CN105009042A - 导电结构体前体、导电结构体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开的是：一种包括基板、透明导电层和金属层的导电结构体及其制造方法，其中，可以通过辊对辊工艺层压非晶形透明导电层和金属层，从而简化工艺，并且通过在所述导电结构的最外层上形成金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层，所述导电结构体可以更加容易进行设置在所述金属层的下部的非晶形透明导电层的结晶。

Description

导电结构体前体、导电结构体及其制造方法
技术领域
本申请要求享有2013年11月27日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0145567号的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种导电结构体前体、一种导电结构体以及其制造方法。
背景技术
触屏面板通常根据信号的检测方法而划分如下。换言之，所述类型包括在施加直流电压时经由电流或电压值的变化来感测由压力按压位置的电阻型、在施加交流电压时使用电容耦合的电容型以及在施加磁场时随着电压的变化感测选定位置的电磁型。
目前，透明ITO电极通常用于制造接触式传感器。透明ITO电极通常用于接触式传感器的屏幕单元，并且在配线单元中使用具有相对小的电阻的金属。随着最近对窄边框(narrow bezel)的需求增加，对将金属沉积于ITO上的膜的需求也增加了。
窄边框涉及以下一种趋势：在有限的便携装置尺寸中随着触屏增大，金属线宽度逐渐减小，并且随着高分辨率屏幕变得更普遍，通道数目增加。
当制造包括ITO层和金属层的层压体时，如图1中所示，通常使用以下方法：使ITO层结晶，其中所述ITO层被层压在基板(PET)上，在所述结晶的ITO层上形成金属层，而后使所述金属层图案化。
现有技术文件
韩国专利申请公开第10-2010-0007605号。
发明内容
技术问题
本申请的一个目的是提供一种导电结构体前体、一种导电结构体以及其制造方法。具体而言，在制造包括透明导电层和金属层的导电结构体方面，本申请的发明人提供一种能够通过在非晶形透明导电层上形成金属层而后使所述透明导电层结晶来进行连续加工的导电结构体。
技术方案
本申请的一个实施方式提供一种导电结构体前体，其包括：基板；设置在所述基板上的非晶形透明导电层；和设置在所述非晶形透明导电层上的金属层。
另外，本申请的一个实施方式提供一种制造导电结构体的方法，其包括：制备导电结构体前体，所述导电结构体前体包括基板、设置在所述基板上的非晶形透明导电层和设置在所述非晶形透明导电层上的金属层；以及热处理所述导电结构体前体以使所述非晶形透明导电层结晶。
此外，本申请的一个实施方式提供一种使用上述制造方法制造的导电结构体，所述导电结构体包括：基板；设置在所述基板上的结晶透明导电层；和设置在所述结晶透明导电层上的金属层。
另外，本申请的一个实施方式提供一种包括所述导电结构体的触屏面板。
有益效果
根据本申请的一个实施方式的导电结构体可有效地使诸如ITO层的透明导电层结晶，即使在诸如ITO层的透明导电层上形成金属层之后。另外，可在使诸如ITO层的透明导电层结晶之前在非晶形层上形成金属层，因此，非晶形透明导电层和金属层可经由辊对辊工艺(roll to roll process)层压，且因此，可简化所述工艺。此外，通过在导电结构体的最外层上形成金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物，可更容易地使设置在金属层底部的非晶形透明导电层结晶。
附图说明
图1为显示根据现有技术的ITO结晶工艺的模拟图。
图2为显示根据本公开的一个实施方式的ITO结晶工艺的模拟图。
图3为显示根据本公开的一个实施方式的导电结构体前体的结构的图。
图4为显示根据本公开的一个实施方式的导电结构体的结构的图。
图5示意性地显示如本申请的一个实施方式，在制造导电结构体的方法中的热处理工艺期间的热传导流动。
图6为测量表1的非晶形ITO的残余压应力的曲线图。
图7为测量表1的前结晶的ITO的残余压应力的曲线图。
图8为测量表1的后结晶的ITO的残余压应力的曲线图。
图9显示根据本申请的一个实施方式的导电结构体的表面电阻值。
具体实施方式
在本说明书中，一个构件被放置在另一构件“上”的描述不仅包括所述一个构件邻接所述另一构件的情况，而且亦包括又一构件存在于这两个构件之间的情况。
