CN104952758B - 一种膜层均匀性的检测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种膜层均匀性的检测方法及装置，属于检测领域。所述装置包括：光源模块，用于出射第一波长的可见光，并使第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，第一波段和第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，第一厚度<第二厚度，待测膜层的厚度≤第二厚度，第一入射角度不小于第二入射角度，且第二厚度的膜层在受到第一波长的可见光以第一入射角度照射时将第一波长的可见光全反射；摄像模块，用于拍摄待测膜层的背面；处理模块，用于根据摄像模块拍摄得到的图像，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域。

Description

一种膜层均匀性的检测方法及装置

技术领域

本发明涉及检测领域，特别涉及一种膜层均匀性的检测方法及装置。

背景技术

随着GaN基发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)在显示和照明领域的广泛应用，LED的市场需求数量呈现几何级数增加，这对LED的生产效率和生产质量提出了更高要求。一般地，LED芯片的制备流程包括，首先，提供衬底并在衬底上生长外延层，得到晶圆；其次，对衬底进行研磨；然后，在衬底上蒸镀反射层(也称背镀层)；最后，对晶圆进行裂片，得到LED芯片。

其中，在生长外延层和研磨衬底时，晶圆边缘可能发生翘曲，而在蒸镀反射层时，由于需要治具夹爪固定晶圆，治具夹爪会遮挡一部分晶圆，这些将导致反射层出现厚度不均匀的情况。对于反射层偏薄的芯片，将不能实现光的反射作用。目前的做法是采用人眼识别的方式剔除反射层偏薄的芯片。具体地，人工抽样芯片，手动将抽样出的芯片夹起，在显微镜下翻转或倾斜角度进行观察，以识别出反射层偏薄的芯片。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：人眼识别的方式不光影响到检测效率和存在较高的人为失误率，还增加了人力开销，提高了生产成本。

发明内容

为了提高检测效率，减少人为失误率并节省生产成本，本发明实施例提供了一种膜层均匀性的检测方法及装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种膜层均匀性的检测装置，所述装置包括：

光源模块，用于出射第一波长的可见光，并使所述第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

摄像模块，用于拍摄所述待测膜层的背面；

处理模块，用于根据所述摄像模块拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域。

作为可选的实施方式，所述光源模块包括光源和调整单元，所述光源用于出射所述第一波长的可见光，所述调整单元用于调整所述第一波长的可见光的出射方向，使所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射所述待测膜层的正面。

作为可选的实施方式，所述光源为发光二极管。

作为可选的实施方式，所述摄像模块为电荷耦合元件相机。

作为可选的实施方式，所述处理模块包括：

提取单元，用于从所述摄像模块拍摄得到的图像中，提取出所述待测膜层的背面的图像；

计算单元，用于计算所述待测膜层的背面的图像中各个像素的灰阶值；

判断单元，用于判断各个所述像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

确定单元，用于当灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述待测膜层的厚度大于所述第一厚度。

作为可选的实施方式，所述待测膜层为透光器件上的镀层，所述透光器件具有一平整面，所述镀层覆盖在所述平整面上。

第二方面，提供了一种膜层均匀性的检测方法，所述方法包括：

采用第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

拍摄所述待测膜层的背面；

根据拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域。

作为可选的实施方式，所述根据拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域，包括：

从所述拍摄得到的图像中，提取出所述待测膜层的背面的图像；

计算所述待测膜层的背面的图像中各个像素的灰阶值；

判断各个所述像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

当灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述待测膜层的厚度大于所述第一厚度。

第三方面，提供了一种膜层均匀性的检测方法，所述方法包括：

采用第一波长的可见光以第一入射角度照射发光二极管LED芯片组的正面；所述LED芯片组包括若干LED芯片，所述LED芯片包括衬底、外延层和反射层，所述外延层和所述反射层分别位于所述衬底的相反的两侧，所述LED芯片组的正面由各个所述LED芯片的反射层拼成；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的反射层和第二厚度的反射层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述LED芯片的反射层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的反射层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

