CN113282201A - 触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法，触控面板包括沿触控面板的厚度方向层叠设置的衬底、桥接电极层、绝缘层、第一消影层和触控电极层。触控电极层包括间隔部和桥接触控电极，桥接电极层包括间隔设置的多个导电桥。第一消影层与绝缘层层叠设置于桥接电极层与触控电极层之间。触控面板还包括桥接部，桥接部电连接导电桥及对应的桥接触控电极。本申请实施例提供的触控面板，在触控电极层和桥接电极层之间设置绝缘层和第一消影层，增大触控电极层和桥接电极层之间的距离，降低触控面板自身的电容，提高触控面板的信噪比，进而提高触控面板触控功能的灵敏度。同时还可以提高对触控电极层的消影效果，减小触控面板的色差。
Description
技术领域
本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法。
背景技术
随着智能终端的发展，触控技术如触控面板逐渐成为主流的人机交互操控方式，随着触控面板相关技术逐渐发展，其对应的产品的种类越来越多，为人们的日常生活和工作带来了较大的便利。
触控面板通常包括多个触控电极，当导电体，如人体的手指触摸触控面板时，会带来触控电极之间或者触控电极与地之间的电容变化，根据电容的变化，可以确定触摸位置，以便于触控装置接受触控信号并作出相应的反应。然而，在一些情况下，当操作者操作触控面板时，触控面板会出现反应迟钝，甚至没有反应的现象，即存在触控面板的触控性能较差甚至触控失效的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法，在触控电极层和桥接电极层之间设置绝缘层和第一消影层，可以有效低降低触控面板自身的电容，提高信噪比，进而提高触控面板触控功能的灵敏度。
第一方面，本申请实施例提供一种触控面板，包括沿触控面板的厚度方向层叠设置的衬底、桥接电极层、绝缘层、第一消影层以及触控电极层；触控电极层包括间隔部以及与间隔部间隔设置的桥接触控电极；桥接电极层包括间隔设置的多个导电桥，导电桥在触控电极层的正投影与一间隔部交叠；第一消影层与绝缘层层叠设置于桥接电极层与触控电极层之间；触控面板还包括桥接部，桥接部贯穿绝缘层和第一消影层电连接导电桥及对应的桥接触控电极。
第二方面，本申请实施例提供一种触控面板的制造方法，用于制造上述实施例提供的触控面板，包括：提供衬底；在衬底上沉积导电透明材料并进行图案化处理，形成桥接电极层；在桥接电极层上沉积绝缘层和第一消影层，沉积温度为240℃～250℃；在绝缘层和第一消影层上沉积导电透明材料并进行图案化处理，形成触控电极层。
第三方面，本申请实施例提供一种触控装置，包括上述实施例体用的触控面板。
与相关技术相比，本发明实施例提供触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法，在触控电极层和桥接电极层之间设置绝缘层和第一消影层，增大触控电极层和桥接电极层之间的距离，降低触控面板自身的电容，提高触控面板的信噪比，进而提高触控面板触控功能的灵敏度。同时绝缘层和第一消影层配合，还可以提高对触控电极层的消影效果，减小触控面板的色差。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的触控面板的俯视示意图；
图2为一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图3为另一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图4为又一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图5为又一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图6为又一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图7为又一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图8为又一实施例中图1中沿B-B方向的剖视图；
