CN103594384B - 电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。本发明的封装的制造方法包括以下的工序:准备设置低熔点玻璃(270)的底座基板(210)和盖(259);在减压环境下将低熔点玻璃(270)加热到流动点以上,使低熔点玻璃(270)消泡;在利用低熔点玻璃(270)使底座基板(210)以及盖(250)重合之后,在减压环境下将低熔点玻璃(270)加热到流动点以上,接合底座基板(210)以及盖(250)。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。
背景技术
一直以来,公知有在封装中收纳振动元件等电子部件而构成的电子器件。另外,一般情况下,准备底座基板、在底座基板上安装振动元件,使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭,由此来制造这样的电子器件(例如,专利文献1)。
在专利文献1中,首先,在底座基板上涂敷浆状的低熔点玻璃,使该低熔点玻璃在真空炉中消泡之后进行煅烧。接着,在底座基板上安装振动元件,最后,通过低熔点玻璃使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭。在这样的方法中,因为预先进行了低熔点玻璃的消泡,所以能够使得将盖与底座基板接合时的加热温度比较低,从而能够抑制在该工序中产生气体。
但是,在专利文献1中具有如下这样的问题:因为消泡的条件不明,所以无法有效地进行低熔点玻璃的消泡,剩余的气泡成为泄漏通路导致气密性降低,或者促使低熔点玻璃变质(结晶化),使底座基板与盖的接合强度降低。
专利文献1:日本特开2004-172752号公报
发明内容
本发明的目的是提供通过可靠地进行消泡而具有良好的接合强度和高气密性的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件。
本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的,能够作为以下的方式或应用例而实现。
[应用例1]
本发明的封装的制造方法的特征是,包括以下的工序:准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体;在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,对所述低熔点玻璃进行消泡;以及在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后,在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,接合所述底座基板以及所述盖体。
由此,能够可靠地进行消泡,并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的封装。
[应用例2]
本发明的电子器件的制造方法的特征是,包括以下的工序:准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体;在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,对所述低熔点玻璃进行消泡;在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后,在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,接合所述底座基板以及所述盖体;以及在所述接合的工序之前,利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件。
由此,能够可靠地进行消泡,并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。
[应用例3]
在本发明的电子器件的制造方法中,优选的是,在所述消泡的工序中,将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。
由此,能够更有效地进行低熔点玻璃的消泡。
[应用例4]
在本发明的电子器件的制造方法中,优选的是,在所述接合的工序中,将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。
由此,能够将接合时的温度抑制到最小限度,所以能够有效地抑制在封装内产生气体。另外,能够提高封装内的真空度。
[应用例5]
在本发明的电子器件的制造方法中,优选的是,在所述消泡的工序之前,包括这样的工序:在含有氧的环境中将所述低熔点玻璃加热到低于转移点的温度。
由此,能够去除(煅烧)低熔点玻璃所包含的粘合剂,所以在之后的工序中可防止粘合剂气化而成为气体。
[应用例6]
在本发明的电子器件的制造方法中,优选的是,所述低熔点玻璃至少设置在底座基板上,在所述消泡的工序之前进行安装所述功能元件的工序。
由此,在消泡的工序中,可进行低熔点玻璃的消泡并且进行保持部件的煅烧。因此,能够进行制造工序的削减,另外,能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。
[应用例7]
在本发明的电子器件的制造方法中,优选的是,在所述消泡的工序中,与所述低熔点玻璃的消泡同时进行所述保持部件的煅烧。
由此,能够削减制造工序。另外,能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。
[应用例8]
本发明的电子器件在利用低熔点玻璃接合底座基板和盖体而构成的内部空间中配置有功能元件,其特征在于,所述低熔点玻璃为致密状态。