拍摄所述LED芯片组的背面，所述LED芯片组的背面由各个所述LED芯片的外延层拼成；

根据拍摄得到的图像，确定各个所述LED芯片的反射层的厚度是否大于所述第一厚度。

作为可选的实施方式，根据拍摄得到的图像，确定各个所述LED芯片的反射层的厚度是否大于所述第一厚度，包括：

从所述拍摄得到的图像中，提取出所述LED芯片组的背面的图像；

从所述LED芯片组的背面的图像中，提取出各个所述LED芯片的反射层的图像；

计算各个所述LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值；

判断各个所述LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

在当前LED芯片的反射层的图像中灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述当前LED芯片的反射层的厚度大于所述第一厚度。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过光源模块用于出射第一波长的可见光，并使第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；由于第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射，因此，照射在待测膜层上厚度不大于第一厚度的区域的可见光将透过去，而照射在待测膜层上厚度为第二厚度的区域的可见光将不能透过；摄像模块，用于拍摄待测膜层的背面；处理模块，用于根据摄像模块拍摄得到的图像，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域；摄像模块拍摄的图像能够反映待测膜层的透光情况，处理模块根据该待测膜层的透光情况，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域，以此判定待测膜层是否均匀；可以将发光二极管的芯片的反射层作为前述待测膜层，从而实现反射层的厚度的均匀性的检测，这样，节省了人力开销，减少了生产成本，同时，避免了人为失误率，提高了检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种膜层均匀性的检测装置的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种膜层均匀性的检测方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的又一种膜层均匀性的检测方法的示意图；

图4是本发明实施例提供的32层的反射层的反射率的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

本发明实施例提供了一种膜层均匀性的检测装置，参见图1，该装置包括光源模块101、摄像模块102和处理模块103。

光源模块101，用于出射第一波长的可见光，并使第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层200的正面。

其中，第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，第一波段和第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段。第一厚度<第二厚度，待测膜层200的厚度≤第二厚度，第一入射角度不小于第二入射角度，且第二厚度的膜层在受到第一波长的可见光以第一入射角度照射时将第一波长的可见光全反射。

摄像模块102，用于拍摄待测膜层200的背面。

处理模块103与摄像模块102电连接，处理模块103用于根据摄像模块102拍摄得到的图像，确定待测膜层200中是否存在厚度不大于第一厚度的区域。

需要说明的是，在本实施例中，各处描述的膜层均指具有相同物质组分的膜层。

其中，可见光是电磁波谱中人眼可以感知的部分。公知地，可见光的全波段为380nm～780nm。在本实施例中，第一波长不超过380nm～780nm的范围、且不超过第一波段在第二波段中的余集。

其中，第一波段和第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，包括，第一波段是第一厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，第二波段是第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段。第一厚度小于第二厚度。

本领域技术人员可以理解的是，假若控制光以同一个入射角度照射膜层，则随着膜层厚度的增加，膜层的全反射波段会越来越宽，并且，膜层的全反射波段是朝长波方向延伸。也就是说，相比于厚度小的膜层，厚度大的膜层具有更宽的全反射波段且具有更大的全反射波长。例如，在受到光以同一入射角度照射时，厚度为s1的膜层的全反射波段为480～830nm，厚度为s2的膜层的全反射波段为480～700nm，s1<s2。可以看出，厚度为s2的膜层的全反射波段朝短波方向缩小了130nm。基于此特性，在第一厚度小于第二厚度时，第一波段为第二波段的子集。

假设第一波段为集合A，第二波段为集合B，第一波段在第二波段中的余集为集合C，C＝B-A。假设集合C中的元素为x，x∈C。当控制波长为x的光以第二入射角度照射厚度不大于第一厚度的膜层时，将有一部分光透过第一厚度的膜层；而当控制波长为x的光以第二入射角度照射第二厚度的膜层时，所有的光将被第二厚度的膜层反射。

其中，由于要拍摄待测膜层200的背面，因此，采用可见光对待测膜层200进行照射。在本实施例中，第一波段和第二波段的余集C至少包含有部分可见光波段。相当于说，第二波段至少包含有部分可见光波段。这样，第一波长属于集合C中包含的部分可见光波段。

