CN110729238A - 阵列基板的制作方法及阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，形成有源岛，源极、漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区内的第二半导体层转化成硅的氧化物；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通。本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

Description

阵列基板的制作方法及阵列基板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。
现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六次光刻工艺，包括：第一步：在玻璃衬底基板上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。
上述现有技术提供的六次光刻工艺，工艺复杂，制作成本高。
发明内容
本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
本发明一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；
依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述第一半导体层和所述第二半导体层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极、漏极，所述源极和所述漏极之间形成沟道区，再对所述沟道区进行氧化处理，使位于所述沟道区内的所述第二半导体层转化成保护层；
沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；
沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。
如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺包括一次灰色调掩膜版工艺或半色调掩膜版工艺。
如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺具体包括：
通过掩膜版曝光显影，形成完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于所述沟道区；
进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域对应的所述源漏金属层、所述第二半导体层、所述第一半导体层；
进行一次光刻灰化工艺，去除掉部分透光区域的光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域内的所述源漏金属层，以形成所述沟道区；
保留不透光区域对应的所述源漏金属层，以形成所述源极、所述漏极。
如上所述的制作方法，所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，包括非晶铟镓锌氧化物a-IGZO。
如上所述的制作方法，在沉积所述第一半导体层时，降低所述金属氧化物半导体层中氧的含量，以降低所述第一半导体层的导电率。
如上所述的制作方法，所述第二半导体层为重掺杂非晶硅半导体层。
如上所述的制作方法，所述保护层为硅的氧化物。
如上所述的制作方法，所述第一半导体层通过溅射方法沉积形成，所述第二半导体层通过等离子体增强化学气相沉积方法沉积形成。
如上所述的制作方法，所述第一半导体层的厚度为
Figure BDA0002245087230000021
所述第二半导体层的厚度为
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，采用金属氧化物薄膜晶体管结构，在第二次光刻工艺中使用一次半色调或灰色调掩膜版同时形成金属氧化物半导体层图案、源漏金属电极、数据扫描线以及源漏极之间的沟道区，并对沟道区内的重掺杂非晶硅半导体层进行氧化处理，使其转化为硅的氧化物，节省了2次光刻工艺，提升了生产效率；同时巧妙地设计了双层半导体层结构，上层为重掺杂非晶硅半导体层，非晶硅半导体层与源漏金属电极直接接触，可以减少源漏金属电极与半导体层的接触电阻，同时在形成源漏金属电极时也可以保护下层的金属氧化物半导体层不被腐蚀，这样的设计减少了工艺难度，提升薄膜晶体管的性能和稳定性。
本发明另一方面提供一种阵列基板，所述阵列基板通过如上所述的制作方法制作而成，所述阵列基板包括衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间具有沟道区；
所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层为重掺杂非晶硅半导体层；所述沟道区内具有保护层，所述保护层为所述第二半导体层经过氧化处理形成的硅的氧化物；
所述钝化层上具有导电过孔，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极连通。
本发明实施例提供的阵列基板采用双层半导体层结构，上层为重掺杂非晶半导体层，下层为含氧量低的金属氧化物半导体层，上层的非晶半导体层直接与源漏金属电极接触，减少了源漏金属电极与半导体层的接触电阻，同时能够保护下层的金属氧化物半导体层不被腐蚀，同时利用重掺杂非晶硅的氧化工艺，使得沟道区内的非晶硅转化为硅的氧化物，另一方面，在沉积下层的金属氧化物半导体层时，通过控制沉积过程中氧的含量，使得下层的金属氧化物半导体层的含氧量低，从而使其导电率低，提升了薄膜晶体管的性能和稳定性。这样的设计使得金属氧化物半导体层、源漏金属电极、数据线和沟道区在同一次光刻工艺中形成，节省了2次光刻工艺，同时避免了刻蚀阻挡层，降低了制备工艺难度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的平面图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板完成第一次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的曝光显影后的沿AB方向的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的第一次刻蚀后的沿AB方向的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的灰化后的沿AB方向的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的阵列基板完成第三次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的阵列基板完成第四次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图。
