CN103427023A - 氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法。所述氧化物薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。

Description

氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管(TFT)，更具体地，涉及氧化物TFT、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法。 
背景技术
在显著增长的平板显示器市场，主要的应用对象是电视产品。目前，液晶显示器(LCD)是TV面板的主流并且正在积极地开展将有机发光显示器件应用于TV的研究。 
目前的TV显示技术关注于市场所需的主要项目，并且市场需求包括大尺寸TV或数字信息显示器(DID)、低成本、高画质(视频表现性能、高分辨率、亮度、对比度、色饱和度等)。 
为了满足这些需求，需要可作为转换和驱动元件而应用于性能优异的显示器且不增加成本以及不增加诸如玻璃的基板尺寸等的薄膜晶体管(TFT)。 
因此，根据这种趋势，预期未来的技术发展关注于确保能够以制造低成本来制造性能优异的显示面板的TFT制造技术。 
非晶硅TFT(a-Si TFT)作为显示器的传统的驱动和转换元件是目前普遍使用的元件，其可以低成本地均匀形成在尺寸超过2m的大基板上。 
然而，随着显示器趋于大尺寸和高画质，需要高器件性能，并因此，确定现有的迁移率为0.5cm2/Vs的a-Si TFT已经达到极限。 
因此，需要迁移率比a-Si TFT更高的高性能TFT及其制造技术。另外，a-Si TFT存在可靠性的问题，因为随着其持续操作，器件特性持续劣化而造成无法维持初始性能。 
这是a-Si TFT难以应用于有机发光二极管(OLED)器件的原因，因为相比于由AC驱动的LCD，OLED器件操作的同时持续施加电流。 
相比于a-Si TFT，具有显著高性能的多晶硅TFT具有从几十到几百cm2/Vs的高迁移率，因此，其具有可应用于现有a-Si TFT难以实现的高画质显示器的性能并且相比于a-Si TFT，器件特性很少由于操作而劣化。然而，相比于a-Si TFT，多-Si TFT（poly-Si TFT，p-Si TFT）的制造需要大量的工序并且首先需要对于额外设备的投资。 
因此，可适当地应用p-Si TFT来制造具有高画质的显示器，或者可将p-Si TFT应用于诸如OLED等的产品，但是p-Si TFT比现有的a-Si TFT成本更高，因此其应用有限。 
特别地，在p-Si TFT情形下，由于诸如制造设备受限或均匀性缺陷的技术问题，目前尚未实现使用尺寸为1m的大基板的制造工艺，因此p-SiTFT应用于TV产品的难度成为在市场上难以轻易地专注于高性能p-Si TFT的一项因素。 
因此，对于可支持a-Si TFT的优势（大尺寸、低成本和均匀性）和高性能及可靠性的优势的需求正在高涨，并且正积极开展着对于新TFT技术的研究。氧化物半导体是其中典型的一种。 
氧化物半导体的优势在于比a-Si TFT具有高迁移率和比多晶硅(p-Si)TFT具有更简单的制造工艺和更低的制造成本，因此，它在LCD或OLED中具有高利用价值。 
在这一观点上，将参照图1和图2来描述使用氧化物半导体的现有技术的氧化物TFT的结构。 
图1是现有技术的氧化物TFT的平面图。 
图2是沿图1的线II-II的现有技术氧化物TFT的示意性截面图。 
图3是沿图1的线III-III的横截面图，示意性地示出栅极、有源层和蚀刻终止层相互重叠的状态。 
如图1-3所示，现有技术的氧化物TFT10包括构图在基板11上且具有一定宽度和长度的栅极13、形成在包括栅极13的基板11的整个表面上的栅绝缘层15、在栅绝缘层15上，于栅极13上方的由氧化物半导体形成且构图为具有预定形状的有源层图案17、形成在有源层17上并构图为具有预 定形状的蚀刻终止层19，以及在蚀刻终止层19的上部彼此间隔开的和形成在有源层17和栅绝缘层15上部的源极21和漏极23。 
在此，有源层17可由任一种氧化物半导体形成，包括IGZO、ITZO、IZO和AGZO。 
如图2的“A”所示，有源层17形成为延伸到栅极13的外部区域，使有源层17的一部分暴露到外部。因此，当将TFT应用于诸如LCD器件的显示器件时，自栅极13外部暴露的有源层17暴露于环境光，例如在基板下的背光单元提供的光。 
另外，如图3的“B”所示，有源层17不完全被源极21和漏极覆盖并且其一部分暴露到外部。因此，当将TFT应用于诸如有机发光二极管(OLED)器件时，从OLED器件内的有机发光层散射-反射的一部分光通过有源层17的上暴露部进入有源层17。 
如上所示，在现有技术的氧化物TFT结构中，现有的非晶硅TFT(a-SiTFT)或多晶硅TFT(多-Si TFT)不会因光照射而造成元件劣化，因此形成TFT而不限制结构，其中考虑到加工边界，形成大的有源层17并且源极21和漏极23在沟道宽度方向完全覆盖有源层。 
然而，在使用现有技术的氧化物半导体的TFT情形下，当照射光时，元件可能会劣化。因此，当如图1所示，有源层17形成为大于栅极13时，有源层17直接暴露于从基板11的下部提供的光，例如来自背光，使元件的可靠性劣化。 
另外，现有的有源层17形成为大于源极21和漏极23，暴露到外部的一部分有源层17被暴露于在元件内散射-反射的光，以使元件的可靠性劣化。 
特别地，不同于非晶硅(a-Si)或多晶硅(多-Si)半导体特性，当光照射氧化物半导体时，氧化物半导体的特性改变。因此，当向具有此种氧化物半导体的TFT施加负偏压时，阈值电压在负方向快速偏移，使可靠性劣化。 
因此，当将使用氧化物半导体的现有技术的TFT技术应用为使用背光的液晶显示面板或使用补偿像素的OLED器件的元件时，由于从有机发光层产生的光的散射-反射，不能正常驱动元件。 
发明内容
本发明的一方面提供一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法，所述TFT能够阻止从元件外部或内部提供的光入射到有源层，从而增强元件可靠性。 
本发明的另一方面提供一种氧化物薄膜晶体管(TFT)制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法，所述TFT通过使用以蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖有源层图案的结构，使得从背光或外部进入的光的散射-反射程度最小。 
本发明的另一方面提供一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，所述TFT能改通过降低光的散射-反射而增强元件可靠性，并且在TFT上滤色器结构中，通过用虚拟滤色器层图案覆盖TFT部作为非像素区，能改改善阈值电压(Vth)。 
根据本发明的一方面，提供一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，包括：形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 
根据本发明的另一方面，提供一种制造氧化物薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在基板上形成栅极；在包括栅极的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成有源层图案，使得该有源层图案完全覆盖栅极；在有源层图案和栅绝缘层上形成蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和漏极覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案。 
