CN104635991B - 一种消影结构、触摸屏及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种消影结构、触摸屏及其制备方法，属于显示触控领域，能够有效消除氧化铟锡层刻蚀形成图形后所形成的蚀刻纹。所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层。本发明可用于触摸屏的制作中。

Description

一种消影结构、触摸屏及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示触控领域，尤其涉及一种消影结构、触摸屏及其制备方法。
背景技术
目前，电容式触摸屏领域中所使用的主流结构中多以ITO(氧化铟锡)层作为触控电极层，即在玻璃上沉积一层ITO层，待光刻、蚀刻形成触控所需ITO电极图形后，再配上绝缘搭桥、金属导电线路，保护层等形成触控传感器，如OGS结构(即玻璃/绝缘边框/ITO或玻璃/绝缘边框/消影层/ITO)或G/G结构(即一片玻璃作为触摸传感器，一片玻璃作为保护玻璃)。
但发明人发现，ITO层待蚀刻形成图案化区和非图案化区后，由于二者的反射率差过大，使得蚀刻纹路较为明显，从而造成了视觉效果上的损失。为了解决上述问题，现有技术中多通过在基板和电极之间沉积单层的或多层的由五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的结构来解决此问题，但效果均不理想，并且，在这些解决方案的基础上，如果需观察消影结果，则必须在ITO层刻蚀成图形后才能观察，如此需耗费较长的时间，若出现消影不良，还会产生较大的损失。
因此，提供一种能够有效消除蚀刻纹的消影结构是本领域技术人员所面临的重要课题。
发明内容
本发明实施例提供了一种消影结构、触摸屏及其制备方法，能够有效消除氧化铟锡层刻蚀形成图形后所形成的蚀刻纹。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种消影结构，所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层。
可选的，所述氮氧化硅层的折射率在1.47-2.0范围内变化。
一种触摸屏，包括如上述技术方案所述的消影结构。
可选的，在所述消影结构中的氧化铟锡层和二氧化硅层之间还包括依次设置的第一绝缘保护胶层、金属层和第二绝缘保护胶层。
可选的，在所述消影结构中还包括绑定区，所述绑定区中的绑定线通过贯穿所述二氧化硅层和所述第二绝缘保护胶层的过孔将所述金属层与柔性电路板电连接。
一种如上述技术方案所述的触摸屏的制备方法，包括：
提供一透明基板；
在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层，形成消影结构；
待刻蚀除去所述消影结构中绑定区的二氧化硅和第二绝缘保护胶后，通过绑定线将金属层与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。
可选的，在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
所述氧化铟锡层包括图案化区和非图案化区；
根据所述氧化铟锡层的厚度不同，调节所述氮氧化硅层的折射率、以及所述氮氧化硅层和所述二氧化硅层的厚度，使所述图案化区和所述非图案化区的反射率接近或相同。
可选的，在180℃-220℃的温度范围内沉积所述氮氧化硅层。
可选的，在沉积氧化铟锡层之后和沉积二氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
在所述氧化铟锡层上依次形成第一绝缘保护胶层、金属层、第二绝缘保护胶层。
可选的，在沉积所述氮氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
在所述透明玻璃基板上制作绝缘边框。
本发明实施例提供了一种消影结构、触摸屏及其制备方法，所述消影结构仅包括单层的由下至上依次包括的氮氧化硅层/氧化铟锡层/二氧化硅层结构，由于二氧化硅层是在氧化铟锡层刻蚀形成图案后沉积形成，所以可给氧化铟锡层多提供一层保护，可有效消除因氧化铟锡层刻蚀形成图形后所导致的蚀刻纹路明显的问题，并且，在沉积氧化铟锡层后还可直接观察消影结构的消影效果，从而可及时发现生产中所带来的消影不良。
附图说明
图1为本发明实施例提供的消影结构的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的触摸屏制备方法的示意图；
