KR20130009689A - 유기금속 화합물의 정제방법 및 장치 - Google Patents
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- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title claims description 116
- 238000003883 substance clean up Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 17
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 13
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 13
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N phosphanyl Chemical group [PH2] FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000172 C5-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006620 amino-(C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 9
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- -1 hydrocarbyl ammonium cations Chemical class 0.000 description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N squalane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 9
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YYGNTYWPHWGJRM-UHFFFAOYSA-N (6E,10E,14E,18E)-2,6,10,15,19,23-hexamethyltetracosa-2,6,10,14,18,22-hexaene Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCCC(C)=CCCC=C(C)CCC=C(C)CCC=C(C)C YYGNTYWPHWGJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BHEOSNUKNHRBNM-UHFFFAOYSA-N Tetramethylsqualene Natural products CC(=C)C(C)CCC(=C)C(C)CCC(C)=CCCC=C(C)CCC(C)C(=C)CCC(C)C(C)=C BHEOSNUKNHRBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 5
- 229940031439 squalene Drugs 0.000 description 5
- TUHBEKDERLKLEC-UHFFFAOYSA-N squalene Natural products CC(=CCCC(=CCCC(=CCCC=C(/C)CCC=C(/C)CC=C(C)C)C)C)C TUHBEKDERLKLEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229940032094 squalane Drugs 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004890 (C1-C6) alkylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006592 (C2-C3) alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N etomidate Chemical compound CCOC(=O)C1=CN=CN1[C@H](C)C1=CC=CC=C1 NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane Chemical compound [Mg+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006593 (C2-C3) alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- KAXRWMOLNJZCEW-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(2-aminophenyl)-4-oxobutanoic acid;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.OC(=O)C(N)CC(=O)C1=CC=CC=C1N KAXRWMOLNJZCEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004399 C1-C4 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006374 C2-C10 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003601 C2-C6 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000264877 Hippospongia communis Species 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052766 Lawrencium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- KRSZDIGCQWBYNU-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Ru] Chemical compound [Mn].[Ru] KRSZDIGCQWBYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940059260 amidate Drugs 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OWQWEJKPOUNPPG-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethyl)gallane Chemical compound C[Ga](C)Cl OWQWEJKPOUNPPG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethyl)indigane Chemical compound [Cl-].C[In+]C FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N cyclopentane;indium Chemical compound [In].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- NAELOTVRFCXVRC-UHFFFAOYSA-L dichloro(methyl)indigane Chemical compound [Cl-].[Cl-].[In+2]C NAELOTVRFCXVRC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GUGIFNFHECDRIV-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(methyl)alumane Chemical compound CC(C)(C)[Al](C)C(C)(C)C GUGIFNFHECDRIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKKCMKUMYGWZOS-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(methyl)indigane Chemical compound CC(C)(C)[In](C)C(C)(C)C IKKCMKUMYGWZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SHGOGDWTZKFNSC-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethyl)alumane Chemical compound CC[Al](C)C SHGOGDWTZKFNSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMJWXHSCXIWRF-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethyl)indigane