JPWO2013047807A1 - 電子部品パッケージ、電子部品パッケージ用封止部材、および前記電子部品パッケージ用封止部材の製造方法 - Google Patents

電子部品パッケージ、電子部品パッケージ用封止部材、および前記電子部品パッケージ用封止部材の製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、電子部品パッケージ、電子部品パッケージ用封止部材、および前記電子部品パッケージ用封止部材の製造方法に関し、ベース４に、その基材の両主面４２，４３間を貫通する貫通孔４９が形成され、貫通孔４９の内側面４９１には、貫通孔４９の幅方向の外方に膨らむ曲面４９５が含まれている。【選択図】 図１

Description

本発明は、複数の封止部材により電子部品素子の電極が封止された電子部品パッケージ、電子部品パッケージの封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、および前記電子部品パッケージ用封止部材の製造方法に関する。
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このような電子部品パッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、電子部品パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。
例えば、特許文献１に開示の水晶部品（本発明でいう電子部品）では、ベースと蓋とからなる電子部品パッケージの内部空間に、水晶片が気密封止されている。このような水晶部品のベースには、ベースを構成する基材を貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔の内側面には、Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｕ等の多層の金属膜からなる配線用金属が形成されている。さらに、貫通孔には、ＡｕＧｅ等の合金が溶着され、これにより、電子部品パッケージの内部空間の気密性が確保されている。
特開平６−２８３９５１号公報
ところで、上記の特許文献１に記載のベースに形成された貫通孔は、両主面間を貫通して形成されている。この貫通孔の内側面はベースの一主面及び他主面に対して傾斜し、内側面全てがテーパー形成されている。そのため、貫通孔では、ベースの他主面の側にある貫通孔の他端開口端の径が最大となり、ベースの一主面の側にある貫通孔の一端開口端の径が最小となる。もしくは、ベースの一主面の側にある貫通孔の一端開口端の径が最大となり、ベースの他主面の側にある貫通孔の他端開口端の径が最小となる。
現在、電子部品パッケージの小型化が進んでおり、そして、特許文献１に記載の内側面全てがテーパー形成された貫通孔では、ベースの両主面の一方（一主面もしくは他主面）に形成された開口端（一端開口端もしくは他端開口端）が、他方（他主面もしくは一主面）に形成された開口端（他端開口端もしくは一端開口端）よりも大きくなる。そのため、ベースの両主面の一方に形成された貫通孔の開口端が、ベースの両主面の一方において占める占有面積が大きくなり、両主面の一方における必須の端子を含む電極パターンの設計が困難になる。
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、電子部品パッケージ用封止部材の主面において開口端が占める占有面積が小さい電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、および電子部品パッケージ用封止部材の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔の内側面には、前記貫通孔の幅方向外方に膨らむ曲面が含まれたことを特徴とする。
本発明によれば、前記貫通孔の内側面に前記貫通孔の幅方向外方に膨らむ曲面が含まれるので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、前記貫通孔の両方の開口端の幅を狭くしても貫通孔を形成することが可能となる。その結果、前記貫通孔の開口端を小さくして、電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることが可能となる。また、本発明によれば、前記貫通孔の内側面に前記曲面が含まれるので、前記貫通孔に充填する部材に対してアンカー効果を生じさせることが可能となる。特に、曲面によるアンカー効果は、平坦面によるアンカー効果よりも有効である。
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔の内側面には、前記貫通孔の孔内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配されることを特徴とする。
本発明によれば、前記貫通孔の内側面に、前記貫通孔の孔内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配されるので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、前記貫通孔の両方の開口端の幅を狭くしても貫通孔を形成することが可能となる。その結果、前記貫通孔の開口端を小さくして、当該電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることが可能となる。また、本発明によれば、前記貫通孔の内側面に前記曲面が含まれるので、前記貫通孔に充填する部材に対してアンカー効果を生じさせることが可能となる。特に、曲面によるアンカー効果は、平坦面によるアンカー効果よりも有効である。
前記構成において、前記貫通孔の内側面に、孔内に突出する複数の突起部が形成され、前記突起部の突起端縁は、前記曲面の端縁であってもよい。
この場合、前記貫通孔の内側面に前記複数の突起部が形成され、前記突起部の突起端縁は、前記曲面の端縁であるので、前記突起端縁および前記曲面により前記貫通孔に充填する部材に対して効率よくアンカー効果を生じさせることが可能となる。
前記構成において、前記複数の突起部の間の前記貫通孔の内側面が、前記曲面で形成されてもよい。
この場合、前記複数の突起部の間に前記曲面が形成されるので、前記基材の両主面に直交する直交方向（両方向）に対して前記複数の突起部および前記曲面によりアンカー効果を生じさせることが可能となる。
前記構成において、前記貫通孔の内側面は、前記曲面のみで形成されてもよい。
この場合、前記貫通孔の内側面は前記曲面のみで形成されるので、当該電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、前記曲面により前記貫通孔に充填する部材が前記基材の両主面から出るのを抑えることが可能となる。
前記構成において、前記貫通孔の内側面には、テーパー状の平坦面が含まれ、前記基材の一主面に連続して前記曲面が形成され、前記基材の他主面に連続してテーパー状の平坦面が形成され、前記平坦面に連続して前記曲面が形成されてもよい。
この場合、前記基材の一主面に連続して前記曲面が形成され、前記基材の他主面に連続してテーパー状の平坦面が形成され、前記平坦面に連続して前記曲面が形成されるので、当該電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、前記曲面により前記貫通孔に充填する部材が前記基材の一主面から出るのを抑えることが可能となる。また、前記基材の他主面に連続してテーパー状の平坦面が形成されるので、前記平坦面から前記貫通孔に充填物を充填することで、前記貫通孔への充填物の充填を容易にすることが可能となる。
前記構成において、前記貫通孔の内側面には、テーパー状の第１平坦面とテーパー状の第２平坦面とが含まれ、前記基材の一主面に連続してテーパー状の第１平坦面が形成され、前記第１平坦面に連続して前記曲面が形成され、前記基材の他主面に連続してテーパー状の第２平坦面が形成され、前記第２平坦面に連続して前記曲面が形成されてもよい。
この場合、前記基材の一主面に連続して前記第１平坦面が形成され、前記第１平坦面に連続して前記曲面が形成され、前記基材の他主面に連続してテーパー状の第２平坦面が形成され、前記第２平坦面に連続して前記曲面が形成されるので、当該電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、前記第１平坦面または前記第２平坦面から前記貫通孔に充填物を充填することが容易になる。
前記構成において、前記曲面は、複数形成されてもよい。
この場合、前記貫通孔の両方の開口端の幅を狭くすることが可能となる。
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージは、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、少なくとも１つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。
本発明によれば、少なくとも１つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であるので、上記の本発明の電子部品パッケージ用封止部材による作用効果を有する。
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔を形成する形成工程を有し、前記形成工程は、前記貫通孔の内側面の一部として平坦面を形成する第１形成工程と、前記第１形成工程後に、前記貫通孔の内側面の一部として曲面を形成する第２形成工程と、を含み、前記第１形成工程では、ウエットエッチングにより内側面をテーパー面とした凹部を前記基材に形成し、前記第２形成工程では、前記凹部の底面をエッチング対象として、ウエットエッチングにより前記曲面を形成し、前記第１形成工程において形成した前記凹部の内側面の少なくとも一部を前記貫通孔の内側面とすることを特徴とする。
本発明によれば、前記第１形成工程と前記第２形成工程とを含む前記形成工程を有し、前記第１形成工程では、ウエットエッチングにより内側面をテーパー面とした凹部を前記基材に形成し、前記第２形成工程では、前記凹部の底面をエッチング対象として、ウエットエッチングにより前記曲面を形成し、前記第１形成工程において形成した前記凹部の内側面の少なくとも一部を前記貫通孔の内側面とするので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、前記貫通孔の両方の開口端の幅を狭くしても貫通孔を形成することが可能となる。その結果、前記貫通孔の開口端を小さくして、電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることが可能となる。
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔を形成する形成工程を有し、前記形成工程は、前記貫通孔の内側面として曲面を形成する第３形成工程を含み、前記第３形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングにより前記曲面を形成することを特徴とする。
本発明によれば、前記第３形成工程を含む前記形成工程を有し、前記第３形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングにより前記曲面を形成するので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、前記貫通孔の両方の開口端の幅を狭くしても貫通孔を形成することが可能となる。その結果、前記貫通孔の開口端を小さくして、電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくすることが可能となる。
前記方法において、前記第２形成工程または前記第３形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行ってもよい。
この場合、電着レジストによる前記レジスト層を前記基材に形成するので、前記凹部の内側面および内側の底面にまで、前記レジスト層を形成することが可能となる。
本発明によれば、貫通孔の開口端を小さくして、電子部品パッケージ用封止部材の両主面において開口端が占める占有面積を小さくする。
図１は、本実施の形態に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図３に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。 図２は、図３に示すＡ−Ａ線断面図である。 図３は、本実施の形態に係るベースの概略平面図である。 図４は、本実施の形態に係るベースの概略裏面図である。 図５は、図２に示すベースの貫通孔部分を拡大した概略断面図である。 図６は、本実施の形態に係る蓋の概略裏面図である。 図７は、本実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。 図８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１５は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２１は、他の実施の形態に係るベースの基板のみを示し、ベースの貫通孔部分を拡大した概略断面図であり、図５に対応した図である。 図２２は、他の実施の形態に係るベースの基板のみを示し、ベースの貫通孔部分を拡大した概略断面図であり、図５に対応した図である。 図２３は、他の実施の形態に係る貫通孔の概略構成図であり、貫通孔の他端開口端から視た貫通孔の概略平面図である。 図２４は、他の実施の形態に係る貫通孔を形成するための凹部に開口パターンを形成した凹部の概略平面図である。 図２５は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、凹部の図２４に示すＢ−Ｂ線断面図である。 図２６は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、凹部の図２４に示すＣ−Ｃ線断面図である。 図２７は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、凹部の図２４に示すＤ−Ｄ線断面図である。 図２８は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、図２５に示す凹部に対してエッチングを行った図である。 図２９は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、図２６に示す凹部に対してエッチングを行った図である。 図３０は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図であって、図２７に示す凹部に対してエッチングを行った図である。 図３１は、他の実施の形態に係るベースの基板のみを示し、ベースの貫通孔部分を拡大した概略断面図であり、図５に対応した図である。 図３２は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３３は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３４は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３５は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３６は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３７は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３８は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３９は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図４０は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図４１は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図４２は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図４３は、他の実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
本実施の形態に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる図７に示す水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（図１に示す電極であり、本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７とが設けられている。
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とが、ＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２と、下記の第１接合層４８と、下記の第２接合層７４とにより接合され、これらの接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
ベース４は、等方性材料であるホウケイ酸ガラス等のガラス材料の基材からなり、図１〜４に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。
ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成された第１スパッタ膜９３と、第１スパッタ膜９３の上にスパッタ形成された第２スパッタ膜９４と、第２スパッタ膜９４の上にメッキ形成された第１メッキ膜９５と、第１メッキ膜９５の上にメッキ形成された第２メッキ膜９６と、第２メッキ膜９６の上にメッキ形成された第３メッキ膜９７と、第３メッキ膜９７の上にメッキ形成された第４メッキ膜９８とからなる。
第１スパッタ膜９３は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜であり、５〜１０ｎｍの厚みを有する。第２スパッタ膜９４は、第１スパッタ膜９３上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、０．３μｍの厚みを有する。第１メッキ膜９５は、第２スパッタ膜９４上にメッキ形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、２〜６μｍの厚みを有する。第２メッキ膜９６は、第１メッキ膜９５上にメッキ形成されたＮｉからなるＮｉ膜であり、１〜３μｍの厚みを有する。第３メッキ膜９７は、第２メッキ膜９６上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕストライクメッキ膜もしくはＰｄからなるＰｄメッキ膜であり、０．１〜０．３μｍの厚みを有する。第４メッキ膜９８は、第３メッキ膜９７上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕメッキ膜であり、０．１〜０．３μｍの厚みを有する。