由此,可获得具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。
[应用例9]
本发明的电子设备的特征在于具备应用例8的电子器件。
由此,能够获得可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是利用本发明第1实施方式的电子器件的制造方法制造的电子器件的俯视图。
图2是图1所示的电子器件的剖视图(图1中的A-A线剖视图)。
图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。
图4是示出本发明第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。
图5是预煅烧后的低熔点玻璃的截面照片。
图6是示出本发明第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。
图7是示出本发明第2实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。
图8是示出应用了具备本发明电子器件的电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的结构的立体图。
图9是示出应用了具备本发明电子器件的电子设备的便携电话机(还包含PHS)的结构的立体图。
图10是示出应用了具备本发明电子器件的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。
图11是示出应用了具备本发明电子器件的电子设备的移动体(汽车)的结构的立体图。
标号说明
100,100’…电子器件;200…封装;210…底座基板;211…顶面;230…电极;231…连接电极;232…外部安装电极;233…贯通电极;240…电极;241…连接电极;242…外部安装电极;243…贯通电极;250…盖;270…低熔点玻璃;291、292…银浆料;300…振动元件;310…压电基板;320…激励电极;321…电极部;322…焊盘;323…布线;330…激励电极;331…电极部;332…焊盘;333…布线;400…层叠体;910、920…按压板;911、921…加热器;1100…个人计算机;1102…键盘;1104…主体部;1106…显示单元;1200…便携电话机;1202…操作按钮;1204…受话口;1206…送话口;1300…数字静态照相机;1302…壳体1304…受光单元;1306…快门按钮;1308…存储器;1312…视频信号输出端子;1314…输入输出端子;1430…电视监视器;1440…个人计算机;1500…汽车;1501…车身;1502…车身姿势控制装置;1503…车轮;2000…显示部;S…内部空间(收纳空间)。
具体实施方式
以下,根据附图所示的优选实施方式来详细说明本发明的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件。
<第1实施方式>
图1是利用本发明第1实施方式的电子器件的制造方法来制造的电子器件的俯视图,图2是图1所示的电子器件的剖视图(图1中的A-A线剖视图),图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图,图4是示出本发明第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图,图5是预煅烧后的低熔点玻璃的截面照片,图6是示出本发明第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。此外,以下,为了便于说明,将图2中的上侧称为“上”,将下侧称为“下”。
1.电子器件
首先,说明本发明的电子器件(利用本发明的电子器件的制造方法来制造的电子器件)。
如图1以及图2所示,电子器件100具备封装200和收容在封装200内的振动元件(功能元件)300。
振动元件
图3的(a)是从上方观察振动元件300的俯视图,图3的(b)是从上方观察振动元件300的透视图(俯视图)。
如图3的(a)、(b)所示,振动元件300具有平面图形状为长方形板状的压电基板310、以及形成在压电基板310的表面上的一对激励电极320、330。
压电基板310是主要进行厚度剪切振动的石英板。在本实施方式中,使用按照被称为AT切的切角切出的石英板作为压电基板310。另外,AT切是指以具有如下主面(包含X轴和Z’轴的主面)的方式切出,所述主面是使包含作为石英晶轴的X轴和Z轴的平面(Y面)绕X轴从Z轴起逆时针方向旋转大约35度15分而得到的。这样的压电基板310的长度方向与作为石英晶轴的X轴一致。
激励电极320具有形成在压电基板310的上表面的电极部321、形成在压电基板310的下表面的焊盘322以及使电极部321和焊盘322电连接的布线323。另一方面,激励电极330具有形成在压电基板310的下表面的电极部331、形成在压电基板310的下表面的焊盘332以及使电极部331和焊盘332电连接的布线333。并且,电极部321、331隔着压电基板310而相对地设置,焊盘322、332分离地设置在压电基板310的下表面的图3中右侧的端部。
例如,在压电基板310上通过蒸镀或溅射而形成Ni或Cr的基底层后,在基底层上通过蒸镀或溅射而形成Au的电极层,然后,使用光刻和各种蚀刻技术构图成期望的形状,由此,能够形成这种激励电极320、330。
通过形成基底层,压电基板310与所述电极层的粘接性提高,能够得到可靠性高的振动元件300。
这种振动元件300经由一对保持部件291、292保持在封装200上。保持部件例如采用银浆料这样的导电性粘结剂。
封装
