CN111552408A - 桥式触控电极及其制作方法和触控屏 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种桥式触控电极及其制作方法和触控屏，其中，桥式触控电极包括第一导电层、第二导电层和消影膜层，其中，第一导电层上设置有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案，每组第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元，每组第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元；第二导电层包括连接部和本体部；消影膜层夹设于第一导电层与第二导电层的本体部之间，消影膜层上开设有过孔，连接部位于过孔内，第二图案单元通过连接部实现彼此电连接。本发明的桥式触控电极及其制作方法和触控屏，消影膜层的厚度较薄，容易形成过孔且过孔的通透性良好，能够保证搭桥连接可靠。另外，消影膜层还具有视觉增透功能。

Description

桥式触控电极及其制作方法和触控屏

技术领域

本发明涉及触控屏技术领域，特别是涉及一种桥式触控电极及其制作方法和触控屏。

背景技术

目前，单层氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)触摸技术由于其成本较低、能够实现多点触控的优点而被用在触摸屏制作中。所谓的单层ITO触控传感器是指在玻璃或塑料基板上镀一层ITO、并将该层ITO蚀刻成触控电极而形成的触控传感器。在这种触控传感器中，ITO层既可以作为驱动电极，又可以作为感应电极，无需其他膜层就可以实现触控功能。该ITO层上一般还设置有绝缘层和导电层，ITO层上的触控电极与绝缘层、导电层共同形成桥式触控电极，绝缘层中开设有过孔，用于进行搭桥，使得ITO层上的触控电极与导电层电性连接。传统的桥式触控电极，其中的绝缘层一般采用光刻胶材料，通过曝光显影的方式形成过孔，但是在成型过程中，光刻胶制成的绝缘层厚度较厚，曝光时表面与底部的曝光程度不一致，显影后形成的过孔通透性不好，导致ITO层上的触控电极与导电层搭桥连接时断开，不能进行信号传输或者信号传输不良。

发明内容

基于此，有必要针对传统桥式触控电极信号传输不良的问题，提供一种桥式触控电极及其制作方法和触控屏。

本发明的桥式触控电极，包括第一导电层、第二导电层和消影膜层，其中，第一导电层上设置有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案，每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元，每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元；第二导电层包括连接部和本体部；消影膜层夹设于第一导电层与第二导电层的本体部之间，所述消影膜层上开设有过孔，所述连接部位于所述过孔内，所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。

上述桥式触控电极，通过在第一导电层与第二导电层之间采用消影膜层作为两者之间的绝缘层，消影膜层的厚度较薄，容易形成过孔且过孔的通透性良好，能够保证第一导电层与第二导电层之间的搭桥连接可靠。另外，消影膜层还还具有视觉增透功能，能够对桥式触控电极进行消影，避免第一导电层的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题。

在一个实施例中，所述消影膜层包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层；所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。如此，消影膜层的厚度较薄，容易形成过孔且过孔的通透性良好，能够保证第一导电层与第二导电层之间的搭桥连接可靠。另外，还能够使得本发明的桥式触控电极厚度更薄。

在一个实施例中，所述第一导电层和/或第二导电层的厚度范围为10nm-100nm。如此，使得本发明的桥式触控电极厚度更薄。

在一个实施例中，所述第一导电层为第一ITO层，所述第二导电层为第二ITO层；或者，所述第一导电层为第一纳米银线层，所述第二导电层为第二纳米银线层；或者，所述第一导电层为第一ITO层，所述第二导电层为第二纳米银线层；或者，所述第一导电层为第一纳米银线层，所述第二导电层为第二ITO层。第一ITO层、第二ITO层、第一纳米银线层和第二纳米银线层均具有良好的成型性、导电性和透明性，从而能够增强本发明桥式触控电极的透明性。