一般地，膜层的全反射波段的范围取决于光的入射角度的大小。本领域技术人员可以理解的是，假若控制光照射同一膜层，则随着光的入射角度的增加，膜层的全反射波段会朝短波方向推移。例如，在控制光以入射角为θ1照射膜层L时，得到的膜层L的全反射波段为480～830nm；而在控制光以入射角为θ2照射膜层L时，得到的膜层L的全反射波段为380～730nm，θ1<θ2。可以看出，当光的入射角增大时，膜层L的全反射波段整体朝短波方向推移了100nm。基于此特性，一方面，当膜层在受到入射角度小的光照射时，如果膜层的全反射波段超出了可见光的全波段，这时，可以增大光的入射角，使膜层的全反射波段推移至可见光的全波段内；另一方面，第一入射角度可以不小于第二入射角度。

此外，由于在膜层的全反射波段推移后，第一入射角度对应的全反射波段与第二入射角度对应的全反射波段不同。那么，在第一波长属于第二入射角度对应的全反射波段时，可能存在第一波长不属于第一入射角度对应的全反射波段的情况。这时，当第一波长的可见光以第一入射角度照射膜层时，可能会透过膜层。为了避免这种情况发生，在本实施例中，第二厚度的膜层在受到第一波长的可见光以第一入射角度照射时将第一波长的可见光全反射。这样，可以保证第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层200时，照射待测膜层200上的厚度不大于第一厚度的区域的光将透过待测膜层200，而照射待测膜层200上的厚度为第二厚度的区域的光将全部被反射。

其中，光源模块101可以包括光源和调整单元。光源用于出射第一波长的可见光，调整单元用于调整第一波长的可见光的出射方向，使第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层200的正面。

作为可选的实施方式，光源可以为发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)。调整单元可以包括凸透镜和全反射镜。光源可以放置在凸透镜的1倍焦距处，这样，凸透镜可以将光源发出的光变成平行光出射。凸透镜出射的平行光可以经过全反射镜全反射，可以改变平行光的方向。全反射镜的位置可以调整，从而可以选择合适的出射方向。在其他实施例中，光源模块101也可以采用光源发生器和全反射镜实现。光源发生器出射的光为平行光。

其中，摄像模块102可以为电荷耦合元件(Charge-coupled Device，简称CCD)相机。

如前述，第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层200的正面时，照射待测膜层200上的厚度不大于第一厚度的区域的光将透过待测膜层200，而照射待测膜层200上的厚度为第二厚度的区域的光将全部被反射。从待测膜层200的背面观察，可以发现待测膜层200的背面明暗度不同。因此，可收集待测膜层200的背面的图像的灰阶值，根据灰阶值了解待测膜层200的厚度情况。其中，处理模块103包括提取单元、计算单元、判断单元和确定单元。

提取单元，用于从摄像模块102拍摄得到的图像中，提取出待测膜层200的背面的图像。

由于摄像模块102拍摄得到的图像可能不止包含待测膜层200的背面的图像，比如还拍摄了待测膜层200的周边，因此，需要从摄像模块102拍摄得到的图像中将待测膜层200的背面的图像提取出来。

计算单元，用于计算待测膜层200的背面的图像中各个像素的灰阶值。

判断单元，用于判断各个像素的灰阶值是否大于预定灰阶值。

其中，灰阶值的总范围为0～255。像素的灰阶值越大，表明该像素的亮度越大，也就是说该像素对应的待测膜层的区域透光量越多。反之，像素的灰阶值越小，表明该像素的亮度越小，也就是说该像素对应的待测膜层的区域透光量越少。

其中，预定灰阶值可以预先设置，例如，设置的预定灰阶值可以大于180，即预定灰阶值的范围可以在180～255。

确定单元，用于当灰阶值大于预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定待测膜层200的厚度大于第一厚度，可以判定待测膜层200是均匀的。反之，当灰阶值大于预定灰阶值的像素数量超过预定数量时，确定待测膜层200的厚度不大于第一厚度，可以判定待测膜层200是不均匀的。

