CN103659534B - 研磨方法 - Google Patents

研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103659534B
CN103659534B CN201310444560.1A CN201310444560A CN103659534B CN 103659534 B CN103659534 B CN 103659534B CN 201310444560 A CN201310444560 A CN 201310444560A CN 103659534 B CN103659534 B CN 103659534B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lapping tape
grinding
substrate
edge part
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310444560.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103659534A (zh
Inventor
户川哲二
吉田笃史
山下道义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012209500A external-priority patent/JP6013849B2/ja
Priority claimed from JP2012210650A external-priority patent/JP5948199B2/ja
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN103659534A publication Critical patent/CN103659534A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103659534B publication Critical patent/CN103659534B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/002—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding edges or bevels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/18—Accessories
    • B24B21/20—Accessories for controlling or adjusting the tracking or the tension of the grinding belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/08—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass
    • B24B9/10—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass of plate glass
    • B24B9/102—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass of plate glass for travelling sheets

Abstract

本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。

Description

研磨方法
技术领域
本发明涉及对晶片等的基板进行研磨的研磨方法，尤其涉及将研磨带等的研磨工具推抵在基板的周缘部而对该周缘部进行研磨的研磨方法。
背景技术
为了对晶片的周缘部进行研磨，使用研磨带或者具有固定磨粒等的研磨工具的研磨装置。这种研磨装置，一边使晶片旋转，一边使研磨工具接触晶片的周缘部并由此对晶片的周缘部进行研磨。本说明书中，对于晶片的周缘部，将其定义为包含位于晶片的最外周的斜角部、位于该斜角部的半径方向内侧的上边缘部以及底边缘部的区域。
图52A以及图52B是表示晶片的周缘部的放大剖视图。更详细地说，图52A是所谓直型的晶片的剖视图，图52B是所谓圆型的晶片的剖视图。在图52A的晶片W中，斜角部是由上侧倾斜部（上侧斜角部）P、下侧倾斜部（下侧斜角部）Q、以及侧部（顶端）R构成的晶片W的最外周面（以附图标记B表示）。在图52B的晶片W中，斜角部是构成晶片W的最外周面的具有弯曲剖面的部分（以附图标记B表示）。上边缘部是与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部E1。底边缘部是位于与上边缘部相反的一侧且与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部E2。以下，将这些上边缘部E1以及底边缘部E2统称地称作边缘部。边缘部有时还包括形成有器件的区域。
在SOI（Silicon on Insulator：绝缘硅）基板等的制造工序中，如图53所示，要求在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。这样的边缘部的截面形状能够通过图54所示那样的研磨方法实现。即，一边使晶片W旋转，一边以推压垫300将研磨带301的边缘部推抵于边缘部，由此对晶片W的边缘部进行研磨。研磨带301的下表面构成保持有磨粒的研磨面，该研磨面与晶片W平行地配置。而且，在使研磨带301的边缘部位于晶片W的边缘部的状态下，以推压垫300将研磨带301的研磨面相对于晶片W的边缘部进行推抵，由此，能够在晶片W的边缘部形成图53所示那样的直角的截面形状，即垂直面以及水平面。
然而，上述垂直面是通过以研磨带301的边缘部对晶片W的边缘部进行削去而形成的，因此，如图55A所示，存在垂直面粗糙的情况。另外，如图55B至图55D所示，存在在对作为消耗品的推压垫300进行更换的前后，垂直面的形状发生变化的情况。
在SOI基板等的制造工序中，存在优选在晶片W的边缘部取代图53所示的垂直面而形成图56所示那样的倒锥面的情况。然而，以图54所示的研磨方法难以形成这样的倒锥面。
另外，存在由于通过晶片边缘部的水平面内的位置而使研磨带与水平面的接触面积不同，结果水平面的一部分倾斜的情况。对于该问题参照附图进行说明。图57是表示图54所示的推压垫300以及研磨带301的俯视图。晶片W为圆形而推压垫300为矩形形状。因此，如图57的虚线所示，研磨带301与晶片W的接触长度（即研磨面积）在晶片边缘部的水平面内的半径方向内侧区域和半径方向外侧区域是不同的。其结果，如图58所示，水平面内的半径方向内侧区域会倾斜。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的第一目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成平滑的垂直面。
另外，本发明的第二目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成倒锥面。
并且，本发明的第三目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成平坦的水平面。
用于解决课题的手段
为实现上述目的，第一方式是一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，并且将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯；进行第二研磨工序：将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此通过所述研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。
第二方式是一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，在所述第一研磨工序之后，将所述研磨带的一部分推抵于所述基板的边缘部并将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯；进行第二研磨工序：将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。
第三方式是一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序：在使第一研磨带的一部分从第一推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述第一推压部件将所述第一研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，以第二研磨带的一部分从第二推压部件朝基板的半径方向内侧突出的方式，对所述第二研磨带与所述第二推压部件进行定位，通过所述第二推压部件将所述第二研磨带的所述一部分推压在通过所述第一研磨工序而在所述基板的边缘部形成的角部，并将所述第二研磨带的所述一部分沿所述第二推压部件折弯；进行第二研磨工序：将折弯的所述第二研磨带的所述一部分通过所述第二推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述第二研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。
第四方式是一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序：将研磨工具相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，在所述第一研磨工序之后，进行第二研磨工序：将所述研磨工具朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨工具对所述基板的边缘部进一步进行研磨。
第五方式是一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行滑动研磨工序，通过推压部件将研磨带相对于所述基板的边缘部推抵，并且，使所述研磨带以及所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧移动直至到达规定的停止位置，反复进行所述滑动研磨工序，每次进行所述滑动研磨工序，均使所述停止位置朝所述半径方向内侧仅移动少许。
第六方式是一种研磨方法，其特征在于，将推压部件配置在从自基板的中心沿半径方向延伸的中心线上的原点位置向所述基板的切线方向仅以规定的距离错开的位置，所述切线方向相对于所述中心线垂直，使所述基板旋转，通过位于所述错开位置的推压部件将研磨带推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。
第七方式是一种研磨方法，其特征在于，将研磨工具配置在从自基板的中心沿半径方向延伸的中心线上的原点位置在所述基板的切线方向仅以规定的距离错开的位置上，所述切线方向相对于所述中心线垂直，使所述基板旋转，将位于所述错开位置的所述研磨工具推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。