图3为本发明具体实施例一提供的图案化区和非图案化区的反射率对比图；
图4为本发明具体实施例二提供的图案化区和非图案化区的反射率对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图对本发明实施例提供的消影结构、触摸屏及其制备方法进行详细描述。
图1为本发明实施例提供的消影结构的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供了一种消影结构，所述消影结构包括依次设在透明基板1上的氮氧化硅层3、氧化铟锡层4和二氧化硅层8。
在本实施例中，氮氧化硅层3设置在氧化铟锡层4的下方，由于氮氧化硅层3的折射率具有浮动范围，且其厚度可随着氧化铟锡层4的厚度的变化而变化，从而可对氧化铟锡层中图案化区和非图案化区的反射率差进行有效调节。而二氧化硅层9设置在氧化铟锡层4的上方，由于其可以给触摸屏传感器多提供一层保护，使得在沉积二氧化硅层8后即可直观观察到消影效果，并且可有效消除蚀刻纹所带来的视觉效果不良。
本发明实施例提供了一种消影结构，所述消影结构仅包括单层的由下至上依次包括的氮氧化硅层/氧化铟锡层/二氧化硅层结构，由于二氧化硅层是在氧化铟锡层刻蚀形成图案后沉积形成，所以可给氧化铟锡层多提供一层保护，可有效消除因氧化铟锡层刻蚀形成图形后所导致的蚀刻纹路明显的问题，并且，在沉积氧化铟锡层后还可直接观察到消影结构的消影效果，从而可及时发现生产中所带来的消影不良。
在本发明的一实施例中，氮氧化硅层3的折射率在1.47-2.0范围内变化。在本实施例中，氮氧化硅层3可在沉积过程中通过调节氧和氮的比例来调节折射率。由于氮氧化硅层的折射率以及氮氧化硅层和二氧化硅层的厚度可随氧化铟锡层厚度的变化而变化，使得氧化铟锡层蚀刻后所形成的图案化区和非图案化区的反射率可调整为非常接近，所以，可在有效消除因氧化铟锡层刻蚀形成图形后所导致的蚀刻纹路明显的基础上进一步提高触摸屏的透过率。可以理解的是，氮氧化硅层3的薄膜折射率可以为1.47-2.0范围内的任意值，例如1.64、1.70等。另外，调节氧和氮比例的手段可使用本领域技术人员所熟知的常规技术手段，此处不再详述。
需要说明的是，本发明实施例所提供的消影结构不仅仅可适用于OGS结构中，凡是采用ITO图形作为导电电极的结构，均可使用本发明实施例提供的消影结构。
本发明实施例提供了一种触摸屏，包括如上述实施例所述的消影结构。本发明实施例提供了一种触摸屏，其中包含本发明所提供的消影结构。由于消影结构能够有效消除蚀刻纹，使得在将其应用于本发明实施例所提供的触摸屏时，可使触摸屏获得良好的视觉效果。
在本发明的一实施例中，在所述消影结构中的氧化铟锡层4和二氧化硅层8之间还包括依次设置的第一绝缘保护胶层5、金属层6和第二绝缘保护胶层7。在本实施例中，第一绝缘保护胶层5可起到绝缘桥点的作用；金属层6可形成有金属引线和电极间连通的搭桥；第二绝缘保护胶层7可作为金属引线和搭桥的保护层。由于第一绝缘保护胶层5、金属层6和第二绝缘保护胶层7为组成触摸屏的必要结构，且为本领域技术人员所公知，所以不在本申请中详述。
在本发明的一实施例中，在所述消影结构中还包括绑定区，所述绑定区中的绑定线通过贯穿二氧化硅层8和第二绝缘保护胶层7的过孔将金属层6与柔性电路板电连接。在本实施例中，由于如上所述在金属层上已形成有金属引线和电极间连通的搭桥，这样就可通过过孔实现金属层6与柔性电路板的电连接。
图2为本发明实施例提供的触摸屏制备方法的示意图。如图2所示，本发明实施例提供了一种如上述实施例所述的触摸屏的制备方法，包括：
提供一透明基板1；
在透明基板1上依次沉积氮氧化硅层3、氧化铟锡层4和二氧化硅层8，形成消影结构；
待刻蚀除去所述消影结构中绑定区的二氧化硅和第二绝缘保护胶后，通过绑定线将金属层与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。
在本实施例中，所述消影结构具有氮氧化硅层3/氧化铟锡层4/二氧化硅层8结构，该结构相比现有技术中的其他方案，例如在消影层沉积后再沉积氧化铟锡层而言，由于本申请所提供的消影结构是在氧化铟锡层蚀刻成图形后再沉积二氧化硅层，可以给触摸屏传感器多提供一层保护，所以在沉积二氧化硅层后即可直观观察到消影效果；而现有技术中的方案则需在氧化铟锡层蚀刻成图形之后才能观察到消影效果，时间耗费较长，且如果出现消影不良，还会造成较大的损失。
本发明实施例提供了一种触摸屏的制备方法，在该方法中，在透明基板上依次沉积氮氧化硅层/氧化铟锡层/二氧化硅层，由于二氧化硅层是在氧化铟锡层刻蚀形成图案后沉积形成，所以可给氧化铟锡层多提供一层保护，可有效消除因氧化铟锡层刻蚀形成图形后所导致的蚀刻纹路明显的问题，并且，在沉积氧化铟锡层后还可直接观察到消影结构的消影效果，从而可及时发现生产中所带来的消影不良。该方法操作简单，且由该方法制备得到的触摸屏可具有良好的视觉效果。