附图标记：
11-衬底基板；
12-栅极；
13-栅极绝缘层；
14-第一半导体层；
15-第二半导体层；
151-保护层；
16-源漏金属层；
161-源极；
162-漏极；
17-光刻胶；
18-完全透光区域；
19-不透光区域；
20-部分透光区域；
21-沟道区；
22-钝化层；
23-导电过孔；
24-像素电极；
25-扫描线；
26-数据线。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要理解的是，传统的液晶显示面板是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，简称TFT Array Substrate)和一片彩膜基板(ColorFilter Substrate，简称CF Substrate)贴合而成，分别在阵列基板和彩膜基板上形成像素电极和公共电极，并在阵列基板和彩膜基板之间灌入液晶，其工作原理是通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压，利用像素电极与公共点击之间形成的电场来控制液晶层内的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
掩模版(Mask)，也称为光罩(Photo Mask)，是光刻工艺所使用的图形母版，是由不透光的遮光薄膜(金属铬)在透明衬底基板上形成掩模图形，通过光刻工艺(Photolithography)将图形转印到玻璃衬底基板的薄膜上。曝光(Exposure)过程，就是紫外线(Ultraviolet)通过掩模版照射光刻胶(Photo Resist)，使掩模版上的图形转印到光刻胶上的过程。在阵列工程中，光刻胶起到掩膜的作用，通过曝光形成的光刻胶图形，在刻蚀工艺中，光刻胶图形对应的基板上的薄膜层被保留下来，其他区域被刻蚀掉，最后去除光刻胶，掩模版上的图形就转移到了基板上，这个过程称为光刻(Photolithography)，每一个光刻工艺过程都经过薄膜沉积、光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离这几个工艺步骤。
可以理解的是，光刻工艺步骤的次数，既影响面板的产能，又影响着面板的制造成本，因此光刻工艺的次数越少越好。
下面参考附图并结合具体的实施例来描述本发明。
实施例一
图1为本发明实施例提供的阵列基板的平面图，参考图1所示，本发明实施例提供的阵列基板，包括源极161、漏极162、钝化层22、导电过孔23、像素电极24、扫描线25和数据线26，其中像素电极24通过导电过孔23与漏极162连通，扫描线25与栅极12连通且两者在同一光刻工艺中形成，数据线26与源极161连通且两者在同一光刻工艺中形成，应当注意的是，图1为阵列基板的平面图，由于视图角度的原因，阵列基板的部分结构并没有在图1中显示，因此在此处并没有介绍。
图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图，如图2所示，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法包括：
S101：在衬底基板11上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极12。
具体地，在衬底基板11上采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为
Figure BDA0002245087230000061
的栅金属层，栅金属层可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。图3为本发明实施例提供的阵列基板完成第一次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图，如图3所示，通过第一次光刻工艺，使得栅金属层形成栅极2。
S102：依次沉积栅极绝缘层13、第一半导体层14、第二半导体层15、源漏金属层16，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层14和第二半导体层15形成有源岛，同时使源漏金属层16形成源极161、漏极162，源极161和漏极162之间形成沟道区21，再对沟道区21进行氧化处理，使得沟道区21内的第二半导体层15转化成保护层。
具体地，在完成S101的衬底基板11上通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法连续沉积厚度为
Figure BDA0002245087230000062
的栅极绝缘层13，栅极绝缘层13可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4，NH3，N2或SiH2Cl2，NH3，N2。
然后通过溅射方法连续沉积厚度为
Figure BDA0002245087230000063
的第一半导体层14，第一半导体层14为金属氧化物半导体层，可以是非晶氧化物半导体，也可以是多晶氧化物半导体，例如非晶铟镓锌氧化物a-IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物，可以是单层也可以是多层。
