CN1037998C

CN1037998C - 光敏元件和光电成象设备以及用其成象的方法

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Publication number: CN1037998C
Application number: CN90109099A
Authority: CN
Inventors: 吉原淑之
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-11-13
Filing date: 1990-11-13
Publication date: 1998-04-08
Anticipated expiration: 2005-11-13
Also published as: EP0428102B1; EP0428102A1; CN1051985A; DE69028681T2; US5376485A; DE69028681D1

Abstract

一种适用于反转显影型光电成像设备的光敏元件，它是由导电支撑体、电荷产生层和电荷迁移层顺序构成，电荷产生层含有含氧钛酞菁染料，且电荷迁移层的厚度为22微米或更大。这种含氧钛酞菁染料感光度高，从而600V或以下的部分电压便足以。由于低的暗部分电压和厚的电荷迁移层，致使有效地抑制了灰雾和黑斑一类的图像缺陷。

Description

光敏元件和光电成象设备以及用其成象的方法

本发明涉及光电成像的光敏元件、光电成像设备以及用其成像的方法。更具体地说，本发明涉及一种能提供高质量图象、无图象缺陷如灰雾和黑斑的光电成像的光敏元件、光电成像设备以及用光敏元件成像的方法。

近年来，人们对光电成像打印机，如激光束打印机、LED打印机和LCD打印机等作为计算机、字码处理机和传真机的输出装置的需求日益提高。

从不同角度看，如材料选择范围、耐久性、电位稳定性、光敏性和响应特性等，目前这类打印机和那些使用有机光导体的机器所用的光电成像的光敏元件中，有许多是基本上采月所谓功能分离型结构，这种结构包括含产生电荷物质的电荷产生层和含输送电荷物质的电荷迁移层。

在这类光电成像打印机、特别是数字式打印机中。输出图象多数是利用反向方式进行的，在此情况下，静电(潜像)图象也是按照反转显影方式显像的。在反转显影中，静电潜像的暗部分提供了显像的白色背景区，这样便涉及一个问题，即因由基材载流子注入电压降以微斑形式往往以显著的图象缺陷出现。如白色背景中的光雾或黑斑等。

为了防止灰雾和黑斑一类的缺陷，以前代表性地采取了以下措施：

(1)在基材和电荷产生层之间安置一层能防止载流子注入的底涂层。

(2)使用一种载流子迁移度很低的电荷迁移物质。

(3)鉴于在高湿度环境下，电荷产生层或底涂层的电阻值可能会降低以加速载流子注入，故利用加热器加热光敏元件。

但是，上述措施中没有一种效果充分，而且还有某些付作用。

另一方面，在许多情况下，已采用半导体激光作为光电成像打印机和数字复制机的光源，另外，含氧钛酞菁染料作为电荷产生物质已引起注意，因为它在780-800nm附近(即半导体激光发射波长)具有很高的感光度。含氧钛酞菁不仅具有很高的感光度，而且还具有优异的光电成像特性，由此，适用作光电成像打印机和数字复制机的光敏元件。尽管如此，即使用含氧钛酞菁，也难以防止在白色背景中出现的上述灰雾。这种灰雾缺陷明显损害了图象质量，因此仍需对其加以解决。

本发明的一个目的是提供一种解决了上述问题且能提供在反转显影法中无灰雾的高质量的光电成像的光敏元件，一种装有该光敏元件的光电成像设备，和用该光敏元件成像的方法。

按照本发明，提供了一种用于装有充电装置和反转显影装置的光电成像设备的光电成像的光敏元件，它以下述顺序包括：一个导电支撑体、一层电荷产生层和一层电荷迁移层，其中电荷产生层包含含氧钛酞菁(oxytitanium phthalocyanine)且电荷迁移层的厚度为22微米或以上。

按照本发明的另一方面，提供了一种光电成像设备，它包括：

一种光电成像光敏元件、充电装置和反转显影装置，其中所述充电装置是一种提供给光敏元件表面600V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)的装置；光敏元件顺序包括一个导电支撑体、电荷产生层和电荷迁移层；电荷产生层包含含氧钛酞菁，且电荷迁移层的厚度为22微米或更高。

按照本发明的又一方面，提供一种成像方法，该方法包括：

给光电成像光敏元件充电以提供600V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)；所述光电成像的光敏元件按顺序包括导电支撑体、电荷产生层和电荷迁移层；电荷产生层包含含氧钛酞菁且电荷迁移层的厚度为22微米或更高；