在本说明书中，某一部分“包括”某些组分的描述意味着能够进一步包括其他组分，且除非相反地特别陈述，否则不排除其他组分。
在下文中，将更详细地描述本申请。
在本说明书中，显示器件是统指电视、计算机显示屏等的术语，并且包括形成影像的显示元件及支撑所述显示元件的外壳。
所述显示元件的例子包括等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可设置用于获得影像的RGB像素图案以及额外的光学滤光片。
同时，关于显示器件，随着智能型手机、平板PC、IPTV等的加速普及，对于人的双手直接变为输入设备而无需诸如键盘或遥控器的单独输入设备的触控功能的需求已逐渐增加。另外，还需要能够写入的多点触控功能以及特定点识别。
目前商品化的大多数触屏面板(TSP)都基于透明导电ITO薄膜，但其问题在于，当在大面积的触屏面板中使用时，由透明ITO电极自身的相对高的表面电阻(最小150Ω/□，由日东电工株式会社(Nitto Denko Corporation)制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，导致触摸识别速度变得较低，且需要引入额外的补偿芯片以便克服此问题。
在触屏面板的屏幕单元的情况下，通常使用透明ITO电极，并且在配线单元中使用具有相对小的电阻的金属(Ag、Cu等)，且由于最近对窄边框的需求有所增加，对将金属沉积在ITO上的膜的需求也增加了。
窄边框涉及以下一种趋势：在有限的便携装置尺寸中随着触屏增大，金属线宽度逐渐减小，并且随着高分辨率屏幕变得更普遍，通道数目增加。
现有方法通过丝网印刷Ag糊膏使用100μm/100μm(线宽/线间距)配线，然而，在对窄边框的需求上，需要使用曝光蚀刻方法以便获得30μm/30μm，且通过将配线金属沉积在ITO膜上、接着干膜抗蚀剂(DFR)层压所得物且接着曝光及蚀刻图案来获得微小线宽。
作为用于沉积的金属，通常使用具有优异导电性的Ag、Cu、Al等，然而，特别是对于Cu(其对抗氧化和腐蚀的能力较弱)通过层压起到氧化和腐蚀防止层作用的Ni合金(Cu-Ni、Ni-Cr等)来使用两个或更多个层的结构。
在图1中示意性地显示制造导电结构体的现有方法。
如图1中所示，在现有技术中，将非晶形ITO形成于基板上，然后经由热处理工艺等使非晶形ITO结晶。在此之后，将金属层形成于结晶ITO上，且使用光刻法等使金属层图案化。此类方法的优点在于稳定地确保ITO的特性，然而，所述方法的问题在于，归因于非晶形ITO的热处理工艺的设施是复杂的，且工艺变得复杂。
鉴于上述情况，根据本申请的一个实施方式的制造导电结构体的方法包括在非晶形透明导电层上形成金属层，然后热处理所得物以使透明导电氧化物层结晶。
根据本申请的一个实施方式的制造导电结构体的方法能够在使透明导电层结晶之前在非晶形层上形成金属层，因此，非晶形透明导电层和金属层可经由辊对辊工艺层压，因此，可简化工艺。
本申请的一个实施方式提供一种导电结构体前体，其包括：基板；设置在所述基板上的非晶形透明导电层；以及设置在所述非晶形透明导电层上的金属层。图3为显示根据本申请的一个实施方式的导电结构体前体的图。具体而言，图3显示一种导电结构体前体，其设置有层压的基板、非晶形ITO和金属层。本申请的导电结构体并不限于图3的结构，且可进一步设置额外的层。
在本说明书中，导电结构体前体意指通过使非晶形透明导电层结晶而变为导电结构体。换言之，导电结构体前体意指在导电结构体结晶之前的状态。
根据本申请的一个实施方式，导电结构体前体可进一步包括金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层，并且所述金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层可设置在金属层上。
本申请的一个实施方式提供一种制造导电结构体的方法，其包括：制备导电结构体前体，所述导电结构体前体包括基板、设置在所述基板上的非晶形透明导电层以及设置在所述非晶形透明导电层上的金属层；以及热处理所述导电结构体前体以使所述非晶形透明导电层结晶。
根据本申请的一个实施方式，制备导电结构体前体的步骤可包括：制备基板；在所述基板上形成非晶形透明导电层；以及在所述非晶形透明导电层上形成金属层。
在根据本申请的一个实施方式的制造方法中，所述导电结构体前体可与上述导电结构体前体相同。
根据本申请的一个实施方式，所述基板不受特别限制，并且可使用本领域中已知的材料。举例而言，可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等，然而，所述基板不限于此。