在沉积金属氧化物半导体层时，通过控制金属氧化物半导体中氧的含量可以有效地控制金属氧化物半导体的导电性，沉积金属氧化物半导体层薄膜中氧的含量越高，该金属氧化物半导体薄膜的导电性就越好，接近导体，沉积金属氧化物半导体层薄膜中氧的含量越低，该金属氧化物半导体薄膜的导电性就越差，接近半导体，本发明实施例中的金属氧化物半导体层14的含氧量低，因此导电率也低，金属氧化物半导体层14直接与栅极绝缘层13接触，位于源极161和漏极162之间的金属氧化物半导体层14形成沟道区21，低含氧量的金属氧化物半导体层14形成的半导体薄膜晶体管的性能更稳定。
再通过PECVD方法连续沉积厚度为
Figure BDA0002245087230000071
的第二半导体层15，第二半导体层15为重掺杂非晶硅半导体层。其中，掺杂指的是在四价的半导体内加入导电的元素，例如，在硅或锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高半导体的导电性，加入导电元素的比例越多，半导体的导电性就越强，一般是按百万分之一(ppm)数量级的比例加入,根据导电元素的加入比例不同可以分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂，例如，5ppm以内为轻掺杂，5-20ppm(包括5，不包括20)为中掺杂，20ppm及以上为重掺杂。重掺杂非晶硅半导体层为高导电率的半导体层，其直接与源漏金属电极接触，这样可以减少半导体层和源漏金属电极的接触电阻，提升薄膜晶体管的开态电流。
接着再通过溅射或热蒸发沉积厚度为
Figure BDA0002245087230000072
的源漏金属层16，源漏金属层16可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo等金属和合金，可以是单层也可以是多层。
具体地，第二次光刻通过半色调掩膜版工艺或者一次灰色调掩膜版工艺进行。其中，半色调掩模版(Half-tone Mask，简称HTM)，是利用掩模版上的半透膜，将光阻不完全曝光的工艺。灰色调掩膜版(Gray-tone Mask),是利用掩模版上的灰阶区域挡光条，将光阻不完全曝光的工艺。
第二次光刻工艺具体包括：
图4为本发明实施例提供的阵列基板通过第二次光刻工艺中的曝光显影后的沿AB方向的结构示意图，如图4所示，通过掩膜版曝光显影后，形成完全透光区域18、不透光区域19和部分透光区域20，不透光区域19对应于源漏极和数据线26，部分透光区域20对应于源漏极之间的沟道区21，完全透光区域18对应于除不透光区域19和部分透光区域20之外的区域。
图5为本发明实施例提供的阵列基板通过第二次光刻工艺中的第一次刻蚀后的沿AB方向的结构示意图，如图5所示，接着进行第一次刻蚀，通过刻蚀工艺去除掉完全透光区域18内的源漏金属层16、第二半导体层15、第一半导体层14，使得完全透光区域18内只保留栅极绝缘层13及其以下的部分。刻蚀完成后，第一半导体层14和第二半导体层15形成了有源岛，有源岛上方的源漏金属层16保留，有源岛以外的第一半导体层14、第二半导体层15和源漏金属层16均被刻蚀掉。
图6为本发明实施例提供的阵列基板通过第二次光刻工艺中的灰化后的沿AB方向的结构示意图，如图6所示，接着进行一次光刻灰化工艺，去除掉部分透光区域20内的光刻胶17。
图7为本发明实施例提供的阵列基板通过第二次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图，如图7所示，接着进行第二次刻蚀，通过刻蚀工艺刻蚀掉部分透光区域20内的源漏金属层16，从而形成源漏极之间的沟道区21，左侧未被刻蚀掉的源漏金属层16形成源极161，右侧未被刻蚀掉的源漏金属层16则形成漏极162。
接着再对沟道区21内的第二半导体层15进行氧化处理，氧化处理可以在干法刻蚀设备中氧等离子体环境中进行，其射频功率为5KW-10KW，气压为200mT-600mT，气体的流量为1000-4000sccm，经过氧化处理后，沟道区21内的重掺杂非晶硅半导体层转化成硅的氧化物，硅的氧化物即为保护层151。
S103：沉积钝化层22，通过第三次光刻工艺，在漏极162上方的钝化层22之上形成导电过孔23。
图8为本发明提供实施例的阵列基板完成第三次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图，如图8所示，具体地，在完成S102的衬底基板11上通过等离子体增强化学气相沉积方法连续沉积厚度为
Figure BDA0002245087230000081
的钝化层22，钝化层22可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，可以是单层也可以是多层，对应的反应气体可以为SiH4，NH3，N2或SiH2Cl2，NH3，N2。通过第三次光刻工艺，形成具有导电过孔23的钝化层图形，导电过孔23位于漏极162的上方。
S104：沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极24并使像素电极24与漏极162通过导电过孔23连通。
图9为本发明实施例提供的阵列基板完成第四次光刻工艺后的沿AB方向的结构示意图，如图9所示，具体地，在完成S103的衬底基板11上通过溅射或热蒸发的方法连续沉积上厚度约为
Figure BDA0002245087230000082
的透明导电层，透明导电层可以是氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO，或者其他的透明金属氧化物。通过第四光刻工艺，使透明导电层形成像素电极24，并使像素电极24与漏极162通过导电过孔23连通。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，采用金属氧化物薄膜晶体管结构，在第二次光刻工艺中使用一次半色调或灰色调掩膜版同时形成金属氧化物半导体层图案、源漏金属电极、数据扫描线以及源漏极之间的沟道区，并对沟道区内的重掺杂非晶硅半导体层进行氧化处理，使其转化为硅的氧化物，节省了2次光刻工艺，提升了生产效率；同时巧妙地设计了双层半导体层结构，上层为重掺杂非晶硅半导体层，非晶硅半导体层与源漏金属电极直接接触，可以减少源漏金属电极与半导体层的接触电阻，同时在形成源漏金属电极时也可以保护下层的金属氧化物半导体层不被腐蚀，这样的设计减少了工艺难度，提升薄膜晶体管的性能和稳定性。
实施例二
