JP3652241B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に半導体素子収納用パッケージに設けられる入出力端子におけるペルチェ素子のリード線の接続部を改善したものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ(以下、半導体パッケージという)を図5,図8に示す。同図において、101は基体、102は枠体、103は入出力端子、105は蓋体、106は半導体素子を示す。これら基体101、枠体102、入出力端子103、蓋体105とで、半導体素子106を半導体パッケージ内に収容する。
【0003】
基体101は、半導体素子106を載置する載置部101aを有し、載置部101aには半導体素子106がペルチェ素子108を間に介して金(Au)−シリコン(Si)ロウ材等の接着剤により接着固定されるものであり、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金や銅(Cu)−タングステン(W)合金等の金属材料から成る。
【0004】
枠体102は、基体101上面に載置部101aを囲繞するように銀ロウ等のロウ材で接合され、側部に入出力端子103を嵌着する取付部102aが形成されたものであり、Fe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料から成る。
【0005】
入出力端子103は、アルミナ(Al2O3),窒化アルミニウム(AlN),ムライト(3Al2O3・2SiO2)等のセラミックスから成り、枠体102の内外に突出する平板部の突出部103a,103bと枠体102に嵌着される立壁部103cとを有しており、半導体パッケージの内外を導出するようにモリブデン(Mo)−マンガン(Mn),タングステン(W)等から成る金属ペーストを焼結したメタライズ配線層111が平板部の上面に被着されて半導体素子106と外部電気回路基板とを電気的に接続する。
【0006】
また、入出力端子103は、枠体102を貫通してまたは切り欠いて形成された取付部102aに銀ロウ等のロウ材で嵌着される。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、入出力端子の接続部が、平板部に枠体の内側に位置するメタライズ配線層から上下面を貫通して設けられるとともに、上面側開口より下端側の幅が大きい上部と該上部より内寸法が小さい直線状の下部とから成る段差部が形成された切欠部の内面にメタライズ層が形成されて成り、切欠部にリード線が挿入されろう付け接続されることを特徴とするものである。
【0008】
リード端子114は、入出力端子103のメタライズ配線層111に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、外部電気回路と入出力端子103との高周波信号の入出力を行うものであり、Fe−Ni−Co合金等の金属材料から成る。
【0009】
シールリング104は、枠体102の上面に銀ロウ等のロウ材で接合され入出力端子103を上方より挟持するとともに、上面に蓋体105をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。
【0010】
また、メタライズ配線層111の枠体102外側には、外部電気回路との高周波信号の入出力を行うために、導電性を有するFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るリード端子114が銀ロウ等のロウ材で接合されるとともに、半導体素子106と電気的に接続するためのボンディングワイヤー112が接合される。
【0011】
そして、図8に示すように、基体101の載置部101aに半導体素子106がペルチェ素子108を間に介して接着固定させ、半導体素子106の各電極をボンディングワイヤー112を介してメタライズ配線層111に接続させるとともに、ペルチェ素子108の電極に接続されたリード線113をメタライズ配線層111に半田を介して電気的に接続する。次に、枠体102の上面に蓋体105を接合させ、基体101と枠体102と入出力端子103とシールリング104と蓋体105とから成る容器107内部に、半導体素子106及びペルチェ素子108を気密に収容する。最後に、枠体102の光ファイバ固定部材110に光ファイバ109の一端を挿通させるとともに、これを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合させ、光ファイバ109を枠体102に固定することによって最終製品としての半導体装置として機能し、光ファイバ109を介して内部に収容する半導体素子106と外部との光信号の授受が可能となる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この特開平8−37247号公報に提案された半導体パッケージでは、ペルチェ素子のリード線を半田付けするとき、半田が溜まる範囲は入出力端子の平板部の上面に施したメタライズ配線層のみであり、ペルチェ素子のリード線が線方向の引っ張りに対する強度が不十分となり、リード線が外れ易くなって半導体素子の冷却が不能になったり冷却効率が大きく低下する場合があった。また、線方向の引っ張りに対する強度を上げようとして、半田の体積を増やしたとしても、隣接するメタライズ配線層に半田が流れてしまい、メタライズ配線間に半田ブリッジが発生し短絡する場合があった。