また、ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５４、及び電極パッド５２と外部端子電極５３を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とにより、ベース４の電極５が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。また、２つの外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３において、長手方向の両端部にそれぞれ形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。また、外部端子電極５４の一隅部（外部端子電極５３に対面する側の１つの隅部）には切り欠き部５４１が形成され、この切り欠き部５４１は、当該水晶振動子１の製造工程におけるベースの位置決めや、当該水晶振動子１を外部部品や外部機器へ搭載する際の位置決めを行うサポートの役割を果たす。
電極パッド５１，５２は、第１接合層４８と同様に、複数の層の積層構造からなり、ベース４の基板上に、第１スパッタ膜９３と、第２スパッタ膜９４と、第１メッキ膜９５と、第２メッキ膜９６と、第３メッキ膜９７と、第４メッキ膜９８とが順に積層されてなる。
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。
また、配線パターン５５のうち貫通孔４９およびその近傍に形成された部分と、基板の他主面４３に形成された部分では、第１シード膜９１と第２シード膜９２とが、第１スパッタ膜９３下の下層膜として形成されている。第１シード膜９１はベース４上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜であり、５〜１０ｎｍの厚みを有する。また、第２シード膜９２は、第１シード膜９１上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、０．３μｍの厚みを有する。
また、ベース４の一主面４２では、配線パターン５５は、第２シード膜９２および基板上に、第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ膜９５、第２メッキ膜９６、第３メッキ膜９７、および第４メッキ膜９８が順に積層されてなる。
一方、ベース４の他主面４３では、感光性を有する樹脂材からなる樹脂パターン６１（下記参照）が、第２シード膜９２、貫通孔４９および基板上に形成されている。すなわち、ベース４の他主面４３の一部（接触領域５８，５９）を除く全面に樹脂パターン６１が形成されている。なお、樹脂パターン６１が形成されていない他主面４３の一部（接触領域５８，５９）には、図１に示すように、配線パターン５５（第２シード膜９２）が形成されている。そして、ベース４の他主面４３の樹脂パターン６１および接触領域５８，５９の第２シード膜９２上に、第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ膜９５、第２メッキ膜９６、第３メッキ膜９７、および第４メッキ膜９８が順に積層されて、外部端子電極５３，５４が構成されている。
また、ベース４には、図１〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図５に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面（一主面４２、他主面４３）間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、図５に示すように、平坦面４９４（内側面４９１の一部）と曲面４９５（内側面４９１の一部）とから構成され、ベース４（基材）の一主面４２に連続して曲面４９５が形成され、ベース４（基材）の他主面４３に連続して平坦面４９４が形成され、平坦面４９４に連続して曲面４９５が形成されている。本実施の形態では、貫通孔４９のアスペクト比（長さと幅の比率）は１．３（長さ：１４５μｍ、幅：１１０μｍ）である。
平坦面４９４は、図５に示すように、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。また、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１の平坦面４９４とがなす角度は、約４５度とされる。なお、本実施の形態では、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、約４５度とされるが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０度から最大９０度であってもよく、角度θを大きくするほど貫通孔４９の径を小さくすることに寄与できる。
また、曲面４９５は、図５に示すように、貫通孔４９の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲面形状とされている。この曲面４９５は、貫通孔４９の孔内の予め設定した基準点４９９（図１２参照）から放射状に拡がった点の集合体からなり、また一定の曲率を有する。曲面４９５は、基準点４９９を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４９９（図１２参照）を中心とした球面の法線が、面Ｂ（図５に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４９９は複数有り、複数の基準点４９９は、１つの面Ｂ上に配され、面Ｂ上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂは、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図５に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、面Ｂは、ベース４の他主面４３よりも一主面４２に近い側に位置する。
また、曲面４９５は、上記の通り、複数の基準点４９９（図１２参照）を中心した曲面となるので、基準点４９９を中心とした法線が面Ｂ上に配される。そのため、貫通孔４９では、面Ｂに沿った径が最大幅寸法となる。
また、貫通孔４９の内側面４９１には、孔内に突出する２つの突起部４９８が形成されている。突起部４９８の突起端縁４９８１は、曲面４９５の端縁である。なお、本実施の形態にかかる２つの突起部４９８は、それぞれ環状（図４２に示す平面視の貫通孔４９参照）に成形されている。また、２つの突起部４９８の間の貫通孔４９の内側面４９１が、曲面４９５で形成されている。なお、本実施の形態では、２つの突起部４９８を形成しているが、これに限定されるものではなく、複数個であればよい。
貫通孔４９は、図５に示すように、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の他端開口端４９３の径と、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の一端開口端４９２の径とが同じもしくは略同等となる。本実施の形態では、貫通孔４９の両開口端（一端開口端４９２と他端開口端４９３）の開口寸法比は０．９（一端開口端４９２：φ１００μｍ、他端開口端４９３：φ１１０μｍ）である。
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部である第１シード膜９１および第２シード膜９２が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、樹脂パターン６１と同材料の樹脂材（便宜上符号６１とする）が充填されている。この樹脂材６１により貫通孔４９が塞がれている。なお、樹脂材６１では、図５に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面が、ベース４の一主面４２の表面と面一で、他主面４３の側の他端面が、一主面４２の側に凹むように形成されている。
また、貫通孔６１の内側面４９１に曲面４９５が含まれているため、貫通孔４９の内部の樹脂材６１が曲面４９５に沿って充填されるので、樹脂材が入り込んでアンカー効果が生じる。このようにアンカー効果を発揮することにより、樹脂材６１及び貫通孔４９の内側面４９１との間の密着性が確保されている。このように、樹脂材６１が貫通孔４９にくい込んでいる構成により、アンカー効果を得て、樹脂パターン６１の貫通孔４９への密着強度が向上する。
上記のように、ベース４を構成する基材の他主面４３には、外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１とが形成され、他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。そして、他主面４３には、図４に示すように、外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とを接触させる接触領域５８，５９がそれぞれ１つ設けられ、これら接触領域５８，５９にて外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とが接触される（積層される）。つまり、接触領域５８，５９にて外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とが電気的に接続される。なお、図４に示すように、本実施の形態では、樹脂パターン形成領域４７内に接触領域５８，５９がそれぞれ１つ設けられているが、接触領域５８，５９の個数はこれに限定されるものではなく、樹脂パターン形成領域４７内（外部端子電極５３，５４の積層下）に任意の個数の接触領域５８，５９をそれぞれ設けてもよい。
