CN109032402A - 一种柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置。该柔性触控面板的制作方法包括：在柔性基底层上形成第一氧化铟锡(ITO)膜层，该第一ITO膜层的厚度大于膜厚阈值，柔性基底层为通过光学胶层贴附于透明基板上的；对第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极。本发明实施解决了采用现有技术进行ITO镀膜的方式，由于工艺方式和设备限制，难以满足窄边框柔性触控面板对较低方阻值的要求。

Description

一种柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置
技术领域
本申请涉及但不限于触控技术领域，尤指一种柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置。
背景技术
随着显示技术领域的发展，柔性显示技术逐步成为当前电子显示的热点应用，应柔性显示技术发展孕育出的柔性触控面板已推广应用在柔性显示领域的各种产品中。
柔性触控面板的感应电极(Sensor)通常包括金属网格(Metal Mesh)柔性电极和氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称为：ITO)柔性电极，Metal Mesh柔性电极因产品良率、摩尔纹和透过率的缺陷，使得ITO柔性电极将在长时间内占据市场份额。因用户体验要求的提高和手机发展的趋势，对柔性触控面板提出了窄边框甚至无边框的技术需求，这就要求柔性触控面板具有较低的面内ITO方阻。目前业界普遍使用的是ITO方阻为100欧姆每方(Ω/□)，为了实现新的技术需求，即满足规格Pitch(指线宽与线缝的总和)20微米(um)以下的金属走线，要求柔性触控面板的面内方阻为30～40Ω/□，才可以满足集成电路(Integrated Circuit，简称为：IC)需求。然而，现有技术中制作ITO的方式为：采用卷对卷(Roll to Roll，指卷材传输及卷材上加工成卷)镀膜工艺，将ITO膜层卷对卷的镀膜于柔性薄膜(Film)上，因工艺设备限制以及Roll to Roll镀膜后收卷容易产生ITO裂纹等因素，可以实现的最低面内方阻为70Ω/□，难以满足窄边框柔性触控面板对较低方阻值的要求。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置，以解决采用现有技术进行ITO镀膜的方式，由于工艺方式和设备限制，难以满足窄边框柔性触控面板对较低方阻值的要求。
本发明实施例提供一种柔性触控面板的制作方法，包括：
在柔性基底层上形成第一氧化铟锡ITO膜层，所述第一ITO膜层的厚度大于膜厚阈值，所述柔性基底层为通过光学胶层贴附于透明基板上的；
对所述第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述在柔性基底层上形成第一氧化铟锡ITO膜层之前，所述方法还包括：
依次在所述透明基板上贴附所述光学胶层和所述柔性基底层，并将所述柔性基底层的边缘设置为内缩于所述光学胶层的边框；
对所述透明基板、所述光学胶层和所述柔性基底层进行退火处理。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述对所述第一ITO膜层进行图形化处理，包括：
在所述第一ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，其中，进行曝光处理时采用曝光机挡板遮挡所述第一ITO膜层的周边，使得所述第一ITO膜层覆盖于所述柔性基底层周边的ITO膜在进行刻蚀处理后被保留。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述形成柔性触控面板的触控电极之后，所述方法还包括：
在所述柔性触控面板的非触控区形成的金属走线；
在所述触控电极和所述金属走线上形成有机绝缘层，并通过图形化工艺在所述有机绝缘层上形成过孔；
在所述有机绝缘层上形成第二ITO膜层，并对所述第二ITO膜层进行图形化处理，形成所述触控电极的桥架结构；
其中，对所述第二ITO膜层进行图形化处理，包括：
