JP2012103767A - タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供する。
【解決手段】このタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、表面上に少なくとも第1導電性めっき膜と第2導電性めっき膜が形成された高透光率の基板を提供する。次に高エネルギービームを該第1導電性めっき膜と該第2導電性めっき膜に照射して複数の絶縁性溝線を形成することで、検出領域と配線領域を有する所定パターンを形成する。続いて該基板に対してリソグラフィー工程を実行して配線領域の導電性めっき膜表面を一層のレジスト薄膜で覆う。そして該基板に対してエッチング工程を行ない、検出領域内の第1導電性めっき膜を除去する。これにより該基板の検出領域内に第2導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成し、配線領域内には第1導電性めっき膜と第2導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成する。そのうち、高エネルギービームは超短パルスガウスビームとする。
【選択図】図8

Description

本発明は一種のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法に係り、特に一種の高エネルギービーム加工技術にリソグラフィー工程とエッチング工程を組み合わせることで、複数の導電性めっき膜を有する基板上に必要なタッチセンサパターン及び信号導線を製造する方法に関する。
周知のとおり、一般にタッチパネル構造は、パネル中央部に設けられた検出領域と外側周縁部分に設けられた配線領域を包含する。検出領域内にあるタッチセンサパターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成し、配線領域範囲には複数の信号導線パターンがあり、これら信号導線パターンはそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成し得る。
動作時には、使用者の手指或いは導体が該タッチパネルの検出領域に接触した瞬間に静電容量或いは抵抗等の検出信号を発生し、これにより静電容量或いは抵抗値の変化により手指或いは導体の位置を確定できる。
現在、業界において、前述のタッチパネルのタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法はほぼ以下のとおりである。すなわち、モリブデンアルミニウム(Mo/Al)及び酸化インジウム錫(ITO)めっき膜102を具えた透明基板100を選択する。
その後、該基板に対して第1リソグラフィー工程を実行し、すなわち、該基板の2層のめっき膜上方表面に1層のレジスト薄膜109をコーティングし(図9参照)、さらにレジスト薄膜をコーティングした基板を熱風炉中に入れ、プリベークする。
続いて、配線領域が精密にパターン化されたマスク601を使用して該レジスト薄膜に対して露光を行ない(図10参照)、その後、現像剤を該レジスト薄膜に噴射してレジスト薄膜の露光部分を固化し、並びに洗浄液を該レジスト薄膜の未露光部分に噴射して洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のレジスト材料層を除去し、こうして該基板の配線領域104の上面に、1層の固化したレジスト薄膜FP(図11参照)を形成する。
前述のリソグラフィー工程に続き、さらに、該基板に対して第1エッチング工程を行ない、すなわち、この第1エッチング工程は、モリブデンアルミニウムめっき膜のエッチング剤を選択し、該エッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜FPに遮蔽されていない部分のモリブデンアルミニウムめっき膜101材料をエッチングして除去し、これにより、該モリブデンアルミニウムめっき膜において配線領域内の信号導線107のパターンを保留する(図12参照)。
その後、膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜FPに噴射し、除去し、さらに洗浄液で該基板を洗浄し、これにより、該モリブデンアルミニウムめっき膜の信号導線107を露出させる(図13参照)。
さらに、該基板に対して第2リソグラフィー工程を実行し、すなわち、該基板のめっき膜の上方表面に一層のレジスト薄膜109をコーティングし(図14参照)、さらに、レジスト薄膜をコーティングした基板を熱風炉中に入れてプリベークする。
続いて、検出領域と配線領域が精密にパターン化されたマスク602を使用して該レジスト薄膜109に対して露光を行ない(図15参照)、その後、現像剤を該レジスト薄膜に噴射してレジスト薄膜の露光部分を固化し、並びに洗浄液を該レジスト薄膜の未露光部分に噴射して洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のレジスト材料層を除去し、こうして該基板の検出領域103及び配線領域104の上面に、1層の固化したレジスト薄膜FP(図16参照)を形成する。