根据本申请的一个实施方式，所述非晶形透明导电层可以包括选自非晶形氧化铟、非晶形氧化锌、非晶形氧化铟锡、非晶形氧化铟锌和非晶形透明导电聚合物的一种或多种类型，但不限于此。
根据本申请的一个实施方式，所述非晶形透明导电层的厚度可以大于或等于15nm且小于或等于20nm，但不限于此。
根据本申请的一个实施方式，可以使用上述用于非晶形透明导电层的材料经由沉积工艺或印刷工艺形成所述非晶形透明导电层。
根据本申请的一个实施方式，所述金属层可以包括选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)以及包含这些中的两种或更多种的合金中的一种或多种类型。
根据本申请的一个实施方式，可以使用本领域中已知的方法形成所述金属层。举例而言，可以使用诸如蒸发、溅射、湿涂、汽化、电镀或无电镀和金属箔层压的方法用于所述形成。
根据本申请的一个实施方式，所述金属层亦可使用印刷方法形成。当使用印刷方法形成金属层时，可以使用包含金属的油墨或糊膏，并且所述糊膏除了金属之外还可进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃料等。
根据本申请的一个实施方式，所述金属层的厚度可以大于或等于0.01μm且小于或等于30μm。当金属层的厚度在以上范围内时，在金属层的导电性和图案形成工艺的经济可行性方面可以获得更优越的效果。
根据本申请的一个实施方式，在热处理步骤之前可进一步包括在所述金属层上形成金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层的步骤。
根据本申请的一个实施方式，所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层可以包含选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)及其合金的金属的氧化物、氮化物或氧氮化物。
根据本申请的一个实施方式，所述金属层以及所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层可以包含相同金属。当考虑随后用于图案化的蚀刻工艺时，因为可以立刻进行蚀刻，所以包含相同金属的金属层以及金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层具有节省工艺成本的优点。
根据本申请的一个实施方式，所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层可以使用本领域中已知的方法形成。举例而言，可以使用诸如蒸发、溅射、湿涂、汽化、电镀或无电镀以及金属箔层压的方法用于所述形成。
根据本申请的一个实施方式，所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层也可使用印刷方法形成。当金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层是使用印刷方法形成时，可以使用包含金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物的油墨或糊膏，并且所述糊膏除了金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物之外还可进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃料等。
根据本申请的一个实施方式，所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层的厚度可以大于或等于5nm且小于或等于80nm，但不限于此。
