JP2014116577A

JP2014116577A - 太陽電池の製造方法、及び太陽電池

Info

Publication number: JP2014116577A
Application number: JP2013120710A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Iwata; 寛岩田; Yoshinobu Murakami; 喜信村上
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2012-11-15
Filing date: 2013-06-07
Publication date: 2014-06-26
Also published as: JP5755699B2; KR20140063407A; TW201419618A; KR101501143B1; TW201421715A; TW201419084A; JP2014116283A; US20140132858A1; EP2733587A2; JP2014115981A; CN103823586A

Abstract

【課題】レーザエッチングやエッチング薬液などを用いることなく透明導電膜のパターニングを行うことによって、ａ‐Ｓｉ層の劣化を抑制し、発電効率の低下を抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】第２の領域２０Ｂに対応する部分は、酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部１２Ｂとなる。ａ‐Ｓｉ層は、透明導電膜１２のうち導電部１２Ａとして機能しない部分も絶縁部１２Ｂで覆われた状態となる。
【選択図】図６

Description

本発明は、太陽電池の製造方法、及び太陽電池に関する。

太陽電池として、基板上に所定パターンの透明導電膜を形成するものが知られている。例えば、特許文献１に示す太陽電池の製造方法では、ガラス基板上に透明電極を成膜し、当該透明電極はレーザエッチングにより短冊状に分離される。そして、透明電極が成膜されたガラス基板上にアモルファスシリコン膜が成膜される。

特開２００５−２３５９２０号公報

しかしながら、特許文献１の製造方法によって製造された太陽電池では、レーザエッチングにより透明電極のパターンを形成しているが、エッチングにより透明電極が除去された部分では、アモルファスシリコン膜がガラス基板に直接触れる構造となってしまう。アモルファスシリコン膜は水分に弱いため、ガラス基板との隙間から水分や水蒸気が浸入するとアモルファスシリコン膜が劣化し、発電効率が低下するという問題が生じる。

そこで、本発明は、発電効率の低下を抑制できる太陽電池、及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る太陽電池の製造方法は、ａ‐Ｓｉ層を含む基板と、基板のａ‐Ｓｉ層上に形成された透明導電膜とを備える太陽電池の製造方法であって、透明導電膜がａ‐Ｓｉ層側の表面に形成された基板を準備する工程と、透明導電膜を覆う第１の領域、及び透明導電膜を露出させる第２の領域が形成されたパターンを有するパターンニング部材を透明導電膜上に設ける工程と、第２の領域に対応する部分における透明導電膜に酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを注入することで絶縁部を形成し、第１の領域で覆われる部分における透明導電膜を導電部としてパターンニングする工程と、パターンニング部材を透明導電膜上から除去する工程と、を備える。

本発明に係る太陽電池の製造方法によれば、パターンニング部材の第２の領域に対応する部分では、透明導電膜が露出した状態となる。従って、当該部分は、酸素又は酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部となる。また、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入されることにより、当該部分に絶縁性を有する窒素化合物が形成されるため、導電性を有さない絶縁部となる。一方、パターンニング部材の第１の領域に対応する部分では、透明導電膜がパターンニング部材に覆われた状態となる。従って、当該部分は、酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンが注入されることなく、導電性を有したままの導電部として、パターンニング部材の第１の領域に対応するパターンにてパターンニングされる。これによって、透明導電膜に電気的なパターンニングがなされる。一方、ａ‐Ｓｉ層は、透明導電膜のうち導電部として機能しない部分も絶縁部で覆われた状態となる。このように、レーザエッチングやエッチング薬液などを用いることなく透明導電膜のパターニングを行うことによって、透明導電膜の導電部及び絶縁部で覆うことでａ‐Ｓｉ層の劣化を抑制し、発電効率の低下を抑制できる。

本発明に係る太陽電池の製造方法では、透明導電膜上にレジストを形成し、第１の領域に対応する部分のレジストを残存させると共に、第２の領域に対応する部分のレジストを透明導電膜上から除去することによって、透明導電膜上にパターンニング部材が設けられてよい。このような方法によれば、一の太陽電池ごとにパターンニング部材を設けることができるため、導電部及び絶縁部を精度良く形成することができる。

