CN110096169A - 触控基板及其制造方法、电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种触控基板及其制造方法、电子装置，该触控基板包括衬底基板和第一触控电极结构，其中，第一触控电极结构在衬底基板上，且至少远离衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。

Description

触控基板及其制造方法、电子装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种触控基板及其制造方法、电子装置。
背景技术
触控式基板依照感测原理的不同例如可分为电阻式触控基板、电容式触控基板、光学式触控基板、声波式触控基板、电磁式触控基板等。由于电容式触控基板具有反应时间快、灵敏度高、可靠度佳、耐用度高等优点，电容式触控基板已经应用在越来越多的领域中。电容式触控基板例如通常包括电极层和配线层等结构，用于检测触摸体的触摸位置。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种触控基板，该触控基板包括衬底基板和第一触控电极结构，其中，第一触控电极结构在所述衬底基板上，且至少远离所述衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述第一触控电极结构的材料包括透明导电氧化物，且所述第一触控电极结构从远离所述衬底基板的一侧至少部分结晶化。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述第一触控电极结构包括第一电极层和层叠在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的阻隔层。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述第一电极层的材料包括透明导电氧化物，所述阻隔层的材料包括结晶化的所述透明导电氧化物。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，当所述透明导电氧化物为氧化铟锡或氧化铟锌时，所述阻隔层的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于所述第一电极层的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例，或者所述阻隔层的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于所述第一电极层的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述第一电极层的材料包括透明导电氧化物，所述阻隔层的材料包括结晶化的金、银、铝、铂、钯、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡中的至少一种。
例如，本发明一实施例提供的触控基板，还包括配线结构，其中，所述触控基板包括触控区域和非触控区域，所述第一触控电极结构位于所述触控区域内，所述配线结构至少部分位于所述非触控区域内。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述配线结构为叠层结构，且包括从所述衬底基板依次层叠的第一配线层和第二配线层；所述第一配线层的材料与所述第一触控电极结构的材料至少部分相同。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述配线结构还包括层叠在所述第二配线层上的第三配线层。
例如，在本发明一实施例提供的触控基板中，所述第一配线层和所述第三配线层的材料包括透明导电氧化物，所述第二配线层的材料包括银、铜、铝、铬、钼、钛、银合金、铜合金、铝钕合金、铜钼合金、钼钽合金、钼钕合金或任何它们的任意组合。
例如，本发明一实施例提供的触控基板，还包括第二触控电极结构，其中，所述第二触控电极结构与所述第一触控电极结构在不同层上；所述第一触控电极结构包括交错的多个第一子电极图案和多个第二子电极图案；所述第二触控电极结构将由所述第二子电极图案间隔开的相邻的所述第一子电极图案电连接。
本发明至少一实施例提供一种电子装置，该电子装置包括本发明任一实施例的触控基板。
本发明至少一实施例提供一种触控基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一触控电极结构，且对所述第一触控电极结构进行处理以使得形成的所述第一触控电极结构至少远离所述衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。
例如，在本发明一实施例提供的方法中，形成所述第一触控电极结构并对所述第一触控电极结构进行处理包括：在所述衬底基板上沉积电极层薄膜；对所述电极层薄膜进行构图形成第一触控电极结构；使形成的所述第一触控电极结构从远离所述衬底基板的一侧至少部分结晶化。
例如，在本发明一实施例提供的方法中，形成所述第一触控电极结构并对所述第一触控电极结构进行处理包括：在所述衬底基板上沉积电极层薄膜；在所述电极层薄膜上沉积阻隔层薄膜；对所述电极层薄膜和所述阻隔层薄膜进行构图形成第一电极层和阻隔层。
例如，在本发明一实施例提供的方法中，所述电极层薄膜的材料包括透明导电氧化物。
例如，本发明一实施例提供的方法，还包括：在形成有所述第一触控电极结构的所述衬底基板上形成配线结构，其中，所述配线结构为叠层结构且与所述第一触控电极结构形成在同一层上或形成在所述第一触控电极结构之上。