前述のリソグラフィー工程に続き、さらに該基板に対して第2のエッチング工程を実行し、すなわち、酸化インジウム錫めっき膜に対するエッチング剤を選択し、該エッチング剤を該基板に噴射し、これによりレジスト薄膜FPで遮蔽されていない部分の酸化インジウム錫めっき膜102を除去し、こうして、該酸化インジウム錫めっき膜の検出領域103範囲内にタッチセンサパターン106を保留するとともに、配線領域104範囲内に信号導線107パターンを保留する(図17参照)。その後、膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜FPに噴射して剥離除去し、洗浄液で該基板を洗浄する。こうして該酸化インジウム錫めっき膜上のタッチセンサパターン106、及び該モリブデンアルミニウムめっき膜上の信号導線107を露出させる(図18参照)。
前述したように、周知のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、第1のリソグラフィー工程及び第1のエッチング工程により該モリブデンアルミニウムめっき膜101上に必要な信号導線107を形成し、さらに第2のリソグラフィー工程及び第2のエッチング工程により該モリブデンアルミニウムめっき膜101上に必要なタッチセンサパターン106を形成する。
これから分かるように、周知の製造方法は、リソグラフィー工程及びウエットエッチング工程を利用した加工技術であり、この製造方法は、少なくとも2回のリソグラフィーとウエットエッチングの複合工程を実行し、各複合工程はいずれも、レジストコーティング→プリベーク→露光→現像→エッチング→膜剥離等の加工ステップを包含する。それは加工フローが煩瑣で冗長であるのみならず、一つの加工ステップが多くなる度に歩留り損失の傾向があり、事実上、統計によると、周知の製造方法で獲得する製品の平均歩留りは一般に70%程度にすぎず、明かに改善が待たれる。
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供することを目的とし、それは、高エネルギービームを利用して基板の複数の導電性めっき膜を加工して必要なパターンを形成し、さらに、リソグラフィー工程とエッチング工程により該導電性めっき膜の不要部分の材料を除去し、これにより、生産プロセスを簡易化でき、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できるものとする。
上述の目的を達成するため、本発明の提供するタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、以下の工程を包含する。
(1)高透光率の基板を提供し、その主表面に少なくとも第1導電性めっき膜と第2導電性めっき膜を形成する。
(2)該基板上の導電性めっき膜の表面に高エネルギービームを投射し、並びに同時に、該高エネルギービームを該基板と間の所定の移動軌跡に沿って相対運動させ、これにより該第1導電性めっき膜と該第1導電性めっき膜上に複数の絶縁性溝線を形成することにより、検出領域と配線領域を具えた所定パターンを形成する。
(3)該基板に対してリソグラフィー工程を実行し、該配線領域の導電性めっき膜の表面を一層のレジスト薄膜で被覆する。
(4)該基板に対してエッチング工程を実行し、該検出領域内の第1導電性めっき膜を除去し、これにより、該基板の該検出領域内に該第2導電性めっき膜を具えた所定パターンが形成され、該配線領域内に該第1導電性めっき膜と該第2導電性めっき膜を具えた所定パターンが形成される。
特に、該基板は平面式薄板とされ、その材料は、ガラス薄板或いはその他の各種薄板、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリメタルメタクリレート(PMMA)或いはシクロオレフィンコポリマー(COC)より選択される。ただし実施の材料範囲は前述の材料に限定されるわけではなく、各種の軟性、硬性或いはフレキシブルな透明基板がいずれも適用される。
特に、該第2導電性めっき膜は高透光率の導電性めっき膜とされ、例えば酸化インジウム錫(ITO)めっき膜とされる。
特に、該高エネルギービームは超短パルスガウスビーム(ultra−short pulse Gaussian beams)或いは超短パルスレーザー(ultra−short pulse laser)とされる。
特に、該絶縁性溝線の溝幅は約1−100μm範囲とされる。
特に、該検出領域の所定パターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成されたタッチセンサパターンであり、該配線領域の所定パターンは複数の信号導線を具えたパターンとされ、且つこれら信号導線はそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成する。
特に、上述のリソグラフィー工程は、以下の工程を包含する。
(1)基板にレジストをコーティングする。レジストコーティング手段を用いて、該基板の導電性めっき膜の表面上を一層のレジスト薄膜で被覆するものとする。
(2)該基板をプリベークする。すなわち、摂氏約60度〜90度の熱風を提供して該基板上のレジスト薄膜に対して約100〜140秒のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温まで降温する。
