CN103477433A - 具有点标记的半导体基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有点标记的半导体基板。特别地，提供具有读取率提高的点标记的半导体基板。该半导体基板具有由倒锥台状的凹部构成的多个点标记，该多个点标记构成配置于0.25mm2～9mm2的矩形区域的二维码。凹部的口径W为20μm～200μm，且大于所述凹部的底面的直径w，并且小于所述半导体基板的厚度。另外，凹部的侧面具有4个以上的梯形的平坦的锥面，所述锥面的锥角相对于所述半导体基板表面在44°～65°的范围。

Description

具有点标记的半导体基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有点标记的半导体基板及其制造方法。本发明的具有点标记的半导体基板的用途没有特别限定，但是，可作为太阳能电池的半导体基板而使用。
背景技术
在太阳能电池的制造工序中，以晶片1枚为单位保证可追溯性，则能够提高质量，实现高均质化，提高生产效率。进而，能够保证各工序中的质量，应对市场中的召回，以及实现对其生产工序的反馈等，能够做出很大的效果。
太阳能电池的生产工序中的以往的晶片管理中，将从晶片厂家提供的晶片作为任意批次进行区分，通过单体(cell)生产工序按每个批次实施生产。为了确定其批次，在单体工序的工序结尾的电极形成工序，使用银糊料等的电极形成糊料，形成与批次关联的用于确定晶片的标记。由此，实现电极形成工序以后的工序管理和批次级的晶片管理(例如，参照专利文献1和专利文献2)。并且已知如下技术：在太阳能电池单体的晶片表面形成凹凸部，通过凹凸部形成特定的文字图案，使用该文字图案识别单体(参照专利文献3)。
另外，已知有为了使半导体晶体基板的晶体取向和形成于掩膜的对准标记对准位置，通过对半导体晶体基板进行蚀刻来形成处理标记的技术(参照专利文献4)。另外，还提出了如下的方案：在硅基板形成倒圆锥形状或其他形状的微孔来制作微孔芯片(参照专利文献5及6)。进而已知有包括在单晶硅基板上形成凹部的工序的微小探针或微小尖端的制造方法(参照专利文献7、8、9、10)。
此外，已知有为了对硅基板进行标记而在硅基板上形成由圆孔构成的标记的方法(参照专利文献11)。另外，已知有在硅基板上形成倒棱锥形状的图案并将该图案作为标记使用的技术（参照专利文献12)。
即，以往，在太阳能电池的生产工序的组件工序以后的工序中，通过读取该标记来确定单体的批次，对于组件也同样赋以序列号。由此，采取能够确定对于哪个组件使用了哪个批次的单体的机制。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本实开平5-93054号公报
专利文献2：日本特开2002-64214号公报
专利文献3：日本特开2004-47776号公报
专利文献4：日本特开平5-335197号公报
专利文献5：国际公开公报第2005/069001号
专利文献6：美国专利公开公报第2008/0014631号
专利文献7：日本特开平9-080061号公报
专利文献8：日本特开平6-084455号公报
专利文献9：美国专利公报第5546375号
专利文献10：美国专利公报第5866021号
专利文献11：日本特开2004-095814号公报
专利文献12：美国专利公开公报第2006/0131424号
发明内容
发明要解决的问题
所述以往的太阳能电池的生产工序中的晶片管理方法中，即使能够进行批次级的管理，也几乎不可能进行单体工序中的处理的详细路径的跟踪。因此，即使所形成的单体的质量存在差异，也很难确定其质量差异的原因在于1）部件，2)工艺，还是3)制造设备。这对于生产质量的提高和高均质化的推进来说成为较大的课题。
