JP5991881B2 - 有機金属化合物製造 - Google Patents
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Description
式中、各Rは独立して、Hまたは(C1−C10)ヒドロカルビル基から選択され;各Yは独立してハライド、(C1−C4)カルボキシラート、(C1−C5)アルコキシ、R1R2Nまたはジアミノまたはトリアミノ基から選択され;M=第2族〜第15族金属;R1およびR2は独立してHまたは(C1−C6)アルキルから選択され;L=中性リガンド;m=Mの価数;a=0〜m;b=0〜m;並びに、a+b=mである。aおよびbは両方とも0になり得ないことは当業者に理解されるであろう。用語「ヒドロカルビル」とは任意の炭化水素基をいい、アルキル基およびアリール基を含む。このヒドロカルビル基は場合によっては、炭素および水素以外の原子、例えば、酸素または窒素を含むことができる。好ましいヒドロカルビル基は、メチル、エチル、n−プロピル、イソ−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、イソ−ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、ネオ−ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、(C1−C3)アルコキシ(C2−C6)アルキル、アミジナト、ホルムアミジナト、およびβ−ジケトナトである。第1の反応物質がヒドロカルビル基を含む場合には、その基は金属−炭素結合によって金属に結合される。Yのための典型的なジアミノおよびトリアミノ基には、限定されないが、1,2−ジアミノエチル、1,2−ジ−(N−メチルアミノ)エチル、1,3−ジアミノプロピル、1,3−ジ−(N−メチルアミノ)プロピル、1,2−ジアミノプロピルおよびジエチレントリアミンが挙げられる。Yは好ましくは、塩素、臭素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルメチルアミノ、ジエチルアミノ、1,2−ジアミノエチル、1,2−ジ−(N−メチルアミノ)エチル、1,3−ジアミノプロピル、および1,3−ジ−(N−メチルアミノ)プロピルである。Yは塩素、臭素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルメチルアミノおよびジエチルアミノであるのがより好ましい。
式(II) R3 cY1 dM2Ln
(式中、各R3はHまたは(C1−C4)アルキルから選択され;各Y1はハライドから選択され;M2は第13族金属であり;Lは上に定義される通りであり;c=0〜3;d=0〜3;c+d=3;並びにn=0〜1である)
を有することがさらに好ましい。R3は好ましくはH、メチルまたはエチルである。Y1は好ましくは塩素または臭素である。式IIにおいては、Lが存在する場合には、中性リガンドは第三級アミンまたは第三級ホスフィンであることが好ましい。M2がインジウムまたはガリウムであるのが好ましい。好ましい第三級アミンおよび第三級ホスフィンはトリ(C1−C4)アルキルアミンおよびトリ(C1−C4)アルキルホスフィンである。
R4 eMmXm−eL1 (式III)
のものであり、式中、各R4は独立して、(C1−C20)アルキル、(C2−C20)アルケニル、(C2−C20)アルキニル、(C5−C20)アリール、(C5−C20)アリール(C1−C10)アルキル、(C1−C20)アルコキシ、(C2−C10)カルバルコキシ(carbalkoxy)、アミノ、(C1−C12)アルキルアミノ(C1−C12)アルキル、ジ(C1−C20)アルキルアミノ(C1−C12)アルキル、ホスフィノおよび二価のリガンドであり;各Xは独立してH、R4、シアノおよびハロゲンであり;L1=中性リガンド;e=R4基の価数であって、かつ1以上の整数であり;並びに、m=Mの価数である。「アミノ」基には、−NH2、(C1−C12)アルキルアミノ、およびジ(C1−C12)アルキルアミノが挙げられる。好ましくは、アミノ基は−NH2、(C1−C6)アルキルアミノ、およびジ(C1−C6)アルキルアミノであり、より好ましくは、−NH2、(C1−C4)アルキルアミノ、およびジ(C1−C4)アルキルアミノである。「ホスフィノ」基には、−PH2、(C1−C12)アルキルホスフィノ、およびジ(C1−C12)アルキルホスフィノが挙げられ、好ましくは−PH2、(C1−C6)アルキルホスフィノ、およびジ(C1−C6)アルキルホスフィノが挙げられ、より好ましくは−PH2、(C1−C4)アルキルホスフィノ、およびジ(C1−C4)アルキルホスフィノが挙げられる。