KR101890663B1 - 막두께 분포 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 산출하고, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 제2 박막의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 산출하고, P1, P21의 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구하고, 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대를 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하고, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 제1 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법이다. 이에 따라, 2층의 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포를 반사 분광법을 이용하여, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.

Description

막두께 분포 측정 방법{METHOD FOR MEASURING FILM THICKNESS DISTRIBUTION}
본 발명은, 반도체 디바이스에 사용되는 2층의 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 관한 것이다.
최근, 디자인 룰(デザインル―ル)의 미세화에 수반하여, FD-SOI(Fully Depleted SOI) 디바이스, FinFET 디바이스, Si 나노와이어 트랜지스터 등의 SOI 디바이스에 이용되는, 특히 높은 막두께 균일성이 요구되는 극박막의 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼가 사용되기 시작하였다. 이들 디바이스에 있어서, SOI 막두께 및 매립 산화막(BOX막) 두께의 균일성이 트랜지스터의 특성을 결정하는 데 있어서 중요한 항목으로 되어 있다.
기판의 표면에 박막을 갖는, 이와 같은 박막 부착 웨이퍼의 박막의 막두께 분포를 산출하는 현유(現有)의 막두께 측정 방법은, 분광 엘립소법(エリプソ法), 반사 분광법에 의한 포인트마다의 막두께 측정이 일반적이지만, 웨이퍼 전면(全面)을 고 스루풋(スル―プット)이면서 고 정밀도(精度)로 막두께 분포 측정이 가능한 막두께 분포 측정 장치는 시판되고 있지 않다.
분광 엘립소법, 반사 분광법에 의한 포인트 측정에 있어서는, 각 측정점마다, 어느 한 파장범위(일반적으로는, 가시광역)의 스펙트럼을 취하고, 그 스펙트럼에 대하여 모델 막구조에 피팅(フィッティング)함으로써 각 측정점의 막두께를 구하고 있다. 따라서, 웨이퍼 전면을 고 스루풋이면서 고 정밀도로 측정을 행하고자 하면, 측정점수가 극단적으로 증가하기 때문에, 계산량과 시간의 제약으로부터 현실적으로 측정 불가능하다.
또한 스펙트럼 측정을 행하기 위해서는, 넓은 파장범위의 파장영역이 필요하기 때문에, 공간 분해능을 높여 다점 막두께 측정을 행하는 것이 사실상 불가능하다.
이와 같이, SOI 웨이퍼 등의 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포의 측정을 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 행하는 것이 과제가 되고 있다.
한편, 특허문헌 1에는, 반사 분광법에 의해 자외파장역의 2파장의 광을 사용하여, SOI층과 BOX층의 2층을 동시에 측정하는 방법이 기재되어 있다.
특허문헌 2에는, SOI에 백색광을 조사하고, 반사광을 각 파장별로 분광하고, 파장별 간섭 정보로부터 SOI층 막두께를 산출하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 3에는, 기판 상에 복수의 층이 형성된 피측정물의 막두께를 보다 높은 정밀도로 측정하는 것을 목적으로 하고, 주로 적외대역에 파장성분을 갖는 광원을 이용하여, 각 파장에서의 이론반사율(스펙트럼)을 반복 산출하고, 측정 대상의 막두께를 피팅에 의해 결정하는 방법이 기재되어 있다.
일본특허공개 H7-55435호 공보 일본특허공개 2002-343842호 공보 일본특허공개 2010-2327호 공보
본 발명은 상기 서술한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포를 반사 분광법을 이용하여, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있는 막두께 분포 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 산출한 두 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)(=P21-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구하는 공정과, 상기 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대(波長帶)를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과, (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제1 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법이 제공된다.
이와 같은 막두께 분포 측정 방법이라면, 제2 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정을 행할 수 있고, 제1 박막의 막두께 분포를, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.
이때, 상기 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, 상기 파장대를 파장(λ1)±50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다.
이렇게 한다면, 제2 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있고, 제1 박막의 막두께 분포를 확실하게 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 설정 막두께(T1)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제1 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P22)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 산출한 두 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)(=P22-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)을 구하는 공정과, 상기 구한 파장(λ2)을 포함하는 파장대를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과, (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법이 제공된다.