另外，太阳能电池的半导体基板分为将两面设为受光面的基板和将一个面设为受光面而在另一面形成电极的基板。而且，太阳能电池的受光面的面积尽可能大对于发电效率来说是有利的。因此，对太阳能电池的半导体基板的表面的正面和背面，几乎都实施加工处理。因此，对于太阳能电池的半导体基板的原料的晶片，能够印出用于确定单体的信息的面积受限。总之，一般地，在太阳能电池的半导体基板的原料的晶片表面，不存在印出人能够识别的尺寸的文字的程度的空间。
并且，太阳能电池的单体制造流程中包含多个蚀刻工序和成膜工序。因此，也存在在作为原料的晶片上标记的信息经过这些工序而消失的问题。
因此，本发明为了解决上述以往的问题，而提供具有读取率提高的点标记的半导体基板。
例如，通过将本发明的半导体基板作为太阳能电池的半导体基板的原料，使得太阳能电池单体制造流程中的各工序下的信息的读取成为可能。如果能够读取各工序下的半导体基板的信息，则能够进行单体制造流程中的1枚1枚单体的工艺管理和工序管理。由此，能够促进生产质量的提高和高均质化的推进。
解决问题的方案
即，本发明之一涉及以下所示的具有点标记的半导体基板。
[1]半导体基板，具有由倒锥台状的凹部构成的多个点标记，所述多个点标记构成配置于0.25mm2～9mm2的矩形区域的二维码，所述半导体基板表面的所述凹部的口径W为20μm～200μm，且大于所述凹部的底面的直径w，并且小于所述半导体基板的厚度，所述点标记的所述凹部的深度小于所述半导体基板的厚度，所述凹部的侧面具有4个以上的梯形的平坦的锥面，所述锥面的锥角相对于所述半导体基板表面在44°～65°的范围。
[2]如[1]所述的半导体基板，其中，所述凹部的在所述半导体基板表面处的形状是四边形，且所述凹部的底面的形状是四边形或八边形。
[3]如[1]所述的半导体基板，其中，所述凹部的在所述半导体基板表面处的形状是八边形，且所述凹部的底面的形状是四边形或八边形。
[4]如[1]所述的半导体基板，其中，所述半导体基板标明有由所述多个点标记表示的信息码。
[5]如[1]所述的半导体基板，其中，所述半导体基板标明有由所述多个点标记表示的文字信息。
[6]如[1]所述的半导体基板，其中，所述多个点标记配置于所述半导体基板的边缘部。
[7]如[1]所述的半导体基板，其中，所述多个点标记构成16×16点图案或18×18点图案。
本发明之二涉及以下所示的具有点标记的半导体基板及太阳能电池单体的制造方法。
[8]上述[1]所述的半导体基板的制造方法，包括：准备半导体基板的工序；以及对所述半导体基板的表面照射激光来形成多个凹部的工序。
[9]如[8]所述的制造方法，其中，还包括对形成有所述多个凹部的半导体基板进行湿式蚀刻的工序。
[10]如[8]所述的制造方法，其中，所述半导体基板是单晶硅片。
[11]如[8]所述的制造方法，其中，所述半导体基板是(100)单晶硅片。
[12]包含上述[1]所述的半导体基板的太阳能电池单体的制造方法，包括：准备半导体基板的工序；对所述半导体基板的表面照射激光来形成由凹部构成的多个点标记的工序；对形成有所述凹部的半导体基板进行湿式蚀刻的工序；以及在形成有所述凹部的基板上设置作为太阳能电池单体所需要的部件的工序，在所述太阳能电池单体的制造方法所包含的工序中的任意一个工序之后，读取由多个凹部构成的点标记。
发明效果
本发明的半导体基板具有读取精度高的多个点标记，而且多个点标记构成二维码。因此，半导体基板(例如硅晶片)管理中的标记读取率高，而且，能够将各种信息标明于半导体基板上。通过使用本发明的半导体基板，能够以晶片为单位将晶片制造工序、太阳能电池的单体制造工序、太阳能电池的组件制造工序、及太阳能电池设置环境下的跟踪工序等全部工序与在各工序投入的全部晶片建立关联。总之，能够构建可追溯性系统和生产管理系统。
