CN104011499B - 膜厚分布测定方法 - Google Patents

膜厚分布测定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104011499B
CN104011499B CN201280064366.4A CN201280064366A CN104011499B CN 104011499 B CN104011499 B CN 104011499B CN 201280064366 A CN201280064366 A CN 201280064366A CN 104011499 B CN104011499 B CN 104011499B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
band
film
change curve
quantitative change
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280064366.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104011499A (zh
Inventor
桑原登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN104011499A publication Critical patent/CN104011499A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104011499B publication Critical patent/CN104011499B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G01B11/0633—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection using one or more discrete wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明是一种膜厚分布测定方法，该方法执行如下工序：算出量变曲线P1，该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出量变曲线P21，该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；求出P1、P21之差即量变曲线P31成为零时的波长λ1；选择包括所求出的波长λ1的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段；以及，向测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的所选择的波段的反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定第一薄膜的膜厚分布。由此，使用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带两层薄膜晶片的膜厚分布。

Description

膜厚分布测定方法
技术领域
本发明涉及一种膜厚分布测定方法，其利用反射光谱法来测定半导体器件所使用的带两层薄膜晶片的膜厚分布。
背景技术
近年来，伴随着设计规则的微细化，开始使用绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)晶片，该SOI晶片用于全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted SOI，FD-SOI)器件、鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFET)器件、以及硅纳米线晶体管(Silicon Nanowire Transistor)等SOI器件，且具有要求特别高的膜厚均匀性的超薄薄膜的SOI层。在这些器件中，SOI膜厚和埋入式氧化膜(Buried Oxide Film，BOX膜)厚的均匀性在决定晶体管的特性方面，成为重要的指标。
算出在基片的表面具有薄膜这种带薄膜晶片的薄膜的膜厚分布的现有膜厚测定方法，通常是利用椭圆偏振光谱法、反射光谱法来测定每个点的膜厚，而能够以高处理能力(Through-put)且以高精度对晶片整个面进行膜厚分布测定的膜厚分布测定装置尚未市场销售。
在利用椭圆偏振光谱法、反射光谱法的点测定中，在每个测定点获取某波长范围(通常为可见光区)的光谱，并针对该光谱与模型膜构造拟合(fitting)，而求出各测定点的膜厚。因此，若要以高处理能力且以高精度对晶片整个面进行测定，则测定点个数过度增加，因此，受计算量和时间的限制，而现实中不可能进行测定。
而且，为了进行光谱测定，宽波长范围的波长区域必不可少，因此，提高空间分辨率而进行多点膜厚测定，实际上是不可能的。
这样，以高密度、高精度、且以较短时间进行SOI晶片等的带薄膜晶片的膜厚分布的测定，成为了问题。
再有，在专利文献1中，记载有一种方法，该方法利用反射光谱法并使用紫外光波长区的两个波长的光，同时测定SOI层和BOX层这两个层。
在专利文献2中，公开有一种技术，该技术是向SOI照射白色光，并将反射光按照各波长分光，且根据各波长的干涉信息算出SOI层膜厚。
在专利文献3中，记载有一种方法，该方法其目的在于以更高的精度来测定在基片上形成有多个层的被测定物的膜厚，该方法主要使用一种在红外光带具有波长成分的光源，并反复计算各波长的理论反射率(光谱)，通过拟合而决定测定对象的膜厚。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-55435号公报
专利文献2：日本特开2002-343842号公报