また、樹脂材６１や樹脂パターン６１には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂材６１や樹脂パターン６１は、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）に限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を使用してもよい。また、本実施の形態で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）は、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図６に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。
蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。
蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図示省略）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。なお、本実施の形態では、Ｔｉ膜及びＡｕ膜とから第２接合層７４を構成しているが、Ａｕ膜の代わりにＣｕからなるＣｕ膜を用いてもよい。
上記のベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されている。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態において、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されているが、ベース４の第１接合層４８に積層されていてもよい。
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウエットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
この水晶振動片２は、図７に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
基部２３は、図７に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が一端面２３１の側から他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
２本の脚部２１，２２は、図７に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値を改善させるために、溝部２５が形成されている。
接合部２４は、図７に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部と連なり基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、長辺部２４２の先端部２４３は、基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視直角に折曲された平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される２つの接合箇所２７が設けられている。
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
上記構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
次に、この水晶振動子１及びベース４の製造方法について図８〜図２０を用いて説明する。
本実施の形態では、ベース４を多数個形成する等方性材料からなる一枚板のウエハ８を用いる。なお、具体的には、ウエハ８にはガラス材料を用いる。
まず、ウエハ８の両主面８１，８２に、図８に示すように、ＣｒからなるＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをスピンコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
ポジレジスト層９１２を形成した後、台座部４６を除くキャビティ４５の一部と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図９に示すように、所定のパターン（台座部４６を除くキャビティ４５の一部と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６）を形成する。
図９に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図１０に示すように、ウエハ８に、台座部４６を除くキャビティ４５の一部と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６を形成したベース４を多数個成形する。なお、ここでいう凹部４９６の内側の底面が、面Ｂ（図１０に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、凹部４９６の内側面は平坦の面（平坦面４９４）とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の他主面８２（ベース４の他主面４３参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
ウエハ８に、台座部４６を除くキャビティ４５の一部と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６を形成した後に、図１１に示すように、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。ここまでの工程を、本発明でいう形成工程の一部であって第１形成工程という。
図１１に示すウエハ８に対して、台座部４６を含むキャビティ４５と、貫通孔４９（曲面４９５）と、ベース４の他主面４３の外周縁とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２に、新たなＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上に新たなＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、凹部４９６の内面４９７（内側面および内側の底面）にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
そして、新たなポジレジスト層９１２を形成した後、台座部４６を含むキャビティ４５と、貫通孔４９の曲面４９５と、ベース４の他主面４３の外周縁とを成形するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをエッチングして、図１２に示すように、所定のパターン（台座部４６を含むキャビティ４５と、貫通孔４９の曲面４９５と、ベース４の他主面４３の外周縁）を形成する。この時、凹部４９６では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。なお、ここでいう凹部４９６の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｃｒ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した中央部の露出端縁（図１２の符号４９９で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４９９で構成される線（無端状の平面視正円形の線）となり、この露出した部分を開口パターンとする。なお、複数の基準点４９９は、面Ｂ（図１２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
図１２に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングする。ここでのエッチングに関して、本実施の形態ではウエハ８に等方性材料を用いているため、複数の基準点４９９から放射状にウエハ８を溶解する（エッチングする）。そして、図１３に示すように、ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成したベース４を多数個成形する。
ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成した後に、図１４に示すように、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、複数のベース４を成形したウエハ８素板にする。ここまでの工程を、本発明でいう形成工程の一部であって第２形成工程という。なお、第２形成工程に関して、出願時において、水晶振動子１（ベース４）が小型化されたベース４における曲面４９５の形成に物理的なエッチング（ドライエッチングなど）を用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。また、上記の第１形成工程と第２形成工程とにより形成工程を構成する。
そして、図１４に示すウエハ８に対して、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＭｏからなるＭｏ層（第１シード膜９１）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１シード膜９１の形成後に、第１シード膜９１上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２シード膜９２）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。
