CN103378255A - 半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。作为解决手段，提供一种半导体发光元件（10），其特征在于，具有：叠层半导体层（126），其层叠有n型半导体层（123）、发光层（124）和p型半导体层（125）；透明导电层（131），其层叠在叠层半导体层（126）的p型半导体层（125）上，且由相对于从发光层（124）射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层（132），其层叠在透明导电层（131）上，且设有透明导电层（131）的一部分露出的多个开口部（132h）；金属反射层（133），其形成在绝缘反射层（132）上和绝缘反射层（132）的开口部（132h）内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层（137），其至少设置在透明导电层（131）的在开口部（132h）露出的部分与金属反射层（133）的形成在开口部（132h）内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

Description

半导体发光元件
技术领域
本发明涉及半导体发光元件。
背景技术
近年来，开发了将形成在相对于发光波长具有透光性的基板上的半导体发光元件翻过来（倒过来）并装载于电路板（次安装基台）或外壳（封装体：package）的倒装芯片接合（FC）安装技术。所谓倒装芯片安装，是将与电极形成面相对的生长基板侧作为主光取出面的安装方式，也称为正面朝下安装。例如，在专利文献1中记载有采用倒装芯片进行安装的半导体发光元件，其具备由蓝宝石构成的基板、包含n型半导体层、发光层和p型半导体层且层叠在基板上的叠层半导体层、形成在p型半导体层上的正电极、以及形成在n型半导体层上的负电极。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2010-263016号公报
发明内容
然而，在采用倒装芯片进行安装的半导体发光元件中，为了向基板侧的方向输出来自发光层的光，并提高辉度而要求较高的反射率。使用银（Ag）作为高反射性的金属。
但是，银（Ag）与其他元素相比，移动性（迁移性：migration）高，例如有对由GaN电位引起的缺陷造成影响并产生漏电流的情况。另外，为了防止迁移现象，可考虑例如在包含银（Ag）的金属反射膜上设置阻挡层等手段，但进而产生制造工序变得烦杂等问题。
本发明的目的在于，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。
即，根据本发明，提供一种半导体发光元件，其特征在于，具有：叠层半导体层，其层叠有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；透明导电层，其层叠在所述叠层半导体层的所述p型半导体层上，且由相对于从所述发光层射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层，其层叠在所述透明导电层上，且设置有该透明导电层的一部分露出的多个开口部；金属反射层，其形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层，其至少设置在所述透明导电层的在所述开口部露出的部分与所述金属反射层的形成于该开口部内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。
在此，优选：所述金属接触层至少包含从铬、钼和镍中选出的元素。
另外，优选：在所述金属接触层与所述金属反射层之间还具有包含铝或铝-钕合金的第1金属层和包含钽或镍的第2金属层。
此外，优选：所述金属反射层包含铝或铝-钕合金。
另外，优选：所述绝缘反射层由交替地层叠第1绝缘层和第2绝缘层而构成的多层绝缘层构成，所述第1绝缘层具有第1折射率且相对于从所述发光层射出的光显示透光性，第2绝缘层具有比该第1折射率高的第2折射率且相对于从该发光层射出的光显示透光性。
根据本发明，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，金属反射膜的可靠性提高。
另外，与在由包含铝的金属构成的金属反射层与透明导电层之间没有设置包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素的金属接触层的情况相比，能够抑制金属反射层的氧化，能够抑制正向电压（Vf）的上升。
附图说明
图1是说明作为半导体发光元件的一例的第1实施方式的平面模式图。
图2是图1所示的半导体发光元件的A-A截面模式图。
图3是说明绝缘反射层的层结构的一例的截面模式图。
图4是说明叠层半导体的一例的截面模式图。
图5是说明半导体发光元件的第2实施方式的截面模式图。
图6是说明半导体发光元件的第3实施方式的截面模式图。
图7是说明作为半导体发光元件中的电极配置的另一例的第4实施方式的平面模式图。
图8是图7所示的半导体发光元件的B-B截面模式图。
图9是说明半导体发光元件的第5实施方式的截面模式图。
图10是说明半导体发光元件的第6实施方式的截面模式图。
图11是说明应用本实施方式的半导体发光装置的一例的截面模式图。
图12是说明应用本实施方式的半导体发光装置的另一例的截面模式图。
附图标记说明
1、2…半导体发光装置；10、11…半导体发光元件；20…次安装基台（次粘着基台：Sub mount）；21…次安装基台基板；22、23…次安装基台布线；24、25…镀覆凸块（接线柱）；110…基板；120…半导体层；121…中间层；122…基底层；123…n型半导体层；124…发光层；125…p型半导体层；126…叠层半导体层；130…p电极层；131…透明导电层；132…绝缘反射层；132h…开口部；133…金属反射层；137…金属接触层；140…n电极层；150…保护层。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式详细地进行说明。再者，本发明不限于以下的实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形来实施。即，实施方式的例子中所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特别记载，就不限定本发明的范围，只不过是简单的说明例。另外，使用的附图是用于说明本实施方式的一例，并不是表示实际的大小的图。各附图示出的部件的大小、位置关系等有时为了明确地说明而夸张表示。另外，在本说明书中，“层上”等的“上”未必限于与上面（上表面）接触地形成的情况，以还包含间隔地形成于上方的情况、在层与层之间存在介在层的情况的意思来使用。