根据本申请的一个实施方式，通过在金属层上形成金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层，可以提高随后所进行的用于使非晶形透明导电层结晶的热处理工艺的效率。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理的步骤可以是使用红外线(IR)灯的热处理工艺。更具体而言，根据本申请的一个实施方式，使用红外线灯的热处理工艺是一种使用远红外线作为源的方法，并且是在2μm以上波长区内发生材料吸收时能够加热的热处理工艺。所述非晶形透明导电层的结晶可经由此类效果进行。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理的步骤可以使用远红外线(FIR)加热器，且这可使用一种使用由红外线(IR)灯源产生的远红外线控制加热器内部的气温的方法。具体而言，远红外线将加热器内部的空气加热，并且温度升高的空气通过内部吹风机循环，且以此方式控制温度。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理的步骤可在大于或等于100℃且小于或等于180℃的温度下进行。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理的步骤的具体条件可由本领域技术人员根据诸如非晶形透明导电层的材料及厚度的条件来确定。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理的步骤可以使用在金属层上照射红外线的方法或在基板底部处照射红外线的方法进行。在本文中，在非晶形透明导电层的结晶方面，热处理非晶形透明导电层的工艺优选使用在金属层上照射红外线的方法进行。
所述金属层相对于红外线具有高反射率，并且在红外线的长波长区内无吸收发生，因此，在将红外线照射在金属层上时，会顾虑到可能由于金属层的红外线反射而使热处理功能下降。因此，在本申请中，更优选使用以下方法：其中，将金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层形成于金属层上，并且将红外线照射在如上所述的金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层上。在本文中，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层不仅提高金属层的耐腐蚀性，而且通过在热处理工艺期间吸收红外线提高非晶形透明导电层在金属层底部处结晶的效率。
图2显示根据上述实施方式的工艺的模拟图。在显示了现有技术的图1中，ITO结晶是在ITO上形成金属层之前进行，而在图2的根据本公开的实施方式的方法中，ITO结晶是在ITO上形成金属层之后进行。在图2中ITO作为一个例子显示，然而，本发明的范围不限于此，并且ITO可替换为需要结晶的透明导电材料。
在上述方法中，在通过热处理结晶之前的透明导电层是非晶形的。在透明导电层中，热处理之前的结晶前状态(即，非晶形状态)下的电阻和热处理之后的结晶状态(即，结晶态)下的电阻可以根据材料在制造工艺期间通过条件和组成来控制。举例而言，当透明导电层为ITO层时，当使用例如溅射来沉积ITO时，通过氧流分数和ITO靶材组分含量来控制结晶之前和结晶之后的电阻。因此，在本说明书中，术语“非晶形”和“结晶”可以通过其电阻识别。本领域技术人员可以根据材料识别非晶形状态下的电阻和结晶态下的电阻。
根据本申请的一个实施方式，通过在非晶形透明导电层上形成金属层然后热处理及使非晶形透明导电层结晶，当形成非晶形透明导电层之后立即形成金属层时，可以使用连续辊对辊(R2R)工艺，并且使用者或提供者可经由热处理使非晶形透明导电层结晶，因此，其优点在于可简化所述工艺。
根据本申请的一个实施方式，所述热处理步骤可为将红外光照射在金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层上。
作为本申请的一个实施方式，在图5中示意性地显示在制造导电结构体的方法中的热处理工艺期间的热传导流动。在图5中，金属氧氮化物被图示为设置在金属层上的层，然而，也可以使用金属氧化物层和金属氮化物层。另外，ITO作为一个例子在图5中显示，然而，本发明的范围不限于此，并且ITO可替换为需要结晶的透明导电材料。具体而言，当在图5中将金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层设置在金属层上时，与其中红外线直接进入金属层的情况相比，红外线能量可更有利地转移至透明导电层。
根据本申请的一个实施方式，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层使在热处理步骤中由金属层反射的能量最小化，并且起到有利地将能量转移至非晶形透明导电层的作用。
根据本申请的一个实施方式，可以进一步在基板与金属层之间设置额外的金属氧化物层、额外的金属氮化物层或额外的金属氧氮化物层。
根据本申请的一个实施方式，在热处理步骤之后可以进一步包括使金属层图案化。
