CN102875582A - 有机金属化合物提纯方法和装置 - Google Patents
有机金属化合物提纯方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102875582A CN102875582A CN2012103361407A CN201210336140A CN102875582A CN 102875582 A CN102875582 A CN 102875582A CN 2012103361407 A CN2012103361407 A CN 2012103361407A CN 201210336140 A CN201210336140 A CN 201210336140A CN 102875582 A CN102875582 A CN 102875582A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organometallic compound
- stripping tower
- alkyl
- import
- crude
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 112
- 238000003883 substance clean up Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 27
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000172 C5-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 alkyl phosphine Chemical compound 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N squalane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229940032094 squalane Drugs 0.000 description 6
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Substances C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052766 Lawrencium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N anhydrous guanidine Natural products NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004890 (C1-C6) alkylamino group Chemical group 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M sodium;3-(n-ethyl-3-methoxyanilino)-2-hydroxypropane-1-sulfonate;dihydrate Chemical compound O.O.[Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006593 (C2-C3) alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAXRWMOLNJZCEW-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(2-aminophenyl)-4-oxobutanoic acid;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.OC(=O)C(N)CC(=O)C1=CC=CC=C1N KAXRWMOLNJZCEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710158075 Bucky ball Proteins 0.000 description 1
- 125000003601 C2-C6 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGCGVCNIMNFWQS-UHFFFAOYSA-N CN(C)C.[Cl+] Chemical compound CN(C)C.[Cl+] FGCGVCNIMNFWQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHZYIFIGMXWRIB-UHFFFAOYSA-N C[In](C)C.[Cl] Chemical compound C[In](C)C.[Cl] JHZYIFIGMXWRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012093 Myrtus ugni Nutrition 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- 244000061461 Tema Species 0.000 description 1
- CDTKPYIJEPAMEH-UHFFFAOYSA-N [Cl].[In] Chemical compound [Cl].[In] CDTKPYIJEPAMEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001399 aluminium compounds Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- YMBBYINYHYQUGH-UHFFFAOYSA-N butylindium Chemical group CCCC[In] YMBBYINYHYQUGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000001997 corrosion-resisting alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N cyclopentane;indium Chemical compound [In].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000950 dibromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- NAELOTVRFCXVRC-UHFFFAOYSA-L dichloro(methyl)indigane Chemical compound [Cl-].[Cl-].[In+2]C NAELOTVRFCXVRC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SZEJQLSRYARYHS-UHFFFAOYSA-N dimethylindium Chemical compound C[In]C SZEJQLSRYARYHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMJWXHSCXIWRF-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethyl)indigane Chemical compound CC[In](C)C JMMJWXHSCXIWRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane Chemical compound [Mg+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000002899 organoaluminium compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N pentamethylcyclopentadiene Chemical compound CC1C(C)=C(C)C(C)=C1C WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OVLVVRBLVJTPJZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)indigane Chemical compound C[In](C)C(C)(C)C OVLVVRBLVJTPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N trimethylindigane;trimethylphosphane Chemical class CP(C)C.C[In](C)C BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/14—Fractional distillation or use of a fractionation or rectification column
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/34—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping with one or more auxiliary substances
- B01D3/40—Extractive distillation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F5/00—Compounds of magnesium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B63/00—Purification; Separation; Stabilisation; Use of additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/02—Magnesium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
- C07F5/062—Al linked exclusively to C
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
- C07F5/064—Aluminium compounds with C-aluminium linkage compounds with an Al-Halogen linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
有机金属化合物提纯方法和装置。本发明提供一种使用汽提塔和气流来提纯未经加工的有机金属化合物的方法。该方法能够除去与有机金属化合物相比具有相对较高挥发性的杂质。一种连续提纯有机金属化合物的方法,所述方法包括:(a)提供液相的未经加工的有机金属化合物;(b)提供汽提塔,所述汽提塔包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分;(c)通过第一进口将液相的未经加工的有机金属化合物加入汽提塔的第一部分;(d)通过第二进口将气流加入汽提塔的第二部分;(e)引导未经加工的有机金属化合物以与气流相反的方向通过汽提塔;以及(f)收集来自第二出口的液相的提纯的有机金属化合物。
Description
技术领域
本发明涉及含金属化合物领域,特别涉及含金属化合物的提纯领域。
背景技术
含金属化合物被用于多种的应用,例如催化剂和生长金属膜的来源。该化合物的一个应用是制造电子器件,例如半导体。许多半导体材料使用大家公认的沉积技术制造,其中使用超高纯的金属有机的(有机金属的)化合物,例如,金属有机的汽相取向附生,金属有机的分子束取向附生,金属有机的化学气相淀积和原子的层沉积。为了用于这些方法,有机金属化合物必须是无污染物和/或有害杂质的。存在于有机金属的来源中的杂质如果未被除去,可以引起电子设备的电子的和/或光电子的性质的不良影响。
未经加工的有机金属化合物代表性地包含多种的杂质,其由反应副产物、初始材料中的杂质、残余溶剂,或这些的任何组合引起。这样的杂质经常很难从期望的有机金属化合物中除去。用于提纯这样的未经加工的有机金属化合物的典型方法是蒸馏、升华、索氏萃取、和结晶。
美国专利号6,495,707公开了一种制造三甲基镓(″TMG″)的方法,据称通过向反应塔中心添加三氯化镓和三甲基铝、汽化生产出的TMG并在反应塔顶收集TMG,从而不需要分离提纯步骤。但是,从该方法获得的TMG产率低,仅50-68%,并且未讨论获得的TMG的纯度。
中国专利申请公开CN1872862A公开了美国6,495,707专利方法的一种改进,其中,汽化的生产出的TMG从反应塔输送到具有顶部冷凝器区段的汽提塔的底部。汽提塔的温度保持高于TMG的沸点。氮气也被加到汽提塔底部。随着氮气向上移动通过汽提塔,其输送汽化的TMG,并且在冷凝器区段未冷凝的TMG部分随氮气流从汽提塔顶排出并收集。此改进的方法仍以比较低的产率(59%)生产TMG。虽然按照CN1872862A申请生产的TMG公开纯度99.96%,这对于许多电子的应用来说仍不够纯净。
还需要提供非常高纯度的有机金属化合物。
发明内容
本发明提供一种有机金属化合物的提纯方法,包括:(a)提供液相的未经加工的有机金属化合物;(b)提供汽提塔,其包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分;(c)通过第一进口将液相的未经加工的有机金属化合物加入汽提塔的第一部分;(d)通过第二进口将气流加入汽提塔的第二部分;(e)引导未经加工的有机金属化合物与气流的流动相反的方向通过汽提塔;以及(f)收集来自第二出口的提纯的液相有机金属化合物。气流沿有机金属化合物的流动方向的逆向流动。
本发明进一步提供一种有机金属化合物的连续提纯装置,包括:(a)液相的未经加工的有机金属化合物来源;(b)汽提气来源;(c)汽提塔,其包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分;(d)第一进口与未经加工的有机金属化合物来源流体联通;(e)第二进口与汽提气来源流体联通;以及(f)第二出口与提纯的有机金属化合物的收集器流体联通;其中汽提塔中未经加工的有机金属化合物流动与汽提塔中的汽提气流动方向相反。第一出口提供汽提塔的汽提气出口。
