TW201419084A - 觸控面板感測器的製造方法及觸控面板感測器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種無需降低性能而能夠使觸控面板的外觀良好之觸控面板感測器及其製造方法。與第2區域(20B)對應之部份藉由注入氧離子而成為過氧化狀態且成為不具有導電性之絕緣部(12B)。另一方面，在第1區域(20A)內殘留有抗蝕層(20)，因此成為透明導電膜(12)由抗蝕層(20)覆蓋之狀態。藉此，在該部份中，作為導電部(12A)藉由與抗蝕層(20)的第1區域(20A)對應之圖案被圖案化。藉此，透明導電膜(12)已電性圖案化。另一方面，導電部(12A)及絕緣部(12B)用光學上相同之材料以相同之膜厚形成，因此成為無法目視導電部(12A)的圖案形狀之狀態。亦即，能夠設為在光學上還未圖案化之狀態。

Description

觸控面板感測器的製造方法及觸控面板感測器

本申請主張依據2012年11月15日申請之日本專利申請第2012-251285號之優先權。其申請之全部內容藉由參閱援用於本說明書中。

本發明係有關一種觸控面板感測器的製造方法及觸控面板感測器。

作為觸控面板感測器已知有在基板上形成預定圖案的透明導電膜者。例如，專利文獻1所示之觸控面板的製造方法中，藉由在抗蝕層上曝光預定圖案之光微影製程之後，對透明導電膜進行蝕刻來形成圖案。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2012-164079號公報

然而，在藉由專利文獻1的製造方法而製造之觸控面 板感測器中，存在形成有透明導電膜的圖案之部份與未形成透明導電膜的圖案之部份，因而存在有使用作觸控面板時可看到透明導電膜的圖案之問題。為使不易看到圖案而將透明導電膜變薄時薄片電阻值上升，因而存在操作觸控面板時的雜訊較大且容易導致誤動作等問題。

藉此，本發明的目的在於提供一種無需降低性能而能夠使觸控面板的外觀良好之觸控面板感測器及其製造方法。

本發明之觸控面板感測器的製造方法，具備基板及形成於基板上之透明導電膜，該方法具備：準備製程，準備透明導電膜形成於表面之基板；設置製程，將具有形成有覆蓋透明導電膜之第1區域及使透明導電膜露出之第2區域之圖案之圖案形成構件設置在透明導電膜上；圖案形成製程，藉由向與第2區域對應之部份之透明導電膜注入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物、及氮氧化物離子中的至少任一個照射物來形成絕緣部，將由第1區域覆蓋之部份的透明導電膜作為導電部並進行圖案化；及去除製程，從透明導電膜上去除圖案形成構件。

依本發明之觸控面板感測器的製造方法，與圖案形成構件的第2區域對應之部份成為露出透明導電膜之狀態。藉此，該部份藉由注入氧或氧離子來成為過氧化狀態，從而成為不具有導電性之絕緣部。並且，藉由被注入氮、氮 離子、氮氧化物、或氮氧化物離子來在該部份形成有具有絕緣性之氮化合物，因此成為不具有導電性之絕緣部。另一方面，與圖案形成構件的第1區域對應之部份中成為透明導電膜由抗蝕層覆蓋之狀態。藉此，該部份無需被注入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物、及氮氧化物離子，而作為保持具有導電性之導電部用與圖案形成構件的第1區域對應之圖案進行圖案化。藉此，透明導電膜已電性圖案化。另一方面，導電部及絕緣部用相同之材料以相同之膜厚形成，因此成為無法目視導電部的圖案形狀之狀態。亦即，能夠設為在光學上還未圖案化之狀態。不使透明導電膜的膜厚變薄亦能夠使其看不見圖案，因此能夠維持作為觸控面板感測器的性能。如上所述，無需降低性能而能夠使觸控面板的外觀良好。

本發明之觸控面板感測器的製造方法中，在透明導電膜上形成抗蝕層且殘留與第1區域對應之部份的抗蝕層，並且從透明導電膜去除與第2區域對應之部份的抗蝕層，從而可在透明導電膜上設置圖案形成構件。依以上方法，能夠按每一個觸控面板感測器設置圖案形成構件，因此能夠高精度地形成導電部及絕緣部。