本発明に係る太陽電池の製造方法では、予め第１の領域及び第２の領域が形成されたパターンニング部材を準備すると共に透明導電膜上に配置することによって、透明導電膜上にパターンニング部材が設けられてもよい。このような方法によれば、パターンニング部材を複数回流用することが可能であるため、コストを抑えることができる。

本発明に係る太陽電池は、ａ‐Ｓｉ層を含む基板と、基板のａ‐Ｓｉ層上に形成された透明導電膜と、を備え、透明導電膜は、所定のパターンを有する導電部、及び当該導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多い絶縁部を有する。

本発明に係る太陽電池によれば、上述の太陽電池の製造方法と同様な効果を得ることができる。

本発明によれば、発電効率の低下を抑制できる。

本発明の太陽電池を製造するための製造装置の一実施形態を示すブロック構成図である。本発明の実施形態に係る太陽電池の構成を示す図である。比較例に係る太陽電池の構成を示す図である。本発明の実施形態に係る太陽電池の製造方法の内容を示すフローチャートである。図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明による太陽電池の製造方法、及び太陽電池の一実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の太陽電池１０を製造するための製造装置１００の一実施形態を示すブロック構成図である。図２は、本実施形態に係る太陽電池１０の構成を示す図である。

（太陽電池）
まず、図２を参照して、太陽電池１０について説明する。太陽電池１０は、太陽光Ｌが入射されることによって発電を行うものである。本実施形態に係る太陽電池１０は、ヘテロジャンクションバックコンタクト型の太陽電池である。太陽電池１０は、基板１１と、透明導電膜（ＴＣＯ：ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉｄｅ）１２と、を備えている。このうち、透明導電膜１２は、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを有している。図２に示すように、透明導電膜１２の導電部１２Ａのパターンニングにより、基板１１上に複数のｐ型電極及７及びｎ型電極８が所定のパターンとなるように設けられる。

太陽電池１０の基板１１は、結晶系半導体基板であるｎ型Ｓｉ基板１を有する。ｎ型Ｓｉ基板１の受光面側には、ｉ型ａ‐Ｓｉ（アモルファスシリコン）層２と反射防止膜３とが設けられている。ｎ型Ｓｉ基板１の受光面と反対の面（裏面）側には、ｉ型ａ‐Ｓｉ層４と、ｐ型ａ‐Ｓｉ層５と、ｎ型ａ‐Ｓｉ層６と、ｐ型電極７と、ｎ型電極８とが設けられている。

この太陽電池１０においては反射防止膜３側が受光面とされ、太陽光Ｌが入射される。太陽電池１０は、ｐ型電極７およびｎ型電極８が、太陽電池１０の裏面側にのみ配されたヘテロジャンクションバックコンタクト型太陽電池である。これにより、太陽電池１０は、光電変換効率の向上が図られている。

ｉ型ａ‐Ｓｉ層４は、ｎ型Ｓｉ基板１の裏面の一部領域を被覆して積層形成されており、ｎ型Ｓｉ基板１の裏面の基板表面におけるキャリア再結合を抑制する裏面パッシベーション層として働く。ｐ型ａ‐Ｓｉ層５は、ｉ型ａ‐Ｓｉ層４上に形成されており、ｉ型ａ‐Ｓｉ層４を介してｎ型Ｓｉ基板１とｐｎ接合を形成する。ｎ型ａ‐Ｓｉ層６は、ｐ型ａ‐Ｓｉ層５が形成されていないｉ型ａ‐Ｓｉ層４上に形成されており、ｎ型Ｓｉ基板１よりもｎ型のドーパント（例えばＰ）を高濃度に含有する。

ｐ型電極７は、発電された電力を外部に取り出すための取り出し電極であり、ｐ型ａ‐Ｓｉ層５上に形成されている。ｎ型電極８は、発電された電力を外部に取り出すための取り出し電極であり、ｎ型ａ‐Ｓｉ層６上に形成されている。透明導電膜１２のうち、ｐ型電極７及びｎ型電極８以外の部分は絶縁部１２Ｂとなっている。