如图1以及图2所示,封装200具备:在上侧具有开放的凹部的腔状底座基板210;板状的盖(盖体)250;夹在底座基板210与盖250之间并将它们接合的低熔点玻璃270。这样的封装200通过低熔点玻璃270来气密地封闭其内部空间(收纳空间S)。这里,低熔点玻璃是指,玻璃转移温度为摄氏600℃以下的玻璃。
底座基板210以及盖250的构成材料没有特别地限定,例如,可采用氧化物类陶瓷、氮化物类陶瓷、碳化物类陶瓷等各种陶瓷等。
在底座基板210上设置有一对电极230、240。电极230具备设置在底座基板210的上表面的连接电极231、设置在底座基板210的下表面的外部安装电极232、被设置为贯通底座基板210并将连接电极231与外部安装电极232连接起来的贯通电极233。同样,电极240具有设置在底座基板210的上表面的连接电极241、设置在底座基板210的下表面的外部安装电极242、被设置为贯通底座基板210并将连接电极241与外部安装电极242连接起来的贯通电极243。
例如,在底座基板210上通过蒸镀或溅射而形成Ni或Cr的基底层后,在基底层上通过蒸镀或溅射而形成Au的电极层,然后,使用光刻和各种蚀刻技术构图成期望的形状,由此,能够形成这样的电极230、240。
收纳在收纳空间S内的振动元件300通过一对银浆料291、292单臂支承在底座基板210上。银浆料291设置成与连接电极231以及焊盘322接触,由此,通过银浆料291使连接电极231与焊盘322电连接。另一个银浆料292设置成与连接电极241以及焊盘332接触,由此,通过银浆料292使连接电极241与焊盘332电连接。
2.电子器件的制造方法
接着,根据图4~图6来说明电子器件100的制造方法(本发明的电子器件的制造方法以及本发明的封装的制造方法)。
此外,以下,将玻璃粘度成为4×1014P(logη=14.6)的点(温度)称为“形变点Ts”,将玻璃粘度成为2×1013P(logη=13.3)的点(温度)称为“转移点Tg”,将玻璃粘度成为1013P(logη=13.0)的点(温度)称为“退火点Ta”,将玻璃粘度成为4.5×107P(logη=7.65)的点(温度)称为“软化点Tsoft”,将玻璃粘度成为105P(logη=5.0)的点(温度)称为“流动点Tf”,将玻璃粘度成为104P(logη=4.0)的点(温度)称为“作业点Tw”。此外,这些各个点为了表示玻璃的粘度特性而被广泛应用,另外,这些点是可不考虑玻璃种类而进行应用的指标。
电子器件100的制造方法包括以下的工序:准备工序,准备至少在一方上涂敷了低熔点玻璃270的底座基板210以及盖(盖体)250;预煅烧工序,预煅烧低熔点玻璃270;安装工序,在底座基板210上安装振动元件300;以及接合工序,接合底座基板210和盖250。以下,依次说明这些各个工序。
[准备工序]
首先,如图4(a)所示,准备底座基板210和盖250。例如,在通过层叠多个片状的陶瓷生片而整形成预定的外形形状的未烧结体中,采用光刻方法以及刻蚀方法形成作为电极230、240的导电膜,并对其进行烧结,由此获得底座基板210。同样,对通过层叠单层或多层的片状陶瓷生片而整形成预定外形形状的未烧结体进行烧结,由此获得盖250。
接着,如图4(b)所示,对底座基板210的侧壁的顶面211均匀地涂敷低熔点玻璃270。低熔点玻璃的涂敷方法没有特别地限定,例如可举出通过丝网印刷来涂敷对玻璃成分与粘合剂的混合物加入有机溶剂而降低粘度的液状玻璃的方法。此外,也可在盖250上涂敷低熔点玻璃270,而不是在底座基板210上。在此情况下,只要沿着盖250下表面的边缘部(与顶面211相对的部分)框状地进行涂敷即可。另外,也可在底座基板210以及盖250双方涂敷低熔点玻璃270。
另外,低熔点玻璃270没有特别地限定,例如可采用钒类(V-P-O)的低熔点玻璃、铋类(Bi-B-O)的低熔点玻璃、铅类(Pb-B-O)的低熔点玻璃等。其中,低熔点玻璃270优选具有与底座基板210以及盖250的线膨胀系数更接近的线膨胀系数,根据此观点,可优选采用钒类的低熔点玻璃。此外,以下,为了便于说明,代表性地说明采用钒类的低熔点玻璃的情况。
另外,低熔点玻璃270可包含间隙部件。通过包含间隙部件,可对低熔点玻璃270的线膨胀系数进行微调整。另外,可利用间隙部件在底座基板210与盖250之间确保低熔点玻璃270的存在空间,所以能够使低熔点玻璃270可靠地存在于底座基板210与盖250之间,并能够使它们可靠地接合。另外,还可以利用间隙部件来简单地控制封装200的高度。此外,间隙部件的形状没有特别地限定,例如可以为球状、椭圆球状、扁平形状、特殊形状、块状等。
另外,间隙部件可采用具有比后述的正式煅烧温度高的熔点(转移点Tg)的材料,即在正式煅烧温度以下不熔解的材料。这样的间隙部件的构成材料没有特别地限定,例如可举出Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti这样的金属材料、石英玻璃、硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸碱玻璃、碱石灰玻璃、钾钙玻璃、铅(碱)玻璃、钡玻璃、硼硅酸玻璃这样的玻璃材料、氧化铝、氧化锆、铁酸盐、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化钛、碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳化钨这样的陶瓷材料、石墨这样的碳材料,可组合它们中的1种或2种以上进行使用。尤其,间隙部件优选是高熔点玻璃(硅石颗粒)。高熔点玻璃与低熔点玻璃270的融合性良好,此外,因为具有高强度,所以还具有可利用较少的添加量(1wt%以下左右)发挥作用的优点。