例如，在本发明一实施例提供的方法中，形成所述配线结构包括：在所述衬底基板上依次沉积第一配线层薄膜、第二配线层薄膜、第三配线层薄膜；对所述第一配线层薄膜、第二配线层薄膜、第三配线层薄膜的叠层进行构图形成所述配线结构。
例如，本发明一实施例提供的方法，还包括形成与所述第一触控电极结构在不同层上的第二触控电极结构，其中，所述第一触控电极结构包括交错的多个第一子电极图案和多个第二子电极图案，所述第二触控电极结构将由所述第二子电极图案间隔开的相邻的所述第一子电极图案电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为本发明实施例提供的触控基板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种触控基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的再一种触控基板的剖面结构示意图；
图4A-图4D为本发明另一实施例提供的触控基板的第一触控电极结构在制造过程中的剖面结构示意图；
图5A-图5E为本发明另一实施例提供的另一种触控基板的第一触控电极结构在制造过程中的剖面结构示意图；
图6A-图6J为本发明再一实施例提供的一种触控基板在制造过程中的剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
电容式触控基板例如通常包括电极层和配线层等结构，电极层的材料通常采用透明金属氧化物，配线层的材料通常采用铜/银，这是由于铜/银具有较好的延展性和导电性，但是铜/银金属层例如对衬底基板的附着力较差且抗氧化能力不足。
为了提高铜/银金属层对衬底基板的附着力，通常在铜/银金属层的下面制备一层缓冲层，缓冲层材料例如可以是金属或者金属氧化物；同时为了防止铜/银金属层暴露在空气中产生氧化，通常在铜/银金属层的上面制备一层保护层，保护层的材料例如可以是金属或者金属氧化物。这种由多层薄膜形成的配线结构可以解决铜/银金属层的附着力不足和氧化问题，但是由于配线结构的材料和电极层的材料都是金属或者金属氧化物，在对配线层进行刻蚀时，用于刻蚀配线层的刻蚀液容易对配线层下方的已经形成图案的电极层进一步刻蚀，从而影响电极层的尺寸精度甚至导致电极层断裂，从而影响由该电极层构成的例如触控面板的触控效果。
本发明至少一实施例提供一种触控基板，该触控基板包括衬底基板和第一触控电极结构，其中，第一触控电极结构在衬底基板上，且至少远离衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。
在本发明至少一个实施例提供的触控基板中，第一触控电极结构的至少远离衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质，从而在用刻蚀液对后续形成的例如与第一触控电极结构相邻的金属层/金属氧化层进行刻蚀时，该第一触控电极结构不会受到刻蚀液的刻蚀攻击。
下面通过几个具体的实施例对本公开进行说明。为了保持本发明实施例以下的说明清楚且简明，可省略已知功能和已知部件的详细说明。当本发明实施例的任一部件在一个以上的附图中出现时，该部件在每个附图中可以由相同的参考标号表示。
实施例一
本发明的一个实施例提供一种触控基板100，图1为本实施例提供的一种触控基板100的剖面结构示意图。
如图1所示，该触控基板100包括衬底基板101和第一触控电极结构102。第一触控电极结构102设置在衬底基板101上，且远离衬底基板101的一侧具有刻蚀阻隔性质。
如图1所示，衬底基板101例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板，本实施例对此不做具体限定。
如图1所示，第一触控电极结构102包括第一电极层1021和层叠在第一电极层1021之上的阻隔层1022。例如，当由该第一触控电极结构102构成的触控基板100应用在显示面板中时，该第一触控电极结构102通常设置在显示面板的显示区域，因此构成第一触控电极结构102的材料通常选择透明导电材料。例如，在本实施的一个示例中，第一电极层1021的材料包括透明导电氧化物，阻隔层1022的材料包括结晶化的透明导电氧化物，该透明导电氧化物例如可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(ZnO)等。例如，当第一电极层1021由氧化铟锡构成、阻隔层1022由结晶化的氧化铟锡构成时，由于阻隔层1022经过结晶化处理，因此构成阻隔层1022的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于构成第一电极层1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例。例如，阻隔层1022的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大于或等于93：7，第一电极层1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大约在89：11到91：9之间。
例如，在本实施例的另一个示例中，第一电极层1021由氧化铟锌构成，阻隔层1022由结晶化的氧化铟锌构成。例如，阻隔层1022的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于第一电极层1021的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。
当然，第一电极层1021和阻隔层1022也可以由不同的材料构成。例如，在本实施例的另一个示例中，第一电极层1021的材料例如可以是氧化铟锡或者氧化铟锌，阻隔层1022的材料例如可以是结晶化的掺铝氧化锌、掺氟氧化锡等任意适合的结晶化的透明导电材料。
