TW201349500A - 氧化物薄膜電晶體，薄膜電晶體之製造方法，具有薄膜電晶體之顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，一種薄膜電晶體(TFT)之製造方法，一種具有薄膜電晶體(TFT)之顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法。此種氧化物薄膜電晶體(TFT)包含：一閘極，形成於一基板上；一閘極絕緣層，形成於具有此閘極的基板之全部表面上；一主動層圖案，形成於閘極上方的閘極絕緣層上且與閘極完全地重疊；一蝕刻停止層圖案，形成於主動層圖案以及閘極絕緣層上；以及一源極及一汲極，形成於具有蝕刻停止層圖案與主動層圖案的此閘極絕緣層上並且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案及下方的主動層圖案之兩側相重疊。

Description

氧化物薄膜電晶體，薄膜電晶體之製造方法，具有薄膜電 晶體之顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種薄膜電晶體(TFT)，並且特別地，關於一氧化物薄膜電晶體，一薄膜電晶體之製造方法，具有一薄膜電晶體之顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法。
電視產品為在顯著增長的平板顯示市場中主要的應用目標。當前，一液晶顯示裝置(LCD)係作為一電視面板的主流，並且已經積極展開對電視的一有機發光顯示裝置的應用之研究。
目前的電視顯示技術集中於市場中需要的項目上，以及市場上的需求包含一大型的電視或數位資訊顯示器(DID)、成本低、高畫質(視訊表現性能、高分辨率、亮度、對比度、色域等)。
為了滿足這些需求，需要一薄膜電晶體(TFT)用作具有優良的性能而不會增加成本，以及增加一基板例如玻璃的大小等的一顯示裝置的切換與驅動元件。
因此，可預計未來的技術發展聚集於取得一薄膜電晶體(TFT)製造技術，能夠根據這種趨勢在低成本製造具有優良的性能的一顯示面板。
作為一顯示裝置典型的驅動及切換元件的一非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)為目前常用的元件，此元件可以低成本均勻地形成於具有超過2米尺寸的一大型基板上。
然而，由於顯示裝置需要傾向於具有一大尺寸與高畫面質量、高設備性能，並且因此，確定具有0.5 cm2/Vs移動性的現有的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)已達到一限制。
因此，需要移動性高於非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)之移動性的一高性能薄膜電晶體(TFT)及其製造技術。此外，非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)具有一可靠性問題的原因在於，因為它持續作業，因此裝置特性持續劣化以導致維持初始性能的故障。
這是非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)很少應用於有機發光二極體(OLED)裝置的原因，有機發光二極體(OLED)裝置相比較於透過交流電源驅動的液晶顯示裝置(LCD)，當電流連續地提供時運行。
相對於一非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)具有非常高性能的一多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)具有範圍從幾十至幾百cm2/Vs的高移動性，因此多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)具有可應用於幾乎不能夠透過現有的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)實現的高畫質的一顯示器之性能，並且根據相比較於非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)的一作業幾乎不劣降裝置性能。然而，相比較於非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)，一多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)的製造需要大量的製程且應首先進行輔助設備的投資。
因此，多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)可適合應用於使得一顯示裝置具有高畫質或應用於例如一有機發光二極體(OLED)等，但是在 成本方面不如現有的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)，因此多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)的一應用是有限的。
特別地，在一多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)的情況下，由於在製造設備的限制或均勻性的缺陷的一技術問題，使用具有1米(m)尺寸的一大型基板的製造過程到目前為止尚未實現，所以，多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)應用於一電視產品中的困難為高性能的多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)難以順利在市場中穩定下來的一個因素。
因此，對可支持非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)的優點(大尺寸、低成本、以及均勻性)與這些優點(高性能與高可靠性)的一新薄膜電晶體(TFT)技術的需求高度增加，並且對此種新薄膜電晶體(TFT)技術的研究一直在積極進行。一氧化物半導體為其中的一典型。
一氧化物半導體具有的優點為：相比較於一非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)具有高移動性且相比較於多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)具有更簡單的製程以及更低的製造成本，並且因此，氧化物半導體在一液晶顯示裝置(LCD)或一有機發光二極體(OELD)中具有一高實用價值。
從這個角度來看，將結合第1圖及第2圖描述實用一氧化物半導體的先前技術之一氧化物薄膜電晶體(TFT)之一結構。
第1圖係為根據先前技術之一氧化物薄膜電晶體(TFT)結構之平面圖。
第2圖係為沿第1圖之II-II線的，根據先前技術之氧化物薄膜電晶體(TFT)之剖視圖。
第3圖係為沿第1圖之III-III線之橫截面圖且表示彼此相重 疊的一閘極、一主動層、以及一蝕刻停止層之狀態。
如第1圖至第3圖所示，先前技術之氧化物薄膜電晶體(TFT)10包含：一閘極13，在一基板11上形成圖案且具有一確定的寬度及長度；一閘極絕緣層15，形成於具有閘極13的基板11的全部表面上；一主動層17，由一氧化物半導體形成於閘極13上方的閘極絕緣層15上且形成圖案以具有一預定的形狀；一蝕刻停止層19，形成於主動層17上且形成圖案以具有一預定形狀；以及一源極21及一汲極23，在蝕刻停止層19的一頂部彼此相間隔且形成於主動層17與閘極絕緣層15的頂部上。
這裡，主動層17可由包含氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銦鋅(IZO)以及氧化鋅鋁鎵(AGZO)的任何一種氧化物半導體製造。
正如第2圖中的區域「A」所示，主動層17形成為延伸至閘極13的一外部區域，因此主動層17的一部分暴露於外部。因此，當此薄膜電晶體(TFT)應用於一顯示裝置，例如一液晶顯示裝置(LCD)時，暴露於閘極13之外部的主動層17暴露於一環境光線，例如，供給至一基板下的一背光單元的光線。
此外，如同第3圖中的區域「C」所示，主動層17不完全透過源極21及汲極23覆蓋且主動層17的一部分暴露於外部。因此，當此薄膜電晶體(TFT)應用於一顯示裝置，例如有機發光二極體(OELD)裝置時，從有機發光二極體(OELD)中的一有機發光層散射-反射出的光線的一部分通過主動層17的一頂暴露部分進入主動層17。
如上所述，在根據先前技術的氧化物薄膜電晶體(TFT)中， 一現有的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)或一多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)免於根據光線照射的元件之劣降。因此此種薄膜電晶體(TFT)沒有限制地形成為一結構，此結構中一較大主動層17考慮一加工限度形成且源極21與汲極23在一通道寬度方向上完全覆蓋主動層。
然而，在根據先前技術使用氧化物半導體的薄膜電晶體(TFT)的之情況下，當照射光線時，元件可劣化。因此，當如第1圖所示主動層17形成為相比較於閘極13更大時，主動層17直接暴露於從基板11的底部提供的光線，例如從背光單元提供的光線，因此劣降元件的可靠性。
此外，現有的主動層17形成為相比較於源極21與汲極23更大，透過元件中散射-反射的光線暴露於外部的主動層17的一部分暴露，以劣降此元件的可靠性。
特別地，與非晶矽(a-Si)或多晶矽(p-Si)半導體特性不相同，並且當光線照射至此氧化物半導體時，此氧化物半導體的特性改變。因此，當一負偏壓提供至具有如此的一氧化物半導體的一薄膜電晶體(TFT)時，一閥值電壓在一反方向上迅速移位，因此劣降可靠性。
因此，當先前技術的使用氧化物半導體的薄膜電晶體(TFT)結構用作使用一背光的液晶面板或使用補償畫素的一有機發光二極體(OELD)裝置的元件時，此元件由於從有機發光層產生的光線的散射-反射因此不能夠正常地工作。
本發明之一方面提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，其透過防止從一元件的外部或內部供給的光線入射至一主動層能夠提高元件之 可靠性，還提供該薄膜電晶體(TFT)之製造方法，具有該薄膜電晶體(TFT)之一顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法。