接着,对涂敷在底座基板210上的低熔点玻璃270进行加热,从低熔点玻璃270中去除有机溶剂。作为此时的低熔点玻璃270的加热温度,只要是能够去除有机溶剂的温度,则没有特别限定,优选低熔点玻璃270的转移点Tg以下。具体地说,还根据有机溶剂的种类而不同,但例如优选是150~180℃左右。这样,通过在转移点Tg以下的温度下去除有机溶剂,可降低低熔点玻璃270受到的热损伤。因此,能够有效地抑制低熔点玻璃270的结晶化。
此外,优选在大气压中进行这样的有机溶剂去除。由此,例如不需要设置减压环境等特殊环境,所以可简单且低成本地去除有机溶剂。
接着,在大气中(含有氧的环境下)对已涂敷在底座基板210上的低熔点玻璃270进行加热,从低熔点玻璃270中煅烧(去除)粘合剂。此时的低熔点玻璃270的加热温度只要是能够煅烧粘合剂的温度,则没有特别限定,但优选小于低熔点玻璃270的转移点Tg。具体地说,还根据粘合剂的种类而不同,例如,在粘合剂为纤维素类的情况下,优选是200~300℃左右。这样,可通过在小于转移点Tg的温度下进行粘合剂的煅烧,来降低低熔点玻璃270受到的热损伤。因此,可有效抑制低熔点玻璃270的结晶化。
[预煅烧工序]
接着,在减压环境下将涂敷在底座基板210上的低熔点玻璃270加热到流动点Tf以上而进行预煅烧。通过进行预煅烧,可去除低熔点玻璃270中的气体(消泡)。具体地说,当将低熔点玻璃270加热到流动点Tf以上时,低熔点玻璃270的粘度变得很低,低熔点玻璃270中的气泡(气体)由于减压环境而被吸引到表面。然后,移动到表面的气泡直接消失。因此,可通过进行这样的预煅烧,可靠地去除低熔点玻璃270中的气体。
通过进行这样的预煅烧,在后述的正式煅烧时可防止(抑制)从低熔点玻璃270中产生气体。因此,能够使收纳空间S具有高真空度。此外,因为去除了低熔点玻璃270中的气泡,所以没有经由该气泡的气体移动,所以能够气密地接合底座基板210和盖250。因此,可长期地维持收纳空间S的真空度。
例如,优选通过在内置有加热器的金属制的工作台(加热板)上载置底座基板210、在此状态下将底座基板210放入真空炉内并在使真空炉内减压的状态下使加热器发热,来进行这样的低熔点玻璃270的预煅烧。根据这样的方法,加热器的热在工作台以及底座基板上传播而有效地传递至低熔点玻璃270,所以即使在减压环境下,也能够有效地加热低熔点玻璃270。
这里,低熔点玻璃270的预煅烧温度只要是流动点Tf以上,则没有特别限定,优选是作业点Tw以上。通过将低熔点玻璃270加热到作业点Tw以上,使低熔点玻璃270的粘度进一步降低。因此,更容易引起上述这样的气泡移动,更能够可靠地去除气体。此外,在超过作业点Tw附近,低熔点玻璃270的粘度变化率变缓。因此,即使将低熔点玻璃270加热到远远超过作业点Tw的温度,消泡的效果也不会相应地提高,反而会使低熔点玻璃270受到的热损伤增大。因此,从同时实现作业的效率性和低熔点玻璃270受到的热损伤降低的观点来看,更优选在作业点Tw~作业点Tw+100℃左右的范围内加热低熔点玻璃270。
另外,减压环境优选是真空度更高的环境。具体地说,优选是100Pa以下,更优选是10Pa以下。此外,优选控制减压条件。具体地说,当在高真空下气泡同时起泡时,有可能明显地产生向周边的飞散,所以优选在作业点Tw以上缓慢提高真空度。在这样的减压环境下,能够更有效地从上述这样的低熔点玻璃270中去除气泡。另外,因为能够缩短加热时间,所以能够进一步降低低熔点玻璃270受到的热损伤。
另外,加热时间还根据加热温度等而不同,例如当加热温度是作业点Tw~作业点Tw+30℃左右时,优选是10分~60分左右。根据这样的时间,可充分地去除低熔点玻璃270中的气泡,并且能够防止低熔点玻璃270受到过度的热损伤。
这里,图5是预煅烧后的低熔点玻璃270的截面照片(SEM照片)。此外,该样本的流动点Tf是390℃,作业点Tw是420℃。图5(a)是在75Pa的减压环境下/330℃(小于流动点Tf)/10分钟的条件下进行预煅烧时的照片,(b)是在75Pa的减压环境下/450℃(作业点Tw以上)/10分钟的条件下进行预煅烧时的照片,(c)是在75Pa的减压环境下/490℃(作业点Tw以上)/60分钟的条件下进行预煅烧时的照片。由图5可知,针对在流动点Tf以上的温度下进行预煅烧的玻璃有效地进行了消泡,还可知温度越高、加热时间越长,则越能够有效地进行消泡。尤其在(c)中成为气泡大致排净的致密状态。
[安装工序]
接着,如图6(a)所示,通过一对银浆料291、292在底座基板210上安装振动元件300。
接着,使银浆料291、292干燥,去除银浆料291、292包含的不需要的有机溶剂等。具体地说,例如,优选利用N2环境下、200~250℃左右、60~100分钟左右的条件进行这样的干燥。另外,优选干燥温度是低熔点玻璃270的转移点Tg以下的温度。根据这样的温度,可将加热温度抑制得比较低,从而能够降低低熔点玻璃270受到的热损伤。
接着,在减压环境下对银浆料291、292进行加热煅烧。通过进行煅烧,银浆料291、292包含的有机溶剂或者反应衍生物被烧掉,并且银浆料291、292固化。通过银浆料291、292固化,振动元件300被固定并支承在底座基板210上,并且焊盘322、332和连接电极231、241经由银浆料291、292进行电连接。
此外,银浆料291、292的煅烧温度还根据硅类、环氧类、聚酰亚胺类的种类而不同,例如优选是150~300℃左右。换言之,银浆料291、292优选采用煅烧温度是150~300℃左右的银浆料。另外,优选煅烧温度是低熔点玻璃270的转移点Tg以下的温度。由于采用这样的煅烧温度,能够降低在银浆料291、292的煅烧时低熔点玻璃270受到的热损伤。
另外,加热时间还根据加热温度等而不同,如上所述,当煅烧温度是250~300℃左右时,优选是5~6小时左右。根据这样的时间,能够可靠地进行银浆料291、292的煅烧,并且能够防止低熔点玻璃270受到过度的热损伤。
另外,减压环境优选是真空度更高的环境。具体地说,优选是100Pa以下,更优选是1Pa以下。在这样的减压环境下,能够进一步促使银浆料内部的有机溶剂或反应衍生物的去除,能够有效地去除。
[接合工序]
接着,如图6(b)所示,以在底座基板210与盖250之间夹着低熔点玻璃270的方式将底座基板210与盖250重合,得到层叠体400。利用具备一对按压板910、920的夹具来夹持这样的层叠体400,并控制一对按压板910、920的分开距离,由此能够根据需要向层叠体400施加预定压力。
一对按压板910、920例如由金属等导热性良好的材料构成,此外,内置有加热器911、921。加热器911、921是用于对层叠体400(低熔点玻璃270)进行加热的加热单元。即,按压板910、920是加热板。
根据这样的按压板910、920,从加热器911、921产生的热经由按压板910、920有效地传递至层叠体400,所以能够有效地对层叠体400进行加热。另外,根据这样的按压板910、920,在热不易传递的减压环境下,也可有效地向层叠体400进行热传递,因此能够有效且可靠地进行后述的接合。
接着,在一对按压板910、920几乎没有对层叠体400进行加压的状态下,将层叠体400放置在减压环境中。由于低熔点玻璃270的表面稍微地凹凸,所以在低熔点玻璃270与盖250之间形成有间隙(未图示)。因此,当把层叠体400放置在减压环境下时,层叠体400的内部空间(收纳空间S)内的气体经由上述间隙被吸到层叠体400的外部,使内部空间减压。此外,减压环境优选是真空度更高的环境。具体地说,需要是能够满足元件特性的真空度,优选是10Pa以下,更优选是1Pa以下。在这样的减压环境下,能够充分地提高层叠体400的内部空间(收纳空间S)内的真空度。
接着,在维持减压环境的状态下,驱动加热器911、921,将低熔点玻璃270加热到流动点Tf以上进行正式煅烧。通过进行正式煅烧,可充分地降低低熔点玻璃270的粘度。
此外,本工序中的加热温度(正式煅烧温度)只要是流动点Tf以上,则没有特别地限定,优选是作业点Tw以下。通过使加热温度成为作业点Tw以下,可有效抑制从银浆料291、292、底座基板210、盖250中产生气体。此外,还能够降低低熔点玻璃270受到的热损伤,所以可抑制低熔点玻璃270的结晶化。
在将低熔点玻璃270加热到流动点Tf以上并充分降低低熔点玻璃270的粘度之后,利用一对按压板910、920从两侧对层叠体400进行加压。然后,使该加压状态维持一定时间(优选10~30分钟左右)。由此,低熔点玻璃270熔化,上述间隙消失。
此外,在本实施方式中,依次进行对低熔点玻璃270实施正式煅烧的工序和对层叠体400实施加压的工序,但也可以同时进行这两个工序。即,可一边对层叠体400进行加压,一边对低熔点玻璃270进行加热。这样,可通过同时进行2个工序,削减电子器件100的制造工序,并且能够缩短制造时间。
接着,一边维持对层叠体400的加压,一边冷却低熔点玻璃270。由此,低熔点玻璃270固化,底座基板210与盖250通过低熔点玻璃270而被气密地接合。此外,冷却方法没有特别限定,优选首先将低熔点玻璃270冷却到退火点Ta,使该温度维持一定时间(例如15~30分钟),由此去除低熔点玻璃270内的形变,然后将低熔点玻璃270冷却到形变点Ts以下。由此,可得到没有形变(形变小)的低熔点玻璃270。
通过以上工序,制造出内部空间S气密封闭的电子器件100。在这样制造电子器件100之后,解除减压环境,并且解除按压板910、920的加压,取出电子器件100。
以上,详细说明了电子器件100的制造方法。
在这样的电子器件100的制造方法中,在正式煅烧时,低熔点玻璃270处于通过预煅烧而进行了消泡的状态,所以可防止在低熔点玻璃270内或低熔点玻璃270与底座基板210以及盖250的界面形成由上述气泡引起的泄漏通路(连通收纳空间S内外的空洞),结果,可制造气密性高的电子器件100。
另外,通过适当地控制各个工序中的温度管理,防止低熔点玻璃270受到过度的热损伤,并抑制低熔点玻璃270的结晶化(变质)。因此,低熔点玻璃270能够发挥良好的粘接强度,能够使底座基板210与盖250更牢固地接合。尤其,因为控制正式煅烧时的加热温度,并抑制从银浆料291、292中产生气体,所以能够有效抑制收纳空间S内的真空度降低。
<第2实施方式>
接着,说明本发明的电子器件的制造方法的第2实施方式。
图7是说明本发明第2实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。
以下,关于第2实施方式的电子器件的制造方法,以与上述实施方式的不同点为中心进行说明,针对同样的事项省略其说明。
本发明的第2实施方式的电子器件除了同时(在同一工序中)进行银浆料的煅烧和低熔点玻璃的预煅烧之外,与上述第1实施方式相同。此外,对与上述第1实施方式相同的结构标注同一标号。
电子器件100的制造方法包括以下的工序:准备工序,准备至少在一方涂敷有低熔点玻璃270的底座基板210以及盖(盖体)250;安装工序,在底座基板210上安装振动元件300;预煅烧工序,进行银浆料291、292的煅烧和低熔点玻璃270的预煅烧;以及接合工序,使底座基板210与盖250接合。以下,依次说明这些各个工序。
[准备工序]
本工序与上述的第1实施方式相同,所以省略其说明。
[安装工序]
首先,如图7所示,通过一对银浆料291、292在底座基板210上安装振动元件300。
接着,使银浆料291、292干燥,去除银浆料291、292包含的不需要的有机溶剂等,具体地说,例如优选利用N2环境下、200~250℃左右、60~100分钟左右的条件来进行这样的干燥。另外,优选干燥温度是低熔点玻璃270的转移点Tg以下的温度。根据这样的温度,可将加热温度抑制得比较低,从而能够降低低熔点玻璃270受到的热损伤。
[预煅烧工序]
首先,在减压环境下,将涂敷于底座基板210上的低熔点玻璃270加热到流动点Tf以上进行预煅烧。通过预煅烧低熔点玻璃270,可去除低熔点玻璃270中的气体(消泡)。另外,利用这样的低熔点玻璃270的预煅烧中的热来煅烧银浆料291、292。即,在低熔点玻璃270的预煅烧的同时进行银浆料291、292的煅烧。通过煅烧银浆料291、292,可更有效地去除银浆料291、292内部的有机溶剂或反应衍生物,使银浆料291、292固化。此外,本工序的条件可以与上述第1实施方式的预煅烧工序相同。与低熔点玻璃270的预煅烧相比,银浆料291、292的煅烧条件不太严格,所以通过使条件与低熔点玻璃270的预煅烧一致,能够可靠地进行低熔点玻璃270的预煅烧与银浆料291、292的煅烧,从而能够发挥排出气体的抑制效果。
这样,通过同时进行低熔点玻璃270的预煅烧与银浆料291、292的煅烧(在同一工序中),例如与上述第1实施方式相比,能够减少低熔点玻璃270的加热经过(加热的次数),所以能够更有效地降低低熔点玻璃270受到的热损伤。另外,可通过更强力地去除有可能在封闭时产生的来自银浆料291、292的排出气体,能够进一步保持内部空间S的真空度。
[接合工序]
因为本工序与上述第1实施方式相同,所以省略其说明。
即使利用这样的第2实施方式,也能够起到与上述第1实施方式同样的效果。
(电子设备)
然后,根据图8~图11来详细说明具有本发明电子器件的电子设备。
图8是示出应用具有本发明电子器件的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。在图10中,个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部2000的显示单元1106构成,显示单元1106经由铰链构造部以能够转动的方式支承在主体部1104上。在这种个人计算机1100中内置有作为滤波器、谐振器、标准时钟等发挥作用的电子器件100。
图9是示出应用具有本发明电子器件的电子设备的便携电话机(包含PHS)的结构的立体图。在图9中,便携电话机1200具有多个操作按钮1202、受话口1204和送话口1206,在操作按钮1202与受话口1204之间配置有显示部2000。在这种便携电话机1200中内置有作为滤波器、谐振器等发挥作用的电子器件100。
图10是示出应用具有本发明电子器件的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。另外,在图10中,还简单示出与外部设备之间的连接。这里,通常的照相机通过被摄体的光像使银盐胶片感光,与此相对,数字静态照相机1300通过CCD(Charge CoupledDevice)等摄像元件对被摄体的光像进行光电转换,生成摄像信号(图像信号)。
在数字静态照相机1300的壳体(机身)1302的背面设有显示部,成为根据CCD的摄像信号进行显示的结构,显示部作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥作用。并且,在壳体1302的正面侧(图中背面侧)设有包含光学镜头(摄像光学系统)和CCD等的受光单元1304。
当摄影者确认显示部中显示的被摄体像并按下快门按钮1306时,该时点的CCD摄像信号被转送/存储在存储器1308中。并且,在该数字静态照相机1300中,在壳体1302的侧面设有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且,如图所示,根据需要,视频信号输出端子1312与电视监视器1430连接,数据通信用的输入输出端子1314与个人计算机1440连接。进而,成为通过规定操作将存储器1308中存储的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440的结构。在这种数字静态照相机1300中内置有作为过滤器、谐振器等发挥作用的电子器件100。
图11是示出已应用具备本发明电子器件的电子设备的移动体(汽车)的结构的立体图。例如,在汽车1500中安装了本发明的电子器件作为陀螺仪传感器。在此情况下,可应用已使用角速度检测元件(陀螺元件)作为功能元件来替代振动元件300的电子器件100’。根据这样的电子器件100’,可检测车身1501的姿势。向车身姿势控制装置1502提供电子器件100’的检测信号,车身姿势控制装置1502根据该信号检测车身1501的姿势,根据检测结果来控制悬架的软硬,或者控制各个车轮1503的制动。另外,可在双足步行机器人或遥控直升机中利用这样的姿势控制。如以上那样,在实现各种移动体的姿势控制时,可安装电子器件100’。
另外,除了图8的个人计算机(移动型个人计算机)、图9的便携电话机、图10的数字静态照相机、图11的移动体以外,具有本发明电子器件的电子设备例如还可以应用于喷墨式喷出装置(例如喷墨打印机)、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(包含带通信功能的电子记事本)、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
以上,根据图示的实施方式说明了本发明的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件,但本发明不限于此,各部的结构可置换为具有同样功能的任意的结构。另外,可在本发明中附加其它任意的构成物。另外,可适当地组合各实施方式。
另外,在上述实施方式中说明了底座基板为腔型、盖为板状的结构,关于底座基板以及盖的形状,只要在接合后成为封装时能够形成将振动元件收纳在内部的空间,则没有特别限定。例如,也可与上述实施方式相反,使底座基板成为板状,使盖成为腔型。另外,也可使两者都成为腔型。
Claims (9)
1.一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括以下的工序:
准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体;
在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,对所述低熔点玻璃进行消泡;
在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后,在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,接合所述底座基板以及所述盖体;以及
在所述接合的工序之前,利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件,
在所述消泡的工序中,与所述低熔点玻璃的消泡同时,进行煅烧条件没有所述低熔点玻璃的消泡条件严格的所述保持部件的煅烧。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其中,
在所述消泡的工序中,将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法,其中,
在所述接合的工序中,将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法,其中,
在所述消泡的工序之前,包括这样的工序:在含有氧的环境中将所述低熔点玻璃加热到低于转移点的温度。
5.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其中,
所述低熔点玻璃至少设置在底座基板上,
在所述消泡的工序之前进行安装所述功能元件的工序。
6.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其中,
所述保持部件是银浆料。
7.一种封装的制造方法,其特征在于,包括以下的工序:
准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体;
在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,对所述低熔点玻璃进行消泡;以及
在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后,在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,接合所述底座基板以及所述盖体,
在所述消泡的工序中,与所述低熔点玻璃的消泡同时,进行煅烧条件没有所述低熔点玻璃的消泡条件严格的用于在所述底座基板上安装功能元件的保持部件的煅烧。
8.一种电子器件,其特征在于,该电子器件是采用权利要求1~6中的任意一项所述的电子器件的制造方法而制造的。
9.一种电子设备,其特征在于,该电子设备具备权利要求8所述的电子器件。
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Publications (2)
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6103906B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-03-29 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波装置と封止体 |
WO2016051454A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 日本碍子株式会社 | センサノード用パッケージ |
EP3408218A4 (en) * | 2016-01-28 | 2019-09-18 | Timecubic, Inc. | SYSTEM AND METHOD FOR THERMALLY INSULATED PLATFORM |
JP6635605B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2020-01-29 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 電流導入端子並びにそれを備えた圧力保持装置及びx線撮像装置 |
US11070190B2 (en) * | 2018-03-27 | 2021-07-20 | Statek Corporation | Silver-bonded quartz crystal |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102227872A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 精工电子有限公司 | 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 |
CN102471137A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 旭硝子株式会社 | 半导体器件用密封玻璃、密封材料、密封材料糊料以及半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51102567A (ja) * | 1975-03-07 | 1976-09-10 | Hitachi Ltd | Handotaisochinofujihoho |
JPS5241184A (en) * | 1975-09-30 | 1977-03-30 | Fuji Kobunshi Kogyo Kk | Composition of defoaming agent |
US4761518A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Ceramic-glass-metal packaging for electronic components incorporating unique leadframe designs |
JPH01212256A (ja) | 1988-02-17 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空気密容器のガラス封着方法 |
JP2823661B2 (ja) * | 1990-06-12 | 1998-11-11 | 岩城硝子株式会社 | 半導体パッケージの低温封着方法 |
US5585687A (en) | 1994-02-23 | 1996-12-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Piezolelectric oscillator |
JPH0818380A (ja) | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Shimeo Seimitsu Kk | 圧電振動子容器およびその製造方法 |
JP2000332140A (ja) | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 枠状ガラスシールの形成方法 |
JP4279970B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2009-06-17 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用容器 |
JP2003086723A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Nec Schott Components Corp | 薄型金属パッケージ |
JP2004172752A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイスの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 |
JP5000660B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-08-15 | 京セラ株式会社 | コンデンサ装置、電子部品、フィルタ装置、通信装置、およびコンデンサ装置の製造方法 |
JP2008211570A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Citizen Holdings Co Ltd | 振動子封止体の製造方法及び振動子封止体ならびに物理量センサ |
DE112009001079B4 (de) * | 2008-05-02 | 2020-02-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Hermetisch abdichtende Kappe |
WO2010061469A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、並びに圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
US8836095B2 (en) * | 2010-03-24 | 2014-09-16 | Daishinku Corporation | Electronic component package and base of the same |
JP5807413B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-11-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用パッケージ、電子デバイスおよび電子機器 |
-
2012
- 2012-08-18 JP JP2012181247A patent/JP6056259B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2013
- 2013-08-08 CN CN201310343947.8A patent/CN103594384B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-08 US US13/962,201 patent/US9370106B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102227872A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 精工电子有限公司 | 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 |
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