CN103875070A - 电子部件封装体、电子部件封装体用密封构件、及上述电子部件封装体用密封构件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子部件封装体、电子部件封装体用密封构件、及上述电子部件封装体用密封构件的制造方法，在基座（4）上形成有将基材的两主面（42、43）之间贯穿的贯穿孔（49），在贯穿孔（49）的内侧面（491）中包含向贯穿孔（49）的宽度方向外侧鼓出的曲面（495）。
Description
技术领域
本发明涉及通过多个密封构件而将电子部件元件的电极密封的电子部件封装体、作为电子部件封装体的密封构件而使用的电子部件封装体用密封构件、及上述电子部件封装体用密封构件的制造方法。
背景技术
压电振荡器件等电子部件的封装体（以下，称为电子部件封装体）的内部空间被气密密封，以防止搭载于该内部空间中的电子部件元件的电极的特性劣化。
作为这种电子部件封装体，存在由基座和盖这两个密封构件构成、且其壳体构成为长方体的封装体的电子部件封装体。在这样的电子部件封装体的内部空间中，压电振荡片等电子部件元件保持接合在基座上。而且，通过将基座和盖接合，而将电子部件封装体的内部空间中的电子部件元件的电极气密密封。
例如，在专利文献1所公开的晶体部件（本发明中所说的电子部件）中，在由基座和盖构成的电子部件封装体的内部空间中气密密封有晶体片。在这样的晶体部件的基座上，设有将构成基座的基材贯穿的贯穿孔，在该贯穿孔的内侧面上，形成有由Cr－Ni－Au等的多层金属膜形成的布线用金属。进而，在贯穿孔中熔接AuGe等的合金，由此，确保电子部件封装体的内部空间的气密性。
专利文献1：日本特开平6－283951号公报
发明内容
然而，上述专利文献1所记载的形成在基座上的贯穿孔将两主面之间贯穿而形成。该贯穿孔的内侧面相对于基座的一主面及另一主面倾斜，整个内侧面形成为锥状（taper状）。因此，在贯穿孔中，位于基座的另一主面侧的、贯穿孔的另一端开口端的直径最大，位于基座的一主面侧的、贯穿孔的一端开口端的直径最小。或者，位于基座的一主面侧的、贯穿孔的一端开口端的直径最大，位于基座的另一主面侧的、贯穿孔的另一端开口端的直径最小。
现今，电子部件封装体的小型化不断发展，而且，在专利文献1所记载的整个内侧面形成为锥状的贯穿孔中，在基座的两主面的一方（一主面或另一主面）上形成的开口端（一端开口端或另一端开口端），比在另一方（另一主面或一主面）上形成的开口端（另一端开口端或一端开口端）大。因此，形成在基座的两主面的一方上的贯穿孔的开口端，在基座的两主面的一方上所占据的占有面积增大，从而难以设计两主面的一方中的包含必须端子的电极图案。
因此，为了解决上述课题，本发明的目的在于，提供一种在电子部件封装体用密封构件的主面上，开口端所占据的占有面积小的电子部件封装体用密封构件、电子部件封装体、及电子部件封装体用密封构件的制造方法。
为了实现上述目的，本发明的电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的上述密封构件而使用，其特征在于，形成有将构成该电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿的贯穿孔，在上述贯穿孔的内侧面中包含向上述贯穿孔的宽度方向外侧鼓出的曲面。
根据本发明，在上述贯穿孔的内侧面中包含向上述贯穿孔的宽度方向外侧鼓出的曲面，因此，相对于上述现有技术那样的整个内侧面形成为锥形的贯穿孔，即使缩窄上述贯穿孔的两方的开口端的宽度也能够形成贯穿孔。其结果是，能够缩小上述贯穿孔的开口端，从而能够减小开口端在电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积。另外，根据本发明，在上述贯穿孔的内侧面中包含上述曲面，因此，能够对填充于上述贯穿孔中的构件产生固着效果（anchor effect）。特别是，基于曲面的固着效果比基于平坦面的固着效果更有效。
另外，为了实现上述目的，本发明的电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的上述密封构件而使用，其特征在于，形成有将构成上述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿的贯穿孔，在上述贯穿孔的内侧面中包含曲面，该曲面由从上述贯穿孔的孔内的预先设定的基准点呈放射状地扩展的点的集合体构成，上述预先设定的基准点具有多个，上述多个基准点位于一个面上。
根据本发明，在上述贯穿孔的内侧面中包含曲面，该曲面由从上述贯穿孔的孔内的预先设定的基准点呈放射状地扩展的点的集合体构成，上述预先设定的基准点具有多个，上述多个基准点位于一个面上，因此，相对于上述现有技术那样的整个内侧面形成为锥形的贯穿孔，即使缩窄上述贯穿孔的两方的开口端的宽度也能够形成贯穿孔。其结果是，能够缩小上述贯穿孔的开口端，从而能够减小开口端在该电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积。另外，根据本发明，在上述贯穿孔的内侧面中包含上述曲面，因此，能够对填充于上述贯穿孔中的构件产生固着效果。特别是，基于曲面的固着效果比基于平坦面的固着效果更有效。
在上述结构中，可以是，在上述贯穿孔的内侧面上形成有向孔内突出的多个突起部，上述突起部的突起端缘是上述曲面的端缘。
在该情况下，由于在上述贯穿孔的内侧面上形成有多个突起部，且上述突起部的突起端缘是上述曲面的端缘，所以能够通过上述突起端缘及上述曲面而高效率地对填充在上述贯穿孔中的构件产生固着效果。
在上述结构中，可以是，上述多个突起部之间的上述贯穿孔的内侧面由上述曲面形成。
在该情况下，由于在上述多个突起部之间形成上述曲面，所以相对于与上述基材的两主面正交的正交方向（两方向），能够通过上述多个突起部及上述曲面而产生固着效果。
在上述结构中，可以是，上述贯穿孔的内侧面仅由上述曲面形成。
在该情况下，由于上述贯穿孔的内侧面仅由上述曲面形成，所以不仅能够减小开口端在该电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积，还能够通过上述曲面抑制填充在上述贯穿孔中的构件从上述基材的两主面漏出。
在上述结构中，可以是，在上述贯穿孔的内侧面中包含锥状的平坦面，与上述基材的一主面连续地形成上述曲面，与上述基材的另一主面连续地形成锥状的平坦面，与上述平坦面连续地形成上述曲面。
在该情况下，由于与上述基材的一主面连续地形成上述曲面，与上述基材的另一主面连续地形成锥状的平坦面，与上述平坦面连续地形成上述曲面，所以不仅能够减小开口端在该电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积，还能够通过上述曲面抑制填充在上述贯穿孔中的构件从上述基材的两主面漏出。另外，由于与上述基材的另一主面连续地形成锥状的平坦面，所以通过从上述平坦面向上述贯穿孔填充填充物，能够容易地向上述贯穿孔填充填充物。
在上述结构中，可以是，在上述贯穿孔的内侧面中包含锥状的第1平坦面和锥状的第2平坦面，与上述基材的一主面连续地形成锥状的第1平坦面，与上述第1平坦面连续地形成上述曲面，与上述基材的另一主面连续地形成锥状的第2平坦面，与上述第2平坦面连续地形成上述曲面。
在该情况下，由于与上述基材的一主面连续地形成锥状的第1平坦面，与上述第1平坦面连续地形成上述曲面，与上述基材的另一主面连续地形成锥状的第2平坦面，与上述第2平坦面连续地形成上述曲面，所以不仅能够减小开口端在该电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积，还能够容易地从上述第1平坦面或上述第2平坦面向上述贯穿孔填充填充物。
在上述结构中，可以是，上述曲面形成有多个。
在该情况下，能够缩窄上述贯穿孔的两方的开口端的宽度。
另外，为了实现上述目的，本发明的电子部件封装体通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封，其特征在于，至少一个上述密封构件为本发明的电子部件封装体用密封构件。
根据本发明，由于至少一个上述密封构件为本发明的电子部件封装体用密封构件，所以具有上述的基于本发明的电子部件封装体用密封构件实现的作用效果。