本发明还提出一种桥式触控电极的制作方法，包括以下步骤：S1：在第一导电层上设置保护膜，所述第一导电层上形成有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案，每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元，每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元；S2：对曝光后的保护膜进行曝光、显影，在预设位置保留预设面积的保护膜不被显影；S3：在第一导电层和未被显影的保护膜上设置消影膜层；S4：去除所述未被显影的保护膜及设置于保护膜上面的消影膜层，使得所述消影膜层中形成过孔；S5：在所述消影膜层上设置第二导电层，所述第二导电层包括连接部和本体部，所述连接部填充在所述过孔内，所述本体部位于所述消影膜层的上方，所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。

上述桥式触控电极的制作方法，通过在第一导电层与第二导电层之间采用消影膜层作为两者之间的绝缘层，消影膜层的厚度较薄，容易形成过孔且过孔的通透性良好，能够保证第一导电层与第二导电层之间的搭桥连接可靠。另外，消影膜层还还具有视觉增透功能，能够对桥式触控电极进行消影，避免第一导电层的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题。

在一个实施例中，本发明桥式触控电极的制作方法还包括步骤S0：在基板上设置第一电极图案和第二电极图案，所述第一电极图案和第二电极图案共同构成所述第一导电层。如此，可以避免在一些实施例中在步骤S1之前，基板上还没有形成第一导电层的情形。

在一个实施例中，在步骤S3中，所述未被显影的保护膜的厚度范围为3μm-5μm，所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。如此，残留保护膜的厚度较厚，消影膜层的厚度较薄，在后续的剥膜操作时，残留保护膜和残留保护膜上的消影膜层能够被一起去除，从而能够在消影膜层中形成过孔。

本发明还提出一种触控屏，包括基板和上面任一所述的桥式触控电极，所述桥式触控电极层设置在基板上。上述触控屏，通过在第一导电层与第二导电层之间采用消影膜层作为两者之间的绝缘层，消影膜层的厚度较薄，容易形成过孔且过孔的通透性良好，能够保证第一导电层与第二导电层之间的搭桥连接可靠。另外，消影膜层还具有视觉增透功能，能够对桥式触控电极进行消影，避免第一导电层的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题。

在一个实施例中，所述第一导电层靠近所述基板，所述第二导电层远离所述基板；或者，所述第二导电层靠近所述基板，所述第一导电层远离所述基板。如此，使得本发明触控屏中的桥式触控电极与基板的位置关系更灵活。

在一个实施例中，所述基板的厚度范围为20nm-200nm。如此，使得本发明的触控屏厚度更薄。

在一个实施例中，所述基板为透明基板，第二导电层为透明第二导电层。如此，使得本发明的触控屏具有良好的透明性。

在一个实施例中，本发明的触控屏还包括保护层，设置于所述桥式触控电极远离基板的一面上。如此，保护层能够对第二导电层进行保护。

在一个实施例中，所述保护层的厚度范围为3μm-15μm。如此，使得本发明的触控屏厚度更薄。

附图说明

图1为本发明一个实施例提供的触控屏的结构示意图。

图2为本发明一个实施例提供的触控屏的第一导电层上的电极图案示意图。

图3为本发明一个实施例提供的触控屏的第一导电层上部分电极图案示意图。

图4为图3中沿A-A方向的纵向截面剖视图。

图5为本发明一个实施例提供的触控屏的第一导电层上设置绝缘层后的结构示意图。

图6为本发明一个实施例提供的触控屏的绝缘层上设置第二导电层后的结构示意图。

图7为本发明一个实施例提供的桥式触控电极的制作方法流程图。

图8a为本发明一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S1对应的结构示意图。

图8b为本发明一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S2对应的结构示意图。

图8c为本发明一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S3对应的结构示意图。

图8d为本发明一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S4对应的结构示意图。

图8e为本发明一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S5对应的结构示意图。

图9为本发明另一个实施例提供的与桥式触控电极制作方法中步骤S1对应的结构示意图。

图10为本发明一个实施例提供的触控屏的结构示意图。

附图标记：

触控屏10；基板100；桥式触控电极200，第一导电层210，第一电极图案211，第一图案单元212，导电引线213，第二电极图案214，第二图案单元215，第二导电层220，连接部221，本体部222，消影膜层230，过孔231，绝缘层240；