其中，预定数量可以预先设置，预定数量的范围根据实际需要可浮动，例如将预定数量设置为待测膜层200的背面的图像的像素总量的2％。

其中，待测膜层200可以是透光器件上的镀层，透光器件具有一平整面，镀层覆盖在该平整面上。透光器件包括LED、偏光镜片、以及玻璃。

需要说明的是，当待测膜层200覆盖在透光器件上时，待测膜层200的正面和背面可以是透光器件相反的两侧面。

实施例二

基于本发明实施例一提供的装置，本发明实施例提供了一种膜层均匀性的检测方法。在本实施例中，待测膜层可以覆盖在透光器件上。参见图2，该方法包括：

步骤201、采用第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面。

其中，第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，第一波段和第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，第一厚度<第二厚度，待测膜层的厚度≤第二厚度，第一入射角度不小于第二入射角度，且第二厚度的膜层在受到第一波长的可见光以第一入射角度照射时将第一波长的可见光全反射。

具体地，将图1示出的光源模块布置在待测膜层的正面。光源模块出射第一波长的可见光，第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面。

步骤202、拍摄待测膜层的背面。

具体地，将图1示出的摄像模块的镜头对准待测膜层的背面。

步骤203、根据拍摄得到的图像，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域。

本步骤203包括如下步骤。

步骤2031、从拍摄得到的图像中，提取出待测膜层的背面的图像。

步骤2032、计算待测膜层的背面的图像中各个像素的灰阶值。

步骤2033、判断各个像素的灰阶值是否大于预定灰阶值。

当灰阶值大于预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定待测膜层的厚度大于第一厚度。反之，当灰阶值大于预定灰阶值的像素数量超过预定数量时，确定待测膜层的厚度不大于第一厚度。

本发明实施例通过光源模块用于出射第一波长的可见光，并使第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；由于第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射，因此，照射在待测膜层上厚度不大于第一厚度的区域的可见光将透过去，而照射在待测膜层上厚度为第二厚度的区域的可见光将不能透过；摄像模块，用于拍摄待测膜层的背面；处理模块，用于根据摄像模块拍摄得到的图像，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域；摄像模块拍摄的图像能够反映待测膜层的透光情况，处理模块根据该待测膜层的透光情况，确定待测膜层中是否存在厚度不大于第一厚度的区域，以此判定待测膜层是否均匀；可以将发光二极管的芯片的反射层作为前述待测膜层，从而实现反射层的厚度的均匀性的检测，这样，节省了人力开销，减少了生产成本，同时，避免了人为失误率，提高了检测效率。

实施例三

本发明实施例提供了一种膜层均匀性的检测方法。在本实施例中，将以LED芯片的反射层为待测膜层，详细描述如何检测反射层的均匀性。为便于理解本实施例提供的方案，首先对LED芯片进行介绍。LED芯片包括衬底、外延层和反射层，外延层和反射层分别位于衬底的相反的两侧。LED芯片的外延层可以包括层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、ITO层、以及SiO₂层。LED芯片的外延层中产生的光透过衬底后会被反射层反射回去，提升LED芯片的亮度。反射层也称背镀层，可以是复合层，比如反射层可以是TiO₂层和SiO₂层构成的交替结构，该交替结构的层数可以达到31层、32层、48层或49层。其中，衬底和外延层的材质均属于透光材质，而衬底和外延层的结构为本领域技术人员熟知，在此不再赘述。

基于此，参见图3，该方法包括：

步骤301、采用第一波长的可见光以第一入射角度照射LED芯片组的正面。

其中，LED芯片组包括若干LED芯片，LED芯片组的正面由各个LED芯片的反射层拼成。

具体地，步骤301可以在完成LED芯片的裂片制程后执行。在进行裂片制程时，整片晶圆附在蓝膜上，晶圆的反射层与蓝膜接触。在完成裂片制程之后，整片晶圆分裂为一粒粒LED芯片，每粒芯片通过反射层附着在蓝膜上。在本实施例中，可以将蓝膜上附着的一粒粒芯片作为LED芯片组，进行LED芯片的均匀性检测。LED芯片组的正面为蓝膜的表面。

