CN103137285A - 电子元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子元件及其制造方法。不使元件的尺寸大型化就增大线圈的直径。层叠体（12）通过层叠磁性体层（16）以及非磁性体层（17）而构成，且呈长方体状。线圈（L1）设置在层叠体（12）内，且具有与层叠体（12）的层叠方向大致平行的线圈轴。层叠方向以及线圈轴与构成层叠体（12）的各边不平行。

Description

电子元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及电子元件及其制造方法，特别是涉及内置有线圈的电子元件及其制造方法。

背景技术

作为与以往的电子元件有关的发明例如已知专利文献1中记载的层叠型电子元件。在专利文献1所记载的电子元件中，层叠长方形薄片来构成长方体状的芯片主体。另外，电子元件中设置有构成扼流圈的2个线圈。2个线圈分别由形成在薄片上的螺旋状导体图案构成。

但是，在上述那样的电子元件中一般来说存在希望不将元件的尺寸大型化就增大线圈直径这样的要求。

专利文献1：日本特开2005－268455号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种能够不使元件的尺寸大型化就增大线圈的直径的电子元件及其制造方法。

本发明的一种方式所涉及的电子元件，其特征在于，具备：长方体状的层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而构成；以及第1线圈，其设置在上述层叠体内，且具有与该层叠体的层叠方向大致平行的线圈轴；上述层叠方向以及上述线圈轴与构成上述层叠体的各边不平行。

另外，本发明的一种方式所涉及的电子元件的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，制作层叠多个母绝缘体层而构成的母层叠体，即、内置由配置成行方向与列方向正交的行列的多个第1线圈构成的第1线圈组的母层叠体；第2工序，在所述多个第1线圈的各行之间，沿着行方向，在与所述母层叠体的主面正交的方向上切割该母层叠体；第3工序，在所述多个第1线圈的各列之间，沿着列方向，在相对于所述母层叠体的主面倾斜的第1方向上切割该母层叠体；以及第4工序，在所述多个第1线圈的各列之间，沿着列方向，在与第1方向正交的第2方向上切割该母层叠体。

根据本发明，能够不使元件的尺寸大型化就增大线圈直径。

附图说明

图1是电子元件的外观立体图。

图2是电子元件的层叠体的分解立体图。

图3是表示母层叠体的图。

图4是表示计算机模拟的结果的曲线图。

图5是从x轴方向的负方向俯视图1所示的电子元件的图。

图6是基于其他实施方式所涉及的制造方法的工序图。

图7是表示母层叠体的图。

附图标记说明

A1~A4...对角线；G1、G2...线圈组；L1、L2...线圈；P1、P2...交点；S1...上表面；S2...下表面；S3~S6...侧面；t1~t8...端部；v1、v2...通孔导体；10...电子元件；12...层叠体；14a~14d...外部电极；16a~16r...磁性体层；17a~17c、117a~117r...非磁性体层；18a、18b、20a、20b...线圈部；112、112a...母层叠体。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的电子元件及其制造方法进行说明。

（电子元件的构成）

首先，参照附图对电子元件的构成进行说明。图1是电子元件10的外观立体图。图2是电子元件10的层叠体12的分解立体图。以下，将图1的上下方向定义为z轴方向，将从z轴方向俯视层叠体12时层叠体12的2条边延伸的方向定义为x轴方向以及y轴方向。x轴方向、y轴方向以及z轴方向互相正交。另外，图2是使图1中的层叠体12以x轴为中心逆时针旋转45度表示的图。

电子元件10为内置共模扼流圈的芯片型电子元件，如图1以及图2所示，具备层叠体12、外部电极14（14a~14d）以及线圈L1、L2。

如图1所示，层叠体12呈长方体状。如图1所示，层叠体12具有上表面S1、下表面S2、侧面S3~S6。上表面S1是层叠体12的z轴方向的正方向侧的面。下表面S2是层叠体12的z轴方向的负方向侧的面，并与上表面S1对置。侧面S3是层叠体12的x轴方向的负方向侧的面。侧面S4是层叠体12的x轴方向的正方向侧的面，并与侧面S3对置。侧面S5是层叠体12的y轴方向的负方向侧的面。侧面S6是层叠体12的y轴方向的正方向侧的面，并与侧面S5对置。在本实施方式中，侧面S3、S4呈正方形。另外，将侧面S3的对角线设为对角线A1、A2，将侧面S4的对角线设为对角线A3、A4。