例如，在本实施例的另一个示例中，第一电极层1021的材料例如可以是氧化铟锡或者氧化铟锌，阻隔层1022的材料例如可以是石墨烯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或者其它任意适合的有机高分子透明导电材料。
在上述实施例中，第一触控电极结构102包括第一电极层1021和在第一电极层1021之上的阻隔层1022。在本实施例中，例如可以选择氢氟酸等弱酸对后续形成的金属或者金属氧化物进行刻蚀，而氢氟酸等弱酸无法刻蚀阻隔层1022或者对阻隔层1022的刻蚀速率较小，因此，该阻隔层1022可以防止在对其它金属层/金属氧化层刻蚀时第一电极层1021受到刻蚀液的刻蚀攻击。
如图1所示，该触控基板100例如还可以包括配线结构103、绝缘层104和第二触控电极结构105。
如图1所示，配线结构103设置在衬底基板101上且与第一触控电极结构102位于同一层上。如图1所示，叠层结构的配线结构103包括从衬底基板101依次层叠的第一配线层1031、第二配线层1032和第三配线层1033。在本实施例中，第一配线层1031和第三配线层1033的材料包括透明导电氧化物，例如可以是延展性较好的氧化铟锡或者氧化铟锌，第二配线层1032的材料的示例包括银、铜、铝、铬、钼、钛、银合金、铜合金、铝钕合金、铜钼合金、钼钽合金、钼钕合金或任何它们的任意组合，本实施例对此不做具体限定。
在本实施例中，例如，如图1所示，该触控基板100包括触控区域D1和非触控区域D2，第一触控电极结构102设置在触控区域D1内，配线结构103至少部分位于非触控区域D2内。例如，当配线结构103指的是该触控基板100的周边走线时，配线结构103设置在该触控基板100的非触控区域D2内；当配线结构103指的是该触控基板100的所有走线时，配线结构103可以设置在该触控基板100的触控区域D1和非触控区域D2内。本实施例以配线结构103设置在触控基板100的非触控区域D2内为例进行说明。
在本实施例中，配线结构103由第一配线层1031、第二配线层1032和第三配线层1033依次层叠构成，由于氧化铟锡或者氧化铟锌具有较好的延展性和抗氧化性，因此由氧化铟锡或者氧化铟锌构成的第一配线层1031可以作为形成在其上的第二配线层1032的缓冲层，用于改善第二配线层1032对衬底基板101的附着力不足问题；由氧化铟锡或者氧化铟锌构成的第三配线层1033可以作为第二配线层1032的保护层，防止第二配线层1032暴露在空气中，从而可避免第二配线层1032的氧化问题。
当然，配线结构103的叠层结构包括但不限于此，例如，在本实施例的另一个示例中，配线结构103例如可以包括从衬底基板101依次层叠的第一配线层1031和第二配线层1032，而没有第三配线层1033。在本示例中，第一配线层1031的材料包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡或者氧化铟锌，第二配线层1032的材料的示例包括银、铜、铝、铬、钼、钛、银合金、铜合金、铝钕合金、铜钼合金、钼钽合金、钼钕合金或任何它们的任意组合，本示例对此不做具体限定。
需要说明的是，在本实施例中，配线结构103和第一触控电极结构102的位置关系包括但不限于此，例如，在本实施例的另一个示例中，配线结构103设置在第一触控电极结构102之上，例如形成覆盖在第一触控电极结构102上的绝缘层/钝化层之上。
如图1所示，绝缘层104设置在衬底基板101上且覆盖配线结构103和第一触控电极结构102，绝缘层104具有暴露第一触控电极结构102的多个过孔。该绝缘层104的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。
如图1所示，第二触控电极结构105设置在衬底基板101上且与第一触控电极结构102位于不同的层上，第二触控电极结构105通过绝缘层104的多个过孔与第一触控电极结构102电连接。当然，第二触控电极结构105和第一触控电极结构102的位置关系包括但不限于如图1所示，例如，在本实施例的另一个示例中，第二触控电极结构105位于衬底基板101和第一触控电极结构102之间且与第一触控电极结构102电连接。该第二触控电极结构105的材料的示例包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡或者氧化铟锌或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。
例如，本实施例提供的触控基板100还可以包括触控侦测芯片，第一触控电极结构102和第二触控电极结构105通过配线结构103连接到触控侦测芯片上，从而接收或传递触控信号以实现触控功能。
需要说明的是，为清楚起见，图中并没有给出该触控基板100的全部结构。为实现触控基板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他未示出的结构，本发明的实施例对此不做限制。
在本发明至少一个实施例提供的触控基板100中，第一触控电极结构102包括设置在衬底基板101上的第一电极层1021和设置在第一电极层1021远离衬底基板101一侧的阻隔层1022，阻隔层1022对用于刻蚀与第一电极层1021相同的材料的刻蚀液具有阻隔性质，当对构成配线结构103的第一配线层1031、第二配线层1032和第三配线层1033进行刻蚀时，即便所使用的刻蚀液对于第一电极层1021有刻蚀作用，但是阻隔层1022可以保护第一电极层1021免受刻蚀液的不利影响。
