TW201419618A - 有機電激發光元件的製造方法及有機電激發光元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠提高光取出效率之有機EL(有機電激發光)元件及其製造方法。對應到第2區域(20B)部份藉由植入氧離子成為過氧化狀態，成為不具有導電性之絕緣部(12B)。另一方面，由於第1區域(20A)中殘留有抗蝕層(20)，因此成為透明導電膜(12)被抗蝕層(20)覆蓋之狀態。因此，在該部份中，作為導電部(12A)，以抗蝕層(20)之與第1區域(20A)對應之圖案來進行圖案形成。藉此，在透明導電膜(12)上進行電性圖案形成。另一方面，導電部(12A)及絕緣部(12B)由光學上相同的材料形成，因此能夠成為在光學上未進行圖案形成之狀態，能夠使取出光時之導電部(12A)與絕緣部(12B)之間的光學條件相近。

Description

有機電激發光元件的製造方法及有機電激發光元件

本發明係有關一種有機EL元件的製造方法及有機EL元件。

作為有機EL元件，已知有在基板上形成預定圖案的透明導電膜者。例如，專利文獻1所示之有機EL元件的製造方法中，進行在抗蝕層上曝光預定圖案的光刻蝕製程之後，藉由對透明導電膜進行蝕刻來形成圖案。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2012-123987號公報

藉由專利文獻1的製造方法所製造出的有機EL元件中，形成有透明導電膜的圖案之部份作為導電部發揮作用，未形成之部份作為絕緣部發揮作用。然而，該結構中，將從發光層輸出之光向外部取出時的光學條件在導電 部與絕緣部相異，因此存在光取出效率下降之問題。

因此，本發明的目的在於提供一種能夠提高光取出效率之有機EL元件及其製造方法。

有關本發明之有機EL元件的製造方法，係一種製造具備基板及形成於基板上之透明導電膜之有機EL元件之方法，具備：準備有在表面上已形成透明導電膜的基板的製程；把具有形成覆蓋透明導電膜之第1區域、及曝露出透明導電膜的第2區域之圖案之圖案形成構件設在透明導電膜上的製程；藉由在對應到第2區域的部份中之透明導電膜上植入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物及氮氧化物離子中的至少任一種來形成絕緣部，且把以第1區域所覆蓋之部份中之透明導電膜作為導電部來進行圖案形成的製程；及從透明導電膜上去除圖案形成構件的製程。

依本發明之有機EL元件的製造方法，圖案形成構件之對應到第2區域的部份中，成為透明導電膜已曝露之狀態。因此，該部份藉由被植入氧或氧離子而成為過氧化狀態，成為不具有導電性之絕緣部。並且，藉由被植入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子，在該部份形成具有絕緣性之氮氧化合物，因此成為不具有導電性之絕緣部。另一方面，圖案形成構件之對應到第1區域部份中，成為透明導電膜被圖案形成構件覆蓋之狀態。因此，該部份不被植入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物及氮氧化物離 子，作為直接具有導電性的導電部，以圖案形成構件之與第1區域對應之圖案進行圖案形成。藉此，在透明導電膜上進行電性圖案形成。另一方面，由於導電部及絕緣部由相同材料形成，因此能夠成為在光學上未進行圖案形成之狀態，且能夠使取出光時之導電部與絕緣部之間的光學條件相近。因此，能夠提高光取出效率。

本發明之有機EL元件的製造方法中，可在透明導電膜上形成抗蝕層，使對應到第1區域部份的抗蝕層殘留，並且從透明導電膜上去除對應到第2區域部份的抗蝕層，藉此在透明導電膜上設置圖案形成構件。依該種方法，能夠對每一有機EL元件設置圖案形成構件，因此能夠精度良好地形成導電部及絕緣部。

本發明之有機EL元件的製造方法中，也可準備預先形成了第1區域及第2區域之圖案形成構件，並配置在透明導電膜上，藉此在透明導電膜上設有圖案形成構件。依該種方法，能夠複數次挪用圖案形成構件，因此能夠抑制成本。

本發明之有機EL元件的製造方法中，可對應到第2區域部份中之透明導電膜，比對應到第1區域部份中之透明導電膜還要薄。與第2區域對應之部份中之透明導電膜在被植入離子等時折射率變高，因此有時反射率會變高。因此，藉由使該部份變薄，能夠使導電部與絕緣部之間的光學條件更相近。