透明導電膜１２は、基板１１のうちａ‐Ｓｉ層上（ここでは、ｐ型ａ‐Ｓｉ層５上及びｎ型ａ‐Ｓｉ層６上）において当該ａ‐Ｓｉ層を覆うように形成されている。透明導電膜１２は、所定のパターンとなるように形成された導電部１２Ａ、及び当該導電部１２Ａよりも酸素量が多い絶縁部１２Ｂを有している。透明導電膜１２は、導電部１２Ａに対応する位置を、導電部１２Ａの形状・位置と同様にパターンニングされたレジストで覆った状態で酸素を注入することで、当該レジストで覆われていない部分に絶縁部１２Ｂが形成される。透明導電膜１２に酸素を注入することで過酸化状態にし、ドナー準位を無くすことによって、絶縁部１２Ｂが形成される。なお、ここでの「酸素」という語は、酸素イオン、酸素ラジカル、酸素原子を含んでいる。

図２に示すように、電極７，８のパターンが、導電部１２Ａで構成され（図２では、透明導電膜１２のうち、ドット模様が付されていない部分に対応する）、導電部１２Ａを除く当該導電部１２Ａの周辺部分が、絶縁部１２Ｂで構成される（図２では、透明導電膜１２のうち、ドット模様が付されている部分に対応する）。透明導電膜１２の材料として、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。また、透明導電膜１２の厚みは、当該数値に限定されないが、例えば１００ｎｍ程度に設定してよい。

（太陽電池の製造装置）
図１に示すように、太陽電池１０を製造するための製造装置１００は、基板１１上に透明導電膜１２を形成するための成膜部１０１と、フォトリソグラフィ工程によって透明導電膜１２に導電部１２Ａをパターンニングするためのパターンニング部材準備工程実行部１０２と、透明導電膜１２に酸素を注入して絶縁部１２Ｂを形成する酸素注入部１０３と、を備える。

成膜部１０１は、基板１１に対して透明導電膜１２を形成する成膜装置によって構成される。成膜部１０１で採用される成膜方法は特に限定されず、あらゆる成膜方法を採用してよい。例えば、成膜材料からなるターゲットに電圧を印加して基板１１上に透明導電膜１２を成膜するＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＡＣスパッタリング法などを採用してよい。または、プラズマを用いて成膜材料をイオン化して基板１１に付着させて透明導電膜１２の成膜を行うイオンプレーティング法を採用してよい。または、真空蒸着法、印刷法、スピンコート法、その他のコーティング法（塗布法）などを採用してよい。なお、製造装置１００の外部で透明導電膜１２が予め形成された基板１１を用いてもよく、この場合、製造装置１００から成膜部１０１が省略されていてもよい。

パターンニング部材準備工程実行部１０２は、パターンニング部材を準備する工程を実行するために、各工程で用いられる装置の組み合わせによって構成される。パターンニング部材は、酸素注入部１０３が透明導電膜１２に酸素を注入するときに、当該透明導電膜１２上に設けられているものである。パターンニング部材は、透明導電膜１２を覆う第１の領域、及び透明導電膜１２を露出させる第２の領域（貫通穴）が形成されたパターンを有するものである。パターンニング部材は、フォトリソグラフィ工程によってパターンニングされたフォトレジストによって構成されてもよく、マスキング法（予め第１の領域及び第２の領域が形成されているマスクを、透明導電膜１２上に配置する方法）で用いられるマスクによって構成されていてもよい。フォトリソグラフィ工程によってパターンニング部材を形成する場合、パターンニング部材準備工程実行部１０２は、当該フォトリソグラフィ工程を実行するために、各工程で用いられる装置の組み合わせによって構成される。パターンニング部材準備工程実行部１０２は、フォトレジストを塗布する装置、フォトレジストにパターンを露光する装置、フォトレジストを現像する装置、酸素イオン注入後にフォトレジストを剥離する装置などによって構成されている。マスキング法を採用する場合、パターンニング部材準備工程実行部１０２は、パターンニング部材を作成する装置（あるいは、製造装置１００の外部で作成されたものを用いてよい）、パターンニング部材を透明導電膜１２上に配置し回収する装置などによって構成されている。