附图说明
图1是表示一例硅晶片上描绘的由点构成的二维标记码的图。
图2是硅片上描绘的点标记的立体图。
图3是表示硅晶片上描绘的点标记的内侧面的倾斜角度的图。
图4是表示硅晶片上描绘的点标记的凹部的口径和深度、底面的直径的图。
图5是表示对硅晶片照射激光而形成的凹部的状态的图(图5A～图5C)和该凹部构成的数据矩阵的由读取装置读取的图像(图5D)。
图6是表示对通过对硅晶片照射激光而形成的凹部进行湿式蚀刻而形成的凹部的状态的图(图6A～图6C)和该凹部构成的数据矩阵的由读取装置读取的图像(图6D)。
图7是表示硅晶片上所描绘的点标记的图案的图。
具体实施方式
1.关于具有点标记的半导体基板
本发明的半导体基板上标明了由点标记表示的信息。典型地，利用有无点的图案标明了构成信息的码，更具体而言是二维码。将所标明的码利用工序内所设置的读取装置进行读取，由此，提高包含半导体基板的器件(例如，太阳能电池)的生产流程中的工序管理精度。
本发明的半导体基板在其表面具有多个由倒锥状或倒锥台状的凹部、更优选是倒锥台状的凹部构成的点标记。所谓倒锥状的凹部是指在底部具有顶点的凹部，所谓倒锥台状的凹部是指在底部具有面的凹部。
本发明的半导体基板优选为硅晶片，更优选为晶体取向(100)的硅晶片。另外，根据其用途适当地设定具有点标记的半导体基板的厚度，但是，在作为太阳能电池的半导体基板而使用的情况下，通常优选为100μm～200μm的范围。
在1的半导体基板上形成有多个由凹部构成的点标记。例如，在半导体基板上形成有16×16点或18×18点的标记，也可以在1的半导体基板上形成多个16×16点或18×18点的标记。由此，构成了二维码。优选构成二维码的点标记的全部是具有底面的倒锥台状的凹部(参照图2A)。
点标记可以形成在半导体基板的表面的任意位置，但是以如下方式设定点标记的位置，即标记的读取容易，不会由于进行标记而影响半导体基板的质量，且所形成的点标记不会在半导体基板的后加工工序中消失等。由于是这些方面，通常将点标记配置于半导体基板表面的边缘部，优选配置在角部。
图1A、图1B中，表示了在半导体基板的角部形成有多个点标记的状态。在图1A中，在半导体基板(单晶硅片001)的表面印出了由多个点标记构成的称为数据矩阵的二维码005。同样地，在图1B中，在半导体基板(单晶硅片006)的表面印出了由多个点标记构成的称为数据矩阵的二维码010。
二维码005及010分别配置在矩形区域内。矩形区域的面积优选是0.25mm2～9mm2、例如优选大约为1mm2。在二维码005及010中，优选在矩形区域内形成了16×16点或18×18点的标记。
配置有二维码005及010的矩形区域的边，相对于半导体基板(单晶硅片001及006)的四个边不是平行，而是倾斜45°。另外，半导体基板(单晶硅片006)的角的一部分被切除。
优选二维码005及010配置在半导体基板表面中对发电没有贡献或贡献程度低的区域。优选该区域的面积尽可能小。因此，优选如图1B所示那样，在具有与半导体基板的角部的切除部平行的边的矩形区域形成多个点标记。
对于构成点标记的凹部，要求利用读取装置进行读取时的读取精度高以及尽可能是微小的。
图2A、图2B中表示了形成于硅晶片(050、055)的由凹部构成的点标记的立体图。图2A中表示了由倒锥台状的凹部构成的点标记的例，在图2B中表示了倒锥状的点标记的例。优选，点标记如图2A所示那样是倒锥台状的凹部。这是因为利用读取装置进行读取的读取精度高。如图2A、图2B所示那样，所谓倒锥状的凹部是指底部具有顶点的凹部，所谓倒锥台状的凹部是底部具有面的凹部。
