CN103700665A - 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。该金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层。通过本发明的技术方案，能够简化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构和制作工艺，提高金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

Description

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制造工艺领域，特别是指一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，其尺寸和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。随着TFT-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，势必要采用更高频率的驱动电路，同时图像信号的延迟变的更为严重，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。

随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动电路频率的不断提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足要求，非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般在0.5左右，而在液晶显示器尺寸超过80英寸，驱动频率为120Hz时需要1cm²/Vs以上的迁移率，显然现有非晶硅薄膜晶体管的迁移率很难满足要求。而多晶硅薄膜晶体管尽管迁移率比较高，但是均一性较差，制作工艺复杂；金属氧化物薄膜晶体管（非晶IGZO）迁移率高，均一性好，制作工艺简单，可以很好地满足大尺寸、高刷新频率液晶显示器和有源有机电致发光器件高迁移率的需求。

现在一般采用六次构图工艺制作金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，主要是因为在刻蚀源漏金属层时容易腐蚀源漏金属层下的金属氧化物半导体层，因此需要在金属氧化物半导体层上增加一刻蚀阻挡层，保护金属氧化物半导体层不被源漏金属层的刻蚀液腐蚀。但是这样就增加了阵列基板的结构以及制作工艺的复杂性，从而降低了金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，能够简化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构和制作工艺，提高金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

优选地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

通过一次构图工艺形成金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物，形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

优选地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物；

通过一次构图工艺形成由结晶金属氧化物组成的有源层和结晶诱导层的图形。

优选地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层之后还包括：

在基板上沉积源漏金属层；

通过一次构图工艺形成漏电极、源电极和数据线的图形；

以所述源电极和漏电极为掩膜，刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层。

优选地，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层包括：

刻蚀掉所述沟道区域的全部结晶诱导层和部分有源层，刻蚀掉的有源层的厚度为

优选地，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层之后还包括：

对所述沟道区域的有源层进行氧等离子处理、N₂O等离子体处理或者N₂等离子处理。

优选地，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；

在所述栅电极和栅线上形成栅绝缘层；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成由结晶金属氧化物组成的有源层，在所述有源层上形成结晶诱导层；

通过一次构图工艺在所述结晶诱导层上形成源电极、漏电极和数据线；

通过一次构图工艺在所述源电极、漏电极和数据线上形成包括有源电极接触过孔的保护层；

通过一次构图工艺在所述保护层上形成像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

本发明还提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板的有源层由结晶金属氧化物形成。

优选地，所述阵列基板的沟道区域由经过等离子处理的所述结晶金属氧化物形成。

优选地，所述有源层由非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb、Cd-Sn-O中的至少一种经结晶后形成。

优选地，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的由结晶金属氧化物组成的有源层；

所述有源层上的结晶诱导层；

所述结晶诱导层上的源电极、漏电极和数据线；

所述源电极、漏电极和数据线上的包括有源电极接触过孔的保护层；

所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

本发明还提供一种显示装置，其特征在于，包括上述金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，阵列基板的有源层由结晶金属氧化物组成，金属氧化物由非晶结构转变成晶体结构之后被酸刻蚀的速率将大大降低，提高了有源层与源漏金属的刻蚀选择比，有源层不会轻易被源漏金属的刻蚀液腐蚀，这样就不需要再设置刻蚀阻挡层，简化了阵列基板的结构和制作工艺，从而能够提高阵列基板的产能。

附图说明

图1为现有金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例第一次构图工艺后的截面示意图；

图3为本发明实施例第二次构图工艺形成金属氧化物半导体层和结晶诱导层后的截面示意图；

图4为本发明实施例第二次构图工艺退火形成结晶金属氧化物半导体层后的截面示意图；

图5为本发明实施例第三次构图工艺形成源漏金属电极后的截面示意图；

图6为本发明实施例第三次构图工艺形成TFT沟道后的截面示意图；

图7为本发明实施例第四次构图工艺形成保护层后的截面示意图；

图8为本发明实施例第五次构图工艺形成透明像素电极后的截面示意图；

图9为本发明实施例阵列基板完成后的平面示意图。

附图标记

10、衬底基板；1、栅电极；2、栅绝缘层；3、金属氧化物半导体层；

4、结晶诱导层；5、源电极；6、漏电极；7、保护层；

8、源电极接触过孔；9、像素电极；11、栅线；

12、数据线；13、刻蚀阻挡层；14、公共电极；31、有源层。

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，能够简化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构和制作工艺，提高金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

本发明制作的阵列基板，有源层由结晶金属氧化物组成，金属氧化物由非晶结构转变成晶体结构之后被酸刻蚀的速率将大大降低，提高了有源层与源漏金属的刻蚀选择比，有源层不会轻易被源漏金属的刻蚀液腐蚀，这样就不需要再设置刻蚀阻挡层，简化了阵列基板的结构和制作工艺，从而能够提高阵列基板的产能。