图9为本申请一实施例提供的触控装置的剖视结构示意图；
图10为本申请一实施例提供的触控面板的制造方法的流程图；
图11为本申请另一实施例提供的触控面板的制造方法的流程图；
图12为本申请又一实施例提供的触控面板的制造方法的流程图。
附图标记说明：
100、触控面板；110、衬底；120、桥接电极层；121、导电桥；130、绝缘层；140、第一消影层；150、触控电极层；151、间隔部；152、桥接触控电极；153、平面触控电极；160、桥接部；170、第二消影层；180、金属走线；
200、显示结构；210、阵列基板；220、发光层；230、封装层；
X、厚度方向。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
现有技术中触控面板的触控电极层和桥接电极层之间通常只设置一层绝缘层，如此易造成触控面板自身的电容较大，信噪比较低。另外，触控电极层上通常采用的是图案化设计，触控电极层上会形成刻痕，在触控面板的各膜层厚度方向上，刻痕反射出的光与其它区域反射出的光的强度等会有差异，触控面板应用于显示装置时，会导致触控面板上反射出的光存在色差的问题。
基于上述技术问题，本发明实施例提供了一种触控装置、触控面板及其制造方法，能够提高触控面板的信噪比，减小触控面板上反射出的光的色差。下面结合图1至图12根据本发明实施例的触控面板、触控装置以及触控面板的制造方法进行详细描述。
本申请实施例提供一种触控面板100，如图1至图4所示，触控面板100包括沿触控面板100的厚度方向X层叠设置的衬底110、桥接电极层120、绝缘层130、第一消影层140以及触控电极层150。触控电极层150包括间隔部151以及与间隔部151间隔设置的桥接触控电极152，桥接电极层120包括间隔设置的多个导电桥121，导电桥121在触控电极层150的正投影与一间隔部151交叠。第一消影层140与绝缘层130层叠设置于桥接电极层120与触控电极层150之间。触控面板100还包括桥接部160，桥接部160贯穿绝缘层130和第一消影层140电连接导电桥121及对应的桥接触控电极152。具体地，桥接部160贯穿第一消影层140和绝缘层130连接相邻的两个桥接触控电极152，使得同一矩阵行或者列中的桥接触控电极152相互电连接。
根据电容的计算公式，电容C＝εS/4πkd，其中，ε为介电常数，S为两极板的正对面积，d为两极板间垂直距离，k为静电力常量。由上述公式可知，电容的大小与两极板间的垂直距离d成反比，增大d可以减小电容。故，相比于仅在触控电极层150和桥接电极层120之间设置绝缘层130，通过在触控电极层150和桥接电极层120之间增设第一消影层140，相当于增大了触控电极层150和桥接电极层120之间的距离，如此可以有效地降低触控电极层150和桥接电极层120之间的电容。故，当通过导体对触控面板100触控时，触控面板100的电容会发生变化，在变化量△C固定的前提下，触控面板100自身的电容C越小，△C/C的值越大，触控面板100的信噪比就越大。即降低触控面板100自身的电容，有利于提高触控面板100的信噪比，进而提高触控面板100触控功能的灵敏度。
本申请实施例提供的触控面板100，通过在桥接电极层120和触控电极层150之间同时设置绝缘层130和第一消影层140，增大导电桥121和触控电极层150之间的距离，减小触控面板100自身的电容、增大触控面板100的信噪比，进而提高触控面板100的触控灵敏性。另外，触控电极层150、绝缘层130和第一消影层140由于折射率不同，其中相邻的两者的交界处形成反射界面，每个反射界面都会产生反射光，不同界面处产生的反射光相干相消后入射到人眼中，使得触控电极层150中的桥接触控电极152所在的区域与刻痕所在的区域的色差较小，进而触控电极层150上形成的图案不容易被人眼识别，即本申请实施例提供的触控面板100可以有效地减小色差。
可以理解的是，绝缘层130和第一消影层140均由透明的绝缘材料制成，其中第一消影层140的层数可以为一层、两层或者更多层，第一消影层140的层数为多层时，多层第一消影层140可以邻接，也可以不邻接，这里均不作限制。