이와 같은 막두께 분포 측정 방법이라면, 제1 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정을 행할 수 있고, 제2 박막의 막두께 분포를, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.
이때, 상기 구한 파장(λ2)을 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, 상기 파장대를 파장(λ2)±50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다.
이렇게 한다면, 제1 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있고, 제2 박막의 막두께 분포를 확실하게 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 산출한 두 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)(=P21-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구하는 공정과, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 설정 막두께(T1)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제1 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P22)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과, 상기 산출한 두 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)(=P22-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)을 구하는 공정과, 상기 구한 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과, (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법이 제공된다.
이와 같은 막두께 분포 측정 방법이라면, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정을 행할 수 있고, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.
이때, 상기 구한 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, λ1<λ2인 경우에는, 상기 파장대를 파장(λ1)-50[nm] 내지 파장(λ2)+50[nm]의 범위 내에서 선택하고, λ1>λ2인 경우에는, 상기 파장대를 파장(λ2)-50[nm] 내지 파장(λ1)+50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다.
이렇게 한다면, 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있고, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 확실하게 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
또한 이때, 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼를 SOI 웨이퍼로 하고, 상기 제1 박막을 매립 산화막으로 하고, 상기 제2 박막을 실리콘 단결정으로 이루어진 SOI층으로 할 수 있다.
이와 같이, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼로서, 매립 산화막 및 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼를 이용할 수 있다. SOI층 막두께와 매립 산화막의 막두께의 조합에 따라 적절한 파장을 선택함으로써, SOI 웨이퍼의 박막의 막두께 분포를 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.
본 발명에서는, 상기한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1), 또는 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2), 혹은 이들 두 파장을 포함하는 파장대를 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 있어서 측정 대상으로 하는 광의 파장대로서 선택하여 막두께 분포를 측정하므로, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정을 행할 수 있고, 제1 박막과 제2 박막의 막두께 분포를 각각 단독으로, 또는 동시에, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다. 이에 따라, 막두께의 피팅 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 막두께 분포 측정 방법의 공정을 나타내는 플로우도이다.
도 2는, 본 발명의 막두께 분포 측정 방법에서 사용할 수 있는 광학적 검사 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 실시예 1-3에서 산출한 각 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 4는, SOI 웨이퍼에 있어서 산출한 각 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는, SOI 웨이퍼에 있어서 산출한 각 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은, SOI 웨이퍼에 있어서 산출한 각 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은, SOI 웨이퍼에 있어서 산출한 각 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은, GeOI 웨이퍼에 있어서 산출한 각 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는, 실시예 3, 비교예 3에서 평가한 SOI층 및 매립 산화막의 막두께 맵(マップ)을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명에 대하여 실시의 형태를 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
종래, SOI 웨이퍼 등의 2층의 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서, 측정을 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 행하는 것이 과제가 되고 있다.
이에, 본 발명자는 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 제1 박막 및 제2 박막에 막두께 변동이 있더라도, 광을 조사했을 때에 그 광의 반사율을 변동시키지 않는 파장이 제1 박막과 제2 박막의 각각에 대하여 존재하고, 이러한 파장은 박막 부착 웨이퍼의 설정 막두께 사양마다 상이한 것을 발견하였다. 나아가, 이 파장을 중심으로 한 소정 범위의 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정한다면, 막두께 분포를 실용적인 높은 스루풋이면서 고 정밀도로 측정할 수 있고, 막두께의 피팅 정밀도를 향상시킬 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
도 1은 본 발명의 막두께 분포 측정 방법의 공정을 나타내는 플로우도이다.
본 발명의 막두께 분포 측정 방법의 측정 대상은, 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼이다. 예를 들어, 이 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 예로서, 실리콘 기판 위에 매립 산화막(BOX막)이 형성되고, 그 위에 실리콘 단결정으로 이루어진 SOI층이 형성된 SOI 웨이퍼를 들 수 있다. 여기에서는, 박막 부착 웨이퍼를 이와 같은 SOI 웨이퍼로 한 경우를 예로서 설명한다.
