TWI516995B - 觸控裝置結構及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於觸控技術領域,特別是有關於一種觸控裝置結構及其製造方法。
隨著資訊科技的發展,觸控裝置成為人機之間資訊傳遞的方式之一。觸控裝置分為可視區及邊框區,在可視區中製作電極,在邊框區分佈電極引線,電極引線透過軟性電路板將電極的訊號傳遞到訊號處理器中,完成觸控感應的功能。通常電極是由複數X方向電極及複數Y方向電極交錯排列所構成,X方向電極及Y方向電極形成於不同的層位,且X方向電極與Y方向電極透過絕緣層相互絕緣。
這種具有多層電極的觸控裝置的製作方法,通常是透過濺鍍、微影與蝕刻製程在基底上依序製作出X方向電極、覆蓋X方向的絕緣層以及Y方向電極。然而,上述觸控裝置的製作方法中,形成次一層結構時會對前一步驟已形成之層結構產生影響。例如,上述製作方法中經過多次真空濺鍍、曝光、顯影與蝕刻製程後,電極可能會出現裂紋或脫離基底等問題。
另外,上述製作方法需要真空鍍膜、微影與蝕刻製程的多道程序,所需設備昂貴,製作成本較高,且化學藥劑污染性大。
因此,有必要尋求一種新的觸控裝置結構之製造方法,其能夠解決或改善上述的問題。
本發明係提供一種觸控裝置結構及其製造方法,透過轉印製程製作絕緣層及感測電極,以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響,進而提升良率。
本發明係提供一種觸控裝置結構之製造方法,包括提供一基底,基底區分有一可視區;形成複數第一感測電極於可視區的基底上,且第一感測電極相互間隔排列;形成一絕緣層於第一感測電極上;以及轉印複數第二感測電極於絕緣層上,其中第二感測電極相互間隔排列,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過絕緣層相互絕緣。
本發明係提供另一種觸控裝置結構之製造方法,包括提供一基底,基底區分有一可視區;形成複數第一感測電極於可視區的基底上,且第一感測電極相互間隔排列;以及轉印一絕緣層及複數第二感測電極於第一感測電極上,其中第二感測電極相互間隔排列,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過絕緣層相互絕緣。
本發明係提供另一種觸控裝置結構之製造方法,包括提供一基底,基底區分有一可視區,且具有第一表面及與第一表面相對的第二表面;形成複數第一感測電極於第一表面上,且第一感測電極相互間隔排列;以及轉印複數第二感測電極於第二表面上,其中第二感測電極相互間隔排列,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透
過基底相互絕緣。
本發明係提供一種觸控裝置結構,包括一基底,基底區分有一可視區;複數第一感測電極,相互間隔地設置於可視區的基底上;一絕緣層,設置於第一感測電極上;一轉印基膜;以及複數第二感測電極,相互間隔地設置於轉印基膜上,其中第二感測電極透過轉印製程形成於絕緣層上,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過絕緣層相互絕緣。
本發明係提供另一種觸控裝置結構,包括一基底,基底區分有一可視區;複數第一感測電極,相互間隔地設置於可視區的基底上;一轉印基膜;複數第二感測電極,相互間隔地設置於轉印基膜上;以及一絕緣層,設置於第二感測電極上,其中第二感測電極及絕緣層透過轉印製程形成於第一感測電極上,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過絕緣層相互絕緣。
本發明係提供另一種觸控裝置結構,包括一基底,基底區分有一可視區,且具有第一表面及與第一表面相對的第二表面;複數第一感測電極,相互間隔地設置於基底的第一表面上;第二轉印基膜;以及複數第二感測電極,相互間隔地設置於第二轉印基膜上,其中第二感測電極透過轉印製程設置於基底的第二表面上,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過基底相互絕緣。
根據本發明實施例,由於透過轉印製程製作觸控裝置的絕緣層及感測電極,可將多層結構分成兩部分形成,因此與透過濺鍍、微影與蝕刻製程的傳統製造方法相比,可
以降低形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響,進而提升良率。再者,以轉印製程取代濺鍍、微影與蝕刻製程,可簡化製程,進而提高生產效率。另外由於無需昂貴的製程(例如,濺鍍、微影與蝕刻製程)設備,因此可提高價格競爭優勢以及降低化學藥劑的污染。