需要说明的是，可以设置绝缘层130与桥接电极层120邻接、而第一消影层140与触控电极层150邻接，也可以设置绝缘层130与触控电极层150邻接、而第一消影层140与桥接电极层120邻接，还可以在绝缘层130的两侧均设置第一消影层140，触控电极层150与第一消影层140邻接，桥接电极层120也与第一消影层140邻接。图2示出了绝缘层130与桥接电极层120邻接、第一消影层140与触控电极层150邻接的实施方式，图3示出了绝缘层130与触控电极层150邻接、第一消影层140与触控电极层150邻接的实施方式，图4示出了绝缘层130的两侧均与第一消影层140邻接、触控电极层150与第一消影层140邻接、桥接电极层120也与第一消影层140邻接的实施方式。可任意理解的是，这些设置方式都可以达到提高触控面板100的信噪比并减小色差的目的。
在一些实施方式中，如图5和图6所示，触控面板100还包括第二消影层170，设置于触控电极层150背向桥接电极层120的一侧。具体地，第二消影层170与触控电极层150的折射率不同，二者的交界处会形成反射界面，第二消影层170与第一消影层140分别对触控电极两侧的入射光发生全反射，即在触控电极层150的两侧均会产生消影效果，进一步减小触控面板100的色差。
可以理解的是，第二消影层170的层数可以为一层，也可以为两层或者更多层，当第二消影层170的数量为多层时，相邻两第二消影层170的折射率也不同，因此相邻两第二消影层170的交界处也会形成反射界面，不同反射界面反射的光相干相消，进一步减小触控面板100的色差。
在一些实施例中，如图1所示，触控电极层150还包括设置于桥接触控电极152之间的平面触控电极153，间隔部151连接相邻的两平面触控电极153，平面触控电极153和桥接触控电极152相互绝缘设置。平面触控电极153和桥接触控电极152中的一者作为触控感应电极，另一者作为触控驱动电极，相邻的平面触控电极153和桥接触控电极152形成电容，平面触控电极153和桥接触控电极152分别与触控面板100的触控驱动芯片电连接，在触控驱动电极上施加一个激励信号时，由于互电容的存在，触控感应电极上可以感应并接收到这个激励信号，接收到的信号的大小、相移与激励信号的频率和互电容的大小有关，也就是说，触控位置的确定由触控驱动电极和触控感应电极之间的电容确定的。通过上述设置依然能够实现触控面板100的触控功能。
示例性地，平面触控电极153和桥接触控电极152在触控驱动层中呈矩形排布，同一矩阵行中的平面触控电极153通过导电桥121和桥接部160电连接，并与触控驱动芯片电连接。同理，同一矩阵列中的平面触控电极153通过间隔部151电连接，并与触控驱动芯片电连接。如此设置，同样可以实现触控面板100的触控功能。
在一些实施例中，如图1至图9所示，触控面板100还包括设置于衬底110的多条金属走线180，多条金属走线180贯穿绝缘层130和第一消影层140，多条金属走线180中的一部分与桥接触控电极152导电连接，多条金属走线180中的另一部分与平面触控电极153导电连接。具体地，每一个矩阵行中的桥接触控电极152都是通过金属走线180与触控驱动芯片电连接，每一矩阵列中的平面触控电极153也是通过金属走线180与触控驱动芯片电连接。如此设置，可以将触控驱动芯片绑定在衬底110上，并通过金属走线180将平面触控电极153和桥接触控电极152分别与触控驱动芯片电连接，有利于触控面板100内部的电路排布，提高触控面板100的可加工性。
在一些实施方式中，如图2所示，第一消影层140的层数为多层，多层第一消影层140设置于绝缘层130与触控电极层150之间。在另一些实施方式中，如图3所示，多层第一消影层140设置于绝缘层130与桥接电极层120之间。在又一些实施方式中，如图4所示，一部分的第一消影层140设置于绝缘层130与触控电极层150之间，另一部分的第一消影层140设置于绝缘层130与桥接电极层120之间。上述三种实施方式都可以既减小触控面板100自身的电容、提高信噪比，又能够减小触控面板100的色差。
在一些实施方式中，如图2和图5所示，第一消影层140的层数为两层，两层第一消影层140设置于绝缘层130和触控电极层150之间，两层第二消影层170的折射率相异，绝缘层130与相邻的第一消影层140的折射率相异，触控电极层150与相邻的第一消影层140的折射率相异。如此设置，将第一消影层140设置于靠近触控电极层150的一侧，有利于提高消影效果。
具体地，可以设置绝缘层130的折射率低于与之相邻的第一消影层140的折射率，与绝缘层130邻接的第一消影层140的折射率高于与触控电极层150邻接的第一消影层140的折射率，触控电极层150的折射率高于与其邻接的第一消影层140的折射率，即设置第一消影层140的折射率同时高于与其邻接的两层膜层的折射率，或者第一消影层140的折射率同时低于与其邻接的两层膜层的折射率。如此设置，依然能够实现对触控电极层150中刻痕的消影效果。
进一步地，在一实施例中，如图6所示，触控面板100还包括第二消影层170，且第二消影层170的层数为四层，四层第二消影层170层叠设置于触控电极层150背向桥接电极层120的一侧，四层第二消影层170中相邻的第二消影层170的折射率相异，触控电极层150与相邻的第二消影层170的折射率相异。如此设置，触控电极层150与第二消影层170的交界处、相邻第二消影层170的交界处均会形成反射界面，不同反射界面反射的光相干相消，有利于提高对触控电极层150中刻痕的消影效果。
更进一步地，在一实施例中，请继续参阅图6，绝缘层130的材料包括氧化硅，两层第一消影层140中与绝缘层130邻接的第一消影层140的材料包括氮化硅，与触控电极层150邻接的第一消影层140的材料包括氧化硅。四层第二消影层170中沿触控电极层150背离桥接电极层120的方向第二消影层170的材料依次包括氮化硅、氧化硅、氮化硅和氧化硅。由于含氮化硅的膜层折射率在1.8左右，触控电极层150的折射率也在1.8左右，但是由于氮化硅的折射率不同，而含氧化硅的膜层折射率在1.5左右。因此，从绝缘层130向第二消影层170的方向，各膜层的折射率依次为：低折射率、高折射率、低折射率、高折射率、高折射率、低折射率、高折射率。通过上述设置，触控电极层150的两侧均形成多个反射界面，从而触控电极层150两侧的光均进行多次相干相消，有利于提高对触控电极层150中的刻痕的消影效果。
需要说明的是，触控电极层150的折射率同与之邻接的含氮化硅的第二消影层170的折射率虽然差别不大，但是只要二者折射率不同，依然会形成反射界面，并发生全反射，此时触控电极层150和与之邻接的第二消影层170之间仍然具有消影效果。
可以理解的是，第一消影层140和第二消影层170所采用的材料并不限于上述情形。示例性地，第一消影层140和第二消影层170所采用的具有较高折射率的材料还可以包括二氧化钛(TiO2)或者五氧化二铌(Nb2O5)等。
上述实施例中，各膜层的厚度不做限制，只要能够满足消影效果即可。示例性地，如图6所示的膜层结构下，触控电极层150的厚度为为700埃～800埃，绝缘层130的厚度为4400埃～4500埃，两层第一消影层140的厚度分别为250埃～300埃，四层第二消影层170沿触控电极层150背离桥接电极层120的方向第二消影层170的厚度依次为800埃～900埃、300埃～400埃、250埃～300埃、900埃～1000埃。通过计算分析，在触控电极层150的厚度为为700埃～800埃时，如此设置触控面板100中其它膜层的厚度范围，触控面板100的反射率的最大值为0.17％、平均值为0.6％，而色差的最大值为4、平均值为6，反射色相的最大值为a*(-0.2～3)、b*(-5～1.5)，平均值为a*(-0.6～6)、b*(-6～6)，即反射率、色差和反射色相等均在触控面板100的规格要求内。
在一可选的实施例中，如图6所示的膜层结构下，触控电极层150的厚度为750埃，绝缘层130的厚度为4465埃，两层第一消影层140中与绝缘层130邻接的第一消影层140的厚度为250埃，与触控电极层150连接的第一消影层140的厚度为250埃，四层第二消影层170沿触控电极层150背离桥接电极层120的方向，第二消影层170的厚度依次为：845埃、335埃、250埃和930埃。通过模拟，如此设置个膜层的厚度，触控面板100的反射率为0.048％，色差为0.857，反射色相a*b*(0.73,-0.14)，即触控面板100在该膜层结构下的各项光学性能指标均较佳。
需要说明的是，触控电极层150的厚度越厚，对应的刻痕更深，需要更厚的第一消影层140和第二消影层170对触控电极层150中的刻痕进行消影。
在一可选的实施例中，如图6所示的膜层结构下，触控电极层150的厚度为1200埃～1300埃，绝缘层130的厚度为3000埃～4500埃，两层第一消影层140中与绝缘层130邻接的第一消影层140的厚度为250埃～300埃，与触控电极层150邻接的第一消影层140的厚度为300埃～450埃，四层第二消影层170沿触控电极层150背离桥接电极层120的方向第二消影层170的厚度依次为450埃～550埃、300埃～400埃、250埃～300埃、450埃～550埃。同上一实施例，如此设置各膜层的厚度范围，可以保证触控面板100具有更好的光学性能，经过计算模拟，触控面板100的反射率的最大值为0.277％、平均值为0.6％，而色差的最大值为3.3、平均值为6，反射色相的最大值为a*(-4～3.5)、b*(-6～0.5)，平均值为a*(-0.6～6)、b*(-6～6)，即反射率、消影和反射色相等均在触控面板100的规格要求内。
示例性地，如图6所示的膜层结构下，触控电极层150的厚度为1250埃，绝缘层130的厚度为3500埃，两层第一消影层140中与绝缘层130邻接的第一消影层140的厚度为250埃，与触控电极层150连接的第一消影层140的厚度为370埃，四层第二消影层170沿触控电极层150背离桥接电极层120的方向，第二消影层170的厚度依次为：500埃、342埃、250埃和500埃。通过模拟，如此设置个膜层的厚度，触控面板100的反射率为0.124％，色差为0.769，反射色相a*b*(-0.29,-0.58)，使得触控面板100在该膜层结构下的各项光学性能指标均较佳。
在一实施例中，如图8所示，第一消影层140的层数为五层，五层第一消影层140中的二者层叠设置于绝缘层130和桥接电极层120之间，另三者层叠设置于触控电极层150和绝缘层130之间。绝缘层130与相邻的第一消影层140的折射率相异，触控电极层150与相邻的第一消影层140的折射率相异，相邻第一消影层140的折射率相异。通过设置五层第一消影层140可以提高对触控电极层150中的刻痕的消影效果。另外，在触控电极层150和桥接电极层120之间设置无层第一消影层140，进一步增大二者之间的距离，减小触控面板100的自身的电容，提高触控面板100的信噪比，提高触控面板100触控功能的灵敏度。
进一步地，在一实施例中，继续参阅图8，触控面板100还包括第二消影层170，且第二消影层170的数量为两层，两层第二消影层170层叠设置于触控电极层150背向桥接电极层120的一侧。可以理解的是，两层第二消影层170、五层第一消影层140以及绝缘层130一起配合，在触控电极层150的两侧形成多个反射界面，多个反射界面反射出的光相干相消，进一步高触控面板100对触控电极层150中的刻痕的消影效果。
具体地，从与桥接电极层120邻接的第一消影层140到第二消影层170的方向，各膜层的折射率依次为：高折射率、低折射率、高折射率、低折射率、高折射率、低折射率、高折射率、低折射率、高折射率。如此设置，触控面板100的触控电极层150两侧可以形成多个反射界面，有利于提高对触控电极层150中的刻痕的消影效果。
进一步地，在一实施例中，请继续参阅图8，绝缘层130的材料包括氮化硅，五层第一消影层140中沿桥接电极层120朝向触控电极层150的方向第一消影层140的材料依次包括氮化硅、氧化硅、氧化硅、氮化硅和氧化硅。两层第二消影层170中与触控电极层150邻接的第二消影层170的材料包括氧化硅，另一第二消影层170的材料包括氮化硅。如此设置，可以满足上述实施例中各膜层的折射率需求，具有较好的消影效果。
在一些实施例中，在如图8所示的触控面板100各膜层的结构下，触控电极层150的厚度为700埃～800埃，绝缘层130的厚度为11000埃～12000埃，五层第一消影层140沿桥接电极层120朝向触控电极层150的方向第一消影层140的厚度依次为250埃～300埃、250埃～300埃、250埃～350埃、400埃～500埃、250埃～300埃，两层第二消影层170的厚度分别为250埃～300埃。通过计算分析，如此设置各膜层的厚度范围，可以有效地保证触控面板100具有较佳的光学性能，经过计算模拟，触控面板100的反射率的最大值为0.344％、平均值为0.6％，而色差的最大值为6、平均值为6，反射色相的最大值为a*(0.2～3.5)、b*(-5～3.5)，平均值为a*(-0.6～6)、b*(-6～6)，即反射率、消影以及反射色相等性能都能满足相关的规格要求。
示例性地，在如图8所示的触控面板100各膜层的结构设计下，设置触控电极层150的厚度为750埃，绝缘层130的厚度为11660埃，五层第一消影层140沿桥接电极层120朝向触控电极层150的方向第一消影层140的厚度依次为250埃、250埃、292埃、426埃、250埃，两层第二消影层170中与触控电极层150邻接的第二消影层170的厚度为273埃，另一第二消影层170的厚度为250埃。如此设置各膜层的厚度范围，可以有效地保证触控面板100具有较佳的光学性能，通过计算模拟，触控面板100的反射率为0.134％，色差为1.34，反射色相a*b*(1.81,-0.11)，即反射率、消影以及反射色相等性能规格都较佳。
需要说明的是，绝缘层130、第一消影层140和第二消影层170的材料并不限于上述各实施例中提供的设置方式，可以采用氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一者或者两者以上的组合材料制成。
另一方面，本申请实施例提供一种触控装置，包括如上述任一实施例提供的触控面板100。本申请实施例提供的触控装置，由于包括上述任意一实施例提供的触控装置，可以有效地提高触控装置的触控功能的灵敏度，同时还可以降低触控装置的色差。
在一可选的实施例中，如图9所示，触控装置还包括显示结构200，显示结构200包括层叠设置的阵列基板210、发光层220以及封装层230，触控面板100层叠设置于封装层230。该显示结构200可以为液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机电致发光显示器(Organic Electro Luminescence Display,OEL)、有机发光二极管显示器(OrganicLight EmissionDiode Display,OLED)、发光二极管显示器(Light Emission DiodeDisplay,LED)或者等离子体显示面板(Plasma Display Panel,PDP)、场放射显示器(FieldEmission Display)、纳米炭管显示器、电子墨水(E-ink)显示器等。
在一些可选的实施例中，本申请提供的触控装置可以是手机、平板电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控功能的产品或者部件，其可以集成有摄像头等感光组件。
又一方面，本申请实施例提供一种触控面板100的制造方法，用于制造上述任意一实施例提供的触控面板100，如图10所示，触控面板100的制造方法包括：
S10、提供衬底110。具体地，衬底110可以为透明玻璃基板。
S20、在衬底110上沉积导电透明材料并进行图案化处理，形成所述桥接电极层120。具体地，先在衬底110上沉积导电透明材料，再通过刻蚀等工艺形成桥接电极层120的具体图案。其中，导电透明材料可以为例如SNW(silver nano wire：银纳米线)、CNT(carbonnano tube：碳纳米管)、铟锡氧化物(ITO，indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO，indiumzinc oxide)、氧化锌(ZnO)等的具有导电性的透明材料。
S30、在桥接电极层120上沉积绝缘层130和第一消影层140，沉积温度为240℃～250℃。