发明的效果
根据第一方式至第四方式，通过第一研磨工序在基板的边缘部形成垂直面，通过第二研磨工序将垂直面加工得光滑。
根据第五方式，能够在基板的边缘部形成图56所示那样的倒锥面。
根据第六方式以及第七方式，通过将推压部件的位置沿基板的切线方向错开，能够不改变基板边缘部的水平面内的内侧区域与研磨带的接触面积地减小水平面内的外侧区域与研磨带的接触面积。因此，能够在基板边缘部形成平坦的水平面。
附图说明
图1是用于对用于实施研磨方法的一个实施方式的研磨装置进行说明的示意图。
图2是图1所示的研磨装置的俯视图。
图3A至图3D是用于对研磨方法的一个实施方式进行说明的图。
图4是用于对研磨方法的其他的实施方式进行说明的图。
图5是用于对图4所示的研磨方法的其他的例子进行说明的图。
图6是表示具备第一研磨单元以及第二研磨单元的研磨装置的示意图。
图7是对使用图6所示的研磨装置对晶片进行研磨的方法进行说明的图。
图8是用于对研磨方法的另外其他的实施方式进行说明的图。
图9是用于对SOI基板的制造工序进行说明的图。
图10是用于对研磨方法的另外其他的实施方式进行说明的图。
图11是表示用于实施研磨方法的另外其他的实施方式的研磨装置的示意图。
图12A、图12B、图12C是用于对使用图11所示的研磨装置的研磨方法进行说明的图。
图13是用于对用于实施研磨方法的一个实施方式的研磨装置进行说明的示意图。
图14是图13所示的研磨装置的俯视图。
图15是用于对研磨方法的一个实施方式进行说明的图。
图16是表示将推压垫从原点位置沿切线方向仅以规定的距离错开的状态的图。
图17是用于对用于实施其他的实施方式的研磨方法的研磨装置进行说明的示意图。
图18是图17所示的研磨装置的俯视图。
图19是用于对基于图17以及图18所示的研磨装置的研磨方法进行说明的图。
图20是表示将推压垫从原点位置沿切线方向仅以规定的距离错开的状态的图。
图21是示意性地表示用于执行研磨方法的另外其他的实施方式的研磨装置的侧视图。
图22是图21所示的晶片以及固定磨粒的俯视图。
图23是表示研磨装置的俯视图。
图24是图23的F－F线剖视图。
图25是从图24的箭头G表示的方向观察的图。
图26是研磨头以及研磨带供给回收机构的俯视图。
图27是研磨头以及研磨带供给回收机构的主视图。
图28是图27所示的H－H线剖视图。
图29是图27所示的研磨带供给回收机构的侧视图。
图30是对图27所示的研磨头从箭头I所示方向观察的纵剖视图。
图31是从上方观察位置传感器以及凸爪的图。
图32是表示移动至规定的研磨位置的研磨头以及研磨带供给回收机构的图。
图33是从横向观察实施图3A至图3D所示的研磨方法以及图4、图7所示的研磨方法时的处于研磨位置的推压垫、研磨带、以及晶片的示意图。
图34是表示通过推压垫将研磨带推抵于晶片的状态的图。
图35是从横向观察实施图10以及图13所示的研磨方法时的推压垫、研磨带以及晶片的示意图。
图36A至图36C是对检测研磨带的边缘部时的动作进行说明的图。
图37A是从晶片的半径方向观察位于研磨位置的研磨带以及推压垫的图，图37B是表示推压垫的下表面与研磨带的上表面接触的状态的图，图37C是表示推压垫将研磨带相对于晶片从上推抵的状态的图。
图38A是表示通过推压垫将研磨带推抵于晶片，结果晶片挠曲的状态的图，图38B是以图38A所示的状态被研磨的晶片的剖视图。
图39是表示具备支承架的晶片保持部的纵剖视图。
图40是支承架的立体图。
图41是表示保持台和保持于其上表面的晶片相对于支承架相对上升的状态的图。
图42是表示设置有带限位器的实施方式的图。
图43是表示研磨带受到水平方向的负载而变形的状态的图。
图44是表示设置有带限位器以及带罩的实施方式的图。
图45是表示设置有对推压垫向外侧的移动进行限制的移动限制机构的实施方式的图。
图46是表示将图39所示的实施方式与图45所示的实施方式组合的例子的图。
图47是表示具备多个研磨单元的研磨装置的俯视图。
图48是表示研磨装置的其他的实施方式的俯视图。
图49是图48所示的研磨装置的纵剖视图。
图50是图49所示的研磨头的放大图。
图51是表示研磨头对晶片的上边缘部进行研磨的情形的图。
图52A以及图52B是表示晶片的周缘部的放大剖视图。
图53是表示形成于晶片的边缘部的垂直面以及水平面的图。
图54是用于对用于形成图53所示的垂直面以及水平面的研磨方法进行说明的图。
图55A至图55D分别是表示通过以往的研磨方法而被研磨的晶片的边缘部的截面的放大图。
图56是表示形成于晶片的边缘部的倒锥面的剖视图。
图57是表示图54所示的推压垫以及研磨带的俯视图。
图58是表示被研磨的晶片的边缘部的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。
图1是用于对用于实施研磨方法的一个实施方式的研磨装置进行说明的示意图，图2是图1所示的研磨装置的俯视图。研磨装置具备：保持作为基板的晶片W并使其旋转的晶片保持部3；对保持于晶片保持部3的晶片W的边缘部进行研磨的研磨单元25。
研磨单元25具备：对研磨带38进行支承的研磨带支承机构70；将研磨带38推抵于晶片W的边缘部的推压垫（推压部件）51；使推压垫51在相对于晶片表面垂直的方向移动的垂直移动机构59；使推压垫51以及垂直移动机构59在晶片W的半径方向移动的半径方向移动机构45；使研磨带38以及研磨带支承机构70在晶片W的半径方向移动的带移动机构46。
半径方向移动机构45以及带移动机构46能够相互独立地动作。因此，晶片W的半径方向上的推压垫51与研磨带38的相对位置，能够通过半径方向移动机构45以及带移动机构46进行调整。作为垂直移动机构59、半径方向移动机构45、以及带移动机构46，能够使用气缸的组合、或者伺服马达与滚珠丝杠的组合等。
研磨带38以其研磨面与晶片W的表面平行、并且研磨面与晶片W的边缘部相对的方式，通过研磨带支承机构70而被支承。研磨带38的单面（下表面）构成固定有磨粒的研磨面。研磨带38是纵长的研磨工具，沿晶片W的切线方向配置。推压垫51是用于将研磨带38推抵于晶片W的边缘部的推压部件，配置于晶片W的边缘部的上方。在推压垫51的底面上，固定有对研磨带38的水平方向的移动进行限制的带限位器185。该带限位器185也可以省略。
图3A至图3D是表示研磨方法的一个实施方式的图。如图3A所示，以研磨带38的一部分（沿研磨带38的长度方向延伸的部分）从推压垫51朝晶片W的半径方向内侧突出的方式，对研磨带38和推压垫51进行定位。该状态下，如图3B所示，通过垂直移动机构59将推压垫51推下并将研磨带38的研磨面推抵于进行旋转的晶片W的边缘部。通过进一步将推压垫51推下，如图3C所示，对晶片W的边缘部进行研磨（第一研磨工序）直至在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面为止。推压垫51的晶片推压面是与晶片表面平行的水平面，通过以该水平的推压面将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。与晶片W接触的研磨带38的研磨面与晶片W的表面平行。研磨中的推压垫51的内侧的边缘部经由研磨带38而推抵于晶片W的边缘部。
随着推压垫51向下方移动，从推压垫51突出的研磨带38的一部分（突出部）沿推压垫51向上方折弯。该状态下，如图3D所示，通过半径方向移动机构45将推压垫51朝晶片W的半径方向内侧推压，由此，以研磨带38的折弯的部分对垂直面进行研磨（第二研磨工序）。通过研磨带38折弯，其研磨面与晶片边缘部的垂直面接触。因此，晶片W的垂直面通过研磨带38的研磨面被研磨。
这样，通过第一研磨工序而形成于晶片W的边缘部的垂直面，通过第二研磨工序被研磨带38的研磨面研磨。因此，能够使垂直面光滑。也可以在第一研磨工序中使用粗研磨用的组织粗糙的研磨带，在第二研磨工序中使用精加工研磨用的组织细密的研磨带。如图3C所示，优选折弯的研磨带38的一部分比形成于晶片W的边缘部的被研磨部分的深度（即垂直面的高度）长。
在研磨中若仅将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，则存在在边缘部残留研磨痕迹的情况。为解决该问题，可以一边使研磨带38沿其长度方向移动，一边进行第一研磨工序以及上述第二研磨工序中的至少一个。通过这样一边进给研磨带38一边进行研磨，能够将形成于晶片W的研磨痕迹去除。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，另外，为了制作出在几何学上准确的形状，研磨带38的移动方向也可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。为了更有效地去除研磨痕迹，可以一边将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，一边使研磨带38在晶片的W的半径方向移动。
图4是用于对其他的实施方式的研磨方法进行说明的图。无特别说明的本实施方式的构成以及动作与上述的实施方式相同因而省略其重复说明。在步骤1中，以研磨带38的一部分（沿研磨带38的长度方向延伸的部分）从推压垫51朝晶片W的半径方向内侧略微突出的方式，对研磨带38与推压垫51进行定位。该定位通过半径方向移动机构45以及带移动机构46实现。研磨带38位于晶片W的边缘部的上方。使研磨带38的一部分从推压垫51突出的理由，是为了在晶片W的研磨中避免推压垫51与晶片W的边缘部接触。
步骤2中，通过垂直移动机构59将推压垫51推下并将研磨带38的研磨面推抵于旋转的晶片W的边缘部，在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面（第一研磨工序）。研磨中的推压垫51的内侧的边缘部经由研磨带38被推压于晶片W的边缘部。步骤3中，通过垂直移动机构59使推压垫51以及研磨带38上升，研磨带38从晶片W分离。
步骤4中，推压垫51以及研磨带38在从晶片W离开的状态下朝晶片W的半径方向内侧仅移动规定的距离。更具体而言，推压垫51以及研磨带38向晶片W的半径方向内侧的方向移动，直至研磨带38的内侧的边缘部位于晶片W的垂直面的半径方向内侧、并且推压垫51的内侧的边缘部位于晶片W的垂直面的半径方向外侧。该步骤4中的推压垫51以及研磨带38的移动通过半径方向移动机构45以及带移动机构46实现。
步骤5中，通过垂直移动机构59使推压垫51以及研磨带38下降。步骤5中的研磨带38的突出部的宽度与步骤1中的突出部的宽度相同或者也可以比其大。步骤6中，将研磨带38的一部分（突出部）推压在晶片W的垂直面与表面（上表面）相交的角部并将研磨带38的一部分向上方折弯。该角部通过第一研磨工序而形成于晶片W的边缘部。步骤7中，通过半径方向移动机构45将推压垫51朝晶片W的半径方向内侧推压，由此以研磨带38的折弯的部分对垂直面进行研磨（第二研磨工序）。由于研磨带38折弯，因此其研磨面与晶片边缘部的垂直面接触。因此，晶片W的垂直面被研磨带38的研磨面研磨。