여기서, SOI 웨이퍼의 제조시에 각각 설정한, 매립 산화막의 설정 막두께를 T1[nm], SOI층의 설정 막두께를 T2[nm]로 한다.
본 발명의 막두께 분포 측정 방법에서는, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 선택하고, 그 선택한 파장대의 광을 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시의 해석 대상으로 한다. 이 파장대를 선택하기 위하여 이하에 나타내는 공정을 실시한다. 먼저, 제1 박막, 즉 매립 산화막의 막두께 분포만을 측정하는 경우에 대하여 설명한다.
우선, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출한다(도 1의 A 참조).
다음에, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 제2 박막, 즉 SOI층의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 시뮬레이션에 의해 산출한다(도 1의 B 참조). 여기서, t의 값은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 1nm 정도로 할 수 있다.
도 3(A)는, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 SOI층의 설정 막두께(T2)가 12nm, 매립 산화막의 설정 막두께(T1)가 25nm인 경우의 프로파일(P1)과, 그 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 SOI층보다 SOI층이 1nm 두꺼워진, 즉, SOI층의 설정 막두께(T2)가 13nm, 매립 산화막의 설정 막두께(T1)가 25nm인 SOI 웨이퍼의 프로파일(P21)의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3(A)에 나타내는 바와 같이, SOI층의 두께를 변경함으로써 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1, P21)이 변하고 있다.
다음에, 시뮬레이션에 의해 산출한 두 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)(=P21-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구한다(도 1의 C 참조). 여기서, 프로파일(P31)은, P1과 P21 간의 반사율차의 파장 의존성을 나타내는 프로파일이다.
도 3(C)에는, 도 3(A)에 나타낸 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)이 나타나 있다. 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 이 경우의 프로파일(P31)이 제로가 될 때, 즉 반사율차가 제로가 될 때의 파장(λ1)은 608nm이다.
도 4(C)-도 7(C)에는, 도 3(C)의 경우와 상이한 설정 막두께의 SOI층과 매립 산화막을 갖는 SOI 웨이퍼인 경우의 차의 프로파일(P31)이 나타나 있는데, 이 경우, 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장이 복수개 있을 때에는, 구하는 파장(λ1)으로서, 막두께 분포 측정에서 이용하는 장치의 검출계의 S/N비가 크게 얻어지는 파장으로 한다. 통상, 500~700nm에 가까운 파장으로 한다면 고감도로의 측정이 가능해진다.
다음에, 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대를 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택한다(도 1의 D 참조).
여기서, 파장대를 파장(λ1)±50nm의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다. 이렇게 한다면, 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있다.
도 3(C)에 나타내는 프로파일(P31)의 예에서는, 파장 608nm의 ±50nm의 범위 내(558~658nm)에서 608nm를 포함하는 파장대를 선택한다.
본 발명의 막두께 분포 측정 방법에 있어서, 이 파장대의 선택은 매회 실시할 필요는 없으며, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 SOI층 두께 및 매립 산화막 두께의 조합에 따라 적절한 파장대를 상기한 공정에 의해 사전에 선택해 둘 수 있다. 이와 같이 사전에 파장대를 선택해 둔다면 막두께 분포 측정의 시간을 단축할 수 있다.
다음에, 이렇게 하여 선택한 파장대를 이용하고, 반사 분광법에 의해 이하와 같이 매립 산화막의 막두께 분포를 측정한다(도 1의 E 참조).
측정 대상인 SOI 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 SOI 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 매립 산화막의 막두께 분포를 측정한다. 이때 SOI 웨이퍼의 표면에 조사하는 광의 파장대는, 가시광이 넓은 파장대로 할 수 있다. 반사광 중 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하는 방법으로는, 해석 소프트웨어를 이용하는 방법이 있다. 이 방법이라면, 복잡한 측정 방법이나 장치를 이용할 필요도 없고, 간편하게 실시할 수 있으므로, 실용성이 높다.
혹은, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 표면에 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 SOI 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 매립 산화막의 막두께 분포를 측정해도 된다. SOI 웨이퍼의 표면에 선택한 파장대의 광을 조사하는 방법으로서, 예를 들어 도 2에 나타내는 바와 같은 광학 현미경 장치를 이용하여 실시할 수 있다.