另外，如图2所示，层叠体12由多个磁性体层（绝缘体层）16（16a~16i）、非磁性体层（绝缘体层）17（17a~17c）以及磁性体层16（16j~16r）依次层叠而构成。如图2所示，层叠体12的层叠方向与构成层叠体12的各边不平行。即、层叠方向与x轴方向、y轴方向以及z轴方向都不平行。在本实施方式中，层叠方向与x轴方向正交，并且与y轴方向以及z轴方向成45°的角度。由此，如图1以及图2所示，磁性体层16以及非磁性体层17与侧面S3、S4正交，并且与对角线A1、A3平行。以下，将与对角线A1、A3平行的方向定义为α轴方向。另外，将层叠方向定义为β轴方向。

如上所述，层叠体12的层叠方向与x轴方向、y轴方向以及z轴方都不平行，所以磁性体层16以及非磁性体层17分别呈不同的尺寸的长方形。具体来说，磁性体层16a~16i以及非磁性体层17a、17b的α轴方向上的宽度随着从β轴方向的正方向侧朝向负方向侧而变大。并且，磁性体层16a~16i以及非磁性体层17a、17b的x轴方向上的长度相等。另外，非磁性体层17c以及磁性体层16j~16r的α轴方向上的宽度随着从β轴方向的正方向侧朝向负方向侧而变小。并且，非磁性体层17c以及磁性体层16j~16r的x轴方向上的长度相等。通过如上那样构成磁性体层16以及非磁性体层17，从而侧面S3、S4形成正方形，此外，在图2中，磁性体层16设置有18层，但实际上层叠有更多的磁性体层16。

此处，磁性体层16例如由Ni-Cu-Zn系铁氧体等磁性材料构成。另外，非磁性体层17由Cu-Zn系铁氧体、玻璃等非磁性材料构成。以下，将磁性体层16以及非磁性体层17的β轴方向的正方向侧的面称为表面，将磁性体层16以及非磁性体层17的β轴方向的负方向侧的面称为背面。

线圈L1是被设置在层叠体12内的螺旋状线圈。另外，线圈L1的线圈轴与层叠体12的层叠方向（即、β轴方向）大致平行。因此，线圈L1的线圈轴与构成层叠体12的各边不平行。

以下，对线圈L1的构成进行更详细的说明。线圈L1包括线圈部18a、18b以及通孔导体v1。线圈部18a是被设置在非磁性体层17b的表面上，呈一边顺时针旋转一边朝向中心旋转的螺旋状的线状导体。以下，将线圈部18a的外侧的端部定义为端部t1，将线圈部18a的中心侧的端部定义为端部t2。端部t1为线圈L1的一端。因此，线圈部18a包括线圈L1的一端。并且如图1所示，在侧面S3上，端部t1位于比对角线A1、A2的交点P1更靠α轴方向的正方向侧。其中，端部t1位于比对角线A1更稍靠β轴方向的正方向侧。

另外，线圈部18b是被设置在非磁性体层17a的表面上，呈L字型的线状导体。以下，将线圈部18b的x轴方向的负方向侧的端部定义为端部t3，将线圈部18b的x轴方向的正方向侧的端部定义为端部t4。端部t4为线圈L1的另一端。因此，线圈部18b包括线圈L1的另一端。并且，如图1所示，在侧面S4上，端部t4位于比对角线A3、A4的交点P2更靠α轴方向的正方向侧。其中，端部t4位于比对角线A3更稍靠β轴方向的正方向侧。另外，从β轴方向俯视时，端部t3与端部t2重叠。

通孔导体v1在β轴方向上贯通非磁性体层17a，并连接着线圈部18a的端部t2与线圈部18b的端部t3。

线圈L2是被设置在层叠体12内的螺旋状线圈。另外，线圈L2的线圈轴与层叠体12的层叠方向（即、β轴方向）大致平行。因此，线圈L2的线圈轴不与构成层叠体12的各边平行。