在光电成像的光敏元件的表面上形成静电潜像；以及

反转显影由此形成的静电潜像。

在以下结合附图研究了本发明的优选方案说明之后将更清楚地了解到本发明的这些和其它目的，特点和优点。

图1是按以下合成例2制得的含氧钛酞菁的X-射线衍射图。

图2说明了装有本发明光电成像的光敏元件的光电成像设备。

图3是使用本发明的光电成像设备作为打印机的传真机的方块图。

在本发明的光电成像的光敏元件中，电荷迁移层的厚度要比传统用的大，这是很重要的。其原因不一定很清楚，但也许是当提供给光敏元件某一表面电位时，厚的电荷迁移层可能比薄的电荷迁移层提供较小的电场强度，从而抑制了上述来自基材的注入电荷。另一原因可能是，如果光敏元件具有厚的电荷迁移层，在载流子到达光敏元件之前(即载流子迁移距离很高)可以完成显影步骤。

在本发明中，电荷迁移层可具有22微米或以上的厚度，最好是25微米或以上。

该厚度的上限可在提供所需感光度的范围内适当调节。考虑到涂覆膜的均匀性，电荷迁移层可具有50微米或以下的厚度，特别是35微米或以下。

在本发明中，在形成静电潜像时光敏元件上的暗部分电位(以下称作“Vd”)调节到比以前较小值。更确切地说，暗部分电位(Vd)最好调节到600V或以下，特别是550V或以下(以绝对值表示)。

Vd的下限可根据需要在提供充分显影反差度范围内调节，但最好是250V或以上，特别是300V或以上。

迄今，已将Vd调节到700V左右(以绝对值表示)。一个原因是，较高的Vd和较低的亮部分电位(以下称作V1)的综合体提供其间足够的电势差一直是期望的，目的是提供足够的页边来抑制因重复使用光敏元件和环境变化造成的电位变化，从而稳定地提供高反差图像。

但是，本发明人发现，用作电荷产生物质的含氧钛酞菁具有足够高的感光度，从而即使在低Vd的条件下也能提供足够的反差，而且在重复使用或环境变化时变化很小，由此稳地提供了良好的图像。

所以，按照本发明，在具有含含氧钛酞菁染料的电荷产生层的光电成像光敏元件中，电荷迁移层制得较厚，暗部分电位(Vd)调得较低，从而由于这些因素的协同作用，首次基本上消除了灰雾和黑斑一类的图像缺陷。

下面，更详细地说明光电成像的光敏元件的结构。

导电支撑体可以是一种公知的支撑材料，它包括一种导电材料，如铝、铝合金、铜、锌、不锈钢、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金或铂；一种利用汽相淀积涂布有铝、铝合金、氧化铟、氧化钛、氧化铟、氧化钛复合物(IPO)等涂膜的塑料基体；一种用导电颗粒浸渍的塑料或纸基材；或一种含导电聚合物的塑料支撑体。

在本发明的光敏元件中，导电支撑体电荷产生层之间可以分布一层显示隔离功效和粘合功效的底涂层。

该底涂层可由以下一种物质形成，如酪素、聚乙烯醇、硝基纤维素、乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯丁缩醛、酚醛树脂、聚酰胺(包括尼龙6，尼龙66，尼龙610，共聚物尼龙，烷氧基甲基化尼龙等等)、聚氨酯、明胶或氧化铝。

底涂层的厚度最好是0.1-10微米，特别是0.1-3微米。

在支撑体和底涂层之间，还可以涂布一层补偿表面缺陷的涂层，或一层防止在激光提供图像输出时因散射造成的干涉条纹的导电层。

导电层可以由含有导电粉末(如炭黑，金属粉，或金属氧化物粉)和一种合适的粘合剂树脂构成的涂层。导电层的厚度最好是5-40微米，特别是10-30微米。

本发明的光电成像的光敏元件还可以在光导层上有一层表面树脂层或导电树脂层作为表面保护层。表面保护层的厚度最好是0.1-5微米，特别是0.2-3微米。

以下说明本发明中用作电荷产生物质的含氧钛酞菁。含氧钛酞菁是一种可由下式表示的化合物，

其中X₁，X₂，X₃和X₄分别表示Cl或Br；且n，m，l和k分别是整数0-4。

举例来说，日本公开未决专利申请(JP-A)57-148745，59-36254，59-44054，59-31965，61-239248和62-67904公开了含氧钛酞菁的合成方法和光电成像特性。在本发明中，上述公开文献中制得的含氧钛酞菁可用作电荷产生物质。