以下說明本發明實施例之觸控裝置結構及其製造方法。然而,可輕易了解本發明所提供的實施例僅用於說明以特定方法製作及使用本發明,並非用以侷限本發明的範圍。再者,在本發明實施例之圖式及說明內容中係使用相同的標號來表示相同或相似的部件。
請參照第1D及4圖,其繪示出根據本發明一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖及爆炸圖。在本實施例中,觸控裝置結構包括:一基底100、一絕緣層220、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜200。
基底100區分有一可視區110。第一感測電極230相互間隔地設置於可視區110的基底100上,且沿第一軸向(例如X方向)排列。絕緣層220設置於第一感測電極230上。第二感測電極240相互間隔地設置於轉印基膜200上,且沿第二軸向(例如Y方向)排列。第二感測電極240透過轉印製程形成於絕緣層220上,並與第一感測電極230交錯排列。其中第一軸向與第二軸向相互交叉,例如第一軸向與第二軸向相互垂直,但不以此為限。絕緣層220位於第一感測電極230與第二感測電極240之間,以使第一感測
電極230與第二感測電極240透過絕緣層220相互絕緣。
本實施例中,第二感測電極240透過轉印形成於絕緣層220上。舉例而言,先透過印刷製程,例如凹版印刷製程,在轉印基膜200上形成第二感測電極240,接著,將具有第二感測電極240的轉印基膜200貼附於基底100上,使絕緣層220位於第一感測電極230與第二感測電極240之間。第一感測電極230也可透過相似的轉印製程形成於基底100上。在其他實施例中,第一感測電極230也可以透過印刷直接形成於基底100上。相較於傳統的濺鍍、微影與蝕刻製程,由於進行轉印製程時不需要高溫處理,因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限於耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240的材料可為光學透明導電油墨,透明導電油墨包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)溶膠、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)溶膠、銦錫氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide,ITFO)溶膠、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide,AZO)溶膠、氟鋅氧化物(Fluorine Zinc Oxide,FZO)溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠(例如,聚乙烯二氧噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDOT)),其中透明導電油墨的導電率高於1/Ωcm。在其他實施例中,可透過濺鍍、微影及蝕刻製程取代上述轉印製程,以形成第一感測電極230。在此情形中,第一感測電極230可由含ITO、IZO、ITFO、AZO或FZO的耐高溫材料所構成。
在本實施例中,基底100更包括圍繞可視區110的邊
框區130。再者,觸控裝置結構更包括複數引線300,設置於邊框區130的基底100上,以分別電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。在另一實施例中,複數引線300設置於轉印基膜200上,且引線300透過轉印設置於邊框區130的基底100上,以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。
請參照第2D圖,其繪示出根據本發明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖,其中相同於第1D圖之部件係使用相同之標號並省略其說明。在本實施例中,觸控裝置結構包括:一基底100、一絕緣層220、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜200。基底100區分有一可視區110。第一感測電極230相互間隔地設置於可視區110的基底100上,且沿第一軸向(例如X方向)排列。第二感測電極240相互間隔地設置於轉印基膜200上,沿第二軸向(例如Y方向)排列。絕緣層220設置於第二感測電極240上。第二感測電極240及絕緣層220透過轉印設置於第一感測電極230上,其中第一感測電極230與第二感測電極240交錯排列,絕緣層220位於第一感測電極230與第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240透過絕緣層220相互絕緣。
