JP6712901B2 - セラミック基板、リードフレームおよびセラミック基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック基板、リードフレームおよびセラミック基板の製造方法に関する。

セラミック基板には、フラットパッケージ（ＱＦＰ）など、配線層を有するセラミック基体の外周に複数のリード部が取り付けられているものがある（例えば、特許文献１など）。一般に、各リード部は、枠状の金属部材であるリードフレームの内周側に配列された突出部位として形成される。セラミック基板の製造工程では、セラミック基体の外周にリードフレームが配置された状態において、各リード部が一体的にセラミック基体の対応する電極部にろう付け接合される。セラミック基板の使用時には、セラミック基板は、各リード部が切断されることによってリードフレームから切り離される。

特開平６−５３３９５号公報 特開平７−２２５６４号公報 特開２０００−２１６７５号公報

セラミック基板においては、各リード部の接合位置の精度を高めることが望まれている。リードフレームには、セラミック基体に対するリード部の接合位置を規定するための位置決め部が設けられる場合がある。リードフレームに位置決め部を設けると、セラミック基板がリードフレームから切り離された後にも、位置決め部の一部や残渣など、位置決め部の痕跡がセラミック基板に残ってしまう場合があった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

［１］本発明の第１の形態によれば、セラミック基板が提供される。このセラミック基板は、セラミック層と、配線層と、リードフレームと、を備えてよい。前記配線層は、前記セラミック層に配設されてよい。前記リードフレームは、前記配線層にろう材によって接合されているリード部を有してよい。前記リードフレームは、前記セラミック層に向かって突出して、前記セラミック層の端面に対向する複数の端面対向部を有してよい。前記複数の端面対向部は、少なくとも、前記セラミック層に対して同じ側に設けられている第１と第２の端面対向部と、前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、を含んでよい。この形態のセラミック基板によれば、位置決め部として機能する端面対向部により、リード部の接合位置の精度を高めることができる。また、リードフレームが切り離された後に、セラミック層の端面に、端面対向部の痕跡が残ってしまうことが抑制される。

［２］上記形態のセラミック基板において、前記複数の端面対向部は、さらに、前記セラミック層に対して、前記第３の端面対向部と同じ側に設けられている第４の端面対向部を含んでよい。この形態のセラミック基板によれば、リード部の接合位置の精度を、さらに高めることができる。

［３］上記形態のセラミック基板において、前記複数の端面対向部のそれぞれは、前記セラミック層の端面に対向する曲面状の先端面を有してよい。この形態のセラミック基板によれば、セラミック層の端面に端面対向部の痕跡が残ってしまうことが、さらに抑制される。

［４］上記形態のセラミック基板において、前記リードフレームは、互いに並列に延伸している第１辺部および第２辺部と、互いに並列に延伸し、前記第１辺部および前記第２辺部のそれぞれに交差している第３辺部および第４辺部と、を有し、前記リード部は、前記第１辺部および前記第２辺部のそれぞれに設けられており、前記第１と第２の端面対向部は、前記第３辺部に設けられており、前記第３の端面対向部は、前記第４辺部に設けられてよい。この形態のセラミック基板によれば、端面対向部によって、リード部の配列方向における接合位置の精度が高められる。

［５］上記形態のセラミック基板において、前記複数の端面対向部のそれぞれは、対向している前記セラミック層の端面に接触してよい。この形態のセラミック基板によれば、リード部の接合位置の位置決め精度をより高めることができる。

［６］本発明の第２の形態によれば、隣り合って配置される第１と第２のセラミック基板が連結されているセラミック基板連結体が提供される。前記セラミック基板連結体において、前記第１と第２のセラミック基板はそれぞれ、上記いずれかの形態のセラミック基板であり、前記第１と第２のセラミック基板は、それぞれの前記リードフレームが一体的に連結された連結リードフレームを介して互いに連結されており、前記連結リードフレームは、前記第１と第２のセラミック基板に共有される共通辺部を有し、前記共通辺部には、少なくとも、前記第１のセラミック基板における前記セラミック層の端面に対向する前記第１と第２の端面対向部と、前記第２のセラミック基板における前記セラミック層の端面に対向する前記第３の端面対向部と、が設けられてよい。この形態のセラミック基板によれば、複数個を連結した状態で一度に作製できるため、その製造効率が高められる。