Chemical compound CC[In](C)C JMMJWXHSCXIWRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFICPAADTOQAMU-UHFFFAOYSA-L ethylaluminum(2+);dibromide Chemical compound CC[Al](Br)Br JFICPAADTOQAMU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L ethylaluminum(2+);dichloride Chemical compound CC[Al](Cl)Cl UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRIUWMIAOYIBGN-UHFFFAOYSA-N lanthanum titanium Chemical compound [Ti][La] DRIUWMIAOYIBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- BMJNVUJEHPJCLV-UHFFFAOYSA-N methyl-di(propan-2-yl)alumane Chemical compound CC(C)[Al](C)C(C)C BMJNVUJEHPJCLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFZPDZHLPHPJO-UHFFFAOYSA-N methyl-di(propan-2-yl)indigane Chemical compound CC(C)[In](C)C(C)C WJFZPDZHLPHPJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GSELAUPMWWOTHO-UHFFFAOYSA-N n,n-dipropylpropan-1-amine;trimethylalumane Chemical compound C[Al](C)C.CCCN(CCC)CCC GSELAUPMWWOTHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002097 pentamethylcyclopentadienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QUKZSQMYYHYVJX-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)alumane Chemical compound C[Al](C)C(C)(C)C QUKZSQMYYHYVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVLVVRBLVJTPJZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)indigane Chemical compound C[In](C)C(C)(C)C OVLVVRBLVJTPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- VALAJCQQJWINGW-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)alumane Chemical compound CC(C)[Al](C(C)C)C(C)C VALAJCQQJWINGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKGXVGFLQCIASW-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)indigane Chemical compound CC(C)[In](C(C)C)C(C)C CKGXVGFLQCIASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005671 trienes Chemical class 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N trimethylindigane;trimethylphosphane Chemical compound CP(C)C.C[In](C)C BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNWZYDSEVLFSMS-UHFFFAOYSA-N tripropylalumane Chemical compound CCC[Al](CCC)CCC CNWZYDSEVLFSMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAKYGMVUNQSJFH-UHFFFAOYSA-N tripropylindigane Chemical compound CCC[In](CCC)CCC QAKYGMVUNQSJFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAKQLTYPVIOBZ-UHFFFAOYSA-N tritert-butylalumane Chemical compound CC(C)(C)[Al](C(C)(C)C)C(C)(C)C RTAKQLTYPVIOBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSCASNFKRQQQDK-UHFFFAOYSA-N tritert-butylgallane Chemical compound CC(C)(C)[Ga](C(C)(C)C)C(C)(C)C RSCASNFKRQQQDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVUHBBVGTCCFER-UHFFFAOYSA-N tritert-butylindigane Chemical compound CC(C)(C)[In](C(C)(C)C)C(C)(C)C WVUHBBVGTCCFER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
스트리핑 칼럼 및 가스 스트림을 이용한 조 유기금속 화합물의 정제 방법이 제공된다. 상기 방법은 유기금속 화합물과 비교하여 상대적으로 보다 휘발성인 불순물들을 제거한다.
Description
본 발명은 금속-함유 화합물 분야, 구체적으로 금속-함유 화합물의 정제 분야에 관한 것이다.
금속-함유 화합물은 금속 필름을 성장시키기 위한 촉매 및 공급원과 같은 다양한 응용분야에서 사용되고 있다. 이러한 화합물의 한가지 이용분야는 반도체와 같은 전자 디바이스의 제조이다. 많은 반도체성 물질들은 초고순도 금속유기(유기금속) 화합물을 사용하는 이미 확립되어 있는 침착 기술, 예를 들면, 금속유기 증기상 에피택시, 금속유기 분자빔 에피텍시, 금속유기 화학 증착 및 원자층 침착을 이용하여 제조된다. 이러한 공정에서 유용하려면, 유기금속 화합물에 오염물질 및/또는 유해한 불순물이 없어야 한다. 유기금속 공급원에 존재하는 이러한 불순물이 제거되지 않으면, 전자 디바이스의 전자 및/또는 광전자 특성에 불리하게 작용할 수 있다.
조 유기금속 화합물은 전형적으로 반응 부산물, 출발물질중의 불순물, 잔류 용매 또는 이들 임의 조합으로부터 발생하게 되는 다양한 불순물을 함유한다. 이같은 불순물은 보통 목적하는 유기금속 화합물로부터 제거하는 것이 매우 어렵다. 이러한 조 유기금속 화합물을 정제하기 위해 사용되는 전형적인 방법은 증류, 승화, 속슬렛(Soxhlet) 추출 및 결정화이다.
미국 특허 제6,495,707호에 삼염화갈륨 및 트리메틸알루미늄을 둘 다 반응 칼럼 센터에 가한 후, 생성된 TMG를 증발시키고, 반응 칼럼 상부로부터 TMG를 수집함으로써, 추축컨대 별도의 정제 단계없이 트리메틸갈륨 ("TMG")을 제조하는 방법이 개시되었다. 그러나, 상기 공정으로 수득되는 TMG 수율은 고작 50-68%로 낮고, 수득한 TMG의 순도에 대해서는 검토되지도 않았다.
중국 공개 특허출원 제CN 1872862 A호에는 U.S. 6,495,707 특허의 개량방법이 개시되었는데, 여기에서는 생성된 증발시킨 TMG가 반응 칼럼으로부터 최상부 컨덴서 부분을 구비한 스트리핑 칼럼 저부로 운반된다. 스트리핑 칼럼의 온도는 TMG의 비등점보다 높게 유지된다. 질소 가스가 또한 스트리핑 칼럼의 저부에 첨가된다. 질소 가스가 스트리핑 칼럼을 통해 상향 이동할 때, 증발시킨 TMG가 함께 운반되며, 컨덴서 부분에서 응축되지 않은 TMG가 스트리핑 칼럼 상부로부터 질소 스트림과 함께 스트리핑 칼럼을 빠져나오면 수집된다. 이와 같이 개량된 방법도 여전히 TMG를 비교적 낮은 수율 (59%)로 제공한다. CN 1872862 A호의 출원에 따라 제조된 TMG는 99.96% 순수한 것으로 기술되었으며, 이는 많은 전자 응용에서 아직도 불충한 수준이다.