第１シード膜９１及び第２シード膜９２を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の配線パターンとに対応した所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、その後、露光および現像により露出した部分に対して、第１シード膜９１と第２シード膜９２とをメタルエッチングする。第１シード膜９１と第２シード膜９２とのメタルエッチング後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去する（図１５参照）。ここで形成した第１シード膜９１および第２シード膜９２により、図１に示すベース４の配線パターン５５の一部を構成する。
図１５に示すウエハ８に対して、レジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う。その後、Ｃｕからなる樹脂層６１をウエハ８の両主面８１，８２にメッキ形成する。樹脂層６１を形成した後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去して、図１６に示すように、貫通孔４９およびベース４の他主面４３に樹脂パターン６１を形成する。
樹脂パターン６１を形成した後に、ウエハ８の両主面８１，８２に、ＭｏからなるＭｏ層（第１スパッタ膜９３）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１スパッタ膜９３の形成後に、第１スパッタ膜９３上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２スパッタ膜９４）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（図１７参照）。
第１スパッタ膜９３及び第２スパッタ膜９４を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８を形成するために、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８に対応した所定のパターンのポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う（図１８参照）。
ポジレジスト層９１２の露光及び現像を行った後に、ウエハ８の両主面８１，８２に第１メッキ層９５を形成し、第１メッキ層９５上に第２メッキ層９６を形成し、第２メッキ層９６上に第３メッキ層９７を形成し、第３メッキ層９７上に第４メッキ層９８を形成する（図１９参照）。
図１９に示すように、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８を形成した後に、ポジレジスト層９１２およびポジレジスト層９１２下の第１スパッタ膜９３と第２スパッタ膜９４とを除去して、ベース４をウエハ８に多数個形成する（図２０参照）。ここで形成した第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８により、図１に示すベース４の電極パッド５１，５２、配線パターン５５の一部、および第１接合層４８を構成する。
ベース４をウエハ８に多数個形成した後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図２に示すベース４を製造する。
そして、図２に示すベース４に、切り欠き部５４１の位置に基づいて図７に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図６に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。
上記のように、本実施の形態にかかる水晶振動子１、およびベース４、ベース４の製造方法によれば、貫通孔４９の内側面４９１に曲面４９５が含まれるので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、貫通孔４９の両方の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）の幅を狭くしても貫通孔４９を形成することができる。その結果、貫通孔４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）を小さくして、ベース４の両主面４２，４３において４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができる。また、本実施の形態によれば、貫通孔４９に充填する部材に対してアンカー効果を生じさせることができる。特に、曲面によるアンカー効果は、平坦面によるアンカー効果よりも有効である。
また、貫通孔４９の内側面４９１に２つの突起部４９８が形成され、突起部４９８の突起端縁４９８１は、曲面４９５の端縁であるので、突起端縁４９８１および曲面４９５により貫通孔４９に充填する部材に対して効率よくアンカー効果を生じさせることができる。
また、２つの突起部４９８の間に曲面４９５が形成されるので、ベース４（基材）の両主面４２，４３に直交する直交方向（両方向）に対して２つの突起部４９８および曲面４９５によりアンカー効果を生じさせることができる。
また、ベース４（基材）の一主面４２に連続して貫通孔４９の曲面４９５が形成され、ベース４（基材）の他主面４３に連続して貫通孔４９のテーパー状の平坦面４９４が形成され、平坦面４９４に連続して曲面４９５が形成されるので、ベース４の両主面４２，４３において４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、曲面４９５により貫通孔４９に充填する部材がベース４（基材）の一主面４２から出るのを抑えることができる。また、ベース４（基材）の他主面４３に連続して平坦面４９４が形成されるので、平坦面４９４から貫通孔４９に充填物（本実施の形態では、樹脂材６１）を充填することで、貫通孔４９への充填物の充填を容易にすることができる。
なお、本実施の形態に係る水晶振動子１において、樹脂材６１は、貫通孔４９の内側面の第１シード膜９１および第２シード膜９２にメッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されているが、樹脂材６１は、貫通孔４９に導電性材料を充填して構成されるものであれば、これに限定されるものではない。つまり、樹脂材６１は、貫通孔４９に金属ペースト（導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材）を充填することにより構成されてもよい。
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４では、第１シード膜９１をＭｏ膜で構成しているが、これに限定されるものではなく、Ｍｏ膜の代わりにＴｉからなるＴｉ膜を用いてもよい。
また、本実施の形態では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、等方性材料であればよい。
また、本実施の形態では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
また、上記した実施の形態に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図７に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、ＡＴカット水晶振動片を使用してもよい。
また、本実施の形態に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
また、本実施の形態では、２端子の水晶振動子１を用いているが、これに限定されるものではなく、４端子の水晶振動子１にも適用できる。
また、本実施の形態では、１つの平坦面４９４と１つの曲面４９５とから貫通孔４９の内側面４９１を構成しているが、これに限定されるものではなく、図２１に示すように２つの平坦面（第１平坦面４９４１と第２平坦面４９４２）と１つの曲面４９５とから貫通孔４９の内側面４９１を構成してもよい。図２１に示すベース４の貫通孔４９では、その内側面４９１が、テーパー状の第１平坦面４９４１およびテーパー状の第２平坦面４９４２と、曲面４９５とから構成されている。貫通孔４９の具体的な構成に関して、ベース４（基材）の一主面４２に連続して第１平坦面４９４１が形成され、第１平坦面４９４１に連続して曲面４９５が形成され、ベース４（基材）の他主面４３に連続して第２平坦面４９４２が形成され、第２平坦面４９４２に連続して曲面４９５が形成されている。
この図２１に示す貫通孔４９によれば、ベース４の両主面４２，４３において貫通孔４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、第１平坦面４９４１または第２平坦面４９４２のどちらからでも貫通孔４９に充填物を充填することができ、貫通孔４９への充填物の充填を容易にすることができる。
また、本実施の形態では、貫通孔４９の形成に関する形成工程を第１形成工程と第２形成工程とから構成しているが、これに限定されるものではなく、貫通孔４９の内側面４９１の一部として、貫通孔４９の幅方向の外方に膨らむように曲面を形成する第３形成工程により貫通孔４９を形成してもよい。この第３形成工程では、ウエットエッチングによって内面４９７（内側面および底面）を平坦面とした凹部４９６を基材に形成し、凹部４９６の底面をエッチング対象としてウエットエッチング方法により曲面４９５を形成する。この第３形成工程により形成した貫通孔４９を図２２に示す。図２２に示す貫通孔４９の内側面４９１は、曲面４９５のみで形成されている。この図２２に示す曲面４９５を形成するための基準点４９９は、基準面となる面Ｂ上にされている。この図２２に示す実施の形態によれば、貫通孔４９の内側面４９１は曲面４９５のみで形成されるので、ベース４の両主面４２，４３において貫通孔４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、曲面４９５により貫通孔４９に充填する部材がベース４（基材）の両主面４２，４３から出るのを抑えることができる。