（第1实施方式）
＜半导体发光元件10＞
图1是说明作为半导体发光元件的一例的第1实施方式的平面模式图。
图1所示的半导体发光元件10，具有正方形的平面形状，在中央部分形成有作为负极的n电极层140。n电极层140中，用于与外部电连接的n极接合层（n极连接层）144的一部分露出。作为正极的p电极层130，除了为形成n电极层140而通过蚀刻等方法被除去了后述的半导体层120（参照图2）的一部分的部分以外，以覆盖半导体层120的上面的大致整个面的方式形成。p电极层130，在与半导体发光元件10的四角接近的4个部分，用于与外部电连接的p极接合层135（p极连接层135）的一部分分别露出了。
另外，如后述那样，在p电极层130的绝缘反射层132（参照图2）上形成有多个开口部132h。开口部132h作为圆形的空白部分（直径=8μm）表示。在图1中，示出了多个开口部132h相互设置间隔（间距l）地配置在绝缘反射层132（参照图2）的整体上的图案（称作“孤立图案”）。
接着，说明半导体发光元件10的截面结构。
图2是图1所示的半导体发光元件10的A-A截面模式图。在此，将半导体发光元件10翻过来，作为被倒装芯片安装的状态使得基板110朝上而进行描绘。在以下的说明中，“层上”等的表达，意指朝向附图的下方层叠了各层。
如图2所示，半导体发光元件10具有基板110、层叠在基板110上的半导体层120、形成在半导体层120上的作为正极的p电极层130以及作为负极的n电极层140。
半导体层120，具备在基板110上成膜的中间层（缓冲层）121和层叠在中间层121上的基底层122。另外，具备层叠在基底层122上的叠层半导体层126。叠层半导体层126，由从基底层122侧起的、n型半导体层123、发光层124以及p型半导体层125构成。
p电极层130形成在p型半导体层125的上面。n电极层140形成在使n型半导体层123的一部分露出了的露出面上。另外，在p电极层130和n电极层140上分别具有使图2中成为下方侧的面的一部分露出并通过后述的镀覆凸块24、25（参照图11）与外部进行电连接的部分。
再者，在本实施方式中，n电极层140和p电极层130的表面，除了一部分以外被保护层150覆盖着。另外，保护层150以覆盖p型半导体层125、发光层124以及n型半导体层123的一部分的侧壁面的方式形成。
（p电极层130）
在本实施方式中，p电极层130，从p型半导体层125侧起依次层叠有由金属氧化物构成的透明导电层131、绝缘反射层132、形成在绝缘反射层132的开口部132h内的后述的金属接触层137、由含有铝的金属构成的金属反射层133、p极防扩散层134（第一p极防扩散层134a、第二p极防扩散层134b）、p极接合层135以及p极密着（密合;粘合）层136。
（透明导电层131）
作为构成透明导电层131的材料，可采用金属氧化物的导电性材料，且其是透过至少80%左右的从发光层124射出的波长的光的材料。例如，可列举出含有In（铟）的氧化物。具体来说，可列举出ITO（氧化铟锡（In2O3-SnO2））、IZO（氧化铟锌（In2O3-ZnO））、IGO（氧化铟镓（In2O3-Ga2O3））、ICO（氧化铟铈（In2O3-CeO2））等。在这些物质之中，特别优选包含具有六方晶结构或红绿柱石型结构的In2O3结晶的透光性材料（例如ITO、IZO等）。另外，在使用包含六方晶结构的In2O3结晶的IZO的情况下，能够使用蚀刻性优异的非晶的IZO膜加工成特定形状，进而其后能够通过热处理等使之从非晶状态转变成包含结晶的结构，并加工成透光性比非晶的IZO膜优异的电极。
透明导电层131的厚度，在本实施方式中，从10nm～300nm的范围选择。另外，优选从50nm～250nm的范围选择。在透明导电层131的厚度过度薄时或过度厚时，有在来自发光层124的发出光和来自金属反射层133的反射光的透光性方面不够好的倾向。
透明导电层131的薄膜电阻，虽然也依赖于制造方法，但是在膜厚为10nm时其为无限大（∞），在膜厚为20nm时其为250Ω/□，在膜厚为25nm时其为175Ω/□，在膜厚为50nm时其为72Ω/□，在膜厚为100nm时其为29Ω/□，在膜厚为200nm时其为15Ω/□。
（绝缘反射层132）
绝缘反射层132层叠在透明导电层131上，与金属反射层133组合，具有反射从发光层124输出的光的作为反射膜的功能。作为绝缘反射层132的层结构，可采用单层结构或多层结构等的例子。多层结构的绝缘反射层132，与单层结构的绝缘反射层相比，控制反射特性的设计的自由度大，更优选多层结构的绝缘反射层132。
在绝缘反射层132为单层结构时，绝缘反射层132由相对于从发光层124输出的光具有至少90%左右、优选为95%以上的透过性，折射率比透明导电层131低且具有绝缘性的材料构成。作为构成绝缘反射层132的材料，例如可列举出SiO2（二氧化硅）、MgF2（氟化镁）、CaF2（氟化钙）、Al2O3（氧化铝）等。在本实施方式中，作为绝缘反射层132，采用了折射率为1.48（450nm波长）的SiO2（二氧化硅）。再者，构成透明导电层131的IZO膜的折射率为2.14（450nm波长）。
在本实施方式中，绝缘反射层132的膜厚（H），在与使用绝缘反射层132的折射率n和发光层124的发光波长λ（nm）定义的Q=（λ/4n）的关系上，用以下所示的式（1）的关系设定。在此，Q表示如上述那样将发光层124的发光波长λ除以折射率n的4倍而得到的值。
H=AQ    （1）
另外，绝缘反射层132的膜厚，优选基于以下的式（2）设定。即，膜厚优选为5Q（A=5）以上。即，膜厚进一步优选为大于5Q（A=5）的范围。但是，由于生产成本的制约，膜厚优选为20Q（A=20）以下。
H≥5Q    （2）