在所述第二ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，进行曝光处理时将所述曝光机挡板放置于远离所述柔性基底层的周边，使得进行刻蚀处理时去除覆盖于所述柔性基底层周边的ITO膜。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述退火处理的温度为130～140℃。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述第一ITO膜层的厚度为1200～1500埃。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述用于形成所述第一ITO膜层采用的靶材的铟锡比为90:10。
可选地，如上所述的柔性触控面板的制作方法中，所述柔性基底层的边缘内缩于所述光学胶层的边框1～2毫米。
本发明实施例还提供一种柔性触控面板，所述柔性触控面板为采用如上述任一项所述的柔性触控面板的制作方法制作的，所述柔性触控面板包括：透明基板，依次设置于所述透明基板远离触控操作面一侧光学胶层和柔性基底层，以及设置于所述柔性基底层远离透明基板一侧的触控电极；
其中，所述触控电极为厚度大于膜厚阈值的氧化铟锡ITO膜层，所述柔性基底层为通过所述光学胶层贴附于所述透明基板上的。
可选地，如上所述的柔性触控面板中，所述柔性基底层的边缘内缩于所述光学胶层的边框1～2毫米。
可选地，如上所述的柔性触控面板中，所述ITO膜层的厚度为1200～1500埃。
本发明实施例还提供一种柔性触控装置，包括：如上述任一项所述的柔性触控面板。
本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法、柔性触控面板和装置，通过在柔性基底层上形成厚度大于膜厚阈值的第一ITO膜层，并对该第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极，由于柔性基底层是通过Roll to Sheet工艺贴附于透明基板上的，在进行ITO镀膜时，可以形成厚度相对较厚的ITO膜层，从而形成面内方阻满足要求的ITO电极(即触控电极)；本发明提供的制作方法制作出的柔性触控面板，解决了采用现有技术进行ITO镀膜的方式，由于工艺方式和设备限制，难以满足窄边框柔性触控面板对较低方阻值的要求。另外，采用本发明实施例提供的制作方法制作出的柔性触控面板，由于实现了面内方阻尽可能低的ITO电极，显示器件分解在ITO电极上的功耗也更低，对显示器件的充电时长和触控灵敏性都有较优的作用效果。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的制作方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的另一种柔性触控面板的制作方法的流程图；
图3为现有技术中一种柔性触控面板的截面图；
图4为图3所示现有柔性触控面板经过退火工艺后出现的边缘气泡的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的截面图；
图6为图5所示本发明实施例提供的柔性触控面板经过退火工艺后的示意图；
图7为采用现有技术的方法对第一ITO膜层进行曝光时曝光机挡板的位置示意图；
图8为采用本发明实施例提供的方法对第一ITO膜层进行曝光时曝光机挡板的位置示意图；
图9为采用图7所示现有曝光方式形成的柔性触控面板的截面图；
图10为采用图8所示曝光方式形成的柔性触控面板的截面图；
图11为采用100℃温度退火处理后进行ITO镀膜得到ITO膜层的曲线图；
图12为采用130℃温度退火处理后进行ITO镀膜得到ITO膜层的曲线图；
图13为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
本发明提供以下几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
基于有机电致发光显示(Organic Electroluminance Display，简称为：OLED)器件的柔性性能，OLED器件逐步成为当前电子显示的热点产品，OLED率先在移动手机(Mobile)上展开应用，目前市面已可以看到的手机产品：S社的S6/S7/S8、OPPO的R9等品牌已在大力推广OLED产品。