在本發明之觸控面板感測器的製造方法中，準備預先形成有第1區域及第2區域之圖案形成構件，並且配置在透明導電膜上，從而亦可在透明導電膜上設置圖案形成構件。依以上方法，能夠多次循環使用圖案形成構件，因此能夠抑制成本。

本發明之觸控面板感測器的製造方法中，可還具備如下蝕刻製程，亦即將能量低於在圖案形成製程中被注入之照射物的能量的照射物照射於絕緣部，且對絕緣部的表面進行蝕刻。依以上方法，能夠藉由將該絕緣部變薄來使導電部與絕緣部之間的光學條件更加相近。

本發明之觸控面板感測器具備基板及形成於基板上之透明導電膜，透明導電膜具有具備預定圖案之導電部與氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個比該導電部多之絕緣部。

依本發明之觸控面板感測器，能夠得到與上述觸控面板感測器的製造方法相同之效果。

依本發明，無需降低性能而能夠使外觀良好。

10‧‧‧觸控面板感測器

11‧‧‧基板

12‧‧‧透明導電膜

12A‧‧‧導電部

12B‧‧‧絕緣部

20‧‧‧抗蝕層

20A‧‧‧第1區域

20B‧‧‧第2區域

100‧‧‧製造裝置

101‧‧‧成膜部

102‧‧‧圖案形成構件準備製程執行部

103‧‧‧氧注入部

第1圖係表示用於製造本發明的觸控面板感測器之製造裝置的一實施形態之結構方塊圖。

第2圖係表示本發明的實施形態之觸控面板感測器的結構之圖。

第3圖係表示本發明的實施形態之觸控面板感測器的結構之圖。

第4圖係表示本發明的實施形態之觸控面板感測器的製造方法的內容之流程圖。

第5圖係用於說明第4圖所示之各製程的內容之示意圖。

第6圖係用於說明第4圖所示之各製程的內容之示意圖。

第7圖(a)係表示本發明的實施形態之觸控面板感測器的結構之圖，第7圖(b)係表示比較例之觸控面板感測器的結構之圖。

第8圖係表示變形例之觸控面板感測器的結構及製造方法之示意圖。

第9圖係表示氧離子注入量與薄片電阻之間的關係之圖表。

第10圖係表示氧離子注入量與反射率平行偏差之間的關係之圖表。

第11圖係表示對於絕緣部及導電部之反射率與波長之間的關係之圖表。

以下，參閱附圖對本發明的觸控面板感測器的製造方法及觸控面板感測器的一實施形態進行詳細說明。另外，圖示說明中對相同要件附上相同元件符號而省略重複說明。

第1圖係表示用於製造本發明的觸控面板感測器10之製造裝置100的一實施形態之結構方塊圖。第2圖及第3圖係表示本實施形態之觸控面板感測器10的結構之 圖。

(觸控面板感測器)

首先，參閱第2圖及第3圖對觸控面板感測器10進行說明。觸控面板感測器10係檢測外部導體(例如，人的手指)對觸控面板感測器10的接觸位置或接近位置，依據檢測向外部發送訊號者。觸控面板感測器10具備基板11及透明導電膜(TCO：Transparent Conductive Oxide)12。其中，透明導電膜12具有導電部12A及絕緣部12B。如第2圖所示，依據透明導電膜12的導電部12A的圖案化，複數個第1檢測部13及第2檢測部15以成為預定圖案之方式設置在基板11上，且分別電連接於檢測部13、15之第1取出部14及第2取出部16以成為預定圖案之方式予以設置(其中，取出部14、16僅由金屬材料構成時，無法進行與該取出部14、16對應之導電部12A的圖案化。藉此，觸控面板感測器10具備複數個第1檢測部13和第2檢測部15、及第1取出部14和第2取出部16。其中，第1檢測部13及第1取出部14設置在基板11的其中一面11a上，第2檢測部15及第2取出部16設置在基板11的另一面11b上。並且，用於向外部取出來自第1檢測部13及第2檢測部15的訊號之第1端子部17及第2端子部18分別連接於第1取出部14及第2取出部16。另外，第2圖(a)中，設置在基板11的另一面11b側之構成要件以虛線表示。

檢測部13、15係檢測外部導體的接觸位置或接近位置者。其中，第1檢測部13係檢測第1方向(第2圖(a)的上下方向)的外部導體的接觸位置或接近位置者。如第2圖(a)所示，第1檢測部13具有具備大體上呈正方形的形狀之複數個第1電極單位13a、及將相鄰之第1電極單位13a彼此在與第1方向正交之第2方向(第2圖(a)中的左右方向)上連接之第1連接部13b。並且，第2檢測部15係檢測第2方向上的外部導體的接觸位置或接近位置者。如第2圖(a)所示，第2檢測部15具有具備大體上呈正方形之複數個第2電極單位15a、及將相鄰之第2電極單位15a彼此在第1方向上連接之第2連接部15b。

並且，取出部14、16及端子部17、18係構成用於將來自檢測外部導體的接觸位置或接近位置之檢測部13、15之電訊號向外部發送之路徑者。

透明導電膜12形成為覆蓋基板11的大致整個區域。透明導電膜12具有以成為預定圖案之方式形成之導電部12A、及氧量比該導電部12A多之絕緣部12B。透明導電膜12對與導電部12A對應之位置以與導電部12A的形狀/位置相同地圖案化之抗蝕層覆蓋之狀態注入氧，從而在還沒有由該抗蝕層覆蓋之部份形成絕緣部12B。藉由向透明導電膜12注入氧且減少透明導電膜12中的氧空位而降低載流子密度來形成絕緣部12B。另外，以上被稱作“氧”之單詞包含氧離子、氧自由基、及氧原子。

觸控面板感測器10與液晶顯示裝置等顯示裝置(未圖示)配合使用，從而構成觸控面板。通常顯示裝置劃分為顯示有影像之顯示區域及位於顯示區域外側之非顯示區域。並且，通常觸控面板感測器10與顯示裝置配合使用時，配合成觸控面板感測器10的檢測部13、15與顯示裝置的顯示區域對應。因此，檢測部13、15由在透明導電膜12中具有導電性及透明性之導電部12A構成。並且，本實施形態中，顯示區域內的檢測部13、15以外的部份由在透明導電膜12中具有透明性而不具有導電性之絕緣部12B構成。

如第3圖所示，檢測部13的圖案由導電部12A構成(第3圖中與透明導電膜12中未賦有圓點圖樣之部份對應)，且除導電部12A之外之該導電部12A的周邊部份由絕緣部12B構成(第3圖中與透明導電膜12中賦有圓點圖樣之部份對應)。作為透明導電膜12的材料，例如使用銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、氧化銦、銻摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鉀摻雜氧化鋅、矽摻雜氧化鋅、或氧化鋅-氧化錫類、氧化銦-氧化錫類、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂類等金屬氧化物。亦可以複合2種以上該些金屬氧化物。並且，透明導電膜12的厚度並不限定於該數值，例如可設定為5~35nm左右。另外，作為構成基板11之材料，使用透光性、穩定性和耐久性等優異之材料，例如可使用PET和玻璃、PEN和PMMA等樹脂、及其他透明晶體材料等。

如第2圖所示，亦使取出部14、16及端子部17、18以與檢測部13、15相同之處理進行圖案化，且構成為取出部14、16及端子部17、18包括透明導電膜12的導電部12A，除該取出部14、16及端子部17、18之外之周邊部份亦可由絕緣部12B構成。但是，取出部14、16及端子部17、18通常設置在與顯示裝置的非顯示區域對應之位置。因此，取出部14、16及端子部17、18無需具有透明性。藉此，亦可構成為取出部14、16及端子部17、18包含具有比透明導電膜12的導電部12A高的導電率之金屬材料。例如，如第2圖(b)所示，第1取出部14亦可構成為包含藉由將導電部12A圖案化為第1取出部14的形狀而形成之取出圖案部14a、及形成於導電部12A的取出圖案部14a上之金屬膜14b。作為以上金屬材料，例如可使用鋁(Al)、鉬、鈀、銀(Ag)、鉻、銅等金屬及以該些為主成份之合金、或包含該些合金之層疊體。其中作為包含銀之合金的例子，能夠舉出包含銀、鈀、銅形成之APC合金。取出部14、16及端子部17、18可包括由導電部12A之圖案部及金屬膜而予以構成，亦可僅由導電部12A的圖案部而予以構成，亦可僅由金屬膜而予以構成。取出部14、16及端子部17、18僅由金屬膜而予以構成時，在絕緣部12B上形成金屬膜。該金屬膜與檢測部13、15的導電部12A電連接。另外，亦可不在與顯示裝置的非顯示區域對應之位置上形成透明導電膜12。

(觸控面板感測器的製造裝置)

如第1圖所示，用於製造觸控面板感測器10之製造裝置100具備：成膜部101，用於在基板11上形成透明導電膜12；圖案形成構件準備製程執行部102，用於藉由光微影製程在透明導電膜12上使導電部12A進行圖案化；及氧注入部103，在透明導電膜12上注入氧而形成絕緣部12B。

成膜部101由對基板11形成透明導電膜12之成膜裝置而予以構成。對成膜部101中採用之成膜方法並沒有特別限定，可採用各種成膜方法。例如，可採用對由成膜材料構成之靶施加電壓來在基板11上成膜透明導電膜12之DC濺射法、RF濺射法、AC濺射法等。或者，可採用利用電漿使成膜材料離子化而使其附著於基板11上來進行透明導電膜12的成膜之離子鍍法。或者，可採用真空蒸鍍法、印刷法、旋塗法、其他塗層方法(塗佈法)等。另外，亦可以在製造裝置100的外部使用預先形成有透明導電膜12之基板11，此時，亦可以在製造裝置100中省略成膜部101。

圖案形成構件準備製程執行部102為了執行準備圖案形成構件之製程，由在各製程中使用之裝置的組合而予以構成。圖案形成構件係在氧注入部103對透明導電膜12注入氧時設置在該透明導電膜12上者。圖案形成構件係具有形成有覆蓋透明導電膜12之第1區域、及露出透明導電膜12之第2區域(貫穿孔)之圖案者。圖案形成構 件亦可透過藉由光微影製程被圖案化之光阻劑而予以構成，亦可藉由掩蔽法(將預先形成有第1區域及第2區域之遮罩配置在透明導電膜12上之方法)中使用之遮罩而予以構成。藉由光微影製程形成圖案形成構件時，圖案形成構件準備製程執行部102為了執行該光微影製程，藉由在各製程中使用之裝置的組合而予以構成。圖案形成構件準備製程執行部102藉由塗佈光阻劑之裝置、在光阻劑上曝光圖案之裝置、顯影光阻劑之裝置、在注入氧離子後剝離光阻劑之裝置等而予以構成。採用掩蔽法時，圖案形成構件準備製程執行部102係藉由製作圖案形成構件之裝置(或者，可使用在製造裝置100的外部製作者)、在透明導電膜12上配置並回收圖案形成構件之裝置等而予以構成。

氧注入部103係藉由在基板11上的透明導電膜12上注入氧之裝置而予以構成。本實施形態中，氧注入部103係藉由注入氧離子之裝置而予以構成。氧注入部103中採用之方法並沒有特別限定，可採用各種方法。例如，可適用在對離子束進行藉由靜電電場之偏轉掃描及藉由靜電電場之平行化之後，在基板11上進行離子注入之離子注入裝置。或者，可適用利用高頻放電對氧進行離子化，並在基板11上進行摻雜之電漿摻雜裝置。或者，亦可以採用線性離子源。或者，可採用利用中和劑將氧離子作為已中和之氧自由基進行注入之方法。

(觸控面板感測器的製造方法)

接著，參閱第4圖~第6圖，對觸控面板感測器10的製造方法進行說明。第4圖係表示本實施形態之觸控面板感測器10的製造方法的內容之流程圖。第5圖及第6圖係用於說明第4圖所示之各製程內容之示意圖。如第4圖所示，首先，從準備基板11之製程開始進行處理(步驟S10：準備製程)。如第5圖(a)所示，S10製程中，準備有設定為預定大小之基板11，並被搬送至成膜部101。接著，執行在基板11上形成透明導電膜12之製程(步驟S12：準備製程)。如第5圖(b)所示，在基板11的其中一面11a上成膜透明導電膜12。S12的處理藉由成膜部101執行。隨著S10及S12結束，準備在表面上形成有透明導電膜12之基板11之製程結束。另外，亦可以在製造裝置100的外部預先準備在表面上形成有透明導電膜12之基板11。

接著，執行藉由在透明導電膜12上塗佈光阻材料而形成抗蝕層20之製程(步驟S14：設置製程)。作為光阻材料，可適用例如酚醛型苯酚樹脂或環氧樹脂等。如第5圖(c)所示，S14中，在透明導電膜12的整個面上形成有抗蝕層20。抗蝕層20被劃分為顯影時殘留於透明導電膜12上之第1區域20A和顯影時被除去而成為貫穿孔之第2區域20B。第1區域20A具有與導電部12A對應之預定圖案，藉由在注入氧離子時覆蓋透明導電膜12，將該被覆蓋之部份作為導電部12A來進行圖案化。第2區 域20B形成在與絕緣部12B對應之位置上，藉由露出透明導電膜12，以使氧離子注入到該露出部份，而形成絕緣部12B。

接著，執行在抗蝕層20上曝光圖案並進行顯影之製程(步驟S16：設置製程)。首先，在抗蝕層20的上方配置未圖示之光罩。該光罩上形成有導電部12A的圖案。經由該光罩在抗蝕層20上照射光而曝光圖案。之後，如第6圖(a)所示，藉由進行顯影，抗蝕層20中的與導電部12A對應之第1區域20A殘留在透明導電膜12上，而與絕緣部12B對應之第2區域20B會被除去。另外，S14~S16製程由圖案形成構件準備製程執行部102執行。

接著，執行經由抗蝕層20在透明導電膜12上注入氧離子之製程(步驟S18：圖案形成製程)。如第6圖(b)所示，在透明導電膜12中，在未被抗蝕層20覆蓋之部份(與第2區域20B對應之部份)照射氧離子F而注入氧離子。該部份之透明導電膜12過度氧化而成為絕緣部12B。另一方面，在透明導電膜12中，在被抗蝕層20覆蓋之部份(與第1區域20A對應之部份)未被照射氧離子F因而未被注入氧離子，作為導電部12A被進行圖案化。S18製程由氧注入部103執行。接著，執行去除抗蝕層20之製程(步驟S20：去除製程)。如第6圖(c)所示，與殘留有抗蝕層20的第1區域20A相應之部份亦從透明導電膜12上去除。S20的處理由圖案形成構件準備製程執行部102執行。藉此，透明導電膜12的電性圖案 化結束，如第4圖所示之製程結束。

另外，採用掩蔽法來代替如上述之光微影製程時，執行預先準備形成有第1區域20A及第2區域20B之圖案形成構件之製程、及在透明導電膜12上配置圖案形成構件之製程來代替S14及S16製程。並且，執行從透明導電膜12上回收圖案形成構件之製程來代替S20製程。並且，注入氧(已中和之氧自由基)來代替如上述之注入氧離子之製程時，在透明導電膜12中，在未被抗蝕層20覆蓋之部份(與第2區域20B對應之部份)，照射氧自由基並注入氧(已中和之氧自由基)。

依據藉由執行如第4圖所示之光微影製程來在透明導電膜12上設置圖案形成構件之方法，能夠對每一觸控面板感測器設置圖案形成構件，因此能夠高精度地形成導電部12A及絕緣部12B。另一方面，依採用掩蔽法之方法，能夠多次循環使用圖案形成構件，因此能夠抑制成本。

接著，對本實施形態之觸控面板感測器10及其製造方法的作用、效果進行說明。

首先，對比較例之觸控面板感測器50的結構進行說明。如第7圖(b)所示，觸控面板感測器50中，僅在與檢測部13等相應之部份使透明導電膜12圖案化(以灰度塗佈之部份形成有透明導電膜12)。另一方面，對於其他部份，成為基板11的其中一面11a露出之狀態。形成有透明導電膜12之部份與未形成透明導電膜12之部份中，其光學特性不同，因此能夠目視透明導電膜12的圖 案。亦即，相對於基板11，不限於只進行電性圖案化，亦可進行光學圖案化。藉此，存在有將觸控面板感測器50與觸控面板配合使用時導致看得到透明導電膜12的圖案之問題。其中，為使不輕易看得到圖案而使透明導電膜12變薄時薄片電阻值上升，從而存在操作觸控面板時的雜訊較大且容易導致誤動作等問題。

另一方面，依據本實施形態之觸控面板感測器10的製造方法，在與第2區域20B對應之部份中抗蝕層20會被除去，因此成為透明導電膜12露出之狀態。藉此，該部份藉由被注入氧離子而氧空位減少且載流子密度減小，成為不具有導電性之絕緣部12B。另一方面，第1區域20A中殘留有抗蝕層20，因此成為透明導電膜12由抗蝕層20覆蓋之狀態。因此，該部份不被注入氧離子而作為保持具有導電性之導電部12A，用與抗蝕層20的第1區域20A對應之圖案被進行圖案化。藉此，對透明導電膜12進行電性圖案化。另一方面，導電部12A及絕緣部12B用光學上相同之材料以相同之膜厚予以形成，因此成為無法目視導電部12A的圖案形狀之狀態。亦即，能夠設為光學上還未圖案化之狀態。另外，絕緣部12B有時藉由照射氧離子來使膜的表面少許被蝕刻且膜厚與導電部12A相比稍微變薄。但是，若為由導電部12A的膜厚與絕緣部12B的膜厚之差產生之光學特性之差較少(無法目視透明導電膜12的圖案)之狀態，則導電部12A的膜厚與絕緣部12B的膜厚可無需完全一致。亦即，所謂“相同之膜 厚”不限於膜厚完全一致之情況，還包括膜厚稍微不同之情況。

如第7圖(a)所示，觸控面板感測器10的檢測部13等係藉由在絕緣部12B中以成為預定圖案之方式形成之導電部12A而予以構成，因此能夠發揮與第7圖(b)的比較例之觸控面板感測器50的檢測部13相同之功能。另一方面，如第7圖(a)中以灰度所示，基板11整體被由光學上相同之材料/膜厚形成之透明導電膜12覆蓋。藉此，從外觀來看，無法目視導電部12A與絕緣部12B的邊界。

因此，不使透明導電膜12的膜厚變薄亦能夠使其看不見圖案，因此能夠維持作為觸控面板感測器10的性能。如上所述，無需降低性能而能夠使觸控面板的外觀良好。另外，在基板11上形成一定厚度之透明導電膜12，因此在物理方面上亦能夠設為無法在表面形成凹凸之結構。如上，不僅有外觀上的優點，亦有與物理形狀相關之優點。並且，以往對透明導電膜進行較大刻蝕時，有時會導致透明導電膜變薄，導致在觸控面板基板上發生波動(彎曲)。對此，若使用如上述之本實施形態之方法，則無需對透明導電膜進行較大蝕刻而能夠使電極進行圖案化，因此透明導電膜不變薄而能夠抑制波動(彎曲)。

本發明並不限定於上述實施形態。例如，上述實施形態中所表示之導電部12A的圖案只不過是一個例子，亦可以採用各種圖案。並且，上述實施形態中所表示之製造裝 置和製造方法也只不過是一個例子，只要能夠形成具有導電部12A及絕緣部12B之透明導電膜12，就可以採用各種製造裝置和製造方法。

上述實施形態中，藉由在透明導電膜上注入氧離子而形成了絕緣部，但並不限定於此。亦即，可藉由將氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物及氮氧化物離子中的至少任一個照射物注入到透明導電膜來形成絕緣部。例如，亦可注入N₂O⁺、N₂O^*、O₃ ⁺、O₃ ^*、O₂ ⁺、O₂ ^*、O⁺、O^*、N⁺、N^*、N₂ ⁺、N₂ ^*等。絕緣部的氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個變得比導電部多。氧被注入到透明導電膜時，被注入氧之部份成為過氧化狀態，從而成為不具有導電性之絕緣部。並且，注入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子時，在被注入該些的部份會生成具有絕緣性之氮化合物，因此成為不具有導電性之絕緣部。另外，與被注入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子時相比，被注入氧或氧離子時注入部份之光的折射率更接近於導電部，因此能夠使導電部與絕緣部的界限難以目視觀察。

並且，注入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子來代替注入氧或氧離子時，如第1圖所示之氧注入部103成為氮注入部，第4圖所示之注入氧離子之製程(步驟S18)成為注入氮離子之製程。