(3)該レジスト薄膜に対して露光を実行する。すなわち、照射エネルギー約150〜250MJ/cm2の紫外線光源を提供し、及び配線領域パターンを有するマスクを該レジスト薄膜と該光源の間に設け、該レジスト薄膜との間隙を約30μm〜80μmに保持し並びに該レジスト薄膜を露光し、こうしてマスク上の配線領域パターンを該レジスト薄膜に転写する。
(4)該レジスト薄膜に対して現像を実行する。すなわち約0.5Kg/cm2の噴射圧力で現像剤を該レジスト薄膜に対して噴射し、さらに噴射圧力約0.5Kg/cm2で洗浄剤を噴射して洗浄し、こうして不要なレジスト材料部分を除去する。これにより、該基板の配線領域部分の導電性めっき膜表面の上に一層の固化されたレジスト薄膜を形成する。
特に、上述のレジストコーティング手段は、たとえば、スピンコーティング(spin coating)、スリットコーティング(slit coating)、或いはスロットコーティング(slot coating)等とされるが、ただし以上のレジストコーティング手段に限定されるわけではない。
特に、上述のエッチング工程は以下の工程を包含する。
(1)検出領域内の第1導電性めっき膜をエッチングして除去する。すなわち、噴射圧力約0.6Kg/cm2のエッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜で遮蔽されていない部分、すなわち検出領域範囲内の第1導電性めっき膜をエッチングして除去し、その後、さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄液で基板を洗浄し、これにより検出領域内の、下層の第2導電性めっき膜上のパターンを露出させる。
(2)配線領域内のレジスト薄膜を剥離除去する。すなわち、約0.6Kg/cm2の膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜に噴射し並びにそれを剥離除去する。さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄液で該基板の表面を洗浄し、これにより配線領域内の第1導電性めっき膜上のパターンを露出させる。
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供し、それは一回のリソグラフィー工程(レジストコーティング、露光、現像等の加工工程を含む)とエッチング工程を減免することができ、加工プロセスを簡易化できるのみならず、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できる。
本発明の高エネルギービーム加工装置と加工される基板の間の取り付け表示図である。 本発明の基板の平面図であり、絶縁性溝線が基板上のめっき膜上で形成する所定パターンを表示する。 図2のC−C断面図である。 本発明の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜表面上に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。 本発明の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対する露光を実行する状態を示す。 本発明の基板の側面断面図であり、配線領域に固化したレジスト薄膜を設けた状態を示す。 本発明の基板の側面断面図であり、検出領域内のモリブデンアルミニウムめっき膜がすでにエッチングされて除去された態様を示す。 本発明の基板の側面断面図であり、配線領域内のレジスト薄膜がすでに剥離除去された態様を示す。 周知の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜表面に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。 周知の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対する露光を実行する状態を示す。 周知の基板の側面断面図であり、配線領域に固化したレジスト薄膜を設けた状態を示す。 周知の基板の側面断面図であり、配線領域内の一部及び検出領域内の全てのモリブデンアルミニウムめっき膜材料がエッチングされて除去された態様を示す。 周知の基板の側面断面図であり、配線領域内のレジスト薄膜がすでに剥離除去された態様を示す。 周知の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜と酸化インジウム錫めっき膜の表面に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。 周知の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対して露光を行う態様を示す。 周知の基板の側面断面図であり、検出領域と配線領域に固化したレジスト薄膜が設けられた状態を示す。 周知の基板の側面断面図であり、配線領域と検出領域の一部の酸化インジウム錫めっき膜がエッチングされて除去された態様を示す。 周知の基板の側面断面図であり、配線領域と検出領域の固化の酸化インジウム錫めっき膜がエッチングされて除去された態様を示す。
本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。
図1を参照されたい。本発明の実施例の提供するタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は以下の工程を包含する。