本發明之有機EL元件的製造方法中，可對於對應到 第2區域部份中之透明導電膜，藉由照射比形成絕緣部時的能量更低之能量離子的方式，來進行對應到第2區域部份中之透明導電膜的蝕刻。對與第2區域對應之部份，藉由照射不會進行離子植入之程度的低能量離子，能夠削去該部份而進行蝕刻。

本發明之有機EL元件的製造方法中，可使用氬離子進行對應到第2區域部份中之透明導電膜的蝕刻。

本發明之有機EL元件，其具備基板及形成於基板上之透明導電膜，透明導電膜具有：導電部，該導電部具有預定圖案；及絕緣部，該絕緣部的氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個比該導電部更多。

依本發明之有機EL元件，能夠得到與上述有機EL元件的製造方法相同的效果。

依本發明，能夠提高光取出效率。

10‧‧‧有機EL元件

11‧‧‧基板

12‧‧‧透明導電膜

12A‧‧‧導電部

12B‧‧‧絕緣部

20‧‧‧抗蝕層

20A‧‧‧第1區域

20B‧‧‧第2區域

100‧‧‧製造裝置

101‧‧‧成膜部

102‧‧‧圖案形成構件準備製程執行部

103‧‧‧氧植入部

第1圖係表示用於製造本發明的有機EL元件之製造裝置的一實施形態之框結構圖。

第2圖係表示本發明的實施形態之有機EL元件的結構之圖。

第3圖係表示比較例之有機EL元件的結構之圖。

第4圖係表示本發明的實施形態之有機EL元件的製 造方法的內容之流程圖。

第5圖係用於說明第4圖所示之各製程內容之示意圖。

第6圖係用於說明第4圖所示之各製程內容之示意圖。

第7圖係表示變形例之有機EL元件的結構及其製造方法之示意圖。

以下，參閱附圖對基於本發明之有機EL元件的製造方法及有機EL元件的一實施形態進行詳細說明。另外，在附圖的說明中對相同要件賦予相同符號，並省略重複說明。

第1圖係表示用於製造本發明的有機EL元件10之製造裝置100的一實施形態之框結構圖。第2圖係表示本實施形態之有機EL元件10的結構之圖。

(有機EL元件)

首先，參閱第2圖對有機EL元件10進行說明。有機EL(Organic Electro Luminescence)元件10是用於有機EL顯示器等的發光元件。有機EL元件10具備基板11、作為陽極電極13發揮作用之透明導電膜(TCO：Transparent Conductive Oxide)12、包含發光層之有機層15、陰極電極16及傾斜層17。其中，透明導電膜12具 有導電部12A及絕緣部12B。如第2圖所示，設置成藉由透明導電膜12的導電部12A的圖案形成，複數個陽極電極13在基板11上成為預定圖案。另外，在基板11的底面側設置有未圖示之TFT基板。

透明導電膜12以覆蓋基板11之方式形成。透明導電膜12具有以成為預定圖案之方式形成之導電部12A、及氧量比該導電部12A更多之絕緣部12B。透明導電膜12在以與導電部12A的形狀/位置相同地被圖案形成之抗蝕層覆蓋與導電部12A對應之位置之狀態下植入氧，藉此在未被該抗蝕層覆蓋之部份形成有絕緣部12B。藉由在透明導電膜12植入氧而成為過氧化狀態，藉由消除施主能級來形成絕緣部12B。另外，其中，所謂“氧”包含氧離子、氧自由基及氧原子。

如第2圖(b)所示，陽極電極13的圖案由導電部12A構成(第2圖中，與透明導電膜12中未賦有圓點圖樣之部份對應)，除導電部12A之該導電部12A的周邊部份由絕緣部12B構成(第2圖中，與透明導電膜12中賦有圓點圖樣之部份對應)。作為透明導電膜12的材料，例如使用銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、氧化銦、銻摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鉀摻雜氧化鋅、矽摻雜氧化鋅、氧化鋅-氧化錫類、氧化銦-氧化錫類、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂類等金屬氧化物。亦可以複合2種以上該些金屬氧化物。並且，透明導電膜12的厚度並不限定於該數值，例如可設定為10nm~500nm左右。 另外，作為構成基板11之材料，使用透光性、穩定性和耐久性等優異之材料，例如可使用PET或玻璃、PEN或PMMA等樹脂、其他透明晶體材料等。

