CN101625977B - 薄膜晶体管的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管的制造方法。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

Description

薄膜晶体管的制造方法

技术领域

本发明有关于一种薄膜晶体管的制造方法，且特别是有关于一种以金属氧化物为有源层的薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

近年来，由于半导体工艺技术的进步，薄膜晶体管的制造越趋容易、快速。薄膜晶体管广泛应用于诸如电脑芯片、手机芯片或是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal displayer，TFT LCD)等电子产品中。以薄膜晶体管液晶显示器为例，薄膜晶体管作为储存电容(storage capacitor)充电或放电的开关。

一般而言，薄膜晶体管依照有源层的材料可分为非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Transistor)以及多晶硅薄膜晶体管(PolycrystallineTransistor)。然而，为了应对市场对于液晶显示器的需求遽增，新的薄膜晶体管技术研发也有更多的投入。其中，已研发出一种以比如氧化锌(ZnO)等的金属氧化物为有源层的薄膜晶体管，其电性特性已追上非晶硅薄膜晶体管，且在元件的表现上也已经有相当不错的成果。

然而，以氧化锌作为有源层的薄膜晶体管为例，在后续形成源极与漏极的工艺中，氧化锌容易受到诸如等离子体、蚀刻液以及去光致抗蚀剂液等物质的损害，而改变有源层的薄膜性质，进而影响薄膜晶体管的元件特性。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，使金属氧化物有源层上覆盖有光致抗蚀剂层，以保护金属氧化物有源层。

本发明另提供一种薄膜晶体管的制造方法，使金属氧化物有源层上覆盖有绝缘层，以保护金属氧化物有源层。

本发明又提供一种薄膜晶体管的制造方法，使金属氧化物有源层上覆盖有保护层，以保护金属氧化物有源层。

本发明提出一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，直接在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，使光致抗蚀剂层与金属氧化物材料层接触，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

在本发明的一实施例中，上述的形成光致抗蚀剂层的方法包括先于金属氧化物材料层上形成感光材料层，然后使用半色调(halftone)式光掩模对感光材料层进行曝光工艺，而后再进行显影工艺。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物材料层的材料包括II-VI族化合物。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物材料层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组之一或多个元素。

本发明另提出一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，在金属氧化物材料层上形成绝缘材料层。接着，直接在绝缘材料层上形成光致抗蚀剂层，使光致抗蚀剂层与绝缘材料层接触，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份绝缘材料层以及部份金属氧化物材料层，以形成绝缘层以及金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层。接着，移除栅极两侧上方的绝缘层，使留下来的绝缘层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有绝缘层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

在本发明的一实施例中，上述的形成光致抗蚀剂层的方法包括先于金属氧化物材料层上形成感光材料层，然后使用半色调(halftone)式光掩模对感光材料层进行曝光工艺，而后再进行显影工艺。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物材料层的材料包括II-VI族化合物。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物材料层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组之一或多个元素。

在本发明的一实施例中，上述的绝缘材料层的材料包括无机绝缘材料或是有机绝缘材料。

在本发明的一实施例中，上述的无机绝缘材料包括氧化硅或氮化硅。

在本发明的一实施例中，上述的有机绝缘材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管的制造方法还包括移除栅极上方的光致抗蚀剂层。

本发明又提出一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极。接着，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。然后，在栅极上方的栅绝缘层上形成金属氧化物有源层。接着，进行非真空工艺，以于金属氧化物有源层上形成保护层。随后，在覆盖有保护层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

在本发明的一实施例中，上述的非真空工艺包括旋转涂布法、喷墨法或网印法。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物有源层的材料包括II-VI族化合物。

在本发明的一实施例中，上述的金属氧化物有源层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组之一或多个元素。

在本发明的一实施例中，上述的保护层的材料包括感光材料或是非感光材料。

在本发明的一实施例中，上述的非感光材料包括无机材料或是有机材料。

在本发明的一实施例中，上述的无机材料包括氧化硅或氮化硅。

在本发明的一实施例中，上述的有机材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚。

以本发明的薄膜晶体管的制造方法所形成的薄膜晶体管包括覆盖金属氧化物有源层的光致抗蚀剂层、绝缘层或保护层。因此，可避免金属氧化物有源层在后续工艺中暴露于等离子体、蚀刻液以及去光致抗蚀剂液等物质中，以稳定金属氧化物有源层的薄膜特性，进而提升薄膜晶体管的元件特性。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是依照本发明第一实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。