如图2A、图2B所示，构成点标记的凹部的侧面呈锥形，相对于基板表面倾斜。凹部的侧面具有4个以上的梯形的锥面(单晶硅(111)面052)(图2A)或具有4个以上的三角形的锥面(单晶硅(111)面057)(图2B)。
图3A、图3B中表示了构成点标记的凹部的截面图。图3A表示了由倒锥台状的凹部构成的点标记的例，图3B表示了倒锥状的点标记的例。在任一例中，凹部的侧面(062、063)都相对于基板表面倾斜。如放大图064所示那样，倾斜角度065典型地在54°～55°的范围，优选其偏差066为±10°。因此，优选倾斜角度065在44°～65°的范围。
通过适当地设定倾斜角度065，利用光学读取装置读取时的读取精度提高。通过对构成点标记的凹部的内侧面赋予倾斜角度065，能够将晶片表面的点形状未加工部和点形状加工部设为明部和暗部进行区别。倾斜角度065越大，则点形状未加工部和点形状加工部之间的明暗差别越明确，因此利用读取装置的读取越容易。因此，优选倾斜角度065为44°以上。
另一方面，若倾斜角度065过大，则为了使构成点标记的凹部的开口口径为一定尺寸以上，也需要使凹部的深度为过大。为了使凹部的深度过大，也需要使半导体基板的厚度过大，这不是希望的。因此，优选倾斜角度065在44°～65°的范围。
用于读取点标记的光学读取装置利用环形照明从点标记部的上方对点标记照射光，将点形状未加工部和点形状加工部设为明部和暗部进行区别。根据环形照明的直径和照明设置距离、照明照度，其明暗部的反差也不同。根据凹部的内侧面的倾斜角度065和该角度的偏差来选定环形照明并设定设置位置即可。
图4A、图4B表示构成点标记的凹部的截面图。图4A是由倒锥台状的凹部构成的点标记的截面图，图4B是由倒锥状的凹部构成的点标记的截面图。如图4A、图4B所示，优选构成点标记的凹部的开口口径(半导体基板表面上的凹部的口径)W在20μm～200μm的范围内。另外，优选凹部的开口口径W比半导体基板的厚度T小。另外，构成点标记的凹部的深度H比所述半导体基板的厚度T小即可，但是优选在20μm以上。而且，优选凹部的底面的直径w在20μm以下。
可以通过设定凹部的开口口径W、深度H及底面的直径w来提高读取装置的点标记读取精度。总之，使光学读取装置在照明照射时的光的反射和吸收稳定，其结果，能够提高点标记的读取率。如上所述，与由倒锥状的凹部构成的点标记相比，由倒锥台状的凹部构成的点标记的读取精度或读取率容易提高。因此，优选构成二维码的全部的点标记的凹部是倒锥台状。
如后所述，通过调整利用激光照射形成于半导体基板表面的凹部的开口口径和深度，或调整蚀刻时间，能够调整凹部的开口口径W、深度H及底面的直径w。
可以利用形成于半导体基板表面的多个点标记，在半导体基板上标明作为代表性二维码的数据矩阵及QR码(注册商标)，或其他使用点形成的文字信息或记号。而且，可以将这些标明于极其微小的区域。例如，在使用于太阳能电池的制造中的情况下，标明于半导体基板的信息包含生产地点的信息、生产线的信息、要制造的太阳能电池的品种的信息或生产时刻的信息等。
2.关于具有点标记的半导体基板的制造方法
本发明的具有点标记的半导体基板的制造方法包括：1)准备半导体基板的工序；以及2)对半导体基板的表面照射激光来形成多个凹部的工序，优选还包括3)对形成有凹部的基板进行湿式蚀刻的工序。
所准备的半导体基板如上所述，优选是单晶硅片，优选是晶体取向(100)的单晶硅片。不对其厚度特别地进行限定，根据最终的器件中所包含的半导体基板的设定厚度，准备所希望的厚度的半导体基板即可。
对半导体基板的表面照射激光来形成凹部。没有特别限定，但是，使用绿色激光器加工机进行凹部的形成即可。所谓绿色激光器是输出振荡波长为532nm附近的绿光的激光器。