本發明之另一方面提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，其透過使用一蝕刻停止層圖案、一源極、以及一汲極覆蓋一主動層圖案的一結構來最小化從一背光或外部進入的光線之散射-反射程度、能夠提高元件之可靠性，還提供該薄膜電晶體(TFT)之製造方法，具有該薄膜電晶體(TFT)之一顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法。
本發明之再一方面提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，其透過由於薄膜電晶體上彩色濾光層(color filter on TFT,COT)結構中的一彩色濾光層中，使用虛擬彩色濾光層圖案覆蓋作為一非畫素區域的一薄膜電晶體部分，光線的散射-反射與一閥值電壓(Vth)降低能夠提高元件的可靠性。
根據本發明之一方面，提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，包含：一閘極，形成於一基板上；一閘極絕緣層，形成於具有此閘極的基板之全部表面上；一主動層圖案，形成於閘極上方的閘極絕緣層上且與閘極完全地重疊；一蝕刻停止層圖案，形成於主動層圖案以及閘極絕緣層上；以及一源極及一汲極，形成於具有蝕刻停止層圖案與主動層圖案的此閘極絕緣層上並且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案及下方的主動層圖案之兩側相重疊。
根據本發明之另一方面，提供一種氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，包含以下步驟：形成一閘極於一基板上；形成一閘極絕緣層於具有此閘極的基板之全部表面上；形成一主動層圖案於閘極上方的閘極 絕緣層上，以使得主動層圖案完全地覆蓋閘極；形成一蝕刻停止層圖案於主動層圖案以及閘極絕緣層上；以及形成一源極及一汲極於具有蝕刻停止層圖案及主動層圖案的閘極絕緣層上，以使得源極及汲極與蝕刻停止層圖案以及下方的主動層圖案之兩側相重疊。
根據本發明之再一方面，提供一種具有氧化物薄膜電晶體(TFT)的有機發光二極體(OLED)顯示裝置(或一有機場致發光裝置)，包含：一底基板，其上定義一非畫素區域以及一發光區域；一薄膜電晶體(TFT)，形成於底基板的非畫素區域中並且包含：一閘極，形成於具有閘極的底基板之全部表面上的一閘極絕緣層，形成於閘極上方的閘極絕緣層上且與閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於主動層圖案與閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，形成於具有蝕刻停止層圖案與主動層圖案的閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案以及下方的主動層圖案之兩側相重疊；一鈍化層，形成於具有薄膜電晶體(TFT)的底基板的全部表面上；複數個彩色濾光層，形成於底基板的發光區域的鈍化層上；一虛擬彩色濾光層圖案，形成於底基板的非畫素區域之鈍化層上；一有機絕緣層，形成於具有這些彩色濾光層與虛擬彩色濾光層圖案的底基板之全部表面上；汲極接觸孔，形成於有機絕緣層、虛擬彩色濾光層圖案、以及鈍化層上，以及暴露薄膜電晶體(TFT)之汲極；一第一電極，形成於有機絕緣層上且通過汲極接觸孔與汲極電連接；一堤層，形成於底基板的非畫素區域之有機絕緣層上；一有機發光層，形成於具有第一電極的底基板之全部表面上；以及一頂基板，附加至有機發光層的一頂部且其上形成有一第二電極。
根據本發明之又一方面，提供一種具有氧化物薄膜電晶體(TFT)的有極發光二極體顯示裝置之製造方法，包含以下步驟：提供一底基板，底基板上定義一非畫素區域以及一發光區域；形成一薄膜電晶體(TFT)於底基板之非畫素區域中，此薄膜電晶體(TFT)包含：一閘極，形成於具有閘極的底基板之全部表面上的一閘極絕緣層，形成於閘極上方的閘極絕緣層上且與閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於主動層圖案與閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，形成於具有蝕刻停止層圖案與主動層圖案的閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案以及下方的主動層圖案之兩側相重疊；形成一鈍化層於具有薄膜電晶體(TFT)的底基板的全部表面上；形成複數個彩色濾光層於底基板的發光區域的鈍化層上，以及形成一虛擬彩色濾光層圖案於底基板的非畫素區域之鈍化層上；形成一有機絕緣層於具有這些彩色濾光層與虛擬彩色濾光層圖案的底基板之全部表面上；形成暴露此薄膜電晶體(TFT)之汲極的汲極接觸孔於有機絕緣層、虛擬彩色濾光層圖案、以及鈍化層上；形成一第一電極於有機絕緣層上，第一電極通過汲極接觸孔與汲極電連接；形成一堤層於底基板的非畫素區域之有機絕緣層上；形成一有機發光層於具有第一電極的底基板之全部表面上；以及將具有一第二電極的一頂基板附加至有機發光層的一頂部上。
根據本發明之又一方面，提供一種具有氧化物薄膜電晶體(TFT)之液晶顯示裝置，包含：一底基板及一頂基板，其上分別定義一非畫素區域以及一畫素區域；一薄膜電晶體(TFT)，形成於底基板的非畫素區域中並且包含：一閘極，形成於具有閘極的底基板之全部表面上的一閘 極絕緣層，形成於閘極上方的閘極絕緣層上且與閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於主動層圖案與閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，形成於具有蝕刻停止層圖案與主動層圖案的閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案以及下方的主動層圖案之兩側相重疊；一鈍化層，形成於具有薄膜電晶體(TFT)的底基板的全部表面上；複數個彩色濾光層，形成於底基板的發光區域的鈍化層上；一虛擬彩色濾光層圖案，形成於底基板的非畫素區域之鈍化層上；一有機絕緣層，係形成於具有這些彩色濾光層與虛擬彩色濾光層圖案的底基板之全部表面上；汲極接觸孔，形成於有機絕緣層、虛擬彩色濾光層圖案、以及鈍化層上，以及暴露此薄膜電晶體(TFT)之汲極；一畫素電極，形成於有機絕緣層上且通過此汲極接觸孔與汲極電連接；一黑矩陣，形成於頂基板之非畫素區域中，以及一共同電極，形成於具有黑矩陣的頂基板之全部表面上；以及一液晶層，形成於底基板與頂基板之間。
根據本發明之實施例之氧化物薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)之製造方法，具有該薄膜電晶體(TFT)之一顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法具有以下優點。
在根據本發明之實施例之氧化物薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)之製造方法，具有該薄膜電晶體(TFT)之一顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法的情況下，由於此結構中，使用閘極的一線寬度大於主動層圖案的一線寬度以遮擋從基板的一底側直接入射的光線，並且蝕刻停止層圖案、源極、以及汲極完全地覆蓋主動層圖案以防止由於入射光線的散射-反射產生的另外的劣降，因此能夠防止由於光線的散射-反射 產生的元件可靠性的劣降。
此外，在根據本發明之實施例之氧化物薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)之製造方法，具有該薄膜電晶體(TFT)之一顯示裝置，以及該顯示裝置之製造方法的情況下，由於薄膜電晶體上彩色濾光層(color filter on TFT,COT)結構中的彩色濾光層中，使用虛擬彩色濾光層圖案覆蓋作為一非畫素區域的一薄膜電晶體區域，因此光線的散射-反射與一閥值電壓(Vth)降低能夠提高元件的可靠性。
結合附圖部分，從本發明下面的詳細描述中本發明的上述和其它目的、特徵、方面和優點將變得更加顯而易見。
10、100‧‧‧氧化物薄膜電晶體(TFT)
11‧‧‧基板
13‧‧‧閘極
15‧‧‧閘極絕緣層
17‧‧‧主動層
19‧‧‧蝕刻停止層
21‧‧‧源極
23‧‧‧汲極
101‧‧‧基板
103‧‧‧第一導電層
103a‧‧‧閘極
105‧‧‧第一感光層圖案
107‧‧‧閘極絕緣層
109‧‧‧主動層圖案
109a‧‧‧主動層圖案
111‧‧‧蝕刻停止層圖案
111a‧‧‧蝕刻停止層圖案
113‧‧‧第二感光層
113a‧‧‧第二感光層圖案
113b‧‧‧第二感光層圖案
115‧‧‧半色調光罩
115a‧‧‧第一遮光圖案
115b‧‧‧第二遮光圖案
117‧‧‧第二導電層
119‧‧‧第三感光層圖案
121、211、311‧‧‧源極
123、213、313‧‧‧汲極
200‧‧‧有機發光二極體顯示裝置
201‧‧‧底基板
203‧‧‧閘極
205‧‧‧閘極絕緣層
207‧‧‧主動層圖案
207a‧‧‧主動層圖案
209‧‧‧蝕刻停止層圖案
209a、309a‧‧‧蝕刻停止層圖案
215、315‧‧‧鈍化層
217、317‧‧‧紅色(R)濾光層
217a、317a‧‧‧虛擬彩色濾光層圖案
219、319‧‧‧綠色(G)濾光層
221、321‧‧‧藍色(B)濾光層
223、323‧‧‧有機絕緣層
227‧‧‧汲極接觸孔
229、327‧‧‧第一電極
231‧‧‧堤層
233‧‧‧有機絕緣層
251‧‧‧頂基板
253‧‧‧第二電極
300‧‧‧液晶顯示裝置
301‧‧‧底基板
303‧‧‧閘極
305‧‧‧閘極絕緣層
307a‧‧‧主動層圖案
331‧‧‧頂基板
351‧‧‧頂基板
353‧‧‧黑矩陣
355‧‧‧共同電極
P‧‧‧畫素
PA‧‧‧發光區域
DA‧‧‧驅動區域
NA‧‧‧非畫素區域
T‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
A、C‧‧‧區域
R、G、B、W‧‧‧子畫素
第1圖係為根據先前技術之一氧化物薄膜電晶體(TFT)結構之平面圖。
第2圖係為沿第1圖之II-II線的，根據先前技術之氧化物薄膜電晶體(TFT)之剖視圖。