在各种类型的含钛氧酞菁染料中，使用这样的含氧钛酞菁对本发明特别有利，它在以CuKa特征X-射线为基础的X-射线衍射图型中具有由布拉格角(2θ±0.2度)规定的强度-9.0度，14.2度，23.9度和27.1度，它显示出很高的光敏度和相当低的阻值，从而易注入载流子。

通过将含氧钛酞菁汽相沉积到载体上或将一种通过把含氧钛酞菁分散在含粘合剂树脂的树脂液中(如酚醛树脂，尿素树脂，蜜胺树脂，环氧树脂，硅氧烷树脂，氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，丁缩醛树脂，二甲苯树脂，聚氨酯树脂，丙烯酸树酯，聚碳酸酯树脂，聚丙烯酸酯树脂，饱和聚酯树脂或苯氧基树脂)呈分散体或溶液状形成的涂料液涂布载体，可形成含有含氧钛酞菁的电荷产生层。该层厚最好是0.05-10微米，特别是0.1-3微米。

在分散体形式的电荷产生层中，含氧钛酞菁和粘合剂树脂可以1∶5～5∶1的重量比混合，最好是1∶2～3∶1.含氧钛酞菁的比例低于1∶5会显著降低感光度。另一方面，若其比例超过5∶1，含氧钛酞菁往往凝结，使电荷产生层的机械强度变差。

电荷迁移物质可以是一种普通物质，其例子有吡唑啉化合物、腙化合物、芪化合物，三苯胺化合物、联苯胺化合物和噁唑化合物。

这样的电荷迁移物质可与参考上述电荷产生层中介绍的粘合剂和溶剂一起分散成涂料液，然后将其涂布成电荷迁移层。

如上所述，电荷迁移层的厚度最好调节到22～50微米，特别是25～35微米。

在电荷迁移层中，电荷迁移物质和粘合剂树脂可以1∶3～3∶1的重量比混合，最好是1∶2～2∶1.电荷迁移层物质的比例低于1∶3会造成感光度下降，而且因电荷迁移能力下降致使剩余电位提高。在本发明采用厚电荷迁移层的情况下，载体迁移距离提高使迁移率降低，因此不可取。电荷迁移物质的比例超过3∶1会使电荷迁移层的机械强度降低，而且重复使用光敏元件时寿命也会下降。

各层可按公知的方法，如浸涂法、喷涂法、流涂法、刀涂法和旋涂法成型。

下面将说明在光电成像设备中的静电潜像形成法。

光敏元件可被均匀充电，充电方法一般是采用电晕放电或直接充电，即将辊状充电元件与光敏元件接触。此时，如果载体从电荷产生层局部喷射到电荷迁移层或从支撑体经由电荷产生层喷射到电荷迁移层以部分降低表面电位，则通过反转显影步骤在白色背景中形成黑斑。在本发明中，可以控制充电步骤以在光敏元件上提供250-600V，最好是300～550V的暗部分电位。

以下介绍用于本发明的含氧钛酞菁的合成例。

合成例I

在240-250℃和N₂气流下，将50克邻苯二甲腈、22.5克四氯化钛和630mlα-氯代萘的混合物搅拌4小时以进行反应。将产物过滤回收二氯钛酞菁，并将混合物与380ml浓氯水一起回流加热1小时，利用Soxhlet萃取剂，用丙酮洗涤产物，得到22克B-型含氧钛酞菁染料。

合成例2

在100克α-氯代萘中，将5.0克间苯二甲腈和2.0克四氯化钛于200℃搅拌3小时，然后冷却到50℃以析出晶体。过滤回收晶体，得到膏状二氯钛酞菁，然后在100℃搅拌下，用100mlN，N-二甲基甲酰胺洗涤并用100ml甲醇于60℃洗两次。过滤回收所得膏状物，并将其于80℃、在100ml去离子水中搅拌1小时，然后过滤得到4.3克兰色含氧钛酞菁晶体。

将所得含氧钛酞菁晶体溶于150克浓硫酸中，然后20℃搅拌下滴加到1500ml去离子水中重新析出晶体，然后过滤并用水充分洗涤，得到非晶型含氧钛酞菁。将所得4.0克非晶型含氧钛酞菁于室温下22℃在100ml甲醇中悬浮搅拌8小时，然后过滤和减压干燥，得到低晶含氧钛酞菁染料。