在本发明的一实施例中，在透明基板1上依次沉积氮氧化硅层3、氧化铟锡层4和二氧化硅层8之前，所述制备方法还包括：氧化铟锡层4包括图案化区和非图案化区；根据氧化铟锡层4的厚度不同，调节氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度，使所述图案化区和所述非图案化区的反射率接近或相同。
在本实施例中，可根据生产工艺的不同而调整氧化铟锡层4的厚度，当氧化铟锡层4的厚度越来越厚时，则较容易出现产品的透过率相应降低的问题。透过率降低的主要原因是由于氧化铟锡层4刻蚀后所形成的图案化区和非图案化区的反射率差距过大造成的。所以，本实施例通过调节氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度以调控氧化铟锡层4上的图案化区和非图案化区的反射率差距较小甚至为零，从而使氧化铟锡层4具有较高的透过率。可以理解的是，这一预调节步骤在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层之前进行，即在氧化铟锡层4的厚度确定后，得到将氧化铟锡层4上的图案化区和非图案化区的反射率差距调整为较小甚至为零时所需的氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度，然后再根据上述参数在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层，从而可确保触摸屏获得高透过率。
在本发明的一实施例中，在180℃-220℃的温度范围内沉积氮氧化硅层3。在本实施例中，一方面是考虑到在沉积氮氧化硅层3之前透明基板上的绝缘边框胶的耐温性能，另一方面是考虑到所形成的消影结构的整体性能，所以选择在低温下，即在180℃-220℃的温度范围内沉积氮氧化硅层3。可选的，在200℃左右沉积氮氧化硅层3。
在本发明的一实施例中，在沉积氧化铟锡层4之后、二氧化硅层8之前，所述制备方法还包括：在氧化铟锡层4上依次形成第一绝缘保护胶层5、金属层6、第二绝缘保护胶层7。
在本实施例中，待氧化铟锡层4刻蚀形成图案化区和非图案化区后，在所述图案化区上光刻第一绝缘保护胶层4，作为绝缘桥点；然后在第一绝缘保护胶层4上溅射沉积金属层5，待沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；然后，在金属层5上光刻第二绝缘保护胶层6，作为金属引线和搭桥的保护层。可以理解的是，由于第一绝缘保护胶层4、金属层5、第二绝缘保护胶层6为制作触摸屏的必要步骤，且为本领域技术人员所公知，所以有关在氧化铟锡层4上依次形成第一绝缘保护胶层4、金属层5、第二绝缘保护胶层6的具体说明不在本申请中详述。
在本发明的一实施例中，在沉积氮氧化硅层3之前，所述方法还包括：在所述透明玻璃基板1上制作绝缘边框2。在本实施例中，在所述透明玻璃基板上制作的绝缘边框可作为遮光层，以避免所述消影结构产生的漏光现象。
下面将结合具体实施例进一步说明本申请所提供的消影结构、触摸屏及其制备方法。
实施例1
首先在玻璃基板上光刻形成一层绝缘边框作为遮光层；待绝缘边框完成后沉积氮氧化硅层，采用中频磁控溅射氮氧化硅层，考虑绝缘边框胶的耐温性能，采用低温沉积，温度控制在200℃左右，通过控制N2和O2比例沉积出折射率为1.70的氮氧化硅层，厚度为65nm；待氮氧化硅层沉积后，在其上采用直流磁控溅射沉积氧化铟锡层，氧化铟锡层折射率1.92，厚度为30nm，待氧化铟锡层沉积完成后光刻、蚀刻后，形成图案化区和非图案化区；随后，在氧化铟锡层的图案化区上光刻第一绝缘保护胶层，作为绝缘桥点；采用直流磁控溅射沉积金属层，沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；在金属层上光刻第二绝缘保护胶层，作为金属引线和搭桥的保护层。最后采用中频磁控溅射沉积二氧化硅层，折射率为1.47，厚度为65nm。在绑定区丝印二氧化硅蚀刻膏，待蚀刻掉绑定区的二氧化硅后与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。其中，氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的反射率如图3所示。
实施例2
首先在玻璃基板上光刻形成一层绝缘边框作为遮光层；待绝缘边框完成后沉积氮氧化硅层，采用中频磁控溅射氮氧化硅层，考虑绝缘边框胶的耐温性能，采用低温沉积，温度控制在200℃左右，通过控制N2和O2比例沉积出折射率为1.64的氮氧化硅层，厚度为80nm；待氮氧化硅层沉积后，在其上采用直流磁控溅射沉积氧化铟锡层，氧化铟锡层折射率1.92，厚度为70nm，待氧化铟锡层沉积完成后光刻、蚀刻后，形成图案化区和非图案化区；随后，在氧化铟锡层的图案化区上光刻第一绝缘保护胶层，作为绝缘桥点；采用直流磁控溅射沉积金属层，沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；在金属层上光刻第二绝缘保护胶层，作为金属引线和搭桥的保护层。最后采用中频磁控溅射沉积二氧化硅层，折射率为1.47，厚度为70nm。在绑定区丝印二氧化硅蚀刻膏，待蚀刻掉绑定区的二氧化硅后与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。其中，氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的反射率如图4所示。
由图3和图4分别可示出，实施例1中的氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的平均反射率低于8％；实施例2中的氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的平均反射率低于7％。由此可知，本申请所提供的消影结构、触摸屏及其制备方法，不但可有效消除因图案化区和非图案化区的反射率差过大而导致的蚀刻纹路明显、视觉不良的问题，还可提高触摸屏的透过率。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围。

Claims (10)

1.一种消影结构，其特征在于，所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层；
所述氧化铟锡层和所述氮氧化硅层直接接触；
所述氮氧化硅层的折射率具有浮动范围，且所述氮氧化硅层的厚度随着所述氧化铟锡层的厚度的变化而变化，以对氧化铟锡层中的图案化区和非图案化区的反射率差进行调节。
2.根据权利要求1所述的消影结构，其特征在于，所述氮氧化硅层的折射率在1.47-2.0范围内变化。
3.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的消影结构。
4.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，在所述消影结构中的氧化铟锡层和二氧化硅层之间还包括依次设置的第一绝缘保护胶层、金属层和第二绝缘保护胶层。
5.根据权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，在所述消影结构中还包括绑定区，所述绑定区中的绑定线通过贯穿所述二氧化硅层和所述第二绝缘保护胶层的过孔将所述金属层与柔性电路板电连接。
6.一种如权利要求3-5任一项所述的触摸屏的制备方法，其特征在于，包括：
提供一透明基板；
在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层，形成消影结构；
待刻蚀除去所述消影结构中绑定区的二氧化硅和第二绝缘保护胶后，通过绑定线将金属层与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
所述氧化铟锡层包括图案化区和非图案化区；
根据所述氧化铟锡层的厚度不同，调节所述氮氧化硅层的折射率、以及所述氮氧化硅层和所述二氧化硅层的厚度，使所述图案化区和所述非图案化区的反射率接近或相同。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在180℃-220℃的温度范围内沉积所述氮氧化硅层。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在沉积氧化铟锡层之后和沉积二氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
在所述氧化铟锡层上依次形成第一绝缘保护胶层、金属层、第二绝缘保护胶层。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述氮氧化硅层之前，所述制备方法还包括：
在所述透明基板上制作绝缘边框。
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