第3圖係為沿第1圖之III-III線之橫截面圖，表示一閘極、一主動層圖案、以及一蝕刻停止層之重疊狀態。
第4圖係為根據本發明一實施例之一氧化物薄膜電晶體(TFT)之結構之平面圖。
第5圖係為沿第4圖之V-V線之橫截面圖，示例性地表示根據本發明一實施例之一氧化物薄膜電晶體(TFT)。
第6A圖至第6H圖係為根據本發明一實施例的一氧化物薄膜電晶體(TFT)之一製造過程之剖視圖。
第7圖係為根據本發明另一實施例之一有機發光二極體顯示裝置中聚合成一單個畫素的子畫素之概念之平面圖。
第8圖係為沿第7圖之VIII-VIII線之橫截面圖，示意性表示根據本發明另一實施例之一有機發光二極體顯示裝置。
第9A圖至第9M圖係為根據本發明另一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體的一有機發光二極體(OLED)裝置之製造過程之剖視圖。
第10圖係為根據本發明再一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體(TFT)的一液晶顯示裝置(LCD)之橫截面圖。
將結合附圖部分詳細描述根據本發明之實施例的一氧化物薄膜電晶體(TFT)之結構。
第4圖係為根據本發明一實施例之一氧化物薄膜電晶體(TFT)之結構之平面圖。
第5圖係為沿第4圖之V-V線之橫截面圖，第5圖示例性地表示根據本發明一實施例之一氧化物薄膜電晶體(TFT)。
如第4圖及第5圖所示，根據本發明一實施例之一氧化物薄膜電晶體(TFT)100包含：一閘極103a，形成於一基板101上；一閘極絕緣層107，形成於具有閘極103a的基板101的全部表面上；一主動層圖案109a，形成於閘極103a上方的閘極絕緣層107上且完全與閘極103a重疊；一蝕刻停止層圖案111a，形成於主動層圖案109a與閘極絕緣層107上；以及一源極121及一汲極123，形成於具有蝕刻停止層圖案111a與主動層圖 案109a的閘極絕緣層107上且彼此相間隔，以及與蝕刻停止層圖案111a以及下方的主動層圖案109a的兩側相重疊。
這裡，閘極103a可由矽、玻璃、塑料、或任何適合材料製成，或者可由一金屬或任何適合的導電材料製成。舉例而言，閘極103a可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成閘極103a的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
此外，閘極絕緣層107可從由氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鋇-鍶-鈦-氧化合物(Ba-Sr-Ti-O)、以及一鉍-鋅-鈮-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
用於在源極121與汲極123之間形成允許電子在其中移動的一通道之層，主動層圖案109，由包含矽(Si)代替一低溫多晶矽(LTPS)或一非晶矽非晶矽(a-Si)的一氧化物半導體製成。
此種情況下，該氧化物半導體可透過將矽(Si)添加至具有從由鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鋁(Al)、 以及鋅(Zn)組成的一組中選擇的一個或更多的一氧化物半導體獲得。例如，主動層圖案109a可由透過將矽離子添加至一複合氧化銦鋅(InZnO)中獲得之矽銦鋅氧化物(Si-InZnO(SIZO))製成。
當主動層圖案109由矽銦鋅氧化物(SIZO)製成時，在該主動層圖案中矽(Si)原子含量對鋅(Zn)、銦(In)、以及矽(Si)原子的全部含量的組成比例為從大約0.001 wt%至大約30 wt%。隨著矽(Si)原子含量的增加，控制主動層圖案109電子的產生作用得到加強以潛在降低移動性，但元件的穩定性可更好。
同時，除了上述材料之外，主動層圖案109可進一步包含一I族元素，例如鋰(Li)或鉀(K)，一II族元素，例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)，一III族元素例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、或釔(Y)，一IV族元素例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、矽(Si)、錫(Sn)、或鍺(Ge)，一V族元素，例如鉭(Ta)、釩(V)、鈮(Nb)、或銻(Sb)，或可進一步包含鑭系元素例如鑭(La)、鈰(Ce)、镨(Pr)、釹(ND)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、钬(Ho)、鉺(Er)，铥(Tm)、鐿(Yb)、以及镥(Lu)。
而且，蝕刻停止層圖案111a可由具有二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料中選擇的任何一個製成。
此外，源極121與汲極123由與該閘極相同的材料製成。即，源極121與汲極123可由一金屬或任何其他導電材料製成。舉例而言，源極121與汲極123可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化 銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成源極121與汲極123的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
這裡，閘極103a的一線寬度可大於主動層圖案109a的一線寬度，並且主動層圖案109a完全與閘極103a相重疊。
此外，蝕刻停止層圖案111a與主動層圖案109a及閘極103a相重疊，並且蝕刻停止層111a的兩側形成為延伸直至主動層圖案109a的一外部區域。
源極121及汲極123與蝕刻停止層圖案111a以及下方的主動層圖案109a及閘極103a的兩側相重疊。
因此，主動層圖案109a的一頂部透過蝕刻停止層圖案111a、源極121、以及汲極123完全地覆蓋，並且主動層圖案109a的一底部透過閘極103a完全地覆蓋。
在此種方式下，為了阻擋直接從該基板的一底側入射的光線，閘極103a的一線寬度形成為大於主動層圖案109a的一線寬度，並且為了防止由於入射光線的散射-反射產生的一另外的劣化，主動層圖案109a透過蝕刻停止層圖案111a、源極121、以及汲極123完全地覆蓋，由此防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性降低。
同時，將結合附圖部分詳細描述具有上述結構的根據本發 明一實施例的一氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法。
第6A圖至第6H圖係為根據本發明一實施例的該氧化物薄膜電晶體(TFT)之一製造過程之剖視圖。
請參閱第6A圖，用於一閘極的一第一導電材料通過一噴鍍方法沉積於基板101上以形成一第一導電層103，通過使用光微影(photolithography)技術的一第一光罩製程在第一導電層103上塗覆一第一感光層且形成圖案以形成第一感光層圖案105。
此種情況下，第一導電層103可由矽、玻璃、塑料、或任何適合的材料製成，或者可由一金屬或任何適合的導電材料製成。舉例而言，閘極103a可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成第一導電層103的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
其後，請參閱第6B圖，第一導電層103透過使用第一感光層圖案105作為一蝕刻光罩被選擇性地蝕刻，以形成閘極103a。
隨後，請參閱第6C圖，去除第一感光層圖案105，並且閘極絕緣層107形成於具有閘極103a的基板的全部表面上。此種情況下，閘極絕緣層107可從由氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋯(ZrO2)、氧 化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鋇-鍶-鈦-氧化合物(Ba-Sr-Ti-O)、以及一鉍-鋅-鈮-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
隨後，主動層圖案109與蝕刻停止層圖案111透過使用一氧化物半導體材料在閘極絕緣層107上順次地形成，以及一第二感光層113塗覆於主動層圖案109與蝕刻停止層圖案111之上。這裡，用於在源極121與汲極123之間形成允許電子在其中移動的一通道之層，主動層圖案109，由包含矽(Si)代替一低溫多晶矽(LTPS)或一非晶矽非晶矽(a-Si)的一氧化物半導體製成。
這裡，該氧化物半導體可透過將矽(Si)添加至具有從由鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鋁(Al)、以及鋅(Zn)組成的一組中選擇的一個或更多的一氧化物半導體獲得。例如，主動層圖案109a可由透過將矽離子添加至一複合的氧化銦鋅(InZnO)中獲得之矽銦鋅氧化物(Si-InZnO(SIZO))製成。
當主動層圖案109由矽銦鋅氧化物(SIZO)製成時，在該主動層圖案中矽(Si)原子含量對鋅(Zn)、銦(In)、以及矽(Si)原子的全部含量的組成比例為從大約0.001 wt%至大約30 wt%。隨著矽(Si)原子含量的增加，控制主動層圖案109電子的產生作用得到加強以潛在降低移動性，但元件的穩定性可更好。
同時，除了上述材料之外，主動層圖案109可進一步包含一I族元素，例如鋰(Li)或鉀(K)，一II族元素，例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、 或鍶(Sr)，一III族元素例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、或釔(Y)，一IV族元素例如鈦(Ti)、鉻(Zr)、矽(Si)、錫(Sn)、或鍺(Ge)，一V族元素，例如鉭(Ta)、釩(V)、鈮(Nb)、或銻(Sb)，或可進一步包含鑭系元素例如鑭(La)、鈰(Ce)、镨(Pr)、釹(ND)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、钬(Ho)、鉺(Er)，铥(Tm)、鐿(Yb)、以及镥(Lu)。