また、上記の本実施の形態では、曲率が一定となる曲面４９５を貫通孔４９に形成しているが、基準点４９９（図１２参照）から放射状に拡がった点の集合体からなれば、曲率が可変する曲面であってもよい。具体的には、図２３に示すように、貫通孔４９の開口端の一方（他端開口端４９３）が、楕円形に形成されてもよい。なお、図２３に示す一端開口端４９２は，正円に形成され、一端開口端４９２と他端開口端４９３との形状やサイズが異なる。
上記の通り、図２３に示す貫通孔４９では、一端開口端４９２が正円となり、他端開口端４９３が楕円となり、図２８〜３０に示すように貫通孔４９の断面形状が異なる。本実施の形態では、図２４〜２７に示す平面視長方形の開口パターン８３を用いて、他端開口端４９３を楕円形とする貫通孔４９を形成する。なお、平面視四辺形（略長方形）の開口パターン８３は、図２４に示すように、短辺が凹部４９６の開口端に対応しており、短辺が直線ではなく曲線となっている。
図２３に示す貫通孔４９の製造に関して、本実施の形態では、ウエハ８には等方性材料が用いられている。そのため、開口パターン８３を平面視長方形とすることで、開口パターン８３を構成する複数の基準点４９９から放射状にウエハ８を溶解（エッチング）すると、他端開口端４９３が楕円形となる。この他端開口端４９３を楕円形とする貫通孔４９によれば、貫通孔４９内の突起端縁を部分的に平滑化させることができる。つまり、突起部分の鋭角を抑えて突起端縁を滑らかにすることができる。
また、上記の各実施の形態では、貫通孔４９の内側面４９１に１つの曲面４９５が含まれているが、これに限定されるものではなく、図３１に示すように、複数の曲面４９５１，４９５２が貫通孔４９に含まれてもよい。なお、図３１では、２つの曲面４９５１，４９５２が連続して形成されている。
図３１に示す貫通孔４９では、２つの曲面４９５１，４９５２が含まれている。具体的には、２つの曲面４９５１，４９５２は、それぞれ貫通孔４９の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲面形状とされている。２つの曲面４９５１，４９５２は、それぞれ貫通孔４９の孔内の予め設定した基準点４９９１，４９９２（図４１参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。２つの曲面４９５１，４９５２は、それぞれ基準点４９９１，４９９２を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、それぞれ基準点４９９１，４９９２（図４１参照）を中心とした球面の法線が、面Ｂ１，Ｂ２（図３１に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４９９１，４９９２は複数有り、複数の基準点４９９１，４９９２は、それぞれ面Ｂ１，Ｂ２上に配され、それぞれ面Ｂ１，Ｂ２上において不図示の円形の線（無端状の平面視正円形の線）となる。また、それぞれ面Ｂ１，Ｂ２は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図３１に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、面Ｂ１は、ベース４の一主面４２よりも他主面４３に近い側に位置し、面Ｂ２は、ベース４の他主面４３よりも一主面４２に近い側に位置する。
また、２つの曲面４９５１，４９５２は、上記の通り、複数の基準点４９９１，４９９２（図４１参照）を中心した曲面となるので、基準点４９９１，４９９２を中心とした法線が面Ｂ１，Ｂ２上に配される。また、２つの曲面４９５１，４９５２は、同寸法となり、貫通孔４９では、面Ｂ１，Ｂ２に沿った径が最大幅寸法となる。なお、図３１に示す実施の形態では、面Ｂ１，Ｂ２に沿った径が最大幅寸法としているが、これに限定されるものではなく、面Ｂ１，Ｂ２に沿った径と、貫通孔４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）とが同一径となり、貫通孔４９の開口端も最大幅寸法となってもよい。
また、貫通孔４９の内側面４９１には、孔内に突出する３つの突起部４９８が形成されている。突起部４９８の突起端縁４９８１は、曲面４９５１，４９５２の端縁となる。なお、本実施の形態にかかる３つの突起部４９８は、それぞれ環状に成形されている。また、３つの突起部４９８の相互の間の貫通孔４９の内側面４９１が、曲面４９５１，４９５２で形成されている。なお、本実施の形態では、３つの突起部４９８を形成しているが、これに限定されるものではなく、さらに多数個であってもよい。
次に、図３１に示すベース４の貫通孔４９の製造方法について図３１〜図４３を用いて説明する。
まず、ベース４を多数個形成するガラス材料（等方性材料）からなる一枚板のウエハ８を用い、ウエハ８の両主面８１，８２に、図３２に示すように、ＣｒからなるＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをスピンコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
ポジレジスト層９１２を形成した後、台座部４６を除くキャビティ４５の一部を形成するために、ウエハ８の一主面８１のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図３３に示すように、所定のパターン（台座部４６を除くキャビティ４５の一部）を形成する。
図３３に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図３４に示すように、ウエハ８に、台座部４６を除くキャビティ４５の一部を形成したベース４を多数個成形する。
図３４に示すキャビティ４５の一部を形成したベース４を多数個成形したウエハ８に対して、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。
素板状態のウエハ８の両主面８１，８２に、ＣｒからなるＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
ポジレジスト層９１２を形成した後、台座部４６を含むキャビティ４５を形成するために、ウエハ８の一主面８１のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図３５に示すように、所定のパターン（台座部４６を含むキャビティ４５と、ベース４の他主面４３の外周縁）を形成する。
図３５に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図３６に示すように、ウエハ８に、台座部４６を含むキャビティ４５とベース４の他主面４３の外周縁とを形成したベース４を多数個成形する。
図３６に示すキャビティ４５を形成したベース４を多数個成形したウエハ８に対して、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、図３７に示すウエハ８素板にする。
素板状態のウエハ８の両主面８１，８２に、ＣｒからなるＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
ポジレジスト層９１２を形成した後、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６（図３９参照）を形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図３８に示すように、所定のパターン（貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６）を形成する。
図３８に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図３９に示すように、ウエハ８の両主面８１，８２（一主面８１，他主面８２）に、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６を形成したベース４を多数個成形する。なお、ここでいう凹部４９６の内側の底面が、面Ｂ１，Ｂ２（図３９に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、凹部４９６の内側面は平坦の面（平坦面４９４）とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の両主面８１，８２（ベース４の両主面４２，４３参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
ウエハ８の両主面８１，８２に、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６を形成した後に、図４０に示すように、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。ここまでの工程を、本発明でいう形成工程の一部であって第１形成工程という。
図４０に示すウエハ８に対して、貫通孔４９（曲面４９５１，４９５２）を形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２に、新たなＣｒ膜９１０をスパッタ形成し、Ｃｒ膜９１０上に新たなＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、凹部４９６の内面４９７（内側面および内側の底面）にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