以下，对线圈L2的构成进行更详细的说明。更详细地说，线圈L2包括线圈部20a、20b以及通孔导体v2。线圈部20a是被设置在非磁性体层17c的表面上，呈一边顺时针旋转一边朝向中心旋转的螺旋状的线状导体。线圈部20a的螺旋部分具有与线圈部18a的螺旋部分相同的形状，并且，从β轴方向俯视线圈部20a的螺旋部分时，以与线圈部18a的螺旋部分一致的状态重叠。以下，将线圈部20a的外侧的端部定义为端部t5，将线圈部20a的中心侧的端部定义为端部t6。端部t5为线圈L2的一端。因此，线圈部20a包括线圈L2的一端。并且，在侧面S3上，端部t5位于比对角线A1、A2的交点P1更靠α轴方向的负方向侧。其中，端部t5位于比对角线A1更稍靠β轴方向的负方向侧。由此，端部t1以及端部t5在侧面S3位于相对于对角线A1、A2的交点P1成点对称的位置。

另外，线圈部20b是被设置在磁性体层16j的表面上，呈L字型的线状导体。以下，将线圈部20b的x轴方向的负方向侧的端部定义为端部t7，将线圈部20b的x轴方向的正方向侧的端部定义为端部t8。端部t8为线圈L2的另一端。因此，线圈部20b包括线圈L2的另一端。并且，在侧面S4上，端部t8位于比对角线A3、A4的交点P2更靠α轴方向的负方向侧。其中，端部t8位于比对角线A3更稍靠β轴方向的负方向侧。由此，端部t4以及端部t8在侧面S4上位于相对于对角线A3、A4的交点P2成点对称的位置。另外，从β轴方向俯视时，端部t7与端部t6重叠。

通孔导体v2在β轴方向上贯通非磁性体层17c，并连接着线圈部20a的端部t6与线圈部20b的端部t7。

如上所述，线圈L1被设置在非磁性体层17a、17b的表面上，线圈L2被设置在非磁性体层17c以及磁性体层16j的表面上。因此，从侧面S3的法线方向（即、x轴方向）俯视时，线圈L1、L2隔着侧面S3的对角线A1对置。由此，线圈L1、L2以相互电磁耦合的方式构成共模扼流圈。

外部电极14a、14b分别被设置在层叠体12的侧面S3上，并与端部t1、t5连接。更详细地说，外部电极14a、14b分别在层叠体12的侧面S3上被设置成沿z轴方向延伸。外部电极14a设置成比外部电极14b更靠y轴方向的负方向侧。并且，外部电极14a、14b分别覆盖端部t1、t5。另外，外部电极14a、14b被折回到上表面S1以及下表面S2处。

外部电极14c、14d分别被设置在层叠体12的侧面S4上，并与端部t4、t8连接。更详细地说，外部电极14c、14d分别在层叠体12的侧面S4上被设置成沿z轴方向延伸。外部电极14c设置成比外部电极14d更靠y轴方向的负方向侧。并且，外部电极14c、14d分别覆盖端部t4、t8。另外，外部电极14c、14d被折回到上表面S1以及下表面S2处。

在如上那样构成的电子元件10中，在从β轴方向上俯视时，线圈L1、L2重叠。由此，线圈L1产生的磁通会通过线圈L2，线圈L2产生的磁通会通过线圈L1。因此，线圈L1和线圈L2磁耦合，线圈20a和线圈20b构成共模扼流圈。并且，外部电极14a、14b作为输入端子使用，外部电极14c、14d作为输出端子使用。也就是说，差动传输信号被从外部电极14a、14b输入，从外部电极14c、14d输出。因此，在差动传输信号含有共模噪声的情况下，线圈L1、L2因共模噪声而在相同方向上产生磁通。因此，磁通之间互相增强，产生针对共模的阻抗。其结果，共模噪声被转换为热量而妨碍通过线圈L1、L2。

（电子元件的制造方法）

以下，参照附图对如上那样地构成的电子元件10的制造方法进行说明。图3是表示母层叠体112的图。

首先，制作应成为磁性体层16以及非磁性体层17的陶瓷生片（母绝缘体层）。陶瓷生片呈大尺寸的长方形。另外，应成为磁性体层16以及非磁性体层17的陶瓷生片的制作工序较普遍，因此省略进一步的说明。

接下来，对应成为非磁性体层17a、17c的陶瓷生片上的形成通孔导体v1、v2的位置照射激光束，从而形成通孔。并且，在通孔内填入以Ag等导体为主成分的导电性膏体，而形成通孔导体v1、v2。