［７］本発明の第３の形態によれば、リードフレームが提供される。前記リードフレームは、セラミック層と、前記セラミック層に配設されている配線層と、を備えるセラミック基体の外周に配置され、前記配線層にろう材によって接合されていてよい。前記リードフレームは、内周側に向かって突出し、前記リードフレームが前記セラミック基体の外周に配置されたときに、前記セラミック層の端面に対向するように設けられている複数の端面対向部を有してよい。前記複数の端面対向部は、少なくとも、前記セラミック層の配置領域に対して同じ側に設けられ、互いに離間している第１と第２の端面対向部と、前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層の配置領域を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、を含んでよい。この形態のリードフレームによれば、リード部の接合位置の精度を高めることができるとともに、セラミック層の端面に、端面対向部の痕跡が残ってしまうことを抑制できる。

［８］本発明の第４の形態によれば、セラミック基板の製造方法が提供される。前記セラミック基板は、セラミック層と、前記セラミック層に配設されている配線層と、前記セラミック層の外周に配置され、前記配線層にろう材によって接合されているリード部を有するリードフレームと、を備えてよい。この形態の製造方法は、前記セラミック層の外周に前記リードフレームを配置して、前記配線層に前記リード部をろう付け接合する接合工程を備えてよい。前記リードフレームは、内周側に向かって突出し、前記セラミック層の端面に接触可能に設けられている複数の端面対向部を有し、前記複数の端面対向部は、少なくとも、前記セラミック層の配置領域に対して同じ側に設けられている第１と第２の端面対向部と、前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層の配置領域を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、を含んでよい。前記接合工程は、前記第１と第２の端面対向部と、前記第３の端面対向部と、によって前記セラミック層が挟まれるように、前記リードフレームを配置する工程を含んでよい。この形態の製造方法によれば、リード部の接合位置の精度を高めることができるとともに、セラミック層の端面に、端面対向部の痕跡が残ってしまうことを抑制できる。

上述した本発明の各形態の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。

本発明は、セラミック基板や、リードフレーム、セラミック基板の製造方法以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、セラミック基板を搭載する電子機器や、リード部の位置決め方法、接合方法、それらの方法を実行する装置等の形態で実現することができる。

リードフレームを介して連結されている複数のセラミック基板を示す概略斜視図。 リードフレームを介して連結されている複数のセラミック基板のうちの任意のひとつを抜き出して示す概略斜視図。 リードフレームを介して連結されている複数のセラミック基板を示す概略平面図。 セラミック基板の製造工程の手順を示す工程フロー図。 セラミック基体の準備工程を模式的に示す概略図。 セラミック基体の配列工程を模式的に示す概略図。 リードフレームの配置工程を模式的に示す概略図。 リードフレームが配置された状態を示す概略図。 第２実施形態のリードフレームを備えるセラミック基板を示す概略平面図。

A．第１実施形態：
［セラミック基板の概略］
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態におけるセラミック基板１０の構成を説明する。図１は、連結された状態の複数のセラミック基板１０を示す概略斜視図である。図２は、連結された状態の複数のセラミック基板１０のうちの任意のひとつを抜き出して示す概略斜視図である。図３は、連結された状態の複数のセラミック基板１０を示す概略平面図である。図１〜図３には、互いに直交する三方向を示す矢印Ｘ，Ｙ，Ｚが、セラミック基板１０を基準として図示されている。矢印Ｘ，Ｙ，Ｚの示す方向については後述する。矢印Ｘ，Ｙ，Ｚは、以下の説明において参照される各図においても、適宜、図示されている。

セラミック基板１０は、ＩＣチップなどの電子素子を搭載可能なセラミックパッケージであり、セラミック基体１１と、リードフレーム１２と、を備えている（図１）。なお、本実施形態では、複数のセラミック基板１０を連結された状態で一度に効率的に製造可能なように、複数のリードフレーム１２を一体的に連結した連結リードフレーム１２ｓが用いられている。

セラミック基体１１は、セラミック基板１０の本体部であり、５ｍｍ×５ｍｍ以下のサイズを有している。リードフレーム１２は、約０．１〜０．２ｍｍ程度の厚みを有する金属製の平板な枠状部材によって構成されており、セラミック基体１１の外周に配置されている。リードフレーム１２は、その内周側にセラミック基体１１に向かって並列に延伸している複数のリード部１３を有しており、リード部１３を介してセラミック基体１１に連結されている。各リード部１３は、セラミック基板１０が搭載される回路基板（図示は省略）の配線部に接続される接続部である。