往2.0克所得低晶含氧钛酞菁中加入40ml正丁醚，然后在室温(22℃)下与粒径1mm的玻璃珠一起研磨20小时，得到液体分散体。从分散体中回收固体，然后用甲醇洗涤，用水充分洗涤并干燥，得到1.8克新型的含氧钛酞菁晶体。图1中示出了以上制备的含氧钛酞菁染料晶体的X-射线衍射图。

从图1可以看出，在以Cukα特征X-射线为基础的X射线衍射图中，该含氧钛酞菁染料在布拉格角(2θ±0.2度)具有强峰-9.0度，14.2度，23.9度和27.1度。

图2示出了使用本发明的电照象光敏元件的普通转换型光电成像设备的结构示意图。现参考图2。作为载像元件的光敏鼓(即光敏元件1)以规定的周速绕轴1a旋转，旋转方向示于光敏鼓1内(如箭头所示)。光敏鼓表面利用充电器2均匀充电，以具有规定的正电压或负电压。使用成像曝光装置(未示出)，将光敏鼓暴露到光象L下(如采用狭缝曝光或激光束扫描曝光)，从而相应于曝光图像的静电潜像在光敏鼓1的表面上逐渐形成。静电潜像通过显影装置4显出，形成调色剂像。调色剂像逐渐转印到转印物质P上，利用转印充电器5转印材料P，以光敏鼓1的转速同步从供应部件(未示出)提供到光敏鼓1和转印充电器5之间的位置上。上面有调色剂像的转印材料P从光敏鼓1分离出。传送到固定装置8上，接着，固定图像，在电摄影设备外作为复制件复制出转印材料P。转印之后，利用净化器6将光敏鼓1表面上的残余调色剂颗粒除掉，得到净化的表面，光敏鼓1表面上的残余电荷利用预曝光装置清除掉，准备下次循环。对于给光敏鼓1均匀充电的充电器2，一般广泛使用电晕充电器。对于转移充电器5，一般也广泛使用这种电晕充电器。

按照本发明，在光电成像设备中，可以提供装置单元，后者包括选自光敏元件(光敏鼓)、充电器、显影装置、净化器等多个装置或完全包括这些装置，以便根据需要装上或去掉某些装置，举例来说，这些装置单元可以由光敏元件和至少一个充电器装置、显像装置和净化器构成，以便制成一种能够利用导向装置(如主体中的轨道)装在光电成像设备的主体上或从其上卸下的单独的装置。该装置单元可带有充电器和/或显影装置以制备单独的单元。

在光电成像设备用作复印机或打印机的情况下，从原件或原件上的反射光或透射光读出数据，使该数据转变成讯号，然后进行激光束扫描、LED分析或液晶开关分析，可得到曝光图像L。

在本发明的光电成像设备用作传真机的打印机的情况下，通过使打印接受数据曝光，可得到曝光图像L、图3示出了说明这种情况的方案的方块图。现在参考图3。控制器11控制图像读取部分10和打印机19。整个控制器11受CPU(中央处理单元)控制。由图像读取部分得到的读数经由传递线路13传送到总站(Partner Station)，另一方面，来自总站的接收数据通过接受线路12送到打印机19。图像存储器记忆指令的图像数据。打印机控制器18控制打印机19，参考数字14表示电话听筒。

通过线路15接收的图像(通过来自连接的远程终端的线路送出的图像数据)利用接收线路12反调制，在图像数据的恢复迅号处理之后逐渐储存在图象存储器16内。当至少一页的图像储存在图像存储器16时，便进行该页的图像记录。CPU17读出从图像存储器16来的一页数据并把经过恢复迅号处理的那一页图像数据送到打印机控制器18。打印机控制器18收到来自CPU17那一页图像数据并控制打印机19以便进行图像数据记录。此外，在由打印机19记录的过程中CPU17接收下一页图像。就这样，进行图像的接收和记录。

以下用实施例说明本发明，其中“份数”指的是“重量份”，除非另外特别指出。

实施例1

将外径30mm、长260mm的AI圆筒浸涂含有以下成份的导电层形成液，然后加热固化30分钟以形成18微米厚的导电层。

导电颜料：局部氧化锡的钛酸盐氧化物 10份

(商标：CRONOS ECT-62，Titan Kogyo K.K.产)