在本实施方式中，在A超过5的范围即波长450nm的蓝色光的情况下，绝缘反射层132的膜厚优选设定在超过380nm的范围。从发明人的实验数据和模拟结果确认出以下内容：特别是在A=3、5、7···等的A为奇数的膜厚时，能得到发光强度增大的结果，特别优选为A=3、5、7等的膜厚，半导体发光元件10的输出功率依赖于绝缘反射层132的膜厚。在本实施方式中，绝缘反射层132的膜厚，尤其特别希望是A为3、5、7···等的奇数±0.5个单位（即：A为2.5～3.5、4.5～5.5、6.5～7.5、···）的范围。更具体来说，通过发明人的实验确认了以下内容：随着A增加（绝缘反射层132的膜厚增加），半导体发光元件10的输出功率增加，另外在A=3、5、7···等的A为奇数的膜厚时，发光强度特别有效地增大。
接着，对作为其他的层结构的例子的多层结构的绝缘反射层进行说明。
图3是说明绝缘反射层132的层结构的一例的截面模式图。在本实施方式中，绝缘反射层132具有作为折射率不同的多个层的叠层体的多层结构。多层结构的绝缘反射层132，通过交替地层叠具有第1折射率的第1绝缘反射层132a和具有比第1折射率高的第2折射率的第2绝缘反射层132b而构成。特别是在本实施方式中，采用了由2个第1绝缘反射层132a夹着1个第2绝缘反射层132b的结构。
在图3所示的例子中，通过在6层的第1绝缘反射层132a之间夹入5层的第2绝缘反射层132b，具有共计11层的叠层结构。
第1绝缘反射层132a和第2绝缘反射层132b，可使用相对于从发光层124输出的光的透光性能高的材料。在此，作为第1绝缘反射层132a，例如可使用SiO2（二氧化硅）、MgF2（氟化镁）。作为第2绝缘反射层132b，可使用TiO2（氧化钛）、Ta2O5（氧化钽）、ZrO2（氧化锆）、HfO2（氧化铪）、Nb2O5（氧化铌）。但是，只要满足与第2绝缘反射层132b之间的折射率的关系，则第1绝缘反射层132a也可以使用这些TiO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、Nb2O5。
在本实施方式中，作为第1绝缘反射层132a使用SiO2（二氧化硅），作为第2绝缘反射层132b使用折射率为2.21（450nm波长）的Ta2O5（氧化钽）。这些材料相对于发光层124的发光波长λ（=400nm～450nm）的光具有较高的透光性。
在本实施方式中，第1绝缘反射层132a的层厚度dL和第2绝缘反射层132b的层厚度dH，在发光层124的发光波长为λ（nm）、发光波长λ下的第1绝缘反射层132a的折射率为nL、发光波长λ下的第2绝缘反射层132b的折射率为nH（nL＜nH）时，基于以下所示的式子设定。在本实施方式中，多层结构的绝缘反射层132的膜厚（H）为1000～1500nm。R（1）、R（2）为正实数。
dL=[λ/（4×nL）]×R（1）
dH=[λ/（4×nH）]×R（2）
（开口部132h）
在绝缘反射层132上以透明导电层131的一部分露出的方式设置有多个开口部132h。开口部132h以贯通绝缘反射层132的方式形成，在其内形成有金属反射层133的一部分。
开口部132h的口径，在本实施方式中从5μm～30μm的范围选择，优选从5μm～20μm的范围选择。在图1和图2中，开口部132h的口径是8μm。开口部132h例如对预先成膜的绝缘反射层132使用干蚀刻或者剥离（liftoff）等来形成。
俯视时的开口部132h的形状不特别限定，可列举出圆形、椭圆形、三角形、正方形、长方形、梯形、五角形及其他多边形（包含星形）、楔形等。开口部132h的面积不特别限定，而且也包含多个开口部132h的各自的面积相同或不同的情况。
另外，多个开口部132h以规定的间隔（间距l）设置。在本实施方式中，间距l从10μm～120μm的范围选择。另外，优选从20μm～100μm的范围选择。在图1和图2中，间距l为40μm。
相对于绝缘反射层132整体的面积，多个开口部132h的面积的总和占有的比例（占有面积率），从2%～50%的范围选择。另外，优选从2%～7%的范围选择。在图1和图2中，占有面积率为5%。
在本实施方式中，通过在绝缘反射层132上设置多个开口部132h，并在其内形成包含金属反射层133的一部分和后述的金属接触层137的导体部，在p电极层130的面上经由透明导电层131遍及p型半导体层125的整个面均匀地扩散电流。由此，发光层124的发光不均降低。
（金属接触层137）
在开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间形成有金属接触层137。
在本实施方式中，金属接触层137是由形成在绝缘反射层132的开口部132h内的侧面上的侧面部137a和形成在绝缘反射层132的金属反射层133侧的表面且开口部132h的周围的周边部137b一体地形成。
金属接触层137包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。作为从周期表第6A族选出的元素，可列举出铬（Cr）、钼（Mo）。作为从周期表第8族中选出的元素，可列举出镍（Ni）。在这些元素之中，本实施方式优选镍（Ni）。通过形成在开口部132h内的金属反射层133的一部分和金属接触层137，透明导电层131和层叠在绝缘反射层132上的金属反射层133导通。
金属接触层137的厚度，在本实施方式中从1nm～5nm的范围选择，优选以3nm以下、特别优选以2nm以下的范围成膜。
再者，与金属接触层137一体地形成的周边部137b的宽度，在本实施方式中为3μm。
作为使用Ni（镍）形成本实施方式中的金属接触层137的方法，例如按照以下的步骤进行。即，在透明导电层131上形成连续的绝缘反射层132，接着形成贯通绝缘反射层132的多个开口部132h，接着通过溅射法在形成有开口部132h的绝缘反射层132上形成厚度2nm左右的Ni（镍）金属层。此时，Ni（镍）金属层也在开口部132h的内部成膜出，在与透明导电层131接触的部分形成金属接触层137。其后，在绝缘反射层132上成膜的Ni（镍）金属层，残留开口部132h的周边部分（周边部137b）来被除去。
在本实施方式中，作为形成Ni（镍）金属层的溅射法的条件，将成膜温度设为室温，将气压设定为压力比通常的溅射法的气压高的3Pa左右。在这样的低温高压的条件下通过溅射法形成的金属接触层137，在为厚度2nm左右（5nm以下）的薄膜的情况下可认为具有岛状的膜结构。
在具有这样的膜结构的金属接触层137上进一步形成后述的由AlNd等构成的金属反射层133。