根据本发明的另一方面，提供一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的有机发光二极管(OLED)显示器件（或有机电致发光器件），包括：限定了非像素区和发光区的下基板；形成在下基板的非像素区的薄膜晶体管（TFT）；形成在包括TFT的下基板的整个表面上的钝化层；形成在下基板的发光区的钝化层上的多个滤色器层；形成在下基板的非像素区的钝化层 上的虚拟滤色器层；形成在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上的有机绝缘层；形成在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上并暴露出TFT的漏极的漏极接触孔；形成在有机绝缘层上并通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；形成在下基板的非像素区的有机绝缘层上的堤岸层；形成在包括第一电极的下基板的整个表面上的有机发光层；以及与有机发光层的上部贴合的上基板，在上基板上形成有第二电极，所述薄膜晶体管包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 
根据本发明的另一方面，提供一种制造包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的有机发光二极管显示器件的方法，所述方法包括：提供限定了非像素区和发光区的下基板；在下基板的非像素区形成薄膜晶体管（TFT），所述TFT包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极；在包括TFT的下基板的整个表面上形成钝化层；在下基板的发光区的钝化层上形成多个滤色器层；在下基板的非像素区的钝化层上形成虚拟滤色器层；在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上形成有机绝缘层；在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上形成暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；在有机绝缘层上形成通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；在下基板的非像素区的有机绝缘层上形成堤岸层；在包括第一电极的下基板的整个表面上形成有机发光层；以及将上基板与有机发光层的上部贴合，在上基板上形成有第二电极。 
根据本发明的另一方面，提供一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的液晶显示器件，包括：分别限定了非像素区和像素区的下基板和上基板；形成在下基板的非像素区中的TFT；形成在包括薄膜晶体管的下基板的整个表面上的钝化层；形成在下基板的像素区的钝化层上的多个滤色器层；形成在 下基板的非像素区的钝化层上的虚拟滤色器层；形成在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上的有机绝缘层；形成在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上并暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；形成在有机绝缘层上并通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；形成在上基板的非像素区中的黑矩阵和形成在包括黑矩阵的上基板的整个表面上的公共电极；以及形成在下基板和上基板之间的液晶层，所述TFT包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 
根据本发明的氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法具有下述优点。 
在根据本发明的氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法中，由于使用了栅极的线宽度大于有源层的线宽度以阻断直接从基板的下表面入射的光，并且蚀刻终止层图案、源极和漏极完全覆盖有源层图案以防止由于入射光的散射-反射而造成的额外劣化这样的结构，可以防止由于光的散射-反射造成的元件可靠性的劣化。 
另外，在根据本发明的氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法中，在TFT上的滤色器(COT)结构中，由于虚拟滤色器层覆盖TFT区以形成滤色器层作为非显示区，光的散射-反射和阈值电压Vth降低，提高了元件可靠性。 
在下面的描述中将列出本发明的其它特征和优点，这些特征和优点将从下面贴合附图的描述中显而易见。 
附图说明
图1是示出现有技术的氧化物薄膜晶体管(TFT)结构的平面图。 
图2是沿图1的线II-II的现有技术氧化物TFT的示意性截面图。 
图3是沿图1的线III-III的横截面图，示意性地示出栅极、有源层图案和蚀刻终止层图案的重叠状态。 
图4示出本发明一个实施方式的氧化物TFT的结构的平面图。 
图5是沿图4的线V-V的横截面图，示意性地示出本发明一个实施方式的氧化物薄膜晶体管(TFT)。 
图6A-6H示出制造本发明一个实施方式的氧化物TFT的工艺的截面图。 
图7是平面图，示出在本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器件中，子像素集中到一起以形成一个像素的概念。 
图8是沿图7的线VIII-VIII的横截面图，示意性地示出本发明另一是实施方式的有机发光二极管显示器件。 
图9A-9M示出制造本发明另一实施方式的包括氧化物TFT的有机发光二极管显示器件的工艺的截面图。 
图10是本发明另一实施方式的包括氧化物TFT的液晶显示器件的示意性横截面图。 
具体实施方式
参照附图，详细描述本发明实施方式的氧化薄膜晶体管(TFT)结构。 
图4示出本发明一个实施方式的氧化物TFT的结构的平面图。 
图5是沿图4的线V-V的横截面图，示意性地示出本发明一个实施方式的氧化物薄膜晶体管(TFT)。 
如图4和5所示，根据本发明实施方式的氧化物TFT100包括形成在基板101上的栅极103a；形成在包括栅极103a的基板101的整个表面上的栅绝缘层107；在栅极103a上方，于栅绝缘层107上形成且完全覆盖栅极103a的有源层图案109a；形成在有源层图案109a和栅绝缘层107上的蚀刻终止层图案111a，以及在包括蚀刻终止层图案111a和有源层图案109a的栅绝缘层107上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案111a的两侧和下面的有源层图案109a的源极121和漏极123。 
在此，栅极103a可由硅、玻璃、塑料或任何其他适合的材料制成，或者可由金属或任何其他适合的导电材料制成。例如，栅极103a可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物 (IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成栅极103a的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