本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板通过实施例一所述的方法制作而成，如图1和图9所示，该阵列基板包括：衬底基板11以及依次设置在衬底基板11上的栅极12、栅极绝缘层13、第一半导体层14、第二半导体层15、源漏极层、钝化层22和像素电极24，源漏极层包括源极161和漏极162，源极161和漏极162之间具有沟道区21；其中，第一半导体层14为金属氧化物半导体层，第二半导体层15为重掺杂非晶硅半导体层，沟道区21内具有保护层151，保护层151为第二半导体层15经过氧化处理而形成的硅的氧化物；钝化层22上具有导电过孔23，像素电极24通过导电过孔23与漏极162连通。
该阵列基板还包括扫描线25和数据线26，扫描线25与栅极12连通且两者在同一光刻工艺中形成，数据线26与源极161连通且两者在同一光刻工艺中形成。
其中，栅极的厚度约为
Figure BDA0002245087230000091
可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。
栅极绝缘层13的厚度为
Figure BDA0002245087230000092
可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4，NH3，N2或SiH2Cl2，NH3，N2。
第一半导体层14的厚度为
Figure BDA0002245087230000093
第二半导体层15的厚度为
Figure BDA0002245087230000094
第一半导体层14为金属氧化物半导体，可以是非晶氧化物半导体，也可以是多晶氧化物半导体，例如非晶铟镓锌氧化物a-IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物，金属半导体层14为的含氧量低，因此导电率也低，金属半导体层14直接与栅极绝缘层13接触，位于薄膜晶体管源漏极之间的沟道区21，低含氧量的金属氧化物半导体层形成的半导体薄膜晶体管的性能更稳定。
第二半导体层15是重掺杂非晶硅半导体，重掺杂非晶硅半导体层为高导电率的半导体层，其直接与源漏金属电极接触，这样可以减少半导体层和源漏金属电极的接触电阻，提升薄膜晶体管的开态电流。
源漏金属层16的厚度为可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo等金属和合金，可以是单层也可以是多层。
钝化层厚度为
Figure BDA0002245087230000102
可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，可以是单层也可以是多层，对应的反应气体可以为SiH4，NH3，N2或SiH2Cl2，NH3，N2。
本发明实施例提供的阵列基板采用双层半导体层结构，上层为重掺杂非晶半导体层，下层为含氧量低的金属氧化物半导体层，上层的非晶半导体层直接与源漏金属电极接触，减少了源漏金属电极与半导体层的接触电阻，同时能够保护下层的金属氧化物半导体层不被腐蚀，同时利用重掺杂非晶硅的氧化工艺，使得沟道区内的非晶硅转化为硅的氧化物，另一方面，在沉积下层的金属氧化物半导体层时，通过控制沉积过程中氧的含量，使得下层的金属氧化物半导体层的含氧量低，从而使其导电率低，提升了薄膜晶体管的性能和稳定性。这样的设计使得金属氧化物半导体层、源漏金属电极、数据线和沟道区在同一次光刻工艺中形成，节省了2次光刻工艺，同时避免了刻蚀阻挡层，降低了制备工艺难度。
在本发明的描述中，需要理解的是，所使用的术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“顶端”、“底端”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”“轴向”、“周向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或原件必须具有特定的方位、以特定的构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是机械连接，也可以是电连接或者可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；
依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述第一半导体层和所述第二半导体层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极、漏极，所述源极和所述漏极之间形成沟道区，再对所述沟道区进行氧化处理，使位于所述沟道区内的所述第二半导体层转化成保护层；
沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；
沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺包括一次灰色调掩膜版工艺或半色调掩膜版工艺。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺具体包括：
通过掩膜版曝光显影，形成完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于所述沟道区；
进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域对应的所述源漏金属层、所述完全透光区域对应的所述第二半导体层和所述完全透光区域对应的所述第一半导体层；
进行一次光刻灰化工艺，去除掉部分透光区域的光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域内的所述源漏金属层，以形成所述沟道区；
保留不透光区域对应的所述源漏金属层，以形成所述源极、所述漏极。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，包括非晶铟镓锌氧化物a-IGZO。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在沉积所述第一半导体层时，降低所述金属氧化物半导体层中氧的含量，以降低所述第一半导体层的导电率。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二半导体层为重掺杂非晶硅半导体层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为硅的氧化物。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层通过溅射方法沉积形成，所述第二半导体层通过等离子体增强化学气相沉积方法沉积形成。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为所述第二半导体层的厚度为
