CN104822232A - 布线基板及其制造方法、电子器件、电子设备及移动体 - Google Patents

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metal
particle
substrate
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metal layer
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宫尾哲郎
石上秀树
盐原幸彦
大槻哲也
中村英文
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

提供布线基板及其制造方法、电子器件、电子设备及移动体，该布线基板能够以较少的工序制造且金属布线与基板之间的贴合性优异。底座基板(210)包含：陶瓷烧制体基板(211)，其具有贯通孔(213、215)；第1金属布线(250)、第2金属布线(260)，它们与陶瓷烧制体基板(211)的表面以及贯通孔(213、215)内相连地配置为一体；第1活性金属层(270)、第2活性金属层(280)，它们配置在第1金属布线(250)、第2金属布线(260)与陶瓷烧制体基板(211)之间。

Description

布线基板及其制造方法、电子器件、电子设备及移动体
技术领域
本发明涉及布线基板、布线基板的制造方法、电子器件、电子设备以及移动体。
背景技术
例如，作为布线基板(电路基板)的制造方法，公知有专利文献1所述的制造方法。即，首先准备具有通孔的陶瓷烧制体基板。接下来，使用印刷法将包含氢化钛粉末、铜粉末的第1金属膏填充到通孔内，以100℃左右进行热干燥，由此形成第1金属膏层。接下来，在陶瓷烧制体基板的表面印刷包含氢化钛粉末、铜粉末、银粉末的第2金属膏，以100℃左右进行热干燥，由此形成第2金属膏层。接下来，在第2金属膏层上印刷包含银-铜合金粉末的第3金属膏，以100℃左右进行热干燥，由此形成第3金属膏层。接下来，以900℃左右烧制第1～第3金属膏层，在通孔内形成导电性过孔，并且，在基板表面形成表面导电层。由此，得到布线基板。根据这样的制造方法，在陶瓷烧制体基板与导电性过孔以及表面导电层之间形成活性层，由此，得到提高陶瓷烧制体基板与导电性过孔以及表面导电层的贴合性的效果。
但是，在这样的制造方法中，由于必须反复多次进行印刷/热干燥，例如，会产生如下问题。第一，反复多次印刷/热干燥导致的制造成本的增加。第二，反复多次印刷/热干燥导致的热变化的增加。由此，陶瓷烧制体基板的残留应力变大，产生变形(扭曲、翘曲)或裂纹的可能性变大。第三，由于反复多次印刷，布线形状容易破坏，布线的厚度也变得不稳定。因此，产生断线或短路的可能性变大。
专利文献1：日本特开2013-153051号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供能够以较少的工序制造且金属布线与基板之间的贴合性优异的布线基板以及布线基板的制造方法、以及具有该布线基板且具有优异可靠性的电子器件、电子设备及移动体。
本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可以作为以下的应用例实现。
[应用例1]本应用例的布线基板的特征在于具有：基板，其在表面具备具有开口的凹部；金属布线，其与所述基板的表面以及所述凹部内相连地配置；以及活性金属层，其配置在所述金属布线与所述基板之间，包含对于所述基板中包含的成分具有活性的活性金属。
由此，可得到金属布线与基板之间的贴合性优异的布线基板。
[应用例2]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述基板是陶瓷基板，所述活性金属层是所述活性金属与所述陶瓷基板中包含的陶瓷成分反应而形成的层。
由此，可得到金属布线与基板之间的贴合性优异的布线基板。
[应用例3]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述活性金属层包含属于元素周期表第4族的金属作为所述活性金属。
由此，可得到优质的活性金属层。
[应用例4]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述活性金属层包含钛作为所述活性金属。
由此，能够以较低的温度形成活性金属层，例如，能够减轻基板的热损伤。
[应用例5]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述金属布线包含属于元素周期表第6族的金属、银以及铜。
由此，导电性以及布线形状保持性提高。
[应用例6]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述金属布线包含钨作为所述属于第6族的金属。
由此，在制造时属于第6族的金属更难以熔化，因此，导电性以及布线形状保持性进一步提高。
[应用例7]在本应用例的布线基板中，优选的是，所述凹部是贯通所述基板的一个主面与另一个主面的贯通孔。
由此，可以使用配置在凹部中的金属布线作为过孔。
[应用例8]本应用例的布线基板的制造方法的特征在于，包含如下工序：准备基板以及第1粒子与第2粒子的混合物，其中，所述基板在表面具备具有开口的凹部，所述第1粒子由包含活性金属、银以及铜的合金构成，所述活性金属属于元素周期表第4族且对于所述基板中包含的成分具有活性，所述第2粒子由属于元素周期表第6族的金属或包含所述属于第6族的金属的合金构成；与所述基板的表面以及所述凹部内相连地配置所述混合物；以及对配置于所述基板的所述混合物进行烧制，形成金属布线。
由此，能够在金属布线与基板之间形成活性金属层，形成金属布线与基板之间的贴合性优异的布线基板。此外，能够以较少的工序制造出布线基板。
[应用例9]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，所述基板是陶瓷基板，所述活性金属对于所述陶瓷基板中包含的陶瓷成分具有活性。
由此，可得到金属布线与基板之间的贴合性优异的布线基板。
[应用例10]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，在形成所述金属布线的工序中，所述混合物的烧制温度低于所述陶瓷基板的烧制温度。
由此，能够减轻陶瓷基板的热损伤。