另外，栅绝缘层107可由选自由二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和铋-锌-铌-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)组成组的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料制成。 
有源层图案109是在源极121和漏极123之间用于形成允许电子在其中通过的沟道的层，有源层图案109由包括硅(Si)的氧化物半导体形成，而不是低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)材料。 
在这种情形下，氧化物半导体可通过向包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成组的一种或多种的氧化物半导体中添加硅(Si)而获得。例如，有源层图案109a可由通过向复合铟锌氧化物(InZnO)中添加硅离子所获得的硅铟锌氧化物(Si-InZnO(SIZO))制成。 
当有源层图案109是由SIZO制成时，在有源层图案中的硅(Si)原子与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子总含量的组成比可在约0.001wt%至约30wt%的范围。随着硅(Si)原子含量增加，有源层图案109控制电子产生的作用加强，潜在地会降低迁移率，但元件稳定性可能会更好。 
同时，除了前述材料，有源层图案109可进一步包括I族元素如锂(Li)或钾(K)，II族元素如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，III族元素如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)或钇(Y)，IV族元素如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)，V族元素如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb),或可进一步包括镧系元素如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)。 
另外，蚀刻终止层图案111a可由选自包括二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料中的任一种制成。 
另外，源极121和漏极123是由与栅极相同的材料制成。即，源极121和漏极123可由金属或任何其他导电材料制成。例如，源极121和漏极123可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成源极121和漏极123的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
在此，栅极103a的线宽度可大于有源层图案109a的线宽度，并且有源层图案109a完全覆盖栅极103a。 
另外，蚀刻终止层图案111a覆盖有源层图案109a和栅极103a，并且如图4所示，蚀刻终止层图案111a的水平部延伸至有源层图案109a的外部。 
源极121和漏极123覆盖蚀刻终止层图案111a的两侧以及下面的有源层图案109a和栅极103a。 
因此，有源层图案109a的上部完全被蚀刻终止层图案111a、源极121和漏极123覆盖，而且有源层图案109a的下部完全被栅极103a覆盖。 
以此方式，为了阻断从基板的下侧直接入射的光，栅极103a的线宽度形成为大于有源层109a的线宽度，并且为了防止由于入射光的散射-反射的劣化，有源层图案109a完全被蚀刻终止层图案111a、源极121和漏极123覆盖，由此防止由于光的散射-反射造成的元件可靠性劣化。 
同时，将参照附图详细描述制造具有如上所述结构的本发明的氧化物TFT的方法。 
图6A-6H是示出本发明一个实施方式的氧化物TFT的制造工艺的截面图。 
参照图6A，通过溅射法，在基板101上沉积用于栅极的第一导电材料以形成第一导电层103，在其上使用通过使用光刻通过第一掩模工序涂覆第一感光层（未示出）并构图以形成第一感光层图案105。 
在此情形下，第一导电层103可由硅、玻璃、塑料或任何其他适合的材料制成，或者可由金属或任何其他适合的导电材料制成。例如，栅极103a可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成第一导电层103的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
下文，参照图6B，通过使用第一感光层图案105作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻第一导电层103以形成栅极103a。 
随后，参照图6C，移除第一感光层图案105，并且在包括栅极103a的基板的整个表面上形成栅绝缘层107。在此情形下，栅绝缘层107可由选自由二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和铋-锌-铌-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)组成组的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料制成。 
随后，通过使用氧化物半导体材料，在栅绝缘层107上顺序形成有源层图案109和蚀刻终止层图案111，并且在其上覆盖第二感光层113。在此，有源层图案109是在源极121和漏极123之间用于形成允许电子在其中通过的沟道的层，有源层图案109由包括硅(Si)的氧化物半导体形成，而不是LTPS或非晶硅(a-Si)材料。 
在此，氧化物半导体可通过向包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成组的一种或多种的氧化物半导体中添加硅(Si)而获得。例如，有源层图案109a可由通过向复合铟锌氧化物(InZnO)中添加硅离子所获得的硅铟锌氧化物(Si-InZnO(SIZO))制成。 
当有源层图案109是由SIZO制成时，在有源层图案中的硅(Si)原子与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子总含量的组成比可在约0.001wt%至约30wt%的范围。随着硅(Si)原子含量增加，有源层图案109控制电子产生的作用加强，潜在地会降低迁移率，但元件稳定性可能会更好。 
同时，除了前述材料，有源层图案109可进一步包括I族元素如锂(Li)或钾(K)，II族元素如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，III族元素如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)或钇(Y)，IV族元素如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)，V族元素如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb),或可进一步包括镧系元素如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)。 
另外，蚀刻终止层图案111可由选自包括二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料中的任一种制成。 