セラミック基板１０の製造時には、複数のリード部１３は、セラミック基体１１の外周にリードフレーム１２が配置されることによって、セラミック基体１１に一度に取り付けられる（詳細は後述）。セラミック基板１０は、各リード部１３が切断されることによって、リードフレーム１２から切り離され、それぞれ個別に、前述の電子素子が搭載された上で、電子機器の回路基板に搭載される。図１には、各リード部１３の切断線の一例が二点鎖線で図示されている。

以下では、セラミック基体１１の構成と、リードフレーム１２および連結リードフレーム１２ｓの構成の詳細と、を順に説明し、その後、セラミック基板１０の製造工程を説明する。

［セラミック基体の構成］
セラミック基体１１は、第１セラミック層２１と、第２セラミック層２２と、配線層２３と、を有する（図２）。本実施形態では、第１セラミック層２１は、略長方形形状を有するセラミック板によって構成されている。第１セラミック層２１は、例えば、アルミナを主成分とするセラミックによって構成される。なお、矢印Ｙは、第１セラミック層２１の長辺に沿った方向を示しており、矢印Ｘは、短辺に沿った方向を示し、矢印Ｚは、厚み方向に沿った方向を示している。第１セラミック層２１の内部には、厚み方向に貫通するビア電極（図示は省略）が形成されても良い。

第２セラミック層２２は、第１セラミック層２１の表面上に積層配置されている。本実施形態では、第２セラミック層２２は、第１セラミック層２１と同じセラミック材料によって構成されている。第２セラミック層２２は、略四角枠形状を有しており、４つの枠辺部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを備えている。各枠辺部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは略四角柱形状を有している。

第１枠辺部２２ａと第２枠辺部２２ｂとは互いに平行であり、第１セラミック層２１の短辺に沿って配置されている。第１枠辺部２２ａおよび第２枠辺部２２ｂは、矢印Ｙの方向において、第１セラミック層２１の各短辺よりも中央側にオフセットされた位置に配置されている。

第３枠辺部２２ｃと第４枠辺部２２ｄとは互いに平行であり、第１セラミック層２１の長辺に沿って配置されている。第３枠辺部２２ｃと第４枠辺部２２ｄの外周側の端面はそれぞれ、第１セラミック層２１の長辺側の端面と揃っている。セラミック基板１０では、第１セラミック層２１上において各枠辺部２２ａ〜２２ｄに囲まれ、矢印Ｚの方向に開口している凹部が、電子素子を収容可能なキャビティ２５として機能する。

配線層２３は、第１セラミック層２１における第２セラミック層２２が積層配置されている側の表面全体に導電性部材が配置されることによって形成されている（図２，図３）。配線層２３は、例えば、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）を主成分とするメタライズ層として構成される。配線層２３は、配線パターン部２６と、複数の電極部２７と、を有する。

配線パターン部２６は、キャビティ２５内に配置されている部位であり、セラミック基板１０に搭載される電子素子が接続される電極パッド（図示は省略）などを有している。複数の電極部２７は、配線層２３のうちで、第２セラミック層２２の下を通って、第２セラミック層２２の外周の領域に延出している略長方形形状の金属膜として構成されている部位である。本実施形態では、複数の電極部２７は、第１セラミック層２１の２つの短辺のそれぞれに沿って、矢印Ｘの方向に配列されている。各電極部２７には、対応するリード部１３が１本ずつろう付け接合されている。

［リードフレームおよび連結リードフレームの構成］
リードフレーム１２（図３）は、上述したように、平板な枠状部材として構成されており、例えば、コバールや４２アロイなどの金属薄板をエッチング加工することよって作製される。リードフレーム１２は、第１辺部３１と、第２辺部３２と、第３辺部３３と、第４辺部３４と、を有する。

第１辺部３１と第２辺部３２とは、セラミック基体１１を矢印Ｙの方向に挟んで互いに並列に配列されており、それぞれがセラミック基体１１の短辺に沿って、矢印Ｘの方向に延伸している。第１辺部３１および第２辺部３２にはそれぞれ、複数のリード部１３が設けられている。複数のリード部１３は、第１辺部３１および第２辺部３２のそれぞれから、セラミック基体１１の対応する電極部２７に向かって、矢印Ｙの方向に沿って延伸し、当該電極部２７にろう付け接合されている。