如后所述，对通过激光照射形成有凹部的半导体基板进行多个蚀刻工序或成膜工序。而且，凹部的形状(深度及开口口径等)经过蚀刻工序或成膜工序后发生变化。因此，对通过激光照射而形成的凹部的口径和深度进行调整，以使由包含多个蚀刻工序和成膜工序的全部工序后的凹部构成的点标记能够读取。
另外，通过激光照射而形成的凹部的形状例如是图5A所示那样的圆形，但是，不特别地进行限定，也可以是四边形或长方形等矩形或其他形状。
将通过激光照射而形成的凹部011的例表示于图5A～图5C。图5A是从凹部011的上方观看的SEM图像，图5B、图5C是示意性地表示沿图5A中A-A线的凹部011的截面的图。如图5A～图5C所示，在凹部011的周围产生了毛刺(031、033)。
另外，凹部011的内侧面有时如图5B的凹部的截面图所示，形成为“平滑的曲面”，但是，也有时，如图5C的凹部的截面图所示，形成为含有多个凹凸的曲面，具有凸部034。
将利用光学读取装置读取由图5A所示的凹部011构成的点标记而得到的图像表示于图5D。图5D的左图是读取装置读取到的码照片，图5D的右图是应该读取的码图。根据图5D的左图可知，光学读取装置读取到的码照片不清楚，难以读取。其理由之一是，在凹部011存在毛刺(031、033，参照图5B、图5C)，或在凹部的内侧面存在“含有多个凹凸的曲面(参照图5C)”，从而使反射光漫反射。
因此，对通过激光照射而形成有凹部011的半导体基板进行湿式蚀刻，由此使凹部011的形状最优化。用于湿式蚀刻的蚀刻液根据半导体基板的种类而不同，在是晶体取向(100)的硅晶片的情况下，优选是碱蚀刻液。
通过利用碱蚀刻液对形成有凹部011的半导体基板进行处理(例如，浸渍于碱蚀刻液中)，从而去除凹部011的毛刺(031、033)，而且，使凹部011的内侧面平坦。
利用碱蚀刻液的半导体基板的蚀刻是在太阳能电池的生产工序中必然进行的工序。例如，在通常的硅太阳能电池的制造流程中，对市面销售的硅片的损坏层(加工变质层)或氧化物层，进行碱湿式蚀刻。可以与该碱蚀刻配合地对通过激光照射形成的凹部011的形状进行加工。
通过碱蚀刻液，晶体取向(100)硅晶片被各向异性地蚀刻。具体而言，晶体取向(111)的面(图2A中的052、图2B中的057)比晶体取向(100)的面(图2A中的051和053，图2B中的056)和晶体取向(221)的面(图2A中的054)容易蚀刻。因此，利用激光照射而形成的凹部011通过碱蚀刻成为图6A～图6C所示的凹部014。
图6A是蚀刻后的凹部014的从上方观看的SEM图像，图6B、图6C是示意性地表示沿图6A中B-B线的凹部014的截面的图。如图6A、图6B和图6C所示，在凹部014不存在毛刺，凹部014的内侧面(041、042)为平坦的锥面。
这样，利用激光在单晶硅片上印出的凹部011(参照图5)那样的、毛刺或凹凸明显的点形状经过蚀刻工序后，成为凹部014(参照图6)那样的、无毛刺而具有平坦的倾斜面的点形状。
将利用光学读取装置读取由图6A所示的凹部014构成的点标记而得到的图像表示于图6D。图6D的左图是读取装置读取到的码照片，图6D的右图是应该读取的码图。与图5D和图5D比较可知，由凹部014构成的点标记的利用光学读取装置读取的码照片比由凹部011构成的点标记的利用光学读取装置读取的码照片清楚。
如以上所述，本发明通过湿式蚀刻使利用激光照射形成的凹部中存在的毛刺消失的同时，使存在凹凸的凹部的侧面为平坦的倾斜面，从而形成为所希望的形状的凹部。由此，凹部的形状的偏差变小，光的反射方向也被规定。由此，利用由凹部构成的点标记所印出的码的读取时间缩短，码的读取率提高。
通过在太阳能电池的生产工序中必然进行的进一步的碱湿式蚀刻，对凹部014进一步进行形状加工。其情况表示于图7。图7中上图表示从上方观察到的凹部的形状，图7中下图表示上图的虚线处的凹部截面。