도 2에 나타내는 광학 현미경 장치(2)에는 밴드패스(バンドパス) 필터(4)가 부착되어 있으며, 광원(3)으로부터의 광을 밴드패스 필터(4)에 의해 선택한 파장대의 광만을 통과시키도록 필터링하여, SOI 웨이퍼(1)의 표면에 조사할 수 있다. 이렇게 한다면, 막두께 분포의 측정 정밀도를 보다 높일 수 있다.
혹은, 밴드패스 필터(4)를, 예를 들어 어쿠스틱(アコ―スティック) 필터, 액정 필터, 파장 가변 레이저로 변경하여 조사하는 광의 필터링을 행하도록 할 수도 있다.
또한, 광원으로 파장대를 설정할 수도 있고, 여러가지 레이저(LD, 가스 레이저, 고체 레이저, 파장 가변 레이저), 발광 다이오드(LED), 액정 표시 장치(LCD) 등을 이용할 수도 있다. 또한, 간이적(簡易的)으로는 컬러 카메라의 RGB 신호 중 1개의 신호를 이용할 수도 있다.
상기와 같이 하여 측정한 반사광 강도 분포로부터 제1 박막의 막두께 분포를 얻을 수 있다.
이하, 제2 박막, 즉 SOI층의 막두께 분포만을 측정하는 경우에 대하여 설명한다. 여기서 특별히 기재하지 않는 사항은 기본적으로 상기한 매립 산화막의 막두께 분포를 측정하는 경우와 동일하다.
상기와 동일하게 프로파일(P1)을 산출한 후(도 1의 A 참조), 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 매립 산화막의 설정 막두께(T1)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P22)을 시뮬레이션에 의해 산출한다(도 1의 B 참조).
도 3(B)는, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 SOI층의 설정 막두께(T2)가 12nm, 매립 산화막의 설정 막두께(T1)가 25nm인 경우의 프로파일(P1)과, 그 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 매립 산화막보다 매립 산화막이 1nm 두꺼워진, 즉, 매립 산화막의 설정 막두께(T1)가 26nm, SOI층의 설정 막두께(T2)가 12nm인 SOI 웨이퍼의 프로파일(P22)의 일례를 나타내는 도면이다.
다음에, 시뮬레이션에 의해 산출한 두 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)(=P22-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)을 구한다(도 1의 C 참조).
도 3(C)에는, 도 3(B)에 나타낸 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)이 나타나 있다. 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 이 경우의 프로파일(P32)이 제로가 될 때, 즉 반사율차가 제로가 될 때의 파장(λ2)은 535nm이다.
다음에, 구한 파장(λ2)을 포함하는 파장대를 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택한다(도 1의 D 참조). 여기서, 파장대를 파장(λ2)±50nm의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다. 이렇게 한다면, 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있다.
도 3(C)에 나타내는 프로파일(P32)의 예에서는, 파장 535nm의 ±50nm의 범위 내(485~585nm)에서 535nm를 포함하는 파장대를 선택한다.
다음에, 선택한 파장대를 이용하고, 반사 분광법에 의해 SOI층의 막두께 분포를 측정한다(도 1의 E 참조).
또한, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 동시에 측정하는 경우에는, 상기와 동일하게, 프로파일(P1, P21, P22, P31, P32)을 산출하여, 파장(λ1, λ2)을 구한다.
도 3(A)(B)에 나타내는 예에서는, λ1은 608nm, λ2는 535nm이다.
다음에, 구한 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대를 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택한다. 여기서, 구한 파장 λ1 및 λ2가 λ1<λ2인 경우에는, 파장대를 파장(λ1)-50nm 내지 파장(λ2)+50nm의 범위 내에서 선택하고, λ1>λ2인 경우에는, 파장대를 파장(λ2)-50nm 내지 파장(λ1)+50nm의 범위 내에서 선택하는 것이 바람직하다. 이렇게 한다면, 박막의 막두께 변동에 대하여 반사율이 변동하지 않는 파장대를 보다 확실하게 선택할 수 있다.