まず、接触角が10度より小さい高透光率の基板100を提供し、該基板100の主表面上に一層のモリブデンアルミニウム(Mo/Al)めっき膜101と一層の酸化インジウム錫(ITO)めっき膜102を設ける。本実施例中の基板100材料にはガラスを選択するが、当然実施の材料範囲はこれに限定されるわけではない。
その後、加工台200を高エネルギービーム加工装置300の下方に移動する(図1のとおり)。こうして高エネルギービームを利用して該基板上のこれら2層のめっき膜101、102に対してパターニングを行う。
動作時に、該高エネルギービーム加工装置300はパワー約6〜15ワット、パルス周波数65〜75KHzのパルス式ガウスビームを提供でき、該高エネルギービーム加工装置300が該基板100表面に対してパルス式ガウスビームを投射すると同時に、該加工台200と該高エネルギービーム加工装置300の間を所定の移動軌跡によって相対移動させ、これにより該パルス式ガウスビームに移動軌跡により該基板の2層のめっき膜101、102上に複数の絶縁性溝線105を形成し、こうして検出領域103と配線領域104を具えた所定パターンを形成する(図2、図3に示すとおり)。
該絶縁性溝線105は設置部位の2層のめっき膜をいずれも裁断し、該絶縁性溝線の2側のめっき膜が絶縁状態を呈するようにする。また、通常絶縁性溝線105の幅は約1〜100μm範囲とし、これにより高精密度のパターンを製作できる。
この実施例中、静電容量式タッチパネル構造を例とし、これにより前述の所定パターンは、基板中央部位の検出領域103内に複数の菱形の静電容量検出ユニットがマトリクス配列されてなるタッチセンサパターン106、及び基板外周縁部位の配線領域104範囲に、複数が平行設置された信号導線107を有し、並びにこれら信号導線107が個別に前述のタッチセンサパターン106の静電容量検出ユニットに接続されて、静電容量信号検出回路(図2、3を参照されたい)を形成する。
特に、前述の検出領域103と配線領域104のパターンは、選択するタッチセンサの種類により異なった変化を有し得る。ただし、該タッチセンサのパターン設定は本発明の重点ではないため、これについては詳しい説明は行わない。
また、前述の高エネルギービーム加工装置300は超短パルスガウスビーム(ultra−short pulse Gaussian beams)を採用し、且つそれは精密にそのビームのエネルギー密度(fluence)範囲を調整して断熱加工特性(Adiabatic Heating Characteristics)を達成し、これにより基板100材質の損害を発生しない状態で、該基板上のモリブデンアルミニウムめっき膜101及び酸化インジウム錫めっき膜102に対するパターニンングを完成する。当然、実際の応用で使用される高エネルギービームは前述の規格設定に限定されるわけではなく、応用の必要に応じてパラメータが最適化設定され得る。
続いて、リソグラフィー工程を実行して配線領域104を一層のレジスト薄膜で被覆する。該リソグラフィー工程は、レジストコーティング、プリベーク、レジスト露光及び現像等の工程を包含し、具体的な実施方式は以下のとおりである。
(1)レジストコーティング:レジストコーティング手段を用いて該基板のモリブデンアルミニウムめっき膜101の表面を一層のレジスト薄膜109で被覆する(図4に示されるとおり)。
上述のレジストコーティング手段は、たとえば、スピンコーティング(spin coating)、スリットコーティング(slit coating)、或いはスロットコーティング(slot coating)等とされるが、ただし以上のレジストコーティング手段に限定されるわけではない。
本実施例においては、上述のレジストとして、粘度が約2〜10cpsのネガ型レジスト、たとえばポリイソプレン(polyisoprene)を採用する。
(2)プリベーク:該基板100を熱風炉中に入れ、摂氏約80度の熱風を提供し該レジスト薄膜109に対して約120秒(sec.)のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温(摂氏約25度)まで降温し、これにより該ネガ型レジスト薄膜109の基板表面に対する付着力を増加する。
(3)露光:プリベークを終えた基板を露光機中に送り入れ、配線領域パターンを具えたマスク600を光源Lと該レジスト薄膜109の間に取り付け、並びに該レジスト薄膜109との間隙の距離を約50μmに保持し並びに照射エネルギー約100MJ/cm2の紫外線を該光源Lより該ネガ型レジスト薄膜に照射し、露光を実行し(図5に示されるとおり)、レジスト薄膜の露光部分に重合反応を発生させてレジスト剤効果を形成させる。
(4)現像:露光工程の後で、さらに約0.5Kg/cm2の噴射圧力で現像剤(例えばキシレン或いは炭酸ナトリウム)を該レジスト薄膜109に対して噴射し、該レジスト薄膜の露光部分109Aを固化させ、さらに、噴射圧力約0.5Kg/cm2で洗浄剤(たとえば、ブチルアセテート或いは清水)を該レジスト薄膜の未露光部分109Bを洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のネガ型レジスト材料を除去し、該基板の配線領域104上面に一層の固化したレジスト薄膜FPを形成する。
この実施例では、この固化したレジスト薄膜FPは該配線領域の範囲を遮蔽できる(図6に示されるとおり)。
