CN103424936A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示面板制备方法以及显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基板与第二基板；所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置有非平面结构。本发明所提供的显示面板，通过在第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置非平面结构，可以增加封框胶与第一基板以及第二基板的接触面积，能够在保证封框胶与第一基板以及第二基板之间具有足够的粘结力的前提下减小封框胶宽度，从而为更好的实现窄边框产品提供了有力的技术支持；同时，由于封框胶宽度的减小，在一定程度上减少了封框胶的使用量，降低了显示面板的生产成本。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示面板制备方法以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD）由于具有画面稳定、图像逼真、低辐射、节省空间以及节省能耗等优点，被广泛应用于电视、手机、显示器等电子产品中，已占据了平面显示领域的主导地位。相比传统的液晶显示面板，OLED（Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管）显示面板由于具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等特点，因此，OLED显示面板也得到了显示技术开发商日益广泛的关注。

液晶显示面板包括相对设置的第一基板与第二基板，第一基板上形成有像素电路阵列，第二基板上形成有彩膜层，在第一基板与第二基板之间填充有液晶层，第一基板与第二基板之间通常是通过封框胶对盒连接，封框胶除了起到粘结作用外，还用于维持第一基板与第二基板之间的盒厚、密封以及切断液晶分子与外界的接触。OLED显示面板包括第一基板，第一基板上依次形成阳极电极、包括发光层的有机功能层、阴极电极。由于水汽和氧气会腐蚀有机功能层及电极材料，影响器件寿命，需要对器件进行封装处理。具体可以是通过封框胶封装第一基板和第二基板（即封装基板、封装盖板）。

如图1中所示，封框胶一般涂覆在第一基板1和第二基板2相对的面上，并靠近第一基板1和第二基板2的四周边缘；第一基板1以及第二基板2与封框胶3接触的区域为一平面结构，封框胶3与第一基板1以及第二基板2之间的粘结力较小，因而，为了保证封框胶3与第一基板1以及第二基板2之间具有一定的粘附强度，通常会增加封框胶3的宽度，从而增加封框胶3与第一基板1以及第二基板2的接触面积，最终达到增加封框胶2与第一基板1以及第二基板2之间的粘结力的效果。

随着平板显示技术的发展以及客户需求的提高，窄边框产品得到了越来越多的关注，但是现有技术中，为了保证封框胶与第一基板以及第二基板之间的具有足够的粘结力，必须保证足够的封框胶的宽度，否则，随着封框胶宽度的减小，第一基板与第二基板之间的粘结力下降，会使得产品良率及可靠性受到影响；因此，由于第一基板以及第二基板的边缘面积无法得到缩减，极大的阻碍了窄边框产品的发展。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种能够减少封框胶的宽度，同时保证封框胶与第一基板以及第二基板之间具有足够的粘结力的显示面板；

进一步的，本发明还提供了一种显示面板制备方法以及应用上述显示面板的显示装置。

（二）技术方案

本发明技术方案如下：

一种显示面板，包括相对设置的第一基板与第二基板，以及用于密封固定第一基板和第二基板的封框胶；所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置有非平面结构。

优选的，所述非平面结构为形成在所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域的波浪型、锯齿型、方波型或者瓦楞型的条纹结构。

优选的，所述非平面结构为形成在所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域的若干凹坑或者若干凸起结构。

优选的，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板；所述衬底基板与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板的衬底基板上。

优选的，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板最外侧若干层功能膜层上。

优选的，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板所有的功能膜层以及衬底基板上。

本发明还提供了一种显示面板制备方法，包括：

在第一基板和/或第二基板上需要与封框胶接触的区域形成非平面结构；

将所述第一基板与第二基板对盒，通过封框胶将第一基板和第二基板密封固定。

优选的，所述形成非平面结构进一步包括：

通过打磨、切削、撞击或者化学试剂腐蚀方式在所述第一基板和/或第二基板上形成所述非平面结构。

优选的，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触；所述形成非平面结构进一步包括：

通过构图工艺在所述第一基板和/或第二基板的任意一层功能膜层上形成所述非平面结构。

优选的，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触；所述形成非平面结构进一步包括：

在所述第一基板和/或第二基板的衬底基板上形成所述非平面结构；

通过构图工艺在所述衬底基板上形成所述若干层功能膜层。

优选的，所述构图工艺为光刻工艺。

本发明还提供了一种包括上述任意一种显示面板的显示装置。

（三）有益效果

本发明所提供的显示面板，通过在第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置非平面结构，可以增加封框胶与第一基板以及第二基板的接触面积，能够在保证封框胶与第一基板以及第二基板之间具有足够的粘结力的前提下减小封框胶宽度，从而为更好的实现窄边框产品提供了有力的技术支持；同时，由于封框胶宽度的减小，在一定程度上减少了封框胶的使用量，降低了显示面板的生产成本。

