TWI590915B - Grinding method - Google Patents

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TWI590915B
TWI590915B TW102133451A TW102133451A TWI590915B TW I590915 B TWI590915 B TW I590915B TW 102133451 A TW102133451 A TW 102133451A TW 102133451 A TW102133451 A TW 102133451A TW I590915 B TWI590915 B TW I590915B
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Tetsuji Togawa
Atsushi Yoshida
Michiyoshi Yamashita
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Description

研磨方法
本發明關於一種研磨晶圓等的研磨方法，特別是關於一種壓抵研磨帶等的研磨具至基板周緣部並研磨該周緣部的研磨方法。
為了研磨晶圓的周緣部，使用具備研磨帶或固定研磨粒等的研磨具的研磨裝置。這種研磨裝置使晶圓旋轉並使晶圓周緣部接觸研磨具來研磨。在本說明書中，晶圓周緣部定義為包含位於晶圓最外周的斜面部與位於此斜面部的半徑方向內側的頂邊部及底邊部的區域。
第五十二(A)及(B)圖表示晶圓周緣部的擴大剖面圖。更詳細來說，第五十二(A)圖是所謂直線型晶圓的剖面圖，第五十二(B)圖是所謂圓型晶圓的剖面圖。在第五十二(A)圖的晶圓W，斜面部是由上側傾斜部(上側斜面部)P、下側傾斜部(下側斜面部)Q以及側部(頂點)R所構成的晶圓W的最外周面(以符號B表示)。在第五十二(B)圖的晶圓W，斜面部是構成晶圓W最外周面的具有彎曲剖面的部分(以符號B表示)。頂邊部是位於比斜面部B更靠近半徑方向內側的平坦部E1。底邊部是位於頂邊部的相反側，比斜面部B更靠近半徑方向內側的平坦部E2。以下，將這些頂邊部E1及底邊部E2統稱為邊緣部。邊緣部也包含形成元件的區域。
在矽絕緣體(Silicon on Insulator,SOI)基板等的製造步驟，如第五十三圖所示，要求將垂直面及水平面形成於晶圓W的邊緣部。像這種邊緣部的剖面形狀，是以第五十四圖所示的研磨方向所達成。也就是說，使晶圓W旋轉，以按壓墊300藉由按壓研磨帶301的緣部於邊緣部，研磨晶圓W的邊緣部。研磨帶301下面構成保持研磨粒的研磨面，此研磨面被平行配置晶圓W。然後，在使研磨帶301的緣部位於晶圓W的邊緣部的狀態下，以按壓墊300將研磨帶301的緣部對於晶圓W的邊緣部按壓，可將 如第五十三圖所示的直角剖面形狀，即垂直面及水平面形成於晶圓W的邊緣部。
但是，由於上述垂直面是以研磨帶301的緣部刮去晶圓W的邊緣部來形成，所以如第五十五(A)圖所示，會有垂直面變得粗糙的狀況。又，如第五十五(B)~(D)圖所示，在消耗品按壓墊300的交換前後，會有垂直面形狀變化的狀況。
在SOI基板等的製造步驟，代替第五十三圖所示的垂直面，也可以形成如第五十六圖所示的倒錐形面於晶圓W的邊緣部。但是，在第五十四圖所示的研磨方法，形成這種倒錐形面是困難的。
又，由於晶圓邊緣部的水平面內位置，研磨帶與水平面的接觸面積不同，結果，水平面的一部分會變得傾斜。參照圖式來說明關於此問題。第五十七圖表示第五十四圖所示的按壓墊300及研磨帶301的上面圖。相對於晶圓W為圓形，按壓墊300為矩形狀。因此，在晶圓邊緣部的水平面內的半徑方向內側區域與半徑方向外側區域，如第五十七圖的虛線所示，研磨帶301與晶圓W的接觸長度(即研磨面積)不同。結果，如第五十八圖所示，水平面內的半徑方向內側區域會變得傾斜。
本發明的第一目的提供一種研磨方法，可形成光滑的垂直面於晶圓等的基板的邊緣部。
又，本發明的第二目的提供一種研磨方法，可形成倒錐形面於晶圓等的基板的邊緣部。
再者，本發明的第三目的提供一種研磨方法，可形成平坦的水平面於晶圓等的基板的邊緣部。
為達成上述目的，第一態樣係一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使研磨帶的一部分從按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述按壓部件壓抵前述研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部，同時沿著前述按壓部件折彎前述研磨帶的前述一部分；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述研磨帶的前述一部分，藉由以前述按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述研磨帶進一 步研磨前述基板邊緣部。
第二態樣係一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使研磨帶的一部分從按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述按壓部件壓抵前述研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部；在前述第一研磨步驟後，將前述研磨帶的一部分壓抵於前述基板邊緣部並沿著前述按壓部件折彎前述研磨帶的前述一部分；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述研磨帶的前述一部分，藉由以前述按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述研磨帶進一步研磨前述基板邊緣部。
第三態樣係一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使第一研磨帶的一部分從第一按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述第一按壓部件壓抵前述第一研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部；將第二研磨帶與第二按壓部件定位成前述第二研磨帶的一部分從前述第二按壓部件向著基板半徑方向內側突出；以前述第二按壓部件將前述第二研磨帶的前述一部分按壓於藉由以前述第一研磨步驟形成於前述基板邊緣部的角部，將前述第二研磨帶的前述一部沿著前述第二按壓部件折彎；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述第二研磨帶的前述一部分，藉由以前述第二按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述第二研磨帶進一步研磨前述基板邊緣部。
第四態樣係一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，將研磨具壓抵於前述基板的邊緣部並研磨該基板邊緣部；以及進行第二研磨步驟，在前述第一研磨步驟後，藉由將前述研磨具向著前述基板半徑方向內側按壓，以前述研磨具進一步研磨前述基板邊緣部。
第五態樣係一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行滑動研磨步驟，以按壓部件壓抵研磨帶於前述基板的邊緣部，同時使前述研磨帶以及前述按壓部件向著前述基板的半徑方向內側移動至達到特定停止位置為止；重複前述滑動研磨步驟；以及每當進行前述滑動研磨步驟時，使前述停止位置向著前述半徑方向內側略移動。
第六態樣係一種研磨方法，從基板中心在半徑方向延伸的中 心線上的原點位置，將按壓部件配置在前述基板的接線方向僅偏離特定距離的位置，前述接線方向垂直於前述中心線，其特徵在於：使前述基板旋轉；以及以前述位於前述偏離位置的按壓部件壓抵研磨帶於前述基板的邊緣部，並形成水平面於該基板邊緣部。
第七態樣係一種研磨方法，從基板中心在半徑方向延伸的中心線上的原點位置，將按壓部件配置在前述基板的接線方向僅偏離特定距離的位置，前述接線方向垂直於前述中心線，其特徵在於：使前述基板旋轉；以及以前述位於前述偏離位置的按壓部件壓抵研磨帶於前述基板的邊緣部，並形成水平面於該基板邊緣部。
根據第一態樣至第四態樣，以第一研磨步驟形成垂直面於基板邊緣部，以第二研磨步驟可使垂直面變光滑。
根據第五態樣，可形成如第五十六圖所示的倒錐形面於基板邊緣部。
根據第六態樣及第七態樣，由於按壓部件的位置偏離於基板的接線方向，所以基板邊緣部的水平面內的內側區域與研磨帶的接觸面積不會改變，可以使水平面內的外側區域與研磨帶的接觸面積變小。因此，可形成平坦的水平面於基板邊緣部。