前述の実施例において、ネガ型レジスト材料の採用の条件について以下に説明する。ただし、ご理解いただきたいのは、上述の工程にはポジ型レジスト材料も使用可能であり、それに対応するマスク設計及び工程中に露光部分の材料が保留されるか或いは除去されるかの違いがあるほかは、本発明の実施に影響を与えないことである。
続いて、前述のリソグラフィー工程の後に該基板100に対してエッチングを行なう。この工程はレジスト薄膜FPにより保護されていない領域のモリブデンアルミニウムめっき膜101をエッチングにより除去し、並びに下層の酸化インジウム錫めっき膜102を露出させる(図7に示されるとおり)。
本実施例では、ウエットエッチング(wet etching)手段を採用し、その実施方式は以下のとおりである。すなわち、噴射圧力約0.6Kg/cm2のエッチング剤(例えば混酸アルミエッチング液)を基板に噴射し、レジスト薄膜FPにより遮蔽されていない部分、すなわち、検出領域103範囲内のモリブデンアルミニウムめっき膜101をエッチングして除去する。その後、さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄/中和液(例えば純水)で基板に対して洗浄を行う。
最後に、膜剥離加工工程を実行して基板上のレジスト薄膜FPを除去し、配線領域104内のモリブデンアルミニウムめっき膜101(すなわち、信号導線107のパターン)を露出させる(図8に示されるとおり)。
その実施方式は、以下のとおりである。すなわち、約0.6Kg/cm2の膜剥離剤(例えば水酸化カリウム)を噴射して該基板上のレジスト薄膜FPを該モリブデンアルミニウムめっき膜101の表面より剥離し、さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄液(例えば清水)で該基板を洗浄する。
前述の各加工工程を終えれば、すなわち、基板の検出領域103内に酸化インジウム錫めっき膜102のタッチセンサパターン106が完成し、基板の配線領域104内にモリブデンアルミニウムめっき膜101の信号導線107パターンが完成する(図8に示されるとおり)。
実験結果を統計したところ、本発明の製造方法は、95%以上もの製品平均歩留りを達成でき、これは周知の製造方法の製品平均歩留りである70%より遥かに高い。詳しくは以下の表1に示される。
Figure 2012103767
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供し、それは一回のリソグラフィー工程(レジストコーティング、露光、現像等の加工工程を含む)とエッチング工程を減免することができ、加工プロセスを簡易化できるのみならず、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できる。
本発明は上述の形式に限定されるわけではなく、上述の説明を参考にして、さらに多くの技術の均等性の改良と変化が可能であり、例えば、高エネルギービーム加工装置300の提供する高エネルギービームは、超短パルスガウスビームのほか、超短パルスレーザー(ultra−short pulse laser)を使用することができる。
以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
100 基板
101 モリブデンアルミニウムめっき膜
102 酸化インジウム錫めっき膜
103 検出領域
104 配線領域
105 絶縁性溝線
106 タッチセンサパターン
107 信号導線
109 レジスト薄膜
600 マスク
601 マスク
602 マスク
FP レジスト薄膜
200 加工台
300 高エネルギービーム加工装置
109B レジスト薄膜の未露光部分

Claims (9)

  1. タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、
    高透光率の基板を提供し、その主表面に少なくとも第1導電性めっき膜と第2導電性めっき膜を形成する工程、
    該基板上の導電性めっき膜の表面に高エネルギービームを投射し、並びに同時に、該高エネルギービームを該基板と間を所定の移動軌跡に依り相対運動させ、これにより該第1導電性めっき膜と該第1導電性めっき膜上に複数の絶縁性溝線を形成することにより、検出領域と配線領域を具えた所定パターンを形成する工程、
    該基板に対してリソグラフィー工程を実行し、該配線領域の導電性めっき膜の表面を一層のレジスト薄膜で被覆する工程、
    該基板に対してエッチング工程を実行し、該検出領域内の第1導電性めっき膜を除去し、これにより、該基板の該検出領域内に該第2導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成し、該配線領域内に該第1導電性めっき膜と該第2導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成する工程、
