面とがなす角部が、C面の形状に面取りされてもよい。すなわち、切り欠き部3は、切り欠き部3fの開口部の角部にC面取り部3hが形成されている。
入出力端子3の切り欠き部3fの角部がC面の形状に面取りされているので、切り欠き部3fに熱電冷却素子8のリード線8aを滑らかに挿入することができ、切り欠き部3fの角部でリード線8aが傷ついて断線するのを抑制することができる。なお、C面は、図6(a)に示すように、Xは、0.1mm以上0.5mm以下、Yは、0.1mm以上0.5mm以下に設定することが好ましい。なお、C面の形状の面取りは、C面をグリーンシートに、打ち抜き加工によって形成しておく。なお、平坦部3aは、C面形状に打ち抜き加工したグリーンシートを積層して製作される。
<変形例3>
本実施形態に係る変形例の素子収納用パッケージでは、図7に示すように、切り欠き部3fは、切り欠き部3fの逆テーパー形状部よりも枠体側に熱電冷却素子8のリード線8aを収容する収容部を有していてもよい。すなわち、平面視して切り欠き部3fの内部に幅狭のくびれ部を有し、くびれ部よりも枠体側にくびれ部の開口幅よりも広い開口幅を有する熱電冷却素子8のリード線8aを収容する収容部11を有している。
入出力端子3の切り欠き部3fは、熱電冷却素子8のリード線8aを収容する収容部11を有し、幅狭に形成されているくびれ部が設けられているので、収容部11の内部にリード線8aが引っ掛かる部分が形成され、収容部11の内部に挿入されたリード線8aが収容部11から外れるのを抑制することができる。結果として、切り欠き部3fは、リード線8aの保持性を向上することができる。
また、切り欠き部3fは、熱電冷却素子8のリード線8aの保持性が向上されるので、リード線8aを半田等によって配線導体層3eに電気的に接続させる場合に、リード線8aを切り欠き部3fの内部に押え付けることなく、リード線8aを接続することができるので生産性を向上させることができる。
<変形例4>
さらに、図8に示すように、収容部11は、切り欠き部3fの逆テーパー形状部よりも枠体2側に両側に広がるように設けてもよい。すなわち、切り欠き部3fは、平面視して切り欠き部3fの内部に幅狭のくびれ部を有し、くびれ部よりも枠体2側にくびれ部の開口幅よりも広い開口幅を有するとともに、幅狭に形成されているくびれ部から両側に広がるような収容部11を有している。
収容部11が、幅狭に形成されているくびれ部から両側に広がって設けられているので、収容部11の内部にリード線8aが引っ掛かる部分がくびれ部の両側に形成され、収容部11の内部に挿入された熱電冷却素子8のリード線8aが収容部11から外れるのを抑制することができる。結果として、切り欠き部3fは、リード線8aの保持性をさらに向上することができる。
1 基体
1a 載置部
2 枠体
2a取り付け部
3 入出力端子
3a 平坦部
3b 突出部
3c 立壁部
3d 第1の配線導体層
3e 第2の配線導体層
3f 切り欠き部
3g R面取り部
3h C面取り部
4 外部リード端子
5 シールリング
6 蓋体
7 光ファイバ固定部材
8 熱電冷却素子
8a リード線
9 光半導体素子
10 光ファイバ
11 収容部

Claims (3)

  1. 上側主面に光半導体素子が熱電冷却素子を介して載置される載置部を有する基体と、
    前記上側主面に前記載置部を取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取り付け部を有する枠体と、
    該枠体の内側に突出する平板状の突出部を有するとともに、該突出部の上面に前記熱電冷却素子のリード線と電気的に接続される第1の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第2の配線導体層を有する、前記枠体の前記取り付け部に取り付けられた入出力端子と、を備え、
    該入出力端子は、前記枠体の内側の前記第1の配線導体層の形成部内に、前記突出部を上下に貫通して設けられた、平面視して前記突出部の側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、前記熱電冷却素子のリード線が挿入される切り欠き部を有しており、
    前記切り欠き部は、該切り欠き部の内壁面と前記突出部の側面とがなす角部が、C面またはR面の形状に面取りされていることを特徴とする素子収納用パッケージ。
  2. 請求項1記載の素子収納用パッケージであって、
    前記切り欠き部は、前記逆テーパー形状部よりも前記枠体側に前記熱電冷却素子の前記リード線を収容する収容部を有していることを特徴とする素子収納用パッケージ。
  3. 請求項1または請求項に記載の素子収納用パッケージと、
    前記リード線を前記入出力端子の前記切り欠き部に挿入して前記第1の配線導体層に電気的に接続され、前記載置部に載置された前記熱電冷却素子と、
    該熱電冷却素子の上面に載置され、前記入出力端子の前記第2の配線導体層に電気的に接続された前記光半導体素子と、
    前記枠体の上面に接合された蓋体と、
    を備えたことを特徴とする電子装置。
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