따라서, 매우 높은 순도의 유기금속 화합물을 제공하는 것이 요구된다.
본 발명은 (a) 액상의 조 유기금속 화합물을 제공하는 단계; (b) 제1 유입구 및 제1 배출구를 갖춘 제1 부분, 및 제2 유입구 및 제2 배출구를 갖춘 제2 부분을 구비한 스트리핑 칼럼을 제공하는 단계; (c) 액상의 조 유기금속 화합물을 제1 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제1 부분으로 공급하는 단계; (d) 가스 스트림을 제2 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제2 부분으로 공급하는 단계; (e) 조 유기금속 화합물을 스트리핑 칼럼을 통해 가스 스트림 흐름의 반대 방향으로 유도하는 단계; 및 (f) 정제된 액상의 유기금속 화합물을 제2 배출구로부터 수집하는 단계를 포함하는 유기금속 화합물의 정제방법을 제공한다. 가스 스트림은 유기금속 화합물 흐름의 방향과 반대 방향으로 유동한다.
본 발명은 또한 (a) 액상의 조 유기금속 화합물 공급원; (b) 스트리핑 가스 공급원; (c) 제1 유입구 및 제1 배출구를 갖춘 제1 부분, 및 제2 유입구 및 제2 배출구를 갖춘 제2 부분을 구비한 스트리핑 칼럼; (d) 조 유기금속 화합물의 공급원과 유체 소통하는 제1 유입구; (e) 스트리핑 가스의 공급원과 유체 소통하는 제2 유입구; 및 (f) 정제된 유기금속 화합물의 수집기와 유체 소통하는 제2 배출구를 포함하며; 스트리핑 칼럼내 조 유기금속 화합물의 흐름은 스트리핑 칼럼내 스트리핑 가스 흐름에 반대방향인, 유기금속 화합물을 연속적으로 정제하기 위한 장치를 제공한다. 제1 배출구는 스트리핑 칼럼으로부터의 스트리핑 가스 출구를 제공한다.
본 발명에 따라 매우 높은 순도의 유기금속 화합물이 제공된다.
도 1은 본 발명에 사용하기에 적합한 정제 장치의 개략도이다.
본 원 명세서에서 단수는 복수의 의미도 포함한다. 달리 언급이 없으면, 모든 양은 중량 퍼센트이고, 모든 비는 몰비이다. 모든 수치 범위는 포괄적이고 어떤 순서로도 조합될 수 있으나, 단 이러한 수치 범위는 합해서 최대 100%로 제한된다.
하나의 요소가 또 다른 요소상에 있는 것으로 언급되면, 이는 다른 요소상에 직접 있을 수 있거나, 또는 그 사이에 개입된 요소가 존재할 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 이에 반해, 하나의 요소가 또 다른 요소상에 직접 또는 바로 있는 것으로 언급되면, 개입 요소는 존재하지 않는다.
용어 제1, 제2, 제3 등등은 본 원에서 다양한 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션을 기술하기 위해 사용될 수 있으며, 이들 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션은 상기 용어로 제한되지 않는 것으로 이해하여야 한다. 이들 용어는 하나의 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션을 다른 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션과 구분하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에 기재된 제1 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션은 본 발명의 교시에서 벗어남이 없이 제2 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션을 의미할 수 있다.
또한, "하부" 또는 "저부" 및 "상부" 또는 "상단"과 같은 상대적인 용어는 본 원에서 도면에 예시된 바와 같이 하나의 요소와 다른 요소간에 관계를 기술하기 위해 사용될 수 있다. 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향 이외에 장치의 다른 배향을 포함하고자 한다. 예를 들어, 도면의 장치가 뒤집히면, 다른 요소의 "하부" 상에 위치한 것으로 기재된 요소는 다른 요소의 "상부" 상에 배향될 수 있는 것으로 이해하면 된다. 따라서, 예시적인 용어 "하부"는 도면의 특정 배향에 따라 "하부" 및 "상부" 배향을 모두 포괄한다. 유사하게, 도면의 장치가 뒤집히면, 다른 요소의 "하부" 또는 "아래"로 기재된 요소는 다른 요소의 "위" 배향일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어 "하부" 또는 "아래"는 위 및 아래 배향을 모두 포괄한다.