在该实施方式中，通过第一研磨工序形成在晶片W的边缘部的垂直面，在第二研磨工序中通过研磨带38被研磨。因此，能够在晶片W的边缘部形成光滑的垂直面。也可以一边使研磨带38沿其长度方向移动，一边进行第一研磨工序以及第二研磨工序中的至少一个。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，研磨带38的移动方向也可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。并且，为了去除研磨痕迹，也可以一边将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，一边使研磨带38在晶片的W的半径方向移动。
图4所示的步骤3以及步骤4中，使研磨带38从晶片W暂时分离，但也可以保持使研磨带38与晶片W的边缘部接触的状态不变地将研磨带38的一部分折弯。对于该例参照图5进行说明。图5是用于对图4所示的研磨方法的其他的例子进行说明的图。步骤1以及步骤2所示的第一研磨工序与图4所示的步骤1以及步骤2相同。第一研磨工序后，在步骤3中，在研磨带38与晶片W接触的状态下，使推压垫51以及研磨带38朝晶片W的半径方向内侧移动，将研磨带38的一部分（突出部）推压在通过第一研磨工序而形成的边缘部的垂直面上并将研磨带38的一部分向上方折弯。步骤4中，通过半径方向移动机构45将推压垫51朝晶片W的半径方向内侧进一步推压，由此通过研磨带38的折弯的部分对垂直面进行研磨（第二研磨工序）。
也可以使用不同类型的研磨带进行图4所示的第一研磨工序（步骤1～3）和第二研磨工序（步骤4～7）。该情况下，如图6所示，使用具备具有相互相同的构成的第一研磨单元25A以及第二研磨单元25B的研磨装置。这些研磨单元25A、25B，相对于保持于晶片保持部3的晶片W的中心对称地配置。研磨单元25A、25B具有与图1所示的研磨单元25相同的构成，因此省略其重复说明。
第一研磨单元25A具有组织粗糙的第一研磨带38A，第二研磨单元25B具有组织细密的第二研磨带38B。图7是对使用图6所示的研磨装置对晶片进行研磨的方法进行说明的图。
步骤1中，以第一研磨带38A的一部分从第一研磨单元25A的推压垫51朝晶片W的半径方向内侧略微突出的方式，对第一研磨带38A与推压垫51进行定位。步骤2中，通过第一研磨单元25A的垂直移动机构59将推压垫51推下并将第一研磨带38A的研磨面推抵于旋转的晶片W的边缘部，在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面（第一研磨工序）。研磨中的推压垫51的内侧的边缘部经由第一研磨带38A而推压在晶片W的边缘部。步骤3中，通过垂直移动机构59使第一研磨单元25A的推压垫51以及第一研磨带38A上升，第一研磨带38A从晶片W分离。
步骤4中，以第二研磨带38B的一部分从第二研磨单元25B的推压垫51朝晶片W的半径方向内侧突出的方式，对第二研磨带38B与推压垫51进行定位。第二研磨带38B的内侧的边缘部位于晶片W的垂直面的半径方向内侧，并且第二研磨单元25B的推压垫51的内侧的边缘部位于晶片W的垂直面的半径方向外侧。第二研磨单元25B的推压垫51的内侧的边缘部与晶片W的垂直面之间的水平方向的距离比第二研磨带38B的厚度大。
步骤5中，通过第二研磨单元25B的垂直移动机构59使推压垫51以及第二研磨带38B下降，步骤6中，将第二研磨带38B的一部分（突出部）推压在晶片W的垂直面与表面（上表面）相交的角部并将第二研磨带38B的一部分向上方折弯。该角部通过第一研磨工序而形成在晶片W的边缘部。步骤7中，通过第二研磨单元25B的半径方向移动机构45将推压垫51朝晶片W的半径方向内侧推压，由此以第二研磨带38B的折弯的部分对垂直面进行研磨（第二研磨工序）。由于第二研磨带38B被折弯，因此其研磨面与晶片边缘部的垂直面接触。因此，晶片W的垂直面被第二研磨带38B的研磨面研磨。也可以一边使研磨带沿其长度方向移动，一边进行第一研磨工序以及第二研磨工序中的至少一个。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，研磨带的移动方向也可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。并且，为了去除研磨痕迹，也可以一边将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，一边使研磨带38在晶片的W的半径方向移动。
根据本实施方式，能够通过组织细密的第二研磨带在晶片W的边缘部形成更光滑的垂直面。并且，能够在将晶片W保持于晶片保持部3的状态下直接通过不同类型的研磨带进行多阶段研磨。本实施方式具备下述优点：不必在第一研磨工序与第二研磨工序之间搬运晶片W，能够消除第一研磨工序与第二研磨工序之间的晶片的定心的错位。此外，还能够配置三个以上的研磨单元。
接下来，对研磨方法的另外其他的实施方式进行说明。图8A至图8E是用于对研磨方法的另外其他的实施方式进行说明的图。该实施方式中，研磨带一边在晶片W的边缘部上沿晶片W的半径方向滑动，一边多次对晶片W的边缘部进行研磨。具体而言，如图8A所示，在研磨带38的一部分从推压垫51朝半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫51将研磨带38推压在晶片W的边缘部，进而在研磨带38与边缘部接触的状态下使研磨带38以及推压垫51朝晶片W的半径方向内侧移动。研磨带38在边缘部上滑动直至到达规定的停止位置，对边缘部进行研磨。
同样地，如图8B至图8E所示，反复进行使研磨带38在边缘部上滑动的滑动研磨工序。每次进行滑动研磨工序，使研磨带38的停止位置朝晶片W的半径方向内侧仅（仅以规定的距离）移动少许。这样，通过一边每次使研磨带38的停止位置向内侧移动少许一边反复进行滑动研磨工序，能够在晶片W的边缘部形成图56所示那样的倒锥面。当研磨带38到达规定的停止位置后，既可以在开始下一次滑动研磨工序之前使推压垫51以及研磨带38暂时从晶片W分离并移动至下一次滑动研磨工序的开始位置，或者也可以使推压垫51以及研磨带38向晶片W的半径方向外侧滑动并使其移动至下一次滑动研磨工序的开始位置。在本实施方式中，还能够一边使研磨带38沿其长度方向移动一边进行滑动研磨工序。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，研磨带38的移动方向也可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。
通过图8A至图8E所示的滑动研磨而在边缘部形成的倒锥面，对于SOI（Silicon onInsulator）基板的制造有利。SOI基板通过使器件晶片与硅晶片贴合而制造。更具体而言，如图9A以及图9B所示，使器件晶片W1与硅晶片W2贴合，并使贴合的器件晶片W1与硅晶片W2反转，如图9C所示，对器件晶片W1从其背面通过研磨机（grinder）进行研削，由此得到图9D所示那样的SOI基板。根据图9D可知，硅晶片W2上的器件层的端面为锥面，因此具有器件层不易破损的优点。
图10是用于对研磨方法的另外其他的实施方式进行说明的图。无特别说明的本实施方式的构成以及动作与上述的实施方式相同，因此省略其重复说明。在将研磨带38沿晶片W的切线方向配置这一点，本实施方式与上述的实施方式相同，但在本实施方式中，在下述方面与上述实施方式不同：以使推压垫51的边缘部与研磨带38的边缘部一致的状态，通过推压垫51将研磨带38相对于晶片W的边缘部推抵并对晶片W的边缘部进行研磨。
本实施方式的研磨方法包含初始阶段研磨工序即第一研磨工序、高去除率研磨工序即第二研磨工序、以及最终阶段研磨工序即第三研磨工序。第一研磨工序是一边使晶片W旋转一边通过推压垫51以第一推抵压力将研磨带38的边缘部相对于晶片W的边缘部推抵的工序。第二研磨工序是一边使晶片W旋转一边通过推压垫51以比第一推抵压力高的第二推抵压力将研磨带38的边缘部相对于晶片W的边缘部推抵的工序。而且，第三研磨工序是一边使晶片W旋转一边通过推压垫51以比第二推抵压力低的第三推抵压力将研磨带38的边缘部相对于晶片W的边缘部推抵的工序。第一研磨工序、第二研磨工序、以及第三研磨工序中，通过推压垫51的边缘部将研磨带38的边缘部推抵于晶片W的边缘部，由此在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。
对于第一研磨工序、第二研磨工序、第三研磨工序，能够适当地改变研磨带38向晶片W的推抵压力以及晶片W的旋转速度。例如，也可以在第一研磨工序中使晶片W以第一旋转速度旋转，而在第二研磨工序中使其以比第一旋转速度高的第二旋转速度旋转。第三研磨工序中的晶片W的旋转速度，既可以与上述第一旋转速度相同，或者也可以与上述第二旋转速度相同。另外，第三研磨工序中的上述第三推抵压力既可以与第一研磨工序中的第一推抵压力相同，或者也可以比第一推抵压力低，或者还可以比第一推抵压力高。
第一研磨工序中，以较低的推抵压力对晶片W缓慢地进行研磨，因此能够不在角部产生缺损地在晶片W的边缘部形成直角的角部。第二研磨工序中，以较高的推抵压力对晶片W进行研磨，因此能够缩短整体的研磨时间。第三研磨工序中，以较低的推抵压力对晶片W进行研磨，因此能够改善表面粗糙度。在第三研磨工序之后，还可以再实施追加的研磨工序。
在本实施方式中，在研磨带38的边缘部与推压垫51的边缘部一致的状态下，包含研磨带38的边缘部在内的平坦部被推压于晶片W的边缘部。研磨带38的边缘部为直角的角部，该直角的边缘部通过推压垫51的边缘部而从上方推压于晶片W的周缘部。因此，如图10所示，能够将研磨的晶片W的截面形状形成为直角。第一研磨工序、第二研磨工序、以及第三研磨工序，也可以一边使研磨带38沿其长度方向移动一边进行。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，研磨带38的移动方向可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。
图11是表示用于实施研磨方法的另外其他的实施方式的研磨装置的示意图。该实施方式中，作为对晶片W的周缘部进行研磨的研磨工具，取代研磨带而使用固定磨粒（磨石）39。该固定磨粒39具有圆板形状，并固定于圆形的推压部件51的下表面。推压部件51与马达65连结，固定磨粒39与推压部件51一体地通过马达65而旋转。马达65与使推压部件51以及固定磨粒39在相对于晶片表面垂直的方向上移动的垂直移动机构59连结，垂直移动机构59与使推压部件51以及固定磨粒39沿晶片W的半径方向移动的半径方向移动机构45连结。
图12A至图12C是用于对使用图11所示的研磨装置的研磨方法进行说明的图。如图12A所示，一边使晶片W旋转，一边使固定磨粒39以及推压部件51绕其中心通过马达65而旋转。该状态下，如图12B所示，通过垂直移动机构59将推压部件51以及固定磨粒39推下并将固定磨粒39的下表面推抵于旋转的晶片W的边缘部，在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面（第一研磨工序）。并且，如图12C所示，通过半径方向移动机构45将推压部件51以及固定磨粒39朝晶片W的半径方向内侧推压，由此以固定磨粒39的外周面对晶片边缘部的垂直面进行研磨（第二研磨工序）。这样，作为研磨工具也能够使用磨石等的固定磨粒39。
图13是用于对用于实施研磨方法的另外其他的实施方式的研磨装置进行说明的示意图，图14是图13所示的研磨装置的俯视图。研磨装置具备：对基板即晶片W进行保持并使其旋转的晶片保持部3；将研磨带38推抵于晶片W的边缘部的推压垫51；将推压垫51朝晶片W推压的推压机构53；使推压垫51以及推压机构53沿晶片W的切线方向移动的切线方向移动机构30。作为推压机构53，能够使用气缸、或者伺服马达与滚珠丝杠的组合，作为切线方向移动机构30，能够使用伺服马达与滚珠丝杠的组合。