S40、在绝缘层130和第一消影层140上沉积导电透明材料并进行图案化处理，形成触控电极层150。其中导电透明材料可以为例如SNW(silver nano wire：银纳米线)、CNT(carbon nano tube：碳纳米管)、铟锡氧化物(ITO，indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO，indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO)等的具有导电性的透明材料。
可以理解的是，为了形成桥接部160，可以在步骤S40之前，可以此采用刻蚀等工艺对第一消影层140和绝缘层130进行刻蚀，形成贯穿第一消影层140和绝缘层130的过孔。如此在步骤S40中沉积的导电透明材料会填充在过孔中，形成桥接部160。
本申请实施例提供的触控面板100的制造方法，绝缘层130和第一消影层140的沉积温度为240℃～250℃，该温度范围相对较低，在低温工艺下可以将绝缘层130和第一消影层140做的更厚，因而能够满足本申请触控面板100对低电容和高消影效果的需求。
进一步地，在一实施例中，如图11所示，本申请提供的触控面板100的制造方法还包括：
S50、在触控电极层150上沉积第二消影层170，沉积温度为240℃～250℃。沉积温度较低，可以提高第二消影层170的厚度，进而提高触控面板100的消影效果。
为了使触控电极层150与触控驱动芯片形成电连接，在一实施例中，如图12所示，本申请提供过的触控面板100的制造方法还包括：
S60、刻蚀掉触控驱动芯片的绑定区上方的绝缘层130、第一消影层140和第二消影层170，沉积金属走线180并进行图案设计。如此可以实现触控电极层150与触控驱动芯片的电性连接，便于实现触控面板100正常的触控功能。
以上，仅为本发明的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。
还需要说明的是，本发明中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本发明不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。
Claims (15)
1.一种触控面板，其特征在于，包括沿所述触控面板的厚度方向层叠设置的衬底、桥接电极层、绝缘层、第一消影层以及触控电极层；
所述触控电极层包括间隔部以及与所述间隔部间隔设置的桥接触控电极；
所述桥接电极层包括间隔设置的多个导电桥，所述导电桥在所述触控电极层的正投影与一所述间隔部交叠；
所述第一消影层与所述绝缘层层叠设置于所述桥接电极层与所述触控电极层之间；
所述触控面板还包括桥接部，所述桥接部贯穿所述绝缘层和所述第一消影层电连接所述导电桥及对应的所述桥接触控电极。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括第二消影层，设置于所述触控电极层背向所述桥接电极层的一侧。
3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控电极层还包括设置于所述桥接触控电极之间的平面触控电极，所述间隔部连接相邻两所述平面触控电极，所述平面触控电极和所述桥接触控电极相互绝缘设置。
4.根据权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括设置于所述衬底的多条金属走线，多条所述金属走线贯穿所述绝缘层和所述第一消影层，多条所述金属走线中的一部分与所述桥接触控电极导电连接，多条所述金属走线中的另一部分与所述平面触控电极导电连接。
5.根据权利要求1至4任一项所述的触控面板，其特征在于，所述第一消影层的层数为多层，多层的所述第一消影层设置于所述绝缘层与所述触控电极层之间，或者，多层的所述第一消影层设置于所述绝缘层与所述桥接电极层之间，或者，一部分的所述第一消影层设置于所述绝缘层与所述触控电极层之间、另一部分的所述第一消影层设置于所述绝缘层与所述桥接电极层之间。
6.根据权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述第一消影层的层数为两层，两层所述第一消影层设置于所述绝缘层和所述触控电极层之间，两层所述第一消影层的折射率相异，所述绝缘层与相邻的所述第一消影层的折射率相异，所述触控电极层与相邻的所述第一消影层的折射率相异。