3‧‧‧晶圓保持部
4‧‧‧保持台
4a‧‧‧溝
5‧‧‧中空軸
6‧‧‧滾珠栓槽軸承(線性運動軸承)
7‧‧‧連通路
8‧‧‧旋轉接合器
9、60‧‧‧真空管線
10‧‧‧氮氣供給管線
11‧‧‧研磨控制部
12、14‧‧‧護套
15‧‧‧汽缸(升降機構)
18‧‧‧徑向軸承
20‧‧‧隔壁
20a‧‧‧搬送口
20b‧‧‧開口部
21‧‧‧基部板
22‧‧‧研磨室
25‧‧‧研磨單元
25A‧‧‧第一研磨單元
25B‧‧‧第二研磨單元
27‧‧‧設置台
28‧‧‧臂塊
30‧‧‧接線方向移動機構(研磨單元移動機構)
31‧‧‧滾珠螺桿機構
33‧‧‧動力傳達機構
38‧‧‧研磨帶
38A‧‧‧第一研磨帶
38B‧‧‧第二研磨帶
39‧‧‧固定研磨粒(研磨石)
40A、40B、54、58‧‧‧直線運動導件
41A、41B‧‧‧連接塊
43A、43B‧‧‧滾珠螺桿
44A、44B‧‧‧支持部件
45‧‧‧半徑方向移動機構(第一移動機構)
46‧‧‧帶移動機構(第二移動機構)
50、131‧‧‧研磨頭
51‧‧‧按壓墊(按壓部件)
51a‧‧‧貫穿孔
51b‧‧‧內側緣部
52‧‧‧墊架
53、56‧‧‧汽缸(按壓機構)
55‧‧‧保持部件
57‧‧‧安裝部件
59‧‧‧垂直移動機構
32、42A、65、M1、129、138、151c‧‧‧馬達
62‧‧‧箱
63‧‧‧位置感應器
63A、100A‧‧‧投光部
63B、100B‧‧‧受光部
64‧‧‧止擋
70、112‧‧‧研磨帶供給回收機構(研磨帶支持機構)
71、124‧‧‧供給捲盤
72、125‧‧‧回收捲盤
73、74‧‧‧張力馬達
76‧‧‧研磨帶傳送機構
77、79、151a‧‧‧帶傳送輥
78、151b‧‧‧軋輥
81‧‧‧基台
82、83‧‧‧支持臂
84A、84B、84C、84D、84E、153A、153B、153C、153D、153E、153F、153G‧‧‧導引輥
100‧‧‧帶邊緣檢測感應器
111‧‧‧研磨頭組裝體
135‧‧‧臂
140‧‧‧移動台
151‧‧‧帶傳送機構
180‧‧‧支持架
180a‧‧‧上面
181‧‧‧支持架台
185‧‧‧帶停止器
186‧‧‧帶護罩
186a‧‧‧內側面
190‧‧‧柱塞(突起部件)
191‧‧‧側停止器
300‧‧‧按壓墊
301‧‧‧研磨帶
B‧‧‧外周面
CL‧‧‧中心線
Cp‧‧‧中點
Ct‧‧‧旋轉軸
Cw‧‧‧中心
E1‧‧‧頂邊部
E2‧‧‧底邊部
G、I、NF‧‧‧箭頭
P‧‧‧上側傾斜部(上側斜面部)
Q‧‧‧下側傾斜部(下側斜面部)
R‧‧‧側部(頂點)
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧元件晶圓
W2‧‧‧矽晶圓
b1、b2‧‧‧帶
dg、h‧‧‧縫隙
dw‧‧‧距離
p1、p2、p3、p4‧‧‧滑輪
第一圖係用來說明用來實施研磨方法的一實施形態的研磨裝置的概略圖。
第二圖係第一圖所示的研磨裝置的平面圖。
第三(A)~三(D)圖係用來說明研磨方法的一實施形態的圖。
第四圖係用來說明研磨方法的另一實施形態的圖。
第五圖係用來說明第四圖所示的研磨方法的另一例的圖。
第六圖係表示具備第一研磨單元以及第二研磨單元的研磨裝置的概略圖。
第七圖係用第六圖所示的研磨裝置來說明研磨晶圓的方法的圖。
第八圖係用來說明研磨方法的又一實施形態的圖。
第九圖係用來說明SOI基板的製造步驟的圖。
第十圖係用來說明研磨方法的又一實施形態的圖。
第十一圖係表示用來實施研磨方法的又一實施形態的研磨裝置的概略圖。
第十二(A)圖、第十二(B)圖以及第十二(C)圖係用來說明用第十一圖所示的研磨裝置的研磨方法的圖。
第十三圖係用來說明用來實施研磨方法的一實施形態的研磨裝置的概略圖。
第十四圖係第十三圖所示的研磨裝置的平面圖。
第十五圖係用來說明研磨方法的一實施形態的圖。
第十六圖係表示將按壓墊從原點位置在接線方向僅偏離特定距離的狀態的圖。
第十七圖係用來說明用來實施關於另一實施形態的研磨方法的研磨裝置的概略圖。
第十八圖係第十七圖所示的研磨裝置的平面圖。
第十九圖係用來說明以第十七圖及第十八圖所示的研磨裝置進行的研磨方法的圖。
第二十圖係表示將按壓墊從原點位置在接線方向僅偏離特定距離的狀態的圖。
第二十一圖係概略地表示用來實施研磨方法的又一實施形態的研磨裝置的側面圖。
第二十二圖係第二十一圖所示的晶圓以及固定研磨粒的平面圖。
第二十三圖係表示研磨裝置的平面圖。
第二十四圖係第二十三圖的F-F線剖面圖。
第二十五圖係從第二十四圖的箭頭G所示方向來看的圖。
第二十六圖係研磨頭以及研磨帶供給回收機構的平面圖。
第二十七圖係研磨頭以及研磨帶供給回收機構的正面圖。
第二十八圖係第二十七圖所示的H-H線剖面圖。
第二十九圖係第二十七圖所示的研磨帶供給回收機構的側面圖。
第三十圖係以箭頭I所示方向來看第二十七圖所示的研磨頭的縱剖面圖。
第三十一圖係從上來看位置感應器以及止擋的圖。
第三十二圖係表示被移動至特定研磨位置的研磨頭以及研磨帶供給回收機 構的圖。
第三十三圖係從橫方向來看第三(A)~三(D)圖所示的研磨方法以及第四及七圖所示的位於實施研磨方法時的研磨位置的按壓墊、研磨帶以及晶圓的概略圖。
第三十四圖係表示以按壓墊壓抵研磨帶於晶圓的狀態的圖。
第三十五圖係從橫方向來看實施第十圖及第十三圖所示的研磨方法時的研磨位置的按壓墊、研磨帶以及晶圓的概略圖。
第三十六(A)~(C)圖係說明檢測研磨帶的緣部時的動作的圖。
第三十七(A)圖係從晶圓徑方向來看位於研磨裝置的研磨帶以及按壓墊的圖；第三十七(B)圖係表示按壓墊的下面接觸研磨帶的上面的狀態圖；第三十七(C)圖係表示從上壓抵研磨帶於晶圓的狀態圖。
第三十八(A)圖係表示以按壓墊壓抵研磨帶於晶圓的結果，晶圓彎曲狀態的圖；第三十八(B)圖係再第三十八(A)圖所示狀態下研磨的晶圓剖面圖。
第三十九圖係表示具備支持架的晶圓保持部的縱剖面圖。
第四十圖係支持架的斜視圖。
第四十一圖係表示保持台與其上面所保持的晶圓相對於支持架為上升狀態的圖。
第四十二圖係表示設有帶停止器的實施形態的圖。
第四十三圖係表示研磨帶承受水平方向負重成扭曲狀態的圖。
第四十四圖係表示設有帶停止器以及台蓋的實施形態的圖。
第四十五圖係表示設有移動限制機構來限制向按壓墊的外側的移動的實施形態的圖。
第四十六圖係表示組合第三十九圖所示實施形態與第四十五圖所示實施形態的例圖。
第四十七圖係表示具備複數個研磨單元的研磨裝置的平面圖。
第四十八圖係表示研磨裝置的另一實施形態的平面圖。
第四十九圖係表示第四十八圖所示研磨裝置的縱剖面圖。
第五十圖係表示第四十九圖所示的研磨頭的擴大圖。
第五十一圖係表示研磨頭研磨晶圓的頂邊部的狀態的圖。
第五十二(A)及(B)圖係表示晶圓周緣部的擴大剖面圖。
第五十三圖係表示形成於晶圓的邊緣部的垂直面以及水平面的圖。
第五十四圖係用來表示用來形成第五十三圖所示的垂直面以及水平面的研磨方法的圖。
第五十五(A)至(D)圖分別表示已以往研磨方法研磨的晶圓的邊緣部的剖面的擴大圖。
第五十六圖係表示形成於晶圓邊緣部的倒錐形面的剖面圖。
第五十七圖係表示第五十四圖所示的按壓墊以及研磨帶的上面圖。
第五十八圖係表示被研磨的晶圓邊緣部的剖面圖。
以下參照圖式來說明關於實施形態。
第一圖係用來說明用來實施研磨方法的一實施形態的研磨裝置的概略圖，第二圖係第一圖所示的研磨裝置的平面圖。研磨裝置具備：晶圓保持部3，保持並旋轉基板(晶圓W)；以及研磨單元25，研磨保持於晶圓保持部3的晶圓w的邊緣部。
研磨單元25具備：研磨帶支持機構70，支持研磨帶38；按壓墊(按壓部件)51，壓抵研磨帶38於晶圓W的邊緣部；垂直移動機構59，使按壓墊51在垂直於晶圓表面方向移動；半徑方向移動機構45，使按壓墊51以及垂直移動機構59在晶圓W的半徑方向移動；以及帶移動機構46，使研磨帶38以及研磨帶支持機構70在晶圓W的半徑方向移動。
半徑方向移動機構45以及帶移動機構46可彼此獨立運作。因此，在晶圓W的半徑方向的按壓墊51與研磨帶38的相對位置，可以以半徑方向移動機構45及帶移動機構46來調整。做為垂直移動機構59，半徑方向移動機構45以及帶移動機構46可以使用汽缸的組合，或是伺服馬達與滾珠螺桿的組合等。
研磨帶38被研磨帶支持機構70支持成其研磨面平行於晶圓W的表面，且研磨面面向晶圓W的邊緣部。研磨帶38的片面(下面)構成固定研磨粒的研磨面。研磨帶38是長研磨具，沿著晶圓W的接線方向被配 置。按壓墊51是用來壓抵研磨帶38於晶圓W的邊緣部，被配置於晶圓W的邊緣部的上方。在按壓墊51的底面，固定有帶停止器185，帶停止器185限制研磨帶38的水平方向移動。也可以省略此帶停止器185。