上記R4基は、場合によっては、1以上の水素原子を1以上の置換基、例えば、ハロゲン、カルボニル、ヒドロキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよびアルコキシで置き換えることによって置換されてよい。例えば、R4が(C1−C20)アルキル基である場合には、この基はアルキル鎖内にカルボニルを含んでいても良い。適切な二価のリガンドには、限定されないが、β−ジケトナート、アミジナート、ホルムアミジナート、ホスホアミジナート、グアニジナート、β−ジケチミナート、2環式アミジナートおよび2環式グアニジナートが挙げられる。好ましい二価のリガンドには、β−ジケトナート、アミジナート、ホルムアミジナート、ホスホアミジナートおよびグアニジナートが挙げられる。具体的な金属原子に応じて、式IIIの有機金属化合物は、場合によっては、1以上の中性リガンド(L)を含むことができる。この中性リガンドは全体的な電荷を有していない。中性リガンドには、限定されないが、CO、NO、窒素、アミン、エーテル、ホスフィン、アルキルホスフィン、アリールホスフィン、ニトリル、アルケン、ジエン、トリエン、アルキンおよび芳香族化合物が挙げられる。式IIIの有機金属化合物と、第三級アミンまたは第三級ホスフィンのようなアミンまたはホスフィンとの付加物は本発明によって企図される。
式中、各R5は独立して、(C1−C6)アルキル、(C2−C6)アルケニル、(C1−C4)アルキルアミノ(C1−C6)アルキル、ジ(C1−C4)アルキルアミノ(C1−C6)アルキル、(C5−C10)アリール、−NH2、(C1−C4)アルキルアミノ、およびジ(C1−C4)アルキルアミノから選択され;各X2は独立してH、ハロゲン、(C1−C10)アルコキシおよびR5から選択され;M3は第2族、第4族または第13族金属であり;xはR5基の価数であって、かつ整数であり;pはM3の価数であり;並びに1≦x≦pである。式IIの有機金属化合物と第三級アミンもしくは第三級ホスフィンのようなアミンもしくはホスフィンとの付加物は本発明によって企図される。各R5が独立して、(C1−C4)アルキル、(C2−C4)アルケニル、(C5−C10)アリール、−NH2、(C1−C4)アルキルアミノ、およびジ(C1−C4)アルキルアミノから選択されることが好ましく、より好ましくは、(C1−C4)アルキル、(C5−C8)アリール、−NH2、(C1−C4)アルキルアミノ、およびジ(C1−C4)アルキルアミノから独立して選択される。R1のために典型的な基には、限定されないが、メチル、エチル、n−プロピル、イソ−プロピル、ブチル、tert−ブチル、イソ−ブチル、sec−ブチル、n−ペンチル、イソ−ペンチル、neo−ペンチル、ビニル、アリル、プロパルギル、アミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、ジメチルアミノプロピル、フェニル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、メチルアミノ、ジメチルアミノおよびエチルメチルアミノが挙げられる。X2がハロゲンである場合には、塩素および臭素が好ましく、塩素がより好ましい。M3が第2族金属である場合には、x=1または2である。M3が第4族金属である場合には、x=1、2、3または4である。M3=第13族金属である場合には、x=1、2または3である。M3は好ましくは、マグネシウム、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、インジウムまたはガリウムであり、より好ましくはアルミニウム、インジウムまたはガリウムである。
以下の表は、本方法に従って製造される様々な有機金属化合物を示す。適切な有機溶媒が表示され、このような溶媒は必要とされるかまたは場合によって使用されうる。
略語は以下の意味を有する:LAB=線状アルキルベンゼン;TDMA=テトラキス(ジメチルアミノ)すなわち[(CH3)2N]4;および、TEMA=テトラキス(エチルメチルアミノ)すなわち[(CH3)(CH3CH2)N]4。
第1のおよび第2の入口を有する接触ゾーンと、複数の熱伝達ゾーンと、複数の混合ゾーンとを有する反応器に、第1の反応物質として過半量が液体のTMAの流れを200〜300kPaで10〜30℃の温度で10〜20単位/時間の流量で、並びに第2の反応物質として過半量が液体のトリプロピルアミン(TPA)の流れを200〜300kPaで10〜30℃の温度で20〜40単位/時間の流量で反応器入口の層流環境に供給した。これら流量はTMAに対して1/1よりわずかに多くモル過剰にTPAを制御するように設定された。両方の反応物質流れは、同心で実質的に層流のフローを有する反応器の混合ゾーンに送達された。混合ゾーンに入るそれぞれの反応物質流れのレイノルズ数は1000以下であった。これら反応物質流れは20秒を超える反応器内全滞留時間を有していた。反応器を出てから、生成物(TMA−TPA付加物)流れは不純物を除去するために分離ユニットに運ばれた。この反応は、数回の短い中断のみを伴うが24時間を超えてほぼ連続的に操作されて、450kgを超える物質の生産をもたらした。