另外，在至少一个实施例中，由第一配线层1031、第二配线层1032和第三配线层1033依次层叠构成配线结构103，第一配线层1031可以作为形成在其上的第二配线层1032的缓冲层，用于改善第二配线层1032的附着力不足问题；第三配线层1033可以作为第二配线层1032的保护层，防止第二配线层1032暴露在空气中，从而可避免第二配线层1032的氧化问题。另外，该叠层结构的配线结构103可以通过一次光刻工艺形成，由此一方面可以节约制程成本和掩模成本，另一方面解决了多层金属层多次刻蚀导致的不同层的金属层之间的对位问题，从而可使该配线结构103的线宽进一步细化，例如该配线结构103的线宽可达到10μm左右的宽度。
图2为本实施例另一示例提供的触控基板200的剖面结构示意图。参考图2，除了第一触控电极结构102的结构之外，该示例的触控基板200的结构与图1中描述的触控基板100的结构基本相同。
如图2所示，在本示例提供的触控基板200中，第一触控电极结构102设置在衬底基板101上且为单层结构，构成该第一触控电极结构102的材料的示例包括结晶化的透明导电氧化物，例如结晶化的氧化铟锡或者结晶化的氧化铟锌等。例如，当第一触控电极结构102由结晶化的氧化铟锡构成时，第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大于或等于93：7。由于氧化铟锡或者氧化铟锌经过结晶化处理之后，分子结构发生改变，氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液对结晶化的的氧化铟锡或者氧化铟锌腐蚀作用较小，因此结晶化的第一触控电极结构102可对弱酸性质的刻蚀液具有阻隔性质。例如当使用刻蚀液例如氢氟酸等弱酸对配线结构103进行刻蚀时，即便所采用的刻蚀液对于结晶化之前的第一触控电极结构102有刻蚀作用，结晶化的第一触控电极结构102也可以免受该刻蚀液的刻蚀攻击。
图3为本实施例另一示例提供的触控基板300的剖面结构示意图。参考图3，除了第一触控电极结构103的结构之外，该示例的触控基板300的结构与图1中描述的触控基板100的结构基本相同。
如图3所示，在本示例提供的触控基板300中，第一触控电极结构102设置在衬底基板101上且为单层结构，第一触控电极结构102由透明导电氧化物例如氧化铟锡或者氧化铟锌等构成，且第一触控电极结构102远离衬底基板101的一侧部分被结晶化。图3中第一触控电极结构102较深色的部分表示结晶化的，例如结晶化程度从图中上表面向下逐渐降低。
例如，当该第一触控电极结构102由氧化铟锡构成时，该第一触控电极结构102结晶化部分的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于该第一触控电极结构102未结晶化部分的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例。例如，该第一触控电极结构102结晶化部分的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大于或等于93：7，该第一触控电极结构102未结晶化部分的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大约在89：11到91：9之间。
例如，在本实施例的另一个示例中，当该第一触控电极结构102由氧化铟锌构成时，该第一触控电极结构102结晶化部分的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于该第一触控电极结构102未结晶化部分的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。如图3所示，第二触控电极结构105通过绝缘层104中的过孔与第一触控电极结构102电连接。
由于氧化铟锡或者氧化铟锌经过结晶化处理之后，分子结构发生改变，氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液对结晶化的氧化铟锡或者氧化铟锌腐蚀作用较小，因此该第一触控电极结构102结晶化的部分对刻蚀液具有阻隔性质。例如当使用刻蚀液例如氢氟酸等弱酸对配线结构103进行刻蚀时，即便该刻蚀液对于该第一触控电极结构102靠近基板一侧的未结晶化的部分有刻蚀作用，该第一触控电极结构102远离衬底基板101的一侧被结晶化的部分也可以保护该第一触控电极结构102免受刻蚀液的不利影响。
例如，本实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括上述实施例描述的任一触控基板。该电子装置例如可以为触控面板、显示面板、显示装置、电视、电子纸、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有触控功能的产品或者部件。本实施例以电子装置是显示装置为例进行说明，该显示装置还包括显示面板，触控基板可以单独形成并与显示面板结合，或者与显示面板共享部分部件而整体形成。需要说明的是，本实施例不限定触控基板和显示面板的结合方式。
例如，触控基板的衬底基板101可以为保护盖板，保护盖板盖合在显示面板上或作为显示面板的一部分用于对显示面板进行保护，且保护盖板形成有第一触控电极结构102的一侧朝向显示面板或背对显示面板。即该触控基板与显示面板的结合方式为OGS(OneGlass Solution)方式。
又例如，触控基板的衬底基板101可以为显示面板的彩膜基板，彩膜基板用于与阵列基板对盒，触控基板的第一触控电极结构102设置在彩膜基板的背对阵列基板的一侧。即该触控基板与显示面板的结合方式为On-Cell(外置式)方式。
再例如，触控基板的衬底基板101也可以为彩膜基板，彩膜基板用于与阵列基板对盒，触控基板的第一触控电极结构102设置在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧。即该触控基板与显示面板的结合方式为In-Cell(内嵌式)方式。