而且，蝕刻停止層圖案111可由具有二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiNx)的一無機絕緣材料中選擇的任何一個製成。
隨後，請參閱第6C圖，通過使用一半色調光罩(half-tone mask)115的光微影執行一曝光製程。這裡，半色調光罩115包含一第一遮光圖案115a以及一第二遮光圖案115b。第一遮光圖案115a用於遮擋全部光線，以及一第二遮光圖案115b用以允許部分光線通過且遮擋光線的其餘部分。
其後，請參閱第6D圖，通過一顯影過程，去除通過曝光製程透射光線的第二感光層113的部分，用以形成具有不同厚度的第二感光層圖案113a及113b。
隨後，如第6E圖所示，透過使用第二感光層圖案113a及113b作為一蝕刻光罩選擇性地去除蝕刻停止層圖案111與主動層圖案109，用以在閘極103a上方的閘極絕緣層107上形成主動層圖案109a。這裡，主動層圖案109a具有的一線寬度小於閘極103a的線寬度且與閘極103a完全相重疊。因此，主動層圖案109a透過閘極103a防止直接暴露於從該基板的外部入射的光線。
其後，請參閱第6F圖，執行一灰化過程以在第二感光層圖案113a及113b之中完全去除第二感光層圖案113b。這裡，第二感光層圖案113a的一部分也一起去除。而且，由於第二感光層圖案113b被完全地去除，因此底部的蝕刻停止層圖案111的一部分暴露於外部。
其後，透過使用第二感光層圖案113a作為一蝕刻光罩選擇地蝕刻停止層圖案111的該暴露部分，用以形成蝕刻停止層圖案111a。
隨後，請參閱第6G圖，去除第二感光層圖案113a，第二導電層117通過一噴鍍方法沉積於具有蝕刻停止層圖案111a的該基板的全部表面上，並且然後，一第三感光層(圖未示)塗覆於第二導電層117上。這裡，類似於閘極103a，第二導電層117可由類似於閘極103a的一金屬或任何其他適當的材料製成。舉例而言，第二導電層117可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成汲極123的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料。
其後，一第三感光層(圖未示)通過使用一光微影製程技術的一光罩製程形成圖案以形成一第三感光層圖案119。
隨後，請參閱第6H圖，透過使用第三感光層圖案119選擇性地蝕刻第二導電層117以形成源極121及汲極123，由此完成根據本發明 一實施例之該氧化物薄膜電晶體(TFT)的該製程。這裡，源極121及汲極123與蝕刻停止層圖案111a的兩側以及下方的主動層圖案109a及閘極103a相重疊。
因此，主動層圖案109a的頂部透過蝕刻停止層圖案111a、源極121、以及汲極123完全地覆蓋，並且主動層圖案109a的一底部透過閘極103a完全地覆蓋。
此種方式下，由於閘極103a的該線寬度形成為大於主動層圖案109a的線寬度以遮擋從該基板的底側直接入射的光線且主動層圖案109a透過蝕刻停止層圖案111a、源極121、以及汲極123完全地覆蓋以防止由於入射光線的散射-反射產生的另外的劣降，因此能夠防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性的一劣降。
因此，在根據本發明之實施例的氧化物薄膜電晶體(TFT)及其製造方法中，由於該主動層圖案由具有矽的一氧化物半導體製成，因此具有高電子遷移率且一生產單元成本降低。而且，由於該主動層圖案的製造過程能夠在室溫下執行，因此能夠使得該製程容易。
根據本發明一實施例的氧化物薄膜電晶體(TFT)的結構可作為不同的電子元件，例如一平板顯示裝置例如一液晶顯示裝置(LCD)、一有機發光二極體(OLED)等的一驅動元件或一切換元件，或者配置一記憶體裝置的一外圍電路的元件使用。
以下，將結合第7圖及第8圖描述根據本發明另一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體(TFT)的一有機發光二極體顯示裝置。
第7圖係為根據本發明另一實施例之一有機發光二極體顯 示裝置中聚合成一單個畫素的子畫素之概念之平面圖。
第8圖係為沿第7圖之VIII-VIII線之橫截面圖，第8圖示意性表示根據本發明另一實施例之一有機發光二極體顯示裝置。
如第7圖所示，根據本發明另一實施例之一有機發光二極體顯示裝置包含組成一單個畫素P的發射紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)光線的複數個子畫素R、G、B、以及W。
如第8圖所示，根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示裝置200根據發射光線的一傳送方向可分類為一頂發射型有機發光二極體(OLED)顯示裝置以及一底發射型有機發光二極體(OLED)顯示裝置。以下，將以底發射型有機發光二極體(OLED)顯示裝置作為一實例描述。
此外，為了說明之目的，其中形成一驅動薄膜電晶體(TFT)(圖未示)的一區域定義為一驅動區域(DA)，其中形成一堤(bank)層231的一區域定義為一非畫素區域(NA)，以及其中形成彩色濾光層(紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層217、219、以及221)的一區域定義為一發光區域(PA)。
如第8圖所示，根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示裝置200包含：一底基板201，其上定義一非畫素區域NA以及一發光區域PA；一薄膜電晶體(TFT)(T)，形成於底基板201的非畫素區域NA中且包含一閘極203，形成於包含閘極203的底基板201的全部表面上的一閘極絕緣層205，形成於閘極203上方的閘極絕緣層205上且與閘極203完全相重疊的一主動層圖案207a，形成於主動層圖案207a與閘極絕緣層205 上的一蝕刻停止層圖案209a，形成於具有蝕刻停止層圖案209a與主動層圖案207a的閘極絕緣層205上且彼此相間隔，並且與蝕刻停止層圖案209a及主動層圖案207a的兩側相重疊的一源極211及一汲極213；一鈍化層215，形成於包含該薄膜電晶體(T)的底基板的全部表面上；複數個彩色濾光層(紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層217、219、以及221)，形成於底基板201的發光區域PA的鈍化層215上；一虛擬彩色濾光層圖案217a，形成於底基板201的非畫素區域NA的鈍化層215上；一有機絕緣層233，形成於具有彩色濾光層(紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層217、219、以及221)與虛擬彩色濾光層圖案217a的底基板201的全部表面上；汲極接觸孔(請參閱第9I圖之227)，形成於有機絕緣層233、虛擬彩色濾光層圖案217a、以及鈍化層215上，並且暴露該薄膜電晶體(T)的汲極213；一第一電極229，形成於有機絕緣層233上且通過汲極接觸孔227與汲極213電連接；一堤層231形成於底基板201的非畫素區域NA的有機絕緣層223上；一有機發光層233形成於具有第一電極229的底基板201的全部表面上；以及一頂基板251，附加至有機發光層233的一頂部且其上形成有一第二電極253。
這裡，雖然圖未示，舉例而言，該薄膜電晶體(T)可為具有一切換薄膜電晶體(TFT)與一驅動薄膜電晶體(TFT)的一底閘型薄膜電晶體且由一氧化物半導體製成。該薄膜電晶體(T)也可為一頂閘型薄膜電晶體。
該薄膜電晶體(T)的閘極203由矽、玻璃、塑料、或任何適合材料製成，或者可由一金屬或任何適合的導電材料製成。舉例而言， 閘極203可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成閘極203的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
此外，閘極絕緣層205可從由氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鋇-鍶-鈦-氧化合物(Ba-Sr-Ti-O)、以及一鉍-鋅-鈮-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
用於在源極121與汲極123之間形成允許電子在其中移動的一通道之層，主動層圖案207a，由包含矽(Si)代替一低溫多晶矽(LTPS)或一非晶矽非晶矽(a-Si)的一氧化物半導體製成。
此種情況下，該氧化物半導體可透過將矽(Si)添加至具有從由鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鋁(Al)、以及鋅(Zn)組成的一組中選擇的一個或更多的一氧化物半導體獲得。例如，主動層圖案207a可由透過將矽離子添加至一複合氧化銦鋅(InZnO)中獲得之矽銦鋅氧化物(Si-InZnO(SIZO))製成。
當主動層圖案207a由矽銦鋅氧化物(SIZO)製成時，在該 主動層圖案中矽(Si)原子含量對鋅(Zn)、銦(In)、以及矽(Si)原子的全部含量的組成比例為從大約0.001 wt%至大約30 wt%。隨著矽(Si)原子含量的增加，控制該主動層圖案的電子之產生作用得到加強以潛在降低移動性，但元件的穩定性可更好。
同時，除了上述材料之外，主動層圖案207a可進一步包含一I族元素，例如鋰(Li)或鉀(K)，一II族元素，例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)，一III族元素例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、或釔(Y)，一IV族元素例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、矽(Si)、錫(Sn)、或鍺(Ge)，一V族元素，例如鉭(Ta)、釩(V)、鈮(Nb)、或銻(Sb)，或可進一步包含鑭系元素例如鑭(La)、鈰(Ce)、镨(Pr)、釹(ND)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、钬(Ho)、鉺(Er)，铥(Tm)、鐿(Yb)、以及镥(Lu)。