そして、新たなポジレジスト層９１２を形成した後、貫通孔４９の曲面４９５１，４９５２を成形するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１とをエッチングして、図４１に示すように、貫通孔４９の曲面４９５のパターンを形成する。この時、凹部４９６では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。なお、ここでいう凹部４９６の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｃｒ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した中央部の露出端縁（図４１の符号４９９１，４９９２で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４９９１，４９９２で構成される線（無端状の平面視正円形の線）となり、これら露出した部分を開口パターンとする。なお、複数の基準点４９９１，４９９２は、面Ｂ１，Ｂ２（図３９に示す二点鎖線の仮想面）上にそれぞれある。
図４１に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングする。ここでのエッチングに関して、本実施の形態ではウエハ８に等方性材料を用いているため、複数の基準点４９９から放射状にウエハ８を溶解する（エッチングする）。そして、図４２に示すように、ウエハ８に、貫通孔４９を形成したベース４を多数個成形する。
ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成した後に、図４３に示すように、ポジレジスト層９１２とＣｒ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、複数のベース４を成形したウエハ８素板にする（図３１の貫通孔４９参照）。ここまでの工程を、本発明でいう形成工程の一部であって第２形成工程という。なお、第２形成工程に関して、出願時において、水晶振動子１（ベース４）が小型化されたベース４における曲面４９５の形成に物理的なエッチング（ドライエッチングなど）を用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。また、上記の第１形成工程と第２形成工程とにより形成工程を構成する。
そして、図４３に示すウエハ８に対して、上記の実施の形態と同様の工程により、配線パターン５５を形成し、貫通孔４９およびベース４の他主面４３に樹脂パターン６１を形成したベース４をウエハ８に多数個形成する。ベース４をウエハ８に多数個形成した後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個のベース４を製造する。そして、ベース４に、水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図６に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、水晶振動子１を製造する。
上記のように、図３１に示す貫通孔４９によれば、上記の図５に示す貫通孔４による作用効果を有し、さらに上記の図５に示す貫通孔４９よりも貫通孔４９の両方の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）の幅を狭くすることができる。
上記の本実施形態および各変形例については適宜組み合わせることも可能であることはいうまでもない。
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
また、この出願は、２０１１年９月３０日に日本で出願された特願２０１１−２１６９６５号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
本発明は、電子部品素子を搭載する電子部品パッケージに適用できる。
１ 水晶振動子
１１ 内部空間
１２ 接合材
１３ 導電性バンプ
２ 水晶振動片（電子部品素子）
２０ 圧電振動素板
２１，２２ 脚部
２１１，２２１ 先端部
２３ 基部
２３１ 一端面
２３２ 他端面
２３３ 側面
２４ 接合部
２４１ 短辺部
２４２ 長辺部
２４３ 先端部
２５ 溝部
２６ 貫通孔
２７ 接合箇所
３１，３２ 励振電極
３３，３４ 引出電極
４ ベース（封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１ 底部
４２ 一主面
４３ 他主面
４４ 壁部
４５ キャビティ
４５２ 一端部
４６ 台座部
４８ 第１接合層
４９ 貫通孔
４９１ 内側面
４９２ 一端開口端
４９３ 他端開口端
４９４ 平坦面
４９４１ 第１平坦面
４９４２ 第２平坦面
４９５，４９５１，４９５２ 曲面
４９６ 凹部
４９７ 内面
４９８ 突起部
４９８１ 突起端縁
４９９，４９９１，４９９２ 基準点
５１，５２ 電極パッド
５３，５４ 外部端子電極
５４１ 切り欠き部
５５ 配線パターン
５８，５９ 接触領域
６１ 樹脂パターン，樹脂材，樹脂層
７ 蓋
７１ 頂部
７２ 一主面
７３ 壁部
７３１ 内側面
７３２ 外側面
７３３ 天面
７４ 第２接合層
８ ウエハ
８１，８２ 主面
８３ 開口パターン
９１ 第１シード膜（第１メタル層）
９２ 第２シード膜（第２メタル層）
９３ 第１スパッタ膜（第１スパッタ層）
９４ 第２スパッタ膜（第２スパッタ層）
９５ 第１メッキ膜（第１メッキ層）
９６ 第２メッキ膜（第２メッキ層）
９７ 第３メッキ膜（第３メッキ層）
９８ 第４メッキ膜（第４メッキ層）
９１０ Ｃｒ膜
９１１ Ａｕ膜
９１２ ポジレジスト層
Ｂ，Ｂ１，Ｂ２ 面

Claims (13)

  1. 複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
    当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔が形成され、
    前記貫通孔の内側面には、前記貫通孔の幅方向外方に膨らむ曲面が含まれたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  2. 複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
    当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔が形成され、
    前記貫通孔の内側面には、前記貫通孔の孔内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、
    前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配されることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  3. 請求項１または２に記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記貫通孔の内側面に、孔内に突出する複数の突起部が形成され、
    前記突起部の突起端縁は、前記曲面の端縁であることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  4. 請求項３に記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記複数の突起部の間の前記貫通孔の内側面が、前記曲面で形成されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  5. 請求項１乃至４のうちいれずか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記曲面は、複数形成されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  6. 請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記貫通孔の内側面は、前記曲面のみで形成されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  7. 請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記貫通孔の内側面には、テーパー状の平坦面が含まれ、
    前記基材の一主面に連続して前記曲面が形成され、
    前記基材の他主面に連続してテーパー状の平坦面が形成され、
    前記平坦面に連続して前記曲面が形成されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  8. 請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材において、
    前記貫通孔の内側面には、テーパー状の第１平坦面とテーパー状の第２平坦面とが含まれ、
    前記基材の一主面に連続してテーパー状の第１平坦面が形成され、前記第１平坦面に連続して前記曲面が形成され、
    前記基材の他主面に連続してテーパー状の第２平坦面が形成され、前記第２平坦面に連続して前記曲面が形成されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
  9. 複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、