另外，为了实现上述目的，在本发明的电子部件封装体用密封构件的制造方法中，该电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的上述密封构件而使用，该电子部件封装体用密封构件的制造方法的特征在于，具有形成贯穿孔的形成工序，该贯穿孔将构成上述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿，上述形成工序包括：作为上述贯穿孔的内侧面的一部分而形成平坦面的第1形成工序；和在上述第1形成工序后，作为上述贯穿孔的内侧面的一部分而形成曲面的第2形成工序，在上述第1形成工序中，通过湿法蚀刻而在上述基材上形成使内侧面为锥面的凹部，在上述第2形成工序中，以上述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻而形成上述曲面，使在上述第1形成工序中形成的上述凹部的内侧面的至少一部分为上述贯穿孔的内侧面。
根据本发明，具有包含上述第1形成工序和上述第2形成工序的上述形成工序，上述第1形成工序中，通过湿法蚀刻而在上述基材上形成使内侧面为锥面的凹部，在上述第2形成工序中，以上述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻而形成上述曲面，使在上述第1形成工序中形成的上述凹部的内侧面的至少一部分为上述贯穿孔的内侧面，因此，相对于上述现有技术那样的整个内侧面形成为锥形的贯穿孔，即使缩窄上述贯穿孔的两方的开口端的宽度也能够形成贯穿孔。其结果是，能够缩小上述贯穿孔的开口端，从而能够减小开口端在电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积。
另外，为了实现上述目的，在本发明的电子部件封装体用密封构件的制造方法中，上述电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的上述密封构件而使用，该电子部件封装体用密封构件的制造方法的特征在于，具有形成贯穿孔的形成工序，上述贯穿孔将构成该电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿，上述形成工序包含作为上述贯穿孔的内侧面而形成曲面的第3形成工序，在上述第3形成工序中，通过湿法蚀刻在上述基材上形成具有底面的凹部，以上述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻形成上述曲面。
根据本发明，具有包含上述第3形成工序的上述形成工序，在上述第3形成工序中，通过湿法蚀刻在上述基材上形成具有底面的凹部，以上述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻形成上述曲面，因此，相对于上述现有技术那样的整个内侧面形成为锥形的贯穿孔，即使缩窄上述贯穿孔的两方的开口端的宽度也能够形成贯穿孔。其结果是，能够缩小上述贯穿孔的开口端，从而能够减小开口端在电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积。
在上述方法中，可以是，在上述第2形成工序或上述第3形成工序中，利用电沉积抗蚀剂在上述基材上形成抗蚀剂层，利用所形成的上述抗蚀剂层进行蚀刻。
在该情况下，由于在上述基材上形成基于电沉积抗蚀剂的上述抗蚀剂层，所以能够将上述抗蚀剂层形成至上述凹部的内侧面及内侧的底面。
根据本发明，减小了贯穿孔的开口端，减小了开口端在电子部件封装体用密封构件的两主面中所占据的占有面积。
附图说明
图1是公开了本实施方式的晶体振荡器的内部空间的概略结构图，是沿图3所示的基座的A－A线将整体剖切时的晶体振荡器的概略剖视图。
图2是图3所示的A－A线剖视图。
图3是本实施方式的基座的概略俯视图。
图4是本实施方式的基座的概略背面图。
图5是将图2所示的基座的贯穿孔部分放大的概略剖视图。
图6是本实施方式的盖的概略背面图。
图7是本实施方式的晶体振荡片的概略俯视图。
图8是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图9是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图10是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图11是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图12是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图13是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图14是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图15是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图16是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图17是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图18是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图19是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图20是表示本实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图21是其他实施方式的仅示出基座的基板、且将基座的贯穿孔部分放大的概略剖视图，是与图5相对应的图。
图22是其他实施方式的仅示出基座的基板、且将基座的贯穿孔部分放大的概略剖视图，是与图5相对应的图。
图23是其他实施方式的贯穿孔的概略结构图，是从贯穿孔的另一端开口端观察到的贯穿孔的概略俯视图。
图24是其他实施方式的在用于形成贯穿孔的凹部处形成有开口图案的凹部的概略俯视图。
图25是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是凹部的图24所示的B－B线剖视图。
图26是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是凹部的图24所示的C－C线剖视图。
图27是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是凹部的图24所示的D－D线剖视图。
图28是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是对图25所示的凹部进行了蚀刻的图。
图29是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是对图26所示的凹部进行了蚀刻的图。
图30是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图，是对图27所示的凹部进行了蚀刻的图。
图31是其他实施方式的仅示出基座的基板、且将基座的贯穿孔部分放大的概略剖视图，是与图5相对应的图。
图32是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图33是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图34是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图35是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图36是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图37是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图38是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图39是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图40是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图41是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图42是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
图43是表示其他实施方式的基座的制造工序的一工序的、晶圆的局部概略剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。需要说明的是，在以下所示的实施方式中，示出作为电子部件封装体而对作为压电振荡器件的晶体振荡器的封装体适用本发明、且作为电子部件元件而对作为压电振荡片的音叉型晶体振荡片适用本发明的情况。
如图1所示，在本实施方式的晶体振荡器1中设有：由音叉型晶体片构成的图7所示的晶体振荡片2（本发明中所说的电子部件元件）；用于保持该晶体振荡片2、并将晶体振荡片2气密密封的基座4（本发明中所说的作为密封构件的电子部件封装体用密封构件）；以及以与基座4相对的方式配置、且用于将保持在基座4上的晶体振荡片2的激振电极31、32（图1所示的电极，本发明中所说的电子部件元件的电极）气密密封的盖7。
在该晶体振荡器1中，基座4和盖7通过由Au和Sn的合金形成的接合材料12、下述的第1接合层48、下述的第2接合层74而被接合，通过它们的接合，构成具有被气密密封的内部空间11的主体壳体。在该内部空间11中，在基座4上通过使用了金凸起（bump）等导电性凸起13的FCB法（Flip Chip Bonding，倒装焊接）而电机械地超声波接合有晶体振荡片2。需要说明的是，在本实施方式中，对于导电性凸起13而使用金凸起等非流动性构件的电镀凸起。
接着，说明该晶体振荡器1的各结构。
基座4由作为各向同性材料的硼硅玻璃等玻璃材料的基材构成，如图1～4所示，成形为由底部41、和沿基座4的一主面42的外周从底部41向上方延伸的壁部44构成的箱状体。这样的基座4是对长方体的一块板状基材进行湿法蚀刻而成形为箱状体。
基座4的壁部44的内侧面成形为锥状。另外，壁部44的顶面是与盖7的接合面，在该接合面上设有用于与盖7接合的第1接合层48。第1接合层48由多层的层叠构造形成，包括：在基座4的壁部44的顶面上通过溅射法而溅射形成的第1溅射膜93；在第1溅射膜93之上溅射形成的第2溅射膜94；在第2溅射膜94之上电镀形成的第1镀膜95；在第1镀膜95之上电镀形成的第2镀膜96；在第2镀膜96之上电镀形成的第3镀膜97；以及在第3镀膜97之上电镀形成的第4镀膜98。
第1溅射膜93是在基座4的壁部44的顶面上通过溅射法而溅射形成的由Mo构成的Mo膜，具有5～10nm的厚度。第2溅射膜94是在第1溅射膜93上通过溅射法而溅射形成的由Cu构成的Cu膜，具有0.3μm的厚度。第1镀膜95是在第2溅射膜94上电镀形成的由Cu构成的Cu膜，具有2～6μm的厚度。第2镀膜96是在第1镀膜95上电镀形成的由Ni构成的Ni膜，具有1～3μm的厚度。第3镀膜97是在第2镀膜96上电镀形成的由Au构成的Au触击电镀膜或由Pd构成的Pd镀膜，具有0.1～0.3μm的厚度。第4镀膜98是在第3镀膜97上电镀形成的由Au构成的Au镀膜，具有0.1～0.3μm的厚度。
另外，在基座4的一主面42上成形有由底部41和壁部44围成的俯视呈长方形的腔部45。在腔部45的底面451上，沿其长度方向的一端部452的整体而蚀刻成形有台座部46。在该台座部46上搭载晶体振荡片2。此外，该腔部45的壁面是壁部44的内侧面，如上所述地成形为锥状。
另外，在基座4上形成有：与晶体振荡片2的激振电极31、32分别电机械地接合的一对电极焊盘51、52；与外部部件或外部设备电连接的外部端子电极53、54；以及将电极焊盘51和外部端子电极54、及电极焊盘52和外部端子电极53电连接的布线图案55。通过这些电极焊盘51、52、外部端子电极53、54和布线图案55，构成基座4的电极5。电极焊盘51、52形成于台座部46的表面。另外，两个外部端子电极53、54在基座4的另一主面43上分别形成于长度方向的两端部，且沿长度方向分开地并列设置。另外，在外部端子电极54的一角落部（与外部端子电极53相对的一侧的一个角落部）形成有切缺部541，该切缺部541发挥进行该晶体振荡器1的制造工序中的基座的定位、和将该晶体振荡器1向外部部件或外部设备搭载时的定位的辅助作用。
电极焊盘51、52与第1接合层48同样地，由多层的层叠构造形成，是在基座4的基板上按顺序层叠第1溅射膜93、第2溅射膜94、第1镀膜95、第2镀膜96、第3镀膜97、第4镀膜98而成的。
布线图案55以使电极焊盘51、52和外部端子电极53、54电连接的方式，从基座4的一主面42经由贯穿孔49（参照下述内容）的内侧面491而形成至基座4的另一主面43。
另外，在布线图案55中的、形成于贯穿孔49及其附近的部分、和形成于基板的另一主面43上的部分处，作为第1溅射膜93下的下层膜而形成有第1种膜（seed film）91和第2种膜92。第1种膜91是在基座4上通过溅射法而溅射形成的由Mo构成的Mo膜，具有5～10nm的厚度。另外，第2种膜92是在第1种膜91上通过溅射法而溅射形成的由Cu构成的Cu膜，具有0.3μm的厚度。
另外，在基座4的一主面42上，布线图案55是在第2种膜92及基板上按顺序层叠第1溅射膜93、第2溅射膜94、第1镀膜95、第2镀膜96、第3镀膜97、及第4镀膜98而成的。
另一方面，在基座4的另一主面43上，在第2种膜92、贯穿孔49及基板上形成有由具有感光性的树脂材料构成的树脂图案61（参照下述内容）。即，在基座4的另一主面43的除一部分（接触区域58、59）之外的整个面上形成有树脂图案61。此外，在未形成有树脂图案61的另一主面43的一部分（接触区域58、59）上，如图1所示，形成有布线图案55（第2种膜92）。而且，在基座4的另一主面43的树脂图案61及接触区域58、59的第2种膜92上，按顺序层叠第1溅射膜93、第2溅射膜94、第1镀膜95、第2镀膜96、第3镀膜97、及第4镀膜98，从而构成外部端子电极53、54。
另外，如图1～4所示，在基座4上形成有贯穿孔49，该贯穿孔49用于将晶体振荡片2的激振电极31、32经由电极焊盘51、52并通过布线图案55而从腔部45内导出至腔部45外。
贯穿孔49是在通过光刻法对基座4进行蚀刻而成形时与腔部45的成形同时形成的，如图1～图5所示，在基座4上将两主面（一主面42、另一主面43）之间贯穿而形成有两个贯穿孔49。如图5所示，该贯穿孔49的内侧面491由平坦面494（内侧面491的一部分）和曲面495（内侧面491的一部分）构成，在该贯穿孔49的内侧面491中，与基座4（基材）的一主面42连续地形成曲面495，与基座4（基材）的另一主面43连续地形成平坦面494，且与平坦面494连续地形成曲面495。在本实施方式中，贯穿孔49的长宽比（长度与宽度的比例）为1.3（长度：145μm、宽度：110μm）。
如图5所示，平坦面494相对于基座4的一主面42及另一主面43具有倾斜度，形成为锥状。另外，基座4的一主面42与贯穿孔49的内侧面491的平坦面494所成的角度为大约45度。需要说明的是，虽然在本实施方式中，基座4的一主面42与贯穿孔49的内侧面491所成的角度θ为大约45度，但不限定于此。例如，基座4的一主面42与贯穿孔49的内侧面491所成的角度θ可以比45度大，作为具体例，可以是从70度到最大90度，越增大角度θ，越能够有助于减小贯穿孔49的直径。
另外，如图5所示，曲面495为向贯穿孔49的宽度方向外侧鼓出而成形为凸状的曲面形状。该曲面495由从贯穿孔49的孔内的预先设定的基准点499（参照图12）呈放射状地扩展的点的集合体构成，而且具有固定的曲率。曲面495是以基准点499为中心（中心点）的球体的曲面（球面），而且，以基准点499（参照图12）为中心的球面的法线位于面B（图5所示的双点划线的假想面）上。这里所说的预先设定的基准点499具有多个，多个基准点499位于一个面B上，在面B上，成为未图示的圆形的线（环状的俯视呈圆形的线）。另外，面B是与基座4的两主面42、43相同的面方向，参照图5所示的基座4的剖视图，是与基座4的两主面42、43平行的面。另外，面B位于与基座4的另一主面43相比靠近一主面42侧的位置。
另外，如上所述，曲面495是以多个基准点499（参照图12）为中心的曲面，因此以基准点499为中心的法线位于面B上。因此，在贯穿孔49中，沿面B的直径为最大宽度尺寸。
另外，在贯穿孔49的内侧面491上形成有两个向孔内突出的突起部498。突起部498的突起端缘4981是曲面495的端缘。此外，本实施方式的两个突起部498分别成形为环状（参照图42所示的俯视观察时的贯穿孔49）。另外，两个突起部498之间的贯穿孔49的内侧面491形成为曲面495。需要说明的是，在本实施方式中形成有两个突起部498，但并不限定于此，也可以是多个。
如图5所示，贯穿孔49中，位于基座4的另一主面43侧的贯穿孔49的另一端开口端493的直径、与位于基座4的一主面42侧的贯穿孔49的一端开口端492的直径相同或大致相等。在本实施方式中，贯穿孔49的两开口端（一端开口端492与另一端开口端493）的开口尺寸比为0.9（一端开口端492：
另一端开口端493：）。
在这样的贯穿孔49的内侧面491上形成有作为布线图案55的一部分的第1种膜91及第2种膜92。另外，在贯穿孔49的内部填充有与树脂图案61为相同材料的树脂材料（方便起见标注附图标记61）。通过该树脂材料61封堵贯穿孔49。此外，如图5所示，在树脂材料61中，基座4的一主面42侧的一端面与基座4的一主面42的表面对齐，另一主面43侧的另一端面形成为向一主面42侧凹陷。
另外，贯穿孔61的内侧面491包含曲面495，因此贯穿孔49的内部的树脂材料61沿曲面495填充，从而树脂材料进入而产生固着效果（anchor effect）。通过像这样发挥固着效果，确保了树脂材料61与贯穿孔49的内侧面491之间的紧贴性。像这样，通过使树脂材料61进入贯穿孔49的结构，获得固着效果，从而提高了树脂图案61向贯穿孔49的紧贴强度。
如上所述，在构成基座4的基材的另一主面43上，形成有外部端子电极53、54、布线图案55和树脂图案61，在另一主面43的基材及布线图案55上层叠有树脂图案61，在布线图案55及树脂图案61上层叠有外部端子电极53、54。而且，如图4所示，在另一主面43上分别设有一个使外部电子电极53、54和布线图案55接触的接触区域58、59，通过这些接触区域58、59而使外部端子电极53、54与布线图案55接触（层叠）。也就是说，通过接触区域58、59将外部电子电极53、54和布线图案55电连接。此外，如图4所示，在本实施方式中，在树脂图案形成区域47内分别设有一个接触区域58、59，但接触区域58、59的个数不限定于此，可以在树脂图案形成区域47内（外部端子电极53、54的层叠下）分别设置任意个数的接触区域58、59。
另外，对于树脂材料61和树脂图案61使用聚苯并噁唑（PBO）。需要说明的是，树脂材料61和树脂图案61不限定于聚苯并噁唑（PBO），能够使用任意的与构成基座4的材料（例如玻璃材料）的紧贴性良好的树脂材料。因此，对于构成树脂图案61的树脂材料，可以使用由例如苯并环丁烯（BCB）、环氧树脂、聚酰亚胺、或氟树脂构成的树脂材料。另外，本实施方式中所使用的构成树脂图案61的树脂材料、即聚苯并噁唑（PBO）是具有感光性的树脂材料，是能够基于光刻法形成图案的树脂材料。在此，本发明所说的具有感光性的树脂材料是大范围的概念，除由具有感光性的树脂构成的树脂材料外，还包括包含感光剂和树脂的感光性树脂组合物。
盖7由硼硅玻璃等玻璃材料构成，如图1及图6所示，盖7由顶部71、和沿盖7的一主面72的外周从顶部71向下方延伸的壁部73构成。这样的盖7是对长方体的一块板状基材进行湿法蚀刻而成形的。
盖7的壁部73的两侧面（内侧面731及外侧面732）成形为锥状。另外，在壁部73上形成有用于与基座4接合的第2接合层74。
如图1所示，盖7的第2接合层74从盖7的壁部73的顶面733形成至外侧面732。该第2接合层74由多层的层叠构造构成，该层叠构造形成有由Ti构成的Ti膜（图示省略），且在Ti膜之上形成有由Au构成的Au膜（图示省略），这些Ti膜及Au膜通过溅射法而溅射形成。需要说明的是，在本实施方式中由Ti膜及Au膜构成了第2接合层74，但也可以取代Au膜而使用由Cu构成的Cu膜。
用于使上述基座4和盖7接合的接合材料12层叠在盖7的第2接合层74上。该接合材料12由多层的层叠构造构成，该层叠构造在盖7的第2接合层74之上电镀形成有由Au和Sn的合金构成的Au/Sn膜（图示省略），且在该Au/Sn膜之上电镀形成有Au膜（图示省略）。此外，Au膜由电镀形成Au触击电镀膜、且在Au触击电镀膜之上电镀形成Au镀膜的多层层叠构造构成。在这样的接合材料12中，Au/Sn膜通过加热而熔融，成为AuSn合金膜。需要说明的是，接合材料12也可以通过在盖7的第2接合层74之上电镀形成AuSn合金膜而构成。另外，在本实施方式中，接合材料12层叠在盖7的第2接合层74上，但也可以层叠在基座4的第1接合层48上。
晶体振荡片2是对各向异性材料的晶体片即晶体素板（图示省略）进行湿法蚀刻而形成的晶体Z板。
如图7所示，该晶体振荡片2由作为振荡部的2根腿部21、22、基部23、和与基座4的电极焊盘51、52接合的接合部24构成，该晶体振荡片2由在基部23的一端面231上突出设有2根腿部21、22、且在基部23的另一端面232上突出设有接合部24的压电振荡素板20形成。
如图7所示，基部23形成为俯视观察时左右对称形状。另外，基部23的侧面233形成为，一端面231侧的部位与一端面231为相同宽度，且另一端面232侧的部位从一端面231侧朝向另一端面232侧宽度逐渐变窄。
如图7所示，2根腿部21、22从基部23的一端面231向同一方向突出地设置。这2根腿部21、22的前端部211、221与腿部21、22的其他部位相比宽幅（沿相对于突出方向正交的方向宽幅）地形成，而且，各自的前端角落部形成为曲面。另外，为了改善CI值，在2根腿部21、22的两主面上形成有槽部25。
如图7所示，接合部24从基部23的另一端面232的宽度方向中央部突出地设置。该接合部24由短边部241和长边部242构成，其中短边部241向俯视观察时相对于基部23的另一端面232垂直的方向突出，长边部242与短边部241的前端部相连且沿基部23的宽度方向延伸，长边部242的前端部243朝向基部23的宽度方向。即，接合部24成形为，俯视观察时呈直角地折曲而成的俯视观察L字状。另外，在接合部24上设有经由导电性凸起13而与基座4的电极焊盘51、52接合的两个接合部位27。
在由上述结构构成的晶体振荡片2上形成有：以不同电位构成的第1及第2激振电极31、32；和为了使第1及第2激振电极31、32与基座4的电极焊盘51、52电接合而从第1及第2激振电极31、32引出的引出电极33、34。
另外，第1及第2激振电极31、32的一部分形成在腿部21、22的槽部25的内部。因此，即使使晶体振荡片2小型化也能够抑制腿部21、22的振荡损失从而将CI值抑制得较低。
第1激振电极31形成在一方的腿部21的两主面、和另一方的腿部22的两侧面及前端部221的两主面上。同样地，第2激振电极32形成在另一方的腿部22的两主面、一方的腿部21的两侧面及前端部211的两主面上。
另外，引出电极33、34形成于基部23及接合部24，通过形成于基部23的引出电极33，形成在一方的腿部21的两主面上的第1激振电极31与形成在另一方的腿部22的两侧面及前端部221的两主面上的第1激振电极31相连，通过形成于基部23的引出电极34，形成在另一方的腿部22的两主面上的第2激振电极32与形成在一方的腿部21的两侧面及前端部211的两主面上的第2激振电极32相连。
此外，在基部23上形成有将压电振荡素板20的两主面贯穿的两个贯穿孔26，在这些贯穿孔26内填充有导电性材料。经由这些贯穿孔26，将引出电极33、34引回至基部23的两主面之间。
如图1所示，在由上述结构构成的晶体振荡器1中，将晶体振荡片2的接合部24经由导电性凸起13并通过FCB法而电机械地超声波结合在形成于基座4的一主面42上的台座部46上。通过该接合，晶体振荡片2的激振电极31、32经由引出电极33、34和导电性凸起13而与基座4的电极焊盘51、52电机械地接合，从而在基座4上搭载晶体振荡片2。而且，在搭载有晶体振荡片2的基座4上，通过FCB法将盖7预接合，然后，通过在真空气氛下进行加热，使接合材料12、第1接合层48和第2接合层74熔融，由此，在基座4的第1接合层48上经由接合材料12而接合盖7的第2接合层74，制造将晶体振荡片2气密密封的晶体振荡器1。需要说明的是，对于导电性凸起13使用非流动性构件的电镀凸起。
接着，利用图8～图20说明该晶体振荡器1及基座4的制造方法。
在本实施方式中，使用形成多个基座4的由各向同性材料形成的一块板状的晶圆8。此外，具体而言，晶圆8使用玻璃材料。
首先，如图8所示，在晶圆8的两主面81、82上溅射形成由Cr构成的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成由Au构成的Au膜911，在Au膜911上通过旋涂法涂布抗蚀剂从而形成正性抗蚀剂层912。
在形成正性抗蚀剂层912后，为了形成除台座部46外的腔部45的一部分、和用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496，通过光刻法对晶圆8的两主面81、82的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行金属蚀刻，如图9所示，形成规定图案（除台座部46外的腔部45的一部分、和用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496）。
在形成图9所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法对晶圆8进行蚀刻，如图10所示，在晶圆8上成形多个基座4，该基座4形成有除台座部46外的腔部45的一部分、和用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496。需要说明的是，在此所说的凹部496的内侧的底面成为用于设定面B（图10所示的双点划线的假想面）的基准面。另外，凹部496的内侧面为平坦的面（平坦面494），但不限定于此，只要相对于晶圆8的另一主面82（参照基座的另一主面43）形成为锥状的锥面即可。因此，锥面中，向湿法蚀刻的蚀刻方向鼓出的曲面可以包含在至少一部分中。
在晶圆8上形成除台座部46外的腔部45的一部分、和用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496后，如图11所示，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为晶圆8素板。将到此为止的工序称为本发明中所说的形成工序的一部分、即第1形成工序。
为了对图11所示的晶圆8形成包含台座部46的腔部45、贯穿孔49（曲面495）、和基座4的另一主面43的外周缘，在晶圆8的两主面81、82上溅射形成新的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成新的Au膜911，在Au膜911上通过电沉积涂布法（或喷涂法）而涂布抗蚀剂，形成新的正性抗蚀剂层912。在本实施方式中，为了形成新的正性抗蚀剂层912而利用电沉积涂布法（或喷涂法），因此，能够将新的正性抗蚀剂层912形成至凹部496的内表面497（内侧面及内侧的底面）。
然后，在形成新的正性抗蚀剂层912后，为了成形包含台座部46的腔部45、贯穿孔49的曲面495、和基座4的另一主面43的外周缘，通过光刻法对晶圆8的两主面81、82的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行蚀刻，如图12所示，形成规定图案（包含台座部46的腔部45、贯穿孔49的曲面495、基座4的另一主面43的外周缘）。此时，在凹部496中，仅将内侧的底面中央部的、正性抗蚀剂层912和Cr膜910和Au膜911剥离除去。需要说明的是，在此所说的从在凹部496的内侧的底面上形成的正性抗蚀剂层912（也包含Cr膜910和Au膜911）露出的中央部的露出端缘（参照图12的附图标记499所表示的点），成为由上述的多个基准点499构成的线（环状的俯视观察为正圆形的线），使该露出的部分为开口图案。此外，多个基准点499位于面B（图12所示的双点划线的假想面）上。
在形成图12所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法进行蚀刻。关于此处的蚀刻，由于在本实施方式中对晶圆8使用各向同性材料，所以从多个基准点499呈放射状地将晶圆8溶解（蚀刻）。于是，如图13所示，在晶圆8上成形多个形成有腔部45、贯穿孔49、和另一主面43的外周缘的基座4。
在晶圆8上形成腔部45、贯穿孔49、和另一主面43的外周缘后，如图14所示，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为形成有多个基座4的晶圆8素板。将到此为止的工序称为本发明中所说的形成工序的一部分、即第2形成工序。需要说明的是，关于第2形成工序，在提出申请时，对于在晶体振荡器1（基座4）被小型化的基座4中的曲面495的形成中使用物理蚀刻（干法蚀刻等）的情况，从面形成精度和费用方面出发未加以考虑。另外，由上述的第1形成工序和第2形成工序构成形成工序。
然后，对图14所示的晶圆8，在晶圆8（两主面81、82和贯穿孔49的内侧面491等）上通过溅射法而溅射形成由Mo构成的Mo层（第1种膜91）。在形成第1种膜91后，在第1种膜91上通过溅射法而溅射形成由Cu构成的Cu层（第2种膜92）。
在形成第1种膜91及第2种膜92后，在第2种膜92上通过浸涂法而涂布抗蚀剂，形成新的正性抗蚀剂层912。然后，为了形成与贯穿孔49的内侧面491及其附近、和基座4的另一主面43的布线图案相对应的规定图案，通过光刻法对正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，然后，对通过曝光及显影而露出的部分，对第1种膜91和第2种膜92进行金属蚀刻。在第1种膜91和第2种膜92的金属蚀刻后，将正性抗蚀剂层912剥离除去（参照图15）。通过在此形成的第1种膜91及第2种膜92，构成图1所示的基座4的布线图案55的一部分。
对图15所示的晶圆8通过浸涂法而涂布抗蚀剂，形成新的正性抗蚀剂层912。然后，为了形成贯穿孔49的内侧面491及其附近、和基座4的另一主面43的规定图案，通过光刻法对正性抗蚀剂层912进行曝光及显影。然后，在晶圆8的两主面81、82上电镀形成由Cu构成的树脂层61。在形成树脂层61后，将正性抗蚀剂层912剥离除去，如图16所示，在贯穿孔49及基座4的另一主面43上形成树脂图案61。
在形成树脂图案61后，在晶圆8的两主面81、82上通过溅射法而溅射形成由Mo构成的Mo层（第1溅射膜93）。在形成第1溅射膜93后，在第1溅射膜93上通过溅射法而溅射形成由Cu构成的Cu层（第2溅射膜94）（参照图17）。
在形成第1溅射膜93及第2溅射膜94后，在第2种膜92上通过浸涂法而涂布抗蚀剂，形成新的正性抗蚀剂层912。然后，为了形成第1镀层95～第4镀层98，通过光刻法对与第1镀层95～第4镀层98相对应的规定图案的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影（参照图18）。
在进行了正性抗蚀剂层912的曝光及显影后，在晶圆8的两主面81、82上形成第1镀层95，在第1镀层95上形成第2镀层96，在第2镀层96上形成第3镀层97，在第3镀层97上形成第4镀层98（参照图19）。
如图19所示，在形成第1镀层95～第4镀层98后，将正性抗蚀剂层912及正性抗蚀剂层912下的第1溅射膜93和第2溅射膜94除去，在晶圆8上形成多个基座4（参照图20）。通过在此形成的第1溅射膜93、第2溅射膜94、第1镀层95～第4镀层98，构成图1所示的基座4的电极焊盘51、52、布线图案55的一部分、及第1接合层48。
在晶圆8上形成多个基座4后，将多个基座4分别分割而将多个基座4单片化（基座单片化工序），制造多个图2所示的基座4。
然后，在图2所示的基座4上，基于切缺部541的位置而配置图7所示的晶体振荡片2，并经由导电性凸起13通过FCB法将晶体振荡片2电机械地超声波接合在基座4上，在基座4上搭载保持晶体振荡片2。另外，在另一工序中，在图6所示的盖7的第2接合层74上层叠接合材料12。然后，在搭载保持有晶体振荡片2的基座4上配置盖7，将基座4的第1接合层48和盖7的第2接合层74经由接合材料12并通过FCB法而电机械地超声波接合，制造图1所示的晶体振荡器1。
如上所述，根据本实施方式的晶体振荡器1、及基座4、基座4的制造方法，贯穿孔49的内侧面491包含曲面495，因此相对于上述的现有技术那样的整个内侧面形成为锥形的贯穿孔，即使减小贯穿孔49的两方的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）的宽度，也能够形成贯穿孔49。其结果是，能够减小贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493），从而能够减小贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）在基座4的两主面42、43中所占据的占有面积。另外，根据本实施方式，能够对填充于贯穿孔49中的构件产生固着效果。特别是，基于曲面的固着效果比基于平坦面的固着效果有效。
另外，在贯穿孔49的内侧面491上形成有两个突起部498，突起部498的突起端缘4981是曲面495的端缘，因此能够通过突起端缘4981及曲面495而高效率地对填充于贯穿孔49中的构件产生固着效果。
另外，在两个突起部498之间形成曲面495，因此对于与基座4（基材）的两主面42、43正交的正交方向（两方向），能够通过两个突起部498及曲面495而产生固着效果。
另外，与基座4（基材）的一主面42连续地形成贯穿孔49的曲面495，与基座4（基材）的另一主面43连续地形成贯穿孔49的锥状的平坦面494，并与平坦面494连续地形成曲面495，因此，不仅能够减小贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）在基座4的两主面42、43中所占据的占有面积，还能够通过曲面495抑制填充于贯穿孔49中的构件从基座4（基材）的一主面42漏出。另外，由于与基座4（基材）的另一主面43连续地形成平坦面494，所以通过从平坦面494向贯穿孔49中填充填充物（在本实施方式中为树脂材料61），能够容易地向贯穿孔49填充填充物。
此外，在本实施方式的晶体振荡器1中，树脂材料61由在贯穿孔49的内侧面的第1种膜91及第2种膜92上电镀形成的Cu镀层构成，但树脂材料61只要是向贯穿孔49填充导电性材料而构成的材料即可，不限定于此。也就是说，树脂材料61可以通过向贯穿孔49填充金属糊（添加有导电性填充物的糊状树脂材料）而构成。
另外，在本实施方式的晶体振荡器1的基座4中，由Mo膜构成第1种膜91，但不限定于此，也可以代替Mo膜而使用由Ti构成的Ti膜。
另外，在本实施方式中，作为基座4及盖7的材料而使用玻璃，但基座4及盖7均不限定于使用玻璃构成的材料，只要是各向同性材料即可。
另外，在本实施方式中，作为接合材料12而主要使用AuSn，但接合材料12只要能够使基座4和盖7接合，就没有特别限定，例如可以是使用CuSn等Sn合金钎焊材料而构成的材料。
另外，在上述实施方式的晶体振荡器1中，作为晶体振荡片而使用图7所示的音叉型晶体振荡片2，但也可以使用AT切割晶体振荡片。
另外，也可以在本实施方式的基座4上除晶体振荡片2外还搭载IC芯片而构成振荡器。在基座4上搭载IC芯片的情况下，在基座4上形成与IC芯片的电极结构相应的电极。
另外，在本实施方式中，使用2端子的晶体振荡器1，但不限定于此，也能够适用于4端子的晶体振荡器1。
另外，在本实施方式中，由一个平坦面494和一个曲面495构成贯穿孔49的内侧面491，但不限定于此，如图21所示，也可以由两个平坦面（第1平坦面4941和第2平坦面4942）和一个曲面495构成贯穿孔49的内侧面491。在图21所示的基座4的贯穿孔49中，其内侧面491由锥状的第1平坦面4941及锥状的第2平坦面4942、和曲面495构成。关于贯穿孔49的具体结构，与基座4（基材）的一主面42连续地形成第1平坦面4941，与第1平坦面4941连续地形成曲面495，与基座4（基材）的另一主面43连续地形成第2平坦面4942，与第2平坦面4942连续地形成曲面495。
根据该图21所示的贯穿孔49，不仅能够减小贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）在基座4的两主面42、43中所占据的占有面积，而且从第1平坦面4941或第2平坦面4942的任一方均能够向贯穿孔49中填充填充物，因此能够容易地向贯穿孔49填充填充物。
另外，在本实施方式中，由第1形成工序和第2形成工序构成与贯穿孔49的形成相关的形成工序，但不限定于此，也可以通过以向贯穿孔49的宽度方向的外侧鼓出的方式形成曲面来作为贯穿孔49的内侧面491的一部分的第3形成工序形成贯穿孔49。在该第3形成工序中，通过湿法蚀刻在基材上形成使内表面497（内侧面及底面）为平坦面的凹部496，以凹部496的底面为蚀刻对象通过湿法蚀刻方法形成曲面495。通过该第3形成工序而形成的贯穿孔49如图22所示。图22所示的贯穿孔49的内侧面491仅由曲面495形成。用于形成该图22所示的曲面495的基准点499位于作为基准面的面B上。根据该图22所示的实施方式，贯穿孔49的内侧面491仅由曲面495形成，因此不仅能够减小贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）在基座4的两主面42、43中所占据的占有面积，还能够通过曲面495抑制填充于贯穿孔49中的构件从基座4（基材）的两主面42、43漏出。
另外，在上述的本实施方式中，在贯穿孔49上形成有曲率一定的曲面495，但只要是由从基准点499（参照图12）呈放射状地扩展的点的集合体构成，则也可以是曲率可变的曲面。具体而言，如图23所示，贯穿孔49的开口端的一方（另一端开口端493）可以形成为椭圆形。需要说明的是，图23所示的一端开口端492形成为正圆，一端开口端492与另一端开口端493的形状和尺寸不同。
如上所述，在图23所示的贯穿孔49中，一端开口端492为正圆，另一端开口端493为椭圆，如图28～30所示，贯穿孔49的截面形状不同。在本实施方式中，利用图24～27所示的俯视观察呈长方形的开口图案83，形成使另一端开口端493为椭圆形的贯穿孔49，此外，如图24所示，俯视观察呈四边形（大致长方形）的开口图案83的短边与凹部496的开口端相对应，短边不是直线而是曲线。
关于图23所示的贯穿孔49的制造，在本实施方式中，晶圆8使用各向同性材料。因此，通过使开口图案83在俯视观察时为长方形，若从构成开口图案83的多个基准点499呈放射状地将晶圆8溶解（蚀刻），则另一端开口端493成为椭圆形。通过使该另一端开口端493为椭圆形的贯穿孔49，能够使贯穿孔49内的突起端缘局部地平滑化。即，能够抑制突起部分的锐角而使突起端缘圆滑。
另外，在上述的各实施方式中，贯穿孔49的内侧面491包含一个曲面495，但不限定于此，如图31所示，贯穿孔49中可以包含多个曲面4951、4952。需要说明的是，在图31中，两个曲面4951、4952连续地形成。
在图31所示的贯穿孔49中，包含两个曲面4951、4952。具体而言，两个曲面4951、4952分别为向贯穿孔49的宽度方向外侧鼓出而成形为凸状的曲面形状。两个曲面4951、4952分别由从贯穿孔49的孔内的预先设定的基准点4991、4992（参照图41）呈放射状地扩展的点的集合体构成。两个曲面4951、4952分别为以基准点4991、4992为中心（中心点）的球体的曲面（球面），而且，各自的以基准点4991、4992（参照图41）为中心的球面的法线位于面B1、B2（图31所示的双点划线的假想面）上。在此所说的预先设定的基准点4991、4992具有多个，多个基准点4991、4992分别位于面B1、B2上，分别在面B1、B2上成为未图示的圆形的线（环状的俯视观察呈正圆形的线）。另外，各个面B1、B2是与基座4的两主面42、43相同的面方向，参照图31所示的基座4的剖视图，是与基座4的两主面42、43平行的面。另外，面B1位于与基座4的一主面42相比靠近另一主面43侧的位置，面B2位于与基座4的另一主面43相比靠近一主面42侧的位置。