第３辺部３３と第４辺部３４とは、第１辺部３１と第２辺部３２との間において、セラミック基体１１の長辺に沿って、矢印Ｙの方向に延伸している。第３辺部３３と第４辺部３４とは、セラミック基体１１を矢印Ｙの方向に挟んで互いに並列に配列されており、それぞれが第１辺部３１と第２辺部３２とに交差している。

第３辺部３３および第４辺部３４にはそれぞれ、セラミック基体１１に向かって突出し、その頂点がセラミック基体１１の端面に対向する複数の端面対向部３６が設けられている。本明細書において、「対向する」とは、その対象物同士が互いに、他の物を挟まずに直接的に向かい合っている状態と、他の物を挟んで間接的に向かい合っている状態の両方を含んでいる。また、前者の対象物同士が直接的に向かい合っている状態においては、当該対象物同士は、互いに直接的に接していてもよいし、離間していてもよい。本実施形態では、複数の端面対向部３６は、セラミック基体１１の端面に接した状態で対向している。本実施形態では、端面対向部３６は、第３辺部３３および第４辺部３４にそれぞれ２つずつ設けられている。また、第３辺部３３の２つの端面対向部３６はそれぞれ、第４辺部３４における２つの端面対向部３６のうちのいずれか一方と、セラミック基体１１を挟んで矢印Ｘの方向に対向しあう位置に設けられている。本実施形態では、第３辺部３３の２つの端面対向部３６が本発明における第１と第２の端面対向部の下位概念に相当し、第４辺部３４の２つの端面対向部３６が本発明における第３と第４の端面対向部の下位概念に相当する。あるいは、第４辺部３４の２つの端面対向部３６が本発明における第１の端面対向部と第２の端面対向部の下位概念に相当し、第３辺部３３の２つの端面対向部３６が本発明における第３の端面対向部と第４の端面対向部の下位概念に相当するとしてもよい。本実施形態では、端面対向部３６は、矢印Ｚの方向に見たときに略三角形形状を有している。また、セラミック基体１１の端面に対向する頂点は曲面状に面取りされている。複数の端面対向部３６は、セラミック基体１１に対するリードフレーム１２の位置決め部として機能する（詳細は後述）。

本実施形態では、複数のリードフレーム１２によって連結リードフレーム１２ｓが構成されている。連結リードフレーム１２ｓでは、各リードフレーム１２の第１辺部３１および第２辺部３２はそれぞれ矢印Ｘの方向に直線状に連結されており、各セラミック基体１１は、矢印Ｘの方向に一列に配列されている。また、２つのリードフレーム１２の第３辺部３３と第４辺部３４とが一体化されて、隣り合うセラミック基板１０同士の間に配置される１本の共通辺部３７が構成されている。連結リードフレーム１２ｓは、２つの辺部３３，３４が一体化されている分だけ小型化されている。

［セラミック基板の製造工程］
図４は、セラミック基板１０の製造工程を示す工程フロー図である。上述したように、本実施形態では、複数のセラミック基板１０が連結リードフレーム１２ｓを介して連結された状態で一度に作製される。工程１では、セラミック基体１１が準備される。工程２では、セラミック基体１１の外周にリードフレーム１２が配置される。本実施形態では、連結リードフレーム１２ｓの複数の枠内にセラミック基体１１が一つずつ配置される。工程３では、リードフレーム１２のリード部１３が対応する電極部２７にろう付け接合される。工程４では、連結リードフレーム１２ｓによって連結された状態のまま、各セラミック基板１０が無電解めっき処理される。以上の工程によって、セラミック基板１０（図１〜図３）が完成する。以下では、図５〜図８を参照して、各工程の詳細を説明する。

図５は、工程１のセラミック基体１１の準備工程を模式的に示す概略図である。工程１では、まず、アルミナ粉末や、バインダ樹脂、溶剤などを配合したセラミックスラリーが準備される。そして、セラミックスラリーを、ドクターブレード法などによって、シート状に成形することによって、第１セラミック層２１を構成する第１グリーンシート４１と、第２セラミック層２２を構成する第２グリーンシート４２と、が作製される。