在陽極電極13上形成有有機層15。有機層15例如包含發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層等層而構成。並且，在有機層15上，以在與陽極電極13之間夾持有機層15之方式形成陰極電極16。作為構成陰極電極16之材料，例如可使用銀、鋁等。傾斜層17為以分隔各像素區域之方式形成之絕緣層。另外，本實施形態中，與各像素區域對應之陽極電極13彼此之間藉由透明導電膜12的絕緣部12B來分隔。如此，與各像素區域對應之陽極電極13藉由絕緣部12B和傾斜層17等絕緣層被分隔，因此能夠個別控制各陽極電極13來進行發光。

另外，有機EL元件10可以為從陽極電極13側取出光L1之底部發射型。此時，陰極電極16作為反射層發揮作用。並且，陽極電極13亦可以包含半透半反鏡型的反射層，並在陽極電極13與陰極電極16之間反覆進行反射。並且，有機EL元件10亦可以為從陰極電極16側取出光L2之頂部發射型。此時，陰極電極16設為透射型或半透半反鏡型電極，陽極電極13設為包含反射層之結構。或者，有機EL元件10亦可以為能夠從雙方取出光L1及光L2之結構。另外，透明導電膜12亦可以不直接形成在基板11上，依有機EL元件10的結構，可在基板 11上設置其他層且透明導電膜12形成在該層上。此時，包含基板11及其他層之構件整體相當於申請專利範圍中之“基板”。

(有機EL元件的製造裝置)

如第1圖所示，用於製造有機EL元件10之製造裝置100具備：成膜部101，其用於在基板11上形成透明導電膜12；圖案形成構件準備製程執行部102，其用於藉由光刻蝕製程在透明導電膜12上對導電部12A進行圖案形成；及氧植入部103，其在透明導電膜12上植入氧而形成絕緣部12B。

成膜部101藉由相對於基板11形成透明導電膜12之成膜裝置構成。成膜部101中採用之成膜方法並沒有特別限定，可採用各種成膜方法。例如，可採用對包括成膜材料之靶施加電壓來在基板11上成膜透明導電膜12之DC濺射法、RF濺射法、AC濺射法等。或者，可採用利用電漿離子化成膜材料而使其附著於基板11上來進行透明導電膜12的成膜之離子鍍法。或者，可採用真空蒸鍍法、印刷法、旋塗法、其他塗裝方法(塗佈法)等。另外，亦可在製造裝置100的外部使用預先形成有透明導電膜12之基板11，此時，亦可在製造裝置100中省略成膜部101。

圖案形成構件準備製程執行部102為了執行準備圖案形成構件之製程，藉由在各製程中使用之裝置的組合構 成。圖案形成構件在氧植入部103對透明導電膜12植入氧時設置在該透明導電膜12上。圖案形成構件係具有形成有覆蓋透明導電膜12之第1區域、及曝露透明導電膜12之第2區域(貫穿孔)之圖案者。圖案形成構件可由藉由光刻蝕製程被圖案形成之光致抗蝕層構成，亦可由遮罩法(將預先形成有第1區域及第2區域之遮罩配置在透明導電膜12上之方法)中使用的遮罩構成。藉由光刻蝕製程進行圖案形成形成構件時，圖案形成構件準備製程執行部102為了執行該光刻蝕製程，藉由在各製程中使用之裝置的組合構成。圖案形成構件準備製程執行部102由塗佈光致抗蝕層之裝置、曝光圖案於光致抗蝕層之裝置、顯影光致抗蝕層之裝置、在氧離子植入後剝離光致抗蝕層之裝置等構成。採用遮罩法時，圖案形成構件準備製程執行部102由製作圖案形成構件之裝置(或者，可使用在製造裝置100的外部製作者)、在透明導電膜12上配置並回收圖案形成構件之裝置等構成。