专利文献3：日本特开2010-2327号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种膜厚分布测定方法，该方法使用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带薄膜晶片的膜厚分布。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，根据本发明，提供一种膜厚分布测定方法，该方法利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：通过模拟算出量变曲线(Profile)P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31(＝P21－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；选择包括上述所求出的波长λ1的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。
若为这种膜厚分布测定方法，则能够使用反射率对于第二薄膜的膜厚变动并不变动的波段的光并利用反射光谱法进行测定，能够以高密度、高精度、且以较短时间测定第一薄膜的膜厚分布。
此时，在选择包括上述所求出的波长λ1的波段的工序中，最好从波长λ1±50[nm]的范围内选择上述波段。
这样一来，能够更可靠地选择反射率对于第二薄膜的膜厚变动并不变动的波段，并能够可靠地以高精度测定第一薄膜的膜厚分布。
而且，根据本发明，提供一种膜厚分布测定方法，该方法利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第二薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚T1薄或厚t[nm]的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32(＝P22－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2的工序；选择包括上述所求出的波长λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第二薄膜的膜厚分布的工序。
若为这种膜厚分布测定方法，则能够使用反射率对于第一薄膜的膜厚变动并不变动的波段的光并利用反射光谱法进行测定，能够以高密度、高精度、且以较短时间测定第二薄膜的膜厚分布。
此时，在选择包括上述所求出的波长λ2的波段的工序中，最好从波长λ2±50[nm]的范围内选择上述波段。
这样一来，能够更可靠地选择反射率对于第一薄膜的膜厚变动并不变动的波段，并能够可靠地以高精度测定第二薄膜的膜厚分布。
而且，根据本发明，提供一种膜厚分布测定方法，该方法利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31(＝P21－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚T1薄或厚t[nm]的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32(＝P22－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2的工序；选择包括上述所求出的波长λ1和λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布的工序。
若为这种膜厚分布测定方法，则能够使用反射率对于第一薄膜和第二薄膜的膜厚变动并不变动的波段的光并利用反射光谱法进行测定，能够以高密度、高精度、且以较短时间测定第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布。
此时，在选择包括上述所求出的波长λ1和λ2的波段的工序中，当λ1＜λ2时，最好从波长λ1－50[nm]至波长λ2+50[nm]的范围内选择上述波段，当λ1＞λ2时，最好从波长λ2－50[nm]至波长λ1+50[nm]的范围内选择上述波段。
这样一来，能够更可靠地选择反射率对于薄膜的膜厚变动而并不变动的波段，并能够可靠地以高精度测定第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布。
而且此时，能够使上述测定对象的带薄膜晶片为SOI晶片，并使上述第一薄膜为埋入式氧化膜，且使上述第二薄膜为由单晶硅构成的SOI层。
这样一来，能够将具有埋入式氧化膜及SOI层的SOI晶片用作测定对象的带薄膜晶片。通过根据SOI层膜厚与埋入式氧化膜的膜厚的组合而选择适当的波长，就能以高密度、高精度、且以较短时间测定SOI晶片的薄膜的膜厚分布。
发明效果
在本发明中，由于在利用反射光谱法的膜厚分布测定中，将包括上述差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1、或差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2、或它们双方波长的波段作为测定对象的光的波段来选择而测定膜厚分布，因此，能够使用反射率对于第一薄膜和第二薄膜的膜厚变动并不变动的波段的光并利用反射光谱法进行测定，且能够以高密度、高精度、且以较短时间分别单独或同时测定第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布。由此，能够提高膜厚的拟合精度。
附图说明
图1是表示本发明的膜厚分布测定方法的工序的流程图。
图2是表示在本发明的膜厚分布测定方法所能使用的光学检测装置的概略图。
图3是表示在实施例1至实施例3所算出的各量变曲线的图。
图4是表示在SOI晶片所算出的各量变曲线的一例的图。
图5是表示在SOI晶片所算出的各量变曲线的一例的图。
图6是表示在SOI晶片所算出的各量变曲线的一例的图。
图7是表示在SOI晶片所算出的各量变曲线的一例的图。
图8是表示在GeOI晶片所算出的各量变曲线的一例的图。
图9是表示在实施例3、比较例3中所评价的SOI层及埋入式氧化膜的膜厚图像的图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式，但本发明并不限定于此。
过去，在利用反射光谱法来测定SOI晶片等的带两层薄膜晶片的膜厚分布的膜厚分布测定方法中，以高密度、高精度、且以较短时间进行测定，成为了课题。
于是,本发明人为了解决这种问题而反复进行了专心研讨。其结果发现，即使在第一薄膜和第二薄膜有膜厚变动，在照射光时也不会使该光的反射率变动的波长对于第一薄膜与第二薄膜各自存在，且这种波长随带薄膜晶片的各设定膜厚规格而不同。进而发现，若使用以该波长为中心的规定范围的波段的光并利用反射光谱法来测定，则能够以实用的高处理能力且以高精度测定膜厚分布，并能够提高膜厚的拟合精度，而完成了本发明。