本實施例中,第二感測電極240及絕緣層220透過轉印設置於第一感測電極230上。舉例而言,首先透過第一印刷製程,例如第一凹版印刷製程,形成第二感測電極240於轉印基膜200上。接著,透過第二印刷製程,例如第二凹版印刷製程,形成絕緣層220於第二感測電極240上。
然後,將具有第二感測電極240及絕緣層220的轉印基膜200貼附於基底100上,使絕緣層220位於第一感測電極230與第二感測電極240之間。第一感測電極230也可透過相似的轉印製程形成於基底100上。在其他實施例中,第一感測電極230也可以透過印刷直接形成於基底100上。第一感測電極230及第二感測電極240的材料與前述第1D圖實施例相同,故不再贅述。當絕緣層220採用凹版印刷制程製作時,絕緣層220由絕緣油墨材料(例如光學透明油墨)所構成,且其導電率低於10-10/Ωcm。
在本實施例中,基底100更包括圍繞可視區110的邊框區130。再者,觸控裝置結構更包括複數引線300設置於邊框區130的基底100上,以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。在另一實施例中,複數引線300設置於轉印基膜200上,且引線300透過轉印設置於邊框區130的基底100上,以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。
請參照第3B-1圖,其繪示出根據本發明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖,其中相同於第1D圖之部件係使用相同之標號並省略其說明。在本實施例中,觸控裝置結構包括:一基底100、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一第二轉印基膜200B。在本實施例中,基底100具有一可視區110,且具有第一表面100A及與第一表面100A相對的第二表面100B。第一感測電極230相互間隔地設置於基底100的第一表面100A上。第二感測電極240相互間隔地設置於第二轉印基膜200B上,且透過轉
印設置於基底100的第二表面100B上。第一感測電極230及第二感測電極240交錯排列設置於可視區110的基底100上。基底100位於第一感測電極230與第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240透過基底100相互絕緣。
本實施例中,第二感測電極240透過轉印設置於基底100的第二表面100B上。舉例而言,首先透過印刷製程,例如凹版印刷製程,形成第二感測電極240於第二轉印基膜200B上。接著,將具有第二感測電極240的第二轉印基膜200B貼附於基底100的第二表面100B上。第二感測電極240的材料與前述第1D圖所示實施例的相同,故不再贅述。
另外,觸控裝置結構更包括複數引線300設置於邊框區130的基底100上,用以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。在另一實施例中,複數引線300設置於轉印基膜200上,且引線300透過轉印設置於邊框區130的基底100與轉印基膜200之間,以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。
請參照第3B-2圖,在另一實施例中,觸控裝置結構包括第一轉印基膜200A及第二轉印基膜200B,其中第一感測電極230形成於第一轉印基膜200A上,且透過轉印設置於基底100的第一表面100A上。第二感測電極240形成於第二轉印基膜200B上,且透過轉印設置於基底100的第二表面100B上。第一感測電極230及第二感測電極240的材料為光學透明導電油墨。透明導電油墨包括奈米
銀溶膠、ITO溶膠、IZO溶膠、ITFO溶膠、AZO溶膠、FZO溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠,其中透明導電油墨的導電率高於1/Ωcm。
第1A至1E圖係繪示出對應前述第1D圖實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖。請參照第1A圖,提供一基底100,基底區分有一可視區110及圍繞可視區110的一邊框區130。形成複數第一感測電極230於可視區110的基底100上,第一感測電極230相互間隔,且沿第一軸向(例如X方向)排列。其中第一感測電極230可透過轉印製程形成於基底100上。舉例而言,先透過印刷製程,在一轉印基膜(未繪示)上形成第一感測電極230。接著,將具有第一感測電極230的轉印基膜貼附於基底100上。最後,再將轉印基膜剝離。另外,第一感測電極230也可以透過印刷製程直接形成於基底100上。再者,也可透過濺鍍、微影及蝕刻製程取代上述轉印製程,以形成第一感測電極230。