도 3(C)에 나타내는 예에서는, λ1>λ2이고, 파장대를 파장 535nm-50nm 내지 파장 608nm+50nm의 범위 내(485~658nm)에서 535nm 및 608nm를 포함하는 파장대를 선택한다. 여기서, 예를 들어 535nm~608nm의 파장대를 선택하면, 그 파장대의 범위에서는 SOI 막두께의 막두께 증가와 매립 산화막의 막두께 증가에서 반사율의 변화가 반대가 되므로 측정 정밀도가 향상된다.
그 후, 이 선택한 파장대를 이용하고, 반사 분광법에 의해 매립 산화막의 막두께 분포를 측정한다.
이상과 같은 본 발명의 막두께 분포 측정 방법이라면, 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼에 광을 조사했을 때에, 제1 박막 및 제2 박막에 막두께 변동이 있다 하더라도, 반사율이 변동하지 않는 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 막두께 분포 측정을 실시할 수 있으므로, 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있다.
도 4~도 7에, 다른 설정 막두께 사양의 SOI 웨이퍼에 있어서 시뮬레이션에 의해 산출한 프로파일(P1, P21, P22, P31, P32)의 예를 나타낸다. 도 8에, 제1 박막이 매립 산화막, 제2 박막이 GeOI(Germanium On Insulator)층인 GeOI 웨이퍼에 있어서 시뮬레이션에 의해 산출한 프로파일(P1, P21, P22, P31, P32)의 예를 나타낸다. 표 1에 이들 웨이퍼의 설정 막두께 사양을 나타낸다.
Figure 112014060220784-pct00001
이와 같이, 다양한 설정 막두께 사양의 박막 부착 웨이퍼 각각에 대하여, 차의 프로파일(P31, P32)이 제로가 될 때의 파장이 존재한다. 상기한 바와 같이, 이 파장의 광을 박막 부착 웨이퍼에 조사했을 때에 그 광의 반사율은 변동되지 않는다. 그러므로, 이 파장을 중심으로 한 소정 범위의 파장대의 광을 이용하여 반사 분광법에 의해 측정한다면, 막두께 분포를 실용적인 높은 스루풋이면서 고 정밀도로 측정할 수 있다.
따라서, FD-SOI 디바이스 등에서 요구되는 높은 막두께 분포 균일성의 SOI층, BOX층을 갖는 웨이퍼의 공정관리, 품질관리가 가능해진다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
도 1에 나타내는 바와 같은 본 발명의 막두께 분포 측정 방법에 의해, 직경 300mm의 SOI 웨이퍼의 매립 산화막(BOX층)의 막두께 분포를 측정하고, 피팅 정밀도를 평가하였다.
여기서, 측정 대상인 SOI 웨이퍼의 SOI층의 설정 막두께를 12nm, 매립 산화막의 설정 막두께는 25nm였다. 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시의 조건으로서, 측정 포인트를 1mm 피치에 따른 전면 측정으로 하고, 주변 제외 영역을 3mm로 하였다. 한편, 피팅 정밀도는 95% 신뢰구간에 기초한 측정 정밀도이다.
우선, 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에 이용하는 파장대를 선택하기 위하여, 프로파일(P1, P21, P31)을 산출하였다. 여기서, P21의 산출에 있어서, t의 조건을 1nm만큼 두꺼운 조건(SOI층의 설정 막두께가 13nm)으로 하였다. 산출한 P1, P21을 도 3(A)에, P31을 도 3(C)에 나타낸다. 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)은 608nm였으며, 파장(λ1)을 포함하는 파장대 598~618nm를 선택하였다.
다음에, 측정 대상인 SOI 웨이퍼에 파장대 400~800nm의 가시광을 조사하고, 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 매립 산화막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하였다.
결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 피팅 정밀도는 후술하는 비교예 1에 비해 대폭 개선되었으며, 분광 엘립소법의 정밀도와 동등 이상(최대값에 있어서 0.11nm 이하의 정밀도)이 얻어졌다. 또한, 측정에 걸린 시간은, 통상의 반사 분광법과 동등한 1분 이하였다.