上述背景技术中已经说明，ITO柔性电极将在长时间内占据柔性触控面板的市场份额。OLED显示原理为自发光技术，即采用电子-空穴填充导致电子能级跃迁发光。因客户体验要求的提高，对OLED产品提出了较高的要求：其一，大力发展全屏手机，即对柔性触控面板提出了窄边框甚至无边框的技术需求，窄边框需要匹配更低的面内ITO方阻值，才能确保IC可以驱动；其二，为了降低OLED器件分解在ITO电极上的发光功耗，也要求面内ITO方阻向更低方向发展。基于窄边框匹配的设计规格，要求面内ITO方阻在30～40Ω/□，才可以满足IC需求，否则由电阻电容形成电路的延迟(Resistance Capacitance Delay，简称为：RCDelay)会延长，影响手机的充电时长和触控灵敏度，因此，感应驱动等IC的触控灵敏性及耗电量逐渐会成为新的技术需求。另外，随着无边框产品的逐步推广，触控电极在边框边缘布线的空间将进一步缩小，这要求触控电极的制作工艺在触控区实现更低的通道阻抗，即降低面内方阻，即需要实现低温ITO在Film上工艺，实现方式可以考虑通过增加ITO厚度达到需要的电性要求。目前业界普遍使用的是ITO方阻为100Ω/□，为达到降低面内方阻的目的，要求ITO方阻从100Ω/□降低到30～40Ω/□，本发明实施例针对窄边框以及无边框显示产品对触控面板具有较低面内方阻的要求，提供一种柔性触控面板的制作方法。
图1为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的制作方法的流程图。本实施例提供的制作方法可以应用于制作柔性触控面板，该柔性触控面板可以应用于窄边框或无边框的显示器件中，本实施例提供的柔性触控面板的制作方法，可以包括如下步骤：
S110，在柔性基底层上形成第一ITO膜层，该第一ITO膜层的厚度大于膜厚阈值，柔性基底层为通过光学胶层贴附于透明基板上的。
S120，对第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极。
本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法，主要工艺为形成触控面板中的触控电极，即ITO膜层(即第一ITO膜层)的方式。区别于现有技术中采用Roll to Roll工艺在Film上进行ITO镀膜，本发明实施例采用卷对片(Roll to Sheet)工艺，来料的柔性Film卷材没有ITO镀膜，该柔性Film例如可以为：聚酰亚胺(Polyimide，简称为：PI)Film、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称为：COP)Film或透明导电转移膜(TransparentConductive Transfer Film，简称为：TCTF)，来料的柔性Film上可以涂布有硬化(HardCoating，简称为：HC)层和消影(Index Margin，简称为：IM)层。首先，通过OCA层将该柔性Film贴附于透明基板(例如为玻璃基板)上，并将贴附于透明基板上的柔性Film作为柔性基底层，即形成柔性基底层330采用的是Roll to Sheet工艺，随后，在该柔性基底层上形成用于制作触控电极的第一ITO膜层，为了实现较低的面内方阻，要求形成的第一ITO膜层的厚度大于膜厚阈值，该膜厚阈值即为实现要求面内ITO方阻的最低厚度。
本发明实施例在实际应用中，形成第一ITO膜层的工艺验证过程中，采用了铟锡比为90:10和93:7两种ITO靶材进行对比，且尽可能采用低温镀膜工艺，验证结果为：第一，93:7采用130℃结晶后可能导致柔性Film膜层开裂；第二，93:7在光学效果上较90:10形成的ITO膜层稍差；因此，在本发明实施例采用Roll to Sheet工艺形成的柔性基底层上采用90:10ITO靶材进行ITO镀膜。随后，对形成的第一ITO膜层进行图形化处理，即通过涂胶、曝光、显影和刻蚀等工艺形成柔性触控面板的触控电极，即ITO电极；基于上述形成的第一ITO膜层的厚度，图形化工艺后得到的触控电极可以实现较低面内ITO方阻的工艺要求。可选地，S110中形成的第一ITO膜层可以为1200～1500埃(A)，经过大量试验验证该厚度下可以满足ITO方阻为30～40Ω/□的要求。