图2A至图2G是依照本发明第二实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。

图3A是依照本发明另一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。

图3B是包括图3A所绘示的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图。

图4A至图4D是依照本发明第三实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。

【主要元件符号说明】

100、200：基板

102、202：栅极

104、204：栅绝缘层

106：金属氧化物材料层

106a、206：金属氧化物有源层

107：绝缘材料层

107a：绝缘层

108：感光材料层

108’、108a、108b：光致抗蚀剂层

110d、210d：漏极

110s、210s：源极

112、112a、112b、212：薄膜晶体管

114：介电层

116：接触窗

118：像素电极

120、120a、120b、220：像素结构

208：保护层

具体实施方式

【第一实施例】

图1A至图1G是依照本发明第一实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。

请参照图1A，首先，在基板100上形成栅极102。基板100例如是玻璃基板、石英基板或是其他的基板。栅极102的材料例如是铝、铬、钽或其他金属材料，其形成方法包括薄膜沉积工艺、光刻工艺以及蚀刻工艺。其中，薄膜沉积工艺可以是溅镀(sputtering)、电镀(electroplating)、旋镀(spincoating)、印制(printing)、无电电镀(electroless plating)或其他合适的方法。

然后，在基板100上形成栅绝缘层104，以覆盖栅极102。栅绝缘层104的材料例如是二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介电材料，其形成方法例如是化学气相沉积法。

接着，在栅绝缘层104上形成金属氧化物材料层106。金属氧化物材料层106的材料包括II-VI族化合物，例如是ZnO，其形成方法例如是非真空工艺，其为在非真空室(non-vacuum chamber)内所进行的工艺，例如是旋转涂布法(Spin-coating)、喷墨法(Inject printing)、滴印法(Drop printing)、滴铸法(Casting)、微触法(Micro-stamp)、网印法(Screen printing)、压印法(Imprinting)等方法。在一实施例中，金属氧化物材料层的形成方法也可以是真空工艺，也就是在真空室(vacuum chamber)内进行的工艺，例如是物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺。再者，在一实施例中，上述金属氧化物材料层106可以是在II-VI族化合物中还掺杂有其他元素，所掺杂的元素选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组。举例而言，金属氧化物材料层106的材料可以是InZnO或GaInZnO。

请参照图1B，然后，在金属氧化物材料层106上形成厚度均匀的感光材料层108。形成感光材料层108的方法例如是旋转涂布法并且搭配后烘烤步骤。

请参照图1C，而后，对感光材料层108进行曝光工艺与显影工艺，以形成具有高度差的光致抗蚀剂层108’，其中栅极102上方的光致抗蚀剂层108a的厚度大于栅极102两侧上方的光致抗蚀剂层108b的厚度。上述曝光工艺例如是使用半色调(halftone)式光掩模(未绘示)。

请参照图1D，接着，以光致抗蚀剂层108’为掩模，移除部份金属氧化物材料层106，以形成金属氧化物有源层106a。移除部份金属氧化物材料层106的方法包括湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺。

请参照图1E，然后，移除栅极102两侧上方且厚度较薄的光致抗蚀剂层108b，使留下来的光致抗蚀剂层108a覆盖部分金属氧化物有源层106a。其中，移除光致抗蚀剂层108b的方法例如是等离子体蚀刻工艺。详言之，包括氧气、氢气、氮气、氨气或其他气体的反应气体会被等离子体解离成具有反应性的离子，以对光致抗蚀剂层108’进行各向异性蚀刻。其中，厚度较薄的光致抗蚀剂层108b会完全被移除，而裸露出栅极102两侧上方的金属氧化物有源层106a；厚度较厚的光致抗蚀剂层108a被移除一部分后，仍会覆盖栅极102上方的金属氧化物有源层106a。