随后，参照图6C，使用半色调掩模115，通过光刻来执行曝光工序。在此，半色调掩模115包括第一阻光图案115a和第二阻光图案115b。第一阻光图案115a用于阻挡整个光，而第二阻光图案115b用于允许一部分光经其透射而阻断其他剩余部分的光。 
此后，参照图6D，通过显影工序移除经曝光工序被光透射的第二感光层113部以形成具有不同厚度的第二感光层图案113a和113b。 
随后，如图6E所示，通过使用第二感光层图案113a和113b作为蚀刻掩模，选择性地移除蚀刻终止层图案111和有源层图案109以在栅绝缘层107上，在栅极103a上方形成有源层图案109a。在此，有源层图案109a的线宽度小于栅极103a的线宽度并且完全覆盖栅极103a。因此，通过栅极103a防止有源层图案109a直接暴露于从基板外部入射的光。 
此后，参照图6F，执行灰化工序以完全移除第二感光层图案113a和113b中的第二感光层图案113b。在此，也一起移除一部分的第二感光层图案113a。另外，随着第二感光层图案113b被完全移除，一部分的下蚀刻终止层图案111暴露于外部。 
此后，使用第二感光层图案113a作为蚀刻掩模对蚀刻终止层图案111的暴露部分进行选择性地蚀刻，以形成蚀刻终止层图案111a。在此，蚀刻终止层图案111a的水平部延伸至包括有源层图案109a的沟道区的外部区域。 
随后，参照图6G，移除第二感光层图案113a，通过溅射法在包括蚀刻终止层图案111a的整个表面上沉积第二导电层117，然后，在其上涂覆第 三感光层图案（未示出）。在此，与栅极103a一样，第二导电层117可由金属或任何其他适合的材料形成。例如，第二导电层117可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成漏极123的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
此后，使用光刻工艺技术，通过掩模工序构图第三感光层图案（未示出）以形成第三感光层图案119。 
随后，参照图6H，通过使用第三感光层图案119，选择性地蚀刻第二导电层117以形成源极121和漏极123，由此完成本发明的氧化物TFT的制造工艺。在此，源极121和漏极123覆盖蚀刻终止层图案111a的两侧以及下面的有源层图案109a和栅极103a。 
因此，有源层图案109a的上部被蚀刻终止层图案111a、源极121和漏极123完全覆盖，而有源层图案109a的下部被栅极103a完全覆盖。 
以此方式，由于栅极103a的线宽度形成为大于有源层图案109a的线宽度，以阻断从基板的下侧直接入射的光并且有源层图案109a被蚀刻终止层图案111a、源极121和漏极123完全覆盖，以阻断由于入射光的散射-反射的额外劣化，可以防止由光的散射-反射造成的元件可靠性的劣化。 
因此，在本发明的氧化物TFT及其制造方法中，由于有源层图案是由包括硅的氧化物半导体制成，它的电子迁移率高且单位制造成本降低。另外，由于制造有源层图案的工艺可以在室温进行，因此可以有助于该工艺。 
根据本发明一个实施方式的氧化物TFT结构可应用于各种电子元件，例如，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等的平板显示器的驱动元件或转换元件，或者用于配置存储设备的外周电路的元件。 
下文，将参照图7和图8来描述根据本发明另一实施方式的具有氧化物TFT的有机发光二级管显示器件。 
图7是平面图，示出在本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器件中，子像素集中到一起以形成一个像素的概念。 
图8是沿图7的线VIII-VIII的横截面图，示意性地示出本发明另一是实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器件。 
如图7所示，根据本发明另一实施方式的OLED显示器件包括发射红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)色光的多个子像素，并且R、G、B和W子像素构成单个像素P。 
同时，如图8所示，根据本发明另一实施方式的OLED显示器件200可根据所发光的透射方向而分类为上部发光型OLED显示器件和下部发光型OLED显示器件。下文，将描述下部发光型OLED显示器件作为实例。 
另外，为了说明的目的，将形成驱动TFT（未示出）的区域定义为驱动区（DA）、形成堤岸部231的区域定义为非像素区（NA），以及形成滤色器层217、219和221的区域定义为发光区(PA)。 
如图8所示，本发明另一个实施方式的OLED显示器件200包括限定了非像素区NA和发光区PA的下基板201；形成在下基板201的非像素区NA的薄膜晶体管(TFT)(T)并包括栅极203；形成在包括栅极203的下基板201的整个表面上的栅绝缘层205；在栅极203上方，于栅绝缘层205上形成且完全覆盖栅极203的有源层图案207a；形成在有源层图案207a和栅绝缘层205上的蚀刻终止层图案209a，以及在包括蚀刻终止层图案209a和有源层图案207a的栅绝缘层205上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案209a的两侧和下面的有源层图案207a的源极211和漏极213。形成在包括TFT (T)的下基板的整个表面上的钝化层215；形成在下基板201的发光区PA的钝化层215上的多个滤色器层217、219和221；形成在下基板201的非像素区NA的钝化层215上的虚拟滤色器层217a；形成在包括滤色器层217、219和221以及虚拟滤色器层217a的下基板201的整个表面上的有机绝缘层233；形成在有机绝缘层233、虚拟滤色器层217a和钝化层215上并暴露出TFT (T)的漏极213的漏极接触孔（参见图9I的227）；形成在有机绝缘层233上并通过漏极接触孔227与漏极213电连接的第一电极229；形成在下基板201的非像素区NA的有机绝缘层233上的堤岸层231；形成在 包括第一电极229的下基板201的整个表面上的有机发光层233；以及与有机发光层233的上部贴合的上基板251，在上基板251上形成有第二电极253。 
在此，尽管未示出，例如，TFT (T)可以是包括转换TFT和驱动TFT的底栅型TFT并且由氧化物半导体形成。TFT(T)也可形成为顶栅型TFT。 
TFT(T)的栅极203可由硅、玻璃、塑料或任何其他适合的材料制成，或者可由金属或任何其他适合的导电材料制成。例如，栅极203可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成栅极203的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
另外，栅绝缘层205可选自选自由二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和铋-锌-铌-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)组成组的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料制成。 
有源层图案207a是在源极211和漏极213之间用于形成允许电子在其中通过的沟道的层，有源层图案207a由包括硅(Si)的氧化物半导体形成，而不是低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)材料。 