【0013】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、ペルチェ素子のリード線の線方向への引っ張りに対する強度を向上させ、さらにそのリード線と入出力端子のメタライズ配線層との接合を強固なものとし、導通を確実なものとすることにより、半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上面に半導体素子がペルチェ素子を介して載置される載置部を有する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着された金属製の枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成されるとともに、前記メタライズ配線層の前記枠体の内側に位置する部位に前記ペルチェ素子のリード線の接続部を有する、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記入出力端子の前記接続部は、前記平板部に前記枠体の内側に位置する前記メタライズ配線層から上下面を貫通して設けられるとともに上面側開口から内側にかけて内法が小となる段差部が形成された切欠部の内面にメタライズ層が形成されて成り、前記切欠部に前記リード線が挿入されろう付け接続されていることを特徴とする。
【0015】
本発明の半導体パッケージによれば、切欠部の内部に半田溜まりを設けることができ、半田の体積を増やして接続強度を向上させ得る。また、組み立て作業中やろう付け後の熱収縮により、リード線を下方に引っ張るような外力が加わることが多いが、この外力に対する強度がきわめて向上し、リード線の外れを解消することができる。また、ろう材の断面積が大きくなるため、接合部の電気抵抗値を下げることができ、ペルチェ素子を駆動するための電力を十分に供給し得、ペルチェ素子及び半導体素子の動作が安定化する。
【0016】
本発明において、好ましくは、前記切欠部の段差部は上部と該上部より内法が小さい直線状の下部とから成り、前記上部の幅は上面側開口よりも下端側が大きいことを特徴とする。
【0017】
本発明は、上記の構成により、半田溜まりを設け、半田の体積を増やして接続強度を大きくできるととともに、リード線を下方に引っ張るような外力に対する強度が高いうえに、リード線を上方に突き上げるような力が加わった場合も段差部の上部が引っ掛かりの機能を発揮し、接続強度がさらに向上する。また、ろう材とメタライズ層との接合面積が増えるため、強固にペルチェ素子のリード線とメタライズ配線層を半田付けでき、その結果ペルチェ素子の接続信頼性が向上し、外部からの衝撃等で接合部が外れることがなくなる。
【0018】
また本発明において、好ましくは、前記段差部の上部の側面と前記平板部の上面とのなす角度が45〜80°であることを特徴とする。
【0019】
本発明は、上記の構成により、リード線を上方に突き上げるような力が加わった場合に段差部の上部の引っ掛かりの機能が向上し、接続強度がさらに向上する。また、ろう材とメタライズ層との接合面積がさらに増えるため、強固にペルチェ素子のリード線とメタライズ配線層を半田付けでき、その結果ペルチェ素子の接続信頼性が向上し、外部からの衝撃等で接合部が外れることがなくなる。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージについて以下に詳細に説明する。図1は本発明の半導体パッケージの実施形態を示す斜視図であり、図2、図3は図1の入出力端子を示し、図2、図3において、(a)は入出力端子の斜視図、(b)は切欠部の拡大断面図、(c)は切欠部の他の例を示す拡大断面図である。また、図4は図1に示す半導体パッケージに半導体素子を収容したものの断面図である。
【0021】
図1において、1は基体、2は枠体、3は入出力端子、4はシールリング、5は蓋体であり、これらで半導体素子6を内部に収容するための容器7(図4)が構成される。
【0022】
図1において、1は基体であり、その上面にはIC、LSI、半導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等の半導体素子6がペルチェ素子8を間に介して載置するための載置部1aを有している。
【0023】
この基体1は、Fe−Ni−Co合金やCu−W等の金属材料や、アルミナ,窒化アルミニウム,ムライト等のセラミックスから成り、金属材料から成る場合には、例えば、Fe−Ni−Co合金のインゴット(塊)に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合には、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すとともに、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し焼成することによって作製される。
【0024】
なお、基体1が金属材料からなる場合には、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と、厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着させておくと、基体1が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体1上面の載置部1aに半導体素子6をペルチェ素子8を間に介して強固に接着固定させることができる。従って、基体1が金属材料から成る場合には、その表面に厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層等の金属層をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【0025】