保护层300；保护膜400，第一掩膜版500，第一透光孔510，第二掩膜版600，第二透光孔610，遮光部620；第一轴向D1，第一轴向D2。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“内”、“外”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

本发明提出一种桥式触控电极200和触控屏10，其中，在一个实施例中，触控屏10的结构如图1所示，包括基板100、桥式触控电极200和保护层300，桥式触控电极200设置在基板100上，并且位于基板100与保护层300之间。如图1所示，桥式触控电极200包括第一导电层210、第二导电层220和消影膜层230：第一导电层210靠近且直接设置在基板100上，用于感测触控信号；第二导电层220包括连接部221和本体部222，其中连接部221垂直于本体部222；消影膜层230夹设于第一导电层210与第二导电层220的本体部222之间，消影膜层230上开设有过孔231，第二导电层220的连接部221位于过孔231内，第一导电层210通过连接部221与第二导电层220电性连接。

在一个实施例中，如图2所示，第一导电层210通过刻蚀等工艺形成有至少一组第一电极图案211和至少一组第二电极图案214，第一电极图案211设置在第一轴向D1上，第二电极图案214设置在第二轴向D2上，第一轴向D1和第二轴向D2相互垂直，每组第一电极图案211包括第一图案单元212和导电引线213，每组第二电极图案214包括多个第二图案单元215，第一图案单元212通过导电引线213彼此相互电连接，第二图案单元215设置在第一图案单元212之间并且彼此隔开。即，第一电极图案211与第二电极图案214之间相互交错，第一电极图案211在交错处连续延伸走线，第二电极图案214在交错处断开。为了保证第二电极图案214的信号传输性能，需要对断开的第二电极图案214进行搭桥处理，搭桥的具体原理及过程如图3至图6所示。

图3为第一电极图案211和第二电极图案214的部分结构示意图，图4为图3中沿A-A方向的纵向截面剖视图。在图4中可以看到，第一导电层210设置在基板100上，第一导电层210上的相邻两个第二图案单元215相互间隔，为了使得该两个第二图案单元215实现电性连接，首先，如图5所示，需要在第一导电层210上设置绝缘层240，并且绝缘层240上对应第二图案单元215靠近导电引线213的位置开设有过孔231；然后，如图6所示，在绝缘层240的上方设置第二导电层220，第二导电层220包括连接部221和本体部222，其中连接部221垂直于本体部222并且填充在过孔231中，第一导电层210上的第二图案单元215通过连接部221与第二导电层220电性连接，两个连接部221以及两个连接部221之间的本体部222共同形成桥电极，保障两个第二图案单元215之间的信号传输。

另外，需要说明的是，在图2和图3所示的实施例中，第一电极图案211与第二电极图案214之间相互交错，第一电极图案211在交错处连续延伸走线，第二电极图案214在交错处断开。此时，需要对断开的第二电极图案214进行搭桥处理确保具有信号传输性能。

传统的桥式触控电极，其中的绝缘层240一般采用光刻胶材料，通过曝光显影的方式形成过孔231，但是在成型过程中，光刻胶制成的绝缘层240厚度范围为1μm-10μm，或者3μm-5μm，即光刻胶制成的绝缘层240厚度较厚，曝光时表面与底部的曝光程度不一致，显影后形成的过孔231通透性不好，导致第一导电层上的触控电极与第二导电层搭桥连接时断开，不能进行信号传输或者信号传输不良。为了解决上述问题，本发明的桥式触控电极200及触控屏10，通过在第一导电层210与第二导电层220之间采用消影膜层230作为两者之间的绝缘层，消影膜层230的厚度较薄，容易形成过孔231且过孔231的通透性良好，能够保证第一导电层210与第二导电层220之间的搭桥连接可靠。另外，消影膜层230还具有视觉增透的功能，能够对桥式触控电极200进行消影，避免第一导电层210的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题。在传统的触控屏10中，为了对触控电极进行消影，一般将消影膜层230设置在基板100与触控电极之间。因此，在本发明中，通过将消影膜层230设置在第一导电层210与第二导电层220之间，使得本发明的桥式触控电极200及触控屏10，省去了原本由光刻胶制成的绝缘层240，厚度更薄。