在这种情形下，氧化物半导体可通过向包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成组的一种或多种的氧化物半导体中添加硅(Si)而获得。例如，有源层图案207a可由通过向复合铟锌氧化物(InZnO)中添加硅离子所获得的硅铟锌氧化物(Si-InZnO(SIZO))制成。 
当有源层图案207a是由SIZO制成时，在有源层图案中的硅(Si)原子与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子总含量的组成比可在约0.001wt%至约30wt%的范围。随着硅(Si)原子含量增加，有源层图案207a控制电子产生的作用加强，潜在地会降低迁移率，但元件稳定性可能会更好。 
同时，除了前述材料，有源层图案207a可进一步包括I族元素如锂(Li)或钾(K)，II族元素如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，III族元素如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)或钇(Y)，IV族元素如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)，V族元素如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb),或可进一步包括镧系元素如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)。 
另外，蚀刻终止层图案209a可由选自包括二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料中的任一种制成。 
另外，源极211和漏极213是由与栅极203相同的材料制成。即，源极211和漏极213可由金属或任何其他导电材料制成。例如，像栅极203一样，源极121和漏极123可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成源极部211和漏极部213的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
在此，栅极203的线宽度可大于有源层图案207a的线宽度，并且有源层图案207a完全覆盖栅极203。 
另外，蚀刻终止层图案209a覆盖有源层图案207a和栅极203，并且蚀刻终止层图案209a的水平部延伸至有源层图案207a的外部。。 
源极211和漏极213覆盖蚀刻终止层图案209a的两侧以及下面的有源层图案207a和栅极203。 
因此，有源层图案207a的上部完全被蚀刻终止层图案209a、源极211和漏极213覆盖，而且有源层图案207a的下部完全被栅极203覆盖。 
以此方式，为了阻断从基板的下侧直接入射的光，栅极203的线宽度形成为大于有源层207a的线宽度，并且为了防止由于入射光的散射-反射的劣化，有源层图案207a完全被蚀刻终止层图案209a、源极211和漏极213覆盖，由此防止由于光的散射-反射造成的元件可靠性劣化。 
同时，R、G、B滤色器层217、219、221和未示出的W滤色器层是形成在下基板201的发光区PA中。 
包括R、G、B滤色器层217、219、221和未示出的W滤色器层的四个子像素组成单个像素P。 
另外，包括转换TFT和驱动TFT的TFT(T)形成在下基板201的非像素区NA，即驱动区DA中。由与R滤色器层217的材料相同的材料制成的虚拟滤色器层图案217a形成在的TFT(T)上部。在此，虚拟滤色器层图案217a可由与绿(G)和蓝(B)滤色器层的材料相同的材料，以及与红滤色器层217的材料相同的材料制成，并且在这种情形下，虚拟滤色器层图案217a可形成为单层或者可通过层压前述材料而形成。因此，由于虚拟滤色器层图案217a是形成在TFT(T)的上部，它吸收从有机发光层233发射的光，阻止光被散射-反射并入射到TFT内部，由此防止TFT劣化。 
有机发光层233可形成为由有机发光材料制成的单层或可形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发射材料层、电子传输层和电子注入层的多层以增强发光效率。 
在OLED显示器件200中，当根据所选色信号，向第一电极229和第二电极253施加预定电压时，从第一电极229注入的空穴和从第二电极253施加的电子传输到有机发光层233以形成激子，当激子从激发态转变到基态时，产生白光，并且随着白光穿过R、G、B滤色器层217、219、221和未示出的W滤色器层，它以全彩色的形式发射。 
将参照图9A-9M，描述制备按上述配置的本发明另一实施方式的OLED显示器件的方法。 
图9A-9M示出制造本发明另一实施方式的包括氧化物TFT的有机发光二极管显示器件的工艺的截面图。 
参照图9A，通过溅射法，在基板201上沉积用于栅极的第一导电材料以形成第一导电层（未示出），在其上使用通过使用光刻，通过第一掩模工序涂覆第一感光层（未示出）并构图以形成第一感光层图案（未示出）。 
在此情形下，第一导电层（未示出）可由硅、玻璃、塑料或任何其他适合的材料制成，或者可由金属或任何其他适合的导电材料制成。例如，栅极 可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成第一导电层的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
下文，参照图9B，通过使用第一感光层图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻第一导电层以形成栅极203。 
随后，移除第一感光层图案，并且在包括栅极203的基板的整个表面上形成栅绝缘层205。在此情形下，栅绝缘层205可由选自由二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和铋-锌-铌-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)组成组的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料制成。 
随后，通过使用氧化物半导体材料，在栅绝缘层205上顺序形成有源层图案207和蚀刻终止层图案209，并且在其上覆盖第二感光层（未示出）。在此，有源层图案207是在源极（未示出）和漏极（未示出）之间用于形成允许电子在其中通过的沟道的层，有源层图案207由包括硅(Si)的氧化物半导体形成，而不是LTPS或非晶硅(a-Si)材料。 
在此，氧化物半导体可通过向包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成组的一种或多种的氧化物半导体中添加硅(Si)而获得。例如，有源层图案207可由通过向复合铟锌氧化物(InZnO)中添加硅离子所获得的硅铟锌氧化物(Si-InZnO(SIZO))制成。 
当有源层图案207是由SIZO制成时，在有源层图案中的硅(Si)原子与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子总含量的组成比可在约0.001wt%至约30wt%的范围。随着硅(Si)原子含量增加，有源层图案207控制电子产生的作用加强，潜在地会降低迁移率，但元件稳定性可能会更好。 