第１グリーンシート４１の表面には、ＷまたはＭｏを主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷することによって導体層４３が形成される。導体層４３は、焼成されると配線層２３になる。なお、第１グリーンシート４１には、導体層４３の形成前に、ビア電極を形成するための貫通孔が形成され、当該貫通孔に導体ペーストが充填されても良い。第２グリーンシート４２の中央には、キャビティ２５を形成する略四角形の開口形状を有する貫通孔４５が、打ち抜き加工によって形成される。

次に、第１グリーンシート４１の導体層４３の上における所定の位置（破線で図示）に、第２グリーンシート４２が積層されるとともに圧着される。その後、グリーンシート４１，４２の積層体を焼成することによって、セラミック基体１１が生成される。さらに、セラミック基体１１の各電極部２７の表面には、溶融されたろう材（例えば、銀ろう材）が塗布されることによって、ろう材層が形成される（図示が省略）。

図６は、工程２におけるセラミック基体１１の配列工程を模式的に示す概略図である。工程２では、まず、複数のセラミック基体１１が配列される。具体的には、複数のセラミック基体１１がカーボン治具５０の凹部５１内に、矢印Ｘの方向に沿って一列に、所定の間隔で配列された状態で収容される。カーボン治具５０は、略長方形形状を有する板状のカーボン部材によって構成されている。

カーボン治具５０の表面中央には、所定の個数のセラミック基体１１を収容可能な略直方体形状の空間を構成する凹部５１が形成されている。凹部５１の深さは第１セラミック層２１とほぼ同じである。凹部５１の幅は、セラミック基体１１が、凹部５１内において矢印Ｘの方向に一列に配列された状態のままそれぞれが移動可能なように、セラミック基体１１の矢印Ｙに方向における長さよりもわずかに長い程度であることが望ましい。凹部５１の幅は、セラミック基体１１の矢印Ｙの方向における長さよりも数ｍｍ程度長いとしてもよい。

図７は、工程２におけるリードフレーム１２の配置工程を模式的に示す概略図であり、図８は、リードフレーム１２が配置された状態を示す概略図である。カーボン治具５０の凹部５１に複数のセラミック基板１０が配列された後、カーボン治具５０の表面には連結リードフレーム１２ｓが配置される（図７）。

このとき、連結リードフレーム１２ｓを構成する各リードフレーム１２の枠内にはセラミック基板１０の第２セラミック層２２がひとつずつ配置され、各リードフレーム１２の各リード部１３が対応する電極部２７上のろう材層に配置される（図８）。また、連結リードフレーム１２ｓの第１辺部３１および第２辺部３２は、カーボン治具５０における凹部５１の周縁部表面に載置される。

ここで、上述したように、各リードフレーム１２にはそれぞれ、互いに対向し合う２組の端面対向部３６が設けられている。各セラミック基体１１は、２組の端面対向部３６の頂点に挟まれることによって、規定の位置に配置されることになる。

本実施形態では、互いに対向し合う端面対向部３６の頂点同士の間の最短距離は、セラミック基板１０の矢印Ｘの方向における幅とほぼ同じか、あるいは、わずかに大きい程度である。それら２つの値の差は１ｍｍ以下であることが望ましい。これによって、各端面対向部３６を対向するセラミック基体１１の端面に接触させることができる。従って、各リードフレーム１２が外周に配置されたときのリードフレーム１２に対するセラミック基板１０の配置角度がより精度よく規定され、各電極部２７に対するリード部１３の位置合わせの精度が高められる。

セラミック基体１１の位置決め精度を高めるためには、同じ辺部３３，３４に設けられている２つの端面対向部３６は、当該辺部３３，３４のそれぞれの延伸方向における中心の両側に配列されていることが望ましい。また、それら２つの端面対向部３６はそれぞれ、当該中心からより離間した位置に設けられていることが望ましい。

本実施形態の連結リードフレーム１２ｓでは、共通辺部３７の矢印Ｙの方向における同じ位置に、２つの端面対向部３６がそれぞれ、矢印Ｘの方向における反対の方向に向かって突出するように設けられている。これによって、共通辺部３７は、両側に配置された２つのセラミック基体１１のうち、片側に配置されている一方のセラミック基体１１から外力を受けたときには、他方のセラミック基体１１から反力を受けて支持される。従って、共通辺部３７が、片側のセラミック基体１１からのみ局所的に力を受けて変形してしまうことが抑制される。