根据本申请的一个实施方式，在热处理步骤之后可进一步包括使金属层，以及金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层图案化。
根据本申请的一个实施方式，使金属层，以及金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层图案化的工艺可作为独立工艺进行或同时进行。
根据本申请的一个实施方式，经图案化的金属层的图案线宽可以大于0μm且小于或等于50μm，以及大于0μm且小于或等于30μm，但不限于此。另外，根据本申请的一个实施方式，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层可以具有与金属层相同的图案形状。
根据本申请的一个实施方式，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层的图案大小不须与金属层的图案完全相同，并且其中金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层的图案线宽窄于或宽于金属层的图案线宽的情况也包括在本申请的范围内。具体而言，根据本申请的一个实施方式，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层的图案线宽可为金属层的图案线宽的80％至120％。或者，根据本申请的一个实施方式，在金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层中配置有图案的面积可为在金属层中配置有图案的面积的80％至120％。甚至更具体而言，金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层的图案形状优选为与金属层的图案线宽相比具有相同或更大图案线宽的图案形状。
本申请的一个实施方式提供一种使用所述制造导电结构体的方法制造的导电结构体。
具体而言，本申请的一个实施方式提供一种导电结构体，所述导电结构体是使用所述制造导电结构体的方法制造的，并且所述导电结构体包括：基板；设置在所述基板上的结晶透明导电层；和设置在所述结晶透明导电层上的金属层。
图4图示说明所述导电结构体的结构的一个例子。图4图示说明一种导电结构体，其中，基板、结晶ITO和金属层以连续顺序层压，且ITO作为一个例子在图4中显示，然而，本发明的范围不限于此，且ITO可替换为需要结晶的透明导电材料。另外，根据本申请的一个实施方式，可在图4的结构中在金属层上进一步设置金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层。
根据本申请的一个实施方式，所述导电结构体包括在基板上的结晶透明导电层及和在所述结晶透明导电层上的金属层。另外，导电结构体可以包括在金属层上的金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层。此外，金属层，以及金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层可为图案化的层。
根据本申请的一个实施方式，所述透明导电层可包括非晶形区域。
当使用上述制造含有金属层和结晶的透明导电层的层压体的方法来制造时，在将金属层设置在透明导电层上的同时，通过热处理进行透明导电层的结晶，因此，与使没有设置有金属层的透明导电层结晶的情况相比，非晶形区域可存在于透明导电层中。
根据本申请的一个实施方式，透明导电层的残余压应力大小可以小于在无金属层的情况下通过热处理结晶的透明导电层的残余压应力。
具体而言，作为残余压应力(Gpa)，残余压应力随着在非晶形透明导电层的结晶工艺期间晶粒变得较大而增加。然而，当使用上述方法制造导电结构体时，由于金属层存在，非晶形区域存在于一些区域中，因此，残余压应力可以小于在无金属层的情况下使透明导电层结晶的情况。
表1显示当在无金属层的情况下使ITO结晶时和当在ITO上设置用Cu形成的金属层时的残余压应力的测量结果。
[表1]
表1的残余压应力是使用经由X射线照射至透明导电层的光束的偏转度与透明导电层材料的固有系数之间的差值获得的。具体而言，当在透明导电层上未施加压应力或拉伸应力时，照射的X射线光束存在于透明导电层外部。然而，当在透明导电层上施加压应力或拉伸应力时，内部材料的形状稍微改变，因此，当X射线以不同照射角度照射时，照射光束存在于透明导电层上。基于这里的变化程度，可使用与形成透明导电层的材料的固有系数(诸如杨氏模量(Young's modulus))的差值而获得残余压应力。