请参照图1F，而后，在覆盖有光致抗蚀剂层108a的金属氧化物有源层106a上形成源极110s与漏极110d，以形成薄膜晶体管112。源极110s与漏极110d的材料例如是铝、铬、钽或其他金属材料，其形成方法包括薄膜沉积工艺、光刻工艺以及蚀刻工艺等工艺。其中，蚀刻工艺例如是使用等离子体的干式蚀刻工艺或是使用蚀刻液的湿式蚀刻工艺。值得注意的是，由于金属氧化物有源层106a上覆盖有光致抗蚀剂层108a，故金属氧化物有源层106a不会暴露于等离子体、蚀刻液或去光致抗蚀剂液等物质中，以避免受到上述物质的损害。再者，在以等离子体蚀刻工艺移除厚度较薄的光致抗蚀剂层108b的步骤中，栅极102两侧上方裸露的金属氧化物有源层106a因与等离子体接触而具有较小的电阻，故能降低其与源极110s与漏极110d之间的接触电阻。

请参照图1G，在本实施例中，薄膜晶体管112例如是作为薄膜晶体管液晶显示器中的驱动元件。因此，后续工艺还包括于基板100上形成具有接触窗116的介电层114以及于介电层114上形成与漏极110d电性连接的像素电极118，以形成像素结构120。其中，介电层114的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是等离子体化学气相沉积法。像素电极118的材料例如是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或氧化锌(ZnO)等金属氧化物或有机材料，其形成方法包括溅镀(sputtering)、电镀(electroplating)、旋镀(spin coating)、印制(printing)、无电电镀(electroless plating)或其他合适的方法。

在本实施例中，由于金属氧化物有源层106a上覆盖有光致抗蚀剂层108a，故在形成源极110s与漏极110d或形成介电层114的工艺中，金属氧化物有源层106a不会暴露于等离子体、蚀刻液或去光致抗蚀剂液等物质中，使金属氧化物有源层106a具有稳定的薄膜特性，进而提升薄膜晶体管112 以及像素结构120的元件特性。再者，移除光致抗蚀剂层108b的方式使得金属氧化物有源层106a与源极110s与漏极110d之间具有较小的接触电阻，故能提升薄膜晶体管112的电性表现。因此，采用此薄膜晶体管作为驱动元件的液晶显示器具有显示品质佳以及电性稳定等优点。

【第二实施例】

图2A至图2G是依照本发明第二实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。在本实施例中，薄膜晶体管的前段工艺与第一实施例的前段工艺相似，可参照图1A与其对应说明，在此不赘述。

请参照图2A，基板100上已形成有栅极102、栅绝缘层104以及金属氧化物材料层106。首先，在金属氧化物材料层106上形成绝缘材料层107。绝缘材料层107的材料包括无机绝缘材料或是有机绝缘材料，无机绝缘材料例如是氧化硅或氮化硅等材料，有机绝缘材料例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)或聚乙烯酚(polyvinyl phenol，PVP)等材料，其形成方法例如是化学气相沉积法。

请参照图2B，然后，在绝缘材料层107上形成光致抗蚀剂层108’，其中栅极102上方的光致抗蚀剂层108a的厚度大于栅极102两侧上方的光致抗蚀剂层108b的厚度。在本实施例中，形成具有高低差的光致抗蚀剂层108’的方法例如是先在基板100上形成厚度均匀的感光材料层(未绘示)，再对感光材料层进行曝光工艺与显影工艺。上述曝光工艺例如是使用半色调(halftone)式光掩模(未绘示)。

请参照图2C，接着，以光致抗蚀剂层108’为掩模，移除部份金属氧化物材料层106以及部分绝缘材料层107，以形成金属氧化物有源层106a以及绝缘层107a。其中，移除部份金属氧化物材料层106以及部分绝缘材料层107的方法包括湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺。

请参照图2D，而后，移除栅极102两侧上方的光致抗蚀剂层108b，使留下来的光致抗蚀剂层108a覆盖金属氧化物有源层106a。其中，移除光致抗蚀剂层108b的方法例如是等离子体蚀刻工艺，可参照第一实施例所述，在此不赘述。