而且，蝕刻停止層圖案209a可由具有二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料中選擇的任何一個製成。
此外，源極211與汲極213由與該閘極203相同的材料製成。即，源極211與汲極213可由類似於閘極203的一金屬或任何其他導電材料製成。舉例而言，源極211與汲極213可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成源極211與汲極213的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/ 鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
這裡，閘極203的一線寬度可大於主動層圖案207a的一線寬度，並且主動層圖案207a與閘極203完全相重疊。
此外，蝕刻停止層圖案209a與主動層圖案207a及閘極203相重疊。
源極211及汲極213與蝕刻停止層圖案209a以及下方的主動層圖案207a及閘極203的兩側相重疊。
因此，主動層圖案207a的一頂部透過蝕刻停止層圖案209a、源極211、以及汲極213完全地覆蓋，並且主動層圖案207a的一底部透過閘極203完全地覆蓋。
在此種方式下，為了阻擋直接從該基板的一底側入射的光線，閘極203的一線寬度形成為大於主動層圖案207a的一線寬度，並且為了防止由於入射光線的散射-反射產生的一另外的劣化，主動層圖案207a透過蝕刻停止層圖案209a、源極211、以及汲極213完全地覆蓋，由此防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性降低。
同時，該紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W) 濾光層217、219、221形成於底基板201的發光區域PA中。
具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)濾光層217、219、221(以及圖未示)的這四個子畫素組成一單個畫素P。
而且，具有一切換薄膜電晶體與一驅動薄膜電晶體的該薄膜電晶體(T)形成於底基板201的非畫素區域NA中，即，驅動區域DA 中。由與紅色(R)濾光層217相同的材料形成的一虛擬彩色濾光層圖案217a形成於該薄膜電晶體(T)之頂部。這裡，虛擬彩色濾光層圖案217a可由與綠色(G)及藍色(B)濾光層相同的材料，以及由與紅色(R)濾光層217相同的材料製成，並且此種情況下，虛擬彩色濾光層圖案217a可形成為一單個層或可透過層疊上述材料形成。因此，由於虛擬彩色濾光層圖案217a形成於該薄膜電晶體(T)之頂部，因此其吸收從有機發光層233發射出的光線，防止光線散射-反射且入射於該薄膜電晶體之內部，由此防止該薄膜電晶體劣降。
有機發光層233可形成為由發光材料製造的一單個層或可形成為一多個層，該多個層包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光材料層、一電子傳輸層、以及一電子注入層，用以提高發光效率。
在該有機發光二極體顯示裝置200中，當一預定電壓根據一選擇的彩色訊號提供至第一電極以及第二電極253時，由第一電極229注入的電洞以及由第二電極253提供的電子傳送至有機發光層233以形成激發子，並且當激發子從激發態躍遷至基態時，產生白色光，並且作為白色光線穿過的紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)濾光層217、219、221、(以及圖未示)，這是一全色形式的發射。
將結合第9A圖至第9M圖描述具有上述結構的根據本發明另一實施例之一有機發光二極體(OLED)裝置之製造方法。
第9A圖至第9M圖係為根據本發明另一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體的一有機發光二極體(OLED)裝置之製造過程之剖視圖。
請參閱第9A圖，用於一閘極的一第一導電材料通過一噴鍍 方法沉積於基板201上以形成一第一導電層(圖未示)，通過使用光微影(photolithography)技術的一第一光罩製程在第一導電層上塗覆一第一感光層(圖未示)且形成圖案以形成第一感光層圖案(圖未示)。
此種情況下，該第一導電層可由矽、玻璃、塑料、或任何適合的材料製成，或者可由一金屬或任何適合的導電材料製成。舉例而言，該閘極可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成該第一導電層的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
其後，請參閱第9B圖，該第一導電層透過使用第一感光層圖案作為一蝕刻光罩被選擇性地蝕刻，以形成該閘極。
隨後，去除第一感光層圖案，並且閘極絕緣層205形成於具有閘極203的基板的全部表面上。此種情況下，閘極絕緣層205可從由氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鋇-鍶-鈦-氧化合物(Ba-Sr-Ti-O)、以及一鉍-鋅-鈮-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
隨後，主動層圖案207與蝕刻停止層圖案209透過使用一氧 化物半導體材料在閘極絕緣層205上順次地形成，以及一第二感光層(圖未示)塗覆於主動層圖案207與蝕刻停止層圖案209之上。這裡，用於在源極(圖未示)與汲極(圖未示)之間形成允許電子在其中移動的一通道之層，主動層圖案207，由包含矽(Si)代替一低溫多晶矽(LTPS)或一非晶矽非晶矽(a-Si)的一氧化物半導體製成。
這裡，該氧化物半導體可透過將矽(Si)添加至具有從由鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鋁(Al)、以及鋅(Zn)組成的一組中選擇的一個或更多的一氧化物半導體獲得。例如，主動層圖案109a可由透過將矽離子添加至一複合的氧化銦鋅(InZnO)中獲得之矽銦鋅氧化物(Si-InZnO(SIZO))製成。
當主動層圖案207由矽銦鋅氧化物(SIZO)製成時，在該主動層圖案中矽(Si)原子含量對鋅(Zn)、銦(In)、以及矽(Si)原子的全部含量的組成比例為從大約0.001 wt%至大約30 wt%。隨著矽(Si)原子含量的增加，控制主動層圖案109電子的產生作用得到加強以潛在降低移動性，但元件的穩定性可更好。
同時，除了上述材料之外，主動層圖案207可進一步包含一I族元素，例如鋰(Li)或鉀(K)，一II族元素，例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)，一III族元素例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、或釔(Y)，一IV族元素例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、矽(Si)、錫(Sn)、或鍺(Ge)，一V族元素，例如鉭(Ta)、釩(V)、鈮(Nb)、或銻(Sb)，或可進一步包含鑭系元素例如鑭(La)、鈰(Ce)、镨(Pr)、釹(ND)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、钬(Ho)、鉺(Er)，铥(Tm)、鐿 (Yb)、以及镥(Lu)。
而且，蝕刻停止層圖案209可由具有二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiNx)的一無機絕緣材料中選擇的任何一個製成。
隨後，通過使用一半色調光罩(half-tone mask)(圖未示)的光微影執行一曝光製程。
隨後，如第6E圖所示，透過使用第二感光層圖案(圖未示)作為蝕刻光罩選擇性地去除蝕刻停止層圖案209與主動層圖案207，用以在閘極203上方的閘極絕緣層205上形成主動層圖案207a。這裡，主動層圖案207a具有的一線寬度小於閘極203的線寬度且與閘極203完全相重疊。因此，主動層圖案207a透過閘極203防止直接暴露於從該基板的外部入射的光線。
其後，請參閱第9C圖，通過一灰化過程選擇性地蝕刻第二感光層圖案(圖未示)，並且蝕刻停止層圖案209的暴露部分透過使用該保留的第二感光層圖案(圖未示)作為一蝕刻光罩被選擇性地蝕刻以形成一蝕刻停止層圖案209a。這裡，蝕刻停止層圖案209a形成為直至具有主動層圖案207a的一通道區域的一外部區域。
其後，透過使用第二感光層圖案113a作為一蝕刻光罩選擇地蝕刻停止層圖案111的該暴露部分，用以形成蝕刻停止層圖案111a。
隨後，雖然圖未示，去除第二感光層圖案(圖未示)，一第二導電層(圖未示)通過一噴鍍方法沉積於具有蝕刻停止層圖案209a的該基板的全部表面上，並且然後，一第三感光層(圖未示)塗覆於第二導電層(圖未示)上。這裡，類似於閘極203，該第二導電層可由類似於閘極203 的一金屬或任何其他適當的材料製成。舉例而言，第二導電層117可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成汲極123的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料。
其後，一第三感光層(圖未示)通過使用一光微影製程技術的一光罩製程形成圖案以形成一第三感光層圖案(圖未示)。
隨後，請參閱第9D圖，透過使用第三感光層圖案(圖未示)選擇性地蝕刻第二導電層(圖未示)以形成源極211及汲極213，由此形成一氧化物薄膜電晶體。這裡，源極211及汲極213與蝕刻停止層圖案209a的兩側以及下方的主動層圖案209a及閘極203相重疊。
因此，主動層圖案207a的頂部分透過蝕刻停止層圖案209a、源極211、以及汲極213完全地覆蓋，以及主動層圖案207a的底部分透過閘極203完全地覆蓋。
此種方式下，由於閘極203的該線寬度形成為大於主動層圖案207a的線寬度以遮擋從該基板的底側直接入射的光線且主動層圖案207a透過蝕刻停止層圖案209a、源極211、以及汲極213完全地覆蓋以防止由於入射光線的散射-反射產生的另外的劣降，因此能夠防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性的一劣降。