本实施例提供的显示装置的技术效果可参考上述实施例描述的任一触控基板的技术效果，在此不再赘述。
实施例二
本发明的一个实施例提供触控基板100中的第一触控电极结构102的制造方法，图4A-图4D为本实施例提供的触控基板100中的第一触控电极结构102在制造过程中的剖面结构示意图。
如图4A所示，首先提供衬底基板101，该衬底基板101例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板。
如图4A所示，例如可以在衬底基板101上依次沉积电极层薄膜1021和阻隔层薄膜1022。例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法将电极层薄膜1021沉积在衬底基板101上。电极层薄膜1021的材料的示例包括透明导电氧化物例如氧化铟锡或者氧化铟锌等，本实施例对此不做具体限定。例如当电极层薄膜1021由氧化铟锡构成时，电极层薄膜1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大约可以在89：11到91：9之间。
在形成电极层薄膜1021之后，在电极层薄膜1021上例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法沉积阻隔层薄膜1022。阻隔层薄膜1022的材料例如可以是结晶化的氧化铟锡或者氧化铟锌；或者是结晶化的掺铝氧化锌、掺氟氧化锡等任意适合的结晶化的透明导电材料；又或者是石墨烯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等任意适合的有机高分子透明导电材料，本实施例对阻隔层薄膜1022的材料不做具体限定。例如，当阻隔层薄膜1022由结晶化的氧化铟锡构成时，阻隔层薄膜1022的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如可以大于或等于93：7，由此阻隔层薄膜1022的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于电极层薄膜1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例。例如，在本实施例的另一个示例中，电极层薄膜1021例如可以由氧化铟锌形成，阻隔层薄膜1022可以由结晶化的氧化铟锌形成，且阻隔层薄膜1022的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于电极层薄膜1021的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。
如图4B所示，在电极层薄膜1021上沉积阻隔层薄膜1022之后，在阻隔层薄膜1022的整个表面上沉积光刻胶层。通过包括曝光工序以及显影工序的光刻法处理对光刻胶层构图，以在阻隔层薄膜1022上形成具有所需形状的光刻胶图案106。
图4C是形成的第一触控电极结构102的平面结构示意图，图4D是沿着图4C的A-A’线剖取的剖面结构示意图。
参考图4C和图4D，利用上述光刻胶图案106作为蚀刻掩模对阻隔层薄膜1022和电极层薄膜1021进行构图，以在衬底基板101上形成第一电极层1021和阻隔层1022，第一电极层1021和阻隔层1022构成叠层结构的第一触控电极结构102。由于阻隔层薄膜1022为结晶化的金属/金属氧化物或者有机高分子导电薄膜，例如氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液无法刻蚀该阻隔层薄膜1022或者对其刻蚀的速率极小，因此，需要选择强酸例如王水等作为刻蚀液对阻隔层薄膜1022和电极层薄膜1021进行刻蚀构图以形成叠层结构的第一触控电极结构102。如图4C和图4B所示，第一触控电极结构102包括交错的多个第一子电极图案102A和多个第二子电极图案102B。
在本发明至少一个实施例形成的触控基板100中，第一触控电极结构102包括形成在衬底基板101上的第一电极层1021和形成在第一电极层1021远离衬底基板101一侧的阻隔层1022，阻隔层1022对刻蚀液具有阻隔性质，例如当对后续形成的金属层/金属氧化层进行刻蚀时，即便该刻蚀液对于该第一电极层1021具有刻蚀作用，阻隔层1022也可以保护第一电极层1021免受刻蚀液的不利影响。
图5A-图5E为本实施例的另一示例提供的触控基板200中的第一触控电极结构102在制造过程中的剖面结构示意图。
如图5A所示，首先提供衬底基板101，该衬底基板101例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板。
如图5A所示，例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法将电极层薄膜1021沉积在衬底基板101上。电极层薄膜1021的材料的示例包括透明导电氧化物例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等，本实施例对此不做具体限定。例如当电极层薄膜1021由氧化铟锡构成时，电极层薄膜1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大约可以在89：11到91：9之间。
如图5B所示，在衬底基板101上形成电极层薄膜1021之后，在电极层薄膜1021的整个表面上沉积光刻胶层。通过包括曝光工序以及显影工序的光刻法处理对光刻胶层构图，以在电极层薄膜1021上形成具有所需形状的光刻胶图案106。