第三(A)~(D)圖係表示研磨方法的一實施形態的圖。如第三(A)圖所示，研磨帶38與按壓墊51被定位成研磨帶38的一部分(在研磨帶38的長方向延伸的部分)從按壓墊51向著晶圓W的半徑方向內側突出。在此狀態下，如第三(B)圖所示，以垂直移動機構59壓下按壓墊51，將研磨帶38的研磨面壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部。再藉由壓下按壓墊51，如第三(C)圖所示，將晶圓W的邊緣部研磨至在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面為止(第一研磨步驟)。按壓墊51的晶圓按壓面是平行於晶圓表面的水平面，以此水平的按壓面壓抵研磨帶38於晶圓W的邊緣部，在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面。接觸晶圓W的研磨帶38的研磨面平行於晶圓W的表面。研磨中的按壓墊51的內側緣部經由研磨帶38被壓抵於晶圓W的邊緣部。
隨著按壓墊51往下方移動，從按壓墊51突出的研磨帶38的一部分(突出部)沿著按壓墊51向上方折彎。在此狀態下，如第三(D)圖所示，藉由以半徑方向移動機構45向著晶圓W的半徑方向內側按壓按壓墊51，以研磨帶38的折彎部分研磨垂直面(第二研磨步驟)。藉由研磨帶38被折彎，其研磨面接觸於晶圓邊緣部的垂直面。因此，晶圓W的垂直面被研磨帶38的研磨面研磨。
如此，在第一研磨步驟形成於晶圓W的邊緣部的垂直面，在第二研磨步驟被研磨帶38的研磨面所研磨。因此，可以將垂直面變平滑。在第一研磨步驟用粗研磨用的粗孔研磨帶，在第二研磨步驟也可以用完成研磨用的細孔研磨帶。如第三(C)圖所示，被折彎的研磨帶38的一部分，較佳為比形成於晶圓W邊緣部的被研磨部分的深度(即垂直面的高度)更長。
在研磨中僅壓抵研磨帶38於晶圓W邊緣部，會有在邊緣部留下研磨痕的狀況。為了解決此問題，在第一研磨步驟及前述第二研磨步驟中的至少一步驟，也可以使研磨帶38在其長方向移動並進行。如此，藉由傳送並研磨研磨帶38，可除去形成於晶圓W的研磨痕。在此狀況下，由 於提升晶圓W的研磨率，又，為了製作幾何學上正確的形狀，研磨帶38的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓W邊緣部的進行方向。再者，為了有效除去研磨痕，也可以壓抵研磨帶38於晶圓W邊緣部，並使研磨帶38在晶圓W的半徑方向移動。
第四圖係用來說明研磨方法的另一實施形態的圖。特別是不說明的本實施型態的結構及動作，由於與上述實施型態相同所以省略其重複說明。在步驟1，研磨帶38與按壓墊51被定位成研磨帶38的一部分(在研磨帶38的長方向延伸的部分)從按壓墊51向著晶圓W的半徑方向內側略突出。此定位是以半徑方向移動機構45及帶移動機構46達成。研磨帶38位於晶圓W的邊緣部上方。使研磨帶38的一部分從按壓墊51突出的理由是迴避在晶圓W的研磨中按壓墊51接觸晶圓W邊緣部。
在步驟2，以垂直移動機構59壓下按壓墊51並壓抵研磨帶38的研磨面於旋轉的晶圓W邊緣部，在晶圓W邊緣部形成垂直面及水平面(第一研磨步驟)。研磨中的按壓墊51的內側緣部，經由研磨帶38被抵押抵於晶圓W邊緣部。在步驟3，由於垂直移動機構59，按壓墊51及研磨帶38上升，研磨帶38分離於晶圓w。
在步驟4，按壓墊51及研磨帶38在分離於晶圓w的狀態下向著晶圓W的半徑方向內側僅移動特定距離。更具體來說，研磨帶38的內側緣部位於晶圓W的垂直面的半徑方向內側，且按壓墊51的內側緣部位於晶圓W的垂直面的半徑方向外側為止，按壓墊51及研磨帶38在晶圓W的半徑方向內側方向移動。在此步驟4的按壓墊51及研磨帶38的移動，是以半徑方向移動機構45及帶移動機構46達成。
在步驟5，以垂直移動機構59使按壓墊51及研磨帶38下降。在步驟5的研磨帶38的突出部的寬度也可以與在步驟1的突出部的寬度相同，或是更大。在步驟6，將研磨帶38的一部分(突出部)壓抵於晶圓W的垂直部與表面(上面)交會的角部，並將研磨帶38的一部分往上方折彎。此角部是以第一研磨步驟形成於晶圓W的邊緣部。在步驟7，藉由以半徑方向移動機構45向著晶圓W的半徑方向內側按壓按壓墊51，以研磨帶38的被折彎部分研磨垂直面(第二研磨步驟)。由於研磨帶38被折 彎，其研磨面接觸晶圓邊緣部的垂直面。因此，晶圓W的垂直面被研磨帶38的研磨面所研磨。
即使在此實施型態中，在第一研磨步驟形成於晶圓W邊緣部的垂直面，是在第二研磨步驟被研磨帶38所研磨。因此，可在晶圓W邊緣部形成光滑的垂直面。第一研磨步驟及第二研磨步驟中的至少一步驟，也可以使研磨帶38在其長方向移動並進行。在此狀況下，為了使晶圓W的研磨率提升，研磨帶38的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓w邊緣部的進行方向。再者，為了除去研磨痕，也可以壓抵研磨帶38於晶圓W邊緣部，並使研磨帶38在晶圓w的半徑方向移動。
在第四圖所示的步驟3及步驟4，雖然使研磨帶38暫時分離於晶圓w，但也可以使研磨帶38維持接觸晶圓w的邊緣部，並折彎研磨帶38的一部分。參照第五圖來說明關於此例。第五圖係用來說明第四圖所示的研磨方法的另一例的圖。步驟1及步驟2所示的第一研磨步驟，與第四圖所示的步驟1及步驟2相同。在第一研磨步驟後，在步驟3係研磨帶38接觸晶圓w的狀態下，使按壓墊51及研磨帶38向著晶圓w的半徑方向內側移動，壓抵研磨帶38的一部分(突出部)於在第一研磨步驟所形成的邊緣部的垂直面，並將研磨帶38的一部分往上方折彎。在步驟4，由於以半徑方向移動機構45向著晶圓w的半徑方向內側進一步按壓按壓墊51，以研磨帶38的被折彎部分來研磨垂直面(第二研磨步驟)。
也可以將第四圖所示的第一研磨步驟(步驟1~3)與第二研磨步驟(步驟4~7)用不同類型的研磨帶來進行。在此狀況，如第六圖所示，使用具備彼此具有相同結構的第一研磨單元25A以及第二研磨單元25B的研磨裝置。這些研磨單元25A、25B是在保持於晶圓保持部3的晶圓W中心被對稱地配置。由於研磨單元25A、25B具有與第一圖所示的研磨單元25相同的結構，所以省略其重複說明。
第一研磨單元25A具有粗孔的第一研磨帶38A，第二研磨單元25B具有細孔的第二研磨帶38B。第七圖是用第六圖所示的研磨裝置說明研磨晶圓的方法的圖。
在步驟一是第一研磨帶38A與按壓墊51被定位成第一研磨 帶38A的一部分從第一研磨單元25A向著晶圓W的半徑方向內側略突出。在步驟二，是以第一研磨單元25A的垂直移動機構59將按壓墊51壓下，並將第一研磨帶38A的研磨面壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部，在晶圓W的邊緣部形成垂直面以及水平面(第一研磨步驟)。研磨中的按壓墊51的內側緣部，經由第一研磨帶38A壓抵於晶圓W的邊緣部。在步驟三是由於垂直移動機構59，第一研磨單元25A的按壓墊51以及第一研磨帶38A上升，第一研磨帶38A從晶圓W分離。
在步驟四是是第二研磨帶38B與按壓墊51被定位成第二研磨帶38B的一部分從第二研磨單元25B向著晶圓W的半徑方向內側略突出。第二研磨帶38B的內側緣部位於晶圓W的垂直面的半徑方向內側，且第二研磨單元25B的按壓墊51的內側緣部位於晶圓W的垂直面的半徑方向外側。第二研磨單元25B的按壓墊51的內側緣部與晶圓W的垂直面的水平方向的距離，比第二研磨帶38B的厚度更大。
在步驟五是由於第二研磨單元25B的垂直移動機構59，使按壓墊51以及第二研磨帶38B下降，在步驟六，將第二研磨帶38B的一部分(突出部)壓抵於晶圓W的垂直面與表面(上面)交會的角部，，將第二研磨帶38B的一部分向上方折彎。此角部是以第一研磨步驟形成於晶圓的邊緣部者。在步驟七是以第二研磨單元25B的半徑方向移動機構45，藉由將按壓墊51向著晶圓W的半徑方向內側推壓，在第二研磨帶38B的的折彎部分研磨垂直面(第二研磨步驟)。由於第二研磨帶38B折彎，其研磨面與晶圓邊緣部的垂直面接觸。因此，晶圓W的垂直面被第二研磨帶38B的研磨面所研磨。第一研磨步驟及第二研磨步驟中的至少一步驟，也可以使研磨帶在其長方向移動並進行。在此狀況下，為了使晶圓W的研磨率提升，研磨帶的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓W的邊緣部的進行方向。再者，為了除去研磨痕，也可以將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部，並使研磨帶38在晶圓W的半徑方向移動。
根據本實施形態，以細孔的第二研磨帶可以在晶圓W的邊緣部形成更光滑的垂直面。再者，使晶圓W持續保持在晶圓保持部3，可以用不同類型的研磨帶進行多階段研磨。本實施形態有在第一研磨步驟與 第二研磨步驟之間不需要搬運晶圓W，可以消除在第一研磨步驟與第二研磨步驟之間的晶圓的置中(centering)偏離的優點。又，也可以配置三個以上的研磨單元。