其後，請參閱第9E圖，由一無機絕緣材料形成且包含一氮化矽層的鈍化層215形成於底基板201的全部表面上。
隨後，在一紅色(R)濾光材料沉積於鈍化層215上之後，在該紅色(R)濾光材料上使用一光罩執行一曝光過程，並且其後，通過一顯影過程選擇性地去除該紅色(R)濾光材料層以在該底基板的發光區域PA中形成紅色(R)濾光層217。這裡，在形成該底基板的發光區域PA中的紅色(R)濾光層217中，虛擬彩色濾光層圖案217a形成於各子畫素，例如紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)以及、白色(W)子畫素的非畫素區域NA中，即，驅動區域DA中形成的該薄膜電晶體(T)上。虛擬彩色濾光層圖案217a可由與綠色(G)及藍色(B)濾光層相同的材料，以及由與紅色(R)濾光層217相同的材料製成，並且此種情況下，虛擬彩色濾光層圖案217a可形成為一單個層或可透過層疊上述材料形成。
因此，由於虛擬彩色濾光層圖案217a形成於該薄膜電晶體(T)之頂部，因此其吸收從有機發光層233發射出的光線，防止光線散射-反射且入射於該薄膜電晶體之內部，由此防止該薄膜電晶體劣降。
其後，綠色(G)及藍色(B)濾光層219及221按照與形成紅色(R)濾光層217相同的方式，另外形成於與其他的子畫素區域相對應的發光區域PA中，並且一彩色濾光層不形成於與白色(W)子畫素相對應的發光區域PA中。這裡，虛擬彩色濾光層圖案217a可由與綠色(G)及藍色(B)濾光層相同的材料，以及由與紅色(R)濾光層217相同的材料製成，並且此種情況下，虛擬彩色濾光層圖案217a可形成為一單個層或可透過層疊上述材料形成。
隨後，請參閱第9G圖，有機絕緣層223沉積於具有複數個紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層217、219、以及221，以及虛擬彩色濾光層圖案217a的該基板的全部表面上。
其後，請參閱第9H圖，執行使用一光罩的曝光過程，並且其後，通過一顯影過程選擇性地去除位於非畫素區域NA中的有機絕緣層223與下方的虛擬彩色濾光層圖案217a以定義一汲極接觸孔區域。這裡，有機絕緣層223與下方的虛擬彩色濾光層圖案217a不具有感光材料特性，因此可不使用例如光致抗蝕劑的一材料在其上執行一曝光過程。
隨後，請參閱第9I圖，選擇性地去除定位於該汲極接觸孔區域中的暴露的鈍化層215以形成暴露汲極213的該汲極接觸孔227。
其後，請參閱第9J圖，一第三導電層(圖未示)沉積於具有汲極接觸孔227的有機絕緣層223上且通過使用一光微影過程的一光罩處理被選擇性地蝕刻，用以形成與汲極213電連接的第一電極229。
隨後，請參閱第9K圖，一絕緣層(圖未示)沉積於具有該第一電極229的有機絕緣層223上且通過使用一光微影過程的一光罩處理被選擇性地蝕刻，用以形成該堤層231。這裡，堤層231形成於非畫素區域NA中以分隔且絕緣該等分隔的各子畫素。
其後，請參閱第9L圖，有機發光層233形成於具有堤層231的該基板的全部表面上。這裡，有機發光層233可形成為由一發光材料製成的一單個層或可形成為一多個層，該多個層包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光材料層、一電子傳輸層、以及一電子注入層，用以提高發光效率。
隨後，請參閱第9M圖，其上形成有第二電極253的頂基板251附加至有機發光層233，由此完成根據本發明另一實施例之該有機發光二極體(OLED)裝置之製造過程。
在如此製造的有機發光二極體(OLED)裝置200中，當一預定的電壓根據一選擇的顏色訊號提供至第一電極229與第二電極253時，由第一電極229注入的電洞以及由第二電極253提供的電子傳送至有機發光層233以形成激發子，並且當激發子從激發態躍遷至基態時，產生白色光，並且作為白色光線穿過的紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)濾光層217、219、221、(以及圖未示)，這是一全色形式的發射。
將結合第10圖描述根據本發明再一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體(TFT)的一液晶顯示裝置(LCD)。
第10圖係為根據本發明再一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體(TFT)的一液晶顯示裝置(LCD)之橫截面圖。
如第10圖所示，根據本發明再一實施例之具有一氧化物薄膜電晶體(TFT)的一液晶顯示裝置300包含：一底基板301以及一頂基板351，其上分別定義一非畫素區域以及一畫素區域；一薄膜電晶體(TFT)，形成於底基板301的非畫素區域中並且包含一閘極303，形成於具有閘極303的底基板301的全部表面上的一閘極絕緣層305，形成於閘極303上方的閘極絕緣層305上且與閘極303完全相重疊的一主動層圖案307a，形成於主動層圖案307a與閘極絕緣層305上的一蝕刻停止層圖案309a，以及一源極311及一汲極313，形成於具有蝕刻停止層圖案309a與主動層圖案307a的閘極絕緣層305上且彼此相間隔，並且與蝕刻停止層圖案309a以及下方的 主動層圖案307a之兩側相重疊；形成於具有該薄膜電晶體的該底基板之全部表面上的一鈍化層315；複數個彩色濾光層(紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層317、319、以及321)，形成於底基板之畫素區域的鈍化層315上；一虛擬彩色濾光層圖案317a，形成於底基板的非畫素區域的鈍化層315上；一有機絕緣層323，形成於具有彩色濾光層(紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)濾光層317、319、以及321)與虛擬彩色濾光層圖案317a的該底基板的全部表面上；汲極接觸孔(圖未示)，形成於有機絕緣層323、虛擬彩色濾光層圖案317a、以及鈍化層315上，並且暴露該薄膜電晶體(TFT)的該汲極；一第一電極327，形成於有機絕緣層323上且通過該汲極接觸孔與汲極313電連接；一黑矩陣353，形成於頂基板的非畫素區域中，以及一共同電極355，形成於具有該黑矩陣的頂基板的全部表面上；以及一液晶層331，形成於底基板301與頂基板331之間。
這裡，雖然圖未示，舉例而言，該薄膜電晶體(T)可為具有一切換薄膜電晶體(TFT)與一驅動薄膜電晶體(TFT)的一底閘型薄膜電晶體且由一氧化物半導體製成。該薄膜電晶體(T)也可為一頂閘型薄膜電晶體。
該薄膜電晶體(T)的閘極303可由矽、玻璃、塑料、或任何適合材料製成，或者可由一金屬或任何適合的導電材料製成。舉例而言，閘極303可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成閘極303的一材料可包含從由 鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
此外，閘極絕緣層305可從由氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鋇-鍶-鈦-氧化合物(Ba-Sr-Ti-O)、以及一鉍-鋅-鈮-氧化合物(Bi-Zn-Nb-O)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
用於在源極311與汲極313之間形成允許電子在其中移動的一通道之層，主動層圖案307a，由包含矽(Si)代替一低溫多晶矽(LTPS)或一非晶矽非晶矽(a-Si)的一氧化物半導體製成。
此種情況下，該氧化物半導體可透過將矽(Si)添加至具有從由鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鋁(Al)、以及鋅(Zn)組成的一組中選擇的一個或更多的一氧化物半導體獲得。例如，主動層圖案207a可由透過將矽離子添加至一複合氧化銦鋅(InZnO)中獲得之矽銦鋅氧化物(Si-InZnO(SIZO))製成。
當主動層圖案307a由矽銦鋅氧化物(SIZO)製成時，在該主動層圖案中矽(Si)原子含量對鋅(Zn)、銦(In)、以及矽(Si)原子的全部含量的組成比例為從大約0.001 wt%至大約30 wt%。隨著矽(Si)原子含量的增加，控制該主動層圖案的電子之產生作用得到加強以潛在降低移動性，但元件的穩定性可更好。
同時，除了上述材料之外，主動層圖案307a可進一步包含 一I族元素，例如鋰(Li)或鉀(K)，一II族元素，例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)，一III族元素例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、或釔(Y)，一IV族元素例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、矽(Si)、錫(Sn)、或鍺(Ge)，一V族元素，例如鉭(Ta)、釩(V)、鈮(Nb)、或銻(Sb)，或可進一步包含鑭系元素例如鑭(La)、鈰(Ce)、镨(Pr)、釹(ND)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、钬(Ho)、鉺(Er)，铥(Tm)、鐿(Yb)、以及镥(Lu)。
而且，蝕刻停止層圖案309a可由具有二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料中選擇的任何一個製成。
此外，源極311與汲極313由與該閘極303相同的材料製成。即，源極311與汲極313可由類似於閘極303a的一金屬或任何其他導電材料製成。舉例而言，源極311與汲極313可從由氧化銦錫(ITO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)組成的一組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。而且，用以形成源極部分215a與汲極部分215b的一材料可包含從由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬鎢合金(MoW)、鉬鈦合金(MoTi)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)組成的一導電金屬組中選擇的任何一個，或者它們中的兩個或兩個以上的組合，或任何其他適當的材料製成。