工程３では、複数のセラミック基体１１と連結リードフレーム１２ｓとがカーボン治具５０に保持された状態で、加熱炉に入れられて、所定の時間だけ加熱される。これによって、各電極部２７の表面のろう材層が溶融し、セラミック基体１１の各電極部２７に、対応するリード部１３が、そのろう材によって接合され、複数のセラミック基体１１と連結リードフレーム１２ｓとが連結される。

工程４では、連結リードフレーム１２ｓによって連結された状態のままの複数のセラミック基板１０がめっき浴槽に浸漬されて無電解めっき処理される。このめっき処理によって、各セラミック基板１０の金属部分が、ニッケル（Ｎｉ）めっき膜および金（Ａｕ）めっき膜によって被覆され、セラミック基板１０が完成する。

ここで、上述したように、セラミック基板１０の使用時には、各リード部１３が切断されて、セラミック基板１０はリードフレーム１２から切り離される。このときに、リードフレーム１２の各端面対向部３６は、リードフレーム１２の各辺部３３，３４に残り、セラミック基板１０から分離する。

工程５のめっき処理のときには、各端面対向部３６は、セラミック基体１１の端面の分散した局所的な位置において対向しており、セラミック基体１１の端面に対する各端面対向部３６の接触面積はわずかである。特に、本実施形態では、各端面対向部３６の頂点である先端面が曲面状に構成されており、各端面対向部３６は、実質的には点接触することになる。そのため、セラミック基板１０がリードフレーム１２から切り離された後に、端面対向部３６が対向していた部位にめっき成分の残渣が残ってしまうことが抑制される。従って、セラミック基板１０の使用時に、リードフレーム１２の位置決め部である端面対向部３６のめっき残滓によって、電気的短絡が発生してしまうことや、セラミック基板１０の外観性状が損なわれてしまうことが抑制されている。

［まとめ］
以上のように、本実施形態のリードフレーム１２およびそれを備えるセラミック基板１０によれば、複数の端面対向部３６によって、セラミック基体１１の各電極部２７に対するリード部１３の位置合わせの精度が高められる。また、セラミック基板１０の使用時には、セラミック基板１０に、端面対向部３６の一部や残渣など、端面対向部３６の痕跡が残ってしまうことが抑制される。また、本実施形態の連結リードフレーム１２ｓによれば、複数のセラミック基板１０を一度に効率よく作製することができる。

B．第２実施形態：
図９は、本発明の第２実施形態におけるリードフレーム１２ａを備えるセラミック基板１０ａを示す概略平面図である。第２実施形態におけるリードフレーム１２ａは、第４辺部３４に端面対向部３６がひとつのみ設けられている点以外は、第１実施形態で説明したリードフレーム１２とほぼ同じ構成である。また、第２実施形態のセラミック基板１０ａは、リードフレーム１２の代わりにリードフレーム１２ａを備えている点以外は、第１実施形態のセラミック基板１０とほぼ同じである。第２実施形態のセラミック基板１０ａの製造工程は、第１実施形態のセラミック基板１０とほぼ同じである（図４）。

第２実施形態のリードフレーム１２ａでは、第４辺部３４側の端面対向部３６は、第３辺部３３の２つの端面対向部３６の間に対応する領域に設けられている。より具体的には、第４辺部３４側の端面対向部３６は、第４辺部３４のほぼ中央の位置に設けられている。第２実施形態では、第３辺部３３の２つの端面対向部３６が、本発明における第１と第２の端面対向部３６の下位概念に相当し、第４辺部３４の端面対向部３６が第３の端面対向部３６の下位概念に相当する。第２実施形態のリードフレーム１２ａによっても、リードフレーム１２ａに対するセラミック基体１１の位置が、３つの端面対向部３６によって３点で安定的に規定される。従って、セラミック基体１１の各電極部２７に対するリード部１３の位置合わせの精度が高められる。その他に、第２実施形態におけるリードフレーム１２ａや、それを備えるセラミック基板１０ａ、連結リードフレーム１２ｓａによれば、第１実施形態で説明したのと同様な種々の作用効果を奏することができる。

C．変形例：
C1．変形例１：
上記の各実施形態では、複数のリードフレーム１２，１２ａが一体化されて連結リードフレーム１２ｓ，１２ｓａが構成されている。これに対して、複数のリードフレーム１２，１２ａは一体化されることなく、それぞれ分離されていてもよい。また、上記の各実施形態における連結リードフレーム１２ｓ，１２ｓａでは、第３辺部３３と第４辺部３４とが一体化されて共通辺部３７を構成している。これに対して、連結リードフレーム１２ｓ，１２ｓａでは、第３辺部３３と第４辺部３４とは一体化されることなく、別々の延伸部位として構成されていてもよい。