图1是表示本发明的膜厚分布测定方法的工序的流程图。
本发明的膜厚分布测定方法的测定对象是带薄膜晶片，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜。例如，作为该测定对象的带薄膜晶片的一例，可举出SOI晶片，该SOI晶片在硅基片上形成有埋入式氧化膜(BOX膜)，并在该埋入式氧化膜上形成有由单晶硅构成的SOI层。这里，以将这种SOI晶片作为带薄膜晶片的场合为例进行说明。
这里，使制造SOI晶片时分别设定的埋入式氧化膜的设定膜厚为T1[nm]，SOI层的设定膜厚为T2[nm]。
在本发明的膜厚分布测定方法中，选择反射率对于测定对象的SOI晶片的薄膜的膜厚变动并不变动的波段，并将该所选择的波段的光作为利用反射光谱法来测定膜厚分布时的解析对象。为了选择该波段，实施以下所示的工序。首先，说明仅测定第一薄膜即埋入式氧化膜的膜厚分布的场合。
首先，通过模拟算出量变曲线(Profile)P1，该量变曲线P1表示测定对象的SOI晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性(参照图1的A)。
接着，通过模拟算出表示SOI晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性的量变曲线P21，上述SOI晶片具有仅比测定对象的SOI晶片的第二薄膜即SOI层的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的SOI层(参照图1的B)。这里，t的值并不特别限定，例如可以为1nm左右。
图3(A)是表示量变曲线P1及量变曲线P21的一例的图，其中，量变曲线P1是测定对象的SOI晶片的SOI层的设定膜厚T2为12nm且埋入式氧化膜的设定膜厚T1为25nm时的量变曲线，量变曲线P21是SOI层比该测定对象的SOI晶片的SOI层厚1nm即SOI层的设定膜厚T2为13nm且埋入式氧化膜的设定膜厚T1为25nm的SOI晶片的量变曲线。
如图3(A)所示，通过变更SOI层的厚度，表示反射率的波长相关性的量变曲线P1、P21发生变化。
接着，算出通过模拟而算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31(＝P21－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1(参照图1的C)。这里，量变曲线P31是表示P1与P21间的反射率之差的波长相关性的量变曲线。
图3(C)示出了图3(A)所示量变曲线P1与量变曲线P21的差值即量变曲线P31。如图3(C)所示，在该情况下的量变曲线P31成为零时即反射率之差成为零时的波长λ1为608nm。
在图4(C)至图7(C)中示出了具有不同于图3(C)的场合的设定膜厚的SOI层和埋入式氧化膜的SOI晶片的场合的差值即量变曲线P31，而在该情况下，在量变曲线P31成为零时的波长有多个的情况下，将在膜厚分布测定所使用的装置的检测系统所得到的S/N比较大的波长作为所求的波长λ1。一般来讲，若为接近500～700nm的波长，则能够以高灵敏度进行测定。
接着，选择包括所求出的波长λ1的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段(参照图1的D)。
这里，理想的是，从波长λ1±50nm的范围内选择波段。这样一来，能够更可靠地选择反射率对于薄膜的膜厚变动并不变动的波段。
在图3(C)所示量变曲线P31的一例中，从波长为608nm±50nm的范围内(558～658nm)选择包括608nm的波段。
在本发明的膜厚分布测定方法中，无需每次实施该波段的选择，可根据测定对象的带薄膜晶片的SOI层厚度及埋入式氧化膜厚度的组合并通过上述工序，预先选择好适当的波段。这样，若预先选择好波段，则能够缩短膜厚分布测定时间。
接着，使用这样选择的波段并利用反射光谱法如下测定埋入式氧化膜的膜厚分布(参照图1的E)。
向测定对象的SOI晶片的表面照射光，并在来自该SOI晶片的表面的反射光中，仅将所选择的波段的反射光作为测定对象而测定埋入式氧化膜的膜厚分布。此时，能够使向SOI晶片的表面照射的光的波段为可见光的较宽的波段。作为仅将反射光中的所选择的波段的反射光作为测定对象的方法，有使用解析软件的方法。若为该方法，则能够简便地实施且实用性较高，而无需使用烦杂的测定方法或装置。
或者，向测定对象的SOI晶片的表面照射所选择的波段的光，并将来自该SOI晶片的表面的全部反射光作为测定对象而测定埋入式氧化膜的膜厚分布亦可，作为向SOI晶片的表面照射所选择的波段的光的方法，能够使用例如图2所示的光学显微镜装置而实施。
在图2所示的光学显微镜装置2安装有带通滤波器4，利用带通滤波器4能够将来自光源3的光以仅使所选择的波段的光通过的方式进行滤波，并向SOI晶片1的表面照射。这样一来，能够进一步提高膜厚分布的测定精度。
或者，将带通滤波器4变更为例如声波滤波器、液晶滤波器、以及波长可调谐激光器而进行照射光的滤波亦可。
而且，在光源也可设定波段，还可使用各种激光器(半导体激光器(LD)、气体激光器、固体激光器、波长可调谐激光器)、发光二极管(LED)、以及液晶显示器(LCD)等。而且，简易起见还可使用彩色摄影机的RGB信号中的一个信号。
根据如上所述那样测定的反射光强度分布，能够得到第一薄膜的膜厚分布。
以下，对仅测定第二薄膜即SOI层的膜厚分布的场合进行说明。这里，未特别记载的事项基本上与测定上述埋入式氧化膜的膜厚分布的场合相同。
在与上述相同地算出量变曲线P1之后(参照图1的A)，通过模拟算出表示SOI晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性的量变曲线P22，上述SOI晶片具有仅比测定对象的SOI晶片的埋入式氧化膜的设定膜厚T1薄或厚t[nm]的SOI层(参照图1的B)。
图3(B)是表示量变曲线P1及量变曲线P22的一例的图，其中，量变曲线P1是在测定对象的SOI晶片的SOI层的设定膜厚T2为12nm且埋入式氧化膜的设定膜厚T1为25nm时的量变曲线，量变曲线P22是埋入式氧化膜比该测定对象的SOI晶片的埋入式氧化膜厚1nm即埋入式氧化膜的设定膜厚T1为26nm且SOI层的设定膜厚T2为12nm的SOI晶片的量变曲线。
