CN103699253B - 触控装置结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种触控装置结构的制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区。形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区。形成一绝缘层于第一感测电极及第二感测电极上。转印复数导电架桥于绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本发明还提供一种触控装置结构。通过转印制程制作导电架桥、绝缘层及感测电极，以降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。

Description

触控装置结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及触控技术领域，特别是有关于一种触控装置结构及其制造方法。
背景技术
随着资讯科技的发展，触控装置成为人机之间资讯传递的方式之一。触控装置分为可视区及边框区，在可视区中制作电极，在边框区分布电极引线，电极引线通过软性电路板将电极的讯号传递到讯号处理器中，完成触控感应的功能。电极通常由复数X方向电极及复数Y方向电极交错形成。例如，X方向电极及Y方向电极设置在同一透明基底的同侧，X方向电极为连续的，Y方向电极为不连续的。在X方向电极及Y方向电极交错位置设置绝缘层及导电架桥，导电架桥连接相邻两个Y方向电极，绝缘层设置于导电架桥与X方向电极之间，藉此，X方向电极及Y方向电极相互绝缘并确保在各自方向导通。
这种具有导电架桥、绝缘层及电极等数层结构的触控装置的制作方法，通常是通过多道溅镀及光刻制程在基底上依序制作出X方向及Y方向电极、覆盖X方向及Y方向电极的绝缘层以及连接Y方向电极的导电架桥。
然而，上述触控装置的制作方法中，形成次一层结构时会对前一步骤已形成之层结构产生影响。例如，上述制作方法中经过多次真空溅镀、曝光、显影与蚀刻制程后，电极可能会出现裂纹或脱离基底等问题。
再者，上述制作方法采用真空溅镀及光刻制程的多道程序，所需设备昂贵，制作成本较高，且化学药剂污染性大。
因此，有必要寻求一种新的触控装置结构之制造方法，其能够解决或改善上述的问题。
发明内容
本发明提供一种触控装置结构及其制造方法，通过转印制程制作导电架桥、绝缘层及感测电极，以降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。
本发明提供一种触控装置结构之制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区；形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；形成一绝缘层于第一感测电极及第二感测电极上；以及转印复数导电架桥于绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。
本发明提供另一种触控装置结构之制造方法，提供一基底，基底区分有一可视区；形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；以及转印一绝缘层及复数导电架桥于第一感测电极及第二感测电极上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。
本发明提供另一种触控装置结构之制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区；以及转印复数第一感测电极、复数第二感测电极、一绝缘层及复数导电架桥于该基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区，且其中每一导电架桥电性连接等相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。
本发明提供一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间具有一架桥区；一绝缘层，设置于第一感测电极及第二感测电极上；一转印基膜；以及复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上，其中导电架桥通过一转印制程设置于绝缘层上，且对应于架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。
本发明提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；一转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上；以及一绝缘层，设置于导电架桥上，其中导电架桥及绝缘层通过一转印制程设置于第一感测电极及第二感测电极上，且其中导电架对应于架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。
本发明提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；一转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上；一绝缘层，设置于导电架桥上；以及复数第一感测电极及复数第二感测电极，交错排列在绝缘层上，其中第二感测电极为不连续，且相邻第二感测电极之间界定出一架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘，且其中导电架桥、绝缘层、第一感测电极及第二感测电极通过一转印制程设置于可视区的基底上。
根据本发明实施例，由于通过转印制作触控装置的导电架桥、绝缘层及感测电极，可降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。另外，以转印制程取代溅镀及光刻制程，可简化制程，进而提高生产效率。另外由于无需昂贵的制程(例如，溅镀及光刻制程)设备，因此可提高价格竞争优势以及降低化学药剂的污染。
附图说明
图1A至1E-2为本发明一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；
图2A至2E为本发明另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；
图3A至3E为本发明另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图。
图4为本发明一实施例之触控装置结构的爆炸图。
具体实施方式
以下说明本发明实施例触控装置结构及其制造方法。然而，可轻易了解本发明所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围。再者，在本发明实施例之图式及说明内容中使用相同的标号来表示相同或相似的部件。
请参照图1D-1及图4，其为根据本发明一实施例之触控装置结构剖面示意图及爆炸图。在本实施例中，触控装置结构包括：一基底100、复数导电架桥210、一绝缘层224、复数第一感测电极230、复数第二感测电极240及一转印基膜200。基底100区分有一可视区110。第一感测电极230及第二感测电极240相互绝缘且交错排列于可视区110的基底100上，其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续，且相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。其中第一轴向与第二轴向相互交叉，例如第一轴向与第二轴向相互垂直，但不以此为限。架桥区120位于可视区110内。绝缘层224设置于第一感测电极230及第二感测电极240上。导电架桥210相互间隔地设置于转印基膜200上，且对应于架桥区120，每一导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。
第一感测电极230及第二感测电极240可通过转印制程形成于可视区110的基底100上。在本实施例中，可先通过印刷制程，例如凹版印刷制程，在一转印基膜(未绘示)上形成第一感测电极230及第二感测电极240。接着，通过转印制程将转印基膜上的第一感测电极230及第二感测电极240转印至可视区110的基底100上。在其他实施例中，也可通过印刷制程将第一感测电极230及第二感测电极240形成于基底100上。相较于传统的溅镀及光刻制程，由于进行转印制程时不需要高温处理，因此第一感测电极230及第二感测电极240的材料不受限于耐高温的导电材料。第一感测电极230及第二感测电极240的材料可为光学透明导电油墨，透明导电油墨包括纳米银溶胶、铟锡氧化物(Indium TinOxide，ITO)溶胶、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)溶胶、铟锡氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide，ITFO)溶胶、铝锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)溶胶、氟锌氧化物(Fluorine ZincOxide，FZO)溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子(例如，聚乙烯二氧噻吩(poly(3，4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)溶胶，其中透明导电油墨的导电率可高于1/Ωcm。在其他实施例中，也可通过溅镀及光刻制程取代上述转印制程，其中第一感测电极230及第二感测电极240的材质包括ITO、IZO、ITFO、AZO或FZO等耐高温材料。
在本实施例中，绝缘层224包括彼此隔开的复数绝缘块222。绝缘块222对应于架桥区120，且设置于第一感测电极230上，以使连接相邻第二感测电极240的导电架桥210与第一感测电极230电性绝缘。绝缘层224可通过转印或沉积制程形成。
导电架桥210通过转印制程设置于绝缘块222上，且电性连接相邻的第二感测电极240。举例而言，可先通过印刷制程，例如凹版印刷制程，在转印基膜200上形成导电架桥210。接着，通过转印制程将具有导电架桥210的转印基膜200贴附于基底100上，使导电架桥210对应于架桥区120，且电性连接相邻的第二感测电极240。导电架桥210与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。
在另一实施例中，如图1D-2所示，绝缘层224可为一连续层，且具有复数对孔洞226对应于架桥区120，使每一导电架桥210经由每一对孔洞226电性连接相邻的第二感测电极240。
在本实施例中，基底100可更包括围绕可视区110的边框区130。再者，触控装置结构更包括复数引线300设置于边框区130的基底100上，以电性连接于第一感测电极230及第二感测电极240。
请参照图2D，其为根据本发明另一实施例之触控装置结构剖面示意图。其中相同于图ID的部件使用相同的标号并省略其说明。在本实施例中，触控装置结构包括：一基底100、复数导电架桥210、一绝缘层224、复数第一感测电极230、复数第二感测电极240及一转印基膜200。基底100区分有一可视区110。第一感测电极230及第二感测电极240相互绝缘且交错排列在可视区110的基底100上，其中，第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续，且相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。架桥区120位于可视区110内。导电架桥210相互间隔地设置于转印基膜200上。绝缘层224设置于导电架桥210上。导电架桥210及绝缘层224通过一转印制程设置于第一感测电极230及第二感测电极240上。导电架桥210对应于架桥区120，每一导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。
与上述图1D-1的实施例类似，第一感测电极230及第二感测电极240可通过转印制程形成。在其他实施例中，可通过溅镀及光刻制程取代上述转印制程。也可通过印刷制程将第一感测电极230及第二感测电极240直接形成于基底100上。故此处不再赘述。
在本实施例中，绝缘层224包括彼此隔开且对应于架桥区120的复数绝缘块222。导电架桥210及绝缘层224通过转印制程设置于第一感测电极230及第二感测电极240上。举例而言，先通过第一印刷制程，在转印基膜200上形成导电架桥210。再通过第二印刷制程，在导电架桥210上形成绝缘块222。接着，将具有导电架桥210及绝缘层224的转印基膜200贴附于基底100上，使导电架桥210对应于架桥区120，且电性连接相邻的第二感测电极240。绝缘块222位于第一感测电极230和导电架桥210之间，使导电架桥210与第一感测电极230通过绝缘块222相互绝缘。其中第一或第二印刷制程可为凹版印刷制程。
在本实施例中，基底100可更包括围绕可视区110的边框区130。再者，触控装置结构更包括复数引线300设置于边框区130的基底100上，以电性连接于第一感测电极230及第二感测电极240。
在另一实施例中，与图1D-2的实施例类似，绝缘层224可为一连续层(未绘示)，且具有复数对孔洞对应于架桥区120，使每一导电架桥210经由每一对孔洞电性连接相邻的第二感测电极240。
请参照图3D，其为根据本发明另一实施例之触控装置结构剖面示意图，其中相同于图1D的部件使用相同的标号并省略其说明。在本实施例中，触控装置结构包括：一基底100、复数导电架桥210、一绝缘层224、复数第一感测电极230、复数第二感测电极240及一转印基膜200。基底100区分有一可视区110。导电架桥210相互间隔地设置于转印基膜200上。绝缘层224包括彼此隔开的复数绝缘块222，复数绝缘块222设置于导电架桥210上。第一感测电极230及第二感测电极240相互绝缘且交错排列于绝缘层224上，其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续。相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。导电架桥210对应于架桥区120，且电性连接相邻的第二感测电极240。
导电架桥210、绝缘层224、第一感测电极230及第二感测电极240通过转印制程设置于可视区110的基底100上。举例而言，先通过第一印刷制程，在转印基膜200上形成导电架桥210；通过第二印刷制程，在导电架桥210上形成绝缘块222；通过第三印刷制程，在绝缘块222、导电架桥210及转印基膜200上形成第一感测电极230及第二感测电极240。导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。接着，将具有导电架桥210、绝缘层224、第一感测电极230及第二感测电极240的转印基膜200贴附于基底100上。其中，第一、第二或第三印刷制程可为凹版印刷制程。
在另一实施例中，与图1D-2的实施例类似，绝缘层224可为一连续层(未绘示)，且具有复数对孔洞对应于架桥区120，使每一导电架桥210经由每一对孔洞电性连接相邻的第二感测电极240。
在本实施例中，基底100可更包括围绕可视区110的边框区130。再者，触控装置结构更包括复数引线300设置于边框区130的基底100上，用以电性连接第一感测电极230及第二感测电极240。
图1A至图1D-2为对应图1D-1及图1D-2实施例之触控装置结构的制造方法剖面示意图。请参照图1A，提供一基底100，基底100区分有一可视区110以及围绕可视区110的边框区130。形成第一感测电极230及第二感测电极240于可视区110的基底100上，其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续。相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。举例而言，可通过一印刷制程，在一转印基膜(未绘示)上形成前述第一感测电极230及第二感测电极240。接着，通过转印制程，将第一感测电极230及第二感测电极240形成于可视区110的基底100上。相较于传统的溅镀及光刻制程，由于进行转印制程时不需要高温处理，因此第一感测电极230及第二感测电极240的材料不受限于耐高温的导电材料。第一感测电极230及第二感测电极240可包括透明导电材料(例如，纳米银溶胶、ITO溶胶、IZO溶胶、ITFO溶胶、AZO溶胶、FZO溶胶、纳米碳管溶胶或PEDOT溶胶)，其中透明导电材料的导电率高于1/Ωcm。在其他实施例中，也可通过溅镀及光刻制程取代上述转印制程，其中第一感测电极230及第二感测电极240的材质包括ITO、IZO、ITFO、AZO或FZO等耐高温材料。
接着，请参照图1B-1，通过转印或沉积制程，在第一感测电极230及第二感测电极240上形成一绝缘层224。绝缘层224包括彼此隔开的复数绝缘块222，绝缘块222位于第一感测电极230上，且使第一感测电极230及后续形成以连接相邻第二感测电极240的导电架桥210相互绝缘。在另一实施例中，请参照图1B-2，绝缘层224可为一连续层，且具有复数对孔洞226对应于架桥区120。
再接着，请参照图1C及图1D，其为转印导电架桥210于绝缘层224上。每一导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。首先，如图1C所示，提供一转印基膜200以进行转印制程。通过第一印刷制程在转印基膜200上形成相互间隔的复数导电架桥210。再通过第二印刷制程在转印基膜200上形成复数引线300，引线300对应于边框区130。在其他实施例中，导电架桥210与引线300可同时通过第一印刷制程形成。
然后，请参照图1D-1，将具有导电架桥210及引线300的转印基膜200贴附于基底100上。通过上述转印制程，使转印基膜200上的导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240。绝缘块222位于第一感测电极230与导电架桥210之间，使导电架桥210与第一感测电极230电性绝缘。引线300位于边框区130的基底100上，以分别电性连接第一感测电极230及第二感测电极240。在另一实施例中，请参照图1D-2，绝缘层224为一连续层时，导电架桥210经由每一对孔洞226电性连接相邻的第二感测电极240。
再者，在将具有导电架桥210及引线300的转印基膜200贴附于基底100上的步骤之后，根据转印基膜200的材料不同，可进行加热或紫外线处理，以固化导电架桥210及引线300。
再接着，请参照图1E-1及图1E-2，为了制作触控装置结构中后续的其它功能层(例如，保护层、抗反射层等)，或助于与其他电子部件(例如，显示模组等)的贴合，可将转印基膜200从基底100上剥离。当触控装置结构与其他电子部件贴合时，基底100上相对于形成第一感测电极230及第二感测电极240的表面用以提供使用者直接进行触控。
在其他实施例中，在进行导电架桥210的转印制程之前，可通过其他转印制程或丝网印刷制程在边框区130的基底100上形成复数引线300，以电性连接第一感测电极230及第二感测电极240。
图2A至图2D为对应图2D实施例之触控装置结构的制造方法剖面示意图，其中相同于图1A至图1D-2的部件使用相同的标号并省略其说明。请参照图2A，提供一基底100，基底100区分有一可视区110以及围绕可视区110的边框区130。接着，形成复数第一感测电极230及复数第二感测电极240于可视区110的基底100上，本实施例的第一感测电极230及第二感测电极240的态样及形成方法与上述图1A对应的实施例基本相同，故在此不再赘述。
请参照图2B至图2D，其为通过转印制程形成一绝缘层224及复数导电架桥210于第一感测电极230及第二感测电极240上，其中每一导电架桥210分别对应于架桥区120，且电性连接相邻的第二感测电极240。导电架桥210与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。在本实施例中，绝缘层224包括彼此隔开的复数绝缘块222。在另一实施例中，与图1D-2类似，绝缘层可为一连续层(未绘示)，且具有复数对孔洞。请参照图2B，提供一转印基膜200。可通过第一印刷制程在转印基膜200上形成相互间隔的复数导电架桥210。
请参照图2C，通过第二印刷制程在每一导电架桥210上对应形成一绝缘块222，接着，在对应边框区130的转印基膜200上形成复数引线300。绝缘层224由绝缘油墨材料(例如光学透明油墨)所构成，且其导电率低于10-10/Ωcm。再者，引线300可由导电油墨(例如银胶、铜胶或碳胶)所构成，导电油墨的导电率高于1/Ωcm。在其他实施例中，导电架桥210与引线300可同时在第一印刷制程中形成。
请参照图2D，将具有导电架桥210、绝缘块222及引线300的转印基膜200贴附于基底100上，使转印基膜200上的导电架桥210对应于架桥区120，且电性连接相邻的第二感测电极240，绝缘块222位于第一感测电极230与导电架桥210之间，以使导电架桥210与第一感测电极230电性绝缘。引线300位于基底100的边框区130，以分别电性连接第一感测电极230及第二感测电极240。再者，在将具有导电架桥210、绝缘层224及引线300的转印基膜200贴附于基底100上的步骤之后，根据转印基膜200的材料不同，可进行加热或紫外线处理，以固化导电架桥210、绝缘层224及引线300。
请参照图2E，为了制作触控装置结构中后续的其它功能层(例如，保护层、抗反射层等)，或助于与其他电子部件(例如，显示模组等)的贴合，可将转印基膜200从基底100上剥离。当触控装置结构与其他电子部件贴合时，基底100上相对于形成第一感测电极230及第二感测电极240的表面用以提供使用者直接进行触控。图3A至3D为对应图3D实施例之触控装置结构的制造方法剖面示意图，其中相同于图1A至图1D-2的部件使用相同的标号并省略其说明。请参照图3A，提供一转印基膜200。通过第一印刷制程在转印基膜200上形成相互间隔的复数导电架桥210。
接着，请参照图3B，通过第二印刷制程，在导电架桥210上形成一绝缘层224，绝缘层224包括对应导电架桥210的复数绝缘块222。在另一实施例中，与图1D-2类似，绝缘层可为一连续层(未绘示)，且具有复数对孔洞。绝缘层224用以使导电架桥210与后续形成的第一感测电极230相互电性绝缘。接着，在对应边框区130的转印基膜200上形成复数引线300。在其它实施例中，复数引线300与复数导电架桥210可在第一印刷制程中与导电架桥210同时形成，或者，可在形成导电架桥210的步骤与形成绝缘层224的步骤之间形成复数引线300。
请参照图3C，通过第三印刷制程，在导电架桥210及绝缘块222上形成相互绝缘且交错排列的复数第一感测电极230及复数第二感测电极240。其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续。相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。架桥区120与导电架桥210互相对应，且导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240。再者，引线300分别电性连接于第一感测电极230及第二感测电极240。本实施例中，通过不同的印刷制程依序制作导电架桥210、绝缘块222、复数第一感测电极230及复数第二感测电极240。由于在凹版印刷制程的最后一步骤形成感测电极，可避免刮伤或破坏感测电极。
请参照图3D，将具有导电架桥210、绝缘层224、引线300、第一感测电极230及第二感测电极240的转印基膜200贴附于基底100上。使第一感测电极230及第二感测电极240位于基底100的可视区110，且引线300位于基底100的边框区130。再者，根据转印基膜200的材料不同，可于后续进行加热或紫外线处理，以固化导电架桥210、绝缘块222、引线300、第一感测电极230及第二感测电极240。
再接着，请参照图3E，为了制作触控装置结构中后续的其它功能层(例如，保护层、抗反射层等)，或助于与其他电子部件(例如，显示模组等)的贴合，可将转印基膜200从基底100上剥离。当触控装置结构与其他电子部件贴合时，基底100上相对于形成第一感测电极230及第二感测电极240的表面用以提供使用者直接进行触控。另外，在其他实施例中，导电架桥210、绝缘层224、引线300、第一感测电极230及第二感测电极240也可通过多道转印制程分别形成于基底100上。
本发明提供的实施例，导电架桥210可由光学透明油墨材料(例如纳米银溶胶、ITO溶胶、IZO溶胶、ITFO溶胶、AZO溶胶、FZO溶胶、纳米碳管溶胶或PEDOT溶胶)，其导电率高于1/Ωcm。绝缘层224可由绝缘油墨(例如光学透明油墨)所构成，且其导电率低于10-10/Ωcm。引线300可由导电油墨(例如银胶、铜胶或碳胶)所构成，其导电率高于1/Ωcm。转印基膜200可由具有可挠性的塑胶薄膜(例如聚酯薄膜(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚酰亚胺)所构成。再者，转印基膜200的厚度可为20微米至200微米的范围。根据转印基膜200的材料，转印制程可采用热转印、冷转印或室温转印。基底100可由玻璃、塑胶或其他习用的透明材料所构成。
根据本发明实施例，由于可通过转印制作导电架桥、绝缘层及感测电极，相较于通过溅镀及光刻制程的传统制造方法，提高了触控装置中感测电极的材料选择性，而不受限于耐高温材料。再者，由于通过转印基膜进行转印制程以制作触控装置的导电架桥、绝缘层及感测电极，可降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。另外，以转印制程取代溅镀及光刻制程，可简化制程，进而提高生产效率。另外由于无需昂贵的制程(例如，溅镀及光刻制程)设备，因此可提高价格竞争优势以及降低化学药剂的污染。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (24)

1.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底区分有一可视区；
形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于所述可视区的所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区；
形成一绝缘层于所述第一感测电极及所述第二感测电极上；以及
转印复数导电架桥于所述绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，转印所述导电架桥于所述绝缘层上的步骤更包括：
形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔；以及
将具有所述导电架桥的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区，所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
2.根据权利要求1所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上。
3.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底区分有一可视区；
形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于所述可视区的所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区；以及
转印一绝缘层及复数导电架桥于所述第一感测电极及所述第二感测电极上，其中每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，转印所述绝缘层及所述导电架桥的步骤更包括：
形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔；
形成所述绝缘层于所述导电架桥上；以及
将具有所述导电架桥及所述绝缘层的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区，所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
4.根据权利要求3所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过第一印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上，通过第二印刷制程形成所述绝缘层于所述导电架桥上。
5.根据权利要求1或3所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极通过转印制程形成，其中所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。
6.根据权利要求1或3所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极通过溅镀及光刻制程形成。
7.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底区分有一可视区；以及
转印复数第一感测电极、复数第二感测电极、一绝缘层及复数导电架桥于所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区，且其中每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，转印所述第一感测电极、所述第二感测电极、所述绝缘层及所述导电架桥的步骤更包括：
形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔；
形成所述绝缘层于所述导电架桥上；
形成所述第一感测电极与所述第二感测电极于所述绝缘层上；以及
将具有所述导电架桥、所述绝缘层、所述第一感测电极及所述第二感测电极的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区，所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
8.根据权利要求7所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过第一印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上，通过第二印刷制程形成所述绝缘层于所述导电架桥上，通过第三印刷制程形成所述第一感测电极与所述第二感测电极于所述绝缘层上。
9.根据权利要求7所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。
10.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，每一导电架桥的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。
11.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述之触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述制造方法更包括在所述边框区的所述基底上形成复数引线，以分别电性连接于所述第一感测电极及所述第二感测电极。
12.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述制造方法更包括转印复数引线于所述边框区的所述基底上，以分别电性连接于所述第一感测电极及所述第二感测电极。
13.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括彼此隔开且对应于所述架桥区的复数绝缘块。
14.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述导电架桥的导电率大于1/Ωcm，所述绝缘层的导电率小于10-10/Ωcm。
15.根据权利要求1、3及7项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，在将所述转印基膜贴附于所述基底的步骤之后，还包括剥离所述转印基膜，以使所述触控装置结构与电子部件贴合。
16.根据权利要求2、4及8项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述印刷制程为凹版印刷制程。
17.一种触控装置结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底区分有一可视区；
复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于所述可视区的所述基底上，其中所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区；
绝缘层，设置于所述第一感测电极及所述第二感测电极上；
转印基膜；以及
复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上，其中所述导电架桥通过转印制程设置于所述绝缘层上，且对应于所述架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，且所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
18.一种触控装置结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底区分有一可视区；
复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于所述可视区的所述基底上，其中所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区；
转印基膜；
复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上；以及
绝缘层，设置于所述导电架桥上，其中所述导电架桥及所述绝缘层通过转印制程设置于所述第一感测电极及所述第二感测电极上，且其中所述导电架对应于所述架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，且所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
19.一种触控装置结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底区分有一可视区；
转印基膜；
复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上；
绝缘层，设置于所述导电架桥上；以及
复数第一感测电极及复数第二感测电极，交错排列在所述绝缘层上，其中所述第二感测电极为不连续，且相邻的所述第二感测电极之间界定出一架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的所述第二感测电极，且与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，且其中所述导电架桥、所述绝缘层、所述第一感测电极及所述第二感测电极通过一转印制程设置于所述可视区的所述基底上，且所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由每一对孔洞电性连接相邻的所述第二感测电极。
20.根据权利要求17至19项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更包括复数引线，设置于所述边框区的所述基底上，以分别电性连接所述第一感测电极及所述第二感测电极。
21.根据权利要求17至19项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更包括复数引线，设置于所述转印基膜上，且对应于所述边框区，以分别电性连接所述第一感测电极及所述第二感测电极。
22.根据权利要求17至19项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述导电架桥的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。
23.根据权利要求17至19项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。
24.根据权利要求17至19项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述绝缘层包括彼此隔开的复数绝缘块，对应于所述架桥区。
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