本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法与现有技术相比，具有以下区别：第一，ITO镀膜方式不同，现有技术中采用Roll to Roll工艺在柔性Film上进行ITO镀膜，例如，COP-ITO Film指在COP原材上加工膜层(包括ITO镀膜工艺实现等)，受限于设备和Rollto Roll工艺，该工艺受设备限制并且Roll to Roll镀膜后收卷容易产生ITO裂纹，本发明实施例采用Roll to Sheet工艺将卷材裁切成片材，将片材(即柔性Film)的尺寸匹配载体(即透明基板)的尺寸，也就是将柔性Film(例如COP等膜层)贴附于透明基板上之后，进行ITO镀膜等后续工艺，因此，ITO镀膜不易产生裂纹；第二，基于上述工艺的区别，现有技术形成的ITO膜层的厚度通常为500～600A，采用本发明实施例提供的方法形成的ITO膜层的厚度可以达到1200～1500A，基于上述ITO膜层的厚度，现有技术形成的ITO电极的方阻最低可以达到70Ω/□，采用本发明实施例提供的方法形成的ITO电极的方阻可以达到30～40Ω/□。
本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法，通过在柔性基底层上形成厚度大于膜厚阈值的第一ITO膜层，并对该第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极，由于柔性基底层是通过Roll to Sheet工艺贴附于透明基板上的，在进行ITO镀膜时，可以形成厚度相对较厚的ITO膜层，从而形成面内方阻满足要求的ITO电极(即触控电极)；本发明提供的制作方法制作出的柔性触控面板，解决了采用现有技术进行ITO镀膜的方式，由于工艺方式和设备限制，难以满足窄边框柔性触控面板对较低方阻值的要求。
进一步地，采用本发明实施例提供的制作方法制作出的柔性触控面板，由于实现了面内方阻尽可能低的ITO电极，显示器件分解在ITO电极上的功耗也更低，对显示器件的充电时长和触控灵敏性都有较优的作用效果。
可选地，图2为本发明实施例提供的另一种柔性触控面板的制作方法的流程图，在图1所示实施例的基础上，本发明实施例提供的制作方法，在S110之前还可以包括：
S100，依次在透明基板上贴附光学胶层和柔性基底层，并将柔性基底层的边缘设置为内缩于光学胶层的边框；
S101，对透明基板、光学胶层和柔性基底层进行退火处理。
在本发明实施例中，来料的卷材为柔性Film(即柔性基底层)，该柔性Film上已形成HC层和IM层，并且没有ITO镀膜，采用卷材切割(Roll Cutting)工艺将柔性Film切成片材，在采用贴附(Lami)工艺将光学透明胶粘剂(Optically Clear Adhesive，简称为：OCA)贴附于透明基板上，再将柔性基底层(即上述具有HC层和IM层的柔性Film)贴附于OCA上。另外，为了提高透明基板上OCA层和柔性基底层的稳定性，以提高后续工艺生产中量产产品的良率，还可以对透明基板，以及其上贴附的OCA层和柔性基底层进行退火处理。
以柔性Film为COP Film为例说明现有技术中的Lami工艺，现有技术在透明基板上贴附OCA，再将COP Film贴附于OCA上时，为了保证光刻胶(Photo Resist，简称为：PR)涂布工艺，正常需要将COP Film尺寸大于OCA温控胶尺寸，如图3所示，为现有技术中一种柔性触控面板的截面图，图中示意出透明基板210，OCA层220和COP层230，可以看出，COP层230外扩于OCA层220，主要由于OCA胶耐酸不耐碱的特性，在经过PR显影液(一般为碱性液体)后会导致OCA脱落在COP Film上，由于PR工艺后有OCA胶层脱落，在进行下一道工艺时涂布PR胶及曝光机异物检测均无法通过，从而影响大板的制程良率。另外，若以现有技术的贴附方式，贴附OCA层220和COP层230后增加退火工艺，由于COP层230边缘的膜缩、与COP层230和OCA层220接触位置的热膨胀及膜缩的差异，会导致OCA层220与COP层230边缘出现大的条型边缘气泡，无法满足量产即后续制程的需求，如图4所示，为图3所示现有柔性触控面板经过退火工艺后出现的边缘气泡的示意图。
与现有技术不同的是，本发明实施例在贴附柔性基底层时，将柔性基底层的边缘设置为内缩于OCA层的边框，如图5所示，为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的截面图，图5同样以柔性Film为COP Film为例予以示出，且图中示意出透明基板310，OCA层320和COP层330，可以看出，COP层330外扩于OCA层320，可以看出，本发明实施例的COP层330内缩于OCA层320，考虑到COP Film的裁剪精度为0.3毫米(mm)，贴附精度为0.5mm，COP层330的边缘可以内缩于OCA层320的边框1～2mm。经过验证，COP层330内缩后经过退火工艺没有条型边缘气泡产生，如图6所示，为图5所示本发明实施例提供的柔性触控面板经过退火工艺后的示意图。