首先，通过激光照射而形成的凹部011(图5参照)经过最初的碱蚀刻工序而形成了凹部014(参照图6)。凹部014的形状可以表示为P1。但是，根据通过激光照射而形成的凹部011的形状(凹部011的口径和深度等)或碱蚀刻工序的条件的不同，也有可能成为P2～P5中任意一个所示的凹部。
所形成的凹部014的形状通过进一步的碱湿式蚀刻，多数情况下按顺序从P1的状态转变到P2、P3、P4、P5的状态，但是也有时，例如，按P1→P4→P5的顺序转变，或按P1→P2→P3→P5的顺序转变。
图7的P1所示的凹部的开口部及底面都是八边形。凹部的侧面至少包含4个梯形的平坦的锥面和在梯形的平坦的锥面彼此之间存在的矩形的面。另外，P1所示的凹部的侧面也可以包含除此之外的面。例如，在P1-1和P1-2中，具有自开口部的与基板表面垂直的侧面，在P1-2和P1-4中，具有自底面的与基板表面垂直的侧面。
图7的P2所示的凹部的开口部是四边形，底面是八边形。通过对P1所示的凹部进一步进行碱蚀刻，使其开口部的形状发生变化，从而成为P2所示的凹部。除了开口部是四边形以外，与P1所示的凹部相同。
图7的P3所示的凹部的开口部是四边形，底面是八边形或四边形。凹部的侧面具有4个梯形的平坦的锥面。P3所示的凹部与P2所示的凹部的侧面不同，梯形的平坦锥面彼此之间不存在矩形的面。其他方面与P2所示的凹部相同。
图7的P4所示的凹部的开口部是八边形，底部具有顶点。图7的P5所示的凹部的开口部是四边形，底部具有顶点。这样，随着蚀刻程度增加，凹部的底部存在的面消失。如上述那样，与P4～P5所示那样的具有顶点的倒锥状的凹部相比，P1～P3所示那样的具有底面的倒锥台状的凹部的通过读取装置读取时的读取精度容易提高。
这样，凹部的形状在每次经过蚀刻工序时都发生变化，另外，经过成膜工序后凹部的深度发生变化。因此，事先取得各蚀刻工序的蚀刻量或成膜工序下的成膜厚度，根据事先取得的数据调整通过激光照射所形成的凹部的形状(开口口径和深度)，以形成所希望的凹部。由此，能够保证直至最后工序能够稳定地读取由凹部构成的点标记。
实施例
准备了太阳能电池用单晶硅片。所准备的单晶硅片的晶体取向是(100)，晶片厚度是180μm。
在单晶硅片的角部，利用绿色激光器加工机(绿色激光标记器LP-G系列，松下电工SUNX株式会社，波长532nm)形成多个凹部，从而印出由点形状表达的被称为数据矩阵的二维码。形成于单晶硅片的凹部的口径以50μm为目标，凹部的深度以60μm为目标。将通过激光加工而形成的凹部的形状表示于图5A的SEM照片。
在本实施例中，将通过激光印出的数据矩阵码配置在1mm×1mm的矩形区域内。将点数(单体数)设为16×16进行了印字。印有数据矩阵的位置如图1A的005或图1B的010所示。
对利用激光印出了数据矩阵的单晶硅片进行了湿式蚀刻。作为蚀刻液，使用含碱水溶液，将单晶硅片浸渍于其中来进行蚀刻。
湿式蚀刻后的凹部的形状如图6A的SEM照片所示。图6A所示的凹部的内壁面的角度约为54°～55°。
分别对印有由通过激光加工而形成的凹部构成的数据矩阵码的晶片100枚，和对其实施湿式蚀刻而印有数据矩阵码的晶片100枚，测定通过光学读取装置读取时的读取率。
在利用光学读取装置的读取中，通过环形照明对数据矩阵码进行了照射。使用了直径具有20mm～50mm的宽度的环形照明。另外，将环形照明的设置距离设为85mm。
选择印有数据矩阵码的晶片100枚中的任意1枚，调整照明条件以使其适于所选择的1枚晶片上印有的数据矩阵码的读取，并进行算法调整后，进行了读取。以调整后的条件，进行剩余的99枚晶片印有的数据矩阵码的读取。然后，确认100枚晶片中几枚晶片印有的数据矩阵码被读取出。重复实施该确认多次。