接下来，通过在应成为非磁性体层17b、17a、17c以及磁性体层16j的陶瓷生片的表面上对以Ag等导体为主成分的导电性膏体进行丝网印刷来形成图2所示的线圈部18a、18b、20a、20b。此时，如图3（a）所示，以配置成行方向（α轴方向）与列方向（x轴方向）正交的行列的方式形成线圈部18a、18b、20a、20b（线圈L1、L2）。另外，形成线圈部18a、18b、20a、20b的同时进行向通孔中填入导电性膏体也是可以。

接下来，将应成为磁性体层16a~16i、非磁性体层17a~17c以及磁性体层16j～16r的陶瓷生片以从β轴方向的正方向侧朝向负方向侧依次排列的方式进行层叠以及压接。由此，如图3所示，形成内置线圈组G1的母层叠体112，该内置线圈组G1由配置成行列的多个线圈L1、L2构成。

接下来，在多个线圈L1、L2的各行之间，沿着行方向，在与母层叠体112的主面正交的方向上切割母层叠体112。即、使切割机与母层叠体112的主面正交，使切割机沿着图3（a）中的切割线CL1移动，从而切割母层叠体112。

接下来，在多个线圈L1、L2的各列之间，沿着列方向，在相对于母层叠体112的主面倾斜45°的第1方向（参照图3（b））上切割母层叠体112。第1方向是朝向z轴方向的负方向侧的方向。即、使切割机朝向z轴方向的负方向侧，并使切割机沿着图3（a）中的切割线CL2移动，从而切割母层叠体112。另外，如图3（b）所示，切割机通过相邻的线圈L1、L2的中点。

接下来，在多个线圈L1、L2的各列之间，沿着列方向，在与第1方向正交的第2方向（参照图3（b））上切割母层叠体112。第2方向是朝向y轴方向的正方向侧的方向。即、使切割机朝向y轴方向的正方向侧，并使切割机沿着图3（a）中的切割线CL3移动，从而切割母层叠体112。另外，如图3（b）所示，切割机通过相邻的线圈L1、L2的中点。由此，母层叠体112被分割为多个未烧结的层叠体12。

接下来，对未烧结的层叠体12施以脱脂处理以及烧结。之后，对层叠体12的表面施以滚筒抛光处理，进行倒角。

接下来，将由以Ag等导体为主成分的导电性材料构成的电极膏体涂敷在层叠体12的侧面S3、S4、上表面S1以及下表面S2上，并且将涂敷后的电极膏体烧结。由此，形成应成为外部电极14的银电极。并且，通过对应成为外部电极14的银电极的表面施以Ni镀敷/Sn镀敷，而形成外部电极14。通过以上工序，电子元件10完成。

（效果）

根据如上那样地构成的电子元件10，能够不使元件的尺寸大型化就增大线圈L1、L2的直径。更详细地说，在电子元件10中，层叠体12的层叠方向以及线圈L1、L2的线圈轴与构成层叠体12的各边不平行。在本实施方式中，特别是多个磁性体层16以及非磁性体层17与层叠体12的侧面S3正交。由此，层叠方向（β轴方向）的中央附近的非磁性体层17的面积比上表面S1的面积大。因此，在电子元件10中能够不使元件的尺寸大型化就增大线圈L1、L2的直径。并且，在电子元件10中，也可以增多线圈L1、L2的匝数。

并且，磁性体层16以及非磁性体层17与侧面S3的对角线A1平行。此时，层叠方向（β轴方向）的中央附近的非磁性体层17的面积为最大。因此，能够不将元件的尺寸大型化就进一步增大线圈L1、L2的直径。并且，在电子元件10中，也可以进一步增多线圈L1、L2的匝数。

在此，本申请的发明人为了使电子元件10起到的效果更明确，进行了在下面说明的计算机模拟。具体来说，制作了相当于本实施方式所涉及的电子元件10的第1模型以及相当于比较例所涉及的电子元件的第2模型。第2模型是与第1模型相同的尺寸，是磁性体层以及非磁性体层在z轴方向上层叠而成的模型。而且，在第1模型以及第2模型中，对从外部电极14c输出的信号相对于输入到外部电极14a的信号的衰减量进行了计算。图4是表示计算机模拟的结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

根据图4，可知第1模型的衰减量比第2模型的衰减量大。这意味着由于第1模型的线圈的匝数能够比第2模型的线圈的匝数增加1匝，所以第1模型的噪声除去特性比第2模型的噪声除去特性优异。

