JP2007158129A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板100に発光領域Lを有するn型層11とp型層12を形成する。ITO電極121−t、SiNx誘電体層150とその孔部のNiから成る接続部121−c、Alから成る高反射性金属層121−rを形成する。この上にTi層122、Ni層123、Au層124を順に形成する。次にn型シリコン基板200を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。TiN層221及び231、Ti層222及び232、Ni層223及び233、Au層224及び234。これらにスズ20%の金スズはんだ(Au−20Sn)51、52を形成し、300℃で熱プレスして、2つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板100側からレーザ照射によりn型層11の表面のGaNを分解して、サファイア基板100をリフトオフにより除去する。
【選択図】図1.H
Description
n電極130と、接続部121−cの充填された誘電体層150の孔部Hの平面形状、即ち発光領域Lの平面への正射影は、重ならないことが望ましく、またそれらの正射影はいずれの位置においても一定の距離以下とならないことが好ましい。この場合の「一定の距離」とは、例えばn型層11とp型層12の総膜厚程度の距離、或いはその数倍を設定すると良い。例えばn型層11とp型層12の総膜厚が5μmであるならば、2つの正射影はいずれの位置においても5μm以上離れていることが望ましく、10μm以上離れていることがより望ましく、20μm以上離れていることが更に望ましい。
100:サファイア基板(エピタキシャル成長基板)
11:n型III族窒化物系化合物半導体層
12:p型III族窒化物系化合物半導体層
L:発光領域
121−t:ITOから成る透光性電極
121−c:Niから成る接続部
121−r:Alから成る高反射性金属層
200:シリコン基板(支持基板)
221、231:TiN層
122、222、232:Ti層
123、223、233:Ni層
124、224、234:Au層
130:多層金属膜から成るn電極
50、51、52:Au−20Snはんだ層
150:SiNxから成る誘電体層
H:誘電体層の孔部
Claims (11)
- 導電性の酸化物層と、酸化物が絶縁物となる金属層とを少なくとも一方の電極層の構成として有する半導体素子であって、
前記酸化物層と前記金属層とを直接接触させないよう、それらの間に、孔部を有する誘電体層と、前記酸化物層と前記金属層とを電気的に接続する当該孔部に充填された接続部を有することを特徴とする半導体素子。 - III族窒化物系化合物半導体光素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 発光領域又は受光領域を挟んで、正及び負電極が当該発光領域又は受光領域の上方及び下方に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記酸化物層及び前記誘電体層は、いずれも透光性であり、前記金属層は光反射性であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記酸化物層は酸化インジウムスズ(ITO)から成ることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子。
- 前記金属層はアルミニウム(Al)から成ることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体素子。
- 前記接続部は、前記酸化物層と接触することでは酸化されないか、少なくとも酸化物が絶縁体でない金属から形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記接続部は、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記接続部は、コバルト(Co)、クロム(Cr)、銅(Cu)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、タングステン(W)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記接続部は、導電性の金属窒化物又は金属炭化物から形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記接続部は、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)又はジルコニウム(Zr)の窒化物若しくは炭化物から形成されていることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子。
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