需要说明的是，采用本发明实施例提供的制作方法将OCA层320和柔性基底层330贴附于透明基板210后，会使OCA层320外露，OCA层320外露可能会影响OCA层320边缘脱离或褶皱至COP层330上，影响PR涂布设备及制程产品的良率。针对该问题，本发明实施例提供了一种解决方案，即优化在柔性基底层上完成ITO镀膜后，制作触控电极的工艺方式。
可选地，在本发实施例中，S120的实现方式可以为：
在第一ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，其中，进行曝光处理时采用曝光机挡板遮挡第一ITO膜层的周边，使得第一ITO膜层覆盖于柔性基底层周边的ITO膜在进行刻蚀处理后被保留。
本发明实施例在进行第一ITO膜层的图形化工艺过程中，通常执行涂胶、曝光、显影和刻蚀等工艺处理。图7为采用现有技术的方法对第一ITO膜层进行曝光时曝光机挡板的位置示意图，图8为采用本发明实施例提供的方法对第一ITO膜层进行曝光时曝光机挡板的位置示意图，图9为采用图7所示现有曝光方式形成的柔性触控面板的截面图，图10为采用图8所示曝光方式形成的柔性触控面板的截面图。可以看出，采用本发明实施例提供的方法进行曝光工艺时，将曝光机挡板400内缩以遮挡第一ITO膜层340周边的PR层350，从而使得PR层350在基板(包括COP层330、OCA层320和透明基板310)周边不被曝光而保留下来，之后经过刻蚀工艺后，基板周边的ITO膜340a未被刻蚀，达到了ITO膜340a保护OCA层320的目的。
本发明实施例提供的方法在形成柔性触控面板的柔性电极之后，还可以包括：
S130，在柔性触控面板的非触控区形成金属走线；
S140，在触控电极和金属走线上形成有机绝缘层，并通过图形化工艺在所述有机绝缘层上形成过孔。
在本发明实施例中，制作完触控电极之后，还可以完成上述常规工艺步骤，即在柔性触控面板的非触控区制作横向电极和纵向电极的金属走线，将横向电极和纵向电极通过金属走线连接到处理芯片上；另外，由于第一ITO膜层制作的触控电极中包括横向电极和纵向电极，在完成第一ITO膜层的图形化工艺后，这些电极有些尚未连通，因此还可以制作用于连通触控电极的ITO桥架结构，在有机绝缘层(OC)上形成的过孔用于制作桥架结构的桥点。本发明实施例提供的方法还可以包括：
S150，在有机绝缘层上形成第二ITO膜层，并对该第二ITO膜层进行图形化处理，形成触控电极的桥架结构。
需要说明的是，对第二ITO膜层进行图形化处理的实现方式，可以包括：
在第二ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，进行曝光处理时将曝光机挡板放置于远离柔性基底层的周边，使得进行刻蚀处理时去除覆盖于柔性基底层周边的ITO膜。
在本发明实施例中，在完成第二ITO膜层的镀膜后，同样可以通过图形化工艺形成桥架结构，与上述第一ITO膜层的图形化工艺相应的，在进行曝光时将曝光机挡板拉至最外，即第二ITO膜层的周边没有PR残留，在刻蚀第二ITO膜层时可以将第一ITO膜层残留在柔性基底层边缘的ITO膜340a刻蚀完，达到工艺目的。
本发明实施例为了避免外露的OCA层320边缘脱离或褶皱到COP层330上，完成第一ITO膜层的镀膜后，在图形化工艺中采用曝光机挡板内缩的方式使得COP层330周边的PR未被曝光而到达采用ITO膜340a保护OCA层320不被破坏的目的；在进行第二ITO膜层的图形化工艺时，将曝光机的挡板拉到最大边缘曝光，达到去除ITO膜340a的目的。本发明实施例通过曝光过程中合理利用挡板，解决了现有技术中的边缘气泡问题，并实现了提高制程良率的目的。