附图说明

图1是现有技术中显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例一中显示面板的结构示意图；

图3是图2中第一基板的俯视图；

图4是本发明实施例一中非平面结构的一种实现方式示意图；

图5是本发明实施例二中显示面板的结构示意图。

图中：1：第一基板；11：衬底基板；12：功能膜层；2：第二基板；3：封框胶；4：非平面结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式做进一步描述。以下实施例仅用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明所提供的显示面板，包括相对设置的第一基板与第二基板，在第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置有非平面结构，利用非平面结构可以在很大程度上增加封框胶与第一基板以及第二基板的接触面积，能够在保证封框胶与第一基板以及第二基板之间具有足够的粘结力的前提下减小封框胶宽度，从而为更好的实现窄边框产品提供了有力的技术支持；同时，由于封框胶宽度的减小，在一定程度上减少了封框胶的使用量，降低了显示面板的生产成本。本实施例中所提供的显示面板如图1中所示，在第一基板1和第二基板2与封框胶3接触的区域均设置有非平面结构4，这样除了起到上述的减少封框胶3宽度的作用的外，由于封框胶3与第一基板1以及第二基板2上的非平面结构4相互卡合，这样能够在一定程度上减少第一基板1与第二基板2发生侧向滑动的可能性，增加了显示面板的可靠性。

上述非平面结构4可以有多种实现方式：

例如，非平面结构4可以是条纹结构，比如呈波浪型、锯齿型、方波型、瓦楞型或者其他类型的条纹结构；如图2以及图3中所示，非平面结构4为方波型，在方波型结构的沟道中，填充有封框胶3，与平面型结构相比，封框胶3与第一基板1以及第二基板2的接触面积增加的部分为方波型结构的沟道的两个侧面。

又例如，非平面结构4还可以是麻面结构，比如，第一基板1和第二基板2与封框胶3接触的区域形成有若干凹坑或者若干凸起；如图4中所示，在第一基板1和第二基板2与封框胶3接触的区域形成有若干凸起，凸起的形状可以是梯台状、半球状或者棱锥状等等。

本实施例中，上述非平面结构4可以在第一基板1和第二基板2制备完成后，直接在第一基板和第二基板上形成。例如，对于液晶显示面板，第一基板可以是阵列基板，第二基板可以是彩膜基板，因此，可以在阵列基板和彩膜基板制备完成后，分别在阵列基板和彩膜基板的对应位置直接形成非平面结构。又例如，对于OLED显示面板，第一基板以及第二基板均包括衬底基板，第一基板的衬底基板中心区域（显示区域）上可以依次形成阳极电极、发光层、阴极电极等功能膜层，而第一基板的衬底基板边缘区域（非显示区域）通常不设置功能膜层；第二基板可以是封装基板，即仅包括衬底基板，因此，第一基板和第二基板对应位置的衬底基板直接与封框胶接触，而非平面结构可以直接形成在第一基板和/或第二基板的衬底基板上等等。

本实施例中还提供了一种显示面板制备方法，主要包括以下步骤：

首先，在第一基板1和第二基板2上需要与封框胶3接触的区域形成非平面结构4；非平面结构4可以通过物理方法或者化学方法形成；通过物理方法形成非平面结构4时，可以通过打磨、撞击或者其他物理方法对第一基板1和第二基板2的表面进行粗糙化处理，形成麻面结构，也可以通过切削或者其他物理方法在第一基板1和第二基板2的表面形成沟道，从而实现条纹结构。通过化学方法形成非平面结构4时，可以通过表面掩膜板等方式形成相应的图形，利用化学试剂腐蚀的方式对第一基板1和第二基板2的表面进行腐蚀处理，从而形成与表面掩膜板图形对应的麻面结构或者条纹结构；其中，化学试剂可以为氢氟酸溶液或者强碱溶液等，使用氢氟酸溶液对第一基板1和第二基板2的表面进行腐蚀处理时，反应快速且强烈，效率比较高；使用强碱溶液对第一基板1和第二基板2的表面进行腐蚀处理时，反应较为缓慢，效率不高，因此，本实施例中优选通过氢氟酸溶液对第一基板1和第二基板2的表面进行腐蚀处理。

在第一基板1和第二基板2上需要与封框胶3接触的区域形成非平面结构4后，通过封框胶3将第一基板1与第二基板2对盒。

实施例二

本实施例所提供的显示面板如图5中所示，与实施例一中所提供的显示面板结构类似，即在第一基板和第二基板与封框胶3接触的区域均设置有非平面结构4；主要区别在于，本实施例中，上述非平面结构在第一基板和/或第二基板制备的过程中形成，而不是在第一基板和/或第二基板制备完成后，直接形成在第一基板和/或第二基板上。例如，对于液晶显示面板而言，本实施例中的第一基板可以为包括衬底基板11以及依次设置在衬底基板11上的栅极金属层、栅绝缘层、源漏金属层、钝化层、透明金属层和保护层等功能膜层12（当然，各功能膜层的设置顺序以及功能膜层的选择可以根据需求的不同而相应改变，例如，为了不增加阵列基板厚度，可以不包括保护层等）的阵列基板，第二基板可以为包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的彩膜层和平坦层等功能膜层的彩膜基板；需要理解的是，对于不同类型的阵列基板，各功能膜层的位置可能有所变动，也可能增加或者减少功能膜层等等，本实施例中所提供的阵列基板仅用于示例性说明。

本实施例中，最外侧一层功能膜层即直接与封框胶3接触的功能膜层，非平面结构4形成在第一基板和/或第二基板最外侧若干层功能膜层上。例如，本实施例中，最外侧的一层功能膜层即指保护层，非平面结构4形成在阵列基板最外侧的一层功能膜层上，即指非平面结构4在制备保护层的过程中形成在直接与封框胶3接触的保护层上；最外侧的两层功能膜层即指保护层以及透明金属层，非平面结构4形成在阵列基板最外侧的两层功能膜层上，即指非平面结构4在制备透明金属层以及保护层的过程中形成在透明金属层以及保护层上；最外侧六层功能膜层即指保护层、透明金属层、钝化层、源漏金属层、栅绝缘层以及栅极金属层，非平面结构4形成在阵列基板最外侧的六层功能膜层上，即指非平面结构4在制备透明栅极金属层、栅绝缘层、源漏金属层、钝化层、透明金属层和保护层的过程中形成在栅极金属层、栅绝缘层、源漏金属层、钝化层、透明金属层和保护层上等等。

本实施例中还提供了一种上述显示面板的制备方法，即包括制备阵列基板的步骤以及制备彩膜基板的步骤，并且，在制备阵列基板和彩膜基板的过程中，形成非平面结构4；

对于上述阵列基板，现有技术中的一种制备方法通常包括步骤：

步骤1：清洁衬底基板11，衬底基板11可以是玻璃基板或者石英基板等等；

步骤2：通过构图工艺形成栅极金属层；构图工艺包括：

在衬底基板11上沉积金属薄膜；例如采用磁控溅射或热蒸发的方法在衬底基板11上沉积一层金属薄膜；

采用普通掩膜板工艺形成栅极金属层；例如：

在金属薄膜上涂布一层光刻胶；

采用普通掩膜板进行曝光，形成对应栅极金属层的光刻胶保留区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶去除区域；

对光刻胶进行显影处理；显影处理后，光刻胶保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶去除区域的光刻胶被去除；

通过刻蚀工艺去除光刻胶去除区域的金属薄膜；

显影处理后，通过刻蚀工艺去除光刻胶去除区域的金属薄膜；

最后剥离剩余的光刻胶，留下的金属薄膜即包括栅电极以及扫描线的栅极金属层。

步骤2：在栅极金属层上沉积形成覆盖整个衬底基板11的栅绝缘层；栅绝缘层可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物等。

步骤3：通过构图工艺形成有源层以及源漏金属层；构图工艺包括：

采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法）等方法在栅绝缘层上依次沉积半导体层以及掺杂半导体层；然后采用磁控溅射或热蒸发等方法沉积源漏金属层；

采用过双色调掩模板工艺形成有源层以及源漏金属层；例如：

在源漏金属层上涂覆一层光刻胶；

通过双色调掩模板曝光，形成对应源电极以及漏电极区域的光刻胶完全保留区域、对应沟道区域的光刻胶半保留区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶完全去除区域；

显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；然后通过第一次刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的源漏金属层、掺杂半导体层以及半导体层，形成有源层图形；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属层；

通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域的源漏金属层以及掺杂半导体层，并去除部分厚度的半导体层，形成源电极、漏电极以及沟道区域；

剥离剩余的光刻胶。

步骤4：通过构图工艺形成钝化层；构图工艺包括：

在源电极、漏电极及沟道区域上采用PECVD方法或者其他方式沉积形成钝化层；

采用普通掩膜板工艺在钝化层上形成过孔；

步骤5：采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层透明导电薄膜，透明导电薄膜可以采用ITO（Indium Tin Oxides，铟锡氧化物）或IZO（Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物）单层膜，也可以采用为ITO和IZO复合膜；

采用普通掩模板工艺在像素区域形成像素电极；

步骤6：在像素电极上采用PECVD、涂覆、转印方法或者其他方式形成保护层。

本实施例中，可以在步骤2-步骤6任一步骤中，利用形成非平面结构4的图案；

例如，步骤2中，在形成栅绝缘层后，可以利用构图工艺形成非平面结构4的图案，即利用对应非平面结构4的普通掩膜板，采用普通掩膜板工艺在栅绝缘层上形成非平面结构4；其余步骤不变。

又例如，步骤4中，可以利用构图工艺同时形成非平面结构4的图案以及过孔图案，即利用对应非平面结构4以及过孔的普通掩膜板，采用普通掩膜板工艺在钝化层上形成非平面结构4以及过孔；其余步骤不变。

再例如，步骤6中，在形成保护层后，可以利用构图工艺形成非平面结构4的图案，即利用对应非平面结构4的普通掩膜板，采用普通掩膜板工艺在保护层上形成非平面结构4；或者根据存储的包括对应非平面结构4图案的保护层图形，通过喷墨式印刷方式形成包括非平面结构4的保护层；其余步骤不变。

非平面结构4是在制备阵列基板和彩膜基板的过程中形成的，可以不增加额外的工艺步骤。另外，非平面结构4还可以形成在衬底基板11所有的功能膜层以及衬底基板11上；即在上述步骤1中，通过物理或化学方法，首先在衬底基板11上形成非平面结构4，然后根据上述步骤2-步骤6形成各功能膜层。

彩膜基板的制备方法与上述阵列基板的制备方法原理类似，在此不再赘述。

在阵列基板和彩膜基板制备完成后，通过封框胶3将彩膜基板与阵列基板对盒。

需要说明的是，上述显示面板制备方法仅仅是制备本发明实施例二中所述显示面板的一种实现方法，实际使用中还可以通过增加或减少构图工艺次数、选择不同的材料或材料组合改变实现方法来实现本发明。

实施例三

本实施例中还提供了一种包括上述任意一种显示面板的显示装置。由于应用的显示面板能够利用较小宽度的封框胶，即可保证封框胶与第一基板以及第二基板之间具有足够的粘结力，因此该显示装置的边框可以做的很窄；并且，由于封框胶宽度的减小，在一定程度上减少了封框胶的使用量，降低了显示装置的生产成本。上述显示装置可以是：液晶显示面板、电子纸、OLED（有机发光二极管）显示面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的保护范畴。

Claims (12)

1.一种显示面板，包括相对设置的第一基板与第二基板，以及用于密封固定第一基板和第二基板的封框胶；其特征在于，所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域设置有非平面结构。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非平面结构为形成在所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域的波浪型、锯齿型、方波型或者瓦楞型的条纹结构。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非平面结构为形成在所述第一基板和/或第二基板与封框胶接触的区域的若干凹坑或者若干凸起结构。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板；所述衬底基板与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板的衬底基板上。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板最外侧若干层功能膜层上。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触，所述非平面结构形成在所述第一基板和/或第二基板所有的功能膜层以及衬底基板上。

7.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：

在第一基板和/或第二基板上需要与封框胶接触的区域形成非平面结构；

将所述第一基板与第二基板对盒，通过封框胶将第一基板和第二基板密封固定。

8.根据权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述形成非平面结构进一步包括：

通过打磨、切削、撞击或者化学试剂腐蚀方式在所述第一基板和/或第二基板上形成所述非平面结构。

9.根据权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触；所述形成非平面结构进一步包括：

通过构图工艺在所述第一基板和/或第二基板的任意一层功能膜层上形成所述非平面结构。

10.根据权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述第一基板以及第二基板均包括衬底基板以及若干层功能膜层；最外侧一层功能膜层与所述封框胶接触；所述形成非平面结构进一步包括：

在所述第一基板和/或第二基板的衬底基板上形成所述非平面结构；

通过构图工艺在所述衬底基板上形成所述若干层功能膜层。

11.根据权利要求9或10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述构图工艺为光刻工艺。

12.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1-6任意一项所述的显示面板。

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