这样，通过在形成由AlNd等构成的金属反射层133之前，在绝缘反射层132的开口部132h透明导电层131露出的部分上形成Ni（镍）金属膜，能够防止AlNd从构成透明导电层131的含有In（铟）的氧化物（例如IZO等）中夺取O（氧）的氧化和由此引起的电阻上升以及Vf上升。另外，与除了在绝缘反射层132的开口部132h透明导电层131露出的部分之外，还在透明导电层131的整个表面或绝缘反射层132的整个表面形成了Ni（镍）金属膜的情况相比，反射率提高。
通过设置金属接触层137，能防止由金属氧化物构成的透明导电层131与由含有铝的金属构成的金属反射层133的全面的接触。由此，能防止金属反射层133中所含有的铝的氧化，能够抑制接触电阻的增大和正向电压（Vf）的上升。
即，在本实施方式中，通过在透明导电层131的金属反射层133侧的表面上部分性地设置金属接触层137，与在透明导电层131的整个表面形成镍（Ni）等的金属膜的情况相比，能够抑制半导体发光元件10的辉度降低。
（金属反射层133）
在本实施方式中，金属反射层133以覆盖绝缘反射层132的大致整个区域的方式形成。构成金属反射层133的材料，可列举出Al（铝）、Al（铝）-Nd（钕）合金。在这些材料之中，优选Al（铝）-Nd（钕）合金。当金属反射层133使用Al（铝）-Nd（钕）合金时，金属反射层133的耐热性提高，能够抑制反射性能的降低。
此外，在本实施方式中，由于从金属反射层133中排除Ag（银）且使用Al（铝）或Al（铝）-Nd（钕）合金，因此能够抑制由迁移现象所导致的漏电流的发生等。
在本实施方式中，金属反射层133的厚度，从50nm～200nm的范围选择。另外，优选从80nm～150nm的范围选择。
（n电极层140）
在本实施方式中，n电极层140，从n型半导体层123侧依次层叠有含有Ni（镍）的第1导电层141、含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第2导电层142、含有Ta（钽）的第3导电层143a、含有Pt（铂）的第4导电层143b、含有Au（金）的n极接合层144以及含有Ti（钛）的n极密着层145。
作为形成含有Ni（镍）的第1导电层141的溅射法的条件，可采用与使用Ni（镍）形成金属接触层137的条件同样的条件。即，在低温高压的条件下通过溅射法形成的含有Ni（镍）的第1导电层141，在为厚度2nm左右（5nm以下）的薄膜的情况下，可认为具有岛状的膜结构。
在具有这样的结构的第1导电层141上形成含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第2导电层142。此时，可考虑第2导电层142以Al（铝）金属进入到由岛状膜结构构成的Ni（镍）金属膜之间，虽然少许但其一部分以与n型半导体层123接触的方式形成。通常，功函数比Al（铝）高的Ni（镍），例如在n型半导体层123由GaN构成的情况下，具有难取得欧姆接触的性质。但是，在本实施方式中，通过进入到Ni（镍）金属膜之间的Al（铝）金属的作用，可以认为介有Ni（镍）金属膜，并且可取得第1导电层141与n型半导体层123的欧姆接触。
再者，为了形成倒装芯片安装的后述的镀覆凸块24（参照图11），n电极层140通过公知的光刻技术切缺保护层150以及n极密着层145的一部分，使n极接合层144的一部分露出。
接着，对构成半导体发光元件10的其他各层的材料进行说明。
（基板110）
作为基板110，只要是可在表面外延生长III族氮化物半导体结晶的基板，则不特别限定，可以选择各种基板来使用。但是，本实施方式的半导体发光元件10，如后述那样进行倒装芯片安装，以使得从基板110侧取出光，因此优选具有相对于从发光层124射出的光的透光性。例如可以使用由蓝宝石、氧化锌、氧化镁、氧化锆、氧化镁铝、氧化镓、氧化铟、氧化锂镓、氧化锂铝、氧化钕镓、氧化镧锶铝钽、氧化锶钛、氧化钛等构成的基板110。在上述材料之中，特别优选使用以C面为主面的蓝宝石来作为基板110。
（中间层121）
中间层121优选为由多晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）构成的层，更优选为单晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）层。中间层121例如可以设为由多晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）构成的厚度0.01～0.5μm的层。当中间层121的厚度小于0.01μm时，有时不能充分地得到利用中间层121来缓和基板110与基底层122的晶格常数的差异的效果。另外，当中间层121的厚度超过0.5μm时，尽管作为中间层121的功能无变化，但是中间层121的成膜处理时间变长，有可能生产率降低。中间层121具有缓和基板110与基底层122的晶格常数的差异、使在基板110的（0001）面（C面）上形成C轴取向的单晶层容易的作用。因此，隔着中间层121能够层叠结晶性更好的基底层122。
另外，中间层121也可以是由III族氮化物半导体构成的具有六方晶系的结晶结构的层。另外，形成中间层121的III族氮化物半导体的结晶可优选使用具有单晶结构的结晶。III族氮化物半导体的结晶，通过控制生长条件，不仅是上向，在面内方向也生长，从而形成单晶结构。因此，通过控制中间层121的成膜条件，能够形成为由单晶结构的III族氮化物半导体的结晶构成的中间层121。在将具有这样的单晶结构的中间层121成膜在基板110上的情况下，中间层121的缓冲功能有效地作用，因此在其上成膜出的III族氮化物半导体成为具有良好的取向性和结晶性的结晶膜。
（基底层122）
作为基底层122，可使用AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、x+y+z=1），当使用AlxGa1-xN（0≤x＜1）时，能够形成结晶性良好的基底层122，因此优选。
基底层122的膜厚优选为0.1μm以上，更优选为0.5μm以上，最好优选为1μm以上。在为该膜厚以上时容易得到结晶性良好的AlxGa1-xN层。另外，基底层122的膜厚，在生产成本方面优选为15μm以下，进一步优选为10μm以下。
为了使基底层122的结晶性良好，基底层122优选不掺杂杂质。但是，在需要p型或者n型的导电性的情况下，可以添加受主杂质或者施主杂质。
（叠层半导体层126）
图4是说明叠层半导体层126的一例的截面模式图。叠层半导体层126例如是由III族氮化物半导体构成的层，且是在基板110上依次层叠n型半导体层123、发光层124以及p型半导体层125的各层而构成。在本实施方式中，叠层半导体层126的各层分别由多个半导体层构成。再者，叠层半导体层126有时还包含基底层122、中间层121来称呼。在此，n型半导体层123进行将电子作为载流子的电传导，p型半导体层125进行将空穴作为载流子的电传导。再者，叠层半导体层126在用MOCVD法形成时，能得到结晶性良好的半导体层，但即使采用溅射法，通过使条件最佳化，也能形成具有比MOCVD法优异的结晶性的半导体层。
（n型半导体层123）
如图4所示，将电子作为载流子的n型半导体层123，优选由n接触层123a和n覆盖层123b构成。再者，n接触层123a兼作n覆盖层123b也是可以的。另外，也可以将前述的基底层122包含在n型半导体层123中。
n接触层123a是用于设置n电极层140的层。作为n接触层123a，优选由AlxGa1-xN层（0≤x＜1、优选为0≤x≤0.5，更优选为0≤x≤0.1）构成。
另外，优选在n接触层123a中掺杂有n型杂质，当以1×1017～1×1020/cm3、优选以1×1018～1×1019/cm3的浓度含有n型杂质时，在能维持与n电极层140的良好的欧姆接触这一点上优选。作为n型杂质，不特别限定，可列举出例如Si、Ge以及Sn等，优选地列举出Si和Ge。
n接触层123a的膜厚优选设定为0.5μm～5μm，更优选设定为1μm～3μm的范围。当n接触层123a的膜厚在上述范围中时，半导体的结晶性被良好地维持。
优选在n接触层123a与发光层124之间设置n覆盖层123b。n覆盖层123b是进行对发光层124的载流子的注入和载流子的关入（封闭）的层。n覆盖层123b可以使用AlGaN、GaN、GaInN等形成。再者，在本说明书中，有时省略各元素的组成比而如AlGaN、GaInN那样记载。另外，也可以形成为这些结构的异质结和/或多次层叠了的超晶格结构。在用GaInN形成n覆盖层123b的情况下，优选带隙比发光层124的GaInN的带隙大。
n覆盖层123b的膜厚不特别限定，但优选为0.005～0.5μm，更优选为0.005～0.1μm。n覆盖层123b的n型掺杂物浓度优选为1×1017～1×1020/cm3，更优选为1×1018～1×1019/cm3。当掺杂物浓度在该范围时，在良好的结晶性的维持和发光元件的工作电压降低方面是优选的。
再者，在将n覆盖层123b形成为包含超晶格结构的层的情况下，虽然省略详细的图示，但也可以是包含层叠有n侧第1层和n侧第2层的结构的层，n侧第1层由具有100埃以下的膜厚的III族氮化物半导体构成，n侧第2层是组成与n侧第1层不同并且由具有100埃以下的膜厚的III族氮化物半导体构成。另外，n覆盖层123b也可以是包含交替地反复层叠有n侧第1层和n侧第2层的结构的层，优选为GaInN与GaN的交替结构或组成不同的GaInN彼此的交替结构。
（发光层124）
作为层叠在n型半导体层123上的发光层124，可以采用单量子阱结构或者多量子阱结构等。作为量子阱结构的阱层124b，通常使用由Ga1-yInyN（0＜y＜0.4）构成的III族氮化物半导体层。作为阱层124b的膜厚，可以设定为可得到量子效应的程度的膜厚、例如1～10nm，当优选设为2nm～6nm时，在发光输出功率方面是优选的。
另外，在为多量子阱结构的发光层124时，将上述Ga1-yInyN作为阱层124b，将带隙能量比阱层124b大的AlzGa1-zN（0≤z＜0.3）作为势垒层124a。阱层124b和势垒层124a中，根据设计可以掺杂杂质也可以不掺杂杂质。再者，在本实施方式中，发光层124输出蓝色光（发光波长λ=400nm～465nm左右）。
（p型半导体层125）
将空穴作为载流子的p型半导体层125，通常由p覆盖层125a和p接触层125b构成。另外，p接触层125b兼作p覆盖层125a也是可以的。p覆盖层125a是进行对发光层124的载流子的关入和载流子的注入的层。作为p覆盖层125a，只要是比发光层124的带隙能量大的组成且能实现对发光层124的载流子的关入，则不特别限定，但优选为AlxGa1-xN（0＜x≤0.4）层。
当p覆盖层125a由这样的AlGaN构成时，在对发光层124的载流子的关入方面是优选的。p覆盖层125a的膜厚不特别限定，但优选为1～400nm，更优选为5～100nm。p覆盖层125a的p型掺杂物浓度优选为1×1018～1×1021/cm3，更优选为1×1019～1×1020/cm3。当p型掺杂物浓度在上述范围时，能得到良好的p型结晶而不使结晶性降低。另外，p覆盖层125a可以是多次层叠了的超晶格结构，优选为AlGaN与AlGaN的交替结构或AlGaN与GaN的交替结构。
p接触层125b是用于设置p电极层130的层。p接触层125b优选为AlxGa1-xN（0≤x≤0.4）。当Al组成在上述范围时，在能实现良好的结晶性的维持和与p电极层130的良好的欧姆接触的维持方面是优选的。当以1×1018～1×1021/cm3的浓度、优选以5×1019～5×1020/cm3的浓度含有p型杂质（掺杂物）时，在良好的欧姆接触的维持、开裂发生的防止、良好的结晶性的维持方面是优选的。作为p型杂质，不特别限定，但例如可优选列举Mg。p接触层125b的膜厚不特别限定，但优选为10nm～500nm，更优选为50nm～200nm。当p接触层125b的膜厚在该范围时，在发光输出功率方面是优选的。
（p极防扩散层134）
p极防扩散层134抑制处于接触状态的构成金属反射层133的金属的扩散。p极防扩散层134优选使用可取得各层与接触的层的欧姆接触且与接触的层的接触电阻小的层。在本实施方式中，作为p极防扩散层134的第一p极防扩散层134a使用了Ta（钽），作为第二p极防扩散层134b使用了Pt（铂）。
（p极接合层135）
在本实施方式中，p极接合层135使用了Au（金）。
（p极密着层136）
p极密着层136是为了使例如用Au（金）构成的p极接合层135与保护层150的物理密着性提高而设置。在本实施方式中，使用Ti（钛）形成。但是，除了Ti以外，也可以使用例如Ta（钽）、Ni（镍）。
（保护层150）
保护层150由SiO2等的硅氧化物形成。保护层150的膜厚通常在50nm～1μm的范围内设定。当保护层150的膜厚过小时，有可能损害作为保护膜的功能，有由于使用环境发光输出功率在短期间降低的倾向。另外，当保护层150的膜厚过大时，有成本增高和发生开裂等的倾向。
再者，半导体发光元件10的p电极层130，为了形成倒装芯片安装的后述的镀覆凸块25（参照图11），在与半导体发光元件10的四角接近的4个部分利用公知的光刻技术切缺保护层150和p极密着层136的一部分，分别露出p极接合层135的一部分。
接着，说明半导体发光元件10的其他实施方式。
（第2实施方式）
图5是说明半导体发光元件10的第2实施方式的截面模式图。对于与图2所示的实施方式同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件，省略其详细的说明。
在图5所示的半导体发光元件10的绝缘反射层132上所设置的开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间层叠有金属接触层137。另外，金属接触层137是由形成在绝缘反射层132的开口部132h内的侧面上的侧面部137a和形成在绝缘反射层132的金属反射层133侧的表面且开口部132h的周围的周边部137b一体形成的。
此外，在本实施方式中，在金属接触层137与金属反射层133之间，顺序层叠有包含与金属反射层133相同的元素的含Al金属层（第1金属层）138和含有Ta（钽）或Ni（镍）的第2金属层139。
在含Al金属层（第1金属层）138中，包含Al（铝）或Al（铝）-Nd（钕）合金。在第2金属层139中，除了Ta（钽）或Ni（镍）以外还含有Ti（钛）等。
如图5所示，含Al金属层（第1金属层）138和第2金属层139，以金属接触层137的形成在开口部132h的周围的周边部137b的外缘部作为限度而层叠在金属接触层137上。另外，金属反射层133覆盖层叠在金属接触层137上的含Al金属层（第1金属层）138和第2金属层139，且层叠在绝缘反射层132上。
通过在形成于绝缘反射层132的开口部132h内的金属接触层137上进一步层叠含Al金属层（第1金属层）138和含有Ta（钽）或Ni（镍）的第2金属层139，与图2所示的第1实施方式相比，能进一步抑制金属反射层133中所含的铝的氧化。
另外，在图5所示的实施方式中，n电极层140从n型半导体层123侧起依次层叠有含有Ni（镍）的第1导电层141、含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第2导电层142a、含有Ta（钽）的第3导电层143a、含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第4导电层142b、含有Ta（钽）的第5导电层143b、含有Pt（铂）的第6导电层143c、含有Au（金）的n极接合层144以及含有Ti（钛）的n极密着层145。
再者，为了形成倒装芯片安装的后述的镀覆凸块24（参照图11），n电极层140利用公知的光刻技术切缺保护层150以及n极密着层145的一部分，使n极接合层144的一部分露出。
（第3实施方式）
图6是说明半导体发光元件10的第3实施方式的截面模式图。对于与图2所示的实施方式同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件，省略其详细的说明。
在图6所示的半导体发光元件10的绝缘反射层132上所设置的开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间层叠有金属接触层137。而且，在本实施方式中，在金属接触层137与金属反射层133之间，顺序层叠有包含与金属反射层133相同的元素的含Al金属层（第1金属层）138、含有Ta（钽）或Ni（镍）的第2金属层139、含有Pt（铂）的第3金属层139a以及含有Ta（钽）或Ni（镍）的第4金属层139b。
如图6所示，金属反射层133的一部分形成在开口部132h内的未形成第4金属层139b的部分上，并与第3金属层139a接合。由此，在开口部132h内形成有将透明导电层131和金属反射层133导通的导体部。在含Al金属层（第1金属层）138中包含Al（铝）或Al（铝）-Nd（钕）合金。在第2金属层139和第4金属层139b中，除了Ta（钽）或Ni（镍）以外还可以含有Ti（钛）等。
在图6所示的实施方式中，n电极层140是从n型半导体层123侧起依次层叠有含有Ni（镍）的第1导电层141、含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第2导电层142a、含有Ta（钽）的第3导电层143a、含有Pt（铂）的第4导电层143b、含有Ta（钽）的第5导电层143c、含有Al（铝）-Nd（钕）合金的第6导电层142b、含有Ta（钽）的第7导电层143d、含有Pt（铂）的第8导电层143e、含有Au（金）的n极接合层144以及含有Ti（钛）的n极密着层145。
再者，为了形成倒装芯片安装的后述的镀覆凸块24（参照图11），n电极层140利用公知的光刻技术切缺保护层150以及n极密着层145的一部分，使n极接合层144的一部分露出。
（第4实施方式）
图7是说明作为半导体发光元件中的电极配置的另一例的第4实施方式的平面模式图。再者，对于与图1所示的实施方式同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件。
图7所示的半导体发光元件11，具有正方形的平面形状。p电极层130，除了为了形成n电极层140而通过蚀刻等方法被除去了半导体层120的一部分的部分以外，以覆盖半导体层120的上面的大致整个面的方式形成。作为正极的p电极层130，在半导体发光元件11的中央部分，用于与外部电连接的p极接合层135的一部分露出了。另外，作为负极的n电极层140，在与半导体发光元件11的四角接近的4个部分，用于n电极层140与外部的电连接的n极接合层144的一部分分别露出了（称作“N分散型”。）。
另外，在p电极层130的绝缘反射层132（参照图8）上形成有多个开口部132h。开口部132h作为圆形的空白部分（直径=8μm）表示出。在图7中，示出了多个开口部132h相互设置间隔（间距l）地配置在绝缘反射层132（参照图8）整体上的图案（称作“孤立图案”）。
接着，说明半导体发光元件11的截面结构。
图8是图7所示的半导体发光元件11的B-B截面模式图。对于与图2至图6所示的实施方式同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件，省略其详细的说明。
如图8所示，半导体发光元件11具有与图2的实施方式中所述的半导体发光元件10同样的层结构。即，半导体发光元件11具有基板110、层叠在基板110上的半导体层120、形成在半导体层120的p型半导体层125上的p电极层130、和形成在使半导体层120的n型半导体层123的一部分露出来的露出面上的n电极层140。
作为正极的p电极层130，除掉覆盖半导体发光元件11的表面的保护层150以及p极密着层136的中央部分的一部分而使p极接合层135的一部分露出，通过后述的镀覆凸块25（参照图12）与外部电连接。以分散在半导体层120上的四角的方式形成的作为负极的n电极层140，除掉覆盖表面的保护层150以及n极密着层145的一部分而使n极接合层144的一部分露出，通过后述的镀覆凸块24（参照图12）与外部电连接。
图7和图8所示的N分散型的半导体发光元件11，与前述的半导体发光元件10相比，显示出抑制了发光层124的发光集中于半导体发光元件11的中央部分的倾向。
在半导体发光元件11的绝缘反射层132上，与图2所示的实施方式（半导体发光元件10）同样地，设置有多个开口部132h以使得透明导电层131的一部分露出。开口部132h以贯通绝缘反射层132的方式形成，在其内形成有金属反射层133的一部分。开口部132h的口径、多个开口部132h的间隔（间距l）、多个开口部132h的面积总和相对于绝缘反射层132整体面积所占的比例（占有面积率）从与前述的半导体发光元件10的情况同样的范围中选择。
再者，在开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间形成有金属接触层137。而且，金属接触层137是由形成在绝缘反射层132的开口部132h内的侧面上的侧面部137a和形成在绝缘反射层132的金属反射层133侧的表面且开口部132h的周围的周边部137b一体地形成的。金属接触层137中所含有的元素、厚度，从与前述的半导体发光元件10的情况同样的范围中选择。
在半导体发光元件11中，与图2所示的实施方式（半导体发光元件10）同样地，以覆盖绝缘反射层132的大致整个区域的方式形成金属反射层133。构成金属反射层133的材料、厚度，从与半导体发光元件10的情况同样的范围中选择。
再者，半导体发光元件11的多个n电极层140，具有与图2所示的实施方式（半导体发光元件10）同样的层结构。
（第5实施方式）
图9是说明半导体发光元件的第5实施方式的截面模式图。对于与图7和图8所示的实施方式（第4实施方式）同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件，省略其详细的说明。
图9所示的半导体发光元件11，具有与图5的第2实施方式中所述的半导体发光元件10同样的层结构。即，在绝缘反射层132上所设置的开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间层叠有金属接触层137。另外，金属接触层137是由形成在绝缘反射层132的开口部132h内的侧面上的侧面部137a和形成在绝缘反射层132的金属反射层133侧的表面且开口部132h的周围的周边部137b一体地形成的。
而且，在本实施方式中，在金属接触层137与金属反射层133之间顺序层叠有含Al金属层（第1金属层）138和第2金属层139。这些层中所含有的元素，从与前述的第2实施方式（半导体发光元件10）的情况同样的范围中选择。
在半导体发光元件11中，与图5所示的第2实施方式（半导体发光元件10）同样地，金属反射层133以覆盖层叠在金属接触层137上的含Al金属层（第1金属层）138和第2金属层139、且覆盖绝缘反射层132的方式形成。构成金属反射层133的材料、厚度，从与半导体发光元件10的情况同样的范围中选择。
再者，半导体发光元件11的多个n电极层140，具有与图5所示的第2实施方式（半导体发光元件10）同样的层结构。
（第6实施方式）
图10是说明半导体发光元件的第6实施方式的截面模式图。对于与图7和图8所示的实施方式（第4实施方式）同样的要素，使用同一标记、名称来表示同一或相同性质的要素、部件，省略其详细的说明。
图10所示的半导体发光元件11，具有与图6的第3实施方式中所述的半导体发光元件10同样的层结构。即，在绝缘反射层132上所设置的开口部132h中，至少在透明导电层131的在开口部132h露出的部分与金属反射层133的形成在开口部132h内的部分之间层叠有金属接触层137。而且，在金属接触层137与金属反射层133之间顺序层叠有含Al金属层（第1金属层）138、第2金属层139、第3金属层139a、第4金属层139b。这些层中所含有的元素，从与前述的第3实施方式（半导体发光元件10）的情况同样的范围中选择。
如图10所示，金属反射层133的一部分，形成在开口部132h内的未形成第4金属层139b的部分上，并与第3金属层139a进行接合。由此，在开口部132h内形成有贯通透明导电层131和金属反射层133的导体部。再者，半导体发光元件11的多个n电极层140，具有与图6所示的第3实施方式（半导体发光元件10）同样的层结构。
（向次安装基台20的安装工序）
半导体发光元件10和半导体发光元件11，例如经过如下那样的操作被安装到后述的次安装基台基板21（参照图11、图12）上。最初，在半导体发光元件10、11的晶片整个面上使用公知的溅射法形成TiW/Au膜之后，利用公知的光刻技术形成使n电极层140和p电极层130开口了的抗蚀剂，接着利用公知的成膜法在n电极层140和p电极层130上生长规定膜厚的Au，形成后述的镀覆凸块24、25（参照图11、图12）。抗蚀剂以及TiW/Au膜的不需要部分，利用公知的蚀刻法等除去。在使用了AlN基板的后述的次安装基台20（参照图11、图12）上，将发光芯片翻过来设置，并与次安装基台20对位，使得后述的次安装基台布线22、23（参照图11、图12）与半导体发光元件10、11的镀覆凸块24、25分别对应，并进行电连接。
＜半导体发光装置1、2＞
图11是说明应用本实施方式的半导体发光装置的一例的截面模式图。图12是说明应用本实施方式的半导体发光装置的另一例的截面模式图。以下，基于图11和图12进行说明。
图11所示的半导体发光装置1，在次安装基台基板21上安装有在图1和图2中已说明的半导体发光元件10。对与图1和图2同样的构成，使用相同的标记，省略详细的说明。图12所示的半导体发光装置2，在次安装基台基板21上安装有在图7和图8中已说明的半导体发光元件11（N分散型）。对与图7及图8同样的构成，使用相同的标记，省略详细的说明。
如图11和图12所示，半导体发光元件10和半导体发光元件11，分别具备装载半导体发光元件10、11的作为电路板的一例的次安装基台20。次安装基台20固定半导体发光元件10、11，并且设置有向半导体发光元件10、11供给电力的布线。如图11和图12所示，半导体发光装置1、2，在次安装基台20上倒装芯片安装了半导体发光元件10、11。
次安装基台20具备：次安装基台基板21；设置在次安装基台基板21上的次安装基台布线22、23；将半导体发光元件10、11的n电极层140与次安装基台布线22电连接的作为接线柱的一例的镀覆凸块24；以及将p电极层130与次安装基台布线23电连接的作为接线柱的一例的镀覆凸块25。在本实施方式中，镀覆凸块24、25的主体由金（Au）构成，各自与n电极层140以及p电极层130的表面接触的部分，使用溅射法成膜有TiW/Au这两层。
在半导体发光元件10、11的发光层124（参照图2、图8）中射出的光中，向基板110侧前进的光被取出到外部。另一方面，发光层124射出的光中，向p电极层130侧前进的光被设置于p电极层130的绝缘反射层132和金属反射层133反射，朝向基板110侧并被取出到外部。
实施例
以下，基于实施例进一步详细地说明本发明。但是，本发明只要不超出其主旨，就不限于以下的实施例。
（实施例1、2、比较例1、2）
制作了在图2（第1实施方式）和图5（第2实施方式）中分别示出的半导体发光元件10。在多层结构的绝缘反射层132上设置多个开口部132h，在开口部132h中露出来的由IZO（氧化铟锌）构成的透明导电层131与由Al（铝）-Nd（钕）合金构成的金属反射层133之间形成了由Ni（镍）构成的金属接触层137。
再者，绝缘反射层132通过在10层的第1绝缘反射层132a之间夹入9层的第2绝缘反射层132b而具有共计19层的叠层结构。第1绝缘反射层132a使用层厚度dL=76nm的SiO2（二氧化硅）形成。第2绝缘反射层132b使用层厚度dH=51nm的Ta2O5（氧化钽）形成。多层结构的绝缘反射层132的整体膜厚（H）是1218nm。另外，开口部132h的口径是8μm，多个开口部132h的间距l是40μm，占有面积率是5%。
接着，如图11所示，制作了将这些半导体发光元件10在次安装基台20上进行了倒装芯片安装的半导体发光装置1。接着，对这些半导体发光装置1分别测定了LED特性。
再者，作为比较例，对于包括在开口部132h露出的透明导电层131与金属反射层133之间在内，在多层结构的绝缘反射层132的整个表面上形成了在实施例1中形成的由Ni（镍）构成的金属接触层137，除此以外为与实施例1同样的构成的情况（比较例1），以及将在实施例1中形成的多层结构的绝缘反射层132设定为使用了SiO2（二氧化硅）的单层结构的绝缘反射层，不形成金属接触层137，将金属反射层133设定为由Ag（银）构成的金属反射层，除此以外为与实施例1同样的构成的情况（比较例2），分别形成半导体发光元件，与实施例1同样地测定了LED特性。在表1和表2中示出结果。
在表1和表2中，Vf是正向电压（单位:V），Po是发光输出功率（单位：mW）。
表1
Figure BDA00003110165500241
表2
Figure BDA00003110165500251
从表1所示的结果可知，在实施例1和实施例2中制作的倒装芯片安装型的半导体发光装置1的正向电压（Vf：V），与在多层结构的绝缘反射层132的整个表面形成了由Ni构成的金属接触层137的情况（比较例1）、和以往的具有由Ag构成的金属反射层的情况（比较例2）大致同等。
另外可知，通过在形成于开口部132h内的金属接触层137上进一步层叠含Al金属层（第1金属层）138和含有Ta（钽）的第2金属层139（实施例2），与仅为金属接触层137的情况（实施例1）相比，能够进一步抑制金属反射层133中所含有的铝的氧化，因此正向电压（Vf：V）减小。从表2所示的结果可知，与在多层结构的绝缘反射层132的整个表面形成了由Ni构成的金属接触层137的情况（比较例1）、和以往的具有由Ag构成的金属反射膜的情况（比较例2）相比，在实施例1和实施例2中制作的倒装芯片安装型的半导体发光装置1的发光输出功率（Po：mW）增大。

Claims (5)

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：
叠层半导体层，其层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层；
透明导电层，其层叠在所述叠层半导体层的所述p型半导体层上，且由相对于从所述发光层射出的光显示透光性的金属氧化物构成；
绝缘反射层，其层叠在所述透明导电层上，且设有该透明导电层的一部分露出的多个开口部；
金属反射层，其形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内，且由包含铝的金属构成；以及
金属接触层，其至少设置在所述透明导电层的在所述开口部露出的部分与所述金属反射层的形成在该开口部内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述金属接触层至少包含从铬、钼以及镍中选出的元素。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，
在所述金属接触层与所述金属反射层之间还具有第1金属层和第2金属层，所述第1金属层包含铝或铝-钕合金，所述第2金属层包含钽或镍。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述金属反射层包含铝或铝-钕合金。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述绝缘反射层由交替地层叠第1绝缘层和第2绝缘层而构成的多层绝缘层构成，所述第1绝缘层具有第1折射率且相对于从所述发光层射出的光显示透光性，所述第2绝缘层具有比该第1折射率高的第2折射率且相对于从该发光层射出的光显示透光性。
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