並且，如第8圖(a)所示，可使與第2區域20B對應之部份中的透明導電膜12(亦即絕緣部12B)比與第1區域20A對應之部份中的透明導電膜12(亦即導電部 12A)更薄。與第2區域20B對應之部份中的透明導電膜12在被注入離子等時折射率會稍微變高，因此存在有反射率稍微變高之情況。因此，藉由使該部份變薄，能夠使導電部12A與絕緣部12B之間的光學條件更相近。具體而言，絕緣部12B的厚度可設為導電部12A的70%~99%。

具體而言，如第8圖(b)所示，對於與第2區域20B對應之部份中的透明導電膜12(成為絕緣部12B之部份)，可藉由照射能量低於形成絕緣部12B時的能量離子，來進行與第2區域20B對應之部份中之透明導電膜12的蝕刻(蝕刻製程)。例如，注入氧離子而形成絕緣部12B時，注入之離子F1的能量設定為如同可得到與透明導電膜12的厚度相應之注入深度之較高值。另一方面，對於與第2區域20B對應之部份，能夠藉由照射僅到達透明導電膜12之表層程度之較低的能量離子F2，削去該部份的表面12Ba並進行蝕刻。照射用於蝕刻之離子F2時，僅照射與所期望的蝕刻量相應之離子電流量。

對注入用離子的能量及蝕刻用離子能量的具體例子進行說明。例如，將透明導電膜12(ITO)的厚度設為30nm時，將注入用離子的能量設為12keV，將蝕刻用離子的能量設為3keV。並且，在厚度30nm的透明導電膜12中，將與絕緣部12B對應之部份例如蝕刻到25nm。

可將用於注入之離子與用於蝕刻之離子設為相同元素。例如注入氧離子而形成絕緣部12B時，可利用氧離子 進行蝕刻。並且，可將用於注入之離子與用於蝕刻之離子設為不同元素。例如注入氧離子而形成絕緣部12B時，可利用氬離子進行蝕刻。

並且，如第8圖(c)所示，可對用於注入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2以相同之離子槍G進行照射。此時的離子槍G係對用於注入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2設定一時間差來進行照射。並且，亦可分別用離子槍G1、G2照射用於注入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2。此時，用離子槍G1照射高能量離子F1，用離子槍G2照射低能量離子F2。藉由離子槍G1、G2之照射亦可設定一時間差，亦可同時進行。

[實施例]

以下，藉由實施例對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於該些實施例。

[透明導電膜的導電部及絕緣部]

首先，作為測定對象物，對基板上的透明導電膜的導電部及絕緣部進行說明。本實施例中，以參閱上述第4圖~第6圖所進行說明之觸控面板感測器的製造方法相同之方法來形成了導電部及絕緣部。具體而言，準備基板，並且在該基板上形成透明導電膜。另外，進行透明導電膜之成膜時，使用以離子鍍敷法進行之成膜裝置，且以200℃ 的溫度條件進行。另外，薄片電阻的測定使用薄片電阻測定器(Hiresta(註冊商標)Up MCP-HT450、Mitsubishi Chemical Analytech Co.Ltd製)來進行。由遮罩覆蓋形成有透明導電膜之基板的1/4的區域，用薄片電阻測定器測定未被遮罩之區域的預定位置的點。

基板：□125的無鹼性玻璃

透明導電膜：材質 銦錫氧化物(ITO)

厚度 30nm

薄片電阻 (離子注入之前)60Ω/□

接著，將樹脂作為抗蝕層塗佈於透明導電膜上，使用光罩來使導電部和絕緣部的圖案曝光而進行顯影。透明導電膜中，以由抗蝕層覆蓋與絕緣部對應之部份之狀態注入氧離子。注入氧離子係使用氧離子注入裝置來進行。另外，離子注入裝置係眾所周知的，因此省略其詳細說明。其中，藉由1張基板上的部位來改變氧離子注入量。注入氧離子後，去除抗蝕層。如上所述，在基板上形成透明導電膜的導電部與絕緣部。

能量：12keV

注入溫度：室溫

[絕緣部的薄片電阻]

對於基板上的絕緣部中的5個點，使用上述薄片電阻測定器來測定絕緣部的薄片電阻。對關於各點的氧離子注入量與薄片電阻之間的關係進行描繪，並在第9圖中表示 依據該描繪呈現之曲線圖。如第9圖所示，可理解能夠藉由注入2×10¹⁷n/cm²以上的氧離子來確保絕緣部的薄片電阻為1×10¹²Ω/□以上。能夠藉由將薄片電阻設為1×10¹²Ω/□以上來充份發揮作為絕緣部的性能。依據以上內容，可理解為了形成絕緣部而將氧離子的注入量設為2×10¹⁷n/cm²以上(5×10¹⁷n/cm²以下)即可。

[反射率]

對於基板上的各部位，測定絕緣部及導電部各自的反射率來計算反射率平均偏差。其中，由分光光度計(U-4100，Hitachi High-Technologies Corporation製)測定絕緣部及導電部的反射率，對於修正視感感度之值計算對直到380nm~780nm為止的值進行平均之平均值。反射率平均偏差為計算絕緣部的反射率的平均值與導電部的反射率的平均值之差之值。描繪對關於各部位的絕緣部的氧離子注入量與反射率平均偏差之間的關係，且在第10圖中表示依據該描繪而呈現之曲線圖。其中，若反射率平均值偏差在0±0.5%範圍內，則能夠設為無法更可靠地目視絕緣部的圖案者。若氧離子注入量增加，則藉由氧射束所引起之蝕刻作用而使透明導電膜的膜厚減小，從而存在反射率減小之可能性。如第10圖所示，可理解能夠藉由將氧離子注入量設為3×10¹⁷n/cm²以上且4×10¹⁷n/cm²以下來使反射率平均偏差成為0±0.5%以下。

並且，對於氧離子注入量在3.1×10¹⁷n/cm²的部位中 的絕緣部及導電部，在第11圖中表示描繪反射率與波長之間的關係之圖表。藉由第11圖可理解反射率光譜在導電部與絕緣部中大致相同。如第10圖所示，即使有一些差異，在氧離子注入量3.1×10¹⁷n/cm²的部位中，反射率平均偏差在0±0.5%的範圍內，由於無法目視絕緣部的圖案，因此不會產生問題。

11‧‧‧基板

11a‧‧‧基板11的其中一面

12‧‧‧透明導電膜

12A‧‧‧導電部

12B‧‧‧絕緣部

20‧‧‧抗蝕層

20A‧‧‧第1區域

20B‧‧‧第2區域

Claims (5)

1. 一種觸控面板感測器的製造方法，該觸控面板感測器具備基板及形成於前述基板上之透明導電膜，其特徵係，具備：準備製程，準備前述透明導電膜形成於表面之前述基板；設置製程，將具有形成有覆蓋前述透明導電膜之第1區域及使前述透明導電膜露出之第2區域之圖案之圖案形成構件設置在前述透明導電膜上；圖案形成製程，藉由向與前述第2區域對應之部份的前述透明導電膜注入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物、及氮氧化物離子中的至少任一個照射物來形成絕緣部，將由前述第1區域覆蓋之部份的前述透明導電膜作為導電部而進行圖案化；及去除製程，從前述透明導電膜上去除前述圖案形成構件。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板感測器的製造方法，其中，在前述透明導電膜上形成抗蝕層，殘留與前述第1區域對應之部份的前述抗蝕層，並且從前述透明導電膜上去除與前述第2區域對應之部份的前述抗蝕層，藉此，在前述透明導電膜上設置前述圖案形成構件。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板感測器的製 造方法，其中，準備預先形成有前述第1區域及前述第2區域之前述圖案形成構件，並且配置在前述透明導電膜上，藉此，在前述透明導電膜上設置前述圖案形成構件。
4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所述之觸控面板感測器的製造方法，其中，該方法更具備蝕刻製程，將能量低於前述圖案形成製程中被注入之前述照射物的能量之前述照射物照射於前述絕緣部，從而對前述絕緣部的表面進行蝕刻。
5. 一種觸控面板感測器，其特徵係，具備：基板；及透明導電膜，形成於前述基板上，前述透明導電膜具有具備預定圖案之導電部、和氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個比該導電部多之絕緣部。