接著,請參照第1B圖,形成一絕緣層220於第一感測電極230上。其中絕緣層220也可以透過轉印形成於第一感測電極230上。舉例而言,先透過印刷製程,例如凹版印刷製程,在轉印基膜(未繪示)上形成絕緣層220。接著,將具有絕緣層220的轉印基膜貼附於第一感測電極230上。絕緣層220由絕緣油墨材料所構成,例如光學透明油墨,其導電率低於10-10/Ωcm。在另一實施例中,絕緣層220可透過印刷或沉積製程形成。
請參照第1C-1D圖,其繪示出轉印複數第二感測電極
240於絕緣層220上。第二感測電極240相互間隔排列,第一感測電極230與第二感測電極240交錯排列,且透過絕緣層220相互絕緣。首先,請參照第1C圖,透過印刷製程形成複數第二感測電極240及複數引線300於轉印基膜200上。第二感測電極240與引線300電性連接,印刷製程較佳為凹版印刷。第二感測電極240與引線300可以在同一印刷製程中同時形成,也可以在不同的印刷製程中分別形成。
接著,請參照第1D圖,將具有第二感測電極240及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上。其中第二感測電極240對應於可視區110且與第一感測電極230交錯排列,且其中絕緣層220位於第一感測電極230及第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240相互絕緣,而引線300對應於邊框區130,且分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。再者,在將具有第二感測電極240及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上的步驟之後,根據轉印基膜200的材料不同,可進行加熱或紫外線處理,以固化第二感測電極240及引線300。
再接著,請參照第1E圖,為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如,保護層、抗反射層等),或助於與其他電子部件(例如,顯示模組等)的貼合,可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時,基底100上相對於形成第一感測電極230的表面用以提供使用者直接進行觸控。
第2A至2D係繪示出對應第2D圖實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖。其中相同於第1A至1E圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第2A圖,提供一基底100,基底區分有一可視區110及圍繞可視區110的一邊框區130。形成複數第一感測電極230於可視區110的基底100上,第一感測電極230相互間隔,且沿第一軸向(例如X方向)排列。其中第一感測電極230的形成方法與前述第1A所述實施例相同,故不再贅述。
請參照第2B至2D圖,其繪示出轉印一絕緣層220及複數第二感測電極240於第一感測電極230上。其中,第二感測電極240相互間隔排列。第一感測電極230與第二感測電極240交錯排列,且透過絕緣層220相互絕緣。首先,請參照第2B圖,透過印刷製程形成複數第二感測電極240及複數引線300於轉印基膜200上。第二感測電極240電性連接於引線300,印刷製程較佳為凹版印刷製程。第二感測電極240與引線300可以在同一印刷製程中同時形成,也可以在不同的印刷製程中分別形成。
接著,請參照第2C圖,形成絕緣層220於第二感測電極240上。舉例而言,先透過印刷製程,例如凹版印刷製程,在第二感測電極240上形成絕緣層220。絕緣層220可由絕緣油墨材料所構成,例如光學透明油墨,其導電率低於10-10/Ω cm。
再接著,請參照第2D圖,將具有絕緣層220、第二感
測電極240及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上。其中第二感測電極240對應於可視區110且與第一感測電極230交錯排列,且其中絕緣層220位於第一感測電極230及第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240相互絕緣,而引線300對應於邊框區130,且分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。再者,在將具有絕緣層220、第二感測電極240及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上的步驟之後,根據轉印基膜200的材料不同,可進行加熱或紫外線處理,以固化絕緣層220、第二感測電極240及引線300。