请参照图2E，接着，例如是以光致抗蚀剂层108a为掩模层，移除栅极102两侧上方的绝缘层107a。其中，移除部份绝缘层107a的方法例如是干式蚀刻工艺。

请参照图2F，然后，在覆盖有绝缘层107a与光致抗蚀剂层108a的金属氧化物有源层106a上形成源极110s与漏极110d，以形成薄膜晶体管112a。源极110s与漏极110d的材料例如是铝、铬、钽或其他金属材料，其形成方法包括薄膜沉积工艺、光刻工艺以及蚀刻工艺等工艺。其中，蚀刻工艺例如是使用等离子体的干式蚀刻工艺或是使用蚀刻液的湿式蚀刻工艺。

请参照图2G，在本实施例中，薄膜晶体管112a例如是作为薄膜晶体管液晶显示器中的驱动元件。因此，后续工艺还包括于基板100上形成具有接触窗116的介电层114以及于介电层114上形成与漏极110d电性连接的像素电极118，以形成像素结构120a。介电层114与像素电极118的材料与形成方法可参照第一实施例所述，在此不赘述。

在本实施例中，是以光致抗蚀剂层108a与绝缘层107a一起保护金属氧化物有源层106a为例。然而，请同时参照图3A与图3B，在另一实施例中，薄膜晶体管112b与像素结构120b仅包括绝缘层107a以保护金属氧化物有源层106a。换句话说，在上述移除栅极102两侧上方的绝缘层107a的步骤后，还包括移除光致抗蚀剂层108a的步骤，使金属氧化物有源层106a上仅覆盖有绝缘层107a。而后，再于覆盖有绝缘层107a的金属氧化物有源层106a上形成源极110s与漏极110d，以形成薄膜晶体管112b。随后，再于基板100上形成具有接触窗116的介电层114以及于介电层114上形成与漏极110d电性连接的像素电极118，以形成像素结构120b。

在上述的实施例中，薄膜晶体管具有保护金属氧化物有源层的光致抗蚀剂层或绝缘层，以避免金属氧化物有源层暴露于等离子体、蚀刻液以及去光致抗蚀剂液等物质中，使金属氧化物有源层具有稳定的薄膜特性，以提升薄膜晶体管以及像素结构的元件特性。因此，采用此薄膜晶体管作为驱动元件的液晶显示器具有显示品质佳以及电性稳定等优点。

【第三实施例】

图4A至图4D是依照本发明第三实施例的薄膜晶体管的制造方法流程剖面示意图。

请参照图4A，首先，在基板200上依序形成栅极202以及栅绝缘层204。栅极202以及栅绝缘层204的材料与形成方法可以参照第一实施例所述，在此不赘述。

然后，在栅极202上方的栅绝缘层204上形成金属氧化物有源层206。 金属氧化物有源层206的材料包括II-VI族化合物，例如是ZnO，其形成方法例如是非真空工艺，其为在非真空室内所进行的工艺，例如是旋转涂布法(Spin-coating)、喷墨法(Inject printing)、滴印法(Drop printing)、滴铸法(Casting)、微触法(Micro-stamp)、网印法(Screen printing)、压印(Imprinting)等方法。在一实施例中，金属氧化物材料层的形成方法也可以是真空工艺，也就是在真空室(vacuum chamber)内进行的工艺，例如是物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺。再者，在一实施例中，上述金属氧化物有源层206可以是在II-VI族化合物中还掺杂有其他元素，所掺杂的元素选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组。举例而言，金属氧化物有源层206的材料可以是InZnO或GaInZnO。

请参照图4B，接着，进行非真空工艺，以于金属氧化物有源层206上形成保护层208。其中，非真空工艺为在非真空室(non-vacuum chamber)内所进行的工艺，例如是旋转涂布法、喷墨法、网印法或其他方法。保护层208的材料包括感光材料或是非感光材料。非感光材料包括无机材料或是有机材料，无机材料例如是氧化硅或氮化硅等材料，有机材料例如是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚乙烯酚(PVP)等材料。

请参照图4C，随后，在覆盖有保护层208的金属氧化物有源层206上形成源极210s与漏极210d，以形成薄膜晶体管212。源极210s与漏极210d的材料例如是铝、铬、钽或其他金属材料，其形成方法包括薄膜沉积工艺、光刻工艺以及蚀刻工艺等工艺。其中，蚀刻工艺例如是使用等离子体的干式蚀刻工艺或是使用蚀刻液的湿式蚀刻工艺。