接下來，說明關於研磨方法的其他實施形態。第八(A)~八(E)圖是用來說明研磨方法的其他實施形態的圖。在此實施形態，研磨帶將晶圓W的邊緣部上在晶圓W的半徑方向滑動，並經過複數次研磨晶圓W的邊緣部。具體來說，如第八(A)圖所示，在研磨帶38的一部份從按壓墊51向半徑方向內側突出的狀態下，以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部，在研磨帶38接觸邊緣部的狀態下，使研磨帶38以及按壓墊51向著晶圓W的半徑方向內側進一步移動。研磨帶38在達到特定停止位置為止，在邊緣部上滑動，研磨邊緣部。
同樣地，如第八(B)~八(E)圖所示，反覆進行使研磨帶38在邊緣部上滑動的滑動研磨步驟。每當進行滑動研磨步驟，使研磨帶38的停止位置向著晶圓W的半徑方向內側略微(僅特定距離)移動。如此，使研磨帶38的停止位置漸漸地向內側移動，並藉由反覆進行滑動研磨步驟，可以在晶圓W的邊緣部形成如第五十六圖所示的倒錐形面。研磨帶38到達特定停止位置後，接下來的滑動研磨步驟開始前，使按壓墊51以及研磨帶38暫時從晶圓W分離，也可以移動至接下來的滑動研磨步驟的開始位置，或也可以使按壓墊51以及研磨帶38在晶圓W的半徑方向外側滑動，並移動至接下來的滑動研磨步驟的開始位置。在本實施形態中，也可以使研磨帶38在其長方向移動，並進行滑動研磨步驟。在此狀況下，為了使晶圓W的研磨率提升，研磨帶38的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓W的邊緣部的進行方向。
以第八(A)~八(E)圖所示的滑動研磨，在邊緣部形成倒錐形面有利於SOI(Silicon on Insulator)基板的製造。SOI基板是以貼合元件晶圓與矽晶圓來製造。更具體來說，如第九(A)及九(B)圖所示，貼合元件晶圓W1與矽晶圓W2，使貼合的元件晶圓W1與矽晶圓W2反轉，如第九(C)圖所示，以研磨機(grinder)從其背面研磨削去元件晶圓W1，獲得如第九(D)圖所示的SOI基板。從第九(D)圖可知，矽晶圓W2上 的元件層的端面是錐形面，所以有元件層難以破損的優點。
第十圖是用來說明研磨方法的又一實施形態的圖。未特別說明的本實施形態的結構與動作，由於與上述實施形態一樣，所以省略其重複說明。本實施形態在沿著晶圓W的接線方向配置研磨帶38的點，與上述實施形態相同，但在本實施形態，使按壓墊51的緣部與研磨帶38的緣部一致的狀態下，以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部並研磨晶圓W的邊緣部的點，與上述實施形態不同。
關於本實施形態的研磨方法，包含：初期階段研磨步驟(第一研磨步驟)、高去除率研磨步驟(第二研磨步驟)以及最後階段研磨步驟(第三研磨步驟)。第一研磨步驟是使晶圓W旋轉，藉由按壓墊51以第一壓抵壓力將研磨帶38的緣部，壓抵於晶圓W的邊緣部的步驟。第二研磨步驟是使晶圓W旋轉，藉由按壓墊51以比第一壓抵壓力更高的第二壓抵壓力將研磨帶38的緣部，壓抵於晶圓W的邊緣部的步驟。然後，第三研磨步驟是使晶圓W旋轉，藉由按壓墊51以比第二壓抵壓力更低的第三壓抵壓力將研磨帶38的緣部，壓抵於晶圓W的邊緣部的步驟。在第一研磨步驟、第二研磨步驟以及第三研磨步驟，是以按壓墊51的緣部壓抵研磨帶38的緣部於晶圓W的邊緣部，藉此，在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面。
在第一研磨步驟、第二研磨步驟以及第三研磨步驟，可以適當變更對研磨帶38的壓抵壓力及晶圓W的旋轉速度。例如，在第一研磨步驟，使晶圓W以第一旋轉速度旋轉，在第二研磨步驟，也可以以比第一旋轉速度更高的第二旋轉速度來旋轉。在第三研磨步驟的晶圓的旋轉速度，也可以與上述第一旋轉速度一樣，或是也可以與上述第二旋轉速度一樣。又，第三研磨步驟的上述第三壓抵壓力，也可以與第一研磨步驟第一壓抵壓力一樣，或是也可以比第一壓抵壓力低，或是也可以比第一壓抵壓力高。
在第一研磨步驟，因為以低壓抵壓力緩慢地研磨晶圓W，所以在角部不會產生缺損，可以在晶圓W的邊緣部形成直角角部。在第二研磨步驟，因為以高壓抵壓力研磨晶圓W，所以可縮短整體研磨時間。在 第三研磨步驟，因為以低壓抵壓力研磨晶圓W，所以可改善表面粗糙度。在第三研磨步驟後，也可以進一步實施附加的研磨步驟。
在本實施形態，在研磨帶38的緣部與按壓墊51的緣部一致的狀態下，包含研磨帶38的緣部的平坦部被壓抵於晶圓W的邊緣部。研磨台38的緣部為直角角部，此直角緣部被按壓墊51的緣部從上往晶圓W的周緣部按壓。因此，如第十圖所示，可將被研磨的晶圓W的剖面形狀做為直角。第一研磨步驟、第二研磨步驟以及第三研磨步驟也可以將研磨帶38在其長方向移動並進行。在此狀況下，為了提升晶圓W的研磨率，研磨帶38的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓W的邊緣部的行進方向。
第十一圖係表示用來實施研磨方法的又一實施形態的研磨裝置的概略圖。在此實施形態，代替研磨帶，使用固定研磨粒(研磨石)39做為研磨晶圓W的周緣部的研磨具。此固定研磨粒39具有圓板形狀，被固定於圓形的按壓部件51的下面。按壓部件51被連接於馬達65，固定研磨粒39與按壓部件51一體地被馬達65旋轉。馬達65被連接於使按壓部件51及固定研磨粒39在相對於晶圓表面的垂直方向移動的垂直移動機構59，垂直移動機構59被連接於使按壓部件51及固定研磨粒39在晶圓W的半徑方向移動的半徑方向移動機構45。
第十二(A)~十二(C)圖是用來說明使用第十一圖所示的研磨裝置的研磨方法的圖。如第十二(A)圖所示，使晶圓W旋轉，並以馬達65使固定研磨粒39及按壓部件51在中心周圍旋轉。在此狀態下，如第十二(B)圖所示，以垂直移動機構59將按壓部件51及固定研磨粒39壓下，並將固定研磨粒39的下面壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部，在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面(第一研磨步驟)。再者，如第十二(C)所示，藉由以半徑方向移動機構45將按壓部件51及固定研磨粒39推壓向晶圓W的半徑方向內側，在固定研磨粒39的外周面研磨晶圓邊緣部的垂直面(第二研磨步驟)。如此，可以使用研磨石等的固定研磨粒39做為研磨具。
第十三圖係用來說明用來實施研磨方法的又一其他實施形態的研磨裝置的概略圖，第十四圖是第十三圖所示的研磨裝置的平面圖。 研磨裝置具備：晶圓保持部3，保持並旋轉晶圓W(基板)；按壓墊51，將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部；按壓機構53，向著晶圓W推壓按壓墊51；接線方向移動機構30，使按壓墊51及按壓機構53在晶圓W的接線方向移動。做為按壓機構53可以使用汽缸，或是伺服馬達與滾珠螺桿的組合，做為接線方向移動機構30，可以使用伺服馬達與滾珠螺桿的組合。
研磨帶38的研磨面與晶圓W表面平行，且研磨面被配置成面對晶圓W的邊緣部。研磨帶38的片面(下面)構成固定研磨粒的研磨面。研磨帶38是長尺研磨具，沿著晶圓W的接線方向配置。按壓墊51是用來壓抵研磨帶38於晶圓W的邊緣部的按壓部件，被配置在晶圓W的邊緣部上方。在按壓部件51的底面，固定有限制研磨帶38的水平方向移動的帶停止器185。也可以省略此帶停止器185。
第十五圖係用來說明研磨方法的一實施形態的圖。按壓墊51的原點位置，被預先設定在從晶圓W的中心Cw在半徑方向延伸的中心線CL上。此原點位置是研磨晶圓W的邊緣部時的按壓墊51的基準位置。在原點位置的按壓墊51的內側緣部51b的中點Cp位在中心線CL上。此按壓墊51的內側緣部51b是將研磨帶38按壓於晶圓W邊緣部的按壓面緣部，在晶圓W的半徑方向的內側緣部。
晶圓W的研磨如以下進行。首先，以晶圓保持部3使晶圓W旋轉。然後，在按壓墊51的緣部一致於研磨帶38的緣部的狀態下，以按壓墊51將研磨帶38的緣部壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部，來研磨晶圓W的邊緣部。在從按壓墊51的緣部使研磨帶38的一部分往晶圓W的半徑方向內側突出的狀態下，也可以藉由按壓墊51將研磨帶38壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部。研磨帶38的緣部為直角角部，此直角的緣部被按壓墊51的緣部從上往晶圓W的邊緣部按壓。接觸晶圓W的研磨帶38的研磨面成平行於晶圓W表面。研磨中的按壓墊51的內側緣部，經由研磨帶38被壓抵於晶圓W的邊緣部。按壓墊51的晶圓按壓面(基板按壓面)是與晶圓表面平行的水平面，在此水平按壓面藉由壓抵研磨帶38於晶圓W的邊緣部，在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面。
但是，如上述，研磨帶38與晶圓W的接觸面積，會因晶圓 邊緣部內的位置而不同，結果如第五十八圖所示，水平面內的內側區域會有變斜的狀況。因此，如第十六圖所示，將按壓墊51從原點位置在垂直於中心線CL的接線方向僅偏離特定距離，在此偏離位置以按壓墊51壓抵研磨帶38於晶圓W。從第十六圖可知，若將按壓墊51的位置在晶圓W的接線方向偏離，則晶圓邊緣部的水平面內的內側區域與研磨帶38的接觸面積(接觸長度)不會改變，可以將水平面內的外側區域與研磨帶38的接觸面積變小。因此，研磨帶38可以在晶圓W的邊緣部形成如第十五圖所示的平坦水平面。偏離按壓墊51的上述特定距離係沿著上述接線方向的按壓墊51的未滿一半長度為較佳。若為此距離，位於最內側的垂直面的形成，在按壓墊51的位置幾乎不會受到影響。又，藉由調整從原點位置在垂直於中心線CL的接線方向偏離按壓墊51的距離，可以改變水平面的輪廓。例如，藉由調整從按壓墊51的原點位置偏離的距離，可以形成具有需要角度的水平面。
本發明也可以適用於在晶圓W的半徑方向配置研磨帶38的研磨方法。第十七圖係用來說明用來實施關於另一實施形態的研磨方法的研磨裝置的概略圖，第十八圖係第十七圖所示的研磨裝置的平面圖。第十七圖以及第十八圖所示的研磨裝置，從晶圓W上來看時，研磨帶38配置成研磨帶38沿著中心線CL延伸(即研磨帶38在晶圓W的半徑方向延伸)這點，與第十三及十四圖所示的研磨裝置不同。其他結構與第十三及十四圖所示的研磨裝置相同。
晶圓W的研磨如下所述進行。首先，以晶圓保持部3使晶圓W旋轉。然後，以按壓墊51將研磨帶38壓抵於旋轉的晶圓W的邊緣部，並研磨晶圓W的邊緣部。研磨中的按壓墊51的內側緣部，經由研磨帶38被壓抵於晶圓W的邊緣部。
第十九圖係用來說明以第十七圖及第十八圖所示的研磨裝置進行的研磨方法的圖。與上述實施形態一樣，按壓墊51的原點位置，被預先設定在從晶圓W的中心Cw在半徑方向延伸的中心線CL上。位於原點位置的按壓墊51的內側緣部51b的中點Cp位在中心線CL上。
研磨晶圓W時，如第二十圖所示，將按壓墊51從原點位置 在垂直於中心線CL的接線方向僅偏離特定距離，在此偏離位置以按壓墊51壓抵研磨帶38於晶圓W。即使在本實施形態，晶圓邊緣部的水平面內的內側區域與研磨帶38的接觸面積(接觸長度)也不會改變，可以將水平面內的外側區域與研磨帶38的接觸面積變小。因此，研磨帶38可以在晶圓W的邊緣部形成平坦水平面。
第二十一圖係概略地表示用來實施研磨方法的又一實施形態的研磨裝置的側面圖。在此實施形態，使用研磨石等固定研磨粒39做為研磨具來代替研磨帶。此固定研磨粒39具有圓板形狀，被固定於圓形的按壓部件51的下面。按壓部件51被連接於馬達65，固定研磨粒39與按壓部件51一體地被馬達65旋轉。馬達65被連接於向著晶圓W推壓固定研磨粒39及按壓部件51的按壓機構53。按壓機構53被連接於使固定研磨粒39及按壓部件51在晶圓W的接線方向移動的接線方向移動機構30。
第二十二圖係第二十一圖所示的晶圓W以及固定研磨粒39的平面圖。在研磨晶圓W時，如第二十二圖所示，將固定研磨粒39及按壓部件51從原點位置，在垂直於中心線CL的接線方向偏離特定距離，在此偏離位置以按壓部件51將固定研磨粒39壓抵於晶圓W。
接下來，說明關於可執行上述研磨方法的實施形態的研磨裝置的細節。第二十三圖係表示研磨裝置的平面圖，第二十四圖係第二十三圖的F-F線剖面圖，第二十五圖係從第二十四圖的箭頭G所示方向來看的圖。研磨裝置具備：晶圓保持部3，水平地保持並旋轉研磨對象物的晶圓(基板)W。在第二十三圖中，表示晶圓保持部3保持晶圓W的狀態。晶圓保持部3具備：保持台4，以真空吸引保持晶圓W的下面；中空軸5，連接於保持台4的中央部；以及馬達M1，使此中空軸5旋轉。晶圓W被載置於保持台4上成與中空軸5的軸心一致。
保持台4被配置於研磨室22內，研磨室22是由隔壁20與基部板21所形成。隔壁20具備用來將晶圓W搬入及搬出至研磨室22的搬送口20a。搬送口20a被形成為水平延伸的缺口。此搬送口20a可以用門23來關閉。
中空軸5被滾珠栓槽軸承(線性運動軸承)6支持成可上下 移動。在保持台4的上面形成有溝4a，此溝4a連通於通過中空軸5延伸的連通路7。連通路7經由安裝在中空軸5下端的旋轉接合器8被連接於真空管線9。連通路7更連接於用來使處理後的晶圓W從保持台4脫離的氮氣供給管線10。由於切換這些真空管線9與氮氣供給管線10，將晶圓W於保持台4上面並使晶圓W脫離。
中空軸5經由連接於此中空軸5的滑輪p1、安裝於馬達M1的旋轉軸的滑輪p2、掛在滑輪p1、p2的帶b1，被馬達M1所旋轉。滾珠栓槽軸承6是容許中空軸5自由移動至其長方向的軸承。滾珠栓槽軸承6被固定於圓筒狀的護套12。因此，中空軸5可對於護套12上下直線移動，中空軸5與護套12一體地旋轉。中空軸5被連接於汽缸(升降機構)15，以汽缸15可上升及下降中空軸5及保持台4。
在護套12與同心地配置在其外側的圓筒狀護套14之間，安裝有徑向軸承18，護套12被軸承18支持成可自由旋轉。藉由此結構，晶圓保持部3可使晶圓W在其中心軸周圍旋轉，且使晶圓W沿著其中心軸上升下降。
保持在晶圓保持部3的晶圓W的半徑方向外側，配置有研磨晶圓W周緣部的研磨單元25。此研磨單元25被配置在研磨室22的內部。如第二十五圖所示，研磨單元25的整體，被固定於設置台27上。此設置台27經由臂塊28連接於研磨單元移動機構30。
研磨單元移動機構30具備：滾珠螺桿機構31，保持臂塊28；馬達32，驅動此滾珠螺桿機構31；以及動力傳達機構33，連接滾珠螺桿機構31與馬達32。動力傳達機構33是由滑輪與帶等所構成。當使馬達32運作，則滾珠螺桿機構31將臂塊28在第二十五圖所示的箭頭方向移動，研磨單元25整體在晶圓W的接線方向移動。此研磨單元移動機構30，做為振動機構來運作，使研磨單元25以特定振幅及特定速度搖動。
研磨單元25具備：研磨頭50，用研磨帶38研磨晶圓W的周緣部；以及研磨帶供給回收機構70，將研磨帶38供給至研磨頭50，且從研磨頭50回收研磨帶38。研磨頭50是將研磨帶38的研磨面從上壓抵於晶圓W的周緣部，並研磨晶圓W的頂邊部的頂邊研磨頭。研磨帶供給回收 機構70是做為研磨帶支持機構來運作，將研磨帶38支持成平行於晶圓W表面。
第二十六圖係研磨頭50以及研磨帶供給回收機構70的平面圖，第二十七圖係研磨頭50以及研磨帶供給回收機構70的正面圖，第二十八圖係第二十七圖所示的H-H線剖面圖，第二十九圖係第二十七圖所示的研磨帶供給回收機構70的側面圖，第三十圖係以箭頭I所示方向來看第二十七圖所示的研磨頭50的縱剖面圖。
在設置台27上，配置有平行於晶圓W半徑方向延伸的兩個直線運動導件40A、40B。研磨頭50與直線運動導件40A是經由連接塊41A連接。再者，研磨頭50被連接於使該研磨頭50沿著直線運動導件40A(即晶圓W的半徑方向)移動的馬達42A及滾珠螺桿43A。更具體來說，滾珠螺桿43A被固定於連接塊41A，馬達42A經由支持部件44A被固定於設置台27。馬達42A被構成為使滾珠螺桿43A的螺軸旋轉，藉此，連接塊41A以及連接於此的研磨頭50沿著直線運動導件40A被移動。馬達42A、滾珠螺桿43A以及直線運動導件40A，構成第一移動機構45，第一移動機構45使研磨頭50在保持於晶圓保持部3的晶圓W的半徑方向移動。
同樣地，研磨帶供給回收機構70與直線運動導件40B經由連接塊41B連接。再者，研磨帶供給回收機構70被連接於使該研磨帶供給回收機構70沿著直線運動導件40B(即晶圓W的半徑方向)移動的馬達42B及滾珠螺桿43B。更具體來說，滾珠螺桿43B被固定於連接塊41B，馬達42B經由支持部件44B被固定於設置台27。馬達42B被構成為使滾珠螺桿43B的螺軸旋轉，藉此，連接塊41B以及連接於此的研磨帶供給回收機構70沿著直線運動導件40B被移動。馬達42B、滾珠螺桿43B以及直線運動導件40B，構成帶移動機構(第二移動機構)46，帶移動機構46使研磨帶38及研磨帶供給回收機構(研磨帶支持機構)70在保持於晶圓保持部3的晶圓W的半徑方向移動。
如第三十圖所示，研磨頭50具備：按壓墊51，將研磨帶38壓抵於晶圓W；墊架52，保持按壓墊51；以及汽缸53，做為按壓機構來壓下此墊架52(以及按壓墊51)。汽缸53被保持在保持部件55。再者，保 持部件55經由在鉛直方向延伸的直線運動導件54，被連接於做為升降機構的汽缸56。當從圖未顯示的氣體供給源供給空氣等氣體至汽缸56，則汽缸56將保持部件55壓上。藉此，保持部件55、汽缸53、墊架52以及按壓墊51係沿著直線運動導件54被舉起。
在本實施形態，使按壓墊51在垂直於晶圓表面的方向移動的垂直移動機構59，是由汽缸53及汽缸56所構成。又，由馬達42A、滾珠螺桿43A以及直線運動導件40A所構成的第一移動機構45，做為半徑方向移動機構來運作，使按壓墊51及垂直移動機構59在晶圓W的半徑方向移動。再者，研磨單元移動機構30做為接線方向移動機構來運作，使按壓墊51(以及做為按壓機構的汽缸53)在晶圓W的接線方向移動。
汽缸56被固定在固定於連接塊41A的安裝部件57。安裝部件57與墊架52經由在鉛直方向延伸的直線運動導件58被連接。當以汽缸53將墊架52壓下，則按壓墊51沿著直線運動導件58向下方移動，將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部。按壓墊51是由PEEK(聚醚醚酮)等樹脂，不銹鋼等金屬、或SiC(碳化矽)等陶瓷所形成。
按壓墊51具有在鉛直方向延伸的複數個貫穿孔51a，在此貫穿孔51a連接有真空管線60。在真空管線60設有圖未顯示的閥，藉由開閥使按壓墊51的貫穿孔51a內形成真空。當在按壓墊51接觸研磨帶38上面的狀態下於貫穿孔51a形成真空，則研磨帶38的上面被保持於按壓墊51的下面。又，按壓墊51的貫穿孔51a也可以是一個。貫穿孔51a的形狀係研磨帶38若被真空確實地保持於按壓墊51則沒有特別限定。例如貫穿孔51a可以是縫隙狀，或者也可以設置具有不同形狀的一個或複數個貫穿孔51a。
墊架52、汽缸53、保持部件55、汽缸56以及安裝部件57被收容於箱62內。墊架52的下部從箱62底部突出，按壓墊51被安裝於墊架52的下部。在箱62內，配置有檢測按壓墊51的鉛直方向位置的位置感應器63。此位置感應器63被安裝於安裝部件57。在墊架52設有做為感應目標的止擋(dog)64，位置感應器63從止擋64的鉛直方向位置檢測按壓墊51的鉛直方向位置。
第三十一圖係從上來看位置感應器63以及止擋64的圖。位置感應器63具有投光部63A及受光部63B。當止擋64與墊架52(及按壓墊51)一起下降，則從投光部63A發出的光的一部分被止擋64遮住。因此，從被受光部63B受光的光量，可以檢測止擋64的位置，即按壓墊51的鉛直方向位置。又，雖然第三十一圖所示的位置感應器63是各種透過型光學式感應器，但也可以用其他類型的位置感應器。
研磨帶供給回收機構70具備：供給捲盤71，供給研磨帶38於研磨頭50；以及回收捲盤72，從研磨頭50回收研磨帶38。供給捲盤71以及回收捲盤72分別連接於張力馬達(tension motor)73、74。張力馬達73、74藉由施加特定力矩於供給捲盤71以及回收捲盤72，可以將特定張力施加於研磨帶38。
在供給捲盤71與回收捲盤72之間，設有研磨帶傳送機構76。此研磨帶傳送機構76具備：帶傳送輥77，傳送研磨帶38；軋輥78，將研磨帶38壓抵於帶傳送輥77；以及帶傳送輥79，使帶傳送輥77旋轉。研磨帶38被夾在軋輥78與帶傳送輥77之間。藉由使帶傳送輥77在第二十七圖的箭頭所示方向旋轉，研磨帶38從供給捲盤71送到回收捲盤72。
張力馬達73、74以及帶傳送輥79被設置於基台81。此基台81被固定於連接塊41B。基台81具有從供給捲盤71以及回收捲盤72向著研磨投50延伸的兩根支持臂82、83。在支持臂82、83，安裝有支持研磨帶38的複數個導引輥84A、84B、84C、84D、84E。研磨帶38藉由這些導引輥84A~84E導引成包圍研磨頭50。
研磨帶38的延伸方向，從上來看時是垂直於晶圓W的半徑方向。位於研磨頭50的下方的兩個導引輥84D、84E，支持研磨帶38成研磨帶38的研磨面平行於晶圓W的表面(上面)。再者，位在這兩個導引輥84D、84E之間的研磨帶38，在平行於晶圓W的接線方向延伸。在研磨帶38與晶圓W之間，在鉛直方向形成有縫隙。
研磨裝置更具備：帶邊緣檢測感應器100，檢測研磨帶38的緣部位置。帶邊緣檢測感應器100與上述位置感應器63一樣，是透過型的光學式感應器。帶邊緣檢測感應器100具有投光部100A與受光部100B。 投光部100A如第二十四圖所示，被固定於形成研磨室22的基部板21。此帶邊緣檢測感應器100被構成為從被受光部100B受光的光量檢測研磨帶38的緣部位置。
在研磨晶圓W時，如第三十二圖所示，研磨頭50及研磨帶供給回收機構70，被馬達42A、42B以及滾珠螺桿43A、43B分別移動到特定研磨位置為止。位於研磨位置的研磨帶38，從晶圓W上來看時，在晶圓W的接線方向延伸。因此，研磨帶供給回收機構70的導引輥84D、84E係做為研磨帶支持機構來運作，在沿著晶圓W的接線方向的狀態下，支持研磨帶38平行於晶圓W的表面。
第三十三圖係從橫方向來看第三(A)~三(D)圖所示的研磨方法以及第四及七圖所示的位於實施研磨方法時的研磨位置的按壓墊51、研磨帶38以及晶圓W的概略圖。如第三十三圖所示，研磨帶38位於晶圓W的邊緣部的上方，按壓墊51更位於研磨帶38的上方。第三十四圖係表示以按壓墊51壓抵研磨帶38於晶圓W的狀態的圖。
第三十五圖係從橫方向來看實施第十圖及第十三圖所示的研磨方法時的研磨位置的按壓墊51、研磨帶38以及晶圓W的概略圖，表示以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W的狀態。如第三十五圖所示，位於研磨位置的按壓墊51的緣部與研磨帶38的緣部一致。也就是說，為了按壓墊51的緣部與研磨帶38的緣部一致，研磨頭50以及研磨帶供給回收機構70分別被獨立地移動至研磨位置。但是，按壓墊51的緣部與研磨帶38的緣部不需要完全一致，研磨帶38的緣部也可以從按壓墊51的緣部突出約20μm~100μm。
研磨帶38是細長帶狀的研磨具。研磨帶38的寬度基本上是遍及其全長為固定，但依研磨帶38的部分，其寬度會有若干偏移的狀況。因此，位於研磨位置的研磨帶38的緣部位置在各晶圓有不同之虞。另一方面，位於研磨位置的按壓墊51的位置，總是維持固定。因此，移動到研磨位置前，研磨帶38的緣部位置會被上述帶邊緣檢測感應器100檢測。
第三十六(A)~三十六(C)圖係說明檢測研磨帶38的緣部時的動作的圖。在晶圓W的研磨前，研磨帶38從第三十六(A)圖所示 的退避位置，被移動到第三十六(B)圖所示的帶邊緣檢測位置。此帶邊緣檢測位置是以帶邊緣檢測感應器100檢測研磨帶38的晶圓側的緣部位置。然後，如第三十六(C)圖所示，研磨帶38被移動至研磨位置成研磨帶38的一部分從按壓墊51的緣部僅突出特定寬度，或是如第三十五圖所示，研磨帶38的緣部與按壓墊51的緣部一致。
位於研磨位置的按壓墊51的緣部位置，被預先記憶於研磨控制部11(參照第二十三圖)。因此，研磨控制部11可以從被檢測的研磨帶38的緣部位置與按壓墊51的緣部位置，算出研磨帶38的移動距離。如此，由於根據被檢測的研磨帶38的緣部位置來決定研磨帶38的移動距離，不管研磨帶38的寬度偏差，可以使研磨帶38移動至特定位置。
第十三圖所示的研磨方法中，如第三十四圖所示，在使研磨帶38的一部分從按壓墊51的內側緣部向晶圓W的半徑方向內側突出的狀態下，也可以以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部。
接下來，說明關於如上述構成的研磨裝置的研磨動作。以下說明的研磨裝置的動作，是以第二十三圖所示的研磨控制部11來控制。晶圓W表面所形成的膜(例如元件層)被保持於晶圓保持部3成向上，更在晶圓W的中心周圍旋轉。在旋轉的晶圓W的中心，從圖未顯示的液體供給機構供給液體(例如純水)。研磨頭50的按壓墊51以及研磨帶38，如第三十三圖所示，被分別移動至特定研磨位置為止。
第三十七(A)圖係從晶圓W的徑方向來看位於研磨裝置的研磨帶38以及按壓墊51的圖。第三十七(A)圖所示的按壓墊51，處於被汽缸56(參照第三十圖)舉起的狀態，按壓墊51位於研磨帶38上方。接下來，使汽缸56的動作停止，並將活塞桿降下，如第三十七圖所示，按壓墊51被下降至其下面接觸研磨帶38的上面為止。在此狀態下，經由真空管線60，在按壓墊51的貫穿孔51a形成真空，使研磨帶38保持在按壓墊51的下面。持續保持研磨帶38，按壓墊51被汽缸53(參照第三十圖)下降，如第三十七(C)圖所示，按壓墊51將研磨帶38的研磨面以特定研磨壓力壓抵於晶圓W的周緣部。研磨壓力是從研磨帶38作用於晶圓W的周緣部的壓抵壓力。此研磨壓力可以用供給至汽缸53的氣體壓力來調整。
執行第十三圖所示的研磨方法時，按壓墊51如第十六圖所示，位於從預先設定的原點位置僅向接線方向偏離特定距離的位置。在此偏離位置以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W，研磨晶圓W的邊緣部。從第十六圖可知，當按壓墊51的位置偏離至接線方向，則晶圓邊緣部的水平面內的內側區域與研磨帶38的接觸面積(接觸長度)不會改變，可縮小水平面內的外側區域與研磨帶38的接觸面積。因此，可在晶圓W的邊緣部形成平坦的水平面。
晶圓W的邊緣部是以旋轉的晶圓W與研磨帶38的滑接來研磨。為了提升晶圓W的研磨率，在晶圓W研磨中，也可以藉由研磨單元移動機構(接線方向移動機構)30使研磨帶38及按壓墊51沿著晶圓W的接線方向移動。在研磨中供給液體(例如純水)至旋轉的晶圓W的中心部，晶圓W在水存在下被研磨。供給至晶圓W的液體，因離心力廣佈於晶圓W的上面整體，藉此防止研磨屑附著於形成於晶圓W的元件。如上述，由於在研磨中研磨帶38被真空吸引保持於按壓墊51，所以防止研磨帶38與按壓墊51的位置偏離。因此，可使研磨位置及研磨形狀穩定。再者，即使研磨壓力變大，由於不會發生研磨帶38與按壓墊51的位置偏離，所以可縮短研磨時間。
晶圓W的研磨中的按壓墊51的鉛直方向位置，被位置感應器63所檢測。因此，可以從按壓墊51的鉛直方向位置檢測研磨終點。例如，按壓墊51的鉛直方向位置達到特定目標位置時，可以結束晶圓W的邊緣部的研磨。此特定目標位置是依據研磨量來決定。
當晶圓W的研磨結束，則對汽缸53的氣體供給被停止，藉此按壓墊51上升至第三十七(B)圖所示位置為止。同時，研磨帶38的真空吸引被停止。再者，按壓墊51被汽缸56提升至第三十七(A)圖所示的位置。然後，研磨頭50及研磨帶供給回收機構70被移動至第二十六圖所示的退避位置。被研磨的晶圓W，被晶圓保持部3提升，以圖未顯示的搬送機構的手臂搬出至研磨室22外。在接下來的晶圓研磨開始前，研磨帶38被帶傳送機構76從供給捲盤71僅傳送特定距離至回收捲盤72。藉此，新研磨面被使用於接下來的晶圓研磨。當評估研磨帶38被研磨屑妨礙時，將 研磨帶38僅傳送特定距離後，也可以再次以新研磨面來研磨被研磨的晶圓W。研磨帶38的妨礙可以從例如研磨時間及研磨壓力來評估。
也可以以研磨帶傳送機構76將研磨帶38在其長方向以特定速度傳送，並研磨晶圓W。在此狀況下，為了提升晶圓W的研磨率，研磨帶38的移動方向也可以對抗旋轉的晶圓的邊緣部的進行方向。以真空吸引持續保持研磨帶38於按壓墊51，可以以研磨帶傳送機構76將研磨帶38在其長方向傳送。依據狀況，也可以不以真空吸引保持研磨帶38於按壓墊51。
如第三十八(A)圖所示，在對晶圓W的研磨壓力變大的狀況下，晶圓W會因按壓墊51的研磨壓力大幅彎曲，結果，如第三十八(B)圖所示，晶圓W的被研磨面會有傾斜的狀況。因此，在第三十九圖所示的實施形態，從下支持晶圓W的周緣部的支持架180被設於晶圓保持部3。由於未特別說明的其他結構，與第二十四圖所示的結構相同，所以省略其重複說明。支持架180被固定於支持架台181。此支持架台181被固定於護套12上端，與護套12一體地旋轉。因此，支持架180是與護套12及保持台4一體地旋轉。
支持架180為了遍佈其整體來支援晶圓W的周緣部下面，具有如第四十圖所示的倒圓錐梯形。被支持架180支持的晶圓W的周緣部下面是至少包含第五十二(A)及五十二(B)圖所示的底邊部E2的區域。支持架180的環狀上面180a構成支持晶圓W周緣部下面的支持面。在晶圓W的研磨時，支持架180的最外周端與晶圓W的最外周端幾乎一致。
由於使用此類的支持架180，即使按壓墊51按壓研磨帶38於晶圓W，晶圓W也不會彎曲。因此，以研磨帶38研磨晶圓W的邊緣部，可以在晶圓W的邊緣部形成垂直面及水平面。又，由於支持架180支持晶圓W的周緣部下面整體，所以相較於僅支持晶圓的一部分的以往晶圓支持結構，可以均勻地研磨晶圓的邊緣部。
在中空軸5與護套12之間，配置有滾珠栓槽軸承6，所以中空軸5可以相對於護套12在上下方向移動。因此，中空軸5的上端所連接的保持台4，可以相對於護套12及支持架180在上下方向移動。第四十一圖係表示保持台4與其上面所保持的晶圓W相對於支持架180為上升狀 態的圖。
研磨帶38因晶圓W的接觸狀態或晶圓W的周緣部形狀的影響，會有受到水平方向負重的情況。結果，研磨帶38會有脫出至晶圓W外側的狀況。因此，如第四十二圖所示，限制研磨帶38的水平方向移動的帶停止器185被設在按壓墊51。帶停止器185在晶圓W的半徑方向被配置於研磨帶38的外側，限制向研磨帶38的外側的移動。因如此配置的帶停止器185，可以防止研磨帶38脫出至晶圓W外側。因此，可以使晶圓W的研磨形狀及研磨寬度穩定。
若向研磨帶38的外側的移動會被帶停止器185停止，則如第四十三圖所示，研磨帶38會有彎曲的狀況。因此，在第四十四圖所示的實施形態，應防止研磨帶38的彎曲，接近研磨帶38的研磨面設置帶護罩186。帶護罩186被固定於帶停止器185，配置成覆蓋研磨帶38的大部分研磨面。帶護罩186被配置在研磨帶38的下方，在研磨帶38的研磨面與帶護罩186的上面之間，形成有微小的縫隙dg。研磨帶38被配置在按壓墊51與帶護罩186之間。由於設有此類帶護罩186，研磨帶38會彎曲的狀況被防止，可以保持研磨帶38平坦。因此，可以使晶圓W的研磨形狀及研磨寬度穩定。
如第四十四圖所示，研磨帶38被配置在按壓墊51、帶停止器185以及帶護罩186所包圍的空間。按壓墊51的下面與帶護罩186的上面的縫隙h，被設定成比研磨帶38的厚度更大。研磨帶38與帶護罩186的縫隙dg，比晶圓W的厚度更小。
帶護罩186的內側面186a位於比按壓墊51的緣部51b更靠近晶圓W的半徑方向的外側。因此，研磨帶38的研磨面僅露出研磨帶38的緣部與帶護罩186的內側面186a之間的距離dw。晶圓W的研磨是以露出的研磨面來進行。
在第四十四圖所示的結構，由於帶停止器185停止作用於研磨帶38的水平方向負重，所以按壓墊51會有與研磨帶38一起向外側移動的狀況。此類按壓墊51的移動，使研磨形狀及研磨寬度不穩定。因此，在第四十五圖所示的實施形態，設有限制向按壓墊51的外側的移動的移動限 制機構。此移動限制機構具有：突起部件190，固定於按壓墊51；以及側停止器191，限制此突起部件190的水平方向移動。在本實施形態，使用柱塞(plunger)做為突起部件190。
側停止器191在晶圓W的半徑方向配置於柱塞(突起部件)190的外側，停止向柱塞190的外側的移動。側停止器191被固定在研磨頭50的箱62的下面，側停止器191的位置被固定。柱塞190與側停止器191彼此接近配置，柱塞190與側停止器191的縫隙dr為10μm~100μm。根據此類結構，在研磨中，當按壓墊51從研磨帶38承受水平負重向外側移動，柱塞190接觸側停止器191，藉此，向按壓墊51及研磨帶38的外側會被限制，因此，可以使晶圓W的研磨形狀以及研磨寬度穩定。
第三十九~四十五圖所示的實施形態，可以適當組合。例如，第四十六圖是表示將第三十九圖所示的支持架180與第四十五圖所示的研磨頭50組合的例。根據此第四十六圖所示的結構，防止晶圓W的撓曲，並防止研磨帶38的移動或彎曲。
第四十七圖表示具備複數個研磨單元的研磨裝置的平面圖。在此研磨裝置，第一研磨單元25A及第二研磨單元25B被設於研磨室22內。由於研磨單元25A、25B具有與上述研磨單元25相同結構，所以省略其重複說明。這兩個研磨單元25A、25B的配置，相對於保持在晶圓保持部3的晶圓W是對稱的。第一研磨單元25A可以被第一研磨單元移動機構(圖未顯示)移動，第二研磨單元25B可以被第二研磨單元移動機構(圖未顯示)移動。這些第一及第二研磨單元移動機構，具有與上述研磨單元移動機構30相同的結構。
在第一研磨單元25A及第二研磨單元25B，可以使用不同種類的研磨帶。例如，可用第一研磨單元25A進行晶圓W的粗研磨，用第二研磨單元25B進行晶圓W的完工研磨。如第七圖所示的研磨方法，可以使用第四十七圖所示的研磨裝置來實施。
接下來，說明關於可以執行第十九及二十圖所示的上述研磨方法的實施形態的研磨裝置的細節。第四十八圖係表示研磨裝置的平面圖，第四十九圖係表示第四十八圖所示研磨裝置的縱剖面圖。如第四十八 及四十九圖所示，研磨裝置具備：研磨頭組裝體111，將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部並研磨該邊緣部；以及研磨帶供給回收機構112，將研磨帶38供給至此研磨頭組裝體111。研磨頭組裝體111，被配置於研磨室22內部，研磨帶供給回收機構112被配置於研磨室22之外。
研磨帶供給回收機構112具備：供給捲盤124，將研磨帶38供給至研磨頭組裝體111；以及回收捲盤125，回收使用於晶圓W研磨的研磨帶38。馬達129、129分別連接於供給捲盤124及回收捲盤125(在第四十八圖表示連接於供給捲盤124的馬達129)。各馬達129、129可施加特定力矩於供給捲盤124及回收捲盤125，可以使特定張力施加於研磨帶38。
研磨頭組裝體111具備：研磨頭131，用來使研磨帶38抵接於晶圓W的周緣部。研磨帶38被供給至研磨頭131使研磨帶38的研磨面向著晶圓W。研磨帶38通過設於隔壁20的開口部20b，從供給捲盤124被供給至研磨頭131，被使用的研磨帶38通過開口部20b被回收捲盤125回收。
研磨頭131被固定於臂135的一端，臂135在晶圓W的接線方向被構成為在平行的旋轉軸Ct周圍自由旋轉。臂135的另一端經由滑輪p3、p4及帶b2被連接於馬達138。由於馬達138在順時針及逆時針方向僅旋轉特定角度，臂135在軸Ct周圍僅旋轉特定角度。在本實施形態，藉由馬達138、臂135、滑輪p3、p4以及帶b2，構成對晶圓W表面使研磨頭131傾斜的傾斜機構。
傾斜機構被搭載於移動台140。移動台140被連接於研磨單元移動機構(接線方向移動機構)30，藉由，研磨單元移動機構30，研磨頭131及支持於該研磨頭131的研磨帶38可在晶圓W的接線方向移動。另一方面，研磨帶供給回收機構112被固定於基部板21。
第五十圖係表示第四十九圖所示的研磨頭131的擴大圖。如第五十圖所示，研磨頭131具備：按壓墊51，將研磨帶38壓抵於晶圓W的邊緣部；以及汽缸53，做為按壓機構將按壓墊51向晶圓W推壓。又，研磨頭131具備：帶傳送機構151，將研磨帶38從供給捲盤124傳送到回收捲盤125。研磨頭131具有導引研磨帶38的進行方向的複數個導引輥 153A、153B、153C、153D、153E、153F、153G。
被設於研磨頭131的帶傳送機構151，具備：帶傳送輥151a、軋輥151b以及使帶傳送輥151a旋轉的馬達151c。馬達151c被設於研磨頭131的側面，帶傳送輥151a被安裝於馬達151c的旋轉軸。軋輥151b鄰接於帶傳送輥151a配置。軋輥151b被圖未顯示的機構支持成在第五十圖的箭頭NF所示方向(向著帶傳送輥151a的方向)產生力，構成為按壓帶傳送輥151a。
當馬達151c在第五十圖所示方向旋轉，則帶傳送輥151a旋轉，將研磨帶38從供給捲盤124經由研磨頭131送到回收捲盤125。軋輥151b被構成為可在本身軸心周圍旋轉。
按壓墊51被配置在研磨帶38的背面側，汽缸53使此按壓墊51向著晶圓W的周緣部移動。藉由對汽缸53供給的氣體壓力，來調整對晶圓W的研磨壓力。
在研磨晶圓W的邊緣部時，如第五十一圖所示，按壓墊51的晶圓按壓面與晶圓W的背面平行為止，研磨台131因上述傾斜機構往上方傾斜。然後，以按壓墊51將研磨帶38按壓於晶圓W的邊緣部，研磨邊緣部。配置成夾著按壓墊51的兩個導引輥153D、153E，在從晶圓W上看時，構成支持機構，該支持機構支持該研磨帶38成研磨帶38沿著晶圓W的中心線CL(參照第二十圖)延伸。
在研磨中的按壓墊51，如第二十圖所示，位於位於從預先設定的原點位置僅向接線方向偏離特定距離的位置。在此偏離位置以按壓墊51將研磨帶38壓抵於晶圓W，研磨晶圓W的邊緣部。從第二十圖可知，當按壓墊51的位置偏離至晶圓W的接線方向，則晶圓邊緣部的水平面內的內側區域與研磨帶38的接觸面積(接觸長度)不會改變，可縮小水平面內的外側區域與研磨帶38的接觸面積。因此，可在晶圓W的邊緣部形成平坦的水平面。
上述實施形態是以本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠實施本發明為目的來記載者。上述實施形態的各種變形例，若是本領域人士則當然可達成者，本發明的技術思想也能適用於其他實施形態。因 此，本發明並不受限於所記載的實施形態，而是根據申請專利範圍所定義的技術思想解釋成最廣範圍者。
38‧‧‧研磨帶
51‧‧‧按壓墊(按壓部件)
W‧‧‧晶圓

Claims (15)

  1. 一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使研磨帶的一部分從按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述按壓部件壓抵前述研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部，同時沿著前述按壓部件折彎前述研磨帶的前述一部分；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述研磨帶的前述一部分，藉由以前述按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述研磨帶進一步研磨前述基板邊緣部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的研磨方法，其中被折彎的前述研磨帶的前述一部分比以前述第一研磨步驟形成於前述基板邊緣部的被研磨部分的深度更長。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的研磨方法，其中前述第一研磨步驟以及前述第二研磨步驟中的至少一步驟係使前述研磨帶在其長方向移動同時進行。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的研磨方法，其中前述研磨帶的移動方向係對抗旋轉的前述基板邊緣部的進行方向。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的研磨方法，其中在前述第一研磨步驟的前述研磨帶係粗孔研磨帶；前述第二研磨步驟係用細孔研磨帶代替前述粗孔研磨帶來進行。
  6. 一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使研磨帶的一部分從按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述按壓部件壓抵前述研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部；在前述第一研磨步驟後，將前述研磨帶的一部分壓抵於前述基板邊緣部並沿著前述按壓部件折彎前述研磨帶的前述一部分；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述研磨帶的前述一部分，藉由以前述按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述研磨帶進一步研磨前述基板邊緣部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，其中前述第一研磨步驟以及前述第二研磨步驟中的至少一步驟係使前述研磨帶在其長方向移動同時進行。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的研磨方法，其中前述研磨帶的移動方向係對抗旋轉的前述基板邊緣部的進行方向。
  9. 一種研磨方法，其特徵在於：使基板旋轉；進行第一研磨步驟，使第一研磨帶的一部分從第一按壓部件向著基板半徑方向內側突出的狀態下，以前述第一按壓部件壓抵前述第一研磨帶於前述基板邊緣部並研磨該基板邊緣部；將第二研磨帶與第二按壓部件定位成前述第二研磨帶的一部分從前述第二按壓部件向著基板半徑方向內側突出；以前述第二按壓部件將前述第二研磨帶的前述一部分按壓於藉由以前述第一研磨步驟形成於前述基板邊緣部的角部，將前述第二研磨帶的前述一部沿著前述第二按壓部件折彎；以及進行第二研磨步驟，將被折彎的前述第二研磨帶的前述一部分，藉由以前述第二按壓部件向著前述基板的半徑方向內側按壓，以前述第二研磨帶進一步研磨前述基板邊緣部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中前述第二按壓部件的端部比被前述第一研磨步驟形成於前述邊緣部的垂直面位於更半徑方向外側，且進行前述第二研磨帶與前述第二按壓部件的定位成前述第二按壓部件的端部與前述垂直面的水平方向的距離變得比前述第二研磨帶的厚度更大。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中前述第一研磨帶係粗孔研磨帶；前述第二研磨帶係細孔研磨帶。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中前述第一研磨步驟係使前述第一研磨帶在其長方向移動同時進行。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中前述第一研磨帶的移動方向係對抗旋轉的前述基板邊緣部的進行方向。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中前述第二研磨步驟係使前 述第二研磨帶在其長方向移動同時進行。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的研磨方法，其中前述第二研磨帶的移動方向係對抗旋轉的前述基板邊緣部的進行方向。
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