    少なくとも１つの前記封止部材が、請求項１乃至８のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
  10. 複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
    当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔を形成する形成工程を有し、
    前記形成工程は、前記貫通孔の内側面の一部として平坦面を形成する第１形成工程と、前記第１形成工程後に、前記貫通孔の内側面の一部として曲面を形成する第２形成工程と、を含み、
    前記第１形成工程では、ウエットエッチングにより内側面をテーパー面とした凹部を前記基材に形成し、
    前記第２形成工程では、前記凹部の底面をエッチング対象として、ウエットエッチングにより前記曲面を形成し、
    前記第１形成工程において形成した前記凹部の内側面の少なくとも一部を前記貫通孔の内側面とすることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
  11. 請求項１０に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
    前記第２形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行うことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
  12. 複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
    当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の両主面間を貫通する貫通孔を形成する形成工程を有し、
    前記形成工程は、前記貫通孔の内側面として曲面を形成する第３形成工程を含み、
    前記第３形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングにより前記曲面を形成することを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
  13. 請求項１２に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
    前記第３形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行うことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6163023B2 (ja) * 2013-06-10 2017-07-12 日本電波工業株式会社 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
KR20150033979A (ko) * 2013-09-25 2015-04-02 삼성전기주식회사 인터포저 기판 및 인터포저 기판 제조 방법
JP6191787B2 (ja) * 2015-01-08 2017-09-06 株式会社村田製作所 圧電振動部品の製造方法
US11165390B2 (en) * 2015-06-12 2021-11-02 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator device
JP6772574B2 (ja) * 2016-06-16 2020-10-21 株式会社村田製作所 圧電振動子及びその製造方法
WO2018135650A1 (ja) * 2017-01-19 2018-07-26 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法
US10048716B1 (en) * 2017-02-10 2018-08-14 Apple Inc. Method and apparatus for power distribution in integrated circuits
WO2019059030A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 株式会社村田製作所 電子部品
US11257745B2 (en) * 2017-09-29 2022-02-22 Intel Corporation Electroless metal-defined thin pad first level interconnects for lithographically defined vias
WO2020027138A1 (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 株式会社村田製作所 Ｍｅｍｓデバイス
JP2020123881A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動モジュール、電子機器および移動体
JP7247694B2 (ja) * 2019-03-25 2023-03-29 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、発振器、振動モジュール、電子機器および移動体
CN113207244A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 制造部件承载件的方法及部件承载件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086723A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Nec Schott Components Corp 薄型金属パッケージ
JP2010124448A (ja) * 2008-10-24 2010-06-03 Epson Toyocom Corp 電子部品用パッケージ、圧電デバイスおよびその製造方法
JP2010206322A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Daishinku Corp パッケージ部材および該パッケージ部材の製造方法および該パッケージ部材を用いた圧電振動デバイス
WO2011108715A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 株式会社大真空 電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージ用封止部材の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639288A (en) 1984-11-05 1987-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Process for formation of trench in integrated circuit structure using isotropic and anisotropic etching
JPH0486011A (ja) * 1990-07-27 1992-03-18 Nec Kansai Ltd 気密端子及びその製造方法
JPH06283951A (ja) 1993-03-26 1994-10-07 Citizen Watch Co Ltd 水晶部品の製造方法
JP3879816B2 (ja) 2000-06-02 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、積層型半導体装置、回路基板並びに電子機器
JP2009182924A (ja) * 2008-02-01 2009-08-13 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8129888B2 (en) * 2008-08-05 2012-03-06 Daishinku Corporation Sealing member of piezoelectric resonator device and manufacturing method therefor
JP5275155B2 (ja) 2009-06-26 2013-08-28 セイコーインスツル株式会社 電子デバイスの製造方法
JP5129284B2 (ja) * 2010-03-09 2013-01-30 日本電波工業株式会社 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086723A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Nec Schott Components Corp 薄型金属パッケージ
JP2010124448A (ja) * 2008-10-24 2010-06-03 Epson Toyocom Corp 電子部品用パッケージ、圧電デバイスおよびその製造方法
JP2010206322A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Daishinku Corp パッケージ部材および該パッケージ部材の製造方法および該パッケージ部材を用いた圧電振動デバイス
WO2011108715A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 株式会社大真空 電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージ用封止部材の製造方法

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