可选地，在本发明实施例中，进行退火处理时可以选用不同的退火温度，图11为采用100℃温度退火处理后进行ITO镀膜得到ITO膜层的曲线图，图12为采用130℃温度退火处理后进行ITO镀膜得到ITO膜层的曲线图，如图11和图12所示，均示出了退火处理后进行ITO镀膜得到的ITO膜层(例如为1350A)的方阻均值和均匀性，其中包括对3张柔性触控面板(即面板1、面板2和面板3)上的ITO膜层进行实测的数据，左侧的纵坐标表示ITO膜层的方阻均值，右侧的纵坐标表示ITO膜层的均匀性。可以看出，采用100℃温度、180分钟(min)退火工艺，方阻值波动较大，在41～48Ω/□之间，且方阻值的均匀性波动也较大；采用130℃温度、60min退火工艺，可以使方阻值稳定在36～38Ω/□之间，且方阻值的均匀性波动较小；另外，由于退火处理针对的膜材(包括OCA层和柔性基底层)本身耐热性不足，因此最高不超过140℃。综上，本发明实施例在进行退火处理时采用130～140℃的工艺温度，退火设备的腔体管控温度小于130℃。
本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法，采用Roll to Sheet工艺进行ITO镀膜，在贴附柔性Film后且进行ITO镀膜前，增加退火工艺达到工艺的稳定性；并且在低温ITO镀膜时可以达到一定厚度ITO镀膜，以实现低方阻ITO工艺；另外，通过改变现有技术中OCA层与柔性Film层的大小关系，将OCA层外扩于柔性Film层，并相应的调整曝光时挡板的位置，达到了提高产品性能即良率的设计方案，不仅降低了柔性触控面板的面内ITO方阻值，同时提高了触控灵敏性并达到了节约能耗的效果。
基于本发明上述各实施例提供的柔性触控面板的制作方法，本发明实施例还提供一种柔性触控面板，该柔性触控面板为通过本发明上述任一实施例提供的制作方法制作得到的。
图13为本发明实施例提供的一种柔性触控面板的结构示意图。本发明实施例提供的柔性触控面板30可以包括：透明基板310，依次设置于透明基板310远离触控操作面一侧OCA层320和柔性基底层330，以及设置于柔性基底层330远离透明基板310一侧的触控电极340；
其中，触控电极340为厚度大于膜厚阈值的ITO膜层，柔性基底层330为通过OCA层320贴附于透明基板310上的。
本发明实施例提供的柔性触控面板30，为通过图1所示制作方法的工艺方式制得的，即柔性基底层330的来料同样为卷材，且来料的柔性Film卷材没有ITO镀膜，该柔性Film同样可以为：PI Film、COP Film或TCTF；通过裁切将卷材切成片材，并通过OCA层320将柔性Film贴附于透明基板310上，并将贴附于透明基板310上的柔性Film作为柔性基底层330，即形成柔性基底层330采用的是Roll to Sheet工艺，而非现有技术中常用的Roll to Roll工艺。另外，柔性触控面板30中，透明基板310未贴附膜层的一侧为触控操作面。
需要说明的是，基于触控面板的常规结构，本发明实施例提供的柔性触控面板30还包括：设置于触控电极340远离柔性基底层330一侧的有机绝缘层(即OC层)360，以及用于连通触控电极340的ITO桥架370。
基于本发明实施例提供的柔性触控面板的制作方法，即Roll to Sheet工艺形成的柔性基底层330，该柔性基底层330上的ITO镀膜可以达到较厚的膜厚，例如大于一定的膜厚阈值，该膜厚阈值即为实现要求面内ITO方阻的最低厚度。本发明实施例中进行ITO镀膜采用的靶材可以为上述实施例中铟锡比为90:10的ITO靶材，触控电极的厚度可以为1200～1500埃A，经过大量试验验证该厚度下可以满足ITO方阻为30～40Ω/□的要求。
本发明实施例提供的柔性触控面板，为采用本发明上述实施例提供的制作方法制作完成的，基于柔性基底层为采用光学胶层贴附于透明基板上的Roll to Sheet工艺方式，柔性基底层远离触控操作面一侧的触控电极(ITO电极)具有厚度大于膜厚阈值的特征，在满足厚度阈值的情况下，本发明实施例提供的柔性触控面板的ITO电极(即触控电极)具有较低的方阻值，解决了采用现有技术中的柔性触控面板，难以满足窄边框对较低方阻值的要求。
进一步地，本发明实施例提供的柔性触控面板，基于ITO电极的低方阻值的特性，在该柔性触控面板应用于显示器件时，显示器件分解在ITO电极上的功耗也更低，对显示器件的充电时长和触控灵敏性都有较优的作用效果。
可选地，本发明实施例提供的柔性触控面板30中，柔性基底层330的边缘内缩于OCA层320的边框1～2mm。
基于本发明上述实施例提供的制作方法，若采用现有技术中柔性基底层330外扩于OCA层320的结构，在进行退火工艺后，由于柔性基底层边缘的膜缩、与柔性基底层和OCA层接触位置的热膨胀及膜缩的差异，会导致OCA层与COP层边缘出现大的条型边缘气泡，无法满足量产即后续制程的需求。因此将柔性触控面板30的结构设置为：柔性基底层330的边缘内缩于OCA层320的边框1～2mm。