附图说明
图1为适用于本发明的方法的提纯装置的示意图。
具体实施方式
冠词″一″和″一个″表示单数和复数。除非另外的指出,所有数量是重量百分比并且所有比率是摩尔比。除了限制的数值范围明显合计超过100%外,全部的数值范围是包括在内的,并且可以任何顺序组合。
可以理解的,当一个元件被称为在另一个元件“上”,其可以表示直接在另一个元件“上”或者它们之间可能存在居间的元件。相比之下,一个元件被称为″直接在另一个元件上″或″立即在另一个元件上″,则没有居间的元件存在。
可以理解的,虽然术语第一,第二,第三等等在此处可用于描述多种的元件、部件、区域、层、部分或区段,这些元件、部件、区域、层、部分或区段将不会受到这些术语的限制。这些术语仅用于区别一个元件、部件、区域、层、部分或区段与另一个元件、部件、区域、层、部分或区段。因此,以下讨论的第一元件、部件、区域、层、部分或区段可被称为第二元件、部件、区域、层、部分或区段,而不会背离本发明的教导。
进一步地,相对性的术语,例如″较低的″或″底″和″较高的″或″顶″,此处可用于描述如图所示的一个元件的与另一个元件的关系。可以理解的,相对性的术语是用来包含装置的除了图示方向之外的不同方向。例如,如果图中的装置翻转,描述为位于其他元件″较低的″一侧的元件将位于其他元件″较高的″一侧。取决于图的特别的方向,示例的术语″较低的″因而可包含″较低的″和″较高的″方向。类似地,如果图中的装置翻转,描述为位于其他元件″以下″或″下面″的元件将位于其他元件″以上″。示例的术语″以下″或″下面″因而可包含″以上″和″以下″的方向。
术语″并流″是指两流体在相同方向流动。术语″逆流″是指两流体在相反方向流动。″流体″是指气体、液体或气体和液体的组合。″烷基″包括直链,支链和环烷基。术语″塔″和″柱″可互换使用。″卤素″是指氟,氯,溴和碘。下面的缩写将有下列含义:ppm=百万分之;m=米;mm=毫米;kPa=千帕斯卡;hr=小时;psi=磅每平方英寸。
本发明提供一种未经加工的有机金属化合物的提纯方法。液相的未经加工的有机金属化合物输送至汽提塔,其包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分。未经加工的液相有机金属化合物通过第一入口加入汽提塔的第一部分。气流通过第二进口加入汽提塔的第二部分。引导未经加工的有机金属化合物以与气流相反的方向通过汽提塔,其中液相有机金属化合物和气流逆流流动。提纯的有机金属化合物在第二出口收集。本方法有利地除去具有与要提纯的有机金属化合物相比相对较高挥发性的杂质。即,本方法除去具有与要提纯的有机金属化合物相比相对较高的蒸气压的杂质。
图1是适用于本发明的方法的装置的示意图,其中汽提塔10具有第一部分12和第二部分14。汽提塔10可以选择性地包含传质设备,未示出。第一部分12有第一进口15和第一出口20。第二部分14有第二进口25和第二出口30。第二出口30与收集器35流体联通,以接收提纯的有机金属化合物。
在操作中,液相的未经加工的金属有机化合物经由第一进口15输送至汽提塔10的第一部分12,被引导通过汽提塔10至第二部分14,并通过第二出口30离开汽提塔。气流经由第二进口25输送至汽提塔10的第二部分14,被引导通过汽提塔10至第一部分12,并经由第一出口20离开汽提塔。在图1的装置中,液相的未经加工的有机金属化合物从第一部分12向第二部分14向下流动,而气体从第二部分14向第一部分12向上流动。液相的未经加工的有机金属化合物和气体逆流流动。在收集器35中从第二出口30收集的有机金属化合物与通过第一进口15进入汽提塔的未经加工的有机金属化合物相比已被提纯。
汽提塔10可由任何适当的不与待提纯的有机金属化合物反应的材料构成。适当的材料包括,但不限于:玻璃,例如硼硅酸玻璃和Pyrex玻璃;塑料,包括全氟塑料,例如聚(四氟乙烯);石英;或金属。优选金属,并特别适当的金属包括,但不限于,镍合金和不锈钢。适当的不锈钢包括,但不限于,304,304L,316,316L,321,347和430。适当的镍合金包括,但不限于,铬镍铁合金,蒙奈尔铜镍合金,和哈氏抗腐蚀合金。汽提塔可由材料的混合物构成,例如玻璃衬里的不锈钢。为汽提塔选择的适当的材料是本领域技术人员的能力所及的。
汽提塔的尺寸不是关键,并且汽提塔可具有任何适当的长度和直径。在本领域技术人员的其他能力因素之中,长度和直径的选择取决于待提纯的未经加工的有机金属化合物的量,和在液相未经加工的有机金属化合物和惰性的气体之间所期望接触的量。典型的长度范围从1至12m,更优选从1.5至10m,还更优选从2至8m,并且甚至更优选从2至5m。特别优选长度是1.5,2,3,4,5,6,7,8和10m。典型的直径范围从10mm至3m,优选从15mm至2m,更优选从15mm至1m,还更优选从15至500mm,甚至更优选从15mm至250mm,更优选从25至200mm,并且仍然更优选从25至150mm。特别优选直径是10,15,20,25,30,35,40,50,75和100mm。
任选地,汽提塔10可包括一个或多个传热部分,未在图1示出。这样的传热部分可在汽提塔10任何地方设置。例如,传热部分可能是第一部分12的一部分,第二部分14的一部分,或第一和第二部分的一部分。这样的传热部分包括换热器,例如比如冷凝器,冷却器,和加热器。例如,冷却器可用于维持塔的温度,以便有机金属化合物保持在液相。可替换地,当有机金属化合物是相对低熔点的固体时,加热器可用于维持有机金属化合物在液相。在本领域技术人员所知的其他因素中,特定传热部分及其在汽提塔中位置的选择,取决于汽提塔的尺寸,待提纯的未经加工的有机金属化合物的量,未经加工的有机金属化合物的温度,待提纯的特定的未经加工的有机金属化合物,特定的杂质,和待除去的杂质的量。这样的传热部分及其在汽提塔中位置的选择在本领域技术人员的能力之内。
汽提塔可选择性地包含任何适当的传质设备,其不会与有机金属化合物反应。这样的传质设备可能是散堆填料,规整填料,塔板或以上的组合。散堆填料可为任何多种的形状,例如但不限于挡板,珠,杆,管,马蹄铁状物,板,环,鞍状物,盘,碟,或任何其他的适当的形状,例如针状,十字形,和螺旋状(盘绕和螺旋)。可使用以上形状的混合物。使用的散堆填料材料的尺寸将取决于许多条件,例如汽提塔的尺寸和希望从有机金属化合物中分离杂质的理论塔板数。适当的散堆填料材料可有多种的尺寸(例如,直径),例如2mm或更大。散堆填料材料适当的尺寸范围是直径从2至50mm。规整填料材料包括金属丝网,波纹板,单片蜂窝,格栅等。金属丝网可能是编织和/或针织的,并可能是穿孔和/或波纹的。波纹板可以选择性地是穿孔和/或有织纹的。优选规整填料是金属丝网。填料材料可能是统一的尺寸或可能是各种尺寸的混合物。多种的塔板可以选择性地用于本发明的汽提塔。典型的塔板包括但不限于挡板,浮阀,固定阀,筛板,穿流板,并流板等。确定塔中的传质设备的类型、尺寸、数量和位置也是本领域技术人员的能力所及的。传质设备装置从多种的来源而在商业上可获得的,例如,Raschig,HAT International,Koch-Glitsch,ACSSeparations和Sulzer Chemtech。
传质设备可由任何不与待提纯的有机金属化合物反应的适当的材料或材料的混合物构成。用于填料材料的典型的材料包括但不限于:陶瓷,例如氧化铝,二氧化硅,水合硅酸铝(alumina silicate),碳化硅,和氮化硅;玻璃,例如硼硅酸盐玻璃;石英;石墨球,例如Bucky球;金属,例如前述的不锈钢和镍合金,以及钛和锆;以及热固性塑料。某些金属(例如镍和铬)已知可增强第13族(Group 13)有机金属化合物的分解并且当第13族有机金属化合物提纯时最好回避。但是,含有镍或铬的合金可在第13族有机金属化合物提纯时使用。
在液相的未经加工的有机金属化合物通过第一进口进入汽提塔的第一部分。液相的任何未经加工的有机金属化合物可适于本方法处理。这样的有机金属化合物包括在提纯步骤期间的温度下为液体的化合物。例如,当有机金属化合物是液体时,其可按照本方法在其凝固点之上并且沸点之下的任何温度提纯。相对较低熔点的固体有机金属化合物可通过适当地加热汽提塔到有机金属化合物的熔点以上但沸点以下的温度,而在液相提纯。当液体有机金属化合物按照本方法提纯时,优选适当地加热汽提塔以防止有机金属化合物在汽提塔蒸发冷却而凝固。优选的,液体有机金属化合物的提纯温度从凝固点以上5℃至沸点以下5℃,更优选从凝固点以上10℃至沸点以下10℃。
汽提塔温度下为固体或者液体的有机金属化合物可溶于溶剂以提供液相有机金属化合物,然后按照本方法提纯。可使用任何适当的有机溶剂。可使用任何的有机溶剂,只要不与有机金属化合物反应或不使其不稳定,并且有机溶剂的蒸气压低于将要除去的杂质的蒸气压。适当的溶剂是本领域技术人员已知的。优选的溶剂包括,但不限于:烃类,例如直链烷基苯,二甲苯,三甲基苯,均四甲苯,喹啉,异喹啉,二氢化茚,1,2,3,4-四氢化萘(萘满),十氢化萘和异三十烷,以及离子液体。离子液体通常是盐,其在低温度下为液体,熔点低于100℃。离子液体全部由离子组成,并典型地由大的有机阳离子和无机阴离子组成。由于这些化合物中高的库仑力,离子液体几乎没有蒸汽压。任何适当的离子液体可作为本发明的溶剂使用。用于离子液体的典型的阳离子包括,但不限于,烃基铵阳离子,烃基膦阳离子,烃基吡啶阳离子,和二烃基咪唑阳离子。用于离子液体的典型的阴离子包括,但不限于:金属氯化物阴离子;氟硼酸盐阴离子,例如四氟化碳阴离子和烃基取代氟硼酸盐阴离子;以及氟磷酸阴离子,例如六氟磷酸阴离子和烃基取代氟磷酸阴离子。典型的金属氯化物阴离子包括:氯铝酸阴离子,例如四氯铝酸阴离子和氯三烷基铝酸阴离子;氯没食子酸阴离子,例如氯三甲基没食子酸阴离子和四氯没食子酸阴离子;氯铟酸阴离子,例如四氯铟酸阴离子和氯三甲基铟酸阴离子。
在有机溶剂中溶解有机金属化合物以提供液相,允许使用本方法来提纯难以提纯的金属有机化合物。例如,三甲基铟在88℃熔化并在101-103℃爆发分解。这留下很小的温度范围,其中三甲基铟可作为纯液体被提纯而不分解。但是,已知三甲基铟在溶液中是稳定的,例如在异三十烷中,温度>125℃条件下保持更长的时间。在异三十烷(squalane)中溶解三甲基铟允许较大的温度范围,以在本方法的汽提塔中使用而不会分解三甲基铟。某些有机金属化合物的熔点较高,例如联环戊二烯镁(dicyclopentadienyl magnesium),其在180℃熔化,并可能难以按照本方法作为熔体提纯。在溶剂中提供这样的比较高熔点的有机金属化合物允许按照本方法在液相提纯这样的有机金属化合物。
可用本方法提纯多种的有机金属化合物。此处使用的″有机金属化合物″是指具有至少一个金属-碳,金属-氧,金属-氮或金属-磷键的化合物。适当的金属有机化合物包含至少一个金属原子,选自元素周期表第2族-第14族,优选选自第3族-第14族,并更优选选自第3族-第13族。特别优选的金属在第3,4,5,8,9,10,11和13族,更优选第4,8,11和13族。典型的金属原子包括,但不限于,镁,钙,锶,钪,钇,镥,铹,镧,钛,锆,铪,铈,钒,铌,钽,铬,钼,钨,锰,钌,钴,铑,铱,镍,铂,钯,铜,银,金,锌,铝,镓,铟,硅,锗,和锡。优选的金属原子包括,镁,锶,钪,钇,镥,铹,钛,锆,铪,钒,铌,钽,钼,钨,锰,钌,钴,铱,镍,铂,钯,铜,银,金,锌,铝,镓,铟,和锗。更优选的金属原子是镁,钪,钇,镥,铹,钛,锆,铪,铌,钽,钼,钨,钌,钴,铱,镍,铂,钯,铜,银,金,铝,镓,铟,和锗;甚至更优选的金属原子是,镁,锆,铪,铌,钽,钼,钨,钌,钴,铱,镍,铜,铝,镓,铟,和锗;然而更优选的金属原子是,镁,锆,铪,铝,镓,铟,和锗。
典型的有机金属化合物以通式RaMmXm-aL(式I)表示,其中,每个R独立地选自(C1-C20)烷基,(C2-C20)烯基,(C2-C20)炔基,(C5-C20)芳基,(C5-C20)芳基(C1-C10)烷基,(C1-C20)烷氧基,(C2-C10)烷氧羰基(carbalkoxy),氨基,(C1-C12)烷基氨(C1-C12)烷基,二(C1-C20)烷基氨(C1-C12)烷基,膦和二价的配位体;每个X独立地选自H,R,氰基,和卤素;L=中性的配位体;a=R基团的化合价并且是≥1的整数;M=第2族至第14族金属;m=M的化合价。″氨基″基团包括-NH2,(C1-C12)烷基氨基,和二(C1-C12)烷基氨基。优选的,氨基基团是-NH2,(C1-C6)烷基氨基,和二(C1-C6)烷基氨基,更优选-NH2,(C1-C4)烷基氨基,和二(C1-C4)烷基氨基。″膦″包括-PH2,(C1-C12)烷基膦,和二(C1-C12)烷基膦,优选包括-PH2,(C1-C6)烷基膦,和二(C1-C6)烷基膦,更优选包括-PH2,(C1-C4)烷基膦,和二(C1-C4)烷基膦。上述R基团可以任选由一个或多个取代基团取代一个或多个氢原子,例如卤素,羰基,羟基,氰基,氨基,烷基氨基,二烷基氨基,和烷氧基。例如,当R是(C1-C20)烷基基团时,该基团可包含烷基链中的羰基。适当的二价的配位体包括,但不限于,β-二酮化物,脒基,甲脒,磷酰脒基,胍基,β-双烯酮亚胺基(β-diketiminate),二环脒基和二环胍基。优选的二价的配位体包括,β-二酮化物,脒基,甲脒,磷酰脒基,和胍基。取决于特定的金属原子,式II的金属有机化合物可任选地包含一个或多个中性配位体(L)。这样的中性配位体不带有总体电荷。中性配位体包括,但不限于,CO,NO,氮,胺,醚,膦,烷基膦,芳基膦,腈,烯烃,二烯,三烯,炔,和芳香化合物。本发明考虑了公式I的有机金属化合物与胺或膦的加合物,例如叔胺或叔膦。
优选的,式I中的每个R基团独立地选自(C1-C10)烷基,(C2-C10)烯基,(C2-C10)炔基,(C5-C15)芳基,(C5-C10)芳基(C1-C6)烷基,(C1-C10)烷氧基,(C2-C10)烷氧羰基,氨基,(C1-C6)烷基氨(C1-C6)烷基,二(C1-C6)烷基氨(C1-C6)烷基,膦,和二价的配位体;且更优选(C1-C6)烷基,(C2-C6)烯基,(C2-C6)炔基,(C5-C10)芳基,(C5-C8)芳基(C1-C6)烷基,(C1-C6)烷氧基,(C2-C6)烷氧羰基,氨基,(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,二(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,膦,和二价的配位体。进一步地优选每个R独立地选自(C1-C5)烷基,(C2-C3)烯基,(C2-C3)炔基,(C5-C8)芳基,(C5-C8)芳基(C1-C4)烷基,(C1-C5)烷氧基,(C2-C5)烷氧羰基,氨基,(C1-C4)烷基氨(C1-C4)烷基,二(C1-C4)烷基氨(C1-C4)烷基,膦,和二价的配位体,还更优选(C1-C4)烷基,(C2-C3)烯基,(C5-C8)芳基,(C1-C5)烷氧基,氨基,(C1-C3)烷基氨(C1-C4)烷基,二(C1-C3)烷基氨(C1-C4)烷基,膦,和二价的配位体。