(실시예 2)
도 1에 나타내는 바와 같은 본 발명의 막두께 분포 측정 방법에 의해, 실시예 1과 동일한 조건의 SOI 웨이퍼의 SOI층의 막두께 분포를 측정하고, 피팅 정밀도를 평가하였다.
우선, 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에 이용하는 파장대를 선택하기 위하여, 프로파일(P1, P22, P32)을 산출하였다. 여기서, P22의 산출에 있어서, t의 조건을 1nm만큼 두꺼운 조건(매립 산화막의 설정 막두께가 26nm)으로 하였다. 산출한 P1을 도 3(A)에, P22를 도 3(B)에, P32를 도 3(C)에 나타낸다. 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)은 535nm였으며, 파장(λ2)을 포함하는 파장대 525~545nm를 선택하였다.
다음에, 측정 대상인 SOI 웨이퍼에 파장대 400~800nm의 가시광을 조사하고, 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 매립 산화막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하였다. 다른 조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.
결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 피팅 정밀도는 후술하는 비교예 2에 비해 대폭 개선되었으며, 분광 엘립소법의 정밀도와 동등 이상(최대값에 있어서 0.11nm 이하의 정밀도)이 얻어졌다. 또한, 측정에 걸린 시간은, 통상의 반사 분광법과 동등한 1분 이하였다.
(실시예 3)
도 1에 나타내는 바와 같은 본 발명의 막두께 분포 측정 방법에 의해, 실시예 1과 동일한 조건의 SOI 웨이퍼의 SOI층 및 매립 산화막의 막두께 분포를 동시에 측정하고, 피팅 정밀도를 평가하였다.
우선, 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에 이용하는 파장대를 선택하기 위하여, 프로파일(P1, P21, P22, P31, P32)을 산출하였다. 여기서, P21의 산출에 있어서, t의 조건을 1nm만큼 두꺼운 조건(SOI층의 설정 막두께가 13nm)으로 하고, P22의 산출에 있어서, t의 조건을 1nm만큼 두꺼운 조건(매립 산화막의 설정 막두께가 26nm)으로 하였다. 산출한 P1, P21을 도 3(A)에, P22를 도 3(B)에, P31, P32를 도 3(C)에 나타낸다. 프로파일(P31, P32)이 제로가 될 때의 파장(λ1, λ2)은 각각 608nm, 535nm였으며, 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대 535~610nm를 선택하였다.
다음에, 측정 대상인 SOI 웨이퍼에 파장대 400~800nm의 가시광을 조사하고, 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 매립 산화막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하였다. 다른 조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.
결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 피팅 정밀도는 후술하는 비교예 3에 비해 대폭 개선되었으며, 분광 엘립소법의 정밀도와 동등 이상(최대값에 있어서 0.11nm 이하의 정밀도)이 얻어졌다. 또한, 측정에 걸린 시간은, 통상의 반사 분광법과 동등한 1분 이하였다.
실시예 1-3의 측정 포인트에서 분광 엘립소법에 의한 측정을 행하기 위해서는, 측정 정밀도가 나쁜 조건, 예를 들어 1점 2초로 측정하였다고 해도 30시간 이상을 필요로 하므로 비현실적이다.
(비교예 1)
반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에, 조사한 파장대 400~800nm의 가시광에 대하여 그 파장대 전체의 반사광을 측정 대상으로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 SOI 웨이퍼의 매립 산화막의 막두께 분포를 측정하고, 실시예 1과 동일하게 평가하였다.
그 결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1에 비해 피팅 정밀도가 대폭 악화되었다.
(비교예 2)
반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에, 조사한 파장대 400~800nm의 가시광에 대하여 그 파장대 전체의 반사광을 측정 대상으로 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 조건으로 SOI 웨이퍼의 SOI층의 막두께 분포를 측정하고, 실시예 2와 동일하게 평가하였다.
그 결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 2에 비해 피팅 정밀도가 대폭 악화되었다.
(비교예 3)
반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정시에, 조사한 파장대 400~800nm의 가시광에 대하여 그 파장대 전체의 반사광을 측정 대상으로 한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 조건으로 SOI 웨이퍼의 SOI층 및 매립 산화막의 막두께 분포를 측정하고, 실시예 3과 동일하게 평가하였다.