酸素注入部１０３は、基板１１上の透明導電膜１２に酸素を注入する装置によって構成される。本実施形態では、酸素注入部１０３は、酸素イオンを注入する装置によって構成される。酸素注入部１０３で採用される方法は特に限定されず、あらゆる方法を採用してよい。例えば、イオンビームを、静電電界による偏向走査及び静電電界による平行化をした後、基板１１にイオン注入を行うイオン注入装置を適用してよい。または、高周波放電を利用して酸素をイオン化して、基板１１にドーピングするプラズマドーピング装置を適用してよい。または、リニアイオンソースを採用してもよい。または、ニュートライザーを用いて酸素イオンを中性化した酸素ラジカルとして注入する方法を採用してよい。

（太陽電池の製造方法）
次に、図４〜図６を参照して、太陽電池１０の製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係る太陽電池１０の製造方法の内容を示すフローチャートである。図５及び図６は、図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。図４に示すように、まず、基板１１を準備する工程から処理が開始される（ステップＳ１０）。図５（ａ）に示すように、Ｓ１０の工程では、所定の大きさに設定された基板１１が準備され、成膜部１０１へ搬送される。次に、基板１１に透明導電膜１２を形成する工程が実行される（ステップＳ１２）。図５（ｂ）に示すように、基板１１の一面１１ａ（図２に示すｐ型ａ‐Ｓｉ層５の表面及びｎ型ａ‐Ｓｉ層６の表面に対応する）に透明導電膜１２が成膜される。Ｓ１２の処理は、成膜部１０１にて実行される。Ｓ１０及びＳ１２が完了することにより、透明導電膜１２が表面に形成された基板１１を準備する工程が完了する。なお、製造装置１００の外部で予め透明導電膜１２が表面に形成された基板１１を準備してもよい。

次に、透明導電膜１２上にレジスト材料を塗布することによってレジスト２０を形成する工程が実行される（ステップＳ１４）。レジスト材料として、例えばノボラック型フェノール樹脂やエポキシ樹脂などを適用してよい。図５（ｃ）に示すように、Ｓ１４では、透明導電膜１２の全面にレジスト２０が形成される。レジスト２０は、現像時に透明導電膜１２上に残存する第１の領域２０Ａと、現像時に除去されて貫通穴となる第２の領域２０Ｂと、に区画される。第１の領域２０Ａは、導電部１２Ａと対応する所定のパターンを有しており、酸素イオン注入時に透明導電膜１２を覆っておくことで、当該覆われた部分を導電部１２Ａとしてパターンニングする。第２の領域２０Ｂは、絶縁部１２Ｂに対応する位置に形成されており、透明導電膜１２を露出させておくことで、当該露出部分に酸素イオンが注入されるようにし、絶縁部１２Ｂを形成する。

次に、レジスト２０にパターンを露光すると共に現像を行う工程が実行される（ステップＳ１６）。まず、図示されないフォトマスクをレジスト２０の上方に配置する。当該フォトマスクには、導電部１２Ａのパターンが形成されている。当該フォトマスクを介してレジスト２０に光を照射してパターンを露光する。その後、現像を行うことによって、図６（ａ）に示すように、レジスト２０のうち、導電部１２Ａに対応する第１の領域２０Ａは透明導電膜１２上に残存し、絶縁部１２Ｂに対応する第２の領域２０Ｂは除去される。なお、Ｓ１４〜Ｓ１６の工程は、パターンニング部材準備工程実行部１０２で実行される。

次に、レジスト２０を介して透明導電膜１２に酸素イオンを注入する工程が実行される（ステップＳ１８）。図６（ｂ）に示すように、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われていない部分（第２の領域２０Ｂに対応する部分）には酸素イオンＦが照射されて酸素イオンが注入される。当該部分に係る透明導電膜１２は酸化過剰となり絶縁部１２Ｂとなる。一方、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われている部分（第１の領域２０Ａに対応する部分）には酸素イオンＦが照射されないので酸素イオンが注入されず、導電部１２Ａとしてパターンニングされる。Ｓ１８の工程は、酸素注入部１０３で実行される。次に、レジスト２０を除去する工程を実行する（ステップＳ２０）。図６（ｃ）に示すように、残存しているレジスト２０の第１の領域２０Ａに該当する部分も、透明導電膜１２上から除去する。Ｓ２０の処理は、パターンニング部材準備工程実行部１０２で実行される。これによって、透明導電膜１２の電気的なパターンニングが完了し、図４に示す工程が終了する。なお、ステップＳ１８では、基板１１の表面、すなわちａ‐Ｓｉ層の表面が酸素イオンの注入によって劣化しないように、酸素イオンの注入の深さが制御される。

なお、上述のようなフォトリソグラフィ工程に代えて、マスキング法を採用する場合、Ｓ１４及びＳ１６の工程に代えて、予め第１の領域２０Ａ及び第２の領域２０Ｂが形成されたパターンニング部材を準備する工程と、透明導電膜１２上にパターンニング部材を配置する工程が実行される。また、Ｓ２０の工程に代えて、透明導電膜１２上からパターンニング部材を回収する工程が実行される。また、上述のような酸素イオンを注入する工程に代えて、酸素（中性化した酸素ラジカル）を注入する場合、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われていない部分（第２の領域２０Ｂに対応する部分）には酸素フラックスが照射されて酸素（中性化した酸素ラジカル）が注入される。

図４に示すようなフォトリソグラフィ工程を実行することでパターンニング部材を透明導電膜１２上に設ける方法によれば、一の太陽電池ごとにパターンニング部材を設けることができるため、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを精度良く形成することができる。一方、マスキング法を採用した方法によれば、パターンニング部材を複数回流用することが可能であるため、コストを抑えることができる。特に、太陽電池１０においては、導電部１２Ａのパターンが（例えば、タッチパネルや有機ＥＬなどの透明導電膜のパターンに比して）シンプルであり、マスクを形成し易いため、マスキング法を採用することによるコスト低減の効果が一層顕著となる。

次に、本実施形態に係る太陽電池１０及びその製造方法の作用・効果について説明する。

まず、比較例に係る太陽電池５０の構成について説明する。図３に示すように、太陽電池５０では、電極７，８に該当する位置に透明導電膜１２がパターンニングされている。一方、その他の部分に関しては、空間１５が形成されており、基板１１の表面、すなわちａ‐Ｓｉ層５，６が空間１５において透明導電膜１２で覆われていない状態となっている。比較例に係る太陽電池５０においては、このような透明導電膜１２のパターンがレーザエッチングやエッチング薬液によって形成される。しかしながら、ａ‐Ｓｉ層５，６は水分に弱いため、水分や水蒸気が浸入するとａ‐Ｓｉ層５，６が劣化し、発電効率が低下するという問題が生じる。透明導電膜１２上にガラス基板などのカバーが配置されていたとしても、当該カバーは衝撃等から太陽電池５０を保護することが目的であるため、水や水蒸気の浸入を完全に防ぐことは目的としておらず、カバーと膜との間から水や水蒸気が浸入し、空間１５を介してａ‐Ｓｉ層５，６へ水や水蒸気が到達する可能性がある。