同时，除了前述材料，有源层图案207可进一步包括I族元素如锂(Li)或钾(K)，II族元素如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，III族元素如镓(Ga)、铝 (Al)、铟(In)或钇(Y)，IV族元素如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)，V族元素如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb),或可进一步包括镧系元素如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)。 
另外，蚀刻终止层图案209可由选自包括二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料中的任一种制成。 
随后，使用半色调掩模（未示出），通过光刻来执行曝光工序。 
此后，如图9B所示，通过使用第二感光层图案(not shown)作为蚀刻掩模，选择性地移除蚀刻终止层图案209和有源层图案207以在栅绝缘层205上，在栅极203上方形成有源层图案207a。在此，有源层图案207a的线宽度小于栅极203的线宽度并且完全覆盖栅极203。因此，通过栅极203防止有源层图案207a直接暴露于从基板外部入射的光。 
此后，参照图9C，通过灰化工序选择性地蚀刻第二感光层图案（未示出），并且使用剩余的第二感光层图案（未示出）作为蚀刻掩模，对蚀刻终止层图案209的暴露部分进行选择性地蚀刻以形成蚀刻终止层图案209a。在此，蚀刻终止层图案111a的水平部延伸至包括有源层图案109a的沟道区的外部区域。 
随后，尽管未示出，移除第二感光层图案（未示出），通过溅射法在包括蚀刻终止层图案209a的整个表面上沉积第二导电层（未示出），然后，在其上涂覆第三感光层图案（未示出）。在此，与栅极203一样，第二导电层可由金属或任何其他适合的材料形成。例如，第二导电层可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成漏极213的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
此后，使用光刻工艺技术，通过掩模工序构图第三感光层图案（未示出）以形成第三感光层图案（未示出）。 
随后，参照图9D，通过使用第三感光层图案（未示出），选择性地蚀刻第二导电层（未示出）以形成源极211和漏极213，由此形成氧化物TFT。在此，源极211和漏极213覆盖蚀刻终止层图案209a的两侧以及下面的有源层图案207a和栅极203。 
因此，有源层图案207a的上部被蚀刻终止层图案209a、源极211和漏极213完全覆盖，而有源层图案207a的下部被栅极203完全覆盖。 
以此方式，由于栅极203的线宽度形成为大于有源层图案207a的线宽度，以阻断从基板的下侧直接入射的光并且有源层图案207a被蚀刻终止层图案209a、源极211和漏极213完全覆盖，以阻断由于入射光的散射-反射的额外劣化，可以防止由光的散射-反射造成的元件可靠性的劣化。 
此后，参照图9E，在下基板201的整个表面上形成由无机绝缘材料制成并包括硅的氮化物层的钝化层215。 
随后，在钝化层215上沉积红(R)滤色器材料后，使用掩模，在其上执行曝光工序，此后，通过显影工序选择性地移除红(R)滤色器材料层以在下基板的发光区PA中形成红(R)滤色器层217。在此，在下基板的发光区PA中形成红(R)滤色器层217时，在诸如红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)子像素的各子像素的非像素区NA（即驱动区DA）中形成的TFT(T)上形成虚拟滤色器层图案217a。虚拟滤色器层图案217a可由与绿(G)和蓝(B)滤色器层的材料相同的材料，以及与红滤色器层217的材料相同的材料制成，并且在这种情形下，虚拟滤色器层图案217a可形成为单层或者可通过层压前述材料而形成。 
因此，由于虚拟滤色器层图案217a是形成在TFT(T)的上部，它吸收从有机发光层233发射的光，阻止光被散射-反射并入射到TFT内部，由此防止TFT劣化。 
此后，以与形成红(R)滤色器层217相同的方式，在于其他子像素区对应的发光区PA中额外形成绿(G)和蓝(B)滤色器层219、221，并且不在与白(W)子像素相对应的发光区PA中形成滤色器层。在此，虚拟滤色器层图案217a可由与绿(G)和蓝(B)滤色器层的材料相同的材料，以及与红滤色器层 217的材料相同的材料制成，并且在这种情形下，虚拟滤色器层图案217a可形成为单层或者可通过层压前述材料而形成。 
此后，参照图9G，在包括多个滤色器层217、219和221和虚拟滤色器层图案217a的基板的整个表面上沉积有机绝缘层223， 
此后，参照图9H，使用掩模，执行曝光工序，此后，通过显影工序选择性地移除位于非像素区NA中的有机绝缘层223和下面的虚拟滤色器层图案217a以限定漏极接触孔区。在此，有机绝缘层223和下面的虚拟滤色器层图案217a没有感光材料特性，因此可不使用诸如光刻胶的材料在其上执行曝光工序。 
随后，参照图9I，选择性地蚀刻位于漏极接触孔区中的暴露的钝化层215以形成暴露出漏极213的漏极接触孔227。 
此后，参照图9J，在包括漏极接触孔227的有机绝缘层223上沉积第三导电层（未示出）并且使用光刻工艺，通过掩模工序进行选择性地蚀刻以形成与漏极213电连接的第一电极229。 
随后，参照图9K，在包括第一电极229的有机绝缘层223上沉积绝缘层（未示出）并且使用光刻工艺，通过掩模工序进行选择性地蚀刻以形成堤岸层231。在此，堤岸层231形成在非像素区NA中以用于分开各子像素并使它们绝缘。 
此后，参照图9L，在包括堤岸层231的基板的整个表面上形成有机发光层233。在此，有机发光层233可形成为由有机发光材料制成的单层或可形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发射材料层、电子传输层和电子注入层的多层以增强发光效率。 
随后，参照图9M，在其上形成有第二电极253的上基板251贴合有机发光层233，由此完成本发明另一实施方式的OLED显示器件的制造工艺。 
在OLED显示器件200中，当根据所选色信号，向第一电极229和第二电极253施加预定电压时，从第一电极229注入的空穴和从第二电极253施加的电子传输到有机发光层233以形成激子，当激子从激发态转变到基态时，产生白光，并且随着白光穿过R、G、B滤色器层217、219、221和未示出的W滤色器层，它以全彩色的形式发射。 
将参照图10描述本发明另一实施方式的具有氧化物TFT的LCD器件。 
图10是本发明另一实施方式的包括氧化物TFT的液晶显示器件的示意性横截面图。 
如图10所示，本发明另一个实施方式的包括氧化物薄膜晶体管(TFT)的OLED显示器件300包括：分别限定了非像素区和像素区的下基板301和上基板351；形成在下基板301的非像素区中的薄膜晶体管(TFT)；形成在包括TFT的下基板的整个表面上的钝化层315；形成在下基板的像素区的钝化层315上的多个滤色器层317、319和321；形成在下基板的非像素区的钝化层315上的虚拟滤色器层317a；形成在包括滤色器层317、319和321以及虚拟滤色器层317a的下基板的整个表面上的有机绝缘层323；形成在有机绝缘层323、虚拟滤色器层317a和钝化层315上并暴露出TFT的漏极的漏极接触孔（未示出）；形成在有机绝缘层323上并通过漏极接触孔与漏极313电连接的第一电极327；形成在上基板的非像素区中的黑矩阵353和形成在包括黑矩阵的上基板的整个表面上的公共电极355；以及形成在下基板301和上基板331之间的液晶层331，所述薄膜晶体管(TFT)包括栅极303；形成在包括栅极303的下基板301的整个表面上的栅绝缘层305；在栅极303上方，于栅绝缘层305上形成且完全覆盖栅极303的有源层图案307a；形成在有源层图案307a和栅绝缘层305上的蚀刻终止层图案309a，以及在包括蚀刻终止层图案309a和有源层图案307a的栅绝缘层305上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案309a的两侧和下面的有源层图案307a的源极311和漏极313。 