一方、基体1がセラミックスから成る場合、半導体素子6をペルチェ素子8を間に介して載置する載置部1aに耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と、厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着させておくと、基体1上面の載置部1aに半導体素子6をペルチェ素子8を間に介して強固に接着固定させることができる。従って、基体1がセラミックスから成る場合には、その表面に厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【0026】
枠体2は、基体1上に載置部1aを囲繞するように取着され、Fe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料から成る。例えば、Fe−Ni−Co合金のインゴットをプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。
【0027】
また、枠体2には、内部に収容する半導体素子6との間で光信号を授受するための光ファイバ9が挿通固定される光ファイバ固定部材10が枠体2を貫通して銀ロウ等のロウ材を介して接合されている。
【0028】
光ファイバ固定部材10は、Fe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属から成り、例えば、Fe−Ni合金のインゴットをプレス加工により所定の筒状に製作される。
【0029】
また、光ファイバ固定部材10は、光ファイバ9を挿通可能な孔10aを有する筒体であり、その孔10aに光ファイバ9の一端を挿通させるとともにこれを半田等の接着剤やレーザ溶接により固定し、これにより光ファイバ9を介して内部に収容する半導体素子6と外部との光信号の授受が可能となる。
【0030】
入出力端子3は、基体1,枠体2に熱膨張係数が近似するアルミナセラミック等のセラミックスから成り、枠体2の内外に突出する平板部の突出部3a,3bと枠体2に嵌着される立壁部3cとを有しており、半導体パッケージの内外を導出するようにMo−Mn等から成る金属ペーストを焼結したメタライズ配線層11が平板部上面に被着されて、半導体素子6と外部電気回路基板とを電気的に接続する。
【0031】
図2(b)に示すように、3fは、ペルチェ素子8のリード線13を接続するための入出力端子3の平板部の上部、即ち積層構造のセラミック板における上層部であり、3gは下部、即ち積層構造のセラミック板における下層部を示す。切欠部3dは、上層部3fの切り欠き量(幅)より下層部3gの切り欠き量(幅)の方が小さい階段状である。即ち、平板部に枠体2の内側に位置するメタライズ配線層11から上下面を貫通して設けられるとともに上面側開口から内側にかけて内法が小となる段差部が形成された切欠部3dである。また、切欠部3dの内面にはメタライズ層を施している。この構造により、切欠部3dの内面に半田溜まりを容易に設けることができ、半田の体積を増やして接合強度を上げることができる。
【0032】
切欠部3dの平面視における形状は、半円形状、半長円形状、四角形状等のリード線13を挿入可能な種々の形状とし得る。
【0033】
切欠部3dの内部の上層部3fの深さは、切欠部3dの全体の深さの1/3以上がよく、この場合半田溜りを大きくして接合強度を大きくすることができる。より好ましくは、上層部3fの深さは切欠部3dの全体の深さの1/2以上がよい。
【0034】
さらに、図2(c)に示すように、3f′はペルチェ素子8のリード線13を接続するための入出力端子3の平板部の上層部、3g′は下層部を示し、上層部3f′の切り欠き量(幅)より下層部3g′の切り欠き量(幅)の方が小さい階段状であり、上層部3f′の切り欠きがさらに2段以上の階段状になっており、切欠部3d′の内面にはメタライズ層を施した構成とすることもできる。この構成により、切欠部3d′の内面に半田溜まりをより多く設けることができ、半田の体積を増やして強度を上げることができる。また、ペルチェ素子8のリード線13をメタライズ配線層11にロウ付け接合する際に発生する応力は、上層部3f′の2段以上の階段状の切欠部分で分散されて小さいものとなり、割れやクラックを大幅に減少できる。
【0035】
また、図3(b)に示すように、3hはペルチェ素子8のリード線13を接続するための入出力端子3の平板部の上層部、3iは下層部であり、上層部(上部)3hとその上層部3hより内法が小さい直線状の下層部(下部)3iとから成り、上層部3hの幅は上面側開口の幅W1よりも下端側の幅W2が大きいこと、例えば上層部3hの側方からみた断面形状が上方から下方に向かって広がる台形になっているのが好ましい。この場合、上層部3hの側面で囲まれる立体形状は半円錐台、角錐台等の錐台状となる。また、切欠部3eの内面にはメタライズ層を施している。これにより、ペルチェ素子8のリード線13に上方向の引っ張り力または押し上げ力が加わった場合にも、上層部3hの傾斜した側面が引っ掛かりの機能を発揮し、引っ張り力または押し上げ力に対する強度を上げることができる。
【0036】
