CN203311396U - 一种消影高透过率ogs用玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种消影高透过率OGS用玻璃，所述玻璃有三种镀膜结构，制造出的OGS用玻璃为单片玻璃结构，同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用，本实用新型适用于OGS类的触摸屏设计，其在设计与制造成本上与现有技术相比，能够更好的达到消影效果，使其消影效果更加容易控制；在玻璃的后表面再增加功能层，可提高产品的透光率，拓宽产品的阻值范围(15-300欧姆)，在强光下改善了产品的显示效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及触摸屏行业，主要应用在电容屏方面，主要是指一种消影高透过率OGS用玻璃。
背景技术
现有OGSOne glass solution用玻璃的一种结构为：Glass/BM/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘边框，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。
另一种OGS用ITO导电玻璃的结构为：Glass/BM//Nb2o5/SiO2/ITO，其中BM为绝缘边框，ITO是导电层，作为触摸屏的电极及传感层，Nb2o5/SiO2层为消影层，其主要功能是消除ITO蚀刻后的痕迹，有ITO和没有ITO的地方膜层反射率在0.5％以内，这样在人的视觉来看，在显示屏上不容易看见ITO线条。
但是以上两种玻璃在做成触摸屏后，第一种的ITO线条能够很清晰的看到，第二种虽然ITO线条经过消影层已经淡化，但是两种产品在太阳强光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在强光下很难看清楚屏幕上的图案。
传统触摸屏是由两片玻璃对贴组成一片玻璃做为触摸传感器，一片玻璃做为保护玻璃，称为G/G结构，这样增加了触摸屏的厚度和重量。
实用新型内容
本实用新型要解决上述问题在于提供了一种减轻了重量，提高了透光率，消除了ITO导电线条底影的玻璃。
为解决上述问题，本实用新型通过以下方案来实现：一种消影高透过率OGS用玻璃，该OGS用玻璃为单片玻璃结构；包括基板及依次镀于基板上表面的绝缘边框、五氧化二铌膜、二氧化硅膜、ITO导电膜，及镀于基板下表面的五氧化二铌膜、二氧化硅膜、五氧化二铌膜、二氧化硅膜。
本实用新型适用于OGS类的触摸屏设计，其在设计与制造成本上与现有技术相比，能够更好的达到消影效果，使其消影效果更加容易控制；在玻璃的后表面再增加功能层，可提高产品的透光率，拓宽产品的阻值范围15-300欧姆，在强光下改善了产品的显示效果；
OGSOne glass solution)结构，是在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术，一块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用，从技术层面来看，OGS技术较之目前主流的G/G触控技术具备以下优势：
(1)结构简单，轻、薄、透光性好；
(2)节省了一层玻璃成本和减少了一次贴合成本；
(3)减轻了重量；
(4)增加了透光度；OGS能够较好的满足智能终端超薄化需求，并提升显示效果，由于省掉一片玻璃基板以及贴合工序，利于降低生产成本、提高产品良率。
附图说明
图1为本实用新型第一种工艺中的实施例一侧视图；
图2为本实用新型第一种工艺中的实施例二侧视图；
图3为本实用新型第一种工艺中的实施例三侧视图；
图4为本实用新型第一种工艺中的实施例四侧视图；
图5为本实用新型第二种工艺中的实施例一侧视图；
图6为本实用新型第二种工艺中的实施例二侧视图；
图7为本实用新型第二种工艺中的实施例三侧视图；
图8为本实用新型第二种工艺中的实施例四侧视图；
图9为本实用新型第三种工艺中的实施例一侧视图；
图10为本实用新型第三种工艺中的实施例二侧视图；
图11为本实用新型第三种工艺中的实施例三侧视图；
图12为本实用新型第三种工艺中的实施例四侧视图；
图13为本实用新型IT0蚀刻线条效果图；
图14为本实用新型绝缘边框示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作详细说明。
一种消影高透过率OGS用玻璃，该OGS用玻璃为单片玻璃结构；分三种镀膜结构，如图4所示，第一种为：包括基板1及依次镀于基板1上表面的绝缘边框2、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、ITO导电膜3，及镀于基板1下表面的五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5；
如图8所示，包括基板1及依次镀于基板1上表面的五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、绝缘边框2、ITO导电膜3，及镀于基板1下表面的五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5；
如图12所示，包括基板1及依次镀于基板1上表面的五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、ITO导电膜3、绝缘边框2，及镀 于基板1下表面的五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5、五氧化二铌膜4、二氧化硅膜5。
如图1至图4所示，本实用新型第一种工艺中的四种实施例侧视图，其工艺制作流程，
1、玻璃基板清洗；
2、制作BM绝缘边框图案，BM边框在玻璃前表面；
3、带有BM的玻璃基板进行镀膜前清洗；
4、将清洗干净的玻璃基板装在基片架上送入镀膜线的真空腔体内；先对玻璃基板的后表面进行镀膜加工，如果功能层选择两层，则依次镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜即可，如果功能层选择4层，则依次镀先一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜；
5、玻璃的后表面镀完膜后，对玻璃的前表面进行镀膜，同后表面功能层一样，如果选择两层功能膜，则在BM上依次镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜即可，如果功能层选择四层，则在BM上依次先镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，最后再镀一层ITO导电膜；
6、在镀膜机中将玻璃取出，进行检验测试，合格入库。
此种方案ITO采用低温镀膜。
如图5至图8所示，本实用新型第二种工艺中的四种实施例侧视图，其工艺制作流程，
1、玻璃基板清洗；
2、将清洗干净的玻璃基板装在基片架上送入镀膜线的真空腔体内；先对玻璃基板的后表面进行镀膜加工，如果功能层选择两层，则依次镀一层Nb2O5膜， 一层SiO2膜即可，如果功能层选择4层，则依次镀先一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜；
3、玻璃的后表面镀完膜后，对玻璃的前表面进行镀膜，同后表面功能层一样，如果选择两层功能膜，则在BM上依次镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜即可，如果功能层选择四层，则在BM上依次先镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜；
4、然后从镀膜机中取出，再次清洗；
5、在玻璃前表面制作BM绝缘边框；
6、制作完BM绝缘边框，再次进入镀膜前清洗，镀最后一层ITO导电膜；
7、在镀膜机中将玻璃取出，进行检验测试，合格入库。
此种方案ITO采用低温镀膜。
如图9至图12所示，本实用新型第三种工艺中的四种实施例侧视图，其工艺制作流程，
1、玻璃基板清洗；
2、将清洗干净的玻璃基板装在基片架上送入镀膜线的真空腔体内；先对玻璃基板的后表面进行功能层镀膜加工，如果功能层选择两层，则依次镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜即可，如果功能层选择4层，则依次镀先一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜；
3、玻璃的后表面镀完膜后，对玻璃的前表面进行镀膜，同后表面功能层一样，如果选择两层功能膜，则在BM上依次镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜即可，如果功能层选择四层，则在BM上依次先镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，再镀一层Nb2O5膜，一层SiO2膜，最后镀一层ITO导电膜；
4、然后从镀膜机中取出，再次清洗；
5、在玻璃前表面制作BM绝缘边框。
6、进行检验测试，合格入库。
此种方案ITO采用高温镀膜。
图13为ITO蚀刻线条效果图，a代表有ITO膜，b代表无ITO膜；
图14为绝缘边框示意图，绝缘边框2包围的中间为显示区域6。
以上三种方案中的Nb2O5膜都是采用中频反应磁控溅射的方式制备而成，工作真空度为0.2-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气80-120sccm，中频反应溅射的反应气体为高纯氧气，纯度为99.999％，氧气占比例10-15％，靶功率在5KW-20KW，靶电压550V——650V，膜层厚度在3nm-100nm之间。
以上三种方案中的SiO2膜都是采用中频反应磁控溅射的方式制备而成，工作真空度为0.2-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气200-400sccm，中频反应溅射的反应气体为高纯氧气，纯度为99.999％，氧气占比例30-50％，靶功率在5KW-50KW，靶电压450V——550V，膜层厚度在20nm-200nm之间。
高温ITO导电膜是采用直流磁控溅射的方式制备而成，工作真空度为0.2-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气240-350sccm，靶功率在5KW-30KW，靶电压220V——250V，膜层电阻在15-300Ω之间。
低温ITO导电膜是采用直流叠加射频溅射的方式制备而成，工作真空度为0.2-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气240-350sccm，靶功率在5KW-40KW，靶电压110V——150V，膜层电阻在15-300Ω之间。
玻璃基板的温度根据OGS本身的制作工艺，分为高温镀膜和低温镀膜，如 果如果BM层在玻璃前表面的第一道工序，则前表面的镀膜制程全部采用低温镀膜；若BM在玻璃前表面的功能层和ITO膜之间，则功能层采用高温方式或者低温方式生产均可，但是ITO膜层需要采用低温镀膜；若BM层在玻璃前表面的功能层和ITO膜层之后，则镀膜制程完全可采取高温镀膜来完成。在以上温度范围内，温度的高低对于采用中频反应溅射制备的Nb2O5膜和SiO2膜在工艺上没有影响；但是对ITO膜层来说，温度的高低影响到膜层的制备方式，可以根据温度的高低和对膜层性能的要求选择采取直流叠加射频溅射的方式镀膜或者直接采用直流溅射的方式完成。
具体实施案例选取，以下如表所示，
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (1)
1.一种消影高透过率OGS用玻璃，其特征在于：该OGS用玻璃为单片玻璃结构；包括基板(1)及依次镀于基板(1)上表面的绝缘边框(2)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、ITO导电膜(3)，及镀于基板(1)下表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)。
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| CN2013201689900U CN203311396U (zh) | 2013-04-02 | 2013-04-02 | 一种消影高透过率ogs用玻璃 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104049824A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-17 | 向火平 | 一种投射式电容屏及其制作方法 |
| CN108037850A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-15 | 芜湖长信科技股份有限公司 | 一种提高车载触摸屏绝缘阻抗的方法 |
| US10198134B2 (en) | 2015-03-11 | 2019-02-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Shadow elimination arrangement, touch screen and method for producing the same |
| US10282020B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-05-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch substrate and manufacturing method thereof, and touch display device |
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2013
- 2013-04-02 CN CN2013201689900U patent/CN203311396U/zh not_active Expired - Fee Related
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Assignee: Nanchang zhengixng Photoelectric Technology Co. Ltd. Assignor: Shenzhen ZhengXing Optoelectronics Technology Co., Ltd. Contract record no.: 2014440020172 Denomination of utility model: Shadow-removing high transmittance glass for one glass solution (OGS) and manufacturing method thereof Granted publication date: 20131127 License type: Exclusive License Record date: 20140523 |
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