7.根据权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括第二消影层，且所述第二消影层的层数为四层，四层所述第二消影层层叠设置于所述触控电极层背向所述桥接电极层的一侧，四层所述第二消影层中相邻的所述第二消影层的折射率相异，所述触控电极层与相邻的所述第二消影层的折射率相异。
8.根据权利要求7所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅，两层所述第一消影层中与所述绝缘层邻接的所述第一消影层的材料包括氮化硅，与所述触控电极层邻接的所述第一消影层的材料包括氧化硅；
四层所述第二消影层中沿所述触控电极层背离所述桥接电极层的方向所述第二消影层的材料依次包括氮化硅、氧化硅、氮化硅和氧化硅。
9.根据权利要求8所述的触控面板，其特征在于，所述触控电极层的厚度为700埃～800埃，所述绝缘层的厚度为4400埃～4500埃，两层所述第一消影层的厚度分别为250埃～300埃，四层所述第二消影层沿所述触控电极层背离所述桥接电极层的方向所述第二消影层的厚度依次为800埃～900埃、300埃～400埃、250埃～300埃、900埃～1000埃；或者，
所述触控电极层的厚度为1200埃～1300埃，所述绝缘层的厚度为3000埃～4500埃，两层所述第一消影层中与所述绝缘层邻接的所述第一消影层的厚度为250埃～300埃，与所述触控电极层邻接的所述第一消影层的厚度为300埃～450埃，四层所述第二消影层沿所述触控电极层背离所述桥接电极层的方向所述第二消影层的厚度依次为450埃～550埃、300埃～400埃、250埃～300埃、450埃～550埃。
10.根据权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述第一消影层的层数为五层，五层所述第一消影层中的二者层叠设置于所述绝缘层和所述桥接电极层之间，另三者层叠设置于所述触控电极层和所述绝缘层之间；
所述绝缘层与相邻的所述第一消影层的折射率相异，所述触控电极层与相邻的所述第一消影层的折射率相异，相邻所述第一消影层的折射率相异。
11.根据权利要求10所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括第二消影层，且所述第二消影层的数量为两层，两层所述第二消影层层叠设置于所述触控电极层背向所述桥接电极层的一侧，两层所述第二消影层的折射率相异，所述触控电极层与相邻的所述第二消影层的折射率相异。
12.根据权利要求11所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氮化硅，五层所述第一消影层中沿所述桥接电极层朝向所述触控电极层的方向所述第一消影层的材料依次包括氮化硅、氧化硅、氧化硅、氮化硅和氧化硅；
两层所述第二消影层中与所述触控电极层邻接的所述第二消影层的材料包括氧化硅，另一所述第二消影层的材料包括氮化硅。
13.根据权利要求12所述的触控面板，其特征在于，所述触控电极层的厚度为700埃～800埃，所述绝缘层的厚度为11000埃～12000埃，五层所述第一消影层沿所述桥接电极层朝向所述触控电极层的方向所述第一消影层的厚度依次为250埃～300埃、250埃～300埃、250埃～350埃、400埃～500埃、250埃～300埃，两层所述第二消影层的厚度分别为250埃～300埃。
14.一种触控面板的制造方法，用于制造如权利要求1至13任一项所述的触控面板，其特征在于，包括：
提供所述衬底；
在所述衬底上沉积导电透明材料并进行图案化处理，形成所述桥接电极层；
在所述桥接电极层上沉积所述绝缘层和所述第一消影层，沉积温度为240℃～250℃；
在所述绝缘层和所述第一消影层上沉积所述导电透明材料并进行图案化处理，形成所述触控电极层。
15.一种触控装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的触控面板。
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