图6为测量表1的非晶形ITO的残余压应力的曲线图。
图7为测量表1的前结晶的ITO的残余压应力的曲线图。
图8为测量表1的后结晶的ITO的残余压应力的曲线图。
从表1的结果可见，可见的是，与在设置金属层之后结晶的ITO相比，在无金属层的情况下结晶的ITO具有较大残余压应力。
本申请的一个实施方式提供一种包括所述导电结构体的触屏面板。举例而言，在电容型触屏面板中，根据本申请的一个实施方式的导电结构体可用作触敏式电极基板。特别地，导电结构体更优选在触屏面板中用于配线单元(诸如边框单元)，然而，其用途不限于此。
根据本申请的一个实施方式的触屏面板除上述导电结构体之外还可进一步包括额外的结构体。在此情况下，两个结构体可设置在相同方向上，或者两个结构体可设置在相对方向上。当包括两个或更多个结构体时，可在其间设置绝缘层。在本文中，绝缘层可另外具有粘合层的功能。
根据本申请的一个实施方式的触屏面板可包括：下部基板；上部基板；和设置在邻接上部基板的下部基板的表面及邻接下部基板的上部基板的表面的任何一侧或两侧上的电极层。所述电极层可以各自具有X轴位置检测以及Y轴位置检测的功能。
在本文中，设置在下部基板及邻接上部基板的下部基板的表面上的电极层以及设置在上部基板及邻接下部基板的上部基板的表面上的电极层中的一个或两者可为上述根据本申请的一个实施方式的导电结构体。
当通过在上部基板和下部基板两者的一个表面上设置电极层来形成两个电极层时，可以在下部基板与上部基板之间设置绝缘层或间隔物，以使得电极层之间维持恒定距离且不发生连接。所述绝缘层可以包含粘合剂或UV或热可固化树脂。触屏面板可进一步包括连接至上述导电结构体中的导电层的图案的接地连接单元。举例而言，所述接地连接单元可形成于在其上形成了基板的导电层的图案的表面的边缘部分上。另外，抗反射膜、偏光膜、抗指纹膜中的至少一种可设置在包括所述导电结构体的层压体的至少一个表面上。根据设计规格，除了上述功能膜之外，可进一步包括其他类型的功能膜。此类触屏面板可用于诸如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP的显示器件中。
本申请的一个实施方式提供一种包括所述导电结构体的显示器件。在显示器件中，根据本申请的一个实施方式的导电结构体可用于彩色滤光片基板、薄膜晶体管基板等中。
本申请的一个实施方式提供一种包括所述导电结构体的太阳能电池。举例而言，太阳能电池可以包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本申请的一个实施方式的导电结构体可用作阳极电极和/或阴极电极。
所述导电结构体可以取代显示器件或太阳能电池中的现有ITO，并且可具有在柔性产品中的潜在应用。另外，所述导电结构体可与CNT、导电聚合物、石墨烯等一起用作下一代透明电极。
在下文中，将参照实施例、对比实施例以及实验实施例详细地描述本申请。然而，以下实施例仅为出于举例说明的目的，且本发明的范围不限于此。
<实施例>
<实施例1>
ITO的状态为在紧接着形成ITO膜之后以及在室温下使用此膜经由溅射形成金属电极层之后的非晶形状态，经由通过注入诸如氧气或氮气的反应气体在最上层上形成对于红外线(IR)吸收或高温高湿相对稳定的氧化物或氮化物的反应性溅射步骤来制造导电结构体。
更具体而言，制造一种具有非晶形ITO/Cu(～100nm)/CuOx(40nm～60nm)结构的导电结构体。
在大约25分钟内在145℃下使20M的作为所制造的导电结构体的呈卷状态的膜通过R2R远红外线IR之后，通过测试测定下部ITO的结晶度，并且结果显示于下表2中。
下部ITO的结晶度可以通过测量在使用蚀刻剂移除上部金属之后展现的ITO的电阻来测定。这里，当电阻显示结晶ITO的电阻值时，ITO主要确定为结晶，然而，关于是否进行了充分结晶的测定而言，可决定的是，当另外将ITO浸入蚀刻剂中时，在电阻值增加时结晶为不充分的。原因在于，充分结晶的ITO对金属蚀刻剂无很大反应而因此不经历显著的电阻增加。
[表2]
从表1的结果可见，在实验结果中，紧接着金属剥除之后的ITO表面电阻(即结晶ITO的表面电阻)经测量为大约150Ω/□，而当在另外将ITO浸入(4分钟)Cu蚀刻剂中之后测量时表面电阻也为大约150Ω/□，因此，可确定的是，下部ITO充分结晶。然而，当不进行IR热处理时，可见的是，表面电阻经测量为大约270Ω/□，即非晶形ITO的表面电阻，并且表面电阻在额外浸入之后增加至大致1,050Ω/□，这是因为非晶形ITO被Cu蚀刻剂蚀刻。