C2．変形例２：
上記の各実施形態では、複数の端面対向部３６は、第３辺部３３と第４辺部３４とに設けられている。これに対して、複数の端面対向部３６は、第３辺部３３および第４辺部３４に代えて、あるいは、第３辺部３３および第４辺部３４に加えて、第１辺部３１および第２辺部３２に設けられていても良い。

C3．変形例３：
上記の各実施形態では、複数の端面対向部３６は、略三角形状を有しており、その頂点である先端面が曲面状に構成されている。これに対して、複数の端面対向部３６は、例えば、略直方体形状を有していてもよく、セラミック基体１１の端面に対して線接触するように構成されていてもよい。また、複数の端面対向部３６はそれぞれ互いに異なる形状を有していてもよい。例えば、第３辺部３３に設けられている端面対向部３６と、第４辺部３４に設けられている端面対向部３６とは異なる形状や大きさを有していてもよいし、同じ辺部３３，３４に設けられている端面対向部３６同士が異なる形状を有していてもよい。また、端面対向部３６は折り曲げ加工などによって厚み方向に折れ曲がった形状を有していてもよいし、貫通孔を設けることによって肉抜きがされていても良い。なお、端面対向部３６は、セラミック基体１１に対する接触面積が低減されるように、局所的な領域に分散して点在するように設けられていることが望ましい。

C4．変形例４：
上記第１実施形態では、端面対向部３６は、第３辺部３３と第４辺部３４とにそれぞれ２つずつ設けられている。また、上記第２実施形態では、端面対向部３６は、第３辺部３３に２つ設けられ、第４辺部３４にひとつ設けられている。これに対して、第３辺部３３または第４辺部３４にはそれぞれ２つ以上の端面対向部３６が設けられていてもよい。また、上記の各実施形態では、複数の端面対向部３６はそれぞれ、各辺部３３，３４から別々に突起している複数の突起部によって構成されている。これに対して、複数の端面対向部３６は、セラミック基体１１の端面に対向する先端部が複数に分岐している単一の突起部によって構成されてもよい。

C5．変形例５：
上記の各実施形態では、複数の端面対向部３６はそれぞれ、対向しているセラミック基体１１の端面に接触している。これに対して、複数の端面対向部３６のそれぞれは、セラミック基体１１の端面に接触可能に設けられていればよく、実際に接触していなくてもよい。セラミック基板１０では、複数の端面対向部３６の少なくとも一部または全部が、セラミック基体１１の端面に対してわずかな隙間を有して対向していてもよい。当該隙間は、リード部１３の位置あわせの精度が損なわれない程度の幅を有していればよく、１ｍｍ以下であることが望ましい。このような構成であっても、各電極部２７に対するリード部１３の接合位置が大きくずれてしまうことが抑制される。また、完成品のセラミック基板１０において、めっき残渣など端面対向部３６が接触していた痕跡が残ることが、さらに抑制される。

C6．変形例６：
上記の各実施形態では、セラミック基体１１は、第１セラミック層２１と、第２セラミック層２２と、を備えている。これに対して、セラミック基体１１は、第１セラミック層２１のみを備えていてもよいし、さらに複数のセラミック層が積層されている構成を有していてもよい。また、第１セラミック層２１および第２セラミック層２２はそれぞれ、複数枚のグリーンシートが積層されることによって作製されていても良い。セラミック基体１１は、直方体形状を有していなくてもよいし、キャビティ２５を有していなくてもよい。

C7．変形例７：
上記の各実施形態では、リードフレーム１２，１２ａは略四角枠形状を有している。これに対して、リードフレーム１２，１２ａは略四角枠形状を有していなくてもよい。リードフレーム１２，１２ａは枠状の部材によって構成されていればよい。ここで、枠状の部材は、必ずしも無端に構成されていなくてもよく、一部に切れ間が設けられている構成を有していてもよい。