実施例2において使用されたのと同様の反応器に、第1の反応物質として過半量が液体の実施例2からのTMA−TPA付加物の流れを200〜300kPaの圧力で40〜60℃の温度でおよび20〜40単位/時間の流量で、および第2の反応物質として過半量が液体の芳香族炭化水素溶媒中の塩化ガリウムの流れを2〜10℃の温度で200〜300kPaの圧力でおよび20〜40単位/時間の流量で、アルミニウムのガリウム金属に対するモル比を1より大/1に維持するように供給した。反応器の熱伝達ゾーンは85〜100℃の反応器出口温度を維持した。反応器は24時間を超えて連続的に操作され、この時間中、生成物(トリメチルガリウム、すなわち「TMG」)が分離ユニットにおいて連続的に精製されて、高純度のTMGを100kgを超えて、85%を超える全収率で生じさせた。
実施例3の手順が繰り返され、精製後の全収率は90%を超えていた。
トリエチルアルミニウム−TPA付加物を生じさせるためにトリエチルアルミニウムが第1の反応物質として使用されることを除いて実施例2の手順が繰り返される。
トリエチルガリウムを生じさせるために、実施例5からのトリエチルアルミニウム−TPA付加物が第1の反応物質として使用されることを除いて、実施例3の手順が繰り返される。
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウムを生じさせるために、メシチレン中のリチウムジメチルアミドが第1の反応物質として使用され、かつメシチレン中のハフニウムテトラクロリドが第2の反応物質として使用されることを除いて実施例3の手順が繰り返される。
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウムを生じさせるために、ハフニウムテトラクロリドがジルコニウムテトラクロリドで置換えられることを除いて実施例7の手順が繰り返される。
テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウムを生じさせるために、メシチレン中のリチウムエチルメチルアミドが第1の反応物質として使用されることを除いて実施例7の手順が繰り返される。
11 バッフルプレート
15 接触ゾーン
17 第1の反応物質流れ
20 熱伝達ゾーン
25 第1の入口
27 第2の反応物質流れ
30 第2の入口
35 出口
40 分離ユニット
Claims (10)
- (a)反応器ユニットを含む装置を提供し、前記反応器ユニットは接触ゾーンおよび熱伝達ゾーンを含んでおり;
(b)第1の反応物質流れおよび第2の反応物質流れを前記接触ゾーンに連続的に送達して、反応混合物流れを形成し、前記第1の反応物質流れおよび第2の反応物質流れは並流であって、かつ実質的に層流を有しており、かつ前記第1の反応物質は金属含有化合物であり;
(c)前記反応混合物流れが有機金属化合物生成物流れを形成するようにし;
(d)前記有機金属化合物の過半量を液相に維持するように、前記熱伝達ゾーンにおける前記生成物流れの温度および圧力を制御し;並びに、
(e)前記生成物流れを分離ユニットに運んで、前記有機金属化合物を分離する;
ことを含む、有機金属化合物を連続的に製造する方法。 - 前記有機金属化合物が70%以上の収率で得られる請求項1に記載の方法。
- 前記有機金属化合物が90%以上の収率で得られる請求項2に記載の方法。
- 前記第2の反応物質が金属を含む請求項1に記載の方法。
- 前記第1の反応物質が第13族金属を含む請求項1に記載の方法。
- 前記装置が複数の反応器ユニットを含む請求項1に記載の方法。
- さらに複数の熱伝達ゾーンを含む請求項1に記載の方法。
- 第1の反応物質および第2の反応物質が両方とも気相、液相またはこれらの組み合わせである請求項1に記載の方法。
- 接触ゾーンに運ばれる前記第1のおよび第2の反応物質流れのそれぞれが3500以下のレイノルズ数を有する請求項1に記載の方法。
- (a)第1の反応物質が金属を含む、第1の反応物質流れのソース;
(b)第2の反応物質流れのソース;
(c)前記第1の反応物質流れと前記第2の反応物質流れとを並流で接触させるための層流接触ゾーン;並びに
(d)熱伝達ゾーン;
を含む有機金属化合物を連続的に製造するための装置。
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