需要说明的是，实现柔性基底层330的边缘内缩于OCA层320的边框的工艺方式和有益效果，在上述实施例中已经详细说明，故在此不再赘述。
基于本发明上述各实施例提供的柔性触控面板，本发明实施例还提供一种柔性触控装置，该柔性触控装置包括：本发明上述任一实施例提供的柔性触控面板30，还可以包括位于柔性触控面板30周边非触控区的电路结构，该非触控区即为柔性触控装置的边框，还可以包括摄像头、实体按键、闪光灯等。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种柔性触控面板的制作方法，其特征在于，包括：
在柔性基底层上形成第一氧化铟锡ITO膜层，所述第一ITO膜层的厚度大于膜厚阈值，所述柔性基底层为通过光学胶层贴附于透明基板上的；
对所述第一ITO膜层进行图形化处理，形成柔性触控面板的触控电极。
2.根据权利要求1所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述在柔性基底层上形成第一氧化铟锡ITO膜层之前，所述方法还包括：
依次在所述透明基板上贴附所述光学胶层和所述柔性基底层，并将所述柔性基底层的边缘设置为内缩于所述光学胶层的边框；
对所述透明基板、所述光学胶层和所述柔性基底层进行退火处理。
3.根据权利要求2所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一ITO膜层进行图形化处理，包括：
在所述第一ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，其中，进行曝光处理时采用曝光机挡板遮挡所述第一ITO膜层的周边，使得所述第一ITO膜层覆盖于所述柔性基底层周边的ITO膜在进行刻蚀处理后被保留。
4.根据权利要求3所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述形成柔性触控面板的触控电极之后，所述方法还包括：
在所述柔性触控面板的非触控区形成的金属走线；
在所述触控电极和所述金属走线上形成有机绝缘层，并通过图形化工艺在所述有机绝缘层上形成过孔；
在所述有机绝缘层上形成第二ITO膜层，并对所述第二ITO膜层进行图形化处理，形成所述触控电极的桥架结构；
其中，对所述第二ITO膜层进行图形化处理，包括：
在所述第二ITO膜层上进行涂胶、曝光、显影和刻蚀处理，进行曝光处理时将所述曝光机挡板放置于远离所述柔性基底层的周边，使得进行刻蚀处理时去除覆盖于所述柔性基底层周边的ITO膜。
5.根据权利要求2～4所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述退火处理的温度为130～140℃。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述第一ITO膜层的厚度为1200～1500埃。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述用于形成所述第一ITO膜层采用的靶材的铟锡比为90:10。
8.根据权利要求2～4中任一项所述的柔性触控面板的制作方法，其特征在于，所述柔性基底层的边缘内缩于所述光学胶层的边框1～2毫米。
9.一种柔性触控面板，其特征在于，所述柔性触控面板为采用如权利要求1～8中任一项所述的柔性触控面板的制作方法制作的，所述柔性触控面板包括：透明基板，依次设置于所述透明基板远离触控操作面一侧光学胶层和柔性基底层，以及设置于所述柔性基底层远离透明基板一侧的触控电极；
其中，所述触控电极为厚度大于膜厚阈值的氧化铟锡ITO膜层，所述柔性基底层为通过所述光学胶层贴附于所述透明基板上的。
10.根据权利要求9所述的柔性触控面板，其特征在于，所述柔性基底层的边缘内缩于所述光学胶层的边框1～2毫米。
11.根据权利要求9或10所述的柔性触控面板，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为1200～1500埃。
12.一种柔性触控装置，其特征在于，包括：如权利要求9～11中任一项所述的柔性触控面板。
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