그 결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 3에 비해 피팅 정밀도가 대폭 악화되었다.
Figure 112014060220784-pct00002
도 9에 실시예 3, 비교예 3에서 측정한 SOI층 및 매립 산화막의 막두께 맵을 나타낸다. 도 9에 나타내는 바와 같이, SOI층의 막두께 맵에서는 양쪽 모두 SOI층의 막두께 불균일을 나타내는 줄무늬가 관찰되고 있지만, 이는 실제의 SOI층의 막두께 불균일을 나타내고 있다. 한편, 매립 산화막(BOX층)의 막두께 맵에서, 비교예 3에 보이는 줄무늬는 SOI층의 막두께 불균일에 영향을 받아 생겨난 것으로, 실제의 막두께 불균일을 나타내는 것이 아니라, 측정 정밀도가 나빠서 생긴 것이다. 이에 반해, 실시예 3에서는, SOI층의 막두께 불균일에 영향을 받는 일 없이, 정밀도 좋게 매립 산화막의 막두께 분포를 측정할 수 있으므로, 줄무늬는 관찰되지 않는다.
이상으로부터, 본 발명의 막두께 분포 측정 방법은, 박막 부착 웨이퍼의 막두께 분포를 반사 분광법을 이용하여, 고밀도로 정밀도 좋게, 또한 단시간에 측정할 수 있고, 피팅 정밀도를 향상시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시일 뿐이고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용 효과를 나타내는 것이라면 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (7)

  1. 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 산출한 두 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)(=P21-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구하는 공정과,
    상기 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과,
    (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제1 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구한 파장(λ1)을 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, 상기 파장대를 파장(λ1)±50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  3. 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 설정 막두께(T1)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제1 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P22)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 산출한 두 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)(=P22-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)을 구하는 공정과,
    상기 구한 파장(λ2)을 포함하는 파장대를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과,
    (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 구한 파장(λ2)을 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, 상기 파장대를 파장(λ2)±50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  5. 기판의 표면 상에 형성된 제1 박막과, 이 제1 박막의 표면 상에 형성된 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 막두께 분포 측정 방법에 있어서,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 가시광의 파장 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제2 박막의 설정 막두께(T2)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제2 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P21)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 산출한 두 프로파일(P1, P21)의 차의 프로파일(P31)(=P21-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P31)이 제로가 될 때의 파장(λ1)을 구하는 공정과,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 상기 제1 박막의 설정 막두께(T1)보다 t[nm]만큼 얇거나, 두꺼운 제1 박막을 갖는 박막 부착 웨이퍼의 가시광 이상의 파장영역의 광에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P22)을 시뮬레이션에 의해 산출하는 공정과,
    상기 산출한 두 프로파일(P1, P22)의 차의 프로파일(P32)(=P22-P1)을 산출하고, 이 산출한 차의 프로파일(P32)이 제로가 될 때의 파장(λ2)을 구하는 공정과,
    상기 구한 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대를 상기 반사 분광법에 의한 막두께 분포 측정에 이용하는 광의 파장대로서 선택하는 공정과,
    (1) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 중 상기 선택한 파장대의 반사광만을 측정 대상으로 하여, 또는, (2) 상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼의 표면에 상기 선택한 파장대의 광을 조사하고, 이 박막 부착 웨이퍼의 표면으로부터의 반사광 전체를 측정 대상으로 하여, 상기 제1 박막 및 제2 박막의 막두께 분포를 반사 분광법에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 구한 파장 λ1 및 λ2를 포함하는 파장대를 선택하는 공정에 있어서, λ1<λ2인 경우에는, 상기 파장대를 파장(λ1)-50[nm] 내지 파장(λ2)+50[nm]의 범위 내에서 선택하고, λ1>λ2인 경우에는, 상기 파장대를 파장(λ2)-50[nm] 내지 파장(λ1)+50[nm]의 범위 내에서 선택하는 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정 대상인 박막 부착 웨이퍼가 SOI 웨이퍼이고, 상기 제1 박막이 매립 산화막이고, 상기 제2 박막이 실리콘 단결정으로 이루어진 SOI층인 것을 특징으로 하는 막두께 분포 측정 방법.
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