需要说明的是，在本发明中，消影膜层230主要用于视觉增透，对桥式触控电极200进行消影，避免第一导电层210的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题，在一个实施例中，消影膜层230包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层。可以理解的是，本发明并不局限于包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层的消影膜层230，在其他实施例中，也可以使用其他已知或以后出现的消影膜层230，只要能够解决本发明提到的技术问题且能达成本发明的目的即可。

另外，传统的桥式触控电极200，光刻胶制成的绝缘层240厚度较厚，还会影响桥式触控电极200的透明度和视觉效果。而在本发明中，因此，采用消影膜层230作为绝缘层240，消影膜层230的厚度较薄，不会影响桥式触控电极200的透明度和视觉效果，反而还具有视觉增透功能，能够改善桥式触控电极200的视觉效果。在一个实施例中，为了进一步保证桥式触控电极200及触控屏10的透明度，基板100采用透明基板100，第一导电层210和第二导电层220均采用透明导电材料制成。在一个具体的实施例中，基板100为玻璃板或者透明塑胶板。第一导电层210为第一ITO层，第二导电层220为第二ITO层；或者，第一导电层210为第一纳米银线层，第二导电层220为第二纳米银线层；或者，第一导电层210为第一ITO层，第二导电层220为第二纳米银线层；或者，第一导电层210为第一纳米银线层，第二导电层220为第二ITO层，第一ITO层、第二ITO层、第一纳米银线层和第二纳米银线层均具有良好的透明性。

另外，在一个实施例中，为了保证触控屏10的轻薄性，基板100的厚度范围为20nm-200nm，保护层300的厚度范围为3μm-15μm，消影膜层230的厚度与第一导电层210和第二导电层220的厚度接近，三者的厚度范围均为10nm-100nm。

另外，在一个实施例中，本发明还提出了一种桥式触控电极200的制作方法，如图7所示，包括以下步骤：步骤S1：在第一导电层210上设置保护膜400，其中，第一导电层210上形成有至少一组第一电极图案211和至少一组第二电极图案214，每组第一电极图案211包括两个以上彼此电连接的第一图案单元212，每组第二电极图案214包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元215。

步骤S2：对保护膜400进行曝光、显影，在预设位置保留预设面积的保护膜400不被显影。与步骤S2中的曝光过程对应的结构图如图8a所示，第一导电层210设置在基板100上，保护膜400设置在第一导电层210远离基板100的一面上，并且保护膜400的厚度范围为3μm-5μm。该保护膜400由光刻胶材料制成，被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。在图8a所示的实施例中，保护膜400采用负性光刻胶材料制成，即保护膜400的材质在曝光前是软的，被紫外光照射的部分会发生硬化，硬化后的部分在显影溶液中不会被溶解掉，其余未被紫外光照射的部分会在显影溶液中溶解掉。如图8a所示，保护膜400的上方设置有第一掩膜版500，第一掩膜版500上设置有第一透光孔510，其余部位均进行遮光处理，外部的紫外光能够透过第一透光孔510照射到保护膜400上，使得第一透光孔510下方的保护膜400发生硬化，而保护膜400的其他位置均未接收到紫外光。需要说明的是，第一掩膜版500上第一透光孔510的位置即为预设位置，第一透光孔510的面积即为预设面积，第一透光孔510的位置和面积均对应后续搭桥过程中的过孔位置和过孔面积。

然后对曝光后的保护膜400进行显影，使得保护膜400上仅保留过孔位置，其余均溶解在显影液中。显影后的结构图如图8b所示，保护膜400上被硬化的部分在显影溶液中未被溶解掉，未被显影溶液溶解掉的保护膜400，又称为未被显影的保护膜400，该未被显影的保护膜400的位置即是后续搭桥过程中的过孔位置，保护膜400上未被紫外光照射的部分均溶解在显影溶液中。

