JP5755699B2 - タッチパネルセンサの製造方法、及びタッチパネルセンサ - Google Patents
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Description
まず、図2及び図3を参照して、タッチパネルセンサ10について説明する。タッチパネルセンサ10は、タッチパネルセンサ10への外部導体(例えば、人間の指)の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。タッチパネルセンサ10は、基板11と、透明導電膜(TCO:Transparent Conductive Oxide)12と、を備えている。このうち、透明導電膜12は、導電部12A及び絶縁部12Bを有している。図2に示すように、透明導電膜12の導電部12Aのパターンニングにより、基板11上に複数の第1検出部13及び第2検出部15が所定のパターンとなるように設けられ、検出部13,15にそれぞれ電気的に接続された第1取出部14及び第2取出部16が所定のパターンとなるように設けられる(ただし、取出部14,16が金属材料のみで構成される場合は、当該取出部14,16に対応する導電部12Aのパターンニングはなされない)。これによって、タッチパネルセンサ10は、複数の第1検出部13及び第2検出部15と、第1取出部14及び第2取出部16と、を備える。このうち第1検出部13及び第1取出部14は基板11の一面11a上に設けられており、第2検出部15及び第2取出部16は基板11の他面11b上に設けられている。また、第1検出部13及び第2検出部15からの信号を外部へ取り出すための第1端子部17及び第2端子部18が、それぞれ第1取出部14及び第2取出部16に接続されている。なお、図2(a)においては、基板11の他面11b側に設けられている構成要素が破線で表されている。
図1に示すように、タッチパネルセンサ10を製造するための製造装置100は、基板11上に透明導電膜12を形成するための成膜部101と、フォトリソグラフィ工程によって透明導電膜12に導電部12Aをパターンニングするためのパターンニング部材準備工程実行部102と、透明導電膜12に酸素を注入して絶縁部12Bを形成する酸素注入部103と、を備える。
次に、図4〜図6を参照して、タッチパネルセンサ10の製造方法について説明する。図4は、本実施形態に係るタッチパネルセンサ10の製造方法の内容を示すフローチャートである。図5及び図6は、図4に示す各工程の内容を説明するための模式図である。図4に示すように、まず、基板11を準備する工程から処理が開始される(ステップS10:準備工程)。図5(a)に示すように、S10の工程では、所定の大きさに設定された基板11が準備され、成膜部101へ搬送される。次に、基板11に透明導電膜12を形成する工程が実行される(ステップS12:準備工程)。図5(b)に示すように、基板11の一面11aに透明導電膜12が成膜される。S12の処理は、成膜部101にて実行される。S10及びS12が完了することにより、透明導電膜12が表面に形成された基板11を準備する工程が完了する。なお、製造装置100の外部で予め透明導電膜12が表面に形成された基板11を準備してもよい。
まず、測定対象物として、基板上の透明導電膜の導電部及び絶縁部について説明する。本実施例では、上述の図4〜図6を参照して説明した、タッチパネルセンサの製造方法と同様な方法で導電部及び絶縁部を形成した。具体的には、基板を準備すると共に、当該基板上に透明導電膜を形成した。なお、透明導電膜の成膜は、イオンプレーティング法による成膜装置を用い、200℃の温度条件にて行った。なお、シート抵抗の測定は、シート抵抗測定器(ハイレスタ(登録商標)UP MCP−HT450、三菱化学アナリテック社製)を用いて行った。透明導電膜が形成された基板の1/4の領域をマスクで覆い、マスクされていない領域の所定位置の点をシート抵抗測定器で測定した。
基板:□125の無アルカリガラス
透明導電膜: 材質 インジウム錫酸化物(ITO)
厚さ 30nm
シート抵抗(イオン注入前) 60Ω/□
エネルギー: 12keV
注入温度: 室温
基板上の絶縁部の中の5点について、上述のシート抵抗測定器を用いて絶縁部のシート抵抗を測定した。各点についての酸素イオン注入量とシート抵抗との関係をプロットし、当該プロットに基づいて描かれたグラフを図9に示す。図9に示すように、2×1017n/cm2以上の酸素イオンを注入することによって、絶縁部のシート抵抗を1×1012Ω/□以上確保できることが理解される。シート抵抗を1×1012Ω/□以上とすることによって、絶縁部としての性能を十分に発揮することができる。以上より、絶縁部を形成するためには、酸素イオンの注入量を2×1017n/cm2以上(5×1017n/cm2以下)とすればよいことが理解される。
基板上の各箇所について、絶縁部及び導電部のそれぞれの反射率を測定し、反射率平均偏差を算出した。ここでは、分光光度計(U−4100、日立ハイテクノロジーズ製)にて絶縁部及び導電部の反射率を測定し、視感感度補正した値について380nm〜780nmまでの値を平均した平均値を算出した。反射率平均偏差は、絶縁部の反射率の平均値と、導電部の反射率の平均値との差を算出した値である。各箇所についての絶縁部への酸素イオン注入量と反射率平均偏差との関係をプロットし、当該プロットに基づいて描かれたグラフを図10に示す。ここで、反射率平均偏差が0±0.5%の範囲内であると、絶縁部のパターンをより確実に目視できないものとすることができる。酸素イオン注入量が増えると、酸素ビームによるエッチング作用によって、透明導電膜の膜厚が小さくなることで、反射率が減少する可能性がある。図10に示すように、酸素イオン注入量を3×1017n/cm2以上、4×1017n/cm2以下とすることによって、反射率平均偏差を0±0.5%以下とできることが理解される。
Claims (4)
- 基板と、前記基板上に形成された透明導電膜とを備えるタッチパネルセンサの製造方法であって、
前記透明導電膜が表面に形成された前記基板を準備する準備工程と、
前記透明導電膜を覆う第1の領域、及び前記透明導電膜を露出させる第2の領域が形成されたパターンを有するパターンニング部材を前記透明導電膜上に設ける設置工程と、
前記第2の領域に対応する部分における前記透明導電膜に酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つの照射物を注入することで絶縁部を形成し、前記第1の領域で覆われる部分における前記透明導電膜を導電部としてパターンニングするパターニング工程と、
前記パターンニング部材を前記透明導電膜上から除去する除去工程と、
前記パターニング工程において注入される前記照射物のエネルギーよりも低いエネルギーの前記照射物を前記絶縁部に照射し、前記絶縁部の表面をエッチングするエッチング工程と、を備えるタッチパネルセンサの製造方法。 - 前記透明導電膜上にレジストを形成し、
前記第1の領域に対応する部分の前記レジストを残存させると共に、前記第2の領域に対応する部分の前記レジストを前記透明導電膜上から除去することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項1に記載のタッチパネルセンサの製造方法。 - 予め前記第1の領域及び前記第2の領域が形成された前記パターンニング部材を準備すると共に前記透明導電膜上に配置することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項1に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された透明導電膜と、を備え、
前記透明導電膜は、所定のパターンを有する導電部、及び当該導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多い絶縁部を有し、
前記絶縁部は前記導電部に比して薄い、タッチパネルセンサ。
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