さらに、図3(c)に示すように、3h′はリード線13を接続するための入出力端子3の平板部の上層部、3i′は下層部であり、上層部3h′の切り欠きの側方からみた断面形状が上層から下層に向かって広がる台形等の錐台状になっていて、さらに上層部3h′の切り欠きを2段以上の台形に切り欠いたことが好ましく、それらの台形の側辺の傾斜角θは同じ角度で切り欠かれていることが好ましい。そして、切欠部3e′の内面にはメタライズ層を施している。この構成により、リード線13に上方向の引っ張り力または押し上げ力が加わった場合には、上層部3h′の側面が引っ掛かりの機能を発揮し、引っ張り力または押し上げ力に対する強度をさらに上げることができる。また、リード線13をメタライズ配線層11にロウ付け接合する際に発生する応力は、上層部3h′の2段以上の台形の切欠部分で分散されて小さいものとなり、割れやクラックを大幅に減少できる。
【0037】
さらに、台形の側辺の傾斜角θ、即ち段差部の上部の側面と平板部の上面とのなす角度θは、45〜80°の範囲とすることが好ましく、45°未満となった場合には、上層部3h′の側面が入出力端子3を製造する際のセラミック積層工程にて撓んで変形して作製が困難となり、また80°を越える場合には、リード線13を上方向に引っ張る力または押し上げ力に対して、上層部3h′の側面での引っ掛かりの機能を十分に発揮しないという不具合が生じ易くなる。
【0038】
メタライズ層の被覆面積は、図2,図3の切欠部3d,3eの内面に対して20%以上が好ましい。メタライズ層の被覆範囲としては、切欠部3d,3eの内面全体に対して、一部分に偏って被覆されているのではなく、全体的に均一に被覆されている方がリード線13の引っ張り力または押し上げ力に対する強度は向上する。また、20%未満になると、半田溜まりの形成が困難になり、リード線13の引っ張り強度が低下する不具合を生じ易い。
【0039】
なお、切欠部3d,3eは、入出力端子3の平板部となるセラミックグリーンシートに予め所定形状に打ち抜き加工を施すことによって、ペルチェ素子6の電極と接続されたリード線13が半田付けされる入出力端子3の部位に形成される。
【0040】
また、入出力端子3は、枠体2を貫通してまたは切り欠いて形成された取付部2aに銀ロウ等のロウ材で嵌着される。
【0041】
リード端子14は、入出力端子3のメタライズ配線層11の枠体2外側に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、外部電気回路と入出力端子3との高周波信号の入出力を行うものであり、Fe−Ni−Co合金等の金属材料から成る。その金属のインゴットを従来周知の圧延加工法や打ち抜き加工法、エッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の棒状となすように製作される。
【0042】
シールリング4は、枠体2の上面に銀ロウ等のロウ材で接合され入出力端子3を上方より挟持するとともに、上面に蓋体5をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能し、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る。
【0043】
また、メタライズ配線層11には、外部電気回路との高周波信号の入出力を行うために、導電性を有するFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るリード端子14が銀ロウ等のロウ材で接合されるとともに、枠体2内側において半導体素子6と電気的に接続するためのボンディングワイヤー12が接合される。
【0044】
そして、図4に示すように、基体1の載置部1aに半導体素子6をペルチェ素子8を間に介して接着固定させ、半導体素子6の各電極をボンディングワイヤー12を介してメタライズ配線層11に接続させるとともに、ペルチェ素子8の電極に接続されたリード線13をメタライズ配線層11に半田を介して電気的に接続し、次に枠体2の上面に蓋体5を接合させ、基体1と枠体2と入出力端子3とシールリング4と蓋体5とから成る容器7内部に半導体素子6及びペルチェ素子8を気密に収容し、最後に枠体2の光ファイバ固定部材10に光ファイバ9の一端を挿通させるとともにこれを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合させ、光ファイバ9を枠体2に固定することによって最終製品としての半導体装置となる。そして、光ファイバ9を介して内部に収容する半導体素子6と外部との光信号の授受、送受が可能となる。
【0045】
かくして、本発明は、入出力端子のリード線の接続部が、平板部に枠体の内側に位置するメタライズ配線層から上下面を貫通して設けられるとともに上面側開口から内側にかけて内法が小となる段差部が形成された切欠部の内面にメタライズ層が形成されて成り、切欠部にリード線が挿入されろう付け接続されていることから、切欠部の内面に半田溜まりを設けることができ、半田の体積を増やして強度を上げることができる。
【0046】
また、本発明によれば、接続部のリード線に上向きの力が加わった場合、切欠部の上層部の側面が引っ掛かりの機能を発揮し、上方への引っ張り力や押し上げ力に対する強度も向上させ得る。また、強固にペルチェ素子のリード線とメタライズ配線層を半田付けでき、その結果ペルチェ素子の接続信頼性が向上し、外部からの衝撃等で接合部が外れることがなくなる。また、接合部の電気抵抗値を下げることができ、ペルチェ素子を駆動するための電力を十分に供給し得、ペルチェ素子及び半導体素子の動作が安定化する。
【0047】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、下層部3g{図2(b)}の切り欠きがさらに2段以上の階段状の切り欠きであって、かつ切欠部3dの内面にメタライズ層が施されている構成であってもよい。この構成により、切欠部3dの内面に半田溜まりをより多く設けることができるため、半田の体積を増やして強度を上げることができる。また、ペルチェ素子8のリード線13をメタライズ配線層11にロウ付け接合する際に発生する応力は、下層部3gの2段以上の階段状の切欠部分で分散されてさらに小さいものとなり、割れやクラックを大幅に減少できる。