具体地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

通过一次构图工艺形成金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物，形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

具体地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层还可以包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物；

通过一次构图工艺形成由结晶金属氧化物组成的有源层和结晶诱导层的图形。

进一步地，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层之后还包括：

在基板上沉积源漏金属层；

通过一次构图工艺形成漏电极、源电极和数据线的图形；

以所述源电极和漏电极为掩膜，刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层。

进一步地，为了保证完全去除掉结晶诱导层，在刻蚀结晶诱导层时，需要过刻蚀一定的厚度，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层包括：

刻蚀掉所述沟道区域的全部结晶诱导层和部分有源层，刻蚀掉的有源层的厚度为

进一步地，为了改善金属氧化物TFT的性能，还可以对上述形成的TFT沟道进行处理，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层之后还包括：

对所述沟道区域的有源层进行氧等离子处理、N₂O等离子体处理或者N₂等离子处理。

本发明的一具体实施例中，所述制作方法可以包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；

在所述栅电极和栅线上形成栅绝缘层；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成由结晶金属氧化物组成的有源层，在所述有源层上形成结晶诱导层；

通过一次构图工艺在所述结晶诱导层上形成源电极、漏电极和数据线；

通过一次构图工艺在所述源电极、漏电极和数据线上形成包括有源电极接触过孔的保护层；

通过一次构图工艺在所述保护层上形成像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板的有源层由结晶金属氧化物形成。

本发明的阵列基板的有源层由结晶金属氧化物组成，金属氧化物由非晶结构转变成晶体结构之后被酸刻蚀的速率将大大降低，提高了有源层与源漏金属的刻蚀选择比，有源层不会轻易被源漏金属的刻蚀液腐蚀，这样就不需要再设置刻蚀阻挡层，简化了阵列基板的结构和制作工艺，从而能够提高阵列基板的产能。

进一步地，为了提升金属氧化物TFT的性能，所述阵列基板的沟道区域由经过等离子处理的所述结晶金属氧化物形成。

具体地，所述有源层可以由非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb、Cd-Sn-O中的至少一种经结晶后形成。

本发明一具体实施例中，所述阵列基板可以包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的由结晶金属氧化物组成的有源层；

所述有源层上的结晶诱导层；

所述结晶诱导层上的源电极、漏电极和数据线；

所述源电极、漏电极和数据线上的包括有源电极接触过孔的保护层；

所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。其中，金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。该显示装置可以为：显示面板、电子纸、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。

下面结合具体的实施例对本发明的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法进行详细介绍：

如图1所示，现有的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，有源层由金属氧化物半导体组成，而非晶结构的金属氧化物半导体的抗腐蚀能力比较差，因此在刻蚀源漏金属层时容易腐蚀源漏金属层下的金属氧化物半导体层3，需要在金属氧化物半导体层3上增加一刻蚀阻挡层13，保护金属氧化物半导体层3不被源漏金属层的刻蚀液腐蚀，但是这样就增加了阵列基板的结构以及制作工艺的复杂性，从而降低了金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的产能。

为了解决上述问题，本发明改变金属氧化物半导体层的物质结构，利用一次退火结晶的方式，使原来的非晶金属氧化物转化成按照一定方向生长的晶体结构，金属氧化物半导体层由非晶结构转变成晶体结构之后被酸刻蚀的速率会大大降低，不会轻易被源漏金属的刻蚀液腐蚀，这样就不需要再设置刻蚀阻挡层，简化了阵列基板的结构和制作工艺，从而能够提高阵列基板的产能。

具体地，本实施例的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、提供一衬底基板10，在衬底基板10上形成栅电极1和栅线11的图形；

其中，衬底基板10可为玻璃基板或石英基板。具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板10上沉积厚度约为

的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线11和栅电极1的图形，其截面示意图如图2所示。

步骤2、在完成步骤1的衬底基板10上形成栅绝缘层2；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在完成步骤1的衬底基板10上沉积厚度为

的栅绝缘层2，栅绝缘层2可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH₄、NH₃、N₂或SiH₂Cl₂、NH₃、N₂。

步骤3、在完成步骤2的衬底基板10上形成有源层31和结晶诱导层4的图形；

具体地，可以在完成步骤2的衬底基板10上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为的金属氧化物半导体层3，金属氧化物半导体层3可以采用非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物制成，然后在其上沉积一层厚度为

的结晶诱导层4，在高温退火时结晶诱导层下的金属氧化物半导体层可以在结晶诱导层的作用下按照一定的方向生长。

通过一次构图工艺形成金属氧化物半导体层3和结晶诱导层4的图形，其截面示意图如图3所示，然后再进行高温退火，金属氧化物半导体层3在结晶诱导层4的作用下形成结晶金属氧化物组成的有源层31，其截面示意图如图4所示。