    以上の工程を包含することを特徴とするタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  2. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該基板は平面式薄板とされ、その材料は、ガラス薄板或いはポリカーボネート(PC)、ポリメタルメタクリレート(PMMA)或いはシクロオレフィンコポリマー(COC)より選択される軟性、硬性或いはフレキシブルな透明基板であることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  3. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該第2導電性めっき膜は高透光率の導電性めっき膜とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  4. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該高エネルギービームは超短パルスガウスビーム(ultra−short pulse Gaussian beam)或いは超短パルスレーザー(ultra−short pulse laser)とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  5. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該絶縁性溝線の溝幅は約1−100μm範囲とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  6. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該検出領域の所定パターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成するタッチセンサパターンであり、該配線領域の所定パターンは複数の信号導線を具えたパターンとされ、且つこれら信号導線はそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  7. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のリソグラフィー工程は、
    該基板にレジストをコーティングする工程であって、レジストコーティング手段を用いて、該基板の導電性めっき膜の表面上を一層のレジスト薄膜で被覆する工程、
    該基板をプリベークする工程であって、摂氏約60度〜90度の熱風を提供して該基板上のレジスト薄膜に対して約100〜140秒のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温まで降温する工程、
    該レジスト薄膜に対して露光を実行する工程であって、照射エネルギー約150〜250MJ/cm2の紫外線光源を提供し、及び配線領域パターンを有するマスクを該レジスト薄膜と該光源の間に設け、該レジスト薄膜との間隙距離を約30μm〜80μmに保持し並びに該レジスト薄膜を露光し、こうしてマスク上の配線領域パターンを該レジスト薄膜に転写する工程、
    該レジスト薄膜に対して現像を実行する工程であって、約0.5Kg/cm2の噴射圧力で現像剤を該レジスト薄膜に対して噴射し、さらに噴射圧力約0.5Kg/cm2で洗浄剤を噴射して洗浄し、こうして不要なレジスト材料部分を除去する。これにより、該基板の配線領域部分の導電性めっき膜表面の上に一層の固化されたレジスト薄膜を形成する工程、
    以上の工程を包含することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  8. 請求項7記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のレジストコーティング手段は、スピンコーティング(spin coating)、スリットコーティング(slit coating)、或いはスロットコーティング(slot coating)とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
  9. 請求項1記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のエッチング工程は、
    該検出領域内の第1導電性めっき膜をエッチングして除去する工程であって、噴射圧力約0.6Kg/cm2のエッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜で遮蔽されていない部分、すなわち検出領域範囲内の第1導電性めっき膜をエッチングして除去し、その後、さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄液で基板を洗浄し、これにより検出領域内の、下層の第2導電性めっき膜上のパターンを露出させる工程、
    該配線領域内のレジスト薄膜を剥離除去する工程であって、約0.6Kg/cm2の膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜に噴射し並びにそれを剥離除去し、さらに噴射圧力約1.5Kg/cm2の洗浄液で該基板の表面を洗浄し、これにより配線領域内の第1導電性めっき膜上のパターンを露出させる工程、
    以上の工程を包含することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
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