氧植入部103藉由在基板11上的透明導電膜12上植入氧之裝置構成。本實施形態中，氧植入部103藉由植入氧離子之裝置構成。氧植入部103中採用之方法並沒有特別限定，可採用各種方法。例如，可適用在對離子束進行基於靜電電場之偏轉掃描及基於靜電電場之平行化之後，在基板11上進行離子植入之離子植入裝置。或者，可適用利用高頻放電對氧進行離子化並在基板11上進行摻雜之等離子體摻雜裝置。或者，亦可採用線性離子源。或 者，可採用利用中和劑將氧離子作為已中和之氧自由基進行植入之方法。

(有機EL元件的製造方法)

接著，參閱第4圖~第6圖，對有機EL元件10的製造方法進行說明。第4圖係表示本實施形態之有機EL元件10的製造方法的內容之流程圖。第5圖及第6圖係用於說明第4圖所示之各製程內容之示意圖。如第4圖所示，首先，從準備基板11之製程開始進行處理(步驟S10)。如第5圖(a)所示，S10製程中，準備有設定為預定大小之基板11，並向成膜部101搬運。接著，執行在基板11上形成透明導電膜12之製程(步驟S12)。如第5圖(b)所示，在基板11的一面11a上成膜透明導電膜12。S12的處理藉由成膜部101執行。藉由S10及S12的結束，準備在表面上形成有透明導電膜12之基板11之製程結束。另外，亦可在製造裝置100的外部準備預先在表面上形成有透明導電膜12之基板11。

接著，執行藉由在透明導電膜12上塗佈抗蝕劑材料而形成抗蝕層20之製程(步驟S14)。作為抗蝕層材料，可適用例如酚醛型苯酚樹脂和環氧樹脂等。如第5圖(c)所示，S14中，在透明導電膜12的整個面上形成有抗蝕層20。抗蝕層20劃份為顯影時殘留於透明導電膜12上之第1區域20A和顯影時被除去而成為貫穿孔之第2區域20B。第1區域20A具有與導電部12A對應之預定圖 案，藉由在植入氧離子時覆蓋透明導電膜12，將該被覆蓋之部份作為導電部12A來進行圖案形成。第2區域20B形成在與絕緣部12B對應之位置上，藉由曝露透明導電膜12，以使在該曝露部份被植入氧離子，而形成絕緣部12B。

接著，執行在抗蝕層20上曝光圖案並進行顯影之製程(步驟S16)。首先，在抗蝕層20的上方配置未圖示之光遮罩。該光遮罩上形成有導電部12A的圖案。經由該光遮罩在抗蝕層20上照射光而曝光圖案。之後，如第6圖(a)所示，藉由進行顯影，抗蝕層20在與導電部12A對應之第1區域20A上殘留在透明導電膜12上，而與絕緣部12B對應之第2區域20B上被除去。另外，S14~S16製程由圖案形成構件準備製程執行部102執行。

接著，執行經由抗蝕層20在透明導電膜12上植入氧離子之製程(步驟S18)。如第6圖(b)所示，在透明導電膜12中，在未被抗蝕層20覆蓋之部份(與第2區域20B對應之部份)照射氧離子F而植入氧離子。該部份之透明導電膜12過度氧化而成為絕緣部12B。另一方面，在透明導電膜12中，在被抗蝕層20覆蓋之部份(與第1區域20A對應之部份)未被照射氧離子F從而未被植入氧離子，作為導電部12A進行圖案形成。S18製程由氧植入部103執行。接著，執行去除抗蝕層20之製程(步驟S20)。如第6圖(c)所示，與殘留有抗蝕層20的第1區域20A相應之部份亦從透明導電膜12上去除。S20的 處理由圖案形成構件準備製程執行部102執行。藉此，透明導電膜12的電性圖案形成結束，如第4圖所示，製程結束。

另外，採用遮罩法來代替如上述之光刻蝕製程時，執行準備預先形成有第1區域20A及第2區域20B之圖案形成構件之製程、及在透明導電膜12上配置圖案形成構件之製程來代替S14及S16製程。並且，執行從透明導電膜12上回收圖案形成構件之製程來代替S20製程。並且，植入氧(已中和之氧自由基)來代替如上述之植入氧離子之製程時，在透明導電膜12中，在未被抗蝕層20覆蓋之部份(與第2區域20B對應之部份)被照射氧自由基而被植入氧(已中和之氧自由基)。