根据本申请的一个实施方式的导电结构体的表面电阻值显示于图9中。
当诸如IR的光照射在某一材料上时，在材料中发生反射(R)、透射(T)以及吸收(A)，并且从能量的观点来看总和需要为100％。根据图9，纯金属(Al或Cu)几乎不透射IR而反射其绝大部分，因此，与温度升高相关的吸收(A)因素几乎不存在。在此情况下，不存在由于金属的IR吸收导致的温度升高效果，并且由于未能提供用于下部ITO结晶所需的热源，结晶没有顺利地发生，然而，在诸如CuOx或AlOxNy的情况下，在IR区域发生一定的吸收，并且这导致材料的温度升高，因此，可以经由传导提供用于下部ITO结晶所需的能量。

Claims (20)

1.一种导电结构体前体，其包括：
基板；
设置在所述基板上的非晶形透明导电层；和
设置在所述非晶形透明导电层上的金属层。
2.权利要求1所述的导电结构体前体，其进一步包括金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层，其中，将所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层设置在所述金属层上。
3.权利要求1所述的导电结构体前体，其中，所述非晶形透明导电层包括选自非晶形氧化铟、非晶形氧化锌、非晶形氧化铟锡、非晶形氧化铟锌和非晶形透明导电聚合物中的一种或多种类型。
4.权利要求1所述的导电结构体前体，其中，所述金属层包括选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)以及包含这些中的两种或更多种的合金中的一种或多种类型。
5.权利要求2所述的导电结构体前体，其中，所述金属层以及所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层包括相同金属。
6.权利要求1所述的导电结构体前体，其中，所述非晶形透明导电层的厚度大于或等于15nm且小于或等于20nm。
7.权利要求1所述的导电结构体层压前体，其中，所述金属层的厚度大于或等于0.01μm且小于或等于30μm。
8.权利要求2所述的导电结构体前体，其中，所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层的厚度大于或等于5nm且小于或等于80nm。
9.一种制造导电结构体的方法，其包括：
制备导电结构体前体，所述导电结构体前体包括基板、设置在所述基板上的非晶形透明导电层和设置在所述非晶形透明导电层上的金属层；以及
热处理所述导电结构体前体以使所述非晶形透明导电层结晶。
10.权利要求9所述的制造导电结构体的方法，其进一步包括在所述热处理步骤之前在所述金属层上形成金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层。
11.权利要求10所述的制造导电结构体的方法，其中，所述金属层以及所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层包括相同金属。
12.权利要求9所述的制造导电结构体的方法，其中，所述热处理步骤采用使用红外线(IR)灯的热处理工艺。
13.权利要求9所述的制造导电结构体的方法，其中，所述热处理步骤在大于或等于100℃且小于或等于180℃的温度下进行。
14.权利要求10所述的制造导电结构体的方法，其中，所述热处理步骤为将红外光照射在所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层上。
15.权利要求9所述的制造导电结构体的方法，其进一步包括在所述热处理步骤之后使所述金属层图案化。
16.权利要求10所述的制造导电结构体的方法，其进一步包括在所述热处理步骤之后使所述金属层以及所述金属氧化物层、所述金属氮化物层或所述金属氧氮化物层图案化。
17.一种导电结构体，其是根据权利要求9至16中任一项所述的制造方法制造的，所述导电结构体包括：
基板；
设置在所述基板上的结晶透明导电层；以及
设置在所述结晶透明导电层上的金属层。
18.权利要求17所述导电结构体，其中，所述透明导电层包括非晶形区域。
19.权利要求17所述导电结构体，其中，所述透明导电层的残余压应力大小小于在没有所述金属层的情况下经热处理和结晶的透明导电层的残余压应力。
20.一种触屏面板，其包括权利要求17所述导电结构体。
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