其结果，只是通过激光加工印出的数据矩阵码的读取率为30%～50%，相对于此，通过进一步进行湿式蚀刻而印出的数据矩阵码的读取率为99%以上。
工业实用性
本发明的具有标记的半导体基板所附加的点标记可利用光学读取装置稳定地读取。而且，能够将本发明的具有标记的半导体基板所附加的点标记附加于极小的区域内。因此，根据本发明的具有标记的半导体基板，能够进行具有半导体基板的太阳能电池(例如硅太阳能电池)的制造工序管理。
并且，除了太阳能电池的制造工序管理以外，还能够对各种用途的半导体基板附加信息。例如，也可以适用于以往印出了文字信息的半导体工序的半导体晶片的管理。
另外，通过在半导体基板(硅晶片)上将点标记以较窄的间距形成为矩阵状，能够规则地形成纹理构造。通过控制激光加工的挖掘深度，能够控制在湿式蚀刻后形成的纹理的尺寸。
标号说明
001、006 单晶硅片
005、010 二维码印字
011、014 凹部
031、033 激光加工时的凹部的毛刺
034 激光加工时的凹部的侧面上的凸部
041、042 蚀刻后的凹部的侧面
050、055 单晶硅片
051、056 单晶硅(100)面
052、057 单晶硅(111)面
053 单晶硅(100)面
054 单晶硅(221)面
062、063凹部的侧面
064 放大图
065 倾斜角度
066 偏差
W 凹部开口口径
H 凹部深度
w 凹部的底面的直径
T 半导体基板的厚度

Claims (12)

1.半导体基板，具有由倒锥台状的凹部构成的多个点标记，
所述多个点标记构成配置于0.25mm2～9mm2的矩形区域的二维码，
所述半导体基板表面的所述凹部的口径W为20μm～200μm，且大于所述凹部的底面的直径w，并且小于所述半导体基板的厚度，
所述点标记的所述凹部的深度小于所述半导体基板的厚度，
所述凹部的侧面具有4个以上的梯形的平坦的锥面，所述锥面的锥角相对于所述半导体基板表面在44°～65°的范围。
2.如权利要求1所述的半导体基板，
所述凹部的在所述半导体基板表面处的形状是四边形，且所述凹部的底面的形状是四边形或八边形。
3.如权利要求1所述的半导体基板，
所述凹部的在所述半导体基板表面处的形状是八边形，且所述凹部的底面的形状是四边形或八边形。
4.如权利要求1所述的半导体基板，
所述半导体基板标明有由所述多个点标记表示的信息码。
5.如权利要求1所述的半导体基板，
所述半导体基板标明有由所述多个点标记表示的文字信息。
6.如权利要求1所述的半导体基板，
所述多个点标记配置于所述半导体基板表面的边缘部。
7.如权利要求1所述的半导体基板，
所述多个点标记构成16×16点图案或18×18点图案。
8.权利要求1所述的半导体基板的制造方法，包括：
准备半导体基板的工序；以及
对所述半导体基板的表面照射激光来形成多个凹部的工序。
9.如权利要求8所述的制造方法，
还包括对形成有所述多个凹部的半导体基板进行湿式蚀刻的工序。
10.如权利要求8所述的制造方法，
所述半导体基板是单晶硅片。
11.如权利要求8所述的制造方法，
所述半导体基板是(100)单晶硅片。
12.包含权利要求1所述的半导体基板的太阳能电池单体的制造方法，包括：
准备半导体基板的工序；
对所述半导体基板的表面照射激光来形成由凹部构成的多个点标记的工序；
对形成有所述凹部的半导体基板进行湿式蚀刻的工序；以及
在形成有所述凹部的基板上设置作为太阳能电池单体所需要的部件的工序，
在所述太阳能电池单体的制造方法所包含的工序中的任意一个工序之后，读取由多个凹部构成的点标记。
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