步骤S3：在第一导电层210和未被显影的保护膜400上设置消影膜层230。与步骤S3对应的结构图如图8c所示，消影膜层230均匀地设置在第一导电层210和未被显影的保护膜400上。在一个具体的实施例中，消影膜层230的厚度范围为10nm-100nm，消影膜层230不会与显影液发生反应，消影膜层230包括设置于第一导电层210和未被显影的保护膜400上的五氧化二铌膜层，和设于五氧化二铌膜层上的二氧化硅膜层，五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层可以采用低温磁控溅射方式形成在第一导电层210和未被显影的保护膜400上，采用低温磁控溅射方式，可以精准控制五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层的厚度，进而精准控制消影膜层230的厚度。另外，需要说明的是，本发明并不局限于包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层的消影膜层230，在其他实施例中，也可以使用其他已知或以后出现的消影膜层230，只要能够解决本发明提到的技术问题且能达成本发明的目的即可。

步骤S4：去除未被显影的保护膜400及设置于保护膜400上面的消影膜层230，使得消影膜层230上形成过孔231。与步骤S4对应的结构图如图8d所示，由于残留保护膜400的厚度为3μm-5μm，消影膜层230的厚度范围为10nm-100nm，即未被显影的保护膜400的厚度较厚，消影膜层230的厚度较薄，在剥膜操作时，未被显影的保护膜400和设置于保护膜400上的消影膜层230能够被一起去除，从而在消影膜层230中形成过孔231，如图8d所示。在具体的实施例中，可以采用双面胶或者手动剥离未被显影的保护膜400及保护膜400上面的消影膜层230。

步骤S5：在消影膜层230上设置第二导电层220，第二导电层220包括相互垂直的连接部221和本体部222，连接部221填充在过孔231内，本体部222位于消影膜层230的上方，第二图案单元215通过连接部221实现彼此电连接。与步骤S5对应的结构图如图8e所示。在一个具体的实施例中，第一导电层210具体为第一ITO层，第二导电层220具体为第二ITO层；或者，第一导电层210为第一纳米银线层，第二导电层220为第二纳米银线层；或者，第一导电层210为第一ITO层，第二导电层220为第二纳米银线层；或者，第一导电层210为第一纳米银线层，第二导电层220为第二ITO层，第一ITO层、第二ITO层、第一纳米银线层和第二纳米银线层均具有良好的成型性、导电性和透明性。

需要说明的是，在上述桥式触控电极200的制作方法中，在第一导电层210上设置保护膜400之前，已经在基板100上设置有第一电极图案211和第二电极图案214，用于采集触控信号,第一电极图案211和第二电极图案214共同构成第一导电层210，保护膜400设置在第一导电层210上。需要说明的是，在图8a所示的实施例中，第一电极图案211和第二电极图案214均未示出。在一些实施例中，在步骤S1之前，基板100上还没有形成第一导电层210，则需要在步骤S1前增设步骤S0,即在基板100上设置第一电极图案211和第二电极图案214，用于采集触控信号,第一电极图案211和第二电极图案214共同构成第一导电层210。

另外，在上述步骤S1中，保护膜400采用负性光刻胶材料制成，掩膜版上透光孔下方的保护膜400发生硬化，从而在后续的显影过程中得以保留。可以理解的是，在其他实施例中，如图9所示，保护膜400还可以采用正性光刻胶材料制成，即保护膜400的材质在曝光前是具有一定的硬度，被紫外光照射的部分会发生软化，未被曝光的部分较硬，在显影溶液中不会被溶解掉，经紫外光照射的部分被软化，从而能够在显影溶液中溶解掉。保护膜400的上方设置有第二掩膜版600，第二掩膜版600上设置有第二透光孔610，第二透光孔610之间对应后续搭桥过孔的位置进行遮光处理形成遮光部620，外部的紫外光透过第二透光孔610照射到保护膜400上，使得第二透光孔610下方的保护膜400发生软化，而遮光部620下方的保护膜400依旧具有一定的硬度。在后续的显影过程中，遮光部620下方具有一定的硬度保护膜400不被显影从而被保留下来，为后续的搭桥过孔奠定基础。需要说明的是，在图9所示的实施例中，第二掩膜版600上遮光部620的位置即为预设位置，遮光部620的面积即为预设面积，遮光部620的位置和面积均对应后续搭桥过程中的过孔位置和过孔面积。