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过如权利要求1-9任一项所述的制作方法制作而成，所述阵列基板包括衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间具有沟道区；
所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层为重掺杂非晶硅半导体层；所述沟道区内具有保护层，所述保护层为所述第二半导体层经过氧化处理形成的硅的氧化物；
所述钝化层上具有导电过孔，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极连通。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021077673A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN112992930A (zh) * 2021-02-03 2021-06-18 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置
CN114334813A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
CN115178314A (zh) * 2022-08-08 2022-10-14 深圳市麦科思技术有限公司 一种微机电系统微流体装置及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120138920A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN102916016A (zh) * 2011-08-02 2013-02-06 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104681632A (zh) * 2015-03-26 2015-06-03 重庆京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
CN107968097A (zh) * 2017-11-24 2018-04-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示设备、显示基板及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080057220A1 (en) * 2006-01-31 2008-03-06 Robert Bachrach Silicon photovoltaic cell junction formed from thin film doping source
TWI360708B (en) * 2007-12-17 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, display panel, elecro-optical app
CN102751240B (zh) * 2012-05-18 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN103500738A (zh) * 2013-10-14 2014-01-08 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 含刻蚀阻挡层的半导体器件及其制造方法和应用
CN105097944A (zh) * 2015-06-25 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN110729238A (zh) * 2019-10-23 2020-01-24 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120138920A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN102916016A (zh) * 2011-08-02 2013-02-06 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104681632A (zh) * 2015-03-26 2015-06-03 重庆京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
CN107968097A (zh) * 2017-11-24 2018-04-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示设备、显示基板及其制作方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021077673A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN112992930A (zh) * 2021-02-03 2021-06-18 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置
CN114334813A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
CN115178314A (zh) * 2022-08-08 2022-10-14 深圳市麦科思技术有限公司 一种微机电系统微流体装置及其制作方法

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