优选的有机金属化合物具有式II的结构
(式II) R1 xX2 n-xM2n
其中,每个R1独立地选自(C1-C6)烷基,(C2-C6)烯基,(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,二(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,(C5-C10)芳基,-NH2,(C1-C4)烷基氨基,和二(C1-C4)烷基氨基;每个X2独立地选自H,卤素,(C1-C10)烷氧基和R1;M2是第2,4,或13族金属;x是R1基团的化合价并且是整数;n是M2的化合价;并且1≤x≤n。本发明考虑了公式II的有机金属化合物与胺或膦的加合物,例如叔胺或叔膦。优选每个R1独立地选自(C1-C4)烷基,(C2-C4)烯基,(C5-C10)芳基,-NH2,(C1-C4)烷基氨基,和二(C1-C4)烷基氨基;更优选(C1-C4)烷基,(C5-C8)芳基,-NH2,(C1-C4)烷基氨基,和二(C1-C4)烷基氨基。优选的R1基团包括但不限于甲基,乙基,正丙基,异丙基,丁基,叔丁基,异丁基,仲丁基,正戊基,异戊基,新戊基,乙烯基,烯丙基,炔丙基,氨甲基,氨乙基,氨丙基,二甲氨丙基,甲基氨基,二甲氨基,乙基甲基氨基苯基,环戊二烯基,甲基环戊二烯基,和五甲基环戊二烯。当X2是卤素时,氯和溴是优选的,并且更优选氯。当M2是第2族金属时,x=1或2。当M2是第4族金属时,x=1,2,3或4。当M2是第13族金属时,x=1,2或3。M2优选镁,锆,铪,铝,铟或镓,更优选铝,铟或镓。
优选的有机金属化合物包括但不限于:三烷基铟化合物,例如三甲基铟,三乙基铟,三-正丙基铟,三-异丙基铟,二甲基异-丙基铟,二甲基乙基铟,二甲基叔-丁基铟,甲基二-叔-丁基铟,甲基二-异丙基铟,和三-叔丁基铟;三烷基铟-胺加合物,例如三烷基铟-叔胺加合物;二烷基卤素铟化合物,例如二甲基铟氯化物;烷基二卤铟化合物,例如甲基二氯铟;环戊二烯基铟;三烷基铟-三烷基-膦加合物,例如三甲基铟-三甲基膦加合物;三烷基镓化合物,例如三甲基镓,三乙基镓,三-异-丙基镓,三-叔-丁基镓,二甲基异-丙基镓,二乙基叔-丁基镓,甲基二-异-丙基镓,二甲基叔-丁基镓,二甲基新-戊基镓,和甲基乙基异-丙基镓;三烷基镓-胺加合物,例如三烷基镓-叔胺加合物;三烷基镓-膦加合物;烷基二卤镓化合物,例如甲基二氯镓,乙基二氯镓和甲基二溴镓;二烷基卤素镓化合物,例如二甲基氯化镓和二乙基氯化镓;三烷基铝化合物,例如三甲基铝,三乙基铝,三-正-丙基铝,三-异-丙基铝,三-叔-丁基铝,二甲基异-丙基铝,二甲基乙基铝,二甲基叔-丁基铝,甲基二-叔-丁基铝,和甲基二-异-丙基铝;三烷基铝-胺加合物,例如三烷基铝-叔胺加合物;二烷基卤素铝化合物,例如二甲基氯化铝和二乙基氯化铝;烷基二卤铝化合物,例如甲基二氯铝,乙基二氯铝,和乙基二溴铝;二环戊二烯镁;金属二烷基氨化合物,例如四-(乙基甲基氨)锆和四-(乙基甲基氨)铪;金属β-二酮化物,例如铪,锆,钽和钛的β-二酮化合物;和金属脒基化合物,例如铜,镧,钌,和钴的脒基化合物。这样的有机金属化合物通常在商业上可获得或可由现有技术中的多种方法制备。例如,第13族有机金属化合物可通过如美国专利号5,756,786;6,680,397和6,770,769中描述的方法制备。金属脒基化合物可通过如美国专利号7,638,645和7,816,550中描述的方法制备。
气流经由第二进口送入汽提塔的第二部分,被向第一部分引导通过汽提塔,并从第一出口离开汽提塔。气流流动与有机金属化合物流动相反。可选择的,气体可被加热。可使用多种的气体流率,并可由本领域技术人员容易地确定。流动的惰性的气体夹带或从金属有机化合物除去挥发性的杂质,并携带这样的挥发性的杂质随其通过第一出口离开汽提塔。优选的,气体是惰性的。任何与金属有机化合物是惰性的气体可用于本发明。典型的惰性气体包括但不限于氮,氩,氦,甲烷,乙烷,丙烷和CO2。本领域技术人员将认识到CO2可能不适合用于所有的有机金属化合物,因为其可与某些有机金属化合物形成络合物。本领域技术人员熟知这样的CO2络合物。
来自第一部分的有机金属化合物流向汽提塔的第二部分,而惰性气体在相反(逆流)方向逆流流动。通过第二出口离开汽提塔的有机金属化合物相比于从第一进口进入汽提塔的有机金属化合物已被提纯。如本文使用的,″提纯的有机金属化合物″是指其中相对更高挥发性的杂质已经被除去的有机金属化合物。从本方法获得的提纯的有机金属化合物具有减少的或大大地除去的数量的相对更高挥发性的杂质。如本文使用的,″相对更高挥发性″是指杂质比汽提塔条件下的有机金属化合物具有更高的蒸气压。例如,当有机金属化合物是有机铝化合物时,特别是烷基铝化合物,例如二烷基铝卤化物或三烷基铝,相对更高挥发性的含硅杂质通过本方法除去。优选提纯的有机金属铝化合物基本上不含含硅杂质。″基本上不含″是指提纯的有机金属化合物包含小于5ppm的具体杂质,优选小于3ppm,更优选小于2ppm,甚至更优选小于1ppm,还更优选≤0.5ppm这样的杂质。优选的,提纯的有机金属化合物包含≤0.5ppm的金属杂质,选自硅,锗和锡。
由于本方法除去相对更高挥发性的杂质,本方法提纯的有机金属化合物可按需要进一步提纯,例如除去相对更低挥发性的杂质。术语″相对更低挥发性″是指杂质比提纯的有机金属化合物具有更低的蒸气压。可使用任何常规方法进一步提纯有机金属化合物,包括例如蒸馏或升华。这样的进一步提纯技术是本领域已知的。
有机金属化合物和气流逆向流动通过汽提塔,提供了连续提纯未经加工的有机金属化合物的方法。但是,本方法也可用于间歇提纯工艺。
本发明的提纯的有机金属化合物可用于需要使用高纯度有机金属化合物的多种的应用,例如某些催化剂应用和制造电子器件,例如发光二极管。该提纯的有机金属化合物也可用作制备其他有机金属化合物的中间体。
实施例1
下面的表格表示按照本方法提纯的多种有机金属化合物。适当的有机溶剂列出在需要该溶剂的地方。
缩写具有以下含义:LAB=直链烷基苯;Cp=环戊二烯基;TDMA=四-(二甲基氨)或[(CH3)2N]4;以及TEMA=四-(乙基甲基氨)或[(CH3)(CH3CH2)N]4。
实施例2
由三甲基铝-三丙胺加合物(″TMA-TPA″)和轻微过量的三丙胺组成的流体以42单位/小时的速率在136℃的温度下加入装有整体冷凝器的填料汽提塔顶部。氮气流以2单位/小时的速率在环境温度条件下逆流进入汽提塔底部。汽提塔压力控制在高于大气压力7-14kPa(1-2psi),并且冷凝器操作使得排出气流温度为65-75℃。汽提塔主要连续地开动超过24小时,产出的液体TMA-TPA流中可测定的挥发性烃浓度降低并包含小于0.5ppm的含硅杂质。达到了大于90%的相对更高挥发性的杂质的除去效率。
实施例3
重复实施例2的过程,只是用TEMAZr代替TMA-TPA,并使用氦作为气流。汽提塔的温度维持以便TEMAZr保持液态。
实施例4
重复实施例2的过程,只是用溶于LAB的(CH3)3Ga代替TMA-TPA。汽提塔的温度维持在≤100℃。
实施例5
重复实施例3的过程,只是用TDMAHf代替TEMAZr。汽提塔的温度维持在≥40℃。
实施例6
重复实施例2的过程,只是用溶于异三十烷的(CH3)3In代替TMA-TPA,使用氦作为气体,而且汽提塔温度维持在≤120℃,并优选≤100℃。
实施例7
重复实施例4的过程,只是用溶于异三十烷的Cp2Mg代替溶于LAB的(CH3)3Ga,并且使用甲烷作为气体。汽提塔的温度维持在≤175℃。
Claims (15)
1.一种连续提纯有机金属化合物的方法,所述方法包括:(a)提供液相的未经加工的有机金属化合物;(b)提供汽提塔,所述汽提塔包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分;(c)通过第一进口将液相的未经加工的有机金属化合物加入汽提塔的第一部分;(d)通过第二进口将气流加入汽提塔的第二部分;(e)引导未经加工的有机金属化合物以与气流相反的方向通过汽提塔;以及(f)收集来自第二出口的液相的提纯的有机金属化合物。
2.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(a)中的未经加工的有机金属化合物溶于有机溶剂中。
3.如权利要求1所述的方法,其中,未经加工的有机金属化合物包含一个或多个选自镁,锆,铪,铝,镓,铟和锗的金属原子。
4.如权利要求1所述的方法,其中,未经加工的有机金属化合物有通式RaMmXm-aL,其中,每个R独立地选自(C1-C20)烷基,(C2-C20)烯基,(C2-C20)炔基,(C5-C20)芳基,(C5-C20)芳基(C1-C10)烷基,(C1-C20)烷氧基,(C2-C10)烷氧羰基,氨基,(C1-C12)烷基氨(C1-C12)烷基,二(C1-C20)烷基氨(C1-C12)烷基,膦,和二价的配位体;每个X独立地选自H,R,氰基,和卤素;L=中性的配位体;a=R基团的化合价并且是≥1的整数;M=元素周期表第2族至第14族的金属;m=M的化合价。
5.如权利要求4所述的方法,其中,未经加工的有机金属化合物有通式R1 xX2 n-xM2n,其中,每个R1独立地选自(C1-C6)烷基,(C2-C6)烯基,(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,二(C1-C4)烷基氨(C1-C6)烷基,(C5-C10)芳基,-NH2,(C1-C4)烷基氨基和二(C1-C4)烷基氨基;每个X2独立地选自H,卤素,(C1-C10)烷氧基和R1;M2是第2,4,或13族的金属;x是R1基团的化合价并且是整数;n是M2的化合价;并且1≤x≤n。
6.如权利要求1所述的方法,其中,未经加工的有机金属化合物在步骤(a)被加热。
7.如权利要求1所述的方法,其中提纯的有机金属化合物包含≤0.5ppm的金属杂质,所述金属杂质选自硅,锗和锡。
8.如权利要求1所述的方法,其中,气流是惰性的。
9.如权利要求8所述的方法,其中气流选自氮,氩,氦,甲烷,乙烷,丙烷,和CO2。
10.如权利要求1所述的方法,其中汽提塔进一步地包括传热区域。
11.如权利要求1所述的方法,其中汽提塔进一步地包括传质设备。
12.如权利要求11所述的方法,其中传质设备选自散堆填料,规整填料,塔板和以上的组合。
13.一种连续提纯有机金属化合物的装置,所述装置包括:(a)液相的未经加工的有机金属化合物来源;(b)汽提气来源;(c)汽提塔,所述汽提塔包括具有第一进口和第一出口的第一部分以及具有第二进口和第二出口的第二部分;(d)与未经加工的有机金属化合物来源流体联通的第一进口;(e)与汽提气体来源流体联通的第二进口;以及(f)与提纯的有机金属化合物的收集器流体联通的第二出口;其中汽提塔中未经加工的有机金属化合物流动与汽提塔中的汽提气流动相反。
14.如权利要求13所述的装置,其中,汽提塔进一步地包括传热区域。
15.如权利要求13所述的装置,其中,汽提塔进一步地包括传质设备。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161507334P | 2011-07-13 | 2011-07-13 | |
US61/507,334 | 2011-07-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102875582A true CN102875582A (zh) | 2013-01-16 |
CN102875582B CN102875582B (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=46466361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210336140.7A Expired - Fee Related CN102875582B (zh) | 2011-07-13 | 2012-07-13 | 有机金属化合物提纯方法和装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8901335B2 (zh) |
EP (1) | EP2545973B1 (zh) |
JP (1) | JP6054659B2 (zh) |
KR (1) | KR101912111B1 (zh) |
CN (1) | CN102875582B (zh) |
TW (1) | TWI486354B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108976250A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-11 | 上海芯渊光电科技有限公司 | 一种三甲基铟的制备方法 |
CN113563198A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-10-29 | 苏州源展材料科技有限公司 | 四(二甲氨基)锆的合成方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2545972A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-16 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound purification by two steps distillation |
EP2559682B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-08-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Organometallic compound preparation |
EP2559681B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-06-22 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound preparation |
JP6243215B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-12-06 | 大陽日酸株式会社 | トリイソシアナトシランの精製方法及び供給方法 |
WO2018207764A1 (ja) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 出光興産株式会社 | 有機材料の精製装置 |
US20230391804A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Gelest, Inc. | High purity alkyl tin compounds and manufacturing methods thereof |
WO2024035914A1 (en) | 2022-08-12 | 2024-02-15 | Gelest, Inc. | High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997040053A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Albemarle Corporation | Process for making aluminoxanes |
CN1443089A (zh) * | 2000-07-22 | 2003-09-17 | 埃普切公司 | 用于离析纯的、或基本上纯的有机金属化合物的方法和装置 |
CN1872862A (zh) * | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 | 三甲基镓制备和提纯方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1167837B (de) | 1957-04-03 | 1964-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Verfahren zur Herstellung von Aluminiumtriaethyl |
US3135802A (en) * | 1958-02-20 | 1964-06-02 | Callery Chemical Co | Preparation of boron containing fuels |
US4251453A (en) | 1979-08-22 | 1981-02-17 | Conoco, Inc. | Production of aluminum alkyls |
US4925962A (en) | 1988-10-24 | 1990-05-15 | Ethyl Corporation | Trimethylaluminum process |
JPH03215195A (ja) | 1990-01-17 | 1991-09-20 | Japan Servo Co Ltd | 記録装置 |
US4948906A (en) | 1990-02-16 | 1990-08-14 | Ethyl Corporation | Trimethylaluminum process |
JP3525371B2 (ja) | 1996-06-25 | 2004-05-10 | 信越化学工業株式会社 | 有機金属化合物の精製方法 |
US5696287A (en) * | 1996-07-22 | 1997-12-09 | Ducoa, L. P. | Process for making aqueous betaine solutions |
US5756786A (en) | 1997-06-25 | 1998-05-26 | Morton International, Inc. | High purity trimethylindium, method of synthesis |
GB2344822A (en) | 1998-12-19 | 2000-06-21 | Epichem Ltd | Organometallic compound production using distillation |
JP2003252878A (ja) | 2002-01-17 | 2003-09-10 | Shipley Co Llc | 有機インジウム化合物 |
US6770769B2 (en) | 2002-04-06 | 2004-08-03 | Shipley Company, L.L.C. | Trialkylindium preparation |
JP4488186B2 (ja) | 2004-06-18 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | トリメチルアルミニウムの精製方法 |
JP2006001896A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高純度トリメチルアルミニウム及びトリメチルアルミニウムの精製方法 |
TW200619222A (en) | 2004-09-02 | 2006-06-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making organometallic compounds |
US7816550B2 (en) | 2005-02-10 | 2010-10-19 | Praxair Technology, Inc. | Processes for the production of organometallic compounds |
CN1872861A (zh) | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 | 三甲基镓生产方法及设备 |
JP4784729B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | トリメチルガリウムの製造方法 |
US7638645B2 (en) | 2006-06-28 | 2009-12-29 | President And Fellows Of Harvard University | Metal (IV) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
US7659414B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-02-09 | Rohm And Haas Company | Method of preparing organometallic compounds |
EP2545972A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-16 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound purification by two steps distillation |
EP2559682B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-08-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Organometallic compound preparation |
EP2559681B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-06-22 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound preparation |
-
2012
- 2012-07-12 EP EP12176093.8A patent/EP2545973B1/en active Active
- 2012-07-12 JP JP2012156138A patent/JP6054659B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 CN CN201210336140.7A patent/CN102875582B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 TW TW101125266A patent/TWI486354B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-07-13 US US13/549,401 patent/US8901335B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 KR KR1020120076612A patent/KR101912111B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997040053A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Albemarle Corporation | Process for making aluminoxanes |
CN1443089A (zh) * | 2000-07-22 | 2003-09-17 | 埃普切公司 | 用于离析纯的、或基本上纯的有机金属化合物的方法和装置 |
CN1872862A (zh) * | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 | 三甲基镓制备和提纯方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108976250A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-11 | 上海芯渊光电科技有限公司 | 一种三甲基铟的制备方法 |
CN113563198A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-10-29 | 苏州源展材料科技有限公司 | 四(二甲氨基)锆的合成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102875582B (zh) | 2015-09-30 |
KR20130009689A (ko) | 2013-01-23 |
JP2013032354A (ja) | 2013-02-14 |
US8901335B2 (en) | 2014-12-02 |
TWI486354B (zh) | 2015-06-01 |
KR101912111B1 (ko) | 2018-10-26 |
EP2545973B1 (en) | 2020-03-04 |
US20130184480A1 (en) | 2013-07-18 |
EP2545973A1 (en) | 2013-01-16 |
TW201311706A (zh) | 2013-03-16 |
JP6054659B2 (ja) | 2016-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102875582B (zh) | 有机金属化合物提纯方法和装置 | |
CN100516289C (zh) | 有机金属化合物 | |
JP4714422B2 (ja) | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 | |
TWI642622B (zh) | 用於製造矽烷及鹵氫矽烷之方法 | |
CA2637118A1 (en) | Method of preparing organometallic compounds | |
JP6001958B2 (ja) | 有機金属化合物製造 | |
JP5991881B2 (ja) | 有機金属化合物製造 | |
JP2015506903A (ja) | トリシリルアミンの液相合成 | |
CN102872610B (zh) | 有机金属化合物提纯 | |
US11242253B2 (en) | Method for producing polycrystalline silicon | |
KR20120024502A (ko) | 공급 가스를 완전히 이용하고 완전히 재활용하는 cvd-지멘스 모노실란 반응기 공정 | |
EP2841382A1 (en) | Advanced off-gas recovery process and system | |
TW201130857A (en) | Method of preparing organometallic compounds | |
US10294109B2 (en) | Primary distillation boron reduction | |
US7906094B2 (en) | Method for producing a high purity trisilane product from the pyrolysis of disilane | |
US20130214243A1 (en) | Nanowires made of novel precursors and method for the production thereof | |
JP4904032B2 (ja) | 精製ボラジン化合物の製造方法 | |
JP2012144427A (ja) | 不活性ガスを用いたベンディングシステムによるホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法 | |
US5117021A (en) | Method for purification of tellurium and selenium alkyls | |
JP4904126B2 (ja) | 精製ボラジン化合物の製造方法、および精製ボラジン化合物 | |
JPH10130285A (ja) | 有機金属化合物の精製法 | |
JP4795318B2 (ja) | N−アルキルボラジンの製造法 | |
EP0390833A1 (en) | METHOD FOR CLEANING ALKYLSELENIDES AND ALKYLTELLURIDES. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150930 Termination date: 20200713 |