용어 "병류"는 두 유체 흐름이 동일한 방향임을 가리킨다. 용어 "반류"는 두 유체 흐름이 반대 방향임을 가리킨다. "유체"는 가스, 액체 또는 가스와 액체의 조합을 가리킨다. "알킬"은 직쇄, 분지형 및 사이클릭 알킬을 포함한다. 용어 "칼럼" 및 "탑"은 상호호환적으로 사용된다. "할로겐"은 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 가리킨다. 하기 약어는 다음과 같은 의미를 갖는다: ppm= 백만당부; m= 미터; mm= 밀리미터; kPa=킬로파스칼; hr=시간; 및 psi=파운드/inch2.
본 발명은 조 유기금속 화합물의 정제방법을 제공한다. 액상의 조 유기금속 화합물 제1 유입구 및 제1 배출구를 갖춘 제1 부분, 및 제2 유입구 및 제2 배출구를 갖춘 제2 부분을 구비한 스트리핑 칼럼으로 운반한다. 조 액상 유기금속 화합물을 제1 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제1 부분으로 공급한다. 가스 스트림을 제2 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제2 부분으로 공급한다. 조 유기금속 화합물을 스트리핑 칼럼을 통해 가스 스트림 흐름의 반대로 유도한다. 즉, 액상 유기금속 화합물 및 가스 스트림은 반류이다. 정제된 액상의 유기금속 화합물을 제2 배출구로부터 수집한다. 본 발명의 공정은 정제될 유기금속 화합물보다 상대적으로 더 휘발성인 불순물을 유리하게 제거한다. 즉, 본 발명의 공정은 정제될 유기금속 화합물보다 상대적으로 높은 증기압을 갖는 불순물을 제거한다.
도 1은 본 발명에 사용하기에 적합한, 제1 부분 (12) 및 제2 부분 (14)를 갖춘 스트리핑 칼럼 (10)을 구비한 정제 장치의 개략도이다. 스트리핑 칼럼 (10)은 임의로 도시되지 않은 물질 이동 장치를 포함할 수 있다. 제1 부분 (12)은 제1 유입구 (15) 및 제1 배출구 (20)를 갖는다. 제2 부분 (14)은 제2 유입구 (25) 및 제2 배출구 (30)를 갖는다. 제2 배출구 (30)는 정제된 유기금속 화합물을 수용하기 위한 수집기 (35)와 유체소통된다.
실시예로, 액상의 조 유기금속 화합물은 제1 유입구 (15)를 거쳐 스트리핑 칼럼 (10)의 제1 부분 (12)으로 운반되고, 스트리핑 칼럼 (10)을 통해 제2 부분 (14)으로 향하게 되고 제2 배출구 (30)를 통해 스트리핑 칼럼으로부터 배출된다. 가스 스트림은 제2 유입구 (25)를 거쳐 스트리핑 칼럼 (10)의 제2 부분 (14)으로 운반되고 스트리핑 칼럼 (10)을 통해 제1 부분 (12)으로 향하게 되고 제1 배출구 (20)를 통해 스트리핑 칼럼으로부터 배출된다. 도 1의 장치에서, 액상 조 유기금속 화합물은 제1 부분 (12)으로부터 제2 부분 (14)으로 하방 유동하고, 이 동안 가스는 제2 부분 (14)으로부터 제1 부분 (12)으로 상방 유동한다. 액상 조 유기금속 화합물 및 가스는 반류이다. 조 유기금속 화합물이 제1 유입구 (15)를 통해 스트리핑 칼럼으로 유입됨으로써 제2 배출구 (30)로부터 리시버 (35)에 수집된 유기금속 화합물이 조 유기금속 화합물에 비해 정제된다.
스트리핑 칼럼 (10)은 정제될 유기금속 화합물과 반응하지 않을 임의의 적합한 물질로 구성될 수 있다. 적합한 물질로는 보로실리케이트 글래스 및 파이렉스 글래스와 같은 글래스; 폴리(테트라플루오로에틸렌)과 같은 과불소화 플라스틱을 포함하는 플라스틱; 석영; 또는 금속을 들 수 있으나, 이들에만 한정되지는 않는다. 금속이 바람직하고, 특히 적합한 금속은 니켈 합금 및 스테인레스강이나 이에 한정되지 않는다. 적합한 스테인레스강은 304, 304 L, 316, 316 L, 321, 347 및 430을 들 수 있으나, 이들에만 한정되지는 않는다. 적합한 니켈 합금은 인코넬(Inconel), 모넬(Monel) 및 하스텔로이(Hastelloy) 내부식성 합금을 들 수 있으나, 이들에만 한정되지는 않는다. 스트리핑 칼럼은 이들 물질의 혼합물, 예컨대 글래스-라인 스테인레스강으로 구성될 수 있다. 스트리핑 칼럼에 대한 적합한 물질을 선택하는 것은 당업자들에 주지이다.