一方、本実施形態に係る太陽電池１０の製造方法によれば、第２の領域２０Ｂに対応する部分ではレジスト２０が除去されているため、透明導電膜１２が露出した状態となる。従って、当該部分は、酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部１２Ｂとなる。一方、第１の領域２０Ａではレジスト２０が残存しているため、透明導電膜１２がレジスト２０に覆われた状態となる。従って、当該部分は、酸素イオンが注入されることなく、導電性を有したままの導電部１２Ａとして、レジスト２０の第１の領域２０Ａに対応するパターンにてパターンニングされる。これによって、透明導電膜１２に電気的なパターンニングがなされる。例えば、図２に示すように、太陽電池１０の電極７，８は、絶縁部１２Ｂ中に所定パターンとなるように形成される導電部１２Ａによって構成されているため、図３の比較例に係る太陽電池５０の電極７，８と同様の機能を発揮することができる。一方、ａ‐Ｓｉ層５，６は、透明導電膜１２のうち導電部１２Ａとして機能しない部分も絶縁部１２Ｂで覆われた状態となる。このように、レーザエッチングやエッチング薬液などを用いることなく透明導電膜１２のパターニングを行うことによって、透明導電膜１２の導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂで覆うことでａ‐Ｓｉ層５，６の劣化を抑制できる。以上によって、発電効率の低下を抑制できる。

本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態で示した導電部１２Ａのパターンは一例に過ぎず、あらゆるパターンを採用してもよい。また、上述の実施形態で示した製造装置や製造方法も一例に過ぎず、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを有する透明導電膜１２を形成できる限り、あらゆる製造装置や製造方法を採用してよい。

上述の実施形態では、透明導電膜に酸素イオンを注入することによって絶縁部を形成したが、これに限定されない。すなわち、酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを透明導電膜に注入することによって、絶縁部を形成してよい。例えば、Ｎ_２Ｏ^＋、Ｎ_２Ｏ^＊、Ｏ_３ ^＋、Ｏ_３ ^＊、Ｏ_２ ^＋、Ｏ_２ ^＊、Ｏ^＋、Ｏ^＊、Ｎ^＋、Ｎ^＊、Ｎ_２ ^＋、Ｎ_２ ^＊などを注入してもよい。絶縁部は、導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多くなる。透明導電膜に酸素が注入された場合、酸素が注入された部分は過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部となる。また、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入された場合、これらが注入された部分には絶縁性を有する窒素化合物が生成されるため、導電性を有さない絶縁部となる。なお、酸素又は酸素イオンが注入された場合の方が、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入された場合と比較して、注入部分の光の屈折率が導電部に近くなるため、導電部と絶縁部との境界を目視しづらくすることができる。

また、酸素又は酸素イオンを注入するのに代えて、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンを注入する場合、図１に示す酸素注入部１０３は窒素注入部となり、図４に示す酸素イオンを注入する工程（ステップＳ１８）は窒素を注入する工程となる。

１０…太陽電池、１１…基板、１２…透明導電膜、１２Ａ…導電部、１２Ｂ…絶縁部、２０…レジスト、２０Ａ…第１の領域、２０Ｂ…第２の領域、１００…製造装置、１０１…成膜部、１０２…パターンニング部材準備工程実行部、１０３…酸素注入部。

Claims

ａ‐Ｓｉ層を含む基板と、前記基板の前記ａ‐Ｓｉ層上に形成された透明導電膜とを備える太陽電池の製造方法であって、
前記透明導電膜が前記ａ‐Ｓｉ層側の表面に形成された前記基板を準備する工程と、
前記透明導電膜を覆う第１の領域、及び前記透明導電膜を露出させる第２の領域が形成されたパターンを有するパターンニング部材を前記透明導電膜上に設ける工程と、
前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜に酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを注入することで絶縁部を形成し、前記第１の領域で覆われる部分における前記透明導電膜を導電部としてパターンニングする工程と、
前記パターンニング部材を前記透明導電膜上から除去する工程と、を備える太陽電池の製造方法。
前記透明導電膜上にレジストを形成し、
前記第１の領域に対応する部分の前記レジストを残存させると共に、前記第２の領域に対応する部分の前記レジストを前記透明導電膜上から除去することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
予め前記第１の領域及び前記第２の領域が形成された前記パターンニング部材を準備すると共に前記透明導電膜上に配置することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
ａ‐Ｓｉ層を含む基板と、
前記基板の前記ａ‐Ｓｉ層上に形成された透明導電膜と、を備え、
前記透明導電膜は、所定のパターンを有する導電部、及び当該導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多い絶縁部を有する太陽電池。