如图5C所示，利用上述光刻胶图案106作为蚀刻掩模对电极层薄膜1021进行构图，以在衬底基板101上形成非晶化的第一触控电极结构102。由于电极层薄膜1021由非晶化的透明导电金属氧化物构成，因此可以选择氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液对该电极层薄膜1021进行刻蚀以形成非晶化的第一触控电极结构102。
图5D是形成的第一触控电极结构102的平面结构示意图，图5E是沿着图5D的B-B’线剖取的剖面结构示意图。参考图5D和图5E，在形成非晶化的第一触控电极结构102之后，然后对非晶化的第一触控电极结构102进行退火处理，退火方法例如可以为RTA(快速热退火)、ELA(准分子激光退火)或炉退火等退火方法。在退火过程中，构成第一触控电极结构102的材料的分子结构发生变化，从而使非晶化的第一触控电极结构102变为结晶化的第一触控电极结构102。例如，当第一触控电极结构102由氧化铟锡构成时，结晶化后的第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于非晶化的第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例。例如，在本实施例的一个示例中，非晶化的第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例大约在89：11到91：9之间，结晶后的第一触控电极结构102氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如大于或等于93：7。例如，在本实施例的另一个示例中，当第一触控电极结构102由氧化铟锌构成时，结晶后的第一触控电极结构102的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于非晶化的第一触控电极结构102的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。如图5D所示，形成的结晶化的第一触控电极结构102包括交错的多个第一子电极图案102A和多个第二子电极图案102B。
需要说明的是，根据产品设计需求，第一触控电极结构102可以如上述示例描述的全部结晶化；当然，第一触控电极结构102也可以部分结晶化。
例如，在本实施例的另一个示例中，按照图5A-5C描述的方法提供衬底基板101和在衬底基板101上形成非晶化的第一触控电极结构102之后，然后对非晶化的第一触控电极结构102进行部分退火处理，通过控制退火时间和退火速率等因素，以使非晶化的第一触控电极结构102远离衬底基板101的一侧发生结晶化。例如，当第一触控电极结构102由氧化铟锡构成时，结晶化后的对应的部分第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于未晶化的第一触控电极结构102的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例；或者，当第一触控电极结构102由氧化铟锌构成时，结晶化后的对应的部分第一触控电极结构102的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于未晶化的第一触控电极结构102的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。
例如，在本实施例的另一个示例中，例如还可以通过控制电极层薄膜1021的沉积条件以形成第一触控电极结构102。电极层薄膜1021的材料的示例包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等，本示例对此不做具体限定。不同材料类型的电极层薄膜的沉积条件不同，本示例以电极层薄膜1021的材料是氧化铟锡为例进行介绍。
例如，首先提供衬底基板101，该衬底基板101例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板。
然后例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法将氧化铟锡电极层薄膜1021沉积在衬底基板101上。通过控制沉积条件(例如沉积速率、沉积时间、靶材轰击速率等)，使得形成的电极层薄膜1021中的In2O3：SnO的比例从靠近衬底基板101到远离衬底基板101的方向上逐渐增大。例如，形成的电极层薄膜1021在靠近衬底基板101的一侧，电极层薄膜1021中的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如可以大约在89：11到91：9之间；形成的电极层薄膜1021在远离衬底基板101的一侧，电极层薄膜1021中的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例例如可以大于或等于93：7。通过控制沉积条件，使得在远离衬底基板101的一侧形成的电极层薄膜1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于靠近衬底基板101的一侧形成的电极层薄膜1021的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例，从而使得电极层薄膜1021在后续制备配线结构的光刻工艺中可以免受刻蚀液的不利影响。
在衬底基板101上形成电极层薄膜1021之后，然后在电极层薄膜1021的整个表面上沉积光刻胶层。通过包括曝光工序以及显影工序的光刻法处理对光刻胶层构图，以在电极层薄膜1021上形成具有所需形状的光刻胶图案106。利用上述光刻胶图案106作为蚀刻掩模对电极层薄膜1021进行构图，以在衬底基板101上形成第一触控电极结构102。