這裡，閘極303的一線寬度可大於主動層圖案307a的一線寬度，並且主動層圖案307a與閘極303完全相重疊。
此外，蝕刻停止層圖案309a與主動層圖案307a及閘極303相重疊，並且蝕刻停止層圖案309a之兩側形成為延伸直至主動層圖案307a之一外部區域。
源極311及汲極313與蝕刻停止層圖案309a以及下方的主動層圖案307a及閘極303的兩側相重疊。
因此，主動層圖案307a的一頂部透過蝕刻停止層圖案309a、源極311、以及汲極313完全地覆蓋，並且主動層圖案307a的一底部透過閘極303完全地覆蓋。
在此種方式下，為了阻擋直接從該基板的一底側入射的光線，閘極303的一線寬度形成為大於主動層圖案307a的一線寬度，並且為了防止由於入射光線的散射-反射產生的一另外的劣化，主動層圖案307a透過蝕刻停止層圖案309a、源極311、以及汲極313完全地覆蓋，由此防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性降低。
同時，該紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)濾光層317、319、321、以及(圖未示)透過子畫素形成於底基板301的該畫素區域中。
具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、以及白色(W)濾光層317、319、321(以及圖未示)的這四個子畫素組成一單個畫素P。
而且，具有一切換薄膜電晶體與一驅動薄膜電晶體的該薄膜電晶體(T)形成於底基板301的非畫素區域中，即，驅動區域中。由與紅色(R)濾光層317相同的材料形成的一虛擬彩色濾光層圖案317a形成於該薄膜電晶體(T)之頂部。這裡，虛擬彩色濾光層圖案317a可由與綠色 (G)及藍色(B)濾光層相同的材料，以及由與紅色(R)濾光層317相同的材料製成，並且此種情況下，虛擬彩色濾光層圖案317a可形成為一單個層或可透過層疊上述材料形成。因此，由於虛擬彩色濾光層圖案317a形成於該薄膜電晶體(T)之頂部，因此其吸收光線，以防止光線在液晶顯示裝置(LCD)300中散射-反射且入射於該薄膜電晶體之內部，由此防止該薄膜電晶體劣降。
如上所述，根據本發明之實施例，在氧化物薄膜電晶體，該薄膜電晶體的製造方法，具有該薄膜電晶體的該顯示裝置，以及該顯示裝置的製造方法的情況下，由於閘極的一線寬度大於主動層圖案的一線寬度的結構以遮擋從該基板的底側直接入射的光線且蝕刻停止層圖案、源極、以及汲極完全地覆蓋主動層圖案以防止由於入射光線的散射-反射產生的另外的劣降，因此能夠防止由光線的散射-反射產生的元件可靠性的一劣降。
此外，在根據本發明之實施例的氧化物薄膜電晶體，該薄膜電晶體的製造方法，具有該薄膜電晶體的該顯示裝置，以及該顯示裝置的製造方法的情況下，由於在形成薄膜電晶體上彩色濾光層(color filter on TFT,COT)結構中的該彩色濾光層中，該虛擬彩色濾光層圖案覆蓋作為一非畫素區域的該薄膜電晶體區域，因此光線的散射-反射與一閥值電壓Vth降低以提高元件的可靠性。
因此，在根據本發明之實施例的具有一氧化物薄膜電晶體的一液晶顯示裝置及其製造方法中的該陣列基板中，由於該主動層圖案由具有矽的一氧化物半導體製成，因此具有高電子遷移率且一生產單元成本 降低。而且，由於該主動層圖案的製造過程能夠在室溫下執行，因此能夠使得該製程容易。
根據本發明一實施例的該氧化物薄膜電晶體可用於製造一氧化物薄膜電晶體裝置，該氧化物薄膜電晶體裝置可替代一現有的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)或一多晶矽薄膜電晶體(p-Si TFT)。
此外，根據本發明一實施例的該氧化物薄膜電晶體可應用於一平板顯示裝置，特別地應用於需要基於該薄膜電晶體的一切換及驅動元件的一液晶顯示裝置(LCD)或一有機發光二極體(OLED)。
最後，根據本發明一實施例的該氧化物薄膜電晶體可應用於使用一液晶顯示裝置(LCD)或一有機發光二極體(OLED)的一平板顯示產品、一蜂窩電話、一筆記型電腦、一監視器、一電視產品等。
已具體地描述了不同的內容，但這些內容應理解為較佳實施方式中的實例，而非限制本發明之範圍。例如，一本發明所屬之領域的技術人員可意識到根據本發明的該薄膜電晶體之元件的多樣性並且還可修改其結構。
此外，根據本發明的薄膜電晶體(TFT)也可應用於一記憶體裝置或一邏輯裝置，以及一液晶顯示裝置(LCD)或一有機發光二極體(OLED)，並且因此，落入專利申請範圍的界限或這些界限之等同內的所有變化和修改因此由所附之專利申請範圍包圍。
100‧‧‧氧化物薄膜電晶體(TFT)
101‧‧‧基板
103a‧‧‧閘極
107‧‧‧閘極絕緣層
109a‧‧‧主動層圖案
111a‧‧‧蝕刻停止層圖案
121‧‧‧源極
123‧‧‧汲極

Claims (18)

  1. 一種氧化物薄膜電晶體(TFT)，係包含：一閘極，係形成於一基板上；一閘極絕緣層，係形成於具有該閘極的該基板之全部表面上；一主動層圖案，係形成於該閘極上方的該閘極絕緣層上且與該閘極完全地重疊；一蝕刻停止層圖案，係形成於該主動層圖案以及該閘極絕緣層上；以及一源極以及一汲極，係形成於具有該蝕刻停止層圖案與該主動層圖案的該閘極絕緣層上並且彼此相間隔，以及與該蝕刻停止層圖案及下方的該主動層圖案之兩側相重疊。
  2. 根據申請專利範圍第1項之氧化物薄膜電晶體(TFT)，其中該閘極之一線寬度大於該主動層圖案之一線寬度。
  3. 根據申請專利範圍第1項之氧化物薄膜電晶體(TFT)，其中該主動層圖案之一頂部透過該蝕刻停止層圖案、該源極、以及該汲極完全地覆蓋。
  4. 一種氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，係包含以下步驟：形成一閘極於一基板上；形成一閘極絕緣層於具有該閘極的該基板之全部表面上；形成一主動層圖案於該閘極上方的該閘極絕緣層上，以使得該主動層圖案完全地覆蓋該閘極； 形成一蝕刻停止層圖案於該主動層圖案以及該閘極絕緣層上；以及形成一源極以及一汲極於具有該蝕刻停止層圖案及該主動層圖案的該閘極絕緣層上，以使得該源極以及該汲極與該蝕刻停止層圖案以及下方的該主動層圖案之兩側相重疊。
  5. 根據申請專利範圍第4項之氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，其中該閘極之一線寬度大於該主動層圖案之一線寬度。
  6. 根據申請專利範圍第4項之氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，其中其中該主動層圖案之一頂部透過該蝕刻停止層圖案、該源極、以及該汲極完全地覆蓋。
  7. 一種有極發光二極體顯示裝置，係包含：一底基板，其上定義一非畫素區域以及一發光區域；一薄膜電晶體(TFT)，係形成於該底基板的該非畫素區域中並且包含：一閘極，形成於具有該閘極的該底基板之全部表面上的一閘極絕緣層，形成於該閘極上方的該閘極絕緣層上且與該閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於該主動層圖案與該閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，形成於具有該蝕刻停止層圖案與該主動層圖案的該閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與該蝕刻停止層圖案以及下方的該主動層圖案之兩側相重疊；一鈍化層，係形成於具有該薄膜電晶體(TFT)的該底基板的該全部表面上； 複數個彩色濾光層，係形成於該底基板的該發光區域的該鈍化層上；一虛擬彩色濾光層圖案，係形成於該底基板的該非畫素區域之該鈍化層上；一有機絕緣層，係形成於具有該等彩色濾光層與該虛擬彩色濾光層圖案的該底基板之該全部表面上；汲極接觸孔，係形成於該有機絕緣層、該虛擬彩色濾光層圖案、以及該鈍化層上，以及暴露該薄膜電晶體(TFT)之該汲極；一第一電極，係形成於該有機絕緣層上且通過該汲極接觸孔與該汲極電連接；一堤層，係形成於該底基板的該非畫素區域之該有機絕緣層上；一有機發光層，係形成於具有該第一電極的該底基板之該全部表面上；以及一頂基板，係附加至該有機發光層的一頂部且其上形成有一第二電極。
  8. 根據申請專利範圍第7項之有極發光二極體顯示裝置，其中該閘極之一線寬度大於該主動層圖案之一線寬度。
  9. 根據申請專利範圍第7項之有極發光二極體顯示裝置，其中該主動層圖案之一頂部透過該蝕刻停止層圖案、該源極、以及該汲極完全地覆蓋。
  10. 根據申請專利範圍第7項之有極發光二極體顯示裝置，其中該虛擬彩色濾光層圖案係由與該彩色濾光層相同的彩 色濾光材料製成，或者具有其中堆疊不同的彩色濾光材料之一結構或一單個層結構。
  11. 一種有極發光二極體顯示裝置之製造方法，係包含：提供一底基板，該底基板上定義一非畫素區域以及一發光區域；形成一薄膜電晶體(TFT)於該底基板之該非畫素區域中，該薄膜電晶體(TFT)包含：一閘極，形成於具有該閘極的該底基板之全部表面上的一閘極絕緣層，形成於該閘極上方的該閘極絕緣層上且與該閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於該主動層圖案與該閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，係形成於具有該蝕刻停止層圖案與該主動層圖案的該閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與該蝕刻停止層圖案以及下方的該主動層圖案之兩側相重疊；形成一鈍化層於具有該薄膜電晶體(TFT)的該底基板的該全部表面上；形成複數個彩色濾光層於該底基板的該發光區域的該鈍化層上，以及形成一虛擬彩色濾光層圖案於該底基板的該非畫素區域之該鈍化層上；形成一有機絕緣層於具有該等彩色濾光層與該虛擬彩色濾光層圖案的該底基板之該全部表面上；形成暴露該薄膜電晶體(TFT)之該汲極的汲極接觸孔於該有機絕緣層、該虛擬彩色濾光層圖案、以及該鈍化層上； 形成一第一電極於該有機絕緣層上，該第一電極通過該汲極接觸孔與該汲極電連接；形成一堤層於該底基板的該非畫素區域之該有機絕緣層上；形成一有機發光層於具有該第一電極的該底基板之該全部表面上；以及將具有一第二電極的一頂基板附加至該有機發光層的一頂部上。