【0048】
また、上記実施の形態においては、リード線を切欠部に挿入しろう付けする構成について説明したが、リード線の代わりにピン等の棒状の接続端子を用いても本発明と同様の作用効果が得られる。従って、本発明においては、棒状または線状の接続端子を用いた構成であれば本発明の作用効果を奏することとなる。
【0049】
【発明の効果】
本発明は、入出力端子の接続部が、平板部に枠体の内側に位置するメタライズ配線層から上下面を貫通して設けられるとともに上面側開口から内側にかけて内法が小となる段差部が形成された切欠部の内面にメタライズ層が形成されて成り、切欠部にリード線が挿入されろう付け接続されていることにより、切欠部の内部に半田溜まりを設けることができ、半田の体積を増やして接続強度を向上させ得る。また、組み立て作業中やろう付け後の熱収縮により、リード線を下方に引っ張るような外力が加わることが多いが、この外力に対する強度がきわめて向上し、リード線の外れを解消することができる。また、ろう材の断面積が大きくなるため、接合部の電気抵抗値を下げることができ、ペルチェ素子を駆動するための電力を十分に供給し得、ペルチェ素子及び半導体素子の動作が安定化する。
【0050】
また本発明は、好ましくは切欠部の段差部は上部と上部より内法が小さい直線状の下部とから成り、上部の幅は上面側開口よりも下端側が大きいことにより、半田溜まりを設け、半田の体積を増やして接続強度を大きくできるととともに、リード線を下方に引っ張るような外力に対する強度が高いうえに、リード線を上方に突き上げるような力が加わった場合も段差部の上部が引っ掛かりの機能を発揮し、接続強度がさらに向上する。また、ろう材とメタライズ層との接合面積が増えるため、強固にペルチェ素子のリード線とメタライズ配線層を半田付けでき、その結果ペルチェ素子の接続信頼性が向上し、外部からの衝撃等で接合部が外れることがなくなる。
【0051】
また本発明は、好ましくは段差部の上部の側面と平板部の上面とのなす角度が45〜80°であることにより、リード線を上方に突き上げるような力が加わった場合に段差部の上部の引っ掛かりの機能が向上し、接続強度がさらに向上する。また、ろう材とメタライズ層との接合面積がさらに増えるため、強固にペルチェ素子のリード線とメタライズ配線層を半田付けでき、その結果ペルチェ素子の接続信頼性が向上し、外部からの衝撃等で接合部が外れることがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体パッケージの実施形態を示す斜視図である。
【図2】図1の入出力端子の一実施形態を示し、(a)は入出力端子の斜視図、(b)は切欠部の拡大断面図、(c)は切欠部の他の実施形態を示す拡大断面図である。
【図3】図1の入出力端子の他の実施形態を示し、(a)は入出力端子の斜視図、(b)は切欠部の拡大断面図、(c)は切欠部のさらに他の実施形態を示す拡大断面図である。
【図4】図1の半導体パッケージに半導体素子を収容した構成を示す断面図である。
【図5】従来の半導体パッケージの斜視図である。
【図6】従来の半導体パッケージの他の例を示す斜視図である。
【図7】図6の入出力端子を示し、(a)は入出力端子の斜視図、(b)は切欠部の拡大断面図である。
【図8】図5の半導体パッケージに半導体素子を収容した構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1:基体
1a:載置部
2:枠体
2a:取付部
3:入出力端子
3d:切欠部
3f:上層部
3g:下層部
5:蓋体
6:半導体素子
8:ペルチェ素子
11:メタライズ配線層
13:リード線
Claims (2)
- 上面に半導体素子がペルチェ素子を介して載置される載置部を有する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着された金属製の枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成されるとともに、前記メタライズ配線層の前記枠体の内側に位置する部位に前記ペルチェ素子のリード線の接続部を有する、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記入出力端子の前記接続部は、前記平板部に前記枠体の内側に位置する前記メタライズ配線層から上下面を貫通して設けられるとともに、上面側開口より下端側の幅が大きい上部と該上部より内寸法が小さい直線状の下部とから成る段差部が形成された切欠部の内面にメタライズ層が形成されて成り、前記切欠部に前記リード線が挿入されろう付け接続されることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 前記段差部の上部の側面と前記平板部の上面とのなす角度が45〜80°であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子収納用パッケージ。
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JP2000373034A JP3652241B2 (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体素子収納用パッケージ |
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