在上述至少一个示例提供的触控基板200中的第一触控电极结构102的制造方法中，通过对第一触控电极结构102全部结晶化或者部分结晶化处理，或者通过控制沉积条件使得形成的电极层薄膜1021中的分子浓度呈现梯度变化，以使第一触控电极结构102的分子结构发生变化，从而使该第一触控电极结构102对刻蚀液具有阻隔性质。例如当使用氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液对后续形成的金属层/金属氧化层进行刻蚀时，即便该刻蚀液对于未结晶化的第一触控电极结构102有刻蚀作用，该第一触控电极结构102可以免受刻蚀液的再次刻蚀攻击。
实施例三
本实施例提供一种触控基板的制造方法，该触控基板包括上述任一实施例描述的触控基板。本实施例以触控基板200的制造方法为例进行说明，图6A-图6J为本实施例提供的触控基板200在制造过程中的剖面结构示意图。
如图6A所示，参照图5A-图5E的制造方法为例，在衬底基板101上形成结晶化的第一触控电极结构102之后，在形成有结晶化的第一触控电极结构102的衬底基板101上通过化学气相沉积或者物理气相沉积等方法依次沉积第一配线层薄膜1031、第二配线层薄膜1032、第三配线层薄膜1033。在本实施例中，第一配线层薄膜1031和第三配线层薄膜1033的材料的示例包括透明导电氧化物，例如延展性较好的氧化铟锡或者氧化铟锌，例如其厚度为第二配线层薄膜1032的材料的示例包括银、铜、铝、铬、钼、钛、银合金、铜合金、铝钕合金、铜钼合金、钼钽合金、钼钕合金或任何它们的任意组合，本实施例对此不做具体限定。
如图6B所示，在第三配线层薄膜1033的整个表面上沉积光刻胶层，通过包括曝光工序以及显影工序的光刻法处理对光刻胶层构图，以在第三配线层薄膜1033上形成具有所需形状的光刻胶图案106。
图6C是形成的触控基板200的平面结构示意图，图6D是沿着图6C的C-C’线剖取的剖面结构示意图。参照图6C和图6D，利用上述光刻胶图案106作为蚀刻掩模对第一配线层薄膜1031、第二配线层薄膜1032、第三配线层薄膜1033同时进行构图，以在衬底基板101上形成叠层结构的配线结构103，该配线结构103与第一触控电极结构102电连接。第一配线层薄膜1031、第二配线层薄膜1032、第三配线层薄膜1033由金属或者金属氧化物构成，在对第一配线层薄膜1031、第二配线层薄膜1032、第三配线层薄膜1033进行刻蚀时，例如可以使用氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液进行刻蚀以形成配线结构103。由于第一触控电极结构102经过结晶化处理，结晶后的第一触控电极结构102对刻蚀液具有较好的阻隔性质，因此该第一触控电极结构102可以避免受到该弱酸性质的刻蚀液的刻蚀攻击。
触控基板200包括触控区域D1和非触控区域D2，如图6C和6D所示，在本实施例中，第一触控电极结构102形成在触控基板200的触控区域D1内，配线结构103形成在触控基板200的非触控区域D2内。
值得注意的是，配线结构103与第一触控电极结构102的位置关系包括但不限于此，例如，在本实施例的另一个示例中，配线结构103例如可以形成在第一触控电极结构10之上，例如形成覆盖在第一触控电极结构102上的绝缘层/钝化层之上。
图6E是形成的触控基板200的平面结构示意图，图6F是沿着图6E的D-D’线剖取的剖面结构示意图。参照图6E和图6F，在衬底基板101上依次形成第一触控电极结构102和配线结构103之后，然后在衬底基板101上沉积绝缘层薄膜104，通过光刻工艺对该绝缘层薄膜104进行构图以形成绝缘层104。该绝缘层104覆盖配线结构103和第一触控电极结构102且具有暴露第一触控电极结构102的多个过孔。该绝缘层104的材料的示例包括无机绝缘材料例如SiNx、SiOx、有机绝缘材料例如树脂材料或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。
如图6G所示，在衬底基板101上沉积电极层薄膜105，该电极层薄膜105的材料的示例包括透明导电氧化物例如氧化铟锡或者氧化铟锡等，本实施例对此不做具体限定。
如图6H所示，在电极层薄膜105的整个表面上沉积光刻胶层，通过包括曝光工序以及显影工序的光刻法处理对光刻胶层构图，以在电极层薄膜105上形成具有所需形状的光刻胶图案106。
图6I是形成的触控基板200的平面结构示意图，图6J是沿着图6I的E-E’线剖取的剖面结构示意图。参照图6I和图6J，利用上述光刻胶图案106作为蚀刻掩模对电极层薄膜105进行构图，以在衬底基板101上形成第二触控电极结构105。如图6I和6J所示，第一触控电极结构102包括交错的多个第一子电极图案102A和多个第二子电极图案102B，第二触控电极结构105将由第二子电极图案102B间隔开的相邻的第一子电极图案102A电连接。
需要说明的是，第二触控电极结构105和第一触控电极结构102的位置关系包括但不限于此，例如，在本实施例的另一个示例中，第二触控电极结构105位于衬底基板101和第一触控电极结构102之间且与第一触控电极结构102电连接。
例如，本实施例提供的触控基板200还可以包括形成触控侦测芯片，第一触控电极结构102和第二触控电极结构105通过配线结构103连接到触控侦测芯片上，从而接收或传递触控信号以实现触控功能。
在本发明至少一个实施例提供的触控基板200的制造方法中，通过对第一触控电极结构102结晶化处理，以使第一触控电极结构102的分子结构发生变化，结晶化的第一触控电极结构102对刻蚀液具有阻隔性质。例如，当使用氢氟酸等弱酸性质的刻蚀液对第一配线层薄膜1031、第二配线层薄膜1032、第三配线层薄膜1033进行刻蚀以形成配线结构103时，该结晶化的第一触控电极结构102可以避免受到该刻蚀液的再次刻蚀攻击。