研磨带38以其研磨面与晶片W的表面平行并且研磨面与晶片W的边缘部相对的方式配置。研磨带38的单面（下表面）构成供磨粒固定的研磨面。研磨带38是纵长的研磨工具，沿晶片W的切线方向配置。推压垫51是用于将研磨带38推抵于晶片W的边缘部的推压部件，配置于晶片W的边缘部的上方。在推压垫51的底面，固定有对研磨带38的水平方向的移动进行限制的带限位器185。该带限位器185也可以省略。
图15是用于对本发明的研磨方法的一个实施方式进行说明的图。推压垫51的原点位置预先设定在从晶片W的中心Cw沿半径方向延伸的中心线CL上。该原点位置是对晶片W的边缘部进行研磨时的推压垫51的基准位置。位于原点位置的推压垫51的内侧缘部51b的中点Cp位于中心线CL上。该推压垫51的内侧缘部51b是将研磨带38相对于晶片W的边缘部进行推压的推压面的边缘部，是在晶片W的半径方向上内侧的边缘部。
晶片W的研磨如下进行。首先，使晶片W通过晶片保持部3而旋转。而且，在使推压垫51的边缘部与研磨带38的边缘部一致的状态下，通过推压垫51将研磨带38的边缘部推抵于旋转的晶片W的边缘部而对晶片W的边缘部进行研磨。也可以在使研磨带38的一部分从推压垫51的边缘部向晶片W的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫51将研磨带38推抵于旋转的晶片W的边缘部。研磨带38的边缘部为直角的角部，该直角的边缘部通过推压垫51的边缘部而从上方推压于晶片W的边缘部。与晶片W接触的研磨带38的研磨面与晶片W的表面平行。研磨中的推压垫51的内侧的边缘部经由研磨带38而被推压于晶片W的边缘部。推压垫51的晶片推压面（基板推压面）是与晶片表面平行的水平面，通过该水平的推压面将研磨带38推抵于晶片W的边缘部，由此在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。
然而，如上述那样，研磨带38与晶片W的接触面积因晶片边缘部内的位置而不同，其结果是，如图58所示，存在水平面内的内侧区域倾斜的情况。因此，如图16所示，将推压垫51从原点位置在与中心线CL正交的切线方向上错开规定的距离，在该错开的位置通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W。根据图16可知，若将推压垫51的位置在晶片W的切线方向上错开，则能够不改变晶片边缘部的水平面内的内侧区域与研磨带38的接触面积（接触长度）地减小水平面内的外侧区域与研磨带38的接触面积。因此，研磨带38能够在晶片W的边缘部形成图158所示的那样的平坦的水平面。将推压垫51错开的上述规定的距离，优选不足沿上述切线方向的推压垫51的长度的一半。如果是这样的距离，则位于最内侧的垂直面的形成几乎不会受到推压垫51的位置的影响。此外，通过对推压垫51从原点位置在与中心线CL正交的切线方向错开的距离进行调整，能够改变水平面的剖面。例如，通过对推压垫51的从原点位置错开的距离进行调整，能够形成具有所希望的角度的水平面。
本发明也能够适用于在晶片W的半径方向配置研磨带38的研磨方法。图17是用于对用于实施本发明的其他的实施方式的研磨方法的研磨装置进行说明的示意图，图18是图17所示的研磨装置的俯视图。图17以及图18所示的研磨装置在下述方面与图13以及图14所示的研磨装置不同：当从晶片W的上方观察时，以研磨带38沿中心线CL延伸的方式（即，研磨带38沿晶片W的半径方向延伸的方式）配置研磨带38。其他的构成与图13以及图14所示的研磨装置相同。
晶片W的研磨以如下方式进行。首先，使晶片W通过晶片保持部3而旋转。然后，通过推压垫51将研磨带38推抵于旋转的晶片W的边缘部而对晶片W的边缘部进行研磨。研磨中的推压垫51的内侧的边缘部经由研磨带38而推压于晶片W的边缘部。
图19是用于对基于图17以及图18所示的研磨装置的研磨方法进行说明的图。与上述的实施方式相同地，推压垫51的原点位置被预先设定在从晶片W的中心Cw沿半径方向延伸的中心线CL上。位于原点位置的推压垫51的内侧缘部51b的中点Cp位于中心线CL上。
对晶片W进行研磨时，如图20所示，将推压垫51从原点位置向与中心线CL正交的切线方向错开规定的距离，在该错开的位置通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W。同样在本实施方式中，能够不改变晶片边缘部的水平面内的内侧区域与研磨带38的接触面积（接触长度）地减小水平面内的外侧区域与研磨带38的接触面积。因此，能够在晶片W的边缘部形成平坦的水平面。
图21是示意性地表示用于执行研磨方法的另外其他的实施方式的研磨装置的侧视图。该实施方式中，取代研磨带而将磨石等的固定磨粒39作为研磨工具进行使用。该固定磨粒39具有圆板形状，并固定在圆形的推压部件51的下表面。推压部件51与马达65连结，固定磨粒39与推压部件51一体地通过马达65而旋转。马达65与将固定磨粒39以及推压部件51向晶片W推压的推压机构53连结。推压机构53与使固定磨粒39以及推压部件51向晶片W的切线方向移动的切线方向移动机构30连结。
图22是图21所示的晶片W以及固定磨粒39的俯视图。对晶片W进行研磨时，如图22所示，将固定磨粒39以及推压部件51从原点位置在与中心线CL正交的切线方向上错开规定的距离，在该错开的位置通过推压部件51将固定磨粒39推抵于晶片W。
接下来，对能够执行上述的研磨方法的实施方式的研磨装置的详细进行说明。图23是表示研磨装置的俯视图，图24是图23的F－F线剖视图，图25是从图24的箭头G所示方向观察的图。研磨装置具备晶片保持部3，该晶片保持部3将作为研磨对象物的晶片（基板）W水平地保持，并使其旋转。在图23中，表示了晶片保持部3保持有晶片W的状态。晶片保持部3具备：对晶片W的下表面通过真空吸引而进行保持的保持台4；与保持台4的中央部连结的中空轴5；使该中空轴5旋转的马达M1。晶片W以晶片W的中心与中空轴5的轴心一致的方式载置于保持台4之上。
保持台4配置在研磨室22内，该研磨室22由隔壁20和底板21形成。隔壁20具备用于将晶片W相对于研磨室22搬入以及搬出的搬运口20a。搬运口20a水平地延伸且作为切口形成。该搬运口20a能够通过闸门23关闭。
中空轴5通过滚珠花键轴承（直动轴承）6而以能够上下运动的方式支承。在保持台4的上表面形成有槽4a，该槽4a与通过中空轴5而延伸的连通路7连通。连通路7经由安装于中空轴5的下端的旋转连接器8而与真空管线9连接。连通路7还与用于使处理后的晶片W从保持台4脱离的氮气气体供给管线10连接。通过对这些真空管线9和氮气气体供给管线10进行切换，使晶片W在保持台4的上表面被保持或使其脱离。
中空轴5经由与该中空轴5连结的带轮p1、安装于马达M1的旋转轴的带轮p2、张挂于这些带轮p1、p2的皮带b1而通过马达M1旋转。滚珠花键轴承6是允许中空轴5向其长度方向自由移动的轴承。滚珠花键轴承6固定于圆筒状的外壳12。因此，中空轴5能够相对于外壳12上下地直线移动，中空轴5与外壳12一体地旋转。中空轴5与气缸（升降机构）15连结，中空轴5以及保持台4能够通过气缸15而上升以及下降。
在外壳12与在其外侧配置于同心上的圆筒状的外壳14之间，夹装有径向轴承18，外壳12通过轴承18而以能够自由旋转的方式被支承。通过这样的构成，晶片保持部3能够使晶片W绕其中心轴旋转，并且能够使晶片W沿其中心轴上升、下降。
在保持于晶片保持部3的晶片W的半径方向外侧，配置有对晶片W的周缘部进行研磨的研磨单元25。该研磨单元25配置于研磨室22的内部。如图25所示，研磨单元25的整体固定在设置台27之上。该设置台27经由臂块28与研磨单元移动机构30连结。
研磨单元移动机构30具备：保持臂块28的滚珠丝杠机构31；驱动该滚珠丝杠机构31的马达32；连结滚珠丝杠机构31与马达32的动力传递机构33。动力传递机构33由带轮以及皮带等构成。若使马达32工作，则滚珠丝杠机构31将臂块28向图25的以箭头表示的方向移动，研磨单元25整体沿晶片W的切线方向移动。该研磨单元移动机构30还作为使研磨单元25以规定的振幅以及规定的速度摆动的摆动机构发挥作用。
研磨单元25具备：使用研磨带38对晶片W的周缘部进行研磨的研磨头50；将研磨带38供给至研磨头50，并且从研磨头50进行回收的研磨带供给回收机构70。研磨头50是将研磨带38的研磨面从上方推压在晶片W的周缘部而对晶片W的上边缘部进行研磨的上边缘研磨头。研磨带供给回收机构70还作为将研磨带38与晶片W的表面平行地进行支承的研磨带支承机构发挥作用。
图26是研磨头50以及研磨带供给回收机构70的俯视图，图27是研磨头50以及研磨带供给回收机构70的主视图，图28是图27所示的H－H线剖视图，图29是图27所示的研磨带供给回收机构70的侧视图，图30是对图27所示的研磨头50从箭头I所示方向观察的纵剖视图。
设置台27上，配置有与晶片W的半径方向平行地延伸的两个直动引导件40A、40B。研磨头50与直动引导件40A经由连结块41A而连结。并且，研磨头50与使该研磨头50沿直动引导件40A（即，沿晶片W的半径方向）移动的马达42A以及滚珠丝杠43A连结。更具体而言，滚珠丝杠43A固定于连结块41A，马达42A经由支承部件44A固定于设置台27。马达42A以使滚珠丝杠43A的螺纹轴旋转的方式构成，由此，连结块41A以及与其连结的研磨头50沿直动引导件40A移动。马达42A、滚珠丝杠43A、以及直动引导件40A构成使研磨头50沿保持于晶片保持部3的晶片W的半径方向移动的第一移动机构45。
相同地，研磨带供给回收机构70与直动引导件40B经由连结块41B而连结。并且，研磨带供给回收机构70与使该研磨带供给回收机构70沿直动引导件40B（即，沿晶片W的半径方向）移动的马达42B以及滚珠丝杠43B连结。更具体而言，滚珠丝杠43B固定于连结块41B，马达42B经由支承部件44B固定于设置台27。马达42B以使滚珠丝杠43B的螺纹轴旋转的方式构成，由此，连结块41B以及与其连结的研磨带供给回收机构70沿直动引导件40B移动。马达42B、滚珠丝杠43B、以及直动引导件40B构成使研磨带38以及研磨带供给回收机构（研磨带支承机构）70沿保持于晶片保持部3的晶片W的半径方向移动的带移动机构（第二移动机构）46。
如图30所示，研磨头50具备：将研磨带38相对于晶片W推抵的推压垫51；保持推压垫51的垫保持件52；作为将该垫保持件52（以及推压垫51）推下的推压机构的气缸53。气缸53保持于保持部件55。并且，保持部件55经由沿垂直方向延伸的直动引导件54而与作为提升机构的气缸56连结。若从未图示的气体供给源将空气等的气体供给至气缸56，则气缸56将保持部件55推起。由此，保持部件55、气缸53、垫保持件52、以及推压垫51沿直动引导件54被抬起。
在本实施方式中，使推压垫51沿相对于晶片表面垂直的方向移动的垂直移动机构59由气缸53以及气缸56构成。另外，由马达42A、滚珠丝杠43A、以及直动引导件40A构成的第一移动机构45，还作为使推压垫51以及垂直移动机构59沿晶片W的半径方向移动的半径方向移动机构发挥作用。并且，研磨单元移动机构30作为使推压垫51（以及作为推压机构的气缸53）沿晶片W的切线方向移动的切线方向移动机构发挥作用。
气缸56固定在固定于连结块41A的装配部件57。装配部件57与垫保持件52经由沿垂直方向延伸的直动引导件58而连结。若通过气缸53将垫保持件52推下，则推压垫51沿直动引导件58向下方移动，将研磨带38相对于晶片W的边缘部推抵。推压垫51由PEEK（聚醚醚酮）的等的树脂、不锈钢等的金属、或者SiC（碳化硅）等的陶瓷形成。
推压垫51具有沿垂直方向延伸的多个贯通孔51a，在该贯通孔51a中连接有真空管线60。真空管线60上，设有未图示的阀，通过打开阀而将推压垫51的贯通孔51a内形成真空。若在推压垫51与研磨带38的上表面接触的状态下在贯通孔51a形成真空，则研磨带38的上表面被保持于推压垫51的下表面。此外，推压垫51的贯通孔51a也可以是一个。关于贯通孔51a的形状，只要研磨带38能够通过真空而可靠地被保持在推压垫51上，则无特别限定。例如，贯通孔51a既可以是狭缝状，或者也可以设置具有不同形状的一个或者多个贯通孔51a。
垫保持件52、气缸53、保持部件55、气缸56、以及装配部件57收容于箱62内。垫保持件52的下部从箱62的底部突出，在垫保持件52的下部安装推压垫51。在箱62内，配置有对推压垫51的垂直方向的位置进行检测的位置传感器63。该位置传感器63安装于装配部件57。在垫保持件52上，设有作为传感器靶的凸爪64，位置传感器63根据凸爪64的垂直方向的位置检测推压垫51的垂直方向的位置。
图31是从上方观察位置传感器63以及凸爪64的图。位置传感器63具有投光部63A和受光部63B。若凸爪64与垫保持件52（以及推压垫51）一同下降，则从投光部63A发出的光的一部分被凸爪64遮挡。因此，根据通过受光部63B受光的光的量能够检测凸爪64的位置、即推压垫51的垂直方向的位置。此外，图31所示的位置传感器63是所谓的透射式的光学式传感器，但也可以使用其他类型的位置传感器。
研磨带供给回收机构70具备：对研磨头50供给研磨带38的供给卷盘71；将研磨带38从研磨头50回收的回收卷盘72。供给卷盘71以及回收卷盘72分别与张力马达73、74连结。这些张力马达73、74通过对供给卷盘71以及回收卷盘72施加规定的扭矩，从而能够对研磨带38施加规定的张力。
在供给卷盘71与回收卷盘72之间，设有研磨带进给机构76。该研磨带进给机构76具备：进给研磨带38的带进给辊77；将研磨带38相对于带进给辊77推抵的夹持辊78；使带进给辊77旋转的带进给马达79。研磨带38被夹在夹持辊78与带进给辊77之间。通过使带进给辊77向图27的箭头所示方向旋转，研磨带38从供给卷盘71被送往回收卷盘72。
张力马达73、74以及带进给马达79设置于基台81。该基台81固定于连结块41B。基台81具有从供给卷盘71以及回收卷盘72向研磨头50延伸的两根支承臂82、83。在支承臂82、83上，安装有对研磨带38进行支承的多个引导辊84A、84B、84C、84D、84E。研磨带38通过这些引导辊84A～84E以包围研磨头50的方式被引导。
研磨带38的延伸方向，当从上方观察时，相对于晶片W的半径方向垂直。位于研磨头50的下方的两个引导辊84D、84E，以研磨带38的研磨面与晶片W的表面（上表面）平行的方式支承研磨带38。并且，位于这些两个引导辊84D、84E之间的研磨带38与晶片W的切线方向平行地延伸。在研磨带38与晶片W之间，在垂直方向形成有间隙。
研磨装置还具备对研磨带38的边缘部的位置进行检测的带边缘检测传感器100。带边缘检测传感器100与上述位置传感器63相同地是透射式的光学式传感器。带边缘检测传感器100具有投光部100A和受光部100B。投光部100A，如图26所示，固定于设置台27，受光部100B，如图24所示，固定于形成研磨室22的底板21。该带边缘检测传感器100构成为，根据通过受光部100B受光的光的量对研磨带38的边缘部的位置进行检测。
对晶片W进行研磨时，如图32所示，研磨头50以及研磨带供给回收机构70通过马达42A、42B以及滚珠丝杠43A、43B而分别移动至规定的研磨位置。位于研磨位置的研磨带38，当从晶片W的上方观察时，沿晶片W的切线方向延伸。因此，研磨带供给回收机构70的引导辊84D、84E作为在沿晶片W的切线方向的状态下将研磨带38与晶片W的表面平行地支承的研磨带支承机构发挥作用。
图33是从横向对实施图3A至图3D所示的研磨方法以及图4、图7所示的研磨方法时的位于研磨位置的推压垫51、研磨带38、以及晶片W进行观察的示意图。如图33所示，研磨带38位于晶片W的边缘部的上方，推压垫51位于研磨带38的上方。图34是表示通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W的状态的图。
图35是对实施图10以及图13所示的研磨方法时的推压垫51、研磨带38、以及晶片W从横向观察的示意图，表示的是通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W的状态。如图35所示，位于研磨位置的推压垫51的边缘部与研磨带38的边缘部一致。即，以推压垫51的边缘部与研磨带38的边缘部一致的方式，研磨头50以及研磨带供给回收机构70分别独立地移动至研磨位置。但是，推压垫51的边缘部与研磨带38的边缘部不必完全一致，研磨带38的边缘部也可以从推压垫51的边缘部探出20μm～100μm左右。
研磨带38是细长带状的研磨工具。研磨带38的宽度基本上在其全长范围内恒定，但有时根据研磨带38的部分不同其宽度存在若干差别。因此，存在位于研磨位置的研磨带38的边缘部的位置针对各个晶片而不同的担心。另一方面，位于研磨位置的推压垫51的位置始终恒定。因此，在移动至研磨位置之前，对研磨带38的边缘部的位置通过上述的带边缘检测传感器100进行检测。
图36A至图36C是对检测研磨带38的边缘部时的动作进行说明的图。在晶片W的研磨之前，研磨带38从图36A所示的退避位置移动至图36B所示的带边缘检测位置。在该带边缘检测位置，通过带边缘检测传感器100，检测研磨带38的晶片侧的边缘部的位置。而且，如图36C所示以研磨带38的一部分从推压垫51的边缘部仅以规定的宽度探出的方式，或者如图35所示以研磨带38的边缘部与推压垫51的边缘部一致的方式，研磨带38移动至研磨位置。
位于研磨位置的推压垫51的边缘部的位置预先被存储于研磨控制部11（参照图23）。因此，研磨控制部11能够根据检测到的研磨带38的边缘部的位置及推压垫51的边缘部的位置计算研磨带38的移动距离。这样，由于根据检测到的研磨带38的边缘部的位置能够确定研磨带38的移动距离，因此，能够与研磨带38的宽度的差别无关地使研磨带38移动至规定的位置。
在图13所示的研磨方法中，也可以如图34所示，以使研磨带38的一部分从推压垫51的内侧缘部向晶片W的半径方向内侧突出的状态，通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W的边缘部。
接下来，对如上述那样构成的研磨装置的研磨动作进行说明。以下进行说明的研磨装置的动作，通过图23所示的研磨控制部11进行控制。晶片W以形成于其表面的膜（例如，器件层）朝向上方的方式被保持于晶片保持部3，并绕晶片W的中心旋转。从未图示的液体供给机构对旋转的晶片W的中心供给液体（例如，纯水）。研磨头50的推压垫51以及研磨带38，如图33所示，分别移动至规定的研磨位置。
图37A表示从晶片W的半径方向观察位于研磨位置的研磨带38以及推压垫51的图。图37A所示的推压垫51处于被气缸56（参照图30）抬起的状态，推压垫51位于研磨带38的上方。接下来，使气缸56的动作停止并使其活塞杆下降，如图37B所示，推压垫51下降直至其下表面与研磨带38的上表面接触。在该状态下经由真空管线60将推压垫51的贯通孔51a形成为真空，使研磨带38保持于推压垫51的下表面。在保持研磨带38的状态下，推压垫51通过气缸53（参照图30）而下降，如图37C所示，推压垫51将研磨带38的研磨面以规定的研磨压力推抵于晶片W的周缘部。研磨压力是从研磨带38作用于晶片W的周缘部的推抵压力。该研磨压力能够通过供给至气缸53的气体的压力进行调整。
执行图13所示的研磨方法时，如图16所示，推压垫51位于从预先设定的原点位置向切线方向仅以规定的距离错开的位置。在该错开位置通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W，对晶片W的边缘部进行研磨。根据图16可知，若将推压垫51的位置在晶片W的切线方向错开，则能够不改变晶片边缘部的水平面内的内侧区域与研磨带38的接触面积（接触长度）地减小水平面内的外侧区域与研磨带38的接触面积。因此，能够在晶片W的边缘部形成平坦的水平面。
晶片W的边缘部通过旋转的晶片W与研磨带38的滑动接触而被研磨。为了提高晶片W的研磨率，还可以在晶片W的研磨过程中通过研磨单元移动机构（切线方向移动机构）30使研磨带38以及推压垫51沿晶片W的切线方向摆动。研磨中，对旋转的晶片W的中心部供给液体（例如纯水），晶片W在有水的情况下被研磨。供给至晶片W的液体，因离心力而在晶片W的整个上表面散开，由此能够防止在形成于晶片W的器件上附着研磨屑。如上述那样，研磨中，研磨带38通过真空吸引而被保持于推压垫51，因此能够防止研磨带38与推压垫51的位置错位。因此，能够使研磨位置以及研磨形状稳定。并且，即使增大研磨压力也不会出现研磨带38与推压垫51的位置错位的情况，能够缩短研磨时间。
晶片W的研磨中的推压垫51的垂直方向的位置通过位置传感器63进行检测。因此，能够根据推压垫51的垂直方向的位置检测出研磨终点。例如，当推压垫51的垂直方向的位置到达规定的目标位置时，能够结束晶片W的边缘部的研磨。该规定的目标位置根据作为目标的研磨量而决定。
若晶片W的研磨结束，则停止向气缸53的气体的供给，由此推压垫51上升至图37B所示的位置。同时，研磨带38的真空吸引停止。并且，推压垫51通过气缸56而上升至图37A所示的位置。而且，研磨头50以及研磨带供给回收机构70移动至图26所示的退避位置。被研磨的晶片W通过晶片保持部3而上升，并通过未图示的搬运机构的机械手部而被搬出研磨室22之外。在下一晶片的研磨开始之前，研磨带38通过带进给机构76而仅以规定的距离从供给卷盘71被送往回收卷盘72。由此，新的研磨面能够用于接下来的晶片的研磨。当推断为研磨带38被研磨屑堵塞时，也可以在将研磨带38仅以规定的距离输送后，以新的研磨面对被研磨的晶片W再次进行研磨。研磨带38的堵塞，例如，能够根据研磨时间以及研磨压力推断。
还可以一边对研磨带38沿其长度方向通过带进给机构76以规定的速度进给（移动），一边研磨晶片W。该情况下，为了提高晶片W的研磨率，研磨带38的移动方向也可以与旋转的晶片W的边缘部的行进方向相反。还可以对研磨带38通过真空吸引将其保持于推压垫51，且保持上述状态不变地以带进给机构76将研磨带38沿其长度方向进给。根据情况，还可以不通过真空吸引而将研磨带38保持于推压垫51。
如图38A所示，在增大了向晶片W的研磨压力的情况下，晶片W通过推压垫51的研磨压力而大幅挠曲，其结果，如图38B所示，存在导致晶片W的被研磨面倾斜的情况。因此，在图39所示的实施方式中，从下方支承晶片W的周缘部的支承架180设置于晶片保持部3。无特别说明的其他的构成与图24所示的构成相同，故省略其重复说明。支承架180固定于支承台181。该支承台181固定于外壳12的上端，与外壳12一体旋转。因此，支承架180与外壳12以及保持台4一体旋转。
支承架180为了在整体范围内对晶片W的周缘部下表面进行支承，具有图40所示那样的倒圆锥台形。通过支承架180而被支承的晶片W的周缘部下表面，是至少包含图52A以及图52B所示的底边缘部E2的区域。支承架180的环状的上表面180a构成对晶片W的周缘部下表面进行支承的支承面。在晶片W的研磨时，支承架180的最外周端与晶片W的最外周端几乎一致。
通过使用这样的支承架180，即使推压垫51将研磨带38推抵于晶片W，晶片W也不会挠曲。因此，通过研磨带38对晶片W的边缘部进行研磨，由此能够在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。另外，支承架180对晶片W的周缘部下表面的整体进行支承，因此，与仅对晶片的一部分进行支承的以往的晶片支承机构相比，能够对晶片W的边缘部均匀地进行研磨。
由于在中空轴5与外壳12之间配置有滚珠花键轴承6，因此中空轴5能够相对于外壳12沿上下方向移动。因此，连结于中空轴5的上端的保持台4能够相对于外壳12以及支承架180相对地沿上下方向移动。图41表示了保持台4及保持于其上表面的晶片W相对于支承架180相对地上升了的状态。
对于研磨带38而言，存在因与晶片W的接触情况、晶片W的周缘部的形状的影响而受到水平方向的负载的情况。其结果，存在研磨带38退到晶片W的外侧的情况。因此，如图42所示，对研磨带38的水平方向的移动进行限制的带限位器185设置于推压垫51。带限位器185在晶片W的半径方向上配置于研磨带38的外侧，对研磨带38的向外侧的运动进行限制。通过这样配置的带限位器185，能够防止研磨带38退到晶片W的外侧。因此，能够使晶片W的研磨形状以及研磨宽度稳定。
若研磨带38的向外侧的运动通过带限位器185而被阻止，则如图43所示，存在研磨带38变形的情况。因此，在图44所示的实施方式中，为了防止研磨带38的变形，与研磨带38的研磨面接近地设置有带罩186。带罩186固定于带限位器185，以将研磨带38的研磨面的大部分覆盖的方式配置。带罩186配置于研磨带38的下方，在研磨带38的研磨面与带罩186的上表面之间，形成有微小的间隙dg。研磨带38配置于推压垫51与带罩186之间。通过设置这样的带罩186，能够防止研磨带38变形，能够将研磨带38保持为平坦。因此，能够使晶片W的研磨形状以及研磨宽度稳定。
如图44所示，在被推压垫51、带限位器185、以及带罩186围成的空间中配置有研磨带38。推压垫51的下表面与带罩186的上表面之间的间隙h设定为比研磨带38的厚度大。研磨带38与带罩186之间的间隙dg比晶片W的厚度小。
带罩186的内侧面186a与推压垫51的边缘部51b相比在晶片W的半径方向位于外侧。因此，研磨带38的研磨面仅露出研磨带38的边缘部与带罩186的内侧面186a之间的距离dw。晶片W的研磨通过该露出的研磨面进行。
在图44所示的构造中，由于带限位器185承受作用于研磨带38的水平方向的负载，因此存在推压垫51与研磨带38一同向外侧移动的情况。这样的推压垫51的移动会使研磨形状以及研磨宽度不稳定。因此，在图45所示的实施方式中，设置有对推压垫51的向外侧的移动进行限制的移动限制机构。该移动限制机构具有：固定于推压垫51的突起部件190；对该突起部件190的水平方向的移动进行限制的侧限位器191。在本实施方式中，作为突起部件190使用柱塞。
侧限位器191在晶片W的半径方向上配置于柱塞（突起部件）190的外侧，阻止柱塞190的向外侧的移动。侧限位器191固定在研磨头50的箱62的下表面上，侧限位器191的位置是固定的。柱塞190与侧限位器191相互接近地配置，柱塞190与侧限位器191之间的间隙dr为10μm至100μm。根据这样的构成，在研磨中若推压垫51从研磨带38受到水平负载而向外侧移动，则柱塞190与侧限位器191接触，由此对推压垫51以及研磨带38向外侧的移动进行限制。因此，能够使晶片W的研磨形状以及研磨宽度稳定。
图39至图45所示的实施方式能够适当地组合。例如，图46表示将图39所示的支承架180与图45所示的研磨头50组合的例子。根据该图46所示的构成，能够防止晶片W的挠曲，并且能够防止研磨带38的移动及变形。
图47是表示具备多个研磨单元的研磨装置的俯视图。该研磨装置中，在研磨室22内设有第一研磨单元25A以及第二研磨单元25B。研磨单元25A、25B具有与上述研磨单元25相同的构成，因此省略其重复说明。这两个研磨单元25A、25B的配置，相对于保持于晶片保持部3的晶片W对称。第一研磨单元25A能够通过第一研磨单元移动机构（未图示）而移动，第二研磨单元25B能够通过第二研磨单元移动机构（未图示）而移动。这些第一以及第二研磨单元移动机构具有与上述的研磨单元移动机构30相同的构成。
在第一研磨单元25A和第二研磨单元25B中，能够使用不同类型的研磨带。例如，可以在第一研磨单元25A中进行晶片W的粗研磨，在第二研磨单元25B进行晶片W的精加工研磨。图7所示的研磨方法能够通过使用图47所示的研磨装置来实施。
接下来，对能够执行图19以及图20所示的上述研磨方法的实施方式的研磨装置的详细情况进行说明。图48是表示研磨装置的俯视图，图49是图48所示的研磨装置的纵剖视图。如图48以及图49所示，研磨装置具备：将研磨带38推压于晶片W的边缘部而对该边缘部进行研磨的研磨头组装体111；对该研磨头组装体111供给研磨带38的研磨带供给回收机构112。研磨头组装体111配置于研磨室22的内部，研磨带供给回收机构112配置于研磨室22之外。
研磨带供给回收机构112具备：将研磨带38供给至研磨头组装体111的供给卷盘124；将使用于晶片W的研磨的研磨带38回收的回收卷盘125。在供给卷盘124以及回收卷盘125上分别连结有马达129、129（图48中，仅表示了与供给卷盘124连结的马达129）。各个马达129、129能够对供给卷盘124以及回收卷盘125施加规定的扭矩，从而对研磨带38施加规定的张力。
研磨头组装体111具备用于使研磨带38与晶片W的周缘部抵接的研磨头131。研磨带38以研磨带38的研磨面朝向晶片W的方式被供给至研磨头131。研磨带38通过设置于隔壁20的开口部20b而从供给卷盘124向研磨头131供给，使用后的研磨带38通过开口部20b被回收至回收卷盘125。
研磨头131固定于臂135的一端，臂135以能够绕与晶片W的切线方向平行的旋转轴Ct自由旋转的方式构成。臂135的另一端经由带轮p3、p4以及皮带b2而与马达138连结。马达138顺时针以及逆时针地仅以规定的角度旋转，由此，臂135绕轴Ct仅以规定的角度旋转。在本实施方式中，通过马达138、臂135、带轮p3、p4、以及皮带b2，构成使研磨头131相对于晶片W的表面倾斜的倾斜机构。
倾斜机构搭载于移动台140。移动台140与研磨单元移动机构（切线方向移动机构）30连结，通过研磨单元移动机构30，研磨头131以及支承于该研磨头131的研磨带38能够沿晶片W的切线方向移动。另一方面，研磨带供给回收机构112固定于底板21。
图50是图49所示的研磨头131的放大图。如图50所示，研磨头131具备：将研磨带38推抵于晶片W的边缘部的推压垫51；作为将推压垫51朝晶片W推压的推压机构的气缸53。另外，研磨头131具备将研磨带38从供给卷盘124向回收卷盘125进给的带进给机构151。研磨头131具备引导研磨带38的行进方向的多个引导辊153A、153B、153C、153D、153E、153F、153G。
设置于研磨头131的带进给机构151具备带进给辊151a、夹持辊151b、使带进给辊151a旋转的马达151c。马达151c设置于研磨头131的侧面，在马达151c的旋转轴上安装有带进给辊151a。夹持辊151b与带进给辊151a邻接地配置。夹持辊151b以向图50的箭头NF所示方向（朝向带进给辊151a的方向）产生力的方式，被未图示的机构支承，并以推压带进给辊151a的方式构成。
若马达151c向图50所示的箭头方向旋转，则带进给辊151a旋转而将研磨带38从供给卷盘124经由研磨头131向回收卷盘125进给。夹持辊151b以能够绕其自身的轴心旋转的方式构成。
推压垫51配置于研磨带38的背面侧，气缸53使该推压垫51朝晶片W的周缘部移动。通过对向气缸53供给的气体的压力进行控制，能够调整向晶片W的研磨压力。
对晶片W的边缘部进行研磨时，如图51所示，通过上述的倾斜机构将研磨头131向上方倾转直至推压垫51的晶片推压面与晶片W的表面平行。然后，通过推压垫51将研磨带38推压于晶片W的边缘部，对边缘部进行研磨。以隔着推压垫51的方式配置的两个引导辊153D、153E以从晶片W的上方观察时，研磨带38沿晶片W的中心线CL（参照图20）延伸的方式构成支承该研磨带38的研磨带支承机构。
研磨中的推压垫51，如图20所示，位于从预先设定的原点位置沿切线方向仅以规定的距离错开的位置。在该错开位置通过推压垫51将研磨带38推抵于晶片W，对晶片W的边缘部进行研磨。根据图20可知，若将推压垫51的位置沿晶片W的切线方向错开，则能够不改变晶片边缘部的水平面内的内侧区域与研磨带38的接触面积（接触长度）地减小水平面内的外侧区域与研磨带38的接触面积。因此，能够在晶片W的边缘部形成平坦的水平面。
上述的实施方式是以具有本发明所属技术领域的通常知识的人能够实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种的变形例对于本领域技术人员而言当然能够得到，本发明的技术思想也能够适用于其他的实施方式。因此，本发明不限定于所记载的实施方式，而能够解释为依照由权利要求书所定义的技术思想的最大范围。

Claims (26)

1.一种研磨方法，其特征在于，
使基板旋转，
进行第一研磨工序：在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，使所述推压部件在相对于所述基板的表面垂直的方向上移动，由此通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而在该基板的边缘部形成垂直面以及水平面，并且将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯，
进行第二研磨工序：通过使所述推压部件沿所述基板的半径方向移动，将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此通过所述研磨带对所述垂直面进行研磨。
2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，折弯的所述研磨带的所述一部分，比通过所述第一研磨工序而在所述基板的边缘部形成的被研磨部分的深度长。
3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序以及所述第二研磨工序中的至少一个，一边使所述研磨带沿其长度方向移动一边进行。
4.如权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨带的移动方向与旋转的所述基板的边缘部的行进方向相反。
5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述第一研磨工序中的所述研磨带是组织粗糙的研磨带，
所述第二研磨工序取代所述组织粗糙的研磨带而使用组织细密的研磨带进行。
6.一种研磨方法，其特征在于，
使基板旋转，
进行第一研磨工序：在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而在该基板的边缘部形成垂直面以及水平面，
在所述第一研磨工序之后，将所述研磨带的一部分推抵于所述基板的边缘部并将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯，
进行第二研磨工序：通过使所述推压部件沿所述基板的半径方向移动，将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨带对所述垂直面进行研磨。
7.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序以及所述第二研磨工序中的至少一个，一边使所述研磨带沿其长度方向移动一边进行。
8.如权利要求7所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨带的移动方向与旋转的所述基板的边缘部的行进方向相反。
9.一种研磨方法，其特征在于，
使基板旋转，
进行第一研磨工序：在使第一研磨带的一部分从第一推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述第一推压部件将所述第一研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而在该基板的边缘部形成垂直面以及水平面，
以第二研磨带的一部分从第二推压部件朝基板的半径方向内侧突出的方式，对所述第二研磨带与所述第二推压部件进行定位，
通过所述第二推压部件将所述第二研磨带的所述一部分推压在通过所述第一研磨工序而在所述基板的边缘部形成的角部，并将所述第二研磨带的所述一部分沿所述第二推压部件折弯，
进行第二研磨工序：将折弯的所述第二研磨带的所述一部分通过所述第二推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述第二研磨带对所述垂直面进行研磨。
10.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，进行所述第二研磨带与所述第二推压部件的定位，使得所述第二推压部件的端部与所述垂直面相比位于半径方向外侧，并且所述第二推压部件的端部与所述垂直面的水平方向的距离比所述第二研磨带的厚度大。
11.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，
所述第一研磨带是组织粗糙的研磨带，
所述第二研磨带是组织细密的研磨带。
12.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序一边使所述第一研磨带沿其长度方向移动一边进行。
13.如权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨带的移动方向与旋转的所述基板的边缘部的行进方向相反。
14.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述第二研磨工序一边使所述第二研磨带沿其长度方向移动一边进行。
15.如权利要求14所述的研磨方法，其特征在于，所述第二研磨带的移动方向与旋转的所述基板的边缘部的行进方向相反。
16.一种研磨方法，其特征在于，
使基板旋转，
进行第一研磨工序：将研磨工具相对于所述基板的边缘部朝与所述基板的表面垂直的方向推抵而对该基板的边缘部进行研磨，
在所述第一研磨工序之后，进行第二研磨工序：将所述研磨工具朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨工具对所述基板的边缘部进一步进行研磨。
17.一种研磨方法，其特征在于，
使基板旋转，
进行滑动研磨工序，一边通过推压部件将研磨带相对于所述基板的边缘部朝与所述基板的表面垂直的方向推抵，一边使所述研磨带以及所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧移动直至到达规定的停止位置，由此对所述基板的边缘部进行研磨，
反复进行所述滑动研磨工序，
每次进行所述滑动研磨工序，均使所述停止位置朝所述半径方向内侧仅移动少许。
18.一种研磨方法，其特征在于，
在沿着推压部件的内侧缘部错开规定距离的位置处配置所述推压部件，以使得在从基板上方观察时从所述基板的中心延伸到所述推压部件的所述内侧缘部的中点的直线与所述推压部件的所述内侧缘部所成的角度不是直角，
使所述基板旋转，
通过位于错开位置的推压部件将研磨带推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。
19.如权利要求18所述的研磨方法，其特征在于，位于自所述基板的中心沿半径方向延伸的中心线上的原点位置时的所述推压部件的内侧缘部的中点位于所述中心线上。
20.如权利要求18所述的研磨方法，其特征在于，与所述基板接触的所述研磨带的研磨面相对于所述基板的表面平行。
21.如权利要求18所述的研磨方法，其特征在于，所述规定距离不足所述推压部件沿所述基板的切线方向的长度的一半。
22.如权利要求18所述的研磨方法，其特征在于，当从所述基板的上方观察时，所述研磨带沿所述基板的切线方向延伸。
23.如权利要求22所述的研磨方法，其特征在于，在使所述推压部件的边缘部与所述研磨带的边缘部一致的状态下，通过所述推压部件的边缘部将所述研磨带推抵于所述基板的边缘部。
24.如权利要求22所述的研磨方法，其特征在于，在所述研磨带的一部分从所述推压部件的边缘部突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带推抵于所述基板的边缘部。
25.如权利要求18所述的研磨方法，其特征在于，当从所述基板的上方观察时，所述研磨带沿所述中心线延伸。
26.一种研磨方法，其特征在于，
在沿着研磨工具的内侧缘部错开规定距离的位置处配置所述研磨工具，以使得在从基板上方观察时从所述基板的中心延伸到所述研磨工具的所述内侧缘部的中点的直线与所述研磨工具的所述内侧缘部所成的角度不是直角，
使所述基板旋转，
将位于错开位置的所述研磨工具推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。
CN201310444560.1A 2012-09-24 2013-09-23 研磨方法 Active CN103659534B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-209500 2012-09-24
JP2012209500A JP6013849B2 (ja) 2012-09-24 2012-09-24 研磨方法
JP2012-210650 2012-09-25
JP2012210650A JP5948199B2 (ja) 2012-09-25 2012-09-25 研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103659534A CN103659534A (zh) 2014-03-26
CN103659534B true CN103659534B (zh) 2018-11-06

Family

ID=49596042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310444560.1A Active CN103659534B (zh) 2012-09-24 2013-09-23 研磨方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9630289B2 (zh)
EP (1) EP2711131B1 (zh)
KR (1) KR102104430B1 (zh)
CN (1) CN103659534B (zh)
TW (4) TWI663025B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058675A (ja) 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 研磨装置および半導体ウェハの研磨方法
SG10201508119XA (en) * 2014-10-03 2016-05-30 Ebara Corp Substrate processing apparatus and processing method
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
TWI725225B (zh) * 2017-08-30 2021-04-21 日商荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及研磨方法
JP2019091746A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 株式会社荏原製作所 基板の表面を処理する装置および方法
KR102607483B1 (ko) * 2017-12-19 2023-11-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP7121572B2 (ja) * 2018-07-20 2022-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP2020028928A (ja) * 2018-08-21 2020-02-27 株式会社荏原製作所 加工方法および加工装置
CN109093538A (zh) * 2018-08-24 2018-12-28 成都时代立夫科技有限公司 一种cmp抛光垫表面处理工艺
JP2020104189A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1365583A (en) * 1921-01-11 Corner-rounding machine
AT302097B (de) * 1970-09-15 1972-09-25 Heesemann Karl Schleifvorrichtung zum abrundenden Brechen con Kanten an Werkstücken
US3922820A (en) * 1974-01-09 1975-12-02 Structural Fibers Means for feathering rubber stock
JPH04263425A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Toshiba Corp 半導体基板の研削装置及び研削方法
JPH0897111A (ja) * 1994-09-26 1996-04-12 Kyushu Komatsu Denshi Kk Ｓｏｉ基板の製造方法
JPH09186234A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Sony Corp 半導体装置の製造方法およびその製造装置
US5868857A (en) * 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
JP3352896B2 (ja) * 1997-01-17 2002-12-03 信越半導体株式会社 貼り合わせ基板の作製方法
JPH10337645A (ja) * 1997-04-08 1998-12-22 Olympus Optical Co Ltd 研削方法およびその研削方法により加工されたガラスレンズ
DE19821982C2 (de) * 1998-05-18 2000-04-13 Heesemann Karl Masch Profil-Bandschleifmaschine
JP2001205549A (ja) * 2000-01-25 2001-07-31 Speedfam Co Ltd 基板エッジ部の片面研磨方法およびその装置
US6629875B2 (en) * 2000-01-28 2003-10-07 Accretech Usa, Inc. Machine for grinding-polishing of a water edge
JP2002025952A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP2002219642A (ja) * 2001-01-24 2002-08-06 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板およびその製造方法、並びに該基板を用いた磁気記録媒体
JP2002329687A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Speedfam Co Ltd デバイスウエハの外周研磨装置及び研磨方法
CN1553842A (zh) * 2001-09-10 2004-12-08 株式会社尼康 修整工具、修整装置、修整方法、加工装置以及半导体器件制造方法
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP2004114164A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Nihon Micro Coating Co Ltd 基板の表面平滑化装置および方法
JP4125148B2 (ja) * 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US6641464B1 (en) * 2003-02-21 2003-11-04 Accretech Usa, Inc. Method and apparatus for polishing the edge of a bonded wafer
JP2005109155A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
FR2860842B1 (fr) * 2003-10-14 2007-11-02 Tracit Technologies Procede de preparation et d'assemblage de substrats
EP1719161B1 (en) * 2004-02-25 2014-05-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP4077439B2 (ja) * 2004-10-15 2008-04-16 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008036783A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP4986568B2 (ja) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP2008130808A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd 研削加工方法
JP2008290233A (ja) * 2007-05-21 2008-12-04 Applied Materials Inc 半導体製造における基板斜面及び縁部の研磨用の高性能及び低価格の研磨テープのための方法及び装置
US7976361B2 (en) * 2007-06-29 2011-07-12 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP4851414B2 (ja) * 2007-10-04 2012-01-11 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
DE102007051047B4 (de) * 2007-10-16 2023-03-23 Nagel Maschinen- Und Werkzeugfabrik Gmbh Andrückeinrichtung für Finishband sowie Vorrichtung und Verfahren zur Finishbearbeitung von Umfangsflächen an zylindrischen Werkstückabschnitten
JP5274993B2 (ja) * 2007-12-03 2013-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP4463326B2 (ja) * 2008-02-22 2010-05-19 日本ミクロコーティング株式会社 半導体ウェーハ外周端部の研削方法及び研削装置
JP5393039B2 (ja) * 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP5211835B2 (ja) * 2008-04-30 2013-06-12 ソニー株式会社 ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
FR2935536B1 (fr) * 2008-09-02 2010-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de detourage progressif
AT507504B1 (de) * 2008-10-29 2012-01-15 Josef Fischer Verstellbares bandschleifwerkzeug
JP5519256B2 (ja) * 2009-12-03 2014-06-11 株式会社荏原製作所 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置
JP5663295B2 (ja) * 2010-01-15 2015-02-04 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP5571409B2 (ja) 2010-02-22 2014-08-13 株式会社荏原製作所 半導体装置の製造方法
JP2011177842A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2011224680A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置
US9457447B2 (en) 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP6100541B2 (ja) * 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法
US9339912B2 (en) * 2013-01-31 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer polishing tool using abrasive tape

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140040011A (ko) 2014-04-02
TW201726308A (zh) 2017-08-01
US9630289B2 (en) 2017-04-25
EP2711131A3 (en) 2018-05-02
KR102104430B1 (ko) 2020-04-24
US20140094095A1 (en) 2014-04-03
TW201731630A (zh) 2017-09-16
TWI663025B (zh) 2019-06-21
TW201832867A (zh) 2018-09-16
TWI590915B (zh) 2017-07-11
TWI680031B (zh) 2019-12-21
CN103659534A (zh) 2014-03-26
TW201417957A (zh) 2014-05-16
EP2711131B1 (en) 2021-03-10
EP2711131A2 (en) 2014-03-26
TWI663018B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103659534B (zh) 研磨方法
JP5025200B2 (ja) 研削加工時の厚さ測定方法
US8655478B2 (en) Dressing method, method of determining dressing conditions, program for determining dressing conditions, and polishing apparatus
CN103962939B (zh) 研磨装置及研磨方法
CN102869476B (zh) 圆片的倒角装置
JP6336772B2 (ja) 研削研磨装置
JP6283081B1 (ja) 加工装置のセッティング方法
JP7136953B2 (ja) 加工装置
JP7046573B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP2009164414A (ja) ウェーハの研磨方法および研磨装置
TWI667100B (zh) 研磨裝置
JP6246598B2 (ja) チャックテーブル及び研削装置
JP2023025122A (ja) 研削装置
JP6379232B2 (ja) 研削装置
JP2021094693A (ja) 面取り基板の製造方法及びそれに用いられる面取り装置
JP2011093057A (ja) ウエハエッジ加工装置及びそのエッジ加工方法
JP5270179B2 (ja) 研削装置
JP4275024B2 (ja) ディスクの周縁研削装置
JP6748660B2 (ja) 加工装置のセッティング方法
CN210115769U (zh) 倒角研削装置
JP2001293653A (ja) 平面研磨装置
JP2012240176A (ja) 研削加工装置及び研削加工方法
KR20170087300A (ko) 에지 그라인딩 장치
JP2024007748A (ja) 自動交換装置
JP2023141577A (ja) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant