CN103123894B - 交替排列的p型和n型半导体薄层的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，包括步骤：1)在硅衬底上生长本征硅外延层；2)在本征硅外延层上刻蚀出沟槽；3)倾斜地向沟槽的一面侧壁注入P型杂质，另一面侧壁注入N型杂质；4)用本征硅外延填充沟槽；5)在900～1200℃高温下，对P型和N型杂质进行扩散，形成交替排列的P型和N型半导体薄层。该方法通过离子注入工艺，在沟槽两侧壁分别注入P型和N型杂质，如此不仅较好地控制了杂质的掺杂量，提高了P型和N型杂质的匹配精度和产品良率，而且还可以形成横向杂质分布不均匀的P型和N型半导体薄层。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法。
背景技术
交替排列的P型和N型半导体薄层结构被广泛的应用于各种半导体器件中，例如超级结半导体器件。该结构传统的制造方法，如图1所示，是先在半导体硅衬底1上生长N型(或P型)硅外延层2，然后在N型硅外延层2上刻蚀深沟槽3，最后用P型(或N型)硅外延4填充深沟槽3，从而形成交替排列的P型和N型半导体薄层。这种方法有两个缺点：一是P型和N型掺杂总量控制困难，容易造成工艺波动；二是由于硅外延原位掺杂的固有属性，不能改变P型和N型半导体薄层的横向掺杂分布。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，它可以提高P型和N型杂质的匹配精度，并可以形成横向不均匀的P型和N型杂质分布。
为解决上述技术问题，本发明的交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，包括以下步骤：
1)在硅衬底上生长本征硅外延层；
2)在本征硅外延层上刻蚀出沟槽；
3)倾斜地向沟槽的一面侧壁注入P型杂质，另一面侧壁注入N型杂质；
4)用本征硅外延填充沟槽；
5)在900～1200℃高温下对P型和N型杂质进行扩散，形成交替排列的P型和N型半导体薄层。
本发明通过离子注入工艺，在沟槽两侧壁分别注入P型和N型杂质，不仅较好地控制了杂质的掺杂量，提高了最终形成的P型和N型半导体薄层的杂质匹配精度和产品良率，而且还可以形成横向杂质分布不均匀的P型和N型半导体薄层。
附图说明
图1是传统的交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法示意图。
图2是本发明实施例的交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法示意图。
图3是采用本发明实施例的方法形成的P型和N型半导体薄层的横向载流子分布示意图。
图中附图标记说明如下：
1：硅衬底
2：硅外延层
3：沟槽
4：P型硅外延层
5：本征硅外延层
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下：
本实施例的交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，应用于超级结MOSFEFT，其具体工艺步骤请参阅图2所示，包括：
步骤1，在高掺杂的N型硅衬底1上生长一层厚度为10～100μm(优选50μm)的本征硅外延层5，如图2(a)所示。该本征硅外延层5的电阻率大于50ohm.cm。
步骤2，在本征硅外延层5上刻蚀出宽度为0.2～10μm、深度为5～100μm的沟槽3，如图2(b)所示。沟槽3的宽度优选5μm，深度优选48μm。
步骤3，以一定的倾斜角(26.5～89.8度)，向沟槽3的一面侧壁离子注入P型杂质硼，另一面侧壁离子注入N型杂质(磷、砷或者锑)，如图2(c)所示。由于离子注入工艺可以很好的控制杂质的掺杂量，因此能够大大提高P型和N型杂质的匹配精度。
步骤4，用本征硅外延5填充沟槽3，如图2(d)所示。该本征硅外延5的电阻率大于50ohm.cm。
步骤5，在900～1200℃的高温环境下，对P型和N型杂质进行扩散再分布，形成P型柱和N型柱交替排列的超级结，如图2(e)所示。由于P型柱和N型柱都是扩散形成的，因此，掺杂浓度的横向分布不均匀，载流子体浓度在横向上呈类似抛物线的分布，即中间掺杂浓度高，两边掺杂浓度低，如图3所示。
Claims (9)
1.一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在硅衬底上生长本征硅外延层；
2)在本征硅外延层上刻蚀出沟槽；
3)倾斜地向沟槽的一面侧壁离子注入P型杂质，另一面侧壁离子注入N型杂质；
4)用本征硅外延填充沟槽；
5)在900～1200℃高温下，对P型和N型杂质进行扩散，形成交替排列的P型和N型半导体薄层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述硅衬底为高掺杂的N型硅衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述本征硅外延层的厚度为10～100μm。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述本征硅外延层的厚度为50μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述沟槽的宽度为0.2～10μm，深度为5～100μm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述沟槽的宽度为5μm，深度为48μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，所述P型杂质为硼，N型杂质为磷、砷或者锑。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，注入杂质时的倾斜角度为26.5～89.8度。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述本征硅外延的电阻率大于50ohm.cm。
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