另外，根据电子元件10，如以下说明，外部电极14a~14b容易形成。图5是从x轴方向的负方向侧俯视图1所示的电子元件10的图。

如图1所示，电子元件10的侧面S3呈正方形，且线圈L1的端部t1以及线圈L2的端部t2位于相对于对角线A1、A2的交点P1成点对称的位置。由此，如图5（a）所示，外部电极14a、14b也可以被形成为在z轴方向上延伸，另外，如图5（b）所示，外部电极14a、14b还可以被形成为在y轴方向上延伸。即、在电子元件10中，在形成外部电极14a~14d时，无需识别层叠体12的方向。另外，在电子元件10中，形成外部电极14a~14d时，无需使层叠体12的方向一致。由上所述，根据电子元件10，外部电极14a~14b的形成变得容易了。

（其他实施方式）

本发明所涉及的电子元件及其制造方法并不限于上述实施方式所示的电子元件10及其制造方法，能够在其要旨范围内变更。

在电子元件10的制造方法中，倾斜切割机来切割母层叠体112，但是根据以下的电子元件10的制造方法，能够不必倾斜切割机而切割母层叠体112。图6是基于其他的实施方式所涉及的制造方法的工序图。

在其他实施方式所涉及的制造方法中，如图6所示，通过使根据切割线CL1被切割的一行量的层叠体群113以α轴为中心旋转90度，从而使层叠体群113的侧面S3朝向上侧。

接下来，将多个层叠体群113在x轴方向上排成一列。

接下来，沿着切割线CL2，在与侧面S3正交的方向上切割层叠体群113。并且，沿着切割线CL3，在与侧面S3正交的方向上切割层叠体群113。由此，母层叠体112被分割为多个层叠体12。

另外，在电子元件10中，采用了磁性体层16以及非磁性体层17，但也可以不采用磁性体层16。在这种情况下，根据下面说明的制造方法，能够高效地制造出电子元件10。

下面，参照附图对其他实施方式所涉及的电子元件10的制造方法进行说明。图7是表示母层叠体112a的图。

首先，制作应成为非磁性体层17、117（参照图2）的陶瓷生片。陶瓷生片呈大尺寸的长方形。另外，由于应成为非磁性体层17、117的陶瓷生片的制作工序较普遍，所以省略进一步的说明。

接下来，对应成为非磁性体层17a、17c的陶瓷生片上的形成通孔导体v1、v2的位置上照射激光束来形成通孔。并且，在通孔内填入以Ag等导体为主成分的导电性膏体，从而形成通孔导体v1、v2。

接下来，在应成为非磁性体层17b、17a、17c、117j的陶瓷生片的表面上对以Ag等导体为主成分的导电性膏体进行丝网印刷，从而形成图2所示线圈部18a、18b、20a、20b。此时，如图7（a）所示，以配置成行方向（α轴方向）与列方向（x轴方向）正交的行列的方式形成线圈部18a、18b、20a、20b（线圈L1、L2）。另外，形成线圈部18a、18b、20a、20b的同时进行向通孔中填入导电性膏体也是可以。

接下来，将应成为非磁性体层117a~117i、17a~17c、117j~117r的陶瓷生片以从β轴方向的正方向侧朝向负方向侧依次排列的方式进行层叠以及压接。此时，如图7所示，以在比线圈组G1更靠层叠方向的下侧（β轴方向的负方向侧），配置由配置成行列的多个线圈L1、L2构成的线圈组G2的方式遍及多层层叠应成为非磁性体层117a~117i、17a~17c、117j~117r的陶瓷生片。此时，以使构成线圈组G2的线圈L1、L2相对于构成线圈组G1的线圈L1、L2位于第1方向上的方式层叠陶瓷生片。由此，形成内置线圈组G1、G2的母层叠体112a。

接下来，在多个线圈L1、L2的各行之间，沿着行方向，在与母层叠体112a的主面正交的方向上切割母层叠体112a。即、使切割机与母层叠体112a的主面正交，并使切割机沿着图7（a）中的切割线CL1移动，从而切割母层叠体112a。

接下来，在多个线圈L1、L2的各列之间，沿着列方向，在相对于母层叠体112a的主平面倾斜45°的第1方向（参照图7（b））上切割母层叠体112a。第1方向为朝向z轴方向的负方向侧的方向。即、使切割机朝向z轴方向的负方向侧，并使切割机沿着图7（a）中的切割线CL2移动，从而切割母层叠体112a。另外，如图7（b）所示，切割机通过相邻的线圈L1、L2的中点。

接下来，在多个线圈L1、L2的各列之间，沿着列方向，在与第1方向正交的第2方向（参照图7（b））上切割母层叠体112a。第2方向为朝向y轴方向的正方向侧的方向。即、使切割机朝向y轴方向的正方向侧，并使切割机沿着图7（a）中的切割线CL3移动，从而切割母层叠体112a。另外，如图7（b）所示，切割机通过相邻的线圈L1、L2的中点。由此，母层叠体112a被分割为多个未烧结的层叠体12。

接下来，对未烧结的层叠体12的表面施以滚筒抛光处理，进行倒角。之后，对未烧结的层叠体12施以脱脂处理以及烧结。

接下来，将由以Ag等导体为主成分的导电性材料构成的电极膏体涂敷在层叠体12的侧面S3、S4、上表面S1以及下表面S2上，并且将涂敷后的电极膏体烧结。由此，形成应成为外部电极14的银电极。并且，对应成为外部电极14的银电极的表面施以Ni镀敷/Sn镀敷，从而形成外部电极14。通过以上工序，电子元件10完成。

根据以上所述的电子元件10的制造方法，在图3中，由于在母层叠体112中利用了未被利用过的领域，因此，能够高效地制造电子元件10。另外，通过增加线圈组的级数，也能够更高效地制造电子元件10。

另外，层叠体12全部由磁性体层来制作也可以。

如上所述，本发明适用于电子元件以及其制造方法，特别是在能够不使元件尺寸大型化就增大线圈的直径这方面优异。

Claims (10)

1.一种电子元件，其特征在于，

具备：

长方体状的层叠体，其通过层叠多个绝缘体层而构成；以及

第1线圈，其设置在所述层叠体内，且具有与该层叠体的层叠方向大致平行的线圈轴；

所述层叠方向以及所述线圈轴与构成所述层叠体的各边不平行。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，

所述多个绝缘体层与所述层叠体的第1侧面正交。

3.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，

所述多个绝缘体层与所述第1侧面的第1对角线平行。

4.根据权利要求3所述的电子元件，其特征在于，

所述第1侧面为正方形。

5.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，

所述电子元件还具备第2线圈，该第2线圈设置在所述层叠体内，且具有与该层叠体的层叠方向大致平行的线圈轴，

从所述第1侧面的法线方向俯视时，所述第1线圈以及所述第2线圈隔着该第1侧面的所述第1对角线对置，由此构成共模扼流圈。

6.根据权利要求5所述的电子元件，其特征在于，

所述第1线圈的一端以及所述第2线圈的一端在所述第1侧面中，位于相对于所述第1对角线以及第2对角线的交点成点对称的位置，

所述电子元件还具备第1外部电极以及第2外部电极，所述第1外部电极以及第2外部电极被设置在所述第1侧面，且分别与所述第1线圈的一端以及所述第2线圈的一端连接。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的电子元件，其特征在于，

所述第1线圈以及所述第2线圈呈螺旋状。

8.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，

所述第1线圈包括：

第1线圈部，其包括所述第1线圈的一端，且呈螺旋状；

第2线圈部，其包括所述第1线圈的另一端；以及

通孔导体，其连接所述第1线圈部的中心侧的端部与所述第2线圈部，

所述第1线圈的另一端位于与所述第1侧面对置的第2侧面。

9.一种电子元件的制造方法，其特征在于，是权利要求3所述的电子元件的制造方法，具备：

第1工序，制作层叠多个母绝缘体层而构成的母层叠体，即、内置由多个第1线圈构成的第1线圈组的母层叠体，该多个第1线圈被配置成行方向与列方向正交的行列；

第2工序，在所述多个第1线圈的各行之间，沿着行方向，在与所述母层叠体的主面正交的方向上切割该母层叠体；

第3工序，在所述多个第1线圈的各列之间，沿着列方向，在相对于所述母层叠体的主面倾斜的第1方向上切割该母层叠体；以及

第4工序，在所述多个第1线圈的各列之间，沿着列方向，在与第1方向正交的第2方向上切割该母层叠体。

10.根据权利要求9所述的电子元件的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序中，在与所述第1线圈组相比更靠层叠方向的下侧在所述母层叠体内形成第2线圈组，该第2线圈组由被配置成行方向与列方向正交的行列上的多个第1线圈构成，

构成所述第2线圈组的所述第1线圈相对于构成所述第1线圈组的第1线圈，位于所述第1方向。

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