[应用例11]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，所述第1粒子包含钛作为所述活性金属。
由此，由于在基板与金属布线之间形成良好的活性金属层，因此，基板与金属布线之间的贴合性进一步提高。
[应用例12]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，所述第2粒子包含钨作为所述属于第6族的金属。
由此，能够有效地抑制制造时属于第6族的金属的熔化。因此，布线形状保持性、导电性变得良好。
[应用例13]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，所述第2粒子是包含所述属于第6族的金属以及镍的合金。
由此，活性金属层与金属布线之间的贴合性进一步提高。
[应用例14]在本应用例的布线基板的制造方法中，优选的是，所述第1粒子相对于所述混合物中的所述第1粒子以及所述第2粒子的总重量的含有量在35％重量百分比以上且85％重量百分比以下的范围内。
由此，能够形成更加良好的活性金属层。
[应用例15]本应用例的电子器件的特征在于，具有：上述应用例的布线基板；以及安装于所述布线基板的电子部件。
由此，可得到可靠性高的电子器件。
[应用例16]本应用例的电子设备的特征在于具有上述应用例的电子器件。
由此，可得到可靠性高的电子设备。
[应用例17]本应用例的移动体的特征在于具有上述应用例的电子器件。
由此，可得到可靠性高的移动体。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的电子器件的俯视图。
图2是图1中的A-A线剖视图。
图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。
图4是图1所示的电子器件具有的底座基板的局部放大剖视图。
图5是用于说明图4所示的底座基板的制造方法的图。
图6是用于说明图4所示的底座基板的制造方法的图。
图7是示出应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图8是示出应用了本发明的电子设备的便携电话机(还包含PHS)的结构的立体图。
图9是示出应用了本发明的电子设备的数字照相机的结构的立体图。
图10是示出应用了本发明的移动体的汽车的立体图。
图11是示出实施例的评价的表。
图12是示出底座基板的SEM照片。
图13是示出图12所示的陶瓷烧制体基板、活性金属层以及金属布线中的金属的含有量的曲线图。
标号说明
100电子器件；200封装；210底座基板；211陶瓷烧制体基板；213、215贯通孔；230盖；231主体；233凸缘；240金属层；250第1金属布线；251过孔；253内部端子；255安装端子；260第2金属布线；261过孔；263内部端子；265安装端子；270第1活性金属层；280第2活性金属层；291、292导电性粘结剂；300振动元件；310压电基板；320激励电极；321电极部；322焊盘；323布线；330激励电极；331电极部；332焊盘；333布线；401第1升温工序；402粘合剂去除工序；403第2升温工序；404烧制工序；405冷却工序；1100个人计算机；1102键盘；1104主体部；1106显示单元；1108显示部；1200便携电话机；1202操作按钮；1204接听口；1206通话口；1208显示部；1300数字照相机；1302壳体；1304受光单元；1306快门按钮；1308存储器；1310显示部；1312视频信号输出端子；1314输入/输出端子；1430电视监视器；1440个人计算机；1500汽车；A第1粒子；B第2粒子；C粘合剂；S收纳空间；T1、T2目标温度；X金属膏；X1、X2金属膏层。
具体实施方式
以下，根据附图所示的优选实施方式，对本发明的布线基板、布线基板的制造方法、电子器件、电子设备以及移动体进行详细说明。
1.电子器件
首先，对本具有发明的布线基板的电子器件进行说明。
图1是本发明第1实施方式的电子器件的俯视图。图2是图1中的A-A线剖视图。图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。图4是图1所示的电子器件具有的底座基板的局部放大剖视图。图5和图6分别是用于说明图4所示的底座基板的制造方法的图。此外，以下，为了便于说明，将图2中的上侧记作“上”，将下侧记作“下”(对其它附图也相同)。
如图1和图2所示，电子器件100具有封装200和振动元件300，振动元件300是收纳在封装200内的电子部件。电子部件不限于振动元件300，例如也可以是IC芯片等各种电子部件。
—振动元件—
图3的(a)是从上方观察振动元件300的俯视图，图3的(b)是从上方观察振动元件300的透视图(俯视图)。如图3的(a)、(b)所示，振动元件300具有俯视形状为长方形的板状的压电基板310、形成在压电基板310的表面上的一对激励电极320、330。
压电基板310是主要进行厚度剪切振动的石英坯板。在本实施方式中，采用以被称为AT切的切角切出的石英坯板作为压电基板310。此外，AT切是指以具有使包含作为石英晶轴的X轴和Z轴的平面(Y面)绕X轴从Z轴沿逆时针方向旋转大约35度15分而得到的主面(包含X轴和Z’轴的主面)的方式切出。这样的压电基板310的长度方向与作为石英晶轴的X轴一致。
激励电极320具有形成在压电基板310的上表面的电极部321、形成在压电基板310的下表面的焊盘322、使电极部321与焊盘322电连接的布线323。另一方面，激励电极330具有形成在压电基板310的下表面的电极部331、形成在压电基板310的下表面的焊盘332、使电极部331与焊盘332电连接的布线333。
激励电极320、330例如可以通过如下方式形成：利用蒸镀或溅射使镍(Ni)或铬(Cr)的基底层在压电基板310上成膜之后，利用蒸镀或溅射使金(Au)的电极层在基底层上成膜，然后采用光刻技术以及蚀刻技术来构图为期望的形状。通过形成基底层，可提高压电基板310与上述电极层的粘接性，获得可靠性高的振动元件300。
此外，激励电极320、330的结构不限于上述结构，例如，也可以省略基底层，或者将其结构材料设为其它具有导电性的材料(例如，银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)等各种金属材料)。
这样的振动元件300经由一对导电性粘结剂291、292固定于封装200。
—封装—
如图1和图2所示，封装200具有：板状的底座基板(本发明的布线基板)210；帽状的盖230，其具有朝下侧敞开的凹部；以及金属层240，其介于底座基板210与盖230之间，使它们接合。在这样的封装200中，盖230的凹部的开口被底座基板210封闭，由此，形成收纳上述振动元件300的气密的收纳空间S。
盖230具有箱状的主体231和在主体231的下端(即主体231的开口的周围)形成的凸缘233。此外，在凸缘233的下表面，以包围开口的周围的方式，膜状地设置有未图示的金属焊材。这样的盖230通过金属焊材与金属层240的熔接而与底座基板210接合。金属焊材没有特别限定，例如可以使用金钎料、银钎料等，但优选使用银钎料。此外，盖230的结构材料没有特别限定，但最好为线膨胀系数与底座基板210(后述的陶瓷烧制体基板211)的结构材料接近的部件，例如优选为可伐合金等合金。
如图2和图4所示，底座基板210具有：板状的陶瓷烧制体基板(陶瓷基板)211，其具有贯通上下表面(一个主面另一个主面)的两个贯通孔(凹部)213、215；第1金属布线250，其与陶瓷烧制体基板211的上下表面和各贯通孔213内相连地形成；第2金属布线260，其与陶瓷烧制体基板211的上下表面与各贯通孔215内相连地形成；第1活性金属层270，其配置在第1金属布线250与陶瓷烧制体基板211之间；以及第2活性金属层280，其配置在第2金属布线260与陶瓷烧制体基板211之间。
陶瓷烧制体基板211可以单层结构，也可以是层叠多层(片)而成的层叠结构，在本实施方式中，使用单层结构的陶瓷烧制体基板。由此，能够实现陶瓷烧制体基板211的薄型化和制造成本的下降。
陶瓷烧制体基板211的贯通孔213、215的形成方法没有特别限定。例如，可以在烧制处理前利用冲压等形成，也可以在烧制处理后利用激光加工、蚀刻加工、钻孔加工等形成。不过，陶瓷烧制体基板211会因烧制处理而收缩，因此，如果希望提高贯通孔213、215的配置和尺寸的精度，则优选在烧制处理后形成。贯通孔213、215的直径没有特别限定，例如可以为20μm以上且100μm以下左右。
作为陶瓷烧制体基板211的结构材料的陶瓷没有特别限定，例如，可以使用氧化铝类陶瓷、氧化硅类陶瓷、氧化钙类陶瓷、氧化镁类陶瓷等氧化物类陶瓷或氮化铝类陶瓷、氮化硅类陶瓷、氮化硼类陶瓷等氮化物类陶瓷或氧化铍、碳化硅、莫来石(Mullite)、硼硅酸玻璃等。
可使包含陶瓷粉末、烧制辅助剂、有机粘合剂等的混合材料成形为片状，得到生片(green sheet)，对该生片进行烧制处理，由此得到这样的陶瓷烧制体基板211。此外，作为烧制辅助剂，可以根据陶瓷粉末的种类使用公知的烧制辅助剂。此外，作为有机粘合剂，例如可以使用聚乙烯缩丁醛、乙基纤维素类、丙烯酸树脂类等。
第1金属布线250具有：过孔251，其配置在贯通孔213内；内部端子253，其与过孔251重合地配置在陶瓷烧制体基板211的上表面；以及安装端子255，其与过孔251重合地配置在陶瓷烧制体基板211的下表面，过孔251、内部端子253以及安装端子255形成为一体。同样，第2金属布线260具有：过孔261，其配置在贯通孔215内；内部端子263，其与过孔261重合地配置在陶瓷烧制体基板211的上表面；以及安装端子265，其与过孔261重合地配置在陶瓷烧制体基板211的下表面，过孔261、内部端子263以及安装端子265形成为一体。此外，第1金属布线250、第2金属布线260的结构不限于本实施方式。例如，在本实施方式中，内部端子253以及安装端子255均配置为与过孔251重合，但也可以与此不同，将内部端子253以及安装端子255都配置在与过孔251不重合的位置。在该情况下，第1金属布线250还具有：上表面侧布线，其配置在陶瓷烧制体基板211的上表面，使过孔251与内部端子253连接；以及下表面侧布线，其配置在陶瓷烧制体基板211的下表面，使过孔251与安装端子255连接。第2金属布线260也相同。
而且，如图2所示，内部端子253经由导电性粘结剂291，与振动元件300的焊盘322电连接，内部端子263经由导电性粘结剂292，与振动元件300的焊盘332电连接。
第1金属布线250、第2金属布线260优选包含属于元素周期表第6族的金属(元素)、银、铜。作为属于元素周期表第6族的金属，可举出铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)，只要包含它们中的至少1种金属即可。此外，为了便于说明，以下也将属于元素周期表第6族的金属简称作“第6族金属”。这些第6族金属的熔点充分高于一同包含的银、铜，因此，在后述的制造工序中，第6族金属不会熔化，能够使第1金属布线250、第2金属布线260的形状(尤其是过孔251、261的形状)保持良好。因此，形状保持性以及导电性变得优异。此外，银的熔点为大约962℃，铜的熔点为大约1085℃，铬的熔点为大约1907℃，钼的熔点为大约2617℃，钨的熔点为大约3410℃。因此，通过使用第6族金属中的熔点最高的钨，能够更有效地发挥上述效果。
以上，对陶瓷烧制体基板211与第1金属布线250、第2金属布线260的结构进行了说明。在底座基板210中，在陶瓷烧制体基板211与第1金属布线250之间配置有第1活性金属层270，在陶瓷烧制体基板211与第2金属布线260之间配置有第2活性金属层280。
具体而言，第1活性金属层270分别配置在过孔251与贯通孔213的内周面之间、内部端子253与陶瓷烧制体基板211的上表面之间、以及安装端子255与陶瓷烧制体基板211的下表面之间。而且，经由第1活性金属层270，过孔251与贯通孔213的内周面接合，内部端子253与陶瓷烧制体基板211的上表面接合，安装端子255与陶瓷烧制体基板211的下表面接合。同样，具体而言，第2活性金属层280分别配置在过孔261与贯通孔215的内周面之间、内部端子263与陶瓷烧制体基板211的上表面之间以及安装端子265与陶瓷烧制体基板211的下表面之间。而且，经由第2活性金属层280，过孔261与贯通孔215的内周面接合，内部端子263与陶瓷烧制体基板211的上表面接合，安装端子265与陶瓷烧制体基板211的下表面接合。
此处，第1活性金属层270、第2活性金属层280是指第1活性金属层270、第2活性金属层280中包含的活性金属与陶瓷烧制体基板211中包含的陶瓷成分反应而在与陶瓷烧制体基板211的界面处形成的层。通过形成这样的第1活性金属层270、第2活性金属层280，陶瓷烧制体基板211与第1金属布线250、第2金属布线260的贴合性提高。因此，即使在如上述那样使用与陶瓷的贴合性较弱的银(Ag)、铜(Cu)来作为第1金属布线250、第2金属布线260的材料的情况下，也能够确保过孔251、261的贴合力。
在这样的第1活性金属层270、第2活性金属层280中，包含属于元素周期表第4(A)族的金属(元素)作为所述活性金属。可以适当使用属于元素周期表第4族的金属作为活性金属，因此，能够更可靠地形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。作为属于元素周期表第4(A)族的金属，可举出钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)。可以使用它们中的任意一个，其中，优选使用钛(Ti)。在钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)中，钛的熔点最低，因此，在制造时能够防止上述第6族金属的意外的熔化，并且，能够将形成第1活性金属层270、第2活性金属层280时的烧制温度抑制得较低，能够减轻对陶瓷烧制体基板211的热损伤。
第1活性金属层270、第2活性金属层280的厚度(平均厚度)没有特别限定，例如优选为1μm以上且20μm以下左右。由此，既能够防止第1活性金属层270、第2活性金属层280的厚度过大，又能够使第1活性金属层270、第2活性金属层280的厚度足够。因此，既能够抑制底座基板210的大型化，又能够充分提高陶瓷烧制体基板211与第1金属布线250、第2金属布线260的贴合性。
2.底座基板的制造方法
接下来，对上述电子器件100具有的底座基板(布线基板)210的制造方法进行说明。
底座基板210的制造方法包含：第1工序，准备具有贯通孔(凹部)213、215的陶瓷烧制体基板211；第2工序，与陶瓷烧制体基板211的上下表面以及贯通孔213、215内相连地配置金属膏(混合物)X，其中，上述金属膏X包含由含第4族金属、银以及铜的合金构成的第1粒子A和由含第6族金属的合金构成的第2粒子B；以及第3工序，对配置于陶瓷烧制体基板211的金属膏X进行烧制，形成第1金属布线250、第2金属布线260以及第1活性金属层270、第2活性金属层280。
[第1工序]
例如通过使包含陶瓷粉末、烧制辅助剂、有机粘合剂等的混合材料成形为片状，得到生片，对该生片进行烧制处理而得到陶瓷烧制体基板211。贯通孔213、215可以在烧制处理前利用冲压等形成，也可以在烧制处理后利用激光加工、蚀刻加工、钻孔加工等形成。但是，由于陶瓷烧制体基板211会因烧制处理而收缩，因此，如果在烧制处理前形成贯通孔213、215，则可能使配置和尺寸的精度下降。因此，如果希望提高贯通孔213、215的配置和尺寸的精度，则优选在烧制处理后形成。贯通孔213、215的直径没有特别限定，例如可以为20μm以上且100μm以下左右。
[第2工序]
—准备金属膏X的工序—
准备由包含第4族金属M4、银(Ag)和铜(Cu)的第1合金(M4-Ag-Cu类合金)构成的第1粒子A、由包含第6族金属M6和镍(Ni)的第2合金(M6-Ni类合金)构成的第2粒子B以及粘合剂C，将它们混合，由此得到金属膏X。
第1合金中包含的第4族金属M4是容易与陶瓷烧制体基板211中包含的陶瓷成分反应的(即，对于陶瓷成分具有活性的)活性金属。活性金属是指容易与某物质反应的金属。因此，由于第1合金包含第4族金属M4，所以，在第3工序中，能够在与陶瓷烧制体基板211的界面形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。作为第4族金属M4，可以使用钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)中的任意一个，但优选使用其中的钛(Ti)。在这些金属中，钛(Ti)的熔点最低，因此，能够抑制第3工序中的烧制温度。因此，能够减轻在第3工序中对陶瓷烧制体基板211施加的热损伤。
此外，第1合金中的第4族金属M4的含有量(％重量百分比浓度)没有特别限定，例如，优选为2％重量百分比以上且20％重量百分比以下左右，更优选为7％重量百分比以上且11％重量百分比以下左右。由此，能够充分确保金属膏X中的第4族金属M4的含有量，能够更可靠地形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。此外，第1合金中的银(Ag)的含有量没有特别限定，但优选为60％重量百分比以上且80％重量百分比以下左右。
此外，第1粒子A的平均粒径(中值径d50)没有特别限定，兼顾贯通孔213、215的大小，越小越好，具体而言，优选为40μm以下，更优选为10μm以下，最优选为5μm以下。由此，能够抑制第1粒子A的表面氧化导致的失活。此外，针对小径的过孔也能够确保填充的作业性。因此，能够制造出生产性提高且具有优异性能的底座基板210。
另一方面，第2粒子B由包含第6族金属M6和镍的第2合金(M6-Ni类合金)构成。通过使用第6族金属M6那样的高熔点金属，能够使第2合金的熔点远远高于第1合金。因此，在第3工序中，能够在不使第2粒子B熔化的情况下形成第1金属布线250、第2金属布线260。因此，如后述那样，提高了第1金属布线250、第2金属布线260的形状保持性、贴合性以及贯通孔213、215的填充性等。此外，第6族金属M6也可以使用铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)中的任意一个，其中，优选使用钨(W)。在这些金属中，钨(W)的熔点最高，因此，能够进一步提高第2合金的熔点，能够更有效地发挥上述效果。
第2合金中的第6族金属M6的含有量没有特别限定，例如，优选为80％重量百分比以上且99.9％重量百分比以下左右。由此，与第1合金的熔点相比，能够确保第2合金的熔点足够高。此外，本实施方式的第2粒子B由包含第6族金属M6和镍(Ni)的合金构成，通过包含少量的镍(Ni)，能够提高第2粒子B与第1粒子A中的银(Ag)或铜(Cu)之间的贴合性。因此，能够形成贴合性更高的第1金属布线250、第2金属布线260。第2合金中的镍(Ni)的含有量没有特别限定，优选为0.1％重量百分比以上且20％重量百分比以下左右。
此外，第2粒子B的平均粒径(中值径d50)没有特别限定，兼顾贯通孔213、215的大小，越小越好，具体而言，优选为40μm以下，更优选为10μm以下，最优选为5μm以下。由此，针对小径的贯通孔213、215，也能够确保填充的作业性。此外，能够提高第2粒子B在贯通孔213、215内的填充密度。因此，能够制造出生产性提高且具有优异性能的底座基板210。
此外，第2粒子B也可以使用由第6族金属M6构成的金属粒子。
以上，对第1粒子A以及第2粒子B进行了说明。金属膏X中的第1粒子A与第2粒子B的重量比没有特别限定，根据第1合金中的第4族金属M4的含有量而不同，例如优选为35：65以上且85：15以下左右，更优选为50：50以上且70：30以下左右。此外，相对于第1粒子A与第2粒子B的总重量，第4族金属M4优选为0.7％重量百分比以上且17.0％重量百分比以下左右，更优选为3.0％重量百分比以上且8.0％重量百分比以下左右。由此，在金属膏X中，能够确保足够量的第4族金属M4，从而更可靠地形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。此外，第4族金属M4相对于第1粒子A与第2粒子B的总重量的含有量小于上述下限值时，第4族金属M4不足，可能不能使第1活性金属层270、第2活性金属层280形成足够的厚度。另一方面，第4族金属M4相对于第1粒子A与第2粒子B的总重量的含有量超过上述上限值时，第4族金属M4过剩，可能使第1活性金属层270、第2活性金属层280变脆。
粘合剂C可以使用公知的材料，例如可以混合使用聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸树脂、甲基纤维素、羟甲基纤维素、硝化纤维素、醋酸丁酸纤维素等纤维素类树脂、聚乙烯缩丁醛、聚乙烯醇、聚氯乙烯等含乙烯基树脂、聚烯烃等烃类树脂、聚氧化乙烯等含氧树脂中的一种或二种以上。
以上，对金属膏X进行了说明。此外，在金属膏X中，除了包含第1粒子A、第2粒子B以及粘合剂C以外，还可以根据需要包含例如有机溶剂、分散剂、可塑剂等。
—在陶瓷烧制体基板211上涂覆金属膏X的工序—
如图5的(a)所示，向陶瓷烧制体基板211的贯通孔213、215内填充金属膏X，并且在陶瓷烧制体基板211的上表面以及下表面将金属膏X配置为与内部端子253、263以及安装端子255、265的形状对应的形状，形成金属膏层X1、X2。此外，陶瓷烧制体基板211上的金属膏X的配置方法没有特别限定，例如可以使用丝网印刷法。
[第3工序]
接下来，如图5的(b)所示，对配置于陶瓷烧制体基板211的金属膏层X1、X2进行烧制处理，形成第1金属布线250、第2金属布线260、第1活性金属层270以及第2活性金属层280。金属膏层X1、X2的烧制处理优选在图6所示的温度条件下进行。
如图6所示，烧制处理具有：第1升温工序401，使温度上升；粘合剂去除工序402，使第1升温工序401的目标温度维持大致恒定，去除粘合剂C等；第2升温工序403，再次使温度上升；烧制工序404，使第2升温工序的目标温度维持大致恒定，烧制金属膏层X1、X2；以及冷却工序405；。
—第1升温工序401—
首先，将配置有金属膏层X1、X2的陶瓷烧制体基板211配置腔室内，使腔室内成为真空气氛(例如，1.33×10-3Pa以下)。由此，能够防止金属膏层X1、X2中的钛(Ti)的氧化，能够形成优质的第1活性金属层270、第2活性金属层280。在以下的粘合剂去除工序402、第2升温工序403、烧制工序404、冷却工序405中也维持该真空气氛。在腔室内，可以替代真空气氛而设为氩(Ar)气填充气氛等非氧化气氛。即使设为氩气填充气氛，也能够与真空气氛同样地形成优质的第1活性金属层270、第2活性金属层280。
接下来，使腔室内的温度上升，对金属膏层X1、X2进行加热。本工序中的目标温度(峰值温度)T1是低于第1粒子A的熔点且能够使金属膏层X1、X2中的粘合剂C、有机溶剂、水分等蒸发/去除的温度。这样的目标温度T1没有特别限定，根据粘合剂C的种类或第1粒子A的熔点而不同，但例如优选为350℃以上且450℃以下左右。
此外，本工序中的每1小时的温度上升量(升温率：℃/h)没有特别限定，例如优选为150℃/h以上且250℃/h以下左右，更优选为200℃/h左右。由此，花费足够时间，能够使腔室内升温，即使在难以传热的真空中，也能够使金属膏层X1、X2充分升温。因此，能够减小腔室内的设定温度与实际的金属膏层X1、X2的温度之间的偏离，能够在更准确的温度条件下进行后续的粘合剂去除工序402。其结果是，在粘合剂去除工序402中，能够更可靠地从金属膏层X1、X2中去除粘合剂C等。此外，在升温率小于上述下限值时，根据腔室的大小或气氛环境，有可能不能使金属膏层X1、X2充分升温。相反，在升温率超过上述上限值时，根据腔室的大小或气氛环境，可能无法期待减小腔室内的设定温度与实际的金属膏层X1、X2的温度之间的偏离的上述效果的提高，只是使本工序的处理时间变长。
—粘合剂去除工序402—
在本工序中，使第1升温工序401中的目标温度T1维持大致恒定。根据本工序，既能够防止第1粒子A的熔化，又能够从金属膏层X1、X2中去除第1粒子A、第2粒子B以外的材料(即粘合剂C、有机溶剂、水分等)。由此，能够更可靠地进行金属膏层X1、X2的烧制(第1粒子A的熔化)。本工序的保持时间没有特别限定，根据粘合剂C的量等而不同，但例如优选为30分钟以上且2小时以下左右，更优选为30分钟以上且1小时以下左右。由此，能够有效地从金属膏层X1、X2中去除粘合剂C等。此外，在保持时间小于上述下限值时，根据粘合剂C的含有量，可能不能从金属膏层X1、X2中充分去除粘合剂C等，粘合剂C等会残留到后面的烧制工序404，该残留的粘合剂C等阻碍第1粒子A的熔化。相反，在保持时间超过上述上限值时，根据粘合剂C的含有量，可能只是使本工序变得过长，无法期待粘合剂C等的去除效果的进一步提高，而且导致烧制处理整体的长时间化，从而对陶瓷烧制体基板211的热损伤变大。
此外，在本实施方式的粘合剂去除工序402中，使第1升温工序401中的目标温度T1保持大致恒定，但不限于此，如果低于第1升温工序401、第2升温工序403中的升温率(每单位时间的温度上升量)，则也可以升温，相反，也可以降温。但是，如果进行降温，则在后面的第2升温工序403中必须上升的温度变大，因此优选进行升温、或者如本实施方式这样地维持大致恒定。此外，在进行升温的情况下，其升温率没有特别限定，但优选为5℃/h以上且50℃/h以下左右。由此，在粘合剂去除工序中，能够减少金属膏层X1、X2被过度加热的情况，例如，能够有效地防止意外的第1粒子A的熔化等。
—第2升温工序403—
在本工序中，在结束粘合剂去除工序402之后，再次使腔室内的温度上升，对金属膏层X1、X2进行加热。第2升温工序403中的目标温度(峰值温度)T2为高于第1粒子A的熔点且低于第2粒子B的熔点的温度。由此，既能够防止第2粒子B的熔化，又能够使第1粒子A熔化。此外，目标温度T2优选低于陶瓷烧制体基板211的烧制温度。由此，能够减轻对陶瓷烧制体基板211的热损伤，得到可靠性高的底座基板210。这样的目标温度T2没有特别限定，根据第1粒子A、第2粒子B的熔点而不同，但例如优选为800℃以上且1000℃以下左右。
此外，本工序中的每1小时的温度上升量(升温率：℃/h)没有特别限定，但例如优选为150℃/h以上且250℃/h以下，更优选为200℃/h左右。这样，花费足够时间，能够使腔室内升温，由此，即使在难以传热的真空中，也能够使金属膏层X1、X2充分升温。因此，能够减小腔室内的设定温度与实际的金属膏层X1、X2的温度之间的偏离，在更准确的温度条件下进行后续的烧制工序404。其结果是，能够更可靠地形成第1活性金属层270、第2活性金属层280，而且，所形成的第1活性金属层270、第2活性金属层280变得更为优质。此外，在升温率小于上述下限值时，根据腔室的大小或气氛环境，可能不能使金属膏层X1、X2充分升温。相反，在升温率超过上述下限值时，根据腔室的大小或气氛环境，可能无法期待减小腔室内的设定温度与实际的金属膏层X1、X2的温度之间的偏离的上述效果的提高，而只是使本工序的处理时间变长。
—烧制工序404—
在本工序中，使第2升温工序403中的目标温度T2维持大致恒定。如图5的(c)所示，根据本工序，通过使第1粒子A熔化，能够形成第1活性金属层270、第2活性金属层280、第1金属布线250以及第2金属布线260。
具体而言，通过本工序，第1粒子A熔化，第1粒子A中存在的钛(Ti)与陶瓷烧制体基板211的陶瓷成分反应，在金属膏层X1、X2与陶瓷烧制体基板211的界面处形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。此外，与此同时，第1粒子A中存在的银(Ag)或铜(Cu)流动，浸透到第2粒子B之间，由此，在第1活性金属层270、第2活性金属层280上形成第1金属布线250、第2金属布线260。
这样，在第1金属布线250、第2金属布线260与陶瓷烧制体基板211之间形成第1活性金属层270、第2活性金属层280，由此，得到第1金属布线250、第2金属布线260与陶瓷烧制体基板211的贴合性提高且气密性和机械强度优异的底座基板210。此外，在本工序中，实质上不使第2粒子B熔化，而仅使第1粒子A熔化，由此，能够利用第2粒子B有效地抑制金属膏层X1、X2渗透扩散、垂流等。因此，能够形成布线形状保持性提高、更接近设计形状且电气特性优异的第1金属布线250、第2金属布线260。因此，得到可靠性高的第1金属布线250、第2金属布线260。此外，例如，与使第2粒子B熔化的情况相比，能够将本工序的温度抑制得较低，因此，能够减轻对陶瓷烧制体基板211的热损伤。
本工序的保持时间没有特别限定，根据金属膏层X1、X2的体积等而不同，但例如优选为10分钟以上且1小时以下左右，更优选为30分钟左右。由此，能够充分地使第1粒子A熔化，能够更可靠地形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。此外，在保持时间小于上述下限值时，根据金属膏层X1、X2的体积(第1粒子A的含有量)等，可能不能使第1粒子A充分熔化，不能充分形成第1活性金属层270、第2活性金属层280。相反，在保持时间超过上述上限值时，根据金属膏层X1、X2的体积(第1粒子A的含有量)等，可能只是使本工序变得过长，从而对陶瓷烧制体基板211的热损伤变大。
此外，在本实施方式的烧制工序404中，使目标温度T2保持大致恒定，但只要维持高于第1粒子A的熔点且低于第2粒子B的熔点的温度，则不限于此，也可以升温，相反，也可以降温。此外，也可以是交替反复地进行升温和降温。
—冷却工序405—
在本工序中，使温度从目标温度T2逐渐下降，使陶瓷烧制体基板211、第1活性金属层270、第2活性金属层280以及第1金属布线250、第2金属布线260例如冷却到常温。由此，得到底座基板210。本工序中的每1小时的温度下降量(降温率：℃/h)没有特别限定，但例如优选为10℃/h以上且100℃/h以下，更优选为40℃/h以上且60℃/h以下。这样，通过花费足够时间进行冷却，能够有效地减轻由于陶瓷烧制体基板211、第1活性金属层270、第2活性金属层280、第1金属布线250、第2金属布线260之间的热膨胀率差而使陶瓷烧制体基板211产生裂纹等。由此，得到气密性、机械强度优异的底座基板210。
根据以上的底座基板210的制造方法，可得到第1金属布线250、第2金属布线260与陶瓷烧制体基板211的贴合性优异、且第1金属布线250、第2金属布线260的形状保持性、电气特性优异的底座基板210。此外，能够减少陶瓷烧制体基板211的裂纹的产生，因此，能够防止机械强度下降，并能够提高底座基板210的成品率。
3.电子设备
接下来，对具有电子器件100的电子设备进行说明。
图7是示出应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。在此图中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104和具备显示部1108的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰链构造部可转动地支持于主体部1104。在这样的个人计算机1100中内置有作为滤波器、谐振器、基准时钟等发挥功能的电子器件100。
图8是示出应用了本发明的电子设备的便携电话机(还包含PHS)的结构的立体图。在此图中，便携电话机1200具有多个操作按钮1202、接听口1204以及通话口1206，在操作按钮1202与接听口1204之间配置有显示部1208。在这种便携电话机1200中内置有作为滤波器、谐振器、基准时钟等发挥功能的电子器件100。
图9是示出应用了本发明的电子设备的数字照相机的结构的立体图。在该图中，还简单地示出与外部设备之间的连接。这里，通常的照相机通过被摄体的光像使银盐胶片感光，与此相对，数字照相机1300通过CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合装置)等摄像元件对被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号(图像信号)。
在数字照相机1300中的壳体(机身)1302的背面设置有显示部1310，构成为根据CCD的摄像信号进行显示，显示部作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥功能。并且，在壳体1302的正面侧(图中背面侧)设有包含光学镜头(摄像光学系统)和CCD等的受光单元1304。
当摄影者确认显示部中显示的被摄体像并按下快门按钮1306时，该时刻的CCD的摄像信号被传输到存储器1308中并存储。并且，在该数字照相机1300中，在壳体1302的侧面设有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，使视频信号输出端子1312连接电视监视器1430，使数据通信用的输入输出端子1314连接个人计算机1440。进而，成为通过规定的操作将存储器1308中存储的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440的结构。在这种数字照相机1300中内置有作为过滤器、谐振器、基准时钟等发挥功能的电子器件100。
另外，除了图7的个人计算机(移动型个人计算机)、图8的便携电话机、图9的数字照相机以外，具有电子器件的电子设备例如还可以应用于喷射式喷出装置(例如喷墨打印机)、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(包含带通信功能的)、电子词典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
4.移动体
接下来，对具有电子器件100的移动体进行说明。
图10是示出应用了本发明的移动体的汽车的立体图。在汽车1500中安装有电子器件100。电子器件100例如可以广泛应用于无钥匙进入系统、防盗器、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监测系统(TPMS：Tire Pressure Monitoring System)、发动机控制器、混合动力汽车及电动汽车的电池监视器、以及车体姿势控制系统等的电子控制单元(ECU：electronic control unit)。
以上，根据图示的实施方式说明了本发明的布线基板、布线基板的制造方法、电子器件、电子设备以及移动体，但本发明不限于此，各部的结构可置换为具有同样功能的任意构成的结构。另外，在本发明中可附加其它任意的构成物。另外，可适当组合各实施方式。
此外，在上述实施方式中，说明了形成贯通孔作为设置在陶瓷烧制体基板上的凹部的结构，但也可以不是贯通孔而是有底的凹部。即，可以是在上表面或下表面具有开口的有底的凹部。
[实施例]
1.底座基板(布线基板)的制造
(实施例1)
—陶瓷烧制体基板的制造—
首先，准备了单层的陶瓷生片。陶瓷生片使用了如下产物：以氧化铝为主材料，按89：19(w％)的比例混合氧化铝和粘合剂，使该混合物成形为片状。此外，陶瓷生片的尺寸的(长度×宽度×厚度)为(60mm×53mm×0.2mm)。在该陶瓷生片中形成直径为250μm的贯通孔。进而，对该陶瓷生片进行烧制处理，由此得到陶瓷烧制体基板。烧制处理是按如下方式进行的：首先，将陶瓷生片配置在腔室(NEMS有限公司制造：ED40×40×40)内，在氢气的气氛中以200℃/h的升温率进行升温，以1500℃进行30分钟的烧制。
—金属膏的制造—
作为第1粒子，准备了由Ti-Ag-Cu合金(第1合金)构成的合金粉末(平均粒径d50＝30μm：NEIS有限公司制造，V1008T)。第1合金中的Ti的含有量为2％重量百分比，Ag的含有量为68％重量百分比，Cu的含有量为30％重量百分比。此外，作为第2粒子，准备了由W-Ni合金(第2合金)构成的合金粉末(平均粒径d50＝3μm：ATMIX有限公司制造)。第2合金中的W的含有量为98％重量百分比，Ni的含有量为2％重量百分比。进而，按重量比50：50的比例混合第1粒子与第2粒子，得到金属混合物，进而，在金属混合物中混合有机载体(organic vehicle)，由此得到金属膏。此外，使用氢化精制轻质蒸馏的混合物作为有机载体，使金属膏中的金属混合物的含有量为20％重量百分比。
—金属膏的涂布—
接下来，利用使用了金属掩膜的丝网印刷法，将金属膏填充到陶瓷烧制体基板的贯通孔内。接下来，利用使用了金属掩膜的丝网印刷法，在陶瓷烧制体基板的上表面以及下表面分别印刷规定形状的金属膏。由此，得到已经印刷的陶瓷烧制体基板。
—烧制处理—
接下来，将已经印刷的陶瓷烧制体基板配置在腔室内，将腔室内设为1.33×10-3Pa以下的真空气氛。接下来，以200℃/h的升温率使腔室内的温度(已经印刷的陶瓷烧制体基板的温度)上升到400℃，在400℃下保持1小时。接下来，以200℃/h的升温率使腔室内的温度(已经印刷的陶瓷烧制体基板的温度)上升到900℃，在900℃下保持1小时。接下来，以50℃/h的降温率使腔室内的温度(已经印刷的陶瓷烧制体基板的温度)下降到常温。由此，烧制金属膏，在与陶瓷烧制体基板的界面处形成活性金属层，并在活性金属层上形成金属布线。
由此，得到了底座基板。
(实施例2～16)
除了将第1合金中的Ti的含有量以及金属混合物中的第1粒子与第2粒子的重量比设为图11所示的表1那样以外，与上述实施例1相同地得到了底座基板。
2.评价
针对实施例1～16的底座基板，进行了如下评价。图11所示的表1示出了各自的评价结果。
—金属布线/活性金属层的接合性—
评价了所形成的金属布线或活性金属层是否没有从陶瓷烧制体基板剥离或在金属布线或活性金属层中是否没有产生裂纹等损伤。在本评价中，各实施例1～16的底座基板分别各制造10个，根据产生剥离或裂纹的底座基板的数量进行评价。对产生剥离或裂纹的底座基板为0个的实施例标注“〇”，对产生剥离或裂纹的底座基板为1个或2个的实施例标注“△”，对产生剥离或裂纹的底座基板为3个以上的实施例标注“×”。
—贯通孔内的填充性—
评价了所形成的金属布线是否紧密地填充到贯通孔内。本评价是如下进行的：对贯通孔(过孔)的截面进行SEM观察，判定在贯通孔的内周面与活性金属层之间是否形成有间隙。此外，在本评价中，各实施例1～16的底座基板分别各制造100个，根据产生间隙的底座基板的数量进行评价。对产生间隙的底座基板为0个的实施例标注“〇”，对产生间隙的底座基板为1个或2个的实施例标注“△”，对产生间隙的底座基板为3个以上的实施例标注“×”。
—布线形状保持性—
评价了所形成的金属布线是否保持烧制前的形状。在本评价中，使用电子显微镜观察金属布线，根据烧制前和烧制后的布线宽度(面积)变化来进行评价。对烧制前后的布线宽度的变化率为5％以下的实施例标注“〇”，对变化率超过5％的标注“×”。各实施例1～16的评价是根据10个底座基板的平均值进行评价而得到的。
—导电性—
评价了所形成的金属布线是否具有优异的导电性。在本评价中，将各实施例1～16的底座基板的金属布线统一为长度3mm、厚度0.005mm，计测该金属布线的导通电阻来进行评价。而且，对导通电阻小于2Ω的情况标注“〇”，对2Ω以上的情况标注“×”。各实施例1～16的评价是根据10个底座基板的平均值进行评价而得出的。
—气密性—
评价了制造出的底座基板的气密性。在本评价中，向陶瓷烧制体基板的一个面滴注乙醇，评价滴注的乙醇是否经由过孔(贯通孔)渗到另一面。此外，在本评价中，各实施例1～16的底座基板分别各制造10个，根据产生渗出的布线基板的数量来进行评价。对产生渗出的底座基板为0个的实施例标注“〇”，对产生渗出的底座基板为1个或2个的实施例标注“△”，对产生渗出的底座基板为3个以上的实施例标注“×”。
—有无活性金属层—
利用SEM观察，评价在底座基板上是否形成有活性金属层。此外，在本评价中，各实施例1～16的底座基板分别各制造10个，根据没有形成活性金属层的底座基板的数量来进行评价。对没有形成活性金属层的底座基板为0个的实施例标注“〇”，对没有形成活性金属层的底座基板为1个或2个的实施例标注“△”，对没有形成活性金属层的底座基板为3个以上的实施例标注“×”。此外，作为代表，图12示出了拍摄实施例7的底座基板的截面而得到的SEM照片，图13示出了各层中包含的金属(铝、钛、钨、铜、银)的含有量。
3.评价结果
根据图11所示的表1可知，相比于第1粒子与第2粒子的重量比为35：65以及85：15的实施例1～4、13～16，在第1粒子与第2粒子的重量比为50：50～70：30的实施例5～12的底座基板中，整体为优异的评价。此外，可知在实施例5～12中，相对于第1粒子与第2粒子的总量的Ti含有量为3.5～7.7％重量百分比的实施例6、7、10、11的评价更优。

Claims (17)

1.一种布线基板，其特征在于，该布线基板具有：
基板，其在表面具备具有开口的凹部；
金属布线，其与所述基板的表面以及所述凹部内相连地配置；以及
活性金属层，其配置在所述金属布线与所述基板之间，包含对于所述基板中包含的成分具有活性的活性金属。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述基板是陶瓷基板，
所述活性金属层是所述活性金属与所述陶瓷基板中包含的陶瓷成分发生反应而形成的层。
3.根据权利要求2所述的布线基板，其特征在于，
所述活性金属层包含属于元素周期表第4族的金属作为所述活性金属。
4.根据权利要求3所述的布线基板，其特征在于，
所述活性金属层包含钛作为所述活性金属。
5.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述金属布线包含属于元素周期表第6族的金属、银以及铜。
6.根据权利要求5所述的布线基板，其特征在于，
所述金属布线包含钨作为所述属于第6族的金属。
7.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述凹部是贯通所述基板的一个主面与另一个主面的贯通孔。
8.一种布线基板的制造方法，其特征在于，包含如下工序：
准备基板以及第1粒子与第2粒子的混合物，其中，所述基板在表面具备具有开口的凹部，所述第1粒子由包含活性金属、银以及铜的合金构成，所述活性金属属于元素周期表第4族且对于所述基板中包含的成分具有活性，所述第2粒子由属于元素周期表第6族的金属或包含所述属于第6族的金属的合金构成；
与所述基板的表面以及所述凹部内相连地配置所述混合物；以及
对配置于所述基板的所述混合物进行烧制，形成金属布线。
9.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
所述基板是陶瓷基板，
所述活性金属对于所述陶瓷基板中包含的陶瓷成分具有活性。
10.根据权利要求9所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述金属布线的工序中，所述混合物的烧制温度低于所述陶瓷基板的烧制温度。
11.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
所述第1粒子包含钛作为所述活性金属。
12.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
所述第2粒子包含钨作为所述属于第6族的金属。
13.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
所述第2粒子是包含所述属于第6族的金属以及镍的合金。
14.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，
所述第1粒子相对于所述混合物中的所述第1粒子以及所述第2粒子的总重量的含量在35％重量百分比以上且85％重量百分比以下的范围内。
15.一种电子器件，其特征在于，该电子器件具有：
权利要求1所述的布线基板；以及
安装于所述布线基板的电子部件。
16.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有权利要求15所述的电子器件。
17.一种移动体，其特征在于，该移动体具有权利要求15所述的电子器件。
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