接着，算出通过模拟所算出的双方量变曲线P1、P22的差值即量变曲线P32(＝P22－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2(参照图1的C)。
图3(C)示出了图3(B)所示的量变曲线P1、P22的差值即量变曲线P32。如图3(C)所示，在此时的量变曲线P32成为零时，即反射率之差成为零时的波长λ2为535nm。
接着，选择包括求出的波长λ2的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段(参照图1的D)。这里，理想的是，从波长λ2±50nm的范围内选择波段。这样一来，能够更可靠地选择反射率对于薄膜的膜厚变动并不变动的波段。
在图3(C)所示量变曲线P32的一例中，从波长为535nm±50nm的范围内(485～585nm)选择包括535nm的波段。
接着，使用所选择的波段并利用反射光谱法测定SOI层的膜厚分布(参照图1的E)。
而且，在同时测定第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布的情况下，与上述同样地算出量变曲线P1、P21、P22、P31、以及P32，并求出波长λ1、λ2。
在图3(A)、图3(B)所示的例子中，λ1为608nm，λ2为535nm。
接着，选择包括所求出的波长λ1和λ2的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段。这里，理想的是，在所求出的波长λ1和λ2为λ1＜λ2的情况下，在波长为λ1－50nm至波长为λ2+50nm的范围内选择波段，在λ1＞λ2的情况下，在波长为λ2－50nm至波长为λ1+50nm的范围内选择波段。这样一来，能够更可靠地选择反射率对于薄膜的膜厚变动并不变动的波段。
在图3(C)所示的一例中，λ1＞λ2，从波长为535nm－50nm至波长为608nm+50nm的范围内(485～658nm)选择包括535nm及608nm的波段。这里，若选择例如535nm～608nm的波段，则在该波段的范围，由于SOI膜厚的膜厚增加和埋入式氧化膜的膜厚增加，使得反射率的变化相反，因此，测定精度提高。
其后，使用该所选择的波段，并利用反射光谱法测定埋入式氧化膜的膜厚分布。
若为如上的本发明的膜厚分布测定方法，由于向测定对象的带薄膜晶片照射光时，即使第一薄膜和第二薄膜上有膜厚变动，也能够使用反射率不变动的波段的光并利用反射光谱法实施膜厚分布测定，因此，能够以高密度、高精度、且以较短时间测定第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布。
在图4至图7中示出在其它设定膜厚规格的SOI晶片中通过模拟而算出的量变曲线P1、P21、P22、P31、以及P32的一例。在图8中示出在第一薄膜为埋入式氧化膜且第二薄膜为绝缘体上锗(Germanium On Insulator，GeOI)层的GeOI晶片中通过模拟而算出的量变曲线P1、P21、P22、P31、以及P32的一例。这些晶片的设定膜厚规格示于表1中。
表1
这样，对于各种设定膜厚规格的带薄膜晶片，分别存在差值即量变曲线P31、P32成为零时的波长。如上所述，在向带薄膜晶片照射该波长的光时，该光的反射率并不变动。因此，若使用以该波长为中心的规定范围的波段的光并利用反射光谱法进行测定，则能够以实用的高处理能力且以高精度测定膜厚分布。
因此，可实现FD-SOI器件等所要求的具有较高的膜厚分布均匀性的SOI层、BOX层的晶片的工序管理、质量管理。
实施例
以下，示出本发明的实施例及比较例，以更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些例。
(实施例1)
利用如图1所示的本发明的膜厚分布测定方法，测定直径为300mm的SOI晶片的埋入式氧化膜(BOX层)的膜厚分布，并评价了拟合精度。
这里，测定对象的SOI晶片的SOI层的设定膜厚为12nm，埋入式氧化膜的设定膜厚为25nm。作为利用反射光谱法测定膜厚分布时的条件，以1mm间距的测定点测定整个面，并使周边除外区域为3mm。再有，拟合精度是基于95％的可靠区间的测定精度。
首先，算出量变曲线P1、P21、以及P31以选择利用反射光谱法测定膜厚分布时所使用的波段。这里，在P21的计算中，使t的条件为仅厚1nm的条件(SOI层的设定膜厚为13nm)。所算出的P1、P21示于图3(A)，P31示于图3(C)。量变曲线P31成为零时的波长λ1为608nm，选择了包括波长λ1的598～618nm的波段。
接着，向测定对象的SOI晶片照射波段为400～800nm的可见光，仅将上述所选择的波段的反射光作为测定对象，且利用反射光谱法测定了埋入式氧化膜的膜厚分布。
结果示于表2中。如表2所示，与下述的比较例1相比，拟合精度有了大幅度改进，得到了与椭圆偏振光谱法的精度同等以上(最大值为0.11nm以下的精度)的精度。而且，测定所需时间为与通常的反射光谱法相同的1分钟以下。
(实施例2)
利用如图1所示的本发明的膜厚分布测定方法，测定与实施例1相同条件的SOI晶片的SOI层的膜厚分布，并评价了拟合精度。
首先，算出量变曲线P1、P22、以及P32以选择利用反射光谱法测定膜厚分布时所使用的波段。这里，在P22的计算中，使t的条件为仅厚1nm的条件(埋入式氧化膜的设定膜厚为26nm)。所算出的P1示于图3(A)，P22示于图3(B)，P32示于图3(C)。量变曲线P32成为零时的波长λ2为535nm，选择了包括波长λ2的525～545nm的波段。
接着，向测定对象的SOI晶片照射波段为400～800nm的可见光，仅将上述所选择的波段的反射光作为测定对象，且利用反射光谱法测定了埋入式氧化膜的膜厚分布。其它条件与实施例1相同。
结果示于表2中。如表2所示，与下述比较例2相比，拟合精度有了大幅度改进，得到了与椭圆偏振光谱法的精度同等以上(最大值为0.11nm以下的精度)的精度。而且，测定所需时间为与通常的反射光谱法相同的1分钟以下。
(实施例3)
利用如图1所示的本发明的膜厚分布测定方法，同时测定与实施例1相同条件的SOI晶片的SOI层及埋入式氧化膜的膜厚分布，并评价了拟合精度。
首先，算出量变曲线P1、P21、P22、P31、以及P32以选择利用反射光谱法测定膜厚分布时所使用的波段。这里，在P21的计算中，使t的条件为仅厚1nm的条件(SOI层的设定膜厚为13nm)，在P22的计算中，使t的条件为仅厚1nm的条件(埋入式氧化膜的设定膜厚为26nm)。所算出的P1、P21示于图3(A)，P22示于图3(B)，P31、P32示于图3(C)。量变曲线P31、P32成为零时的波长λ1、λ2分别为608nm、535nm，选择了包括波长λ1、λ2的535～610nm的波段。
接着，向测定对象的SOI晶片照射波段为400～800nm的可见光，仅将上述所选择的波段的反射光作为测定对象，且利用反射光谱法测定了埋入式氧化膜的膜厚分布。其它条件与实施例1相同。
结果示于表2中。如表2所示，与下述比较例3相比，拟合精度有了大幅度改进，得到了与椭圆偏振光谱法的精度同等以上(最大值为0.11nm以下的精度)的精度。而且，测定所需时间为与通常的反射光谱法相同的1分钟以下。
就以实施例1至实施例3的测定点进行利用椭圆偏振光谱法的测定而言，即便以测定精度较差的条件、例如以1个点/2秒钟的速度进行测定，也需要30个小时以上，因此并不现实。
(比较例1)
利用反射光谱法测定膜厚分布时，对于所照射的波段为400～800nm的可见光，将该波段的所有反射光作为测定对象，除此之外，以与实施例1相同的条件测定SOI晶片的埋入式氧化膜的膜厚分布，并与实施例1同样地进行了评价。
其结果示于表2中。如表2所示，与实施例1相比，拟合精度严重变差。
(比较例2)
利用反射光谱法测定膜厚分布时，对于所照射的波段为400～800nm的可见光，将该波段的所有反射光作为测定对象，除此之外，以与实施例2相同的条件测定SOI晶片的埋入式氧化膜的膜厚分布，并与实施例2同样地进行了评价。
其结果示于表2中。如表2所示，与实施例2相比，拟合精度严重变差。
(比较例3)
利用反射光谱法测定膜厚分布时，对于所照射的波段为400～800nm的可见光，将该波段的所有反射光作为测定对象，除此之外，以与实施例3相同的条件测定SOI晶片的埋入式氧化膜的膜厚分布，并与实施例3同样地进行了评价。
其结果示于表2中。如表2所示，与实施例3相比，拟合精度严重变差。
表2
在图9中示出在实施例3、比较例3所测定的SOI层及埋入式氧化膜的膜厚图像。如图9所示，在SOI层的膜厚图像中，两者均能够观察到表示SOI层的膜厚不匀的条纹图案，这表示实际的SOI层的膜厚不匀。另一方面，在埋入式氧化膜(BOX层)的膜厚图像中，比较例3中所看到的条纹图案是受SOI层的膜厚不匀的影响而产生的，是由测定精度的不良而产生的，并不表示实际的膜厚不匀。对此，在实施例3中，由于以高精度测定埋入式氧化膜的膜厚分布而不受SOI层的膜厚不匀的影响，因此，观察不到条纹图案。
如上所述，能够确认出本发明的膜厚分布测定方法利用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带薄膜晶片的膜厚分布，并能够提高拟合精度。
再有，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成并发挥相同的作用效果的技术无论怎样也均包括在本发明的技术范围。

Claims (7)

1.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该测定的带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：
通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t(nm)的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31＝P21－P1，并求出所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；
选择包括上述所求出的波长λ1的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，
向上述测定的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该测定的带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该测定的带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。
2.根据权利要求1所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，
在选择包括上述所求出的波长λ1的波段的工序中，从波长λ1±50(nm)的范围内选择上述波段。
3.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第二薄膜的膜厚分布，该测定的带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：
通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚T1薄或厚t(nm)的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32＝P22－P1，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2的工序；
选择包括上述所求出的波长λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，
向上述测定的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该测定的带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该测定的带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第二薄膜的膜厚分布的工序。
4.根据权利要求3所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，
在选择包括上述所求出的波长λ2的波段的工序中，从波长λ2±50(nm)的范围内选择上述波段。
5.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布，该测定的带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：
通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t(nm)的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31＝P21－P1，并求出该所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；
通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚T1薄或厚t(nm)的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；
算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32＝P22－P1，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2的工序；
选择包括上述所求出的波长λ1和λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，
向上述测定的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该测定的带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该测定的带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜和第二薄膜的膜厚分布的工序。
6.根据权利要求5所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，
在选择包括上述所求出的波长λ1和λ2的波段的工序中，当λ1＜λ2时，从波长λ1－50(nm)至波长λ2+50(nm)的范围内选择上述波段，当λ1＞λ2时，从波长λ2－50(nm)至波长λ1+50(nm)的范围内选择上述波段。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，
上述测定的带薄膜晶片为SOI晶片，上述第一薄膜为埋入式氧化膜，上述第二薄膜为由单晶硅构成的SOI层。
CN201280064366.4A 2011-12-28 2012-11-27 膜厚分布测定方法 Active CN104011499B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-287397 2011-12-28
JP2011287397A JP5660026B2 (ja) 2011-12-28 2011-12-28 膜厚分布測定方法
PCT/JP2012/007580 WO2013099107A1 (ja) 2011-12-28 2012-11-27 膜厚分布測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104011499A CN104011499A (zh) 2014-08-27
CN104011499B true CN104011499B (zh) 2016-08-24

Family

ID=48696657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280064366.4A Active CN104011499B (zh) 2011-12-28 2012-11-27 膜厚分布测定方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9279665B2 (zh)
EP (1) EP2799808B1 (zh)
JP (1) JP5660026B2 (zh)
KR (1) KR101890663B1 (zh)
CN (1) CN104011499B (zh)
SG (1) SG11201402935XA (zh)
TW (1) TWI477735B (zh)
WO (1) WO2013099107A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10955359B2 (en) * 2013-11-12 2021-03-23 International Business Machines Corporation Method for quantification of process non uniformity using model-based metrology
US9391163B2 (en) 2014-10-03 2016-07-12 International Business Machines Corporation Stacked planar double-gate lamellar field-effect transistor
JP2016114506A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 信越半導体株式会社 薄膜付ウェーハの評価方法
CN104952758B (zh) * 2015-06-30 2018-03-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种膜层均匀性的检测方法及装置
EP3124912B1 (en) 2015-07-30 2019-01-16 Unity Semiconductor GmbH Method and assembly for determining the thickness of a layer in a stack of layers
US10132612B2 (en) * 2015-07-30 2018-11-20 Hseb Dresden Gmbh Method and assembly for determining the thickness of a layer in a sample stack
EP3150959B1 (en) 2015-10-02 2018-12-26 Soitec Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure
JP2017125782A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 信越半導体株式会社 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法
JP6842851B2 (ja) * 2016-07-13 2021-03-17 株式会社荏原製作所 膜厚測定装置、研磨装置、膜厚測定方法、及び、研磨方法
EP3346229B1 (en) 2017-01-09 2022-03-30 Unity Semiconductor GmbH Method and assembly for determining the thickness of layers in a sample stack
US10989652B2 (en) * 2017-09-06 2021-04-27 Lam Research Corporation Systems and methods for combining optical metrology with mass metrology
WO2019087848A1 (ja) * 2017-11-01 2019-05-09 コニカミノルタ株式会社 膜厚測定方法、膜厚測定システム、光反射フィルムの製造方法及び光反射フィルムの製造システム
JP6487579B1 (ja) * 2018-01-09 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 膜厚計測装置、膜厚計測方法、膜厚計測プログラム、及び膜厚計測プログラムを記録する記録媒体
US11226191B2 (en) * 2018-06-27 2022-01-18 Tokyo Electron Limited Film thickness measurement device and correction method
CN111412843B (zh) * 2020-04-14 2020-12-08 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种测量半导体外延片中膜层厚度的方法
US20230169643A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-01 Applied Materials, Inc. Monitoring of deposited or etched film thickness using image-based mass distribution metrology

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0755435A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 多層膜試料の膜厚測定方法
CN1140832A (zh) * 1995-07-17 1997-01-22 精工爱普生株式会社 光学膜厚测量方法、成膜方法和半导体激光器制造方法
JP2002343842A (ja) * 2001-03-12 2002-11-29 Denso Corp 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法
CN1664493A (zh) * 2004-03-04 2005-09-07 大日本网目版制造株式会社 膜厚测定方法和装置
JP2010002327A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Otsuka Denshi Co Ltd 膜厚測定装置および膜厚測定方法
CN101709952A (zh) * 2009-12-04 2010-05-19 中国科学院上海技术物理研究所 非接触式晶片厚度测量装置及方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US499508A (en) * 1893-06-13 John c
JPH0731050B2 (ja) * 1988-12-29 1995-04-10 オリンパス光学工業株式会社 光学式膜厚測定装置
US5555472A (en) * 1993-12-22 1996-09-10 Integrated Process Equipment Corp. Method and apparatus for measuring film thickness in multilayer thin film stack by comparison to a reference library of theoretical signatures
JP3764794B2 (ja) * 1997-03-06 2006-04-12 松下電器産業株式会社 多層薄膜の膜厚測定方法と光学情報記録媒体の製造方法及び製造装置
US5883720A (en) * 1996-06-26 1999-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of measuring a film thickness of multilayer thin film
JP3858101B2 (ja) * 1997-05-01 2006-12-13 東セロ株式会社 延伸フィルム製造設備、及び製造方法
JPH1186350A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Ricoh Co Ltd 光記録媒体の検査方法
JPH11160028A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定装置および膜厚測定方法
US7330279B2 (en) * 2002-07-25 2008-02-12 Timbre Technologies, Inc. Model and parameter selection for optical metrology