具体地，采用图1示出的光源模块出射第一波长的可见光，第一波长的可见光以第一入射角度照射蓝膜的表面。

其中，第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，第一波段和第二波段分别是第一厚度的反射层和第二厚度的反射层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，第一厚度<第二厚度，LED芯片的反射层的厚度≤第二厚度，第一入射角度不小于第二入射角度，且第二厚度的膜层在受到第一波长的可见光以第一入射角度照射时将第一波长的可见光全反射。

在步骤301之前，预先确定相关参数，例如第一波长、第一入射角度、第一波段、第二波段、以及第二入射角度。首先，确定第二波段和第二入射角度。可以挑选一粒或多粒LED芯片，挑选出的LED芯片的反射层的厚度符合检验标准。在本实施例中，反射层的厚度大于第一厚度时符合检验标准。采用分光光度计测量挑选出的LED芯片的反射层的反射率。分光光度计出射的光的入射角默认为±5°。反射率为100％对应的光为反射层的全反射光。图4示出了分光光度计测量出的符合检验标准的32层的反射层的反射率。图4中，横坐标表示波长，单位为nm，纵坐标表示反射率，单位为％。可以看出，当光的入射角±5°时，符合检验标准的32层的反射层的全反射波段为420nm-650nm。因此，确定第二波段为420nm-650nm，第二入射角度为±5°。其次，确定第一波段。可以再挑选一粒或多粒反射层不符合检验标准的LED芯片。在本实施例中，LED芯片的反射层中有至少部分区域的厚度不大于第一厚度时，认为该LED芯片不符合检验标准。依旧采用分光光度计测量再次挑选的LED芯片的反射层的反射率。经过测量，当光的入射角±5°时，不符合标准的32层的反射层的全反射波段为420nm-630nm。因此，确定第一波段为420nm-630nm。然后，确定第一波长和第一入射角度。可以看出，第一波段在第二波段中的余集为630-650nm，该余集正好位于可见光的全波段内。那么，第一波长可以取630-650nm中任何一个波长。第一入射角度可以与第二入射角度相同，取±5°。

步骤302、拍摄LED芯片组的背面。

其中，LED芯片组的背面由各个LED芯片的外延层拼成。

具体地，将图1示出的摄像模块的镜头对准LED芯片组，以使摄像模块捕捉到在光源模块从蓝膜侧射出的光的照射下，LED芯片组的透光情形。

步骤303、根据拍摄得到的图像，确定各个LED芯片的反射层的厚度是否大于第一厚度。

本步骤303包括如下步骤。

步骤3031、从拍摄得到的图像中，提取出LED芯片组的背面的图像。

具体地，由于LED芯片组由整片晶圆裂片得到，LED芯片组整体上还是构成圆形。因此，可以通过轮廓识别的方式从拍摄得到的图形中，提取出LED芯片组的背面的图像。轮廓识别的方式为本领域技术人员熟知，在此不再赘述。

步骤3032、从LED芯片组的背面的图像中，提取出各个LED芯片的反射层的图像。

具体地，可以预先标定各个LED芯片在LED芯片组的背面的图像中的位置坐标。那么，可以根据预先标定的各个LED芯片的位置坐标，从LED芯片组的背面的图像中，划分出各个LED芯片的反射层的图像。

步骤3033、计算各个LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值。

具体地，灰阶值的计算方式为本领域技术人员熟知，在此不再赘述。

步骤3034、判断各个LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值是否大于预定灰阶值。

在当前LED芯片的反射层的图像中灰阶值大于预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定当前LED芯片的反射层的厚度大于第一厚度，该当前LED芯片符合检验标准。反之，在当前LED芯片的反射层的图像中灰阶值大于预定灰阶值的像素数量超过预定数量时，确定当前LED芯片的反射层的厚度不大于第一厚度，当前LED芯片不符合标准。