另外，在至少一个实施例中，第一配线层1031、第二配线层1032和第三配线层1033依次层叠构成配线结构103，第一配线层1031可以作为形成在其上的第二配线层1032的缓冲层，用于改善第二配线层1032在衬底基板101上的附着力不足问题；第三配线层1033可以作为第二配线层1032的保护层，防止第二配线层1032暴露在空气中，从而可避免第二配线层1032的氧化问题。另外，该叠层结构的配线结构103可以通过一次光刻工艺形成，由此一方面可以节约制程成本和掩模成本，另一方面解决了多层金属层多次刻蚀导致的位于不同层的金属层之间的对位问题，从而可使该配线结构103的线宽进一步细化，例如该配线结构103的线宽可达到10μm左右的宽度。
在不冲突的情况下，本公开的各个实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (19)

1.一种触控基板，包括：
衬底基板；
第一触控电极结构，在所述衬底基板上，且至少远离所述衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。
2.如权利要求1所述的触控基板，其中，所述第一触控电极结构的材料包括透明导电氧化物，且所述第一触控电极结构从远离所述衬底基板的一侧至少部分结晶化。
3.如权利要求1所述的触控基板，其中，所述第一触控电极结构包括第一电极层和层叠在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的阻隔层。
4.如权利要求3所述的触控基板，其中，所述第一电极层的材料包括透明导电氧化物，所述阻隔层的材料包括结晶化的所述透明导电氧化物。
5.如权利要求4所述的触控基板，其中，当所述透明导电氧化物为氧化铟锡或氧化铟锌时，所述阻隔层的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例高于所述第一电极层的氧化铟锡中的In2O3：SnO的比例，或者所述阻隔层的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例高于所述第一电极层的氧化铟锌中的In2O3：ZnO的比例。
6.如权利要求3所述的触控基板，其中，所述第一电极层的材料包括透明导电氧化物，所述阻隔层的材料包括结晶化的金、银、铝、铂、钯、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡中的至少一种。
7.如权利要求1-6任一所述的触控基板，还包括在所述衬底基板上的配线结构，其中，所述触控基板包括触控区域和非触控区域，所述第一触控电极结构位于所述触控区域内，所述配线结构至少部分位于所述非触控区域内。
8.如权利要求7所述的触控基板，其中，
所述配线结构为叠层结构，且包括从所述衬底基板依次层叠的第一配线层和第二配线层；
所述第一配线层的材料与所述第一触控电极结构的材料至少部分相同。
9.如权利要求8所述的触控基板，其中，所述配线结构还包括层叠在所述第二配线层上的第三配线层。
10.如权利要求9所述的触控基板，其中，所述第一配线层和所述第三配线层的材料包括透明导电氧化物，所述第二配线层的材料包括银、铜、铝、铬、钼、钛、银合金、铜合金、铝钕合金、铜钼合金、钼钽合金、钼钕合金或任何它们的任意组合。
11.如权利要求1-6任一所述的触控基板，还包括第二触控电极结构，其中，
所述第二触控电极结构与所述第一触控电极结构在不同层上；
所述第一触控电极结构包括交错的多个第一子电极图案和多个第二子电极图案；
所述第二触控电极结构将由所述第二子电极图案间隔开的相邻的所述第一子电极图案电连接。
12.一种电子装置，包括如权利要求1-11任一所述的触控基板。
13.一种触控基板的制造方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一触控电极结构，且对所述第一触控电极结构进行处理以使得形成的所述第一触控电极结构至少远离所述衬底基板的一侧具有刻蚀阻隔性质。
14.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一触控电极结构并对所述第一触控电极结构进行处理包括：
在所述衬底基板上沉积电极层薄膜；
对所述电极层薄膜进行构图形成第一触控电极结构；
使形成的所述第一触控电极结构从远离所述衬底触控基板的一侧至少部分结晶化。
15.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一触控电极结构并对所述第一触控电极结构进行处理包括：
在所述衬底基板上沉积电极层薄膜；
在所述电极层薄膜上沉积阻隔层薄膜；
对所述电极层薄膜和所述阻隔层薄膜进行构图形成第一电极层和阻隔层。
16.如权利要求14或15所述的方法，其中，所述电极层薄膜的材料包括透明导电氧化物。
17.如权利要求13-15任一所述的方法，还包括：
在形成有所述第一触控电极结构的所述衬底基板上形成配线结构，
其中，所述配线结构为叠层结构且与所述第一触控电极结构形成在同一层上或形成在所述第一触控电极结构之上。
18.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述配线结构包括：
在所述衬底基板上依次沉积第一配线层薄膜、第二配线层薄膜、第三配线层薄膜；
对所述第一配线层薄膜、第二配线层薄膜、第三配线层薄膜的叠层进行构图形成所述配线结构。
19.如权利要求13所述的方法，还包括形成与所述第一触控电极结构在不同层上的第二触控电极结构，
其中，所述第一触控电极结构包括交错的多个第一子电极图案和多个第二子电极图案，所述第二触控电极结构将由所述第二子电极图案间隔开的相邻的所述第一子电极图案电连接。
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