本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

１０，１０ａ…セラミック基板
１１…セラミック基体
１２，１２ａ…リードフレーム
１２ｓ，１２ｓａ…連結リードフレーム
１３…リード部
２１…第１セラミック層
２２…第２セラミック層
２２ａ〜２２ｄ…枠辺部
２３…配線層
２５…キャビティ
２６…配線パターン部
２７…電極部
３１〜３４…辺部
３６…端面対向部
３７…共通辺部
４１…第１グリーンシート
４２…第２グリーンシート
４３…導体層
４５…貫通孔
５０…カーボン治具
５１…凹部

Claims (8)

1. セラミック層と、前記セラミック層に配設されている配線層と、前記セラミック層の外周に配置され、前記配線層にろう材によって接合されているリード部を有するリードフレームと、を備えるセラミック基板において、
   前記リードフレームは、前記セラミック層に向かって突出して、前記セラミック層の端面に接合されることなく対向する複数の端面対向部を有し、
   前記複数の端面対向部は、少なくとも、
   前記セラミック層に対して同じ側に設けられている第１と第２の端面対向部と、
   前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、
   を含むことを特徴とする、セラミック基板。
2. 請求項１記載のセラミック基板において、
   前記複数の端面対向部は、さらに、前記セラミック層に対して、前記第３の端面対向部と同じ側に設けられている第４の端面対向部を含む、セラミック基板。
3. 請求項１または請求項２記載のセラミック基板において、
   前記複数の端面対向部のそれぞれは、前記セラミック層の端面に対向する曲面状の先端面を有する、セラミック基板。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセラミック基板において、
   前記リードフレームは、
   互いに並列に延伸している第１辺部および第２辺部と、
   互いに並列に延伸し、前記第１辺部および前記第２辺部のそれぞれに交差している第３辺部および第４辺部と、
   を有し、
   前記リード部は、前記第１辺部および前記第２辺部のそれぞれに設けられており、
   前記第１と第２の端面対向部は、前記第３辺部に設けられており、
   前記第３の端面対向部は、前記第４辺部に設けられており、
   いる、セラミック基板。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセラミック基板であって、
   前記複数の端面対向部のそれぞれは、対向している前記セラミック層の端面に接触している、セラミック基板。
6. 隣り合って配置される第１と第２のセラミック基板が連結されているセラミック基板連結体であって、
   前記第１と第２のセラミック基板はそれぞれ、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のセラミック基板であり、
   前記第１と第２のセラミック基板は、それぞれの前記リードフレームが一体的に連結された連結リードフレームを介して互いに連結されており、
   前記連結リードフレームは、前記第１と第２のセラミック基板に共有される共通辺部を有し、
   前記共通辺部には、少なくとも、前記第１のセラミック基板における前記セラミック層の端面に対向する前記第１と第２の端面対向部と、前記第２のセラミック基板における前記セラミック層の端面に対向する前記第３の端面対向部と、が設けられている、セラミック基板連結体。
7. セラミック層と、前記セラミック層に配設されている配線層と、を備えるセラミック基体の外周に配置され、前記配線層にろう材によって接合されるリード部を有するリードフレームにおいて、
   内周側に向かって突出し、前記リードフレームが前記セラミック基体の外周に配置されたときに、前記セラミック層の端面に対向するように設けられ、前記セラミック層の端面に接合されない複数の端面対向部を有し、
   前記複数の端面対向部は、少なくとも、
   前記セラミック層の配置領域に対して同じ側に設けられ、互いに離間している第１と第２の端面対向部と、
   前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層の配置領域を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、
   を含むことを特徴とする、リードフレーム。
8. セラミック層と、前記セラミック層に配設されている配線層と、前記セラミック層の外周に配置され、前記配線層にろう材によって接合されているリード部を有するリードフレームと、を備えるセラミック基板の製造方法において、
   前記セラミック層の外周に前記リードフレームを配置して、前記配線層に前記リード部をろう付け接合する接合工程を備え、
   前記リードフレームは、内周側に向かって突出し、前記セラミック層の端面に接合されることなく接触可能に設けられている複数の端面対向部を有し、
   前記複数の端面対向部は、少なくとも、前記セラミック層の配置領域に対して同じ側に設けられている第１と第２の端面対向部と、前記第１と第２の端面対向部とは前記セラミック層の配置領域を挟んで反対側に設けられている第３の端面対向部と、を含み、
   前記接合工程は、前記第１と第２の端面対向部と、前記第３の端面対向部と、によって前記セラミック層が挟まれるように、前記リードフレームを配置する工程を含む、製造方法。

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