TWI479387B - 觸控裝置結構及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控裝置結構及其製造方法

本發明係有關於觸控技術領域，特別是有關於一種觸控裝置結構及其製造方法。

隨著資訊科技的發展，觸控裝置成為人機之間資訊傳遞的方式之一。觸控裝置分為可視區及邊框區，在可視區中製作電極，在邊框區分佈電極引線，電極引線透過軟性電路板將電極的訊號傳遞到訊號處理器中，完成觸控感應的功能。電極通常由複數X方向電極及複數Y方向電極交錯形成。例如，X方向電極及Y方向電極設置在同一透明基底的同側，X方向電極為連續的，Y方向電極為不連續的。在X方向電極及Y方向電極交錯位置設置絕緣層及導電架橋，導電架橋連接相鄰兩個Y方向電極，絕緣層設置於導電架橋與X方向電極之間，藉此，X方向電極及Y方向電極相互絕緣並確保在各自方向導通。

這種具有導電架橋、絕緣層及電極等數層結構的觸控裝置的製作方法，通常是透過多道濺鍍、微影與蝕刻製程在基底上依序製作出X方向及Y方向電極、覆蓋X方向及Y方向電極的絕緣層以及連接Y方向電極的導電架橋。

然而，上述觸控裝置的製作方法中，形成次一層結構時會對前一步驟已形成之層結構產生影響。例如，上述製作方法中經過多次真空濺鍍、曝光、顯影與蝕刻製程後，電極可能會出現裂紋或脫離基底等問題。

再者，上述製作方法採用真空濺鍍、微影與蝕刻製程的多道程序，所需設備昂貴，製作成本較高，且化學藥劑污染性大。

因此，有必要尋求一種新的觸控裝置結構之製造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

本發明係提供一種觸控裝置結構及其製造方法，透過轉印製程製作導電架橋、絕緣層及感測電極，以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而提升良率。

本發明係提供一種觸控裝置結構之製造方法，包括提供一基底，基底區分有一可視區；形成複數第一感測電極及複數第二感測電極於可視區的基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；形成一絕緣層於第一感測電極及第二感測電極上；以及轉印複數導電架橋於絕緣層上，其中每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣。

本發明係提供另一種觸控裝置結構之製造方法，提供一基底，基底區分有一可視區；形成複數第一感測電極及複數第二感測電極於可視區的基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋 區；以及轉印一絕緣層及複數導電架橋於第一感測電極及第二感測電極上，其中每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣。

本發明係提供另一種觸控裝置結構之製造方法，包括提供一基底，基底區分有一可視區；以及轉印複數第一感測電極、複數第二感測電極、一絕緣層及複數導電架橋於該基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區，且其中每一導電架橋電性連接等相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣。

本發明係提供一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於可視區的基底上，其中第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間具有一架橋區；一絕緣層，設置於第一感測電極及第二感測電極上；一轉印基膜；以及複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上，其中導電架橋透過一轉印製程設置於絕緣層上，且對應於架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣。

本發明係提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於可視區的基底上，其中第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋 區；一轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上；以及一絕緣層，設置於導電架橋上，其中導電架橋及絕緣層透過一轉印製程設置於第一感測電極及第二感測電極上，且其中導電架對應於架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣。

本發明係提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；一轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上；一絕緣層，設置於導電架橋上；以及複數第一感測電極及複數第二感測電極，交錯排列在絕緣層上，其中第二感測電極為不連續，且相鄰第二感測電極之間界定出一架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且與第一感測電極透過絕緣層相互絕緣，且其中導電架橋、絕緣層、第一感測電極及第二感測電極透過一轉印製程設置於可視區的基底上。

根據本發明實施例，由於透過轉印製作觸控裝置的導電架橋、絕緣層及感測電極，可降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而提升良率。另外，以轉印製程取代濺鍍、微影與蝕刻製程，可簡化製程，進而提高生產效率。另外由於無需昂貴的製程(例如，濺鍍及微影與蝕刻製程)設備，因此可提高價格競爭優勢以及降低化學藥劑的污染。

以下說明本發明實施例之觸控裝置結構及其製造方 法。然而，可輕易瞭解本發明所提供的實施例僅用於說明以特定方法製作及使用本發明，並非用以侷限本發明的範圍。再者，在本發明實施例之圖式及說明內容中係使用相同的標號來表示相同或相似的部件。

請參照第1D-1及4圖，其繪示出根據本發明一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖及爆炸圖。在本實施例中，觸控裝置結構包括：一基底100、複數導電架橋210、一絕緣層224、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜200。基底100區分有一可視區110。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列於可視區110的基底100上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續，且相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。其中第一軸向與第二軸向相互交叉，例如第一軸向與第二軸向相互垂直，但不以此為限。架橋區120位於可視區110內。絕緣層224設置於第一感測電極230及第二感測電極240上。導電架橋210相互間隔地設置於轉印基膜200上，且對應於架橋區120，每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。

第一感測電極230及第二感測電極240可透過轉印製程形成於可視區110的基底100上。在本實施例中，可先透過印刷製程，例如凹版印刷製程，在一轉印基膜(未繪示)上形成第一感測電極230及第二感測電極240。接著，透 過轉印製程將轉印基膜上的第一感測電極230及第二感測電極240轉印至可視區110的基底100上。在其他實施例中，也可透過印刷製程將第一感測電極230及第二感測電極240形成於基底100上。相較於傳統的濺鍍、微影與蝕刻製程，由於進行轉印製程時不需要高溫處理，因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限於耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240的材料可為光學透明導電油墨，透明導電油墨包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)溶膠、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)溶膠、銦錫氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide，ITFO)溶膠、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)溶膠、氟鋅氧化物(Fluorine Zinc Oxide，FZO)溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子(例如，聚乙烯二氧噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)溶膠，其中透明導電油墨的導電率可高於1/Ωcm。在其他實施例中，也可透過濺鍍、微影及蝕刻製程取代上述轉印製程，其中第一感測電極230及第二感測電極240的材質包括ITO、IZO、ITFO、AZO或FZO等耐高溫材料。

在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開的複數絕緣塊222。絕緣塊222對應於架橋區120，且設置於第一感測電極230上，以使連接相鄰第二感測電極240的導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。絕緣層224可透過轉印或沉積製程形成。

導電架橋210透過轉印製程設置於絕緣塊222上，且電性連接相鄰的第二感測電極240。舉例而言，可先透過 印刷製程，例如凹版印刷製程，在轉印基膜200上形成導電架橋210。接著，透過轉印製程將具有導電架橋210的轉印基膜200貼附於基底100上，使導電架橋210對應於架橋區120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。導電架橋210與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。

在另一實施例中，如第1D-2圖所示，絕緣層224可為一連續層，且具有複數對孔洞226對應於架橋區120，使每一導電架橋210經由每一對孔洞226電性連接相鄰的第二感測電極240。

在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區110的邊框區130。再者，觸控裝置結構更包括複數引線300設置於邊框區130的基底100上，以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。

請參照第2D圖，其繪示出根據本發明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖。其中相同於第1D圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。在本實施例中，觸控裝置結構包括：一基底100、複數導電架橋210、一絕緣層224、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜200。基底100區分有一可視區110。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列在可視區110的基底100上，其中，第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續，且相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。架橋區120位於可視區110內。導電架橋210相互間隔地設置於轉印基膜 200上。絕緣層224設置於導電架橋210上。導電架橋210及絕緣層224透過一轉印製程設置於第一感測電極230及第二感測電極240上。導電架橋210對應於架橋區120，每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。

與上述第1D-1圖的實施例類似，第一感測電極230及第二感測電極240可透過轉印製程形成。在其他實施例中，可透過濺鍍、微影及蝕刻製程取代上述轉印製程。也可透過印刷製程將第一感測電極230及第二感測電極240直接形成於基底100上。故此處不再贅述。

在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開且對應於架橋區120的複數絕緣塊222。導電架橋210及絕緣層224透過轉印製程設置於第一感測電極230及第二感測電極240上。舉例而言，先透過第一印刷製程，在轉印基膜200上形成導電架橋210。再透過第二印刷製程，在導電架橋210上形成絕緣塊222。接著，將具有導電架橋210及絕緣層224的轉印基膜200貼附於基底100上，使導電架橋210對應於架橋區120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。絕緣塊222位於第一感測電極230和導電架橋210之間，使導電架橋210與第一感測電極230透過絕緣塊222相互絕緣。其中第一或第二印刷製程可為凹版印刷製程。

在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區110的邊框區130。再者，觸控裝置結構更包括複數引線300設置於邊框區130的基底100上，以電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。

在另一實施例中，與第1D-2圖的實施例類似，絕緣層224可為一連續層(未繪示)，且具有複數對孔洞對應於架橋區120，使每一導電架橋210經由每一對孔洞電性連接相鄰的第二感測電極240。

請參照第3D圖，其繪示出根據本發明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖，其中相同於第1D圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。在本實施例中，觸控裝置結構包括：一基底100、複數導電架橋210、一絕緣層224、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜200。基底100區分有一可視區110。導電架橋210相互間隔地設置於轉印基膜200上。絕緣層224包括彼此隔開的複數絕緣塊222，複數絕緣塊222設置於導電架橋210上。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列於絕緣層224上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。導電架橋210對應於架橋區120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。

導電架橋210、絕緣層224、第一感測電極230及第二感測電極240透過轉印製程設置於可視區110的基底100上。舉例而言，先透過第一印刷製程，在轉印基膜200上形成導電架橋210；透過第二印刷製程，在導電架橋210上形成絕緣塊222；透過第三印刷製程，在絕緣塊222、導電架橋210及轉印基膜200上形成第一感測電極230及第 二感測電極240。導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。接著，將具有導電架橋210、絕緣層224、第一感測電極230及第二感測電極240的轉印基膜200貼附於基底100上。其中，第一、第二或第三印刷製程可為凹版印刷製程。

在另一實施例中，與第1D-2圖的實施例類似，絕緣層224可為一連續層(未繪示)，且具有複數對孔洞對應於架橋區120，使每一導電架橋210經由每一對孔洞電性連接相鄰的第二感測電極240。

在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區110的邊框區130。再者，觸控裝置結構更包括複數引線300設置於邊框區130的基底100上，用以電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。

第1A至1D-2圖係繪示出對應第1D-1圖及第1D-2圖實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖。請參照第1A圖，提供一基底100，基底100區分有一可視區110以及圍繞可視區110的邊框區130。形成第一感測電極230及第二感測電極240於可視區110的基底100上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。舉例而言，可透過一印刷製程，在一轉印基膜(未繪示)上形成前述第一感測電極230及第二感測電極240。接著，透過轉印製程，將第一感測電極230及第二感測電極240形成於可視區110的基底100上。相較於 傳統的濺鍍、微影與蝕刻製程，由於進行轉印製程時不需要高溫處理，因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限於耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240可包括透明導電材料(例如，奈米銀溶膠、ITO溶膠、IZO溶膠、ITFO溶膠、AZO溶膠、FZO溶膠、奈米碳管溶膠或PEDOT溶膠)，其中透明導電材料的導電率高於1/Ω cm。在其他實施例中，也可透過濺鍍、微影及蝕刻製程取代上述轉印製程，其中第一感測電極230及第二感測電極240的材質包括ITO、IZO、ITFO、AZO或FZO等耐高溫材料。

接著，請參照第1B-1圖，透過轉印或沉積製程，在第一感測電極230及第二感測電極240上形成一絕緣層224。絕緣層224包括彼此隔開的複數絕緣塊222，絕緣塊222位於第一感測電極230上，且使第一感測電極230及後續形成以連接相鄰第二感測電極240的導電架橋210相互絕緣。在另一實施例中，請參照第1B-2圖，絕緣層224可為一連續層，且具有複數對孔洞226對應於架橋區120。

再接著，請參照第1C圖及1D圖，其繪示出轉印導電架橋210於絕緣層224上。每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。首先，如第1C圖所示，提供一轉印基膜200以進行轉印製程。透過第一印刷製程在轉印基膜200上形成相互間隔的複數導電架橋210。再透過第二印刷製程在轉印基膜200上形成複數引線300，引線300對應於邊框區130。在其他實施例中，導電架橋210與引線300 可同時透過第一印刷製程形成。

然後，請參照第1D-1圖，將具有導電架橋210及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上。透過上述轉印製程，使轉印基膜200上的導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240。絕緣塊222位於第一感測電極230與導電架橋210之間，使導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。引線300位於邊框區130的基底100上，以分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。在另一實施例中，請參照第1D-2圖，絕緣層224為一連續層時，導電架橋210經由每一對孔洞226電性連接相鄰的第二感測電極240。

再者，在將具有導電架橋210及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上的步驟之後，根據轉印基膜200的材料不同，可進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210及引線300。

再接著，請參照第1E-1及1E-2圖，為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助於與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對於形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。

在其他實施例中，在進行導電架橋210的轉印製程之前，可透過其他轉印製程或絲網印刷製程在邊框區130的基底100上形成複數引線300，以電性連接第一感測電極 230及第二感測電極240。

第2A至2D圖係繪示出對應第2D圖實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖，其中相同於第1A至1D-2圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第2A圖，提供一基底100，基底100區分有一可視區110以及圍繞可視區110的邊框區130。接著，形成複數第一感測電極230及複數第二感測電極240於可視區110的基底100上，本實施例的第一感測電極230及第二感測電極240的態樣及形成方法與上述第1A圖對應的實施例基本相同，故在此不再贅述。

請參照第2B至2D圖，其繪示出透過轉印製程形成一絕緣層224及複數導電架橋210於第一感測電極230及第二感測電極240上，其中每一導電架橋210分別對應於架橋區120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。導電架橋210與第一感測電極230透過絕緣層224相互絕緣。在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開的複數絕緣塊222。在另一實施例中，與第1D-2圖類似，絕緣層可為一連續層(未繪示)，且具有複數對孔洞。請參照第2B圖，提供一轉印基膜200。可透過第一印刷製程在轉印基膜200上形成相互間隔的複數導電架橋210。

請參照第2C圖，透過第二印刷製程在每一導電架橋210上對應形成一絕緣塊222，接著，在對應邊框區130的轉印基膜200上形成複數引線300。絕緣層224由絕緣油墨材料(例如光學透明油墨)所構成，且其導電率低於10^-10 /Ω cm。再者，引線300可由導電油墨(例如銀膠、銅 膠或碳膠)所構成，導電油墨的導電率高於1/Ωcm。在其他實施例中，導電架橋210與引線300可同時在第一印刷製程中形成。

請參照第2D圖，將具有導電架橋210、絕緣塊222及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上，使轉印基膜200上的導電架橋210對應於架橋區120，且電性連接相鄰的第二感測電極240，絕緣塊222位於第一感測電極230與導電架橋210之間，以使導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。引線300位於基底100的邊框區130，以分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。再者，在將具有導電架橋210、絕緣層224及引線300的轉印基膜200貼附於基底100上的步驟之後，根據轉印基膜200的材料不同，可進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210、絕緣層224及引線300。

請參照第2E圖，為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助於與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對於形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。第3A至3D圖係繪示出對應第3D圖實施例之觸控裝置結構的製造方法剖面示意圖，其中相同於第1A至1D-2圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第3A圖，提供一轉印基膜200。透過第一印刷製程在轉印基膜200上形成相互間隔的複數導電架橋210。

接著，請參照第3B圖，透過第二印刷製程，在導電架橋210上形成一絕緣層224，絕緣層224包括對應導電架橋210的複數絕緣塊222。在另一實施例中，與第1D-2圖類似，絕緣層可為一連續層(未繪示)，且具有複數對孔洞。絕緣層224用以使導電架橋210與後續形成的第一感測電極230相互電性絕緣。接著，在對應邊框區130的轉印基膜200上形成複數引線300。在其它實施例中，複數引線300與複數導電架橋210可在第一印刷製程中與導電架橋210同時形成，或者，可在形成導電架橋210的步驟與形成絕緣層224的步驟之間形成複數引線300。

請參照第3C圖，透過第三印刷製程，在導電架橋210及絕緣塊222上形成相互絕緣且交錯排列的複數第一感測電極230及複數第二感測電極240。其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。架橋區120與導電架橋210互相對應，且導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240。再者，引線300分別電性連接於第一感測電極230及第二感測電極240。本實施例中，透過不同的印刷製程依序製作導電架橋210、絕緣塊222、複數第一感測電極230及複數第二感測電極240。由於在凹版印刷製程的最後一步驟形成感測電極，可避免刮1傷或破壞感測電極。

請參照第3D圖，將具有導電架橋210、絕緣層224、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240的轉印 基膜200貼附於基底100上。使第一感測電極230及第二感測電極240位於基底100的可視區110，且引線300位於基底100的邊框區130。再者，根據轉印基膜200的材料不同，可於後續進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210、絕緣塊222、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240。

再接著，請參照第3E圖，為了製作觸控裝置結構中後續的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助於與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對於形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。另外，在其他實施例中，導電架橋210、絕緣層224、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240也可透過多道轉印製程分別形成於基底100上。

本發明提供的實施例，導電架橋210可由光學透明油墨材料(例如奈米銀溶膠、ITO溶膠、IZO溶膠、ITFO溶膠、AZO溶膠、FZO溶膠、奈米碳管溶膠或PEDOT溶膠)，其導電率高於1/Ω cm。絕緣層224可由絕緣油墨(例如光學透明油墨)所構成，且其導電率低於10^-10 /Ω cm。引線300可由導電油墨(例如銀膠、銅膠或碳膠)所構成，其導電率高於1/Ω cm。轉印基膜200可由具有可撓性的塑膠薄膜(例如聚酯薄膜(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚醯亞胺)所構成。再者，轉印基膜200的厚度可為20微米至200微米的範 圍。根據轉印基膜200的材料，轉印製程可採用熱轉印、冷轉印或室溫轉印。基底100可由玻璃、塑膠或其他習用的透明材料所構成。

根據本發明實施例，由於可透過轉印製作導電架橋、絕緣層及感測電極，相較於透過濺鍍、微影與蝕刻製程的傳統製造方法，提高了觸控裝置中感測電極的材料選擇性，而不受限於耐高溫材料。再者，由於透過轉印基膜進行轉印製程以製作觸控裝置的導電架橋、絕緣層及感測電極，可降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而提升良率。另外，以轉印製程取代濺鍍及微影與蝕刻製程，可簡化製程，進而提高生產效率。另外由於無需昂貴的製程(例如，濺鍍及微影與蝕刻製程)設備，因此可提高價格競爭優勢以及降低化學藥劑的污染。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧基底

110‧‧‧可視區

120‧‧‧架橋區

130‧‧‧邊框區

200‧‧‧轉印基膜

210‧‧‧導電架橋

222‧‧‧絕緣塊

224‧‧‧絕緣層

226‧‧‧孔洞

230‧‧‧第一感測電極

240‧‧‧第二感測電極

300‧‧‧引線

第1A至1E-2圖係繪示出本發明一實施例之觸控裝置結構製造方法的剖面示意圖；第2A至2E圖係繪示出本發明另一實施例之觸控裝置結構製造方法的剖面示意圖；第3A至3E圖係繪示出本發明另一實施例之觸控裝置結構製造方法的剖面示意圖；以及第4圖係繪示出本發明一實施例之觸控裝置結構的爆炸圖。

100‧‧‧基底

110‧‧‧可視區

120‧‧‧架橋區

130‧‧‧邊框區

200‧‧‧轉印基膜

210‧‧‧導電架橋

222‧‧‧絕緣塊

224‧‧‧絕緣層

230‧‧‧第一感測電極

240‧‧‧第二感測電極

300‧‧‧引線

Claims (26)

1. 一種觸控裝置結構之製造方法，包括：提供一基底，該基底區分有一可視區；形成複數第一感測電極及複數第二感測電極於該可視區的該基底上，其中該等第一感測電極與該等第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；形成一絕緣層於該等第一感測電極及該等第二感測電極上；以及轉印複數導電架橋於該絕緣層上，其中每一導電架橋電性連接該相鄰的第二感測電極，且該等導電架橋與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣，且其中轉印該等導電架橋於該絕緣層上的步驟包括：形成該等導電架橋於一轉印基膜上，該等導電架橋相互間隔；以及將具有該等導電架橋的該轉印基膜貼附於該基底上，且該等導電架橋對應於該等架橋區。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中透過印刷製程形成該等導電架橋於該轉印基膜上。
3. 一種觸控裝置結構之製造方法，包括：提供一基底，該基底區分有一可視區；形成複數第一感測電極及複數第二感測電極於該可視區的該基底上，其中該等第一感測電極與該等第二感測電 極相互絕緣且交錯排列，且其中該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；以及轉印一絕緣層及複數導電架橋於該等第一感測電極及該等第二感測電極上，其中每一導電架橋電性連接該相鄰的第二感測電極，且該等導電架橋與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣，且其中轉印該絕緣層及該等導電架橋的步驟包括：形成該等導電架橋於一轉印基膜上，該等導電架橋相互間隔；形成該絕緣層於該等導電架橋上；以及將具有該等導電架橋及該絕緣層的該轉印基膜貼附於該基底上，且該等導電架橋對應於該等架橋區。
4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中透過一第一印刷製程形成該等導電架橋於該轉印基膜上，透過一第二印刷製程形成該絕緣層於該等導電架橋上。
5. 如申請專利範圍第1或3項所述之觸控裝置結構之製造方法，該等第一感測電極及該等第二感測電極係透過轉印製程形成，其中該等第一感測電極及該等第二感測電極的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
6. 如申請專利範圍第1或3項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該等第一感測電極及該等第二感測電極透過濺鍍、微影及蝕刻製程形成。
7. 一種觸控裝置結構之製造方法，包括：提供一基底，該基底區分有一可視區；以及轉印複數第一感測電極、複數第二感測電極、一絕緣層及複數導電架橋於該基底上，其中該等第一感測電極與該等第二感測電極相互絕緣且交錯排列，該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區，且其中每一導電架橋電性連接該等相鄰的第二感測電極，且該等導電架橋與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣，其中轉印該等第一感測電極、該等第二感測電極、該絕緣層及該等導電架橋的步驟包括：形成該等導電架橋於一轉印基膜上，該等導電架橋相互間隔；形成該絕緣層於該等導電架橋上；形成該等第一感測電極與該等第二感測電極於該絕緣層上；以及將具有該等導電架橋、該絕緣層、該等第一感測電極及該等第二感測電極的該轉印基膜貼附於該基底上，且該等導電架橋對應於該等架橋區。
8. 如申請專利範圍第7項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中透過一第一印刷製程形成該等導電架橋於該轉印基膜上，透過一第二印刷製程形成該絕緣層於該等導電架橋上，透過一第三印刷製程形成該等第一感測電極與該等第二感測電極於該絕緣層上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該等第一感測電極及該等第二感測電極的材質包 括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
10. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中每一導電架橋的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
11. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區，且該製造方法更包括在該邊框區的該基底上形成複數引線，以分別電性連接該等第一感測電極及該等第二感測電極。
12. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區，且該製造方法更包括轉印複數引線於該邊框區的該基底上，以分別電性連接該等第一感測電極及該等第二感測電極。
13. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該絕緣層包括彼此隔開且對應於該等架橋區的複數絕緣塊。
14. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該絕緣層具有複數對孔洞對應於該等架橋區，使每一導電架橋經由每一對孔洞電性連接該對應的第二感測電極。
15. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該等導電架橋的導電率大於1/Ωcm，該絕緣層的導電率小於10-10/Ωcm。
16. 如申請專利範圍第1、3及7項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，在將該轉印基膜貼附於該基底的步驟之後，還包括剝離該轉印基膜，以使所述觸控裝置結構與電子部件貼合。
17. 如申請專利範圍第2、4及8項中任意一項所述之觸控裝置結構之製造方法，其中該印刷製程為凹版印刷製程。
18. 一種觸控裝置結構，包括：一基底，該基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於該可視區的該基底上，其中該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；一絕緣層，設置於該等第一感測電極及該等第二感測電極上；一轉印基膜；以及複數導電架橋，相互間隔地設置於該轉印基膜上，其中該等導電架橋透過一轉印製程設置於該絕緣層上，且對應於該等架橋區，每一導電架橋電性連接該相鄰的第二感測電極，且該等導電架橋與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣。
19. 一種觸控裝置結構，包括：一基底，該基底區分有一可視區； 複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於該可視區的該基底上，其中該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；一轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於該轉印基膜上；以及一絕緣層，設置於該等導電架橋上，其中該等導電架橋及該絕緣層透過一轉印製程設置於該等第一感測電極及該等第二感測電極上，且其中該等導電架對應於該等架橋區，每一導電架橋電性連接該相鄰的第二感測電極，且該等導電架橋與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣。
20. 一種觸控裝置結構，包括：一基底，該基底區分有一可視區；一轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於該轉印基膜上；一絕緣層，設置於該等導電架橋上；以及複數第一感測電極及複數第二感測電極，交錯排列在該絕緣層上，其中該等第二感測電極為不連續，且該相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區，每一導電架橋電性連接該相鄰的第二感測電極，且與該等第一感測電極透過該絕緣層相互絕緣，且其中該等導電架橋、該絕緣層、該等第一感測電極及該等第二感測電極透過一轉印製程設置於該可視區的該基底上。
21. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框 區，且該觸控裝置結構更包括複數引線，設置於該邊框區的該基底上，以分別電性連接該等第一感測電極及該等第二感測電極。
22. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該基底更區分有圍繞該可視區的一邊框區，且該觸控裝置結構更包括複數引線，設置於該轉印基膜上，且對應於該邊框區，以分別電性連接該等第一感測電極及該等第二感測電極。
23. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該等導電架橋的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
24. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該等第一感測電極及該等第二感測電極的材質包括奈米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、奈米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
25. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該絕緣層包括彼此隔開的複數絕緣塊，對應於該等架橋區。
26. 如申請專利範圍第18至20項中任意一項所述之觸控裝置結構，其中該絕緣層具有複數對孔洞對應於該等架橋區，使每一導電架橋經由每一對孔洞電性連接該對應的第二感測電極。