其中，在确定当前LED芯片的反射层的厚度不大于第一厚度之后，可以从LED芯片组中定位到当前LED芯片，并采用真空吸笔将定位出的当前LED芯片吸除。

具体地，可以预先标定蓝膜上附着的各个LED芯片的位置坐标，并建立各个LED芯片在蓝膜上的位置坐标与各个LED芯片在LED芯片组的图像上的位置坐标的对应关系。在确定当前LED芯片的反射层的厚度不大于第一厚度之后，首先，根据当前LED芯片在LED芯片组的图像上的位置坐标，获得当前LED芯片在蓝膜上的位置坐标。然后，控制机器人锁定当前LED芯片在蓝膜上的位置坐标，并控制机器人将锁定出的当前LED芯片吸除。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种膜层均匀性的检测装置，其特征在于，所述装置包括：

光源模块，用于出射第一波长的可见光，并使所述第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

摄像模块，用于拍摄所述待测膜层的背面；

处理模块，用于根据所述摄像模块拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述光源模块包括光源和调整单元，所述光源用于出射所述第一波长的可见光，所述调整单元用于调整所述第一波长的可见光的出射方向，使所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射所述待测膜层的正面。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述光源为发光二极管。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述摄像模块为电荷耦合元件相机。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理模块包括：

提取单元，用于从所述摄像模块拍摄得到的图像中，提取出所述待测膜层的背面的图像；

计算单元，用于计算所述待测膜层的背面的图像中各个像素的灰阶值；

判断单元，用于判断各个所述像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

确定单元，用于当灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述待测膜层的厚度大于所述第一厚度。

6.根据权利要求1-5中任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述待测膜层为透光器件上的镀层，所述透光器件具有一平整面，所述镀层覆盖在所述平整面上。

7.一种膜层均匀性的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一波长的可见光以第一入射角度照射待测膜层的正面；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的膜层和第二厚度的膜层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述待测膜层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的膜层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

拍摄所述待测膜层的背面；

根据拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据拍摄得到的图像，确定所述待测膜层中是否存在厚度不大于所述第一厚度的区域，包括：

从所述拍摄得到的图像中，提取出所述待测膜层的背面的图像；

计算所述待测膜层的背面的图像中各个像素的灰阶值；

判断各个所述像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

当灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述待测膜层的厚度大于所述第一厚度。

9.一种膜层均匀性的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一波长的可见光以第一入射角度照射发光二极管LED芯片组的正面；所述LED芯片组包括若干LED芯片，所述LED芯片包括衬底、外延层和反射层，所述外延层和所述反射层分别位于所述衬底的相反的两侧，所述LED芯片组的正面由各个所述LED芯片的反射层拼成；所述第一波长属于第一波段在第二波段中的余集，所述第一波段和所述第二波段分别是第一厚度的反射层和第二厚度的反射层在受到光以第二入射角度照射时的全反射波段，所述第一厚度<所述第二厚度，所述LED芯片的反射层的厚度≤所述第二厚度，所述第一入射角度不小于所述第二入射角度，且所述第二厚度的反射层在受到所述第一波长的可见光以所述第一入射角度照射时将所述第一波长的可见光全反射；

拍摄所述LED芯片组的背面，所述LED芯片组的背面由各个所述LED芯片的外延层拼成；

根据拍摄得到的图像，确定各个所述LED芯片的反射层的厚度是否大于所述第一厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据拍摄得到的图像，确定各个所述LED芯片的反射层的厚度是否大于所述第一厚度，包括：

从所述拍摄得到的图像中，提取出所述LED芯片组的背面的图像；

从所述LED芯片组的背面的图像中，提取出各个所述LED芯片的反射层的图像；

计算各个所述LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值；

判断各个所述LED芯片的反射层的图像中各个像素的灰阶值是否大于预定灰阶值；

在当前LED芯片的反射层的图像中灰阶值大于所述预定灰阶值的像素数量未超过预定数量时，确定所述当前LED芯片的反射层的厚度大于所述第一厚度。