在此，尽管未示出，例如，TFT(T)可以是包括转换TFT和驱动TFT的底栅型TFT并且由氧化物半导体形成。TFT(T)也可形成为顶栅型TFT。 
TFT(T)的栅极303可由硅、玻璃、塑料或任何其他适合的材料制成，或者可由金属或任何其他适合的导电材料制成。例如，栅极303可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于 形成栅极303的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
另外，栅绝缘层305可选自选自由二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和铋-锌-铌-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)组成组的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料制成。 
有源层图案307a是在源极311和漏极313之间用于形成允许电子在其中通过的沟道的层，有源层图案307a由包括硅(Si)的氧化物半导体形成，而不是低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)材料。 
在这种情形下，氧化物半导体可通过向包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成组的一种或多种的氧化物半导体中添加硅(Si)而获得。例如，有源层图案307a可由通过向复合铟锌氧化物(InZnO)中添加硅离子所获得的硅铟锌氧化物(Si-InZnO(SIZO))制成。 
当有源层图案307a是由SIZO制成时，在有源层图案中的硅(Si)原子与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子总含量的组成比可在约0.001wt%至约30wt%的范围。随着硅(Si)原子含量增加，有源层图案控制电子产生的作用加强，潜在地会降低迁移率，但元件稳定性可能会更好。 
同时，除了前述材料，有源层图案307a可进一步包括I族元素如锂(Li)或钾(K)，II族元素如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，III族元素如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)或钇(Y)，IV族元素如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)，V族元素如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb),或可进一步包括镧系元素如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)。 
另外，蚀刻终止层图案309a可由选自包括二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料中的任一种制成。 
另外，源极311和漏极313是由与栅极303相同的材料制成。即，源极311和漏极313可由金属或任何其他导电材料制成。例如，像栅极303a一 样，源极311和漏极313可由选自由铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟(In2O3)组成组的任一种、它们中两种或更多种的组合或者任何其他适合的材料制成。另外，用于形成源极部311和漏极部313的材料可包括选自由铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)组成的导电金属组中的任一种，它们中两种或更多种的组合或任何其他适合的材料。 
在此，栅极303的线宽度可大于有源层图案307a的线宽度，并且有源层图案307a完全覆盖栅极303。 
另外，蚀刻终止层图案309a覆盖有源层图案307a和栅极303，并且蚀刻终止层图案309a的水平部形成为延伸至有源层图案307a的外部。 
源极311和漏极313覆盖蚀刻终止层图案309a的两侧以及下面的有源层图案307a和栅极303。 
因此，有源层图案307a的上部完全被蚀刻终止层图案309a、源极311和漏极313覆盖，而且有源层图案307a的下部完全被栅极303覆盖。 
以此方式，为了阻断从基板的下侧直接入射的光，栅极303的线宽度形成为大于有源层307a的线宽度，并且为了防止由于入射光的散射-反射的劣化，有源层图案307a完全被蚀刻终止层图案309a、源极311和漏极313覆盖，由此防止由于光的散射-反射造成的元件可靠性劣化。 
同时，R、G、B滤色器层317、319、321和未示出的W滤色器层是形成在下基板301的发光区PA中。 
包括R、G、B滤色器层317、319、321和未示出的W滤色器层的四个子像素组成单个像素P。 
另外，包括转换TFT和驱动TFT的TFT(T)形成在下基板301的非像素区，即驱动区中。由与R滤色器层317的材料相同的材料制成的虚拟滤色器层图案317a形成在的TFT(T)上部。在此，虚拟滤色器层图案317a可由与绿(G)和蓝(B)滤色器层的材料相同的材料，以及与红滤色器层317的材料相同的材料制成，并且在这种情形下，虚拟滤色器层图案317a可形成为单层或者可通过层压前述材料而形成。因此，由于虚拟滤色器层图案317a是 形成在TFT(T)的上部，它吸收光以防止光在LCD器件300内被散射-反射并入射到TFT内部，由此防止TFT劣化。 
如上所述，在根据本发明的氧化物薄膜晶体管、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法中，由于使用了栅极的线宽度大于有源层的线宽度以阻断直接从基板的下表面入射的光，并且蚀刻终止层图案、源极和漏极完全覆盖有源层图案以防止由于入射光的散射-反射而造成的额外劣化这样的结构，可以防止由于光的散射-反射造成的元件可靠性的劣化。 
另外，在根据本发明的氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法中，在TFT上的滤色器(COT)结构中，由于虚拟滤色器层覆盖TFT区以形成滤色器层作为非显示区，光的散射-反射和阈值电压Vth降低，提高了元件可靠性。 
因此，在用于具有根据本发明实施方式的氧化物TFT的LCD的阵列基板及其制造方法中，由于有源层图案是由包括硅的氧化物半导体制成，它的电子迁移率高且单位制造成本降低。另外，由于制造有源层图案的工艺可以在室温进行，因此可以有助于该工艺。 
可应用根据本发明实施方式的氧化物TFT来制造可替代现有的非晶硅TFT(a-Si TFT)或多晶硅TFT(多-Si TFT)的氧化物TFT器件。 
另外，根据本发明实施方式的氧化物TFT可应用于平板显示器，特别是基于TFT，需要转换和开关元件的LCD或OLED。 
最后，根据本发明实施方式的氧化物TFT可应用于使用LCD或OLED的平板显示器产品、手机、移动装置、笔记本电脑、显示器、TV产品等。 