请参照图4D，在本实施例中，薄膜晶体管212例如是作为薄膜晶体管液晶显示器中的驱动元件。因此，后续工艺还包括于基板200上形成具有接触窗216的介电层214以及于介电层214上形成与漏极210d电性连接的像素电极218，以形成像素结构220。介电层214与像素电极218的材料与形成方法可参照第一实施例所述，在此不赘述。

在本实施例中，是以非真空工艺来形成保护层208。相较于沉积等真空工艺而言，非真空工艺能降低对金属氧化物有源层造成的损害，以进一步稳定金属氧化物有源层的薄膜特性。此外，由于保护层能避免金属氧化物有源层与等离子体、蚀刻液以及去光致抗蚀剂液等物质接触，故能提升薄膜晶体管与像素结构的元件特性。因此，采用此薄膜晶体管作为驱动元件的液晶显 示器具有显示品质佳以及电性稳定等优点。

综上所述，薄膜晶体管采用金属氧化物作为金属氧化物有源层，且具有保护金属氧化物有源层的光致抗蚀剂层、绝缘层或保护层，因此，能避免金属氧化物有源层暴露于等离子体、蚀刻液或去光致抗蚀剂液等物质中而受损害。故，薄膜晶体管的制造方法可提升薄膜晶体管以及采用此薄膜晶体管的像素结构的元件特性。此外，薄膜晶体管的制造方法使得源极与漏极以及金属氧化物有源层之间具有较小的接触电阻，故能提升薄膜晶体管的电性表现。再者，使用半色调(halftone)式光掩模形成具有不同高度的光致抗蚀剂层，再以此光致抗蚀剂层作为形成金属氧化物有源层的光掩模，能减少薄膜晶体管制造过程中所需的光掩模数目，故能降低薄膜晶体管的生产成本。因此，采用此薄膜晶体管作为驱动元件的液晶显示器具有显示品质佳、电性稳定以及生产成本较低等优点。

虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (12)

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于基板上形成栅极；

于该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该栅极；

于该栅绝缘层上形成金属氧化物材料层；

直接于该金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，使该光致抗蚀剂层与该金属氧化物材料层接触，其中该栅极上方的该光致抗蚀剂层的厚度大于该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层的厚度；

以该光致抗蚀剂层为掩模，移除部份该金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层；

移除该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层，使留下来的该光致抗蚀剂层覆盖部分该金属氧化物有源层；以及

于覆盖有该光致抗蚀剂层的该金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成该光致抗蚀剂层的方法包括：

于该金属氧化物材料层上形成感光材料层；

使用半色调式光掩模对该感光材料层进行曝光工艺；以及

进行显影工艺。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该金属氧化物材料层的材料包括II-VI族化合物。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该金属氧化物材料层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组之一或多个元素。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于基板上形成栅极；

于该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该栅极；

于该栅绝缘层上形成金属氧化物材料层；

于该金属氧化物材料层上形成绝缘材料层；

直接于该绝缘材料层上形成光致抗蚀剂层，使该光致抗蚀剂层与该绝缘材料层接触，其中该栅极上方的该光致抗蚀剂层的厚度大于该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层的厚度；

以该光致抗蚀剂层为掩模，移除部份该绝缘材料层以及部份该金属氧化物材料层，以形成绝缘层以及金属氧化物有源层；

移除该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层；

移除该栅极两侧上方的该绝缘层，使留下来的该绝缘层覆盖部分该金属氧化物有源层；以及

于覆盖有该绝缘层的该金属氧化物有源层上形成源极与漏极。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成该光致抗蚀剂层的方法包括：

于该金属氧化物材料层上形成感光材料层；

使用半色调式光掩模对该感光材料层进行曝光工艺；以及

进行显影工艺。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该金属氧化物材料层的材料包括II-VI族化合物。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该金属氧化物材料层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的组之一或多个元素。

9.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该绝缘材料层的材料包括无机绝缘材料或是有机绝缘材料。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该无机绝缘材料包括氧化硅或氮化硅。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该有机绝缘材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚。

12.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括移除该栅极上方的该光致抗蚀剂层。

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