进一步地，也可以先进行高温退火使非晶的金属氧化物半导体层转化成结晶的金属氧化物，然后再通过构图工艺形成结晶金属氧化物组成的有源层31和结晶诱导层4的图形。

步骤4、在完成步骤3的衬底基板10上形成数据线12、源电极5和漏电极6的图形；

具体地，可以在完成步骤3的衬底基板10上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为

的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极和数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成漏电极6、源电极5以及数据线12，其截面示意图如图5所示。

利用漏电极6和源电极5作为掩膜，刻蚀掉沟道区域的结晶诱导层4，为了保证完全去除掉结晶诱导层4，需要过刻蚀一定的厚度，过刻蚀掉的有源层31的厚度约为

最后形成的截面示意图如图6所示。

步骤5、对沟道区域进行等离子处理；

为了改善金属氧化物TFT的性能，对形成的阵列基板的TFT沟道进行处理，具体地，可以源电极5和漏电极6之间的沟道区域进行氧等离子、N₂O等离子体或者N₂等离子处理，改善沟道区域的导电性能。

步骤6，在完成步骤5的衬底基板上形成包括有源电极接触过孔8的保护层7；

具体地，可以在完成步骤5的衬底基板10上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的保护层7，保护层7可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，保护层材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，保护层7还可以使用Al₂O₃。保护层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。其中，硅的氧化物对应的反应气体可以为SiH₄，N₂O；氮化物或者氧氮化合物对应气体可以是SiH₄，NH₃，N₂或SiH₂Cl₂，NH₃，N₂。通过一次构图工艺形成包括有源电极接触过孔8的保护层7的图形，具体地，可以在保护层7上涂覆一层厚度约为

的有机树脂，有机树脂可以是苯并环丁烯（BCB），也可以是其他的有机感光材料，曝光显影后，通过一次刻蚀工艺形成有源电极接触过孔8的保护层7的图形，其截面示意图如图7所示。

步骤7、在完成步骤6的衬底基板上形成像素电极9的图形。

具体地，在完成步骤6的衬底基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为

的透明导电层，透明导电层可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极9的图形，其截面示意图如图8所示，像素电极9通过源电极接触过孔8与源电极5连接。

通过上述步骤1-7即可制作出本实施例的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其平面示意图如图9所示，本实施例阵列基板的有源层由结晶金属氧化物组成，金属氧化物由非晶结构转变成晶体结构之后被酸刻蚀的速率将大大降低，提高了有源层与源漏金属的刻蚀选择比，有源层不会轻易被源漏金属的刻蚀液腐蚀，这样就不需要再设置刻蚀阻挡层，简化了阵列基板的结构和制作工艺，从而能够提高阵列基板的产能。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

通过一次构图工艺形成金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的图形的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物，形成由结晶金属氧化物组成的有源层。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层包括：

在基板上依次沉积金属氧化物半导体层和结晶诱导层；

对形成有所述金属氧化物半导体层和结晶诱导层的基板进行高温退火，使金属氧化物转化为结晶金属氧化物；

通过一次构图工艺形成由结晶金属氧化物组成的有源层和结晶诱导层的图形。

4.根据权利要求2或3所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由结晶金属氧化物组成的有源层之后还包括：

在基板上沉积源漏金属层；

通过一次构图工艺形成漏电极、源电极和数据线的图形；

以所述源电极和漏电极为掩膜，刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层包括：

刻蚀掉所述沟道区域的全部结晶诱导层和部分有源层，刻蚀掉的有源层的厚度为

6.根据权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀掉阵列基板的沟道区域的结晶诱导层之后还包括：

对所述沟道区域的有源层进行氧等离子处理、N₂O等离子体处理或者N₂等离子处理。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；

在所述栅电极和栅线上形成栅绝缘层；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成由结晶金属氧化物组成的有源层，在所述有源层上形成结晶诱导层；

通过一次构图工艺在所述结晶诱导层上形成源电极、漏电极和数据线；

通过一次构图工艺在所述源电极、漏电极和数据线上形成包括有源电极接触过孔的保护层；

通过一次构图工艺在所述保护层上形成像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

8.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的有源层由结晶金属氧化物形成。

9.根据权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的沟道区域由经过等离子处理的所述结晶金属氧化物形成。

10.根据权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层由非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb、Cd-Sn-O中的至少一种经结晶后形成。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的由结晶金属氧化物组成的有源层；

所述有源层上的结晶诱导层；

所述结晶诱导层上的源电极、漏电极和数据线；

所述源电极、漏电极和数据线上的包括有源电极接触过孔的保护层；

所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过所述源电极接触过孔与所述源电极连接。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8-11中任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。

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