电阻调节颜料：氧化钛 10份

粘合剂树脂：酚醛树脂 10份

(商标：J-325，Dai-nippon Ink K.K.产)

表面粗化剂：球形硅氧烷树脂粉 1.5份

(商标：Tospal 120，Toshiba Silicone K.K.产)

溶剂：甲基/甲基纤维素(I/1) 20份

然后，将聚酰胺树脂(商标：Amilan CM-8000，Toray K.K产)于甲醇中的5％溶液通过浸涂涂布在导电层上形成1微米厚的底涂层。

分别将10份合成例1制取的含氧钛酞菁、4份聚乙烯丁缩醛树脂(商标：S-LEC BX-1，Sekisui Kagaku K.K.产)和200份环己酮混合和在含有1mm直径的玻璃珠的砂磨机中分散10小时，然后用500份四氢呋喃稀释。所得涂料液浸涂涂布到底涂层上形成0.15微米厚的电荷产生层。

最后，为制备电荷迁移层，将10份具有以下结构式的芪化合物和10份双酚Z-型聚碳酸酯树脂(商标：Z-200，MitsubishiGas Kagaky k.K.产)溶于400份一氯苯和15份二氯甲烷中，形成涂料液。将该涂料液浸涂涂布到电荷产生层上形成26微米厚的电荷迁移层。

将由此制得的光敏元件连到市售的、配有半导体激光光源的反转显影式激光束打印机上(商标：LBP-SX，Canon K.K.产)，并进行印刷图像评估，其中充电条件调节到Vd-540V，VL-80V，然后在施加-400V显影偏压的条件下，使用单组分负性调色剂，采用跳动显影法进行显影。

结果示于以下表1中。

实施例2

按照实施例1的同样方式制备光敏元件，只是电荷迁移层的厚度降低到23微米。将光敏元件按实施例1的同样方式进行图像评估，只是将充电条件调节到提供-600V Vd和-90V VL，并在施加-460V显影偏压下进行显影。

结果，在实施例1的情况下，在各种环境条件下(包括常温，常湿度和高湿、高湿度)稳定地得到无灰雾缺陷的高质量字母图像。另一方面，在使用较薄电荷迁移层的实施例2的情况下，在常温和常湿条件下得到良好的图像，但在高温的高湿环境下观察到一些黑斑点。

此外，实施例1和2的光敏元件分别在常温和常湿条件下进行10,000张印制耐久试验，形成了良好的图像且这些图像与初始阶段的图像没什么不同。在10,000张试验之后，实施例1的电位Vd＝-530V，VI＝-85V，实施例2的Vd＝-590V，VI＝-95V，从而电位变化很小。

表1专门示出了包括上述情况的结果。

实施例3

按实施例1类似的方式制备光敏元件。具体地说，按实施例1的同样方式形成导电层、底涂层和电荷产生层。为制备电荷迁移层，将9份下述结构的化合物和10份苯乙烯-丙烯酰共聚物树脂(商标：MS-600，Shin nippon Seitotsu Kagaku K.K.产)溶于400份一氯苯和12份二氯甲烷中，以形成涂料液。将涂料液以浸涂方式涂布到电荷产生层，形成24微米厚的电荷迁移层。

将由此制得的光敏元件安装到与实施例1所用相同的激光束打印机上并在Vd＝-500V，VI＝-60V，显影偏压＝-350V的条件下进行图像评估。结果也示于表1。

实施例4

按实施例3同样方式制备光敏元件，只是电荷迁移层的厚度降低到22微米，并在Vd＝-580V，VI＝-80V和显像偏压＝-420V的条件下，按实施例3的类似方式进行图像评估。结果示于表1。

实施例5

按实施例1同样的方式制备和评估光敏元件，只是使用合成例2制得的含氧钛酞菁染料。

结果示于表1。

对照例1

按实施例1的同样方式制备和评估光敏元件，只是电荷迁移层厚调节到18微米且Vd调节到-700V。

结果示于表1。

对照例2

按实施例3的同样方式制备和评估光敏元件，只是用三偶氮染料代替含氧钛酞菁染料。

结果示于表1。

耐久试验后的电位如下：Vd＝-410V，VI＝-70V。

表1

	23℃，55％RH 23℃，85％RH			32℃，85％RH初始	CIL^*2厚(μm)	暗部分电位(-V)
	23℃，55％RH 23℃，85％RH						初始	10,000张后	初始
	实施例12345	好^1↓^4↓↓↓	→^*3→→→→				初始	10,000张后	初始	→→→→→	→观察到少量黑斑→观察到少量黑斑→	2623242226	540600500580540
对照例12	实施例12345	好^1↓^4↓↓↓	→^*3→→→→	↓↓	观察到少量黑斑完全观察到灰雾	↓	观察到较多黑斑↓	1824	700500	→→→→→	→观察到少量黑斑→观察到少量黑斑→	2623242226	540600500580540