US7092110B2 (en) * 2002-07-25 2006-08-15 Timbre Technologies, Inc. Optimized model and parameter selection for optical metrology
US7126700B2 (en) * 2003-12-12 2006-10-24 Timbre Technologies, Inc. Parametric optimization of optical metrology model
TWI290614B (en) 2006-04-21 2007-12-01 Advance Design Technology Inc A measuring apparatus for the thin film thickness using interference technology of laser
JP5444823B2 (ja) 2009-05-01 2014-03-19 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハの検査方法
JP5365581B2 (ja) 2010-05-28 2013-12-11 信越半導体株式会社 薄膜付ウェーハの評価方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0755435A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 多層膜試料の膜厚測定方法
CN1140832A (zh) * 1995-07-17 1997-01-22 精工爱普生株式会社 光学膜厚测量方法、成膜方法和半导体激光器制造方法
JP2002343842A (ja) * 2001-03-12 2002-11-29 Denso Corp 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法
CN1664493A (zh) * 2004-03-04 2005-09-07 大日本网目版制造株式会社 膜厚测定方法和装置
JP2010002327A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Otsuka Denshi Co Ltd 膜厚測定装置および膜厚測定方法
CN101709952A (zh) * 2009-12-04 2010-05-19 中国科学院上海技术物理研究所 非接触式晶片厚度测量装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2799808A4 (en) 2015-08-05
KR20140107332A (ko) 2014-09-04
EP2799808A1 (en) 2014-11-05
US20140293295A1 (en) 2014-10-02
TWI477735B (zh) 2015-03-21
KR101890663B1 (ko) 2018-08-22
CN104011499A (zh) 2014-08-27
JP2013137205A (ja) 2013-07-11
US9279665B2 (en) 2016-03-08
WO2013099107A1 (ja) 2013-07-04
JP5660026B2 (ja) 2015-01-28
EP2799808B1 (en) 2016-08-31
TW201337206A (zh) 2013-09-16
SG11201402935XA (en) 2014-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104011499B (zh) 膜厚分布测定方法
CN102918639B (zh) 附有薄膜的晶片的评价方法
CN108700465A (zh) 混合计量方法与系统
CN104870933A (zh) 用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法
JP2012507027A (ja) 可視及び近赤外域における分光偏光測定装置及び方法
CN102449431A (zh) 用于测量离子注入剂量的方法和装置
CN104111235A (zh) 一种测量二维薄膜材料复折射率谱的方法
TWI716422B (zh) 從一樣本堆疊中判斷層的厚度的方法與組件
US20230035404A1 (en) Combined ocd and photoreflectance method and system
WO2017122248A1 (ja) 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法
CN111076668A (zh) 用于纳米厚度SiO2厚度的差分反射光谱测量方法
CN105628673B (zh) 测试复合硅衬底上过渡金属硫族化合物样品层数的方法
JP2016114506A (ja) 薄膜付ウェーハの評価方法
CN110312909B (zh) 用来判断在样本堆叠中的层厚度的方法及组件
EP1382958B1 (en) System and method for measuring properties of a semiconductor substrate in a non-destructive way
JP4043660B2 (ja) 化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置
Sopori et al. Rapid, Non-Contact Method for Measurement of Si-Wafer Thickness: Principles and Preliminary Results
Nolot et al. Optical metrology of thick photoresist process for advanced 3D applications
CN118189831A (zh) 一种厚度测量装置及方法
JPH04361105A (ja) シリコン・オン・インシュレータの膜厚測定方法
JPH11101742A (ja) 多結晶半導体膜の検査方法
JPS597226A (ja) 偏光解析モニタの入射角測定法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant