CN103555343A - 含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法 - Google Patents

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CN103555343A CN201310543180.3A CN201310543180A CN103555343A CN 103555343 A CN103555343 A CN 103555343A CN 201310543180 A CN201310543180 A CN 201310543180A CN 103555343 A CN103555343 A CN 103555343A
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Abstract

本发明公开了一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法,所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物为含有异硫氰基的萘系列,其制备方法是先合成中间体,再合成含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。按照本发明的方法所制得的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物具有较高的电阻率,较大的光学各向异性、较低的粘度,较高的双折射率,其制备方法简单,得率高。

Description

含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法
所属领域
本发明涉及一类含异硫氰基的萘系列液晶化合物及其制备方法,属于液晶化合物技术领域。
背景技术
液晶的主要特征之一是与光学单轴晶体相同,具有折射率各向异性的双折射。随着液晶显示技术的不断发展和人们对液晶显示要求的不断提高,快速响应的低粘度,高双折射率液晶材料成为液晶显示材料中所关注的热点。而众所周知,具有高双折射率的液晶单体往往具有高的粘度,这两者是相矛盾的,因此我们就要两方面来考虑,一是从分子的设计角度出发,通过用合适的连接桥键来串联大共轭的刚性中心,末端连接适当长度的柔性链段基团,得到相对比较高的双折射率和相对较低粘度的液晶单体。二是从混合液晶配方的角度考虑,选择合适的单晶组份,加入具有较高双折射率的液晶单体,通过混配,设计出能够满足快速响应的液晶显示面板所需要的高双折射率,低粘度的混合液晶。 
发明内容
本发明的目的是想克服上述现有技术中存在的不足,提供一类含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物及其制备方法,所制备的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,具有较高的电阻率,较大的光学各向异性、较低的粘度,较高的双折射率,其制备方法简单,得率高。 
本发明的上述目的,通过以下方案实现: 
一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征在于该化合物的结构如通式①所示:
Figure 916668DEST_PATH_IMAGE001
其中,N为1-18的整数;
 R为烷基、烷氧基中的任一种; 
更进一步的,R的分子式为—CnH2n+1、—o-CnH2n+1中的任一种
即:
Figure 771492DEST_PATH_IMAGE002
X为苯基 、苯炔基、联苯基、联苯炔基中的任一种;
更进一步的,X的结构式为 
Figure 551229DEST_PATH_IMAGE003
Figure 209371DEST_PATH_IMAGE006
 中的任一种。
  
由于通式①中的X所代表的基团不同,当X的结构式为
Figure 862256DEST_PATH_IMAGE006
  时,本发明的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的制备方法步骤如下:
第1步:中间体m1的制备: 
Figure 531134DEST_PATH_IMAGE007
       ( m1)
将1当量的6-溴-2-氨基萘和1.1~1.3当量的含有供电子基团的苯炔中间体皆置于反应容器中,然后溶于6~10当量的四氢呋喃中,加入1~3当量的三乙胺,在惰性气体保护下,加入1%~3%当量的四三苯基磷钯、1%~3%当量的碘化亚铜及1%~3%当量的三苯基膦三种催化剂,在75~85℃条件下反应6~9小时,然后蒸除产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,最后经真空干燥去除溶剂后,得淡黄色固体目标化合物m1; 
第二步:含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物(m)的合成:
      ( m ) 
将1当量的中间体m1加入到反应容器中,加入5~10当量的氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入1~3当量的碳酸钙,1~3当量的硫代光气,在20~40oC下搅拌反应3~6小时后,加入5~8当量的去离子水进行水洗,萃取后,除去产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,真空干燥后,得到白色目标产物—含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。
本发明上述含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的制备方法的最佳实施例为: 
步骤1中所述的惰性气体为氮气或氩气中的一种,最好为氩气。
步骤1中所述的蒸除产物中的溶剂,最好采用旋转蒸发仪在45~50℃下蒸除产物中的溶剂。 
步骤1中所述的柱层析所采用的洗脱剂为乙酸乙酯、石油醚、二氯甲烷中的任一种,优选为二氯甲烷。 
步骤1中所述的真空干燥,最好将真空干燥箱中的温度控制在50~60℃,干燥3~5小时。 
本发明步骤2中,反应时间并不关键,可以按照生产批量的多少在较宽的范围内选择。一般而言,各反应物合并在一起最长达10小时,优选最长为3-6小时。 
本发明步骤2可以在相对宽的温度范围内实施。通常温度为10℃至100℃,优选为20℃至40℃。 
本发明步骤2中所述的水洗时间并不关键,一般在5~10分钟。 
本发明步骤2中所述的萃取,所采用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种,优选为二氯甲烷。 
本发明步骤2中,在萃取步骤完成后,最好再用3-5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液10-15分钟。 
本发明步骤2所述的除去溶剂,最好采用旋转蒸发仪在45~50℃下蒸除产物中的溶剂。 
本发明步骤2所述的柱层析,最好采用石油醚与二氯甲烷体积比为1:(1~2)作为洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离;然后,最好再蒸除洗脱剂,最好采用旋转蒸发仪在45~55℃下蒸除洗脱剂。 
本发明步骤2所述的真空干燥,一般在50~60℃下干燥3~5小时。 
当通式①中的X的结构式为
Figure 953522DEST_PATH_IMAGE005
时,本发明的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的制备方法步骤如下: 
第一步:中间体m1的合成:
Figure 168253DEST_PATH_IMAGE009
         (m1)
将1当量的硼酸中间体和1当量的6-溴-2-硝基萘加入到三口瓶中,然后加入2~3当量的碳酸钠,再向三口烧瓶中加入4~6当量的去离子水、4~6当量的乙醇和5~7当量的甲苯,通惰性气体保护,升温至65~75oC,加入1%~3%当量的四三苯基膦钯,在惰性气体保护下进行反应,反应结束后,对混合溶液进行萃取,然后蒸除产物中的溶剂,再采用柱层析进行纯化分离,真空干燥后,得白色固体m1;
第2步:中间体m2的合成:
Figure 598097DEST_PATH_IMAGE007
         (m2)
将1当量的中间体m1加入到三口瓶中,加入7~10 当量的四氢呋喃,搅拌溶解后,加入3~5当量的无水乙醇及3%~5%当量的钯碳,用氮气充分置换空气后,通入氢气,在30~40oC下搅拌反应4~5小时,反应结束后抽滤掉钯炭,蒸除产物中的四氢呋喃和乙醇,再用柱层析纯化分离,经真空干燥后,得到淡黄色固体目标产物m2 ;
第3步:终产物m—含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成:
Figure 839723DEST_PATH_IMAGE008
        (m)
将1当量的中间体m2加入到反应容器中,加入5~10当量的氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入1~3当量的碳酸钙,1~3当量的硫代光气,搅拌反应后,加入5~8当量的去离子水进行水洗,萃取后,蒸除产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,真空干燥后,得到白色目标产物—含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。
本发明上述含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的制备方法的最佳实施例为: 
步骤1中所述的惰性气体为氮气、氩气中的任一种,优选为氩气。
步骤1中所述的对混合溶液进行萃取,所用的萃取剂为石油醚、甲苯、二氯甲烷中的任一种。优选为甲苯。 
步骤1中所述的对混合溶液进行萃取工序结束后,最好用4~5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液10~15分钟。 
步骤1中所述的蒸除产物中的溶剂,采用旋转蒸发仪在65~75℃下蒸除产物中的溶剂。 
步骤1中所述的采用柱层析进行纯化分离,采用石油醚与二氯甲烷按(1~2):1的体积比混合制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离。 
步骤1中所述的采用柱层析进行纯化分离工序结束后,最好再用旋转蒸发仪在45-50℃下蒸除洗脱剂。 
步骤1中所述的真空干燥,最好采用在50~60℃的干燥箱中干燥4-5小时。 
步骤2中所述的蒸除产物中的四氢呋喃和乙醇,采用旋转蒸发仪在50~60℃下蒸除产物中的四氢呋喃和乙醇。 
步骤2中所述的柱层析纯化分离,所用的洗脱剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种,优选为二氯甲烷。 
步骤2中所述的柱层析纯化分离工序结束后,最好再用旋转蒸发仪在40~45℃下蒸除洗脱剂二氯甲烷。 
步骤2中所述的真空干燥,采用在50~60℃的干燥箱中干燥4小时。 
步骤3中所述的搅拌反应,一般在20~40oC下,搅拌反应3~6小时。 
步骤3中所述的水洗时间并不关键,一般进行搅拌水洗5~10分钟。 
步骤3中所述的萃取,采用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种,优选为二氯甲烷。 
步骤3中所述的萃取工序结束后,最好再用3~5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液10~15分钟,然后用旋转蒸发仪在45~50℃下蒸除产物中的溶剂。 
步骤3中所述的柱层析纯化分离,采用石油醚与二氯甲烷按1:(1~2)的体积比制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离。 
步骤3中所述的柱层析纯化分离结束后,最好再用旋转蒸发仪在45~55℃下蒸除洗脱剂。 
步骤3中所述的真空干燥,在干燥箱中50~60℃下干燥3~5小时。 
本发明制备的含异硫氰基的萘系列液晶化合物,具有较长的π-电子共轭体系,分子端基具有吸电子基团和供电子基团等分子结构特性,尤其是端基引入异硫氰基基团,此基团的偶极矩要比氰基低,氮、碳、硫之间的电荷较弱,内部分子相互作用弱,不会形成二聚物,具有较高的电阻率,能有效提高材料的电压保持率。同时,本发明的液晶单体具有较大的光学各向异性(Δn)、较低的粘度,添加至混合液晶中可以极大的增加混合液晶的光学各向异性,从而可以有效的改善混合液晶的综合性质,且本发明的液晶化合物由于具有较高的双折射率,用于显示会有效地减少显示器的厚度,增加相应速率,也可以作为光学材料用于激光操控器、液晶自适应光学系统、宽波反射、蓝相液晶显示等。本发明制备方法简单,得率高,具有非常广阔的应用前景和极大的潜在应用价值。 
附图说明
图1是实施例1中目标化合物的红外谱图。 
图2是实施例1中目标化合物的偏光显微镜照片。 
具体实施方式
 为便于理解本发明,下面结合附图和具体实施的例子对本发明做进一步详细的描述,然而,所述的实施例不应以限制的方式解释。 
实施例1: 
    在通式     中,
以R结构
Figure 696000DEST_PATH_IMAGE010
、X结构
Figure 218117DEST_PATH_IMAGE011
为例,介绍该含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成方法:
第1步: 中间体m1的合成:
将4.52g(24mmol)4-戊氧基苯乙炔,4.4 g (20mmol) 6-溴-2-氨基萘加入到500ml三口瓶中,加入100ml四氢呋喃,100ml三乙胺,将原料完全溶解,通氩气超声30分钟,加入145mg四三苯基膦钯,70mg碘化亚铜,70mg三苯基膦,于 80 oC通氩气保温反应8小时。反应结束后,将产物用旋转蒸发仪48℃下蒸除产物中的四氢呋喃和三乙胺,以二氯甲烷为洗脱剂对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在40℃下蒸除洗脱剂二氯甲烷,最后置于真空干燥箱中,在50℃下干燥3小时,得淡黄色固体m1 4.94 g,收率75 %。
第2步:终产物m(含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物)的合成: 
将3.29g(10mmol)中间体m2加入到250ml三口瓶中,加入100 mL氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入2g(20mmol)碳酸钙,1.75g(15mmol)硫代光气,30oC下搅拌3小时,反应结束后向反应瓶中加入50ml去离子水进行搅拌水洗10分钟,再将混合溶液倒入分液漏斗内,用80ml的二氯甲烷萃取两次,用7g的无水硫酸钠干燥有机相溶液15分钟,然后用旋转蒸发仪在45℃下蒸除产物中的溶剂,以石油醚与二氯甲烷体积比为1:1作为洗脱剂对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在50℃下蒸除洗脱剂,最后置于真空干燥箱中,在60℃下干燥5小时,得到白色固体目标产物2.97g,收率80 %。
实施例1中,所制得的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,经测定,其光谱数据如下: 
1H-NMR (300 MHz, CDCl3): δ = 7.93(s, 1H), 7.85 (d, J = 6.0 Hz, 1H), 7.81 (s, 1 H), 7.70(d, J = 6.0 Hz, 1 H), 7.550(d, J = 6.0 Hz, 1 H)7.37(d, J = 6.0 Hz, 2 H),7.30 (d, J = 6.0 Hz, 1 H), 6.73(d, J = 6.0 Hz, 2 H),3.94(t,2H),1.71(m,2H), 1.33 (m, 2 H), 1.29 (m, 2 H),0.96 (t, 3 H)ppm ; FT-IR (KBr): ν = 3445,2954,2925, 2854, 2187, 2108, 2046,1720,1693,1604, 1566, 1522, 1484, 1464, 1415, 1401, 1368, 1292, 1207, 1185, 1144, 1060, 818, 720;MALDI-TOF-MS (dithranol): m/z: calcd for C24H21NOS: 371.13 g mol-1, found: 371.49 g mol-1 [MH]+; elemental analysis calcd (%) for C24H21NOS (371.49): C 77.59, H 5.70, N 3.77,O 4.31, S 8.63; found: C 77.57, H 5.72, N 3.75,O 4.32, S 8.64.
实施例2:
  在通式   
Figure 947039DEST_PATH_IMAGE008
  中,
以R结构
Figure 25853DEST_PATH_IMAGE012
、X结构为
Figure 461514DEST_PATH_IMAGE013
为例,介绍该含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成方法:
第1步:中间体m1的合成:
将5.95g(24mmol)4-戊基联苯乙炔,4.4 g (20mmol) 6-溴-2-氨基萘加入到500ml三口瓶中,加入120ml四氢呋喃,120ml三乙胺,将原料完全溶解,通氩气超声30分钟,加入150mg四三苯基膦钯,75mg碘化亚铜,75mg三苯基膦,于 80 oC下通氩气保温反应9小时。反应结束后将混合液用旋转蒸发仪在45℃下蒸除产物中的四氢呋喃和三乙胺,以二氯甲烷为洗脱剂对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在40℃下蒸除洗脱剂二氯甲烷,最后置于真空干燥箱中,在50℃下干燥4小时,得淡黄色固体m1 5.6g,收率72 %。
第2步:终产物m(含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物)的合成: 
将3.89g(10mmol)中间体m1加入到250ml三口瓶中,加入120 mL氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入2 g(20mmol)碳酸钙,2.1g(18mmol)硫代光气,控温30oC搅拌4小时,反应结束后向反应瓶中加入60ml去离子水进行搅拌水洗10分钟,再将混合溶液倒入分液漏斗内,用100ml的二氯甲烷萃取两次,用10g的无水硫酸钠干燥有机相溶液15分钟,然后用旋转蒸发仪在45℃下蒸除产物中的溶剂,以石油醚与二氯甲烷按体积比为1:2制成洗脱剂对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在48℃下蒸除洗脱剂,最后置于真空干燥箱中,在60℃下干燥5小时,得到白色固体3.4g,收率79 %。 
实施例2中,所制得的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,经测定,其光谱数据如下: 
1H-NMR (300 MHz, CDCl3): δ = 7.92(s, 1H), 7.85 (d, J = 6.0 Hz, 1H), 7.81 (s, 1 H),7.60(d, J = 6.0 Hz ,1H)7.52(d, J = 6.0 Hz, 2 H), 7.50(d, J = 6.0 Hz,1 H), 7.44(d, J = 6.0 Hz, 2 H), 7.42(d, J = 6.0 Hz, 2 H),7.37(d, J = 6.0 Hz, 1 H),7.18 (d, J = 6.0 Hz, 2 H),2.55(t,2H),1.62(m,2H),1.33(m,2H), 1.29 (m, 2 H),0.96 (t, 3 H)ppm ; FT-IR (KBr): ν = 2958, 2926,2859, 2186, 2105, 2046,1720,1693,1604, 1566, 1522, 1484, 1464, 1415, 1401, 1368, 1292, 1209, 1185, 1143, 1060, 818, 722 MALDI-TOF-MS (dithranol): m/z: calcd for C30H25NS: 431.17 g mol-1, found: 431.59 g mol-1 [MH]+; elemental analysis calcd (%) for C30H25NS (431.59): C 83.49, H 5.84, N 3.25,S 7.43; found: C 83.45, H 5.86, N 3.26, S 7.44.
实施例3:
       在通式   
Figure 233161DEST_PATH_IMAGE008
  中,
以R结构为
Figure 872215DEST_PATH_IMAGE014
、X结构为
Figure 754720DEST_PATH_IMAGE015
为例,介绍该该含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成方法:
第1步:中间体m1的合成:
将4.16g(20mmol)戊基苯硼酸和5.04g(20mmol)6-溴-2-硝基萘加入到500ml三口瓶中,然后加入4.24g(40mmol)碳酸钠,再向三口烧瓶中加入80ml去离子水,80ml乙醇和100ml甲苯,通氩气保护,升温至72oC,加入110mg四三苯基膦钯,在72oC下,氩气保护反应6小时。反应结束后,将混合溶液倒入分液漏斗内,用60ml的甲苯萃取两次,用8g的无水硫酸钠干燥有机相溶液15分钟,然后用旋转蒸发仪在70℃下蒸除产物中的溶剂,以石油醚与二氯甲烷按1:1的体积比制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在50℃下蒸除洗脱剂,最后置于真空干燥箱中,在60℃下干燥5小时,得白色固体m1 为5.02g,收率为75 %。
第2步:中间体m2的合成: 
将4.02g(12mmol)中间体m1加入到250ml三口瓶中,加入80 ml四氢呋喃,加热搅拌至原料溶解,然后加入40ml无水乙醇,加入0.2g钯碳,用氮气充分置换空气后,通入氢气,在35oC搅拌4小时,然后抽滤,用旋转蒸发仪在50℃下蒸除产物中的四氢呋喃和乙醇,以二氯甲烷为洗脱剂对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在40℃下蒸除洗脱剂二氯甲烷,最后置于真空干燥箱中,在50℃下干燥4小时,得到淡黄色固体目标产物m2为 3.11g,收率85 %。
第3步:终产物m(含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物)的合成: 
将2.44g(8mmol)中间体m2加入到250ml三口瓶中,加入100 mL氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入1.6g(16mmol)碳酸钙,1.38g(12mmol)硫代光气,在30oC下搅拌3小时,反应结束后向反应瓶中加入50ml去离子水进行搅拌水洗10分钟,再将混合溶液倒入分液漏斗内,用90ml的二氯甲烷萃取两次,用8g的无水硫酸钠干燥有机相溶液15分钟,然后用旋转蒸发仪在45℃下蒸除产物中的溶剂,以石油醚与二氯甲烷按1:1的体积比制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离,然后再用旋转蒸发仪在50℃下蒸除洗脱剂,最后置于真空干燥箱中,在60℃下干燥5小时,得到白色固体---含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物2.22g,收率80 %。 
该含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,经测定,其光谱数据如下: 
1H-NMR (300 MHz, CDCl3): δ = 7.92(s, 1H), 7.83 (d, J = 6.0 Hz, 1H), 7.81 (s, 1 H), 7.70(d, J = 6.0 Hz, 1 H), 7.50(d, J = 6.0 Hz, 1 H),7.37(d, J = 6.0 Hz, 2 H),7.30 (d, J = 6.0 Hz, 1 H), 6.83(d, J = 6.0 Hz, 2 H),3.93(t,2H),1.71(m,2H),1.33(m,2H), 1.29 (m, 2 H),0.96 (t, 3 H)ppm ; FT-IR (KBr): ν = 3446,2956,2923, 2854, 2185, 2108, 2045,1722,1693,1604, 1566, 1522, 1484, 1464, 1415, 1402, 1368, 1293, 1207, 1185, 1144, 1060, 816, 721 MALDI-TOF-MS (dithranol): m/z: calcd for C22H21NOS: 347.13 g mol-1, found: 347.47 g mol-1 [MH]+; elemental analysis calcd (%) for C22H21NOS (347.47): C 76.04, H 6.09, N 4.03,O 4.60, S 9.23; found: C 76.01, H 6.04, N 4.06,O 4.62, S 9.25。
图1给出的是实施例1中目标化合物的红外谱图。从图1中我们可以看出,3400左右为碳氧键的伸缩振动峰,2950、2870为甲基、亚甲基的碳氢伸缩振动峰,2150、2100处为异硫氰基的碳氮伸缩振动峰,1600-800处的很多峰则为萘环或者苯环上的碳氢伸缩振动峰。 
图2给出的是实施例1中目标化合物的偏光显微镜照片。从偏光显微镜照片中我们可以看出,此液晶单体为典型的近晶相焦锥织结构。 
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非是对本发明作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是,凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本发明技术方案的保护范围。  

Claims (12)

1.一种含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征在于该化合物的结构如通式①所示:
Figure 488525DEST_PATH_IMAGE001
其中,N为1-18的整数;
 R为烷基、烷氧基中的任一种; 
X为苯基 、苯炔基、联苯基、联苯炔基中的任一种。
2.按照权利要求1所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物,其特征是所述的R的分子式为下列二种分子式的任一种: —CnH2n+1、—o-CnH2n+1;所述的X的结构式为下列结构式中的任一种: 
Figure 450665DEST_PATH_IMAGE002
Figure 16776DEST_PATH_IMAGE003
Figure 115182DEST_PATH_IMAGE004
Figure 803652DEST_PATH_IMAGE005
 。
3.一种制备权利要求1或2所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:当通式①中的X的结构式为
Figure 357310DEST_PATH_IMAGE005
  时,其制备方法步骤如下:
第1步: 中间体m1的制备: 
Figure 575802DEST_PATH_IMAGE006
        m1
将1当量的6-溴-2-氨基萘和1.1~1.3当量的含有供电子基团的苯炔中间体皆置于反应容器中,然后溶于6~10当量的四氢呋喃中,加入1~3当量的三乙胺,在惰性气体保护下,加入1%~3%当量的四三苯基磷钯、1%~3%当量的碘化亚铜及1%~3%当量的三苯基膦三种催化剂,在75~85℃条件下反应6~9小时,然后蒸除产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,最后经真空干燥去除溶剂后,得淡黄色固体目标化合物m1; 
第2步: 含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成:
Figure 435173DEST_PATH_IMAGE007
         
将1当量的中间体m1加入到反应容器中,加入5~10当量的氯仿,搅拌至原料溶解,然后加入1~3当量的碳酸钙,1~3当量的硫代光气,搅拌反应,加入5~8当量的去离子水进行水洗,经萃取后,除去产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,真空干燥后,得到含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。
4.按照权利要求3所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:
步骤1中所述的惰性气体为氮气或氩气中的一种;所述的柱层析所用的洗脱剂为乙酸乙酯、石油醚、二氯甲烷中的任一种;
步骤2中所述的萃取所用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种;所述的柱层析,采用石油醚与二氯甲烷体积比为1:(1~2)作为洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离。
5.按照权利要求3或4所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的萃取工序结束后,再用3-5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液。
6.按照权利要求3或4所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的柱层析工序结束后,蒸除洗脱剂。
7.一种制备权利要求1或2所述的含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:当通式①中的X的结构式为
Figure 14239DEST_PATH_IMAGE004
时,其制备方法步骤如下:
第1步: 中间体m1的合成:
       m1
将1当量的硼酸中间体和1当量的6-溴-2-硝基萘加入到三口瓶中,然后加入2~3当量的碳酸钠,再向三口烧瓶中加入4~6当量的去离子水、4~6当量的乙醇和5~7当量的甲苯,通惰性气体保护,升温至65~75oC,加入1%~3%当量的四三苯基膦钯,在惰性气体保护下进行反应,反应结束后,对混合溶液进行萃取,然后蒸除产物中的溶剂,再采用柱层析进行纯化分离,经真空干燥后,得白色固体m1;
第2步:中间体m2的合成:
Figure 120440DEST_PATH_IMAGE006
       m2
将1当量的中间体m1加入到三口瓶中,加入7~10 当量的四氢呋喃,搅拌溶解后,加入3~5当量的无水乙醇及3%~5%当量的钯碳,氮气充分置换空气后,通入氢气,搅拌反应,反应结束后抽滤掉钯炭,并蒸除产物中的四氢呋喃和乙醇,再用柱层析纯化分离,经真空干燥后,得到淡黄色固体目标产物m2 ;
第3步:最终产物含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的合成:
Figure 278889DEST_PATH_IMAGE007
     
将1当量的中间体m2加入到反应容器中,加入5~10当量的氯仿,搅拌,然后加入1~3当量的碳酸钙,1~3当量的硫代光气,搅拌反应后,加入5~8当量的去离子水进行水洗,经萃取后,蒸除产物中的溶剂,再进行柱层析纯化分离,经真空干燥后,得到含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物。
8.按照权利要求7所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:
步骤1中所述的惰性气体为氮气、氩气中的任一种;所述的萃取工序,所用的萃取剂为石油醚、甲苯、二氯甲烷中的任一种;所述的采用柱层析进行纯化分离工序,采用石油醚与二氯甲烷按(1~2):1的体积比混合制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离;
步骤2中所述的柱层析纯化分离工序,所用的洗脱剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种;
步骤3中所述的萃取工序,采用的萃取剂为甲苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的任一种;所述的柱层析纯化分离工序,采用石油醚与二氯甲烷按1:(1~2)的体积比制成洗脱剂,对产物进行柱层析纯化分离;所述的搅拌反应,在20~40oC下,搅拌反应3~6小时。
9.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:
步骤1中所述萃取工序结束后,用4~5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液;所述的柱层析纯化分离工序结束后,再蒸除洗脱剂。
10.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤2中所述的柱层析纯化分离工序结束后,蒸除洗脱剂。
11.按照权利要求7或8所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:步骤3中所述的搅拌反应,在20~40oC下,搅拌反应3~6小时;所述的萃取工序结束后,再用3~5当量的无水硫酸钠干燥有机相溶液,然后蒸除产物中的溶剂;所述的柱层析纯化分离工序结束后,再蒸除洗脱剂。
12.按照权利要求3或7所述的制备含异硫氰基的萘系列液晶单体化合物的方法,其特征是:采用旋转蒸发仪在45~50℃下蒸除或去除产物中的溶剂。
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