依藉由執行如第4圖所示之光刻蝕製程來在透明導電膜12上設置圖案形成構件之方法，能夠對每一有機EL元件設置圖案形成構件，因此能夠精度良好地形成導電部12A及絕緣部12B。另一方面，依採用遮罩法之方法，能夠複數次挪用圖案形成構件，因此能夠抑制成本。

接著，對本發明之有機EL元件10及其製造方法的作用、效果進行說明。

首先，對比較例之有機EL元件50的結構進行說明。如第3圖(b)所示，有機EL元件50中，僅在與陽極電極13等相應之部份圖案形成有透明導電膜12(以灰度塗佈之部份形成有透明導電膜12)。另一方面，關於其他部份，未形成透明導電膜12，與該透明導電膜12不同材 質之構件作為絕緣部形成(例如，如第3圖(a)所示之例子中，配置有傾斜層17)。然而，在該結構中，向外部取出從發光層輸出之光時的光學條件在導電部即透明導電膜12與其他區域即絕緣部相異，因此存在光取出效率下降之問題。

另一方面，依本實施形態之有機EL元件10的製造方法，在與第2區域20B對應之部份抗蝕層20被除去，因此成為透明導電膜12曝露之狀態。因此，該部份藉由植入氧離子成為過氧化狀態，從而成為不具有導電性之絕緣部12B。另一方面，在第1區域20A中殘留有抗蝕層20，因此成為透明導電膜12被抗蝕層20覆蓋之狀態。因此，該部份未被植入氧離子，而作為具有著導電性之導電部12A，以抗蝕層20的與第1區域20A對應之圖案進行圖案形成。藉此，在透明導電膜12上進行電性圖案形成。另一方面，導電部12A及絕緣部12B由光學上相同的材料形成，因此能夠成為在光學上未進行圖案形成之狀態，能夠使取出光時之導電部12A與絕緣部12B之間的光學條件相近。因此，能夠提高光取出效率。並且，由於能夠提高光取出效率，因此能夠成為低電力且高亮度的有機EL元件10。

例如，如第2圖(b)所示，有機EL元件10的陽極電極13藉由在絕緣部12B中以成為預定圖案之方式形成之導電部12A構成，因此能夠發揮與第3圖(b)的比較例之有機EL元件50的陽極電極13相同的功能。另一方 面，如第2圖(b)中以灰度所示，基板11整體被由光學上相同的材料形成之透明導電膜12覆蓋。因此，能夠使導電部12A與絕緣部12B之間的光學條件相近。

本發明並不限定於上述實施形態。例如，上述實施形成中示出之導電部12A的圖案只是一個例子，亦可採用各種圖案。並且，上述實施形態中示出之製造裝置和製造方法亦只是一個例子，只要能夠形成具有導電部12A及絕緣部12B之透明導電膜12，就可採用各種製造裝置和製造方法。

上述實施形態中，藉由在透明導電膜上植入氧離子而形成了絕緣部，但並不限定於此。即，可藉由將氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物及氮氧化物離子中的至少任一個植入到透明導電膜來形成絕緣部。例如，亦可植入N₂O⁺、N₂O^*、O₃ ⁺、O₃ ^*、O₂ ⁺、O₂ ^*、O⁺、O^*、N⁺、N^*、N₂ ⁺、N₂ ^*等。絕緣部的氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個變得比導電部更多。氧被植入到透明導電膜時，被氧植入之部份成為過氧化狀態，從而成為不具有導電性之絕緣部。並且，植入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子時，在植入該些之部份生成具有絕緣性之氮化合物，因此成為不具有導電性之絕緣部。另外，與植入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子時相比，植入氧或氧離子時植入部份的光的折射率更接近於導電部，因此能夠使導電部與絕緣部的界限難以用肉眼觀察。

並且，植入氮、氮離子、氮氧化物或氮氧化物離子來 代替植入氧或氧離子時，如第1圖所示之氧植入部103成為氮植入部，第4圖所示之植入氧離子之製程(步驟S18)成為植入氮離子之製程。

並且，如第7圖(a)所示，可使與第2區域20B對應之部份中之透明導電膜12(即絕緣部12B)比與第1區域20A對應之部份中之透明導電膜12(即導電部12A)更薄。與第2區域20B對應之部份中之透明導電膜12在被植入離子等時折射率稍微變高，因此存在反射率稍微變高之情況。因此，藉由使該部份變薄，能夠使導電部12A與絕緣部12B之間的光學條件更相近。具體而言，絕緣部12B的厚度可設為導電部12A的70%~99%。