스트리핑 칼럼의 치수는 중요하지 않으며, 스트리핑 칼럼은 어떤 적합한 길이 및 직경도 가질 수 있다. 상기 길이 및 직경의 선택은, 특히 다른 요인중에서도 정제될 조 유기금속 화합물의 부피, 및 액상 조 유기금속 화합물과 불활성 가스의 소정 접촉량에 따라 달라질 것이며, 당업자들의 능력 범위내에 있다. 전형적인 길이는 1 내지 12 m, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 10 m, 더욱 더 바람직하게는 2 내지 8 m, 및 더 더욱 바람직하게는 2 내지 5 m 범위이다. 특히 바람직한 길이는 1.5, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 10 m이다. 전형적인 직경은 10 mm 내지 3 m, 바람직하게는 15 mm 내지 2 m, 더욱 바람직하게는 15 mm 내지 1 m, 더욱 더 바람직하게는 15 내지 500 mm, 더 더욱 바람직하게는 15 mm 250 mm, 이보다 더 바람직하게는 25 내지 200 mm 및 이보다 더욱 더 바람직하게는 25 내지 150 mm 범위이다. 특히 바람직한 직경은 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 50, 75 및 100 mm이다.
임의로, 스트리핑 칼럼 (10)은 도 1에 도시되지는 않은 하나 이상의 물질 전달 부분을 포함할 수 있다. 이러한 물질 전달 부분은 스트리핑 칼럼 (10)을 따라 어디에도 존재할 수 있다. 예를 들어 열 전달 부분이 제1 부분 (12), 제2 부분 (14), 또는 제1 및 제2 부분 둘 다의 일부일 수 있다. 상기 열 전달 부분은 컨덴서, 칠러(chiller) 및 히터와 같은 열 교환기를 포함한다. 예를 들어, 유기금속 화합물이 액상으로 존재하게 칼럼 온도를 유지하기 위해 칠러가 사용될 수 있다. 다른 한편으로, 유기금속 화합물이 상대적으로 낮은 융점의 고체인 경우에는 히터를 사용하여 유기금속 화합물을 액상으로 유지할 수 있다. 특정 열 전달 부분 및 스트리핑 칼럼내에서 그의 위치 선택은 당업자들에게 알려진 다른 요인중에서도 특히 스트리핑 칼럼의 크기, 정제될 조 유기금속 화합물의 부피, 조 유기금속 화합물의 온도, 정제될 특정 조 유기금속 화합물, 및 제거할 불순물의 특정량에 따라 달라질 것이다. 이러한 열 전달 부분 및 스트리핑 칼럼내에서 그의 위치 선택은 당업자들의 능력 범위내에 있다.
스트리핑 칼럼은 임의로 유기금속 화합물과 반응하지 않을 임의의 적합한 물질 전달 장치를 포함할 수 있다. 이러한 물질 전달 장치는 랜덤 팩킹, 구조화 팩킹, 트레이 또는 이들의 조합일 수 있다. 랜덤 팩킹 물질은 배플, 비드, 로드, 튜브, 편자, 플레이트, 링, 새들, 디스크, 소서(saucer), 또는 침상, 십자형 및 나선형(코일 및 스파이럴)과 같은 임의의 다른 적합한 형태가 예시되나 이들에 한정되지 않는 임의의 각종 형태를 가질 수 있다. 혼합 형태도 사용될 수 있다. 사용된 랜덤 팩킹 물질의 크기는 스트리핑 칼럼 크기 및 유기금속 화합물로부터 불순물을 분리하기 위해 요구되는 이론적인 플레이트의 갯수와 같은 다수 고려사항에 따라 달라질 것이다. 적합한 랜덤 팩킹 물질은 2 mm 이상과 같이 그 크기(예를 들면, 직경)가 광범위할 수 있다. 랜덤 팩킹 물질의 적절한 크기 범위는 직경 2 내지 50 mm이다. 구조화 팩킹 물질은 와이어 거즈, 파형판, 일체식 벌집형, 그리드 등을 포함한다. 와이어 거즈는 직조 또는 니트형일 수 있으며, 천공 및/또는 파형화될 수 있다. 파형판은 임의로 천공 및/또는 텍스춰화될 수 있다. 구조화 팩킹이 와이어 거즈인 것이 바람직하다. 팩킹 물질은 크기가 균일할 수 있거나 혼합 형태일 수 있다. 각종 트레이가 임의로 본 발명의 스트리핑 칼럼에 사용될 수 있다. 예시적인 트레이로서 배플, 플로우트 밸브, 고정 밸브, 체 트레이, 듀얼 유동 트레이, 병류 트레이 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되지는 않는다. 칼럼내에 물질 전달 장치의 유형, 크기, 양 및 위치 결정은 당업자들의 능력 범위내에 있다. 물질 전달 장치는 일반적으로 Raschig, HAT International, Koch-Glitsch, ACS Separations 및 Sulzer Chemtech와 같은 다양한 공급처로부터 입수할 수 있다.
물질 전달 장치는 정제될 유기금속 화합물과 반응하지 않을 임의의 적합한 물질, 또는 물질의 혼합물로 구성될 수 있다. 팩킹 물질에 유용한 예시적인 물질에는 알루미나, 실리카, 알루미나 실리케이트, 실리콘 카바이드 및 실리콘 니트라이드와 같은 세라믹; 보로실리케이트 글래스와 같은 글래스; 석영; Bucky 볼과 같은 흑연 볼; 상술된 스테인레스강 및 니켈 합금뿐 아니라 티타늄 및 지르코늄과 같은 금속; 및 열경화성 플라스틱이 포함되나 이들에만 한정되지는 않는다. 니켈 및 크롬과 같은 특정 금속은 13족 유기금속 화합물의 분해를 촉진하는 것으로 알려져 있으며, 13족 유기금속 화합물이 정제되는 경우 절대적으로 피해야 한다. 그러나, 니켈 또는 크롬 함유 합금은 13족 유기금속 화합물의 정제에 사용될 수 있다.
액상의 조 유기금속 화합물은 제1 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제1 부분으로 유입된다. 액상인 임의의 조 유기금속 화합물이 본 공정에 적절히 사용될 수 있다. 이러한 유기금속 화합물은 정제 단계동안 사용되는 온도에서 액체인 화합물을 포함한다. 예를 들어, 유기금속 화합물이 액체인 경우, 이는 그의 어는점 보다 높고 그의 끓는점 보다 낮은 임의의 온도에서 본 공정에 따라 정제될 수 있다. 상대적으로 낮은 융점의 고체 유기금속 화합물은 스트리핑 칼럼을 유기금속 화합물의 융점 보다 높고 끓는점 보다 낮은 온도로 적절히 가열함으로써 액상으로 정제될 수 있다. 액체 유기금속 화합물이 본 발명의 방법에 따라 정제되는 경우에는, 유기금속 화합물이 증발 냉각시 스트리핑 칼럼에서 고화되지 않도록 스트리핑 칼럼을 적절히 가열하는 것이 바람직하다.
바람직하게, 액체 유기금속 화합물은 그의 어는점보다 5 ℃ 이상, 그의 끓는점보다 5 ℃ 이하의 온도, 더욱 바람직하게는 그의 어는점보다 10 ℃ 이상, 그의 끓는점보다 10 ℃ 이하의 온도에서 정제된다.