另外，如上所述，两个曲面4951、4952是以多个基准点4991、4992（参照图41）为中心的曲面，因此以基准点4991、4992为中心的法线位于面B1、B2上。另外，两个曲面4951、4952为相同尺寸，在贯穿孔49中，沿面B1、B2的直径为最大宽度尺寸。需要说明的是，在图31所示的实施方式中，沿面B1、B2的直径为最大宽度尺寸，但不限定于此，也可以是，沿面B1、B2的直径、和贯穿孔49的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）为相同直径，贯穿孔49的开口端也为最大宽度尺寸。
另外，在贯穿孔49的内侧面491上形成有向孔内突出的三个突起部498。突起部498的突起端缘4981成为曲面4951、4952的端缘。此外，本实施方式的三个突起部498分别成形为环状。另外，三个突起部498彼此之间的贯穿孔49的内侧面491形成为曲面4951、4952。需要说明的是，在本实施方式中，形成有三个突起部498，但不限定于此，还可以是多个。
接着，利用图31～图43来说明图31所示的基座4的贯穿孔49的制造方法。
首先，使用形成多个基座4的由玻璃材料（各向同性材料）形成的一块板状的晶圆8，如图32所示，在晶圆8的两主面81、82上溅射形成由Cr构成的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成由Au构成的Au膜911，在Au膜911上通过旋涂法涂布抗蚀剂，形成正性抗蚀剂层912。
在形成正性抗蚀剂层912后，为了形成除台座部46外的腔部45的一部分，通过光刻法对晶圆8的两主面81的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行金属蚀刻，如图33所示，形成规定图案（除台座部46外的腔部45的一部分）。
在形成图33所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法对晶圆8进行蚀刻，如图34所示，在晶圆8上成形多个基座4，该基座4形成有除台座部46外的腔部45的一部分。
对图34所示的成形了多个基座4的晶圆8，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为晶圆8素板，其中，上述多个基座4形成了腔部45的一部分。
在素板状态的晶圆8的两主面81、82上溅射形成由Cr构成的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成由Au构成的Au膜911，在Au膜911上通过浸涂法涂布抗蚀剂，形成正性抗蚀剂层912。
在形成正性抗蚀剂层912后，为了成形包含台座部46的腔部45，通过光刻法对晶圆8的一主面81的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行金属蚀刻，如图35所示，形成规定图案（包含台座部46的腔部45、基座4的另一主面43的外周缘）。
在形成图35所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法对晶圆8进行蚀刻，如图36所示，在晶圆8上成形多个形成有包含台座部46的腔部45、和基座4的另一主面43的外周缘的基座4。
对图36所示的成形了多个形成有腔部45的基座4的晶圆8，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为图37所示的晶圆8素板。
在素板状态的晶圆8的两主面81、82上溅射形成由Cr构成的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成由Au构成的Au膜911，在Au膜911上通过浸涂法涂布抗蚀剂，形成正性抗蚀剂层912。
在形成正性抗蚀剂层912后，为了形成用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496（参照图39），通过光刻法对晶圆8的两主面81、82的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行金属蚀刻，如图38所示，形成规定图案（用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496）。
在形成图38所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法对晶圆8进行蚀刻，如图39所示，成形多个基座4，该基座4在晶圆8的两主面81、82（一主面81、另一主面82）上形成有用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496。需要说明的是，在此所说的凹部496的内侧的底面成为用于设定面B1、B2（图39所示的双点划线的假想面）的基准面。另外，凹部496的内侧面为平坦的面（平坦面494），但不限定于此，只要相对于晶圆8的两主面81、82（参照基座的两主面42、43）形成为锥状的锥面即可。因此，在锥面中，向湿法蚀刻的蚀刻方向鼓出的曲面可以包含在至少一部分中。
在晶圆8的两主面81、82上形成用于构成贯穿孔49的平坦面494的凹部496后，如图40所示，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为晶圆8素板。将到此为止的工序称为本发明中所说的形成工序的一部分、即第1形成工序。
为了对图40所示的晶圆8形成贯穿孔49（曲面4951、4952），在晶圆8的两主面81、82上溅射形成新的Cr膜910，在Cr膜910上溅射形成新的Au膜911，在Au膜911上通过电沉积涂布法（或喷涂法）而涂布抗蚀剂，形成新的正性抗蚀剂层912。在本实施方式中，为了形成新的正性抗蚀剂层912而利用电沉积涂布法（或喷涂法），因此，能够将新的正性抗蚀剂层912形成至凹部496的内表面497（内侧面及内侧的底面）。
然后，在形成新的正性抗蚀剂层912后，为了成形贯穿孔49的曲面4951、4952，通过光刻法对晶圆8的两主面81、82的正性抗蚀剂层912进行曝光及显影，对露出的Cr膜910和Au膜911进行蚀刻，如图41所示，形成贯穿孔49的曲面495的图案。此时，在凹部496中，仅将内侧的底面中央部的、正性抗蚀剂层912和Cr膜910和Au膜911剥离除去。需要说明的是，在此所说的从在凹部496的内侧的底面上形成的正性抗蚀剂层912（也包含Cr膜910和Au膜911）露出的中央部的露出端缘（参照图41的附图标记4991、4992所表示的点），成为由上述的多个基准点4991、4992构成的线（环状的俯视观察为正圆形的线），使这些露出的部分为开口图案。此外，多个基准点4991、4992位于面B1、B2（图39所示的双点划线的假想面）上。
在形成图41所示的规定图案后，通过利用了光刻技术的湿法蚀刻法进行蚀刻。关于此处的蚀刻，由于在本实施方式中晶圆8使用各向同性材料，所以从多个基准点499呈放射状地将晶圆8溶解（蚀刻）。于是，如图42所示，在晶圆8上成形多个形成有贯穿孔49的基座4。
在晶圆8上形成腔部45、贯穿孔49、和另一主面43的外周缘后，如图43所示，将正性抗蚀剂层912、Cr膜910和Au膜911剥离除去，成为形成有多个基座4的晶圆8素板（参照图31的贯穿孔49）。将到此为止的工序称为本发明中所说的形成工序的一部分、即第2形成工序。需要说明的是，关于第2形成工序，在提出申请时，对于在晶体振荡器1（基座4）被小型化的基座4中的曲面495的形成中使用物理蚀刻（干法蚀刻等）的情况，从面形成精度和费用方面出发未加以考虑。另外，由上述的第1形成工序和第2形成工序构成形成工序。