再接著,請參照第2E圖,為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如,保護層、抗反射層等),或助於與其他電子部件(例如,顯示模組等)的貼合,可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時,基底100上相對於形成第一感測電極230的表面用以提供使用者直接進行觸控。
第3A至3C圖係分別繪示出第3B-1及第3B-2實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖,其中相同於第1A至1E圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第3A圖,提供一基底100,基底100區分有可視區110及圍繞可視區110的一邊框區130。再者,基底100具有第一表面100A及與第一表面100A相對的第二表面100B。
接著,請參照第3B-1圖,形成複數第一感測電極230於基底100的第一表面100A上,且第一感測電極230位於可視區110並相互間隔地設置。在本實施例中,第一感
測電極230可透過印刷直接形成於基底100上,也可以透過濺鍍、微影及蝕刻製程形成於基底100上。
接著,提供一第二轉印基膜200B用以轉印第二感測電極240於基底100的第二表面100B上。舉例而言,先透過印刷製程形成複數第二感測電極240及複數引線300於第二轉印基膜200B上,印刷製程較佳為凹版印刷。且第二感測電極240與引線300可以在同一印刷製程中同時形成,也可以在不同的印刷製程中分別形成。接著,將具有第二感測電極240及引線300的第二轉印基膜200B貼附於基底100的第二表面100B上。其中第二感測電極240對應於可視區110,且第二感測電極240與第一感測電極230交錯排列,基底100位於第一感測電極230及第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240相互絕緣。而引線300對應於邊框區130,且分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。再者,在將具有第二感測電極240及引線300的第二轉印基膜200B貼附於基底100上的步驟之後,根據第二轉印基膜200B的材料不同,可進行加熱或紫外線處理,以固化第二感測電極240及引線300。
請參照第3B-2圖,在另一實施例中,提供一第一轉印基膜200A,透過印刷製程形成複數第一感測電極230及與第一感測電極230電性連接的複數引線(未繪示)於第一轉印基膜200A上,印刷製程較佳為凹版印刷。接著,將具有第一感測電極230及與其連接的引線的第一轉印基膜200A貼附於基底100的第一表面100A上。其中第一感測
電極230對應於可視區110且引線對應於邊框區130。之後,提供一第二轉印基膜200B,透過印刷製程形成複數第二感測電極240及複數引線300於第二轉印基膜200B上,引線300電性連接於第二感測電極240,印刷製程較佳為凹版印刷。接著,將具有第二感測電極240及引線300的第二轉印基膜200B貼附於基底100的第二表面100B上。其中第二感測電極240對應於可視區110且引線300對應於邊框區130。第一感測電極230與第二感測電極240交錯排列,基底100位於第一感測電極230及第二感測電極240之間,以使第一感測電極230與第二感測電極240相互絕緣。再者,在將具有第二感測電極240及引線300的第二轉印基膜200B貼附於基底100上的步驟之後,根據第一、第二轉印基膜200A、200B的材料不同,可進行加熱或紫外線處理,以固化第一感測電極230、與第一感測電極230連接的引線、第二感測電極240及引線300。
再接著,請參照第3C圖,上述第3B-1及3B-2圖實施例中,在將第一轉印基膜200A及第二轉印基膜200B貼附於基底100上的步驟之後,為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如,保護層、抗反射層等),或助於與其他電子部件(例如,顯示模組等)的貼合,可將第一轉印基膜200A及第二轉印基膜200B從基底100上剝離。
在前述各實施例中,基底100可由玻璃、塑膠薄膜或其他習用的透明基底材料所構成。絕緣層220可由絕緣油墨材料(例如光學透明油墨)所構成,且其導電率低於10-10/Ω cm。引線300可由導電油墨(例如銀膠、銅膠或碳