上面具体地描述了各个方面，然而应将它们理解为优选的实施方式，而不是限制本发明的范围。例如，本发明所属领域的技术人员可以多种方式实现本发明TFT的组件以及改变其结构。 
另外，根据本发明的TFT也可应用于移动设备或逻辑设备，以及LCD或OLED，因此，落入权利要求书所界定的范围内的所有改变和修改，以及这些界定的等效内容都涵盖在本发明的范围内。 

Claims (18)

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：
形成在基板上的栅极；
形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；
在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；
形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及
在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。
2.根据权利要求1的氧化物薄膜晶体管，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。
3.根据权利要求1的氧化物薄膜晶体管，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。
4.一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，该方法包括：
在基板上形成栅极；
在包括栅极的基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在栅极上方，于栅绝缘层上形成有源层图案，使得该有源层图案完全覆盖栅极；
在有源层图案和栅绝缘层上形成蚀刻终止层图案，以及
在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和漏极覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案。
5.根据权利要求4的方法，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。
6.根据权利要求4的方法，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。
7.一种有机发光二极管显示器件，包括：
限定了非像素区和发光区的下基板；
形成在下基板的非像素区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极；
形成在包括薄膜晶体管的下基板的整个表面上的钝化层；
形成在下基板的发光区的钝化层上的多个滤色器层；
形成在下基板的非像素区的钝化层上的虚拟滤色器层；
形成在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上的有机绝缘层；
形成在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上并暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；
形成在有机绝缘层上并通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；
形成在下基板的非像素区的有机绝缘层上的堤岸层；
形成在包括第一电极的下基板的整个表面上的有机发光层；以及
与有机发光层的上部贴合的上基板，在上基板上形成有第二电极。
8.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。
9.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。
10.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中虚拟滤色器层图案由与滤色器层的滤色器材料相同的材料制成，或者具有不同滤色器材料堆叠的结构或者单层结构。
11.一种制造有机发光二极管显示器件的方法，所述方法包括：
提供限定了非像素区和发光区的下基板；
在下基板的非像素区形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极；
在包括薄膜晶体管的下基板的整个表面上形成钝化层；
在下基板的发光区的钝化层上形成多个滤色器层；
在下基板的非像素区的钝化层上形成虚拟滤色器层；
在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上形成有机绝缘层；
在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上形成暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；
在有机绝缘层上形成通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；
在下基板的非像素区的有机绝缘层上形成堤岸层；
在包括第一电极的下基板的整个表面上形成有机发光层；以及
将上基板与有机发光层的上部贴合，在上基板上形成有第二电极。
12.根据权利要求11的方法，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。
13.根据权利要求11的方法，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。
14.根据权利要求11的方法，其中虚拟滤色器层图案由与滤色器层的滤色器材料相同的材料制成，或者具有不同滤色器材料堆叠的结构或者单层结构。
15.一种包括氧化物薄膜晶体管的液晶显示器件，包括：
分别限定了非像素区和像素区的下基板和上基板；
形成在下基板的非像素区中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极；
形成在包括薄膜晶体管的下基板的整个表面上的钝化层；
形成在下基板的像素区的钝化层上的多个滤色器层；
形成在下基板的非像素区的钝化层上的虚拟滤色器层；
形成在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上的有机绝缘层；
形成在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上并暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；
形成在有机绝缘层上并通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；
形成在上基板的非像素区中的黑矩阵和形成在包括黑矩阵的上基板的整个表面上的公共电极；以及
形成在下基板和上基板之间的液晶层。
16.根据权利要求15的液晶显示器件，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。
17.根据权利要求15的液晶显示器件，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。
18.根据权利要求15的有机发光二极管显示器件，其中虚拟滤色器层图案由与滤色器层的滤色器材料相同的材料制成，或者具有不同滤色器材料堆叠的结构或者单层结构。
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