^*1好＝无灰雾的良好图像且打印字母质量良好。^*2CTL＝电荷迁移层。^*3→＝与左面相同^*4↓＝与上面相同

Claims

1.一种用于装有充电装置和反转显影装置的光电成像设备的光电成象的光敏元件，该元件顺序包括：一个导电支撑体、一层电荷产生层和一层电荷迁移层；其中电荷产生层含有含氧钛酞菁且电荷迁层的厚度为22微米或更大。

2.按照权利要求1的光敏元件，其中所述含氧钛酞菁在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图形中显示出由布拉格角(2θ±0.2度)规定的主峰-9.0度，14.2度，23.9度和27.1度。

3.按照要求1的光敏元件，其中电荷迁移层的厚度为25微米或更大。

4.按照权利要求1的光敏元件，其中在导电支撑体电荷产生层之间分布一底涂层。

5.按照权利要求1的光敏元件，它还包括一层表面保护层。

6.一种光电成像设备，它包括：

光电成像光敏元件，充电装置和反转显影装置，其中所述充电装置是一种提供给光敏元件表面600V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)的装置，所述光敏元件按顺序包括一个导电支撑体、一层电荷产生层和一层电荷迁移层；电荷产生层含有氧钛酞菁，且电荷迁移层的厚度为22微米或更大。

7.按照权利要求6所述的设备，其中所述含氧钛酞菁在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图中显示出由布拉格角(2θ±0.2度)规定的主峰-9.0度、14.2度、23.9度和27.1度。

8.按照权利要求6所述的设备，其中电荷迁移层的厚度为25微米或更大。

9.按照权利要求6所述的设备，其中所述充电装置是一种提供给光敏元件表面550V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)的装置。

10.按照权利要求6所述的设备，其中所述充电装置是与光敏元件接触的直接充电装置。

11.一种设备单元，包括：

一个光电成像的光敏元件、充电装置、反转显影装置和净化装置，其中所述充电装置是一种提供给光敏元件表面600V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)的装置：所述光敏元件按顺序包括一个导电支撑体、一层电荷产生层和一层电荷迁移层；所述电荷产生层含有含氧钛酞菁，且电荷迁移层的厚度为22微米或更大；所述设备单元总体上支持了光敏元件、充电装置、反转显影装置和净化装置，其分布的方式是自由连接在设备主体上并可由其上卸下。

12.按照权利要求11所述的设备单元，其中所述含氧钛酞菁染料在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图中显示出由布拉格角(2θ±0.2度)规定的主峰-9.0度，14.2度，23.9度和27.1度。

13.按照权利要求11所述的设备单元，其中电荷迁移层的厚度为25微米或更大。

14.按照权利要求11所述的设备单元，其中所述充电装置是一种提供给光敏元件表面550V或以下的暗部分电位(以绝对值表示)的装置。

15.按照权利要求11所述的设备单元，其中所述充电装置是一种与光敏元件接触的直接充电装置。

16.一种成像方法，包括：

给光电成像的光敏元件充电以提供600V或以下的暗部分电位(以绝对值计)；所述光电成像的光敏元件按顺序包括一个导电支撑体、一层电荷产生层和一层电荷迁移层；电荷产生层含有含氧钛酞菁，且电荷迁移层的厚度为22微米或更大；

在电照象光敏元件上形成静电潜像，以及。

反转显影由此形成的静电潜像。

17.按照权利要求16所述的方法，其中所述含氧钛酞菁在以CuKα特征X-射线为基础X-射线衍射图中显示出由布拉格角(2θ±0.2度)规定的主峰-9.0度，14.2度，23.9度，23.9度和27.1度。

18.按照权利要求16所述的方法，其中电荷迁移层的厚度为25微米或更大。

19.按照权利要求17所述的方法，其中所述光敏元件被充电，提供550V或以下的暗部分电位(以绝对值计)。

20.按照权利要求16所述的方法，其中光敏元件通过与充电装置接触而被充电。