膠)所構成,其導電率高於1/Ωcm。轉印基膜200、第一轉印基膜200A及第二轉印基膜200B可由具有可撓性的塑膠薄膜(例如聚酯薄膜(polyethylene terephthalate,PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚醯亞胺)所構成。再者,轉印基膜200的厚度可為20微米至200微米的範圍。
根據本發明實施例,由於透過轉印基膜進行轉印製程以製作觸控裝置的絕緣層及感測電極,可將多層結構分成兩部分形成,因此與透過濺鍍、微影與蝕刻製程的傳統製造方法相比,可以降低形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響,進而提升良率,同時提高了觸控裝置中感測電極的材料選擇性,而不受限於耐高溫材料。再者,以轉印製程取代濺鍍、微影與蝕刻製程,可簡化製程,進而提高生產效率。另外由於無需昂貴的製程(例如,濺鍍、微影與蝕刻製程)設備,因此可提高價格競爭優勢以及降低化學藥劑的污染。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基底
100A‧‧‧第一表面
100B‧‧‧第二表面
110‧‧‧可視區
130‧‧‧邊框區
200‧‧‧轉印基膜
200A‧‧‧第一轉印基膜
200B‧‧‧第二轉印基膜
220‧‧‧絕緣層
230‧‧‧第一感測電極
240‧‧‧第二感測電極
300‧‧‧引線
第1A至1E圖係繪示出本發明一實施例之觸控裝置結構製造方法剖面示意圖;第2A至2E圖係繪示出本發明另一實施例之觸控裝置結構製造方法剖面示意圖;以及第3A至3C圖係繪示出本發明另一實施例之觸控裝置結構結構製造方法剖面示意圖。
第4圖係繪示出本發明一實施例之觸控裝置結構的爆炸圖。
100‧‧‧基底
110‧‧‧可視區
130‧‧‧邊框區
200‧‧‧轉印基膜
220‧‧‧絕緣層
230‧‧‧第一感測電極
240‧‧‧第二感測電極
300‧‧‧引線
Claims (21)
- 一種觸控裝置結構之製造方法,包括:提供一基底,該基底區分有一可視區;形成複數第一感測電極於該可視區的該基底上,且該等第一感測電極相互間隔排列;形成一絕緣層於該等第一感測電極上;以及轉印複數第二感測電極於該絕緣層上,其中該等第二感測電極相互間隔排列,且其中該等第一感測電極與該等第二感測電極交錯排列,且透過該絕緣層相互絕緣,其中轉印該等第二感測電極於該絕緣層上的步驟更包括:形成該等第二感測電極於一轉印基膜上;以及將具有該等第二感測電極的該轉印基膜貼附於該基底上,使該絕緣層位於該等第一感測電極與該等第二感測電極之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中透過印刷製程形成該等第二感測電極於該轉印基膜上。
- 一種觸控裝置結構之製造方法,包括:提供一基底,該基底區分有一可視區;形成複數第一感測電極於該可視區的該基底上,且該等第一感測電極相互間隔排列;以及轉印一絕緣層及複數第二感測電極於該等第一感測電極上,其中該等第二感測電極相互間隔排列,且其中第一感測電極與第二感測電極交錯排列,且透過該絕緣層相互 絕緣,其中轉印該絕緣層及該等第二感測電極於該等第一感測電極上的步驟更包括:形成該等第二感測電極於一轉印基膜上,該等第二感測電極相互間隔排列;形成該絕緣層於該等第二感測電極上;以及將具有該等第二感測電極及該絕緣層的該轉印基膜貼附於該基底上,使該絕緣層位於該等第一感測電極與該等第二感測電極之間。
- 如申請專利範圍第3項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中透過一第一印刷製程形成該等第二感測電極於該轉印基膜上,透過一第二印刷製程形成該絕緣層於該等第二感測電極上。
- 如申請專利範圍第1或3項所述之觸控裝置結構之製造方法,該等第一感測電極係透過轉印形成於該基底上,其中該等第一感測電極的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
- 一種觸控裝置結構之製造方法,包括:提供一基底,該基底區分有一可視區,且具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面;形成複數第一感測電極於該第一表面上,且該等第一感測電極相互間隔排列;以及轉印複數第二感測電極於該第二表面上,其中該等第二感測電極相互間隔排列,且其中該等第一感測電極與該 等第二感測電極交錯排列,且透過該基底相互絕緣,其中轉印該等第二感測電極於該第二表面上的步驟更包括:形成該等第二感測電極於一第二轉印基膜上,該等第二感測電極相互間隔排列;以及將具有該等第二感測電極的該第二轉印基膜貼附於該基底的該第二表面上。
- 如申請專利範圍第6項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中形成該等第一感測電極於該第一表面上的步驟更包括:形成該等第一感測電極於一第一轉印基膜上,該等第一感測電極相互間隔排列;以及將具有該等第一感測電極的該第一轉印基膜貼附於該基底的該第一表面上。
- 如申請專利範圍第6項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中該等第二感測電極透過印刷製程形成。
- 如申請專利範圍第7項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中該等第一感測電極透過印刷製程形成。
- 如申請專利範圍第2、4、8及9項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中該印刷製程包括凹版印刷製程。
- 如申請專利範圍第1、3、6及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法,在將該轉印基膜貼附於該基底的步驟之後,還包括剝離該轉印基膜,以使所述觸控裝置結構與電子部件貼合。
- 如申請專利範圍第1、3及6項中任意一項所述之 觸控裝置結構之製造方法,其中該等第二感測電極的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
- 如申請專利範圍第1、3及6項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區,且該製造方法更包括在該邊框區的該基底上形成複數引線,該等引線分別電性連接於該等第一感測電極及該等第二感測電極。
- 如申請專利範圍第1、3及6項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法,其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區,且該製造方法更包括轉印複數引線於該邊框區的該基底上,該等引線分別電性連接於該等第一感測電極及該等第二感測電極。
- 一種觸控裝置結構,包括:一基底,該基底區分有一可視區;複數第一感測電極,相互間隔地設置於該可視區的該基底上;一絕緣層,設置於該等第一感測電極上;一轉印基膜;以及複數第二感測電極,相互間隔地設置於該轉印基膜上,其中該等第二感測電極透過一轉印製程形成於該絕緣層上,且其中該等第一感測電極與該等第二感測電極交錯排列,且透過該絕緣層相互絕緣。
- 一種觸控裝置結構,包括: 一基底,該基底區分有一可視區;複數第一感測電極,相互間隔地設置於該可視區的該基底上;一轉印基膜;複數第二感測電極,相互間隔地設置於該轉印基膜上;以及一絕緣層,設置於該等第二感測電極上,其中該等第二感測電極及該絕緣層透過一轉印製程形成於該等第一感測電極上,且其中該等第一感測電極與該等第二感測電極交錯排列,且透過該絕緣層相互絕緣。
- 一種觸控裝置結構,包括:一基底,該基底區分有一可視區,且具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面;複數第一感測電極,相互間隔地設置於該基底的該第一表面上;一第二轉印基膜;以及複數第二感測電極,相互間隔地設置於該第二轉印基膜上,其中該等第二感測電極透過一轉印製程設置於該基底的該第二表面上,且其中該等第一感測電極與該等第二感測電極交錯排列,且透過該基底相互絕緣。
- 如申請專利範圍第17項所述之觸控裝置結構,更包括一第一轉印基膜,該等第一感測電極設置於該第一轉印基膜上,且該等第一感測電極透過額外的轉印製程設置於該基底的該第一表面上。
- 如申請專利範圍第15、16及17項中任意一項所述 之觸控裝置結構,其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區,且該觸控裝置結構更包括複數引線,該等引線設置於該邊框區的該基底上,以分別電性連接於該等第一感測電極及該等第二感測電極。
- 如申請專利範圍第15、16及17項中任意一項所述之觸控裝置結構,其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區,且該觸控裝置結構更包括複數引線,該等引線設置於該轉印基膜上,且對應於該邊框區,以分別電性連接於該等第一感測電極及該等第二感測電極。
- 如申請專利範圍第15、16及17項中任意一項所述之觸控裝置結構,其中該等第二感測電極的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
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