스트리핑 칼럼의 온도에서 고체이거나 액체인 유기금속 화합물을 용매 중에 용해시켜 액상 유기금속 화합물을 제공할 수 있으며, 상기 화합물은 이후 본 발명의 방법에 따라 정제된다. 어떤 적절한 유기 용매도 사용될 수 있다. 어떤 적절한 용매도 사용될 수 있으나, 단 유기금속 화합물과 반응하거나 불안정화시키지 않아야 하고, 상기 유기 용매는 제거되어야 할 불순물의 증기압보다 낮은 증기압을 가져야 한다. 적절한 용매는 당업자들에게 알려져 있다. 바람직한 용매는 탄화수소, 예컨대 선형 알킬 벤젠, 자일렌, 메시틸렌, 두렌(durene), 퀴놀린, 이소퀴놀린, 인단, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌(테트랄린), 데카하이드로나프탈렌 및 스쿠알란(스쿠알렌); 및 이온성 액체를 포함하나 이들에 한정되지는 않는다. 이온성 액체는 일반적으로 낮은 온도에서 액체인 염이며, 100 ℃ 이하의 융점을 가진다. 이온성 액체는 전체적으로 이온으로 구성되며, 전형적으로 벌키한 유기 양이온 및 무기 음이온으로 구성된다. 이러한 화합물 내 높은 쿨롬력(Coulumbic forces) 때문에, 이온성 액체는 실질적으로 증기압을 전혀 가지지 않는다. 어떤 적절한 이온성 액체도 본 발명의 용매로 사용될 수 있다. 이온성 액체로 사용되는 예시적인 양이온은 하이드로카빌암모늄 양이온, 하이드로카빌포스포늄 양이온, 하이드로카빌피리디늄 양이온 및 디하이드로카빌이미다졸리움 양이온을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. 본 발명의 이온성 액체에 사용되는 예시적인 음이온은 클로로메탈레이트 음이온; 플루오로보레이트 음이온, 예컨대 테트라플루오로보레이트 음이온 및 하이드로카빌 치환된 플로오로보레이트 음이온; 및 플루오로포스페이트 음이온, 예컨대 헥사플루오로포스페이트 음이온 및 하이드로카빌 치환된 플루오로포스페이트 음이온을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. 예시적인 클로로메탈레이트 음이온은 클로로알루미네이트 음이온, 예컨대 테트라클로로알루미네이트 음이온 및 클로로트리알킬알루미네이트 음이온; 클로로갈레이트 음이온, 예컨대 클로로트리메틸갈레이트; 및 테트라클로로갈레이트, 클로로인데이트 음이온, 예컨대 테트라클로로인데이트 및 클로로트리메틸인데이트를 포함한다.
유기금속 화합물을 유기 용매에 용해시켜 액상을 제공하는 본 발명의 방법은, 그렇지 않으면 정제하기가 힘든 유기금속 화합물을 정제하는데 사용될 수 있게 한다. 예를 들어, 트리메틸인듐은 88 ℃에서 녹고, 101 내지 103 ℃에서는 폭발적으로 분해한다. 이로 인해 트리메틸인듐이 분해되지 않고 깔끔한 액체로 정제될 수 있는 온도 범위는 매우 좁다. 그러나, 트리메틸인듐은 >125°의 온도에서 장기간 동안 스쿠알란과 같은 용액에서 안정한 것으로 알려져 있다. 트리메틸인듐을 스쿠알란 중에 용해시키는 것은, 트리메틸인듐을 분해시키지 않으면서, 보다 넓은 온도 범위가 본 발명의 방법의 스트리핑 칼럼에 사용될 수 있게 한다. 특정 유기금속 화합물은 상대적으로 높은 융점을 가지는데, 예컨대 디사이클로펜타디에닐 마그네슘은 180 ℃에서 녹고, 본 발명의 방법에 따라 용융물로서 정제하기가 어려울 것이다. 이러한 상대적으로 높은 융점을 가지는 유기금속 화합물을 용매 중에 제공하는 것은, 본 발명의 방법에 따라 액상의 그러한 유기금속 화합물의 정제를 가능케 한다.
매우 다양한 유기금속 화합물들이 본 발명의 방법에 의해 정제될 수 있다. 본 원에 사용된, "유기금속 화합물"은 적어도 하나의 금속-탄소, 금속-산소, 금속-질소 또는 금속-인 결합을 갖는 화합물을 지칭한다. 적절한 유기금속 화합물은 2족 내지 14족, 바람직하게는 3족 내지 14족, 더욱 바람직하게는 3족 내지 13족으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 원자를 함유한다. 특별히 바람직한 금속은 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11 및 13족, 더욱 더 바람직하게는 4, 8, 11 및 13족의 금속들이다. 예시적인 금속 원자는, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 스칸듐, 이트륨, 루테튬, 로렌슘, 란타늄 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 세륨, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 크로늄, 몰리브덴, 텅스텐, 망간 루테늄, 코발트, 로듐, 이리듐, 니켈, 백금, 팔라듐, 구리, 은, 금, 아연, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 실리콘, 게르마늄 및 주석을 포함하나 이들에 한정되지는 않는다. 바람직한 금속 원자는 마그네슘, 스트론튬, 스칸듐, 이트륨, 루테튬, 로렌슘, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 루테늄, 코발트, 이리듐, 니켈, 백금, 팔라듐, 구리, 은, 금, 아연, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 게르마늄을 포함한다. 상기 금속 원자는 마그네슘, 스칸듐, 이트륨, 루테튬, 로렌슘, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 니오븀, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트, 이리듐, 니켈, 백금, 팔라듐, 구리, 은, 금, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 게르마늄인 것이 더욱 바람직하고, 더욱 더 바람직하게는 마그네슘, 지르코늄, 하프늄, 니오븀, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트, 이리듐, 니켈, 구리, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 게르마늄이고, 이보다 더 바람직하게는 마그네슘, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 게르마늄이다.