然后，对图43所示的晶圆8，通过与上述的实施方式相同的工序，在晶圆8上形成多个基座4，该基座4形成有布线图案55且在贯穿孔49及基座4的另一主面43上形成有树脂图案61。在晶圆8上形成多个基座4后，将多个基座4分别分割而将多个基座4单片化（基座单片化工序），制造多个基座4。然后，在基座4上配置晶体振荡片2，并经由导电性凸起13通过FCB法将晶体振荡片2电机械地超声波接合在基座4上，在基座4上搭载保持晶体振荡片2。另外，在另一工序中，在图6所示的盖7的第2接合层74上层叠接合材料12。然后，在搭载保持有晶体振荡片2的基座4上配置盖7，将基座4的第1接合层48和盖7的第2接合层74经由接合材料12并通过FCB法而电机械地超声波接合，制造晶体振荡器1。
如上所述，根据图31所示的贯穿孔49，具有基于上述图5所示的贯穿孔4而实现的作用效果，并且能够使贯穿孔49的两方的开口端（一端开口端492、另一端开口端493）的宽度比上述的图5所示的贯穿孔49窄。
当然也能够对上述的本实施方式及各变形例进行适当组合。
此外，本发明在不脱离其精神或主要特征的范围内，能够以其他各种形态实施。因此，上述的实施例在所有方面均仅仅是例示，不能限定地解释。本发明的范围通过权利要求书而公开，并不通过说明书正文对其进行任何限制。另外，属于与权利要求书的范围同等的范围内的变形和变更，全部包括在本发明的范围内。
另外，本申请基于2011年9月30日在日本提出申请的特愿2011－216965号主张优先权。通过对此进行提及，将其全部内容包括在本申请中。
工业实用性
本发明能够适用于搭载电子部件元件的电子部件封装体。
附图标记说明
1 晶体振荡器
11 内部空间
12 接合材料
13 导电性凸起
2 晶体振荡片（电子部件元件）
20 压电振荡素板
21、22 腿部
211、221 前端部
23 基部
231 一端面
232 另一端面
233 侧面
24 接合部
241 短边部
242 长边部
243 前端部
25 槽部
26 贯穿孔
27 接合部位
31、32 激振电极
33、34 引出电极
4 基座（作为密封构件的电子部件封装体用密封构件）
41 底部
42 一主面
43 另一主面
44 壁部
45 腔部
452 一端部
46 台座部
48 第1接合层
49 贯穿孔
491 内侧面
492 一端开口端
493 另一端开口端
494 平坦面
4941 第1平坦面
4942 第2平坦面
495、4951、4952 曲面
496 凹部
497 内面
498 突起部
4981 突起端缘
499、4991、4992 基准点
51、52 电极焊盘
53、54 外部端子电极
541 切缺部
55 布线图案
58、59 接触区域
61 树脂图案、树脂材料、树脂层
7 盖
71 顶部
72 一主面
73 壁部
731 内侧面
732 外侧面
733 顶面
74 第2接合层
8 晶圆
81、82 主面
83 开口图案
91 第1种膜（第1金属层）
92 第2种膜（第2金属层）
93 第1溅射膜（第1溅射层）
94 第2溅射膜（第2溅射层）
95 第1镀膜（第1镀层）
96 第2镀膜（第2镀层）
97 第3镀膜（第3镀层）
98 第4镀膜（第4镀层）
910 Cr膜
911 Au膜
912 正性抗蚀剂层
B、B1、B2 面
Claims (13)
1.一种电子部件封装体用密封构件，作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的所述密封构件而使用，其特征在于，
形成有将构成所述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿的贯穿孔，
在所述贯穿孔的内侧面中包含向所述贯穿孔的宽度方向外侧鼓出的曲面。
2.一种电子部件封装体用密封构件，作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的所述密封构件而使用，其特征在于，
形成有将构成所述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿的贯穿孔，
在所述贯穿孔的内侧面中包含曲面，所述曲面由从所述贯穿孔的孔内的预先设定的基准点呈放射状地扩展的点的集合体构成，
所述预先设定的基准点具有多个，所述多个基准点位于一个面上。
3.如权利要求1或2所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
在所述贯穿孔的内侧面上形成有向孔内突出的多个突起部，
所述突起部的突起端缘是所述曲面的端缘。
4.如权利要求3所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
所述多个突起部之间的所述贯穿孔的内侧面由所述曲面形成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
所述曲面形成有多个。
6.如权利要求1至5中任一项所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
所述贯穿孔的内侧面仅由所述曲面形成。
7.如权利要求1至5中任一项所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
在所述贯穿孔的内侧面中包含锥状的平坦面，
与所述基材的一主面连续地形成所述曲面，
与所述基材的另一主面连续地形成锥状的平坦面，
与所述平坦面连续地形成所述曲面。
8.如权利要求1至5中任一项所述的电子部件封装体用密封构件，其特征在于，
在所述贯穿孔的内侧面中包含锥状的第1平坦面和锥状的第2平坦面，
与所述基材的一主面连续地形成锥状的第1平坦面，与所述第1平坦面连续地形成所述曲面，
与所述基材的另一主面连续地形成锥状的第2平坦面，与所述第2平坦面连续地形成所述曲面。
9.一种电子部件封装体，通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封，其特征在于，
至少一个所述密封构件为权利要求1至8中任一项所述的电子部件封装体用密封构件。
10.一种电子部件封装体用密封构件的制造方法，所述电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的所述密封构件而使用，所述电子部件封装体用密封构件的制造方法的特征在于，
具有形成贯穿孔的形成工序，所述贯穿孔将构成所述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿，
所述形成工序包括：作为所述贯穿孔的内侧面的一部分而形成平坦面的第1形成工序；和在所述第1形成工序后，作为所述贯穿孔的内侧面的一部分而形成曲面的第2形成工序，
在所述第1形成工序中，通过湿法蚀刻而在所述基材上形成使内侧面为锥面的凹部，
在所述第2形成工序中，以所述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻而形成所述曲面，
使在所述第1形成工序中形成的所述凹部的内侧面的至少一部分为所述贯穿孔的内侧面。
11.如权利要求10所述的电子部件封装体用密封构件的制造方法。其特征在于，
在所述第2形成工序中，利用电沉积抗蚀剂在所述基材上形成抗蚀剂层，利用所形成的所述抗蚀剂层而进行蚀刻。
12.一种电子部件封装体用密封构件的制造方法，所述电子部件封装体用密封构件作为通过多个密封构件将电子部件元件的电极气密密封的电子部件封装体的所述密封构件而使用，所述电子部件封装体用密封构件的制造方法的特征在于，
具有形成贯穿孔的形成工序，所述贯穿孔将构成所述电子部件封装体用密封构件的基材的两主面之间贯穿，
所述形成工序包含作为所述贯穿孔的内侧面而形成曲面的第3形成工序，
在所述第3形成工序中，通过湿法蚀刻在所述基材上形成具有底面的凹部，以所述凹部的底面为蚀刻对象，通过湿法蚀刻形成所述曲面。
13.如权利要求12所述的电子部件封装体用密封构件的制造方法，其特征在于，
在所述第3形成工序中，利用电沉积抗蚀剂在所述基材上形成抗蚀剂层，利用所形成的所述抗蚀剂层进行蚀刻。
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