另外，在一个实施例中，上述桥式触控电极200的制作方法，在消影膜层230上设置第二导电层220之后，还可以在第二导电层220远离消影膜层230的一面上设置保护层300，以形成图1所示的结构，对第二导电层220层进行保护。另外，在图1所示的实施例中，第一导电层210靠近基板100并且直接设置在基板100上，第二导电层220远离基板100。可以理解的是，在其他实施例中，如图10所示，第一导电层210与第二导电层220的位置可以互换，即第二导电层220靠近基板100并且直接设置在基板100上，第一导电层210远离基板100。

本发明的桥式触控电极200及其制作方法和触控屏10，通过在第一导电层210与第二导电层220之间采用消影膜层230作为两者之间的绝缘层，消影膜层230的厚度较薄，容易形成过孔231且过孔231的通透性良好，能够保证第一导电层210与第二导电层220之间的搭桥连接可靠。另外，消影膜层230还还具有视觉增透功能，能够对桥式触控电极200进行消影，避免第一导电层210的电极图案区域与非电极图案区域之间的反射率差异所导致的底影问题。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种桥式触控电极，其特征在于，包括：

第一导电层，所述第一导电层上形成有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案，每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元，每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元；

第二导电层，包括连接部和本体部；及

消影膜层，夹设于第一导电层与第二导电层的本体部之间，所述消影膜层上开设有过孔，所述连接部位于所述过孔内，每组所述第二电极图案中的所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的桥式触控电极，其特征在于，所述消影膜层包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层；所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的桥式触控电极，其特征在于，所述第一导电层和/或第二导电层的厚度范围为10nm-100nm。

4.根据权利要求1所述的桥式触控电极，其特征在于，所述第一导电层为第一ITO层，所述第二导电层为第二ITO层；或者，所述第一导电层为第一纳米银线层，所述第二导电层为第二纳米银线层；或者，所述第一导电层为第一ITO层，所述第二导电层为第二纳米银线层；或者，所述第一导电层为第一纳米银线层，所述第二导电层为第二ITO层。

5.一种桥式触控电极的制作方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-4所述的桥式触控电极，包括以下步骤：

S1：在第一导电层上设置保护膜，所述第一导电层上形成有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案，每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元，每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元；

S2：对所述保护膜进行曝光、显影，在预设位置保留预设面积的保护膜不被显影；

S3：在所述第一导电层和未被显影的保护膜上设置消影膜层；

S4：去除所述未被显影的保护膜及设置于保护膜上面的消影膜层，使得所述消影膜层中形成过孔；

S5：在所述消影膜层上设置第二导电层，所述第二导电层包括连接部和本体部，所述连接部填充在所述过孔内，所述本体部位于所述消影膜层的上方，所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。

6.根据权利要求5所述的桥式触控电极的制作方法，其特征在于，还包括步骤S0：在基板上设置第一电极图案和第二电极图案，所述第一电极图案和第二电极图案共同构成所述第一导电层。

7.根据权利要求5所述的桥式触控电极的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，所述未被显影的保护膜的厚度范围为3μm-5μm，所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。

8.一种触控屏，其特征在于，包括基板和权利要求1-4任一所述的桥式触控电极，所述桥式触控电极层设置在基板上。

9.根据权利要求8所述的触控屏，其特征在于，所述基板的厚度范围为20nm-200nm。

10.根据权利要求8所述的触控屏，其特征在于，还包括保护层，设置于所述桥式触控电极远离基板的一面上；所述保护层的厚度范围为3μm-15μm。

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