  12. 根據申請專利範圍第11項之氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，其中該閘極之一線寬度大於該主動層圖案之一線寬度。
  13. 根據申請專利範圍第11項之氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，其中該主動層圖案之一頂部透過該蝕刻停止層圖案、該源極、以及該汲極完全地覆蓋。
  14. 根據申請專利範圍第11項之氧化物薄膜電晶體(TFT)之製造方法，其中該虛擬彩色濾光層圖案係由與該彩色濾光層相同的彩色濾光材料製成，或者具有其中堆疊不同的彩色濾光材料之一結構或一單個層結構。
  15. 一種具有氧化物薄膜電晶體(TFT)之液晶顯示裝置，係包含：一底基板以及一頂基板，其上分別定義一非畫素區域以及一畫素區域；一薄膜電晶體(TFT)，係形成於該底基板的該非畫素區域中並且包含：一閘極，形成於具有該閘極的該底基板之 全部表面上的一閘極絕緣層，形成於該閘極上方的該閘極絕緣層上且與該閘極完全地重疊的一主動層圖案，形成於該主動層圖案與該閘極絕緣層上的一蝕刻停止層圖案，一源極及一汲極，係形成於具有該蝕刻停止層圖案與該主動層圖案的該閘極絕緣層上且彼此相間隔，以及與該蝕刻停止層圖案以及下方的該主動層圖案之兩側相重疊；一鈍化層，係形成於具有該薄膜電晶體(TFT)的該底基板的該全部表面上；複數個彩色濾光層，係形成於該底基板的該發光區域的該鈍化層上；一虛擬彩色濾光層圖案，係形成於該底基板的該非畫素區域之該鈍化層上；一有機絕緣層，係形成於具有該等彩色濾光層與該虛擬彩色濾光層圖案的該底基板之該全部表面上；汲極接觸孔，係形成於該有機絕緣層、該虛擬彩色濾光層圖案、以及該鈍化層上，以及暴露該薄膜電晶體(TFT)之該汲極；一畫素電極，係形成於該有機絕緣層上且通過該汲極接觸孔與該汲極電連接；一黑矩陣，係形成於該頂基板之該非畫素區域中，以及一共同電極，係形成於具有該黑矩陣的該頂基板之該全部表面上；以及一液晶層，係形成於該底基板與該頂基板之間。
  16. 根據申請專利範圍第15項之具有氧化物薄膜電晶體(TFT)之液晶顯示裝置，其中該閘極之一線寬度大於該主動層圖案之一線寬度。
  17. 根據申請專利範圍第15項之具有氧化物薄膜電晶體(TFT)之液晶顯示裝置，其中該主動層圖案之一頂部透過該蝕刻停止層圖案、該源極、以及該汲極完全地覆蓋。
  18. 根據申請專利範圍第15項之具有氧化物薄膜電晶體(TFT)之液晶顯示裝置，其中該虛擬彩色濾光層圖案係由與該彩色濾光層相同的彩色濾光材料製成，或者具有其中堆疊不同的彩色濾光材料之一結構或一單個層結構。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101888447B1 (ko) * 2012-05-22 2018-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법
KR101444777B1 (ko) * 2012-08-10 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR102037850B1 (ko) * 2013-02-27 2019-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140108026A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 반도체 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
CN103219283A (zh) * 2013-03-19 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102173041B1 (ko) * 2013-05-23 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102139577B1 (ko) * 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103531610A (zh) * 2013-10-28 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法
CN103715270B (zh) * 2013-12-31 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示器件
CN103996696A (zh) * 2014-05-09 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN104167365A (zh) * 2014-08-06 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
TWI578502B (zh) * 2014-11-27 2017-04-11 鴻海精密工業股份有限公司 薄膜電晶體陣列基板及液晶顯示面板
CN105700257B (zh) * 2014-11-27 2019-09-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
KR102272422B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102349246B1 (ko) 2015-02-23 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20170002731A (ko) * 2015-06-29 2017-01-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR102561113B1 (ko) 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105118864B (zh) 2015-08-14 2018-06-26 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
KR101887533B1 (ko) * 2015-12-04 2018-08-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102454385B1 (ko) * 2015-12-31 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 그를 갖는 표시장치, 및 박막트랜지스터의 제조방법
KR20170110212A (ko) * 2016-03-22 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
US10417369B2 (en) * 2017-05-26 2019-09-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, corresponding mask and method for generating layout of same
KR20200140982A (ko) * 2019-06-07 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
CN110797395A (zh) * 2019-09-18 2020-02-14 华南理工大学 掺杂型金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
CN110716359A (zh) 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
CN114647109A (zh) * 2022-03-30 2022-06-21 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100590916B1 (ko) * 1999-06-23 2006-06-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
KR100712295B1 (ko) * 2005-06-22 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2006313363A (ja) * 2006-05-24 2006-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR101263652B1 (ko) * 2006-07-25 2013-05-21 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5395384B2 (ja) * 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP4626659B2 (ja) 2008-03-13 2011-02-09 ソニー株式会社 表示装置
CN101625977B (zh) * 2008-07-11 2011-08-31 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 薄膜晶体管的制造方法
KR20110084523A (ko) * 2008-11-07 2011-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101287478B1 (ko) * 2009-06-02 2013-07-19 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막트랜지스터를 구비한 표시소자 및 그 제조방법
KR101651521B1 (ko) * 2009-09-25 2016-08-29 엘지디스플레이 주식회사 의료용 유기전계발광소자

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Publication number Publication date
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