具體而言，如第7圖(b)所示，對於與第2區域20B對應之部份中之透明導電膜12(成為絕緣部12B之部份)，可藉由照射比形成絕緣部12B時的能量更低之能量離子來進行與第2區域20B對應之部份中之透明導電膜12的蝕刻。例如，植入氧離子而形成絕緣部12B時，植入之離子F1的能量設定為可得到如與透明導電膜12的厚度相應之植入深度之較高值。另一方面，對於與第2區域20B對應之部份，藉由照射不會進行離子植入之程度的低能量離子F2，能夠削去該部份的表面12Ba而進行蝕刻。照射用於蝕刻之離子F2時，僅照射與所期望的蝕刻量相應之離子電流量。

可將用於植入之離子與用於蝕刻之離子設為相同元素。例如植入氧離子而形成絕緣部12B時，可利用氧離子 進行蝕刻。並且，可將用於植入之離子與用於蝕刻之離子設為不同元素。例如植入氧離子而形成絕緣部12B時，可利用氬離子進行蝕刻。

並且，如第7圖(c)所示，可對用於植入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2以相同的離子槍G進行照射。此時的離子槍G對用於植入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2設置時間差來進行照射。並且，可對用於植入之高能量離子F1與用於蝕刻之低能量離子F2分別用離子槍G1、G2進行照射。此時，用離子槍G1照射高能量離子F1，用離子槍G2照射低能量離子F2。基於離子槍G1、G2之照射可設置時間差，亦可同時進行。

11‧‧‧基板

11a‧‧‧基板的一面

12‧‧‧透明導電膜

12A‧‧‧導電部

12B‧‧‧絕緣部

20‧‧‧抗蝕層

20A‧‧‧第1區域

20B‧‧‧第2區域

F‧‧‧氧離子

Claims (7)

1. 一種有機EL元件的製造方法，該有機EL元件具備基板及形成於前述基板上之透明導電膜，其特徵為具備：準備有在表面上已形成前述透明導電膜之前述基板的製程；把具有形成覆蓋前述透明導電膜之第1區域、及曝露出前述透明導電膜之第2區域的圖案之圖案形成構件設在前述透明導電膜上的製程；藉由在對應到前述第2區域的部份中之前述透明導電膜上植入氧、氧離子、氮、氮離子、氮氧化物及氮氧化物離子中的至少任一種來形成絕緣部，且把以前述第1區域所覆蓋之部份中之前述透明導電膜作為導電部來進行圖案形成的製程；及從前述透明導電膜上去除前述圖案形成構件的製程。
2. 如請求項1之有機EL元件的製造方法，其中，在前述透明導電膜上形成抗蝕層，使對應到前述第1區域的部份的前述抗蝕層殘留，並且從前述透明導電膜上去除對應到前述第2區域的部份的前述抗蝕層，藉此在前述透明導電膜上設置前述圖案形成構件。
3. 如請求項1之有機EL元件的製造方法，其中，準備預先形成了前述第1區域及前述第2區域之前述圖案形成構件，並配置在前述透明導電膜上，藉此在前述 透明導電膜上設有前述圖案形成構件。
4. 如請求項1至3中任一項之有機EL元件的製造方法，其中，對應到前述第2區域的部份中之前述透明導電膜，比對應到前述第1區域的部份中之前述透明導電膜還要薄。
5. 如請求項4之有機EL元件的製造方法，其中，對於對應到前述第2區域的部份中之前述透明導電膜，藉由照射比形成前述絕緣部時的能量更低之能量離子的方式，來進行對應到前述第2區域的部份中之前述透明導電膜的蝕刻。
6. 如請求項5之有機EL元件的製造方法，其中，使用氬離子來進行對應到前述第2區域的部份中之前述透明導電膜的蝕刻。
7. 一種有機EL元件，其具備：基板；及形成於前述基板上之透明導電膜；前述透明導電膜具有：導電部，該導電部具有預定圖案；及絕緣部，該絕緣部的氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一個比該導電部更多。