예시적인 유기금속 화합물은 식 RaMmXm-aL (화학식 I)의 화합물로서, 상기 식에서 각 R은 (C1-C20)알킬, (C2-C20)알케닐, (C2-C20)알키닐, (C5-C20)아릴, (C5-C20)아릴(C1-C10)알킬, (C1-C20)알콕시, (C2-C10)카발콕시(carbalkoxy), 아미노, (C1-C12)알킬아미노(C1-C12)알킬, 디(C1-C20)알킬아미노(C1-C12)알킬, 포스피노(phosphino) 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택되고; 각 X는 H, R, 시아노 및 할로겐으로부터 독립적으로 선택되며; L은 중성 리간드이고; a는 상기 R 기의 원자가로서 ≥1의 정수이며; M은 2족 내지 14족 금속이고; m은 상기 M의 원자가이다. 상기 "아미노" 그룹은 -NH2, (C1-C12)알킬아미노 및 디(C1-C12)알킬아미노를 포함한다. 바람직하게는, 아미노 그룹은 -NH2, (C1-C6)알킬아미노 및 디(C1-C6)알킬아미노이고, 더욱 바람직하게는 -NH2, (C1-C4)알킬아미노 및 디(C1-C4)알킬아미노이다. 상기 "포스피노" 그룹은 -PH2, (C1-C12)알킬포스피노 및 디(C1-C12)알킬포스피노를 포함하고, 바람직하게는 -PH2, (C1-C6)알킬포스피노 및 디(C1-C6)알킬포스피노를 포함하고, 더욱 바람직하게는 -PH2, (C1-C4)알킬포스피노 및 디(C1-C4)알킬포스피노를 포함한다. 상기 R 그룹은 하나 이상의 수소 원자를, 할로겐, 카보닐, 하이드록실, 시아노, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노 및 알콕시와 같은 하나 이상의 치환체 그룹으로 교체함으로써 임의로 치환될 수 있다. 예를 들어, R이 (C1-C20)알킬 그룹인 경우, 상기 그룹은 알킬 쇄 내에 카보닐을 포함할 수 있다. 적절한 2가 리간드는 β-디케토네이트(diketonates), 아미디네이트(amidinates), 포름아미디네이트(formamidinates), 포스포아미디네이트(phosphoamidinates), 구아니디네이트(guanidinates), β-디케티미네이트(diketiminates), 바이사이클릭 아미디네이트 및 바이사이클릭 구아니디네이트를 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. 바람직한 2가 리간드는 β-디케토네이트, 아미디네이트, 포름아미디네이트, 포스포아미디네이트 및 구아니디네이트를 포함한다. 특정 금속 원자에 따라, 화학식 II의 유기금속 화합물은 하나 이상의 중성 리간드(L)를 임의로 함유할 수 있다. 그러한 중성 리간드는 총 전하를 띄지 않는다. 중성 리간드는 CO, NO, 질소, 아민, 에테르, 포스핀, 알킬포스핀, 아릴포스핀, 니트릴, 알켄, 디엔, 트리엔, 알킨 및 방향족 화합물을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. 아민 또는 포스핀, 예컨대 3차 아민 또는 3차 포스핀과 화학식 I의 유기금속 화합물의 부가물(adduct)이 본 발명에 의해 고려된다.
바람직하게는, 화학식 I의 각 R 그룹은 (C1-C10)알킬, (C2-C10)알케닐, (C2-C10)알키닐, (C5-C15)아릴, (C5-C10)아릴(C1-C6)알킬, (C1-C10)알콕시, (C2-C10)카발콕시, 아미노, (C1-C6)알킬아미노(C1-C6)알킬, 디(C1-C6)알킬아미노(C1-C6)알킬, 포스피노 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택되고; 더욱 바람직하게는 (C1-C6)알킬, (C2-C6)알케닐, (C2-C6)알키닐, (C5-C10)아릴, (C5-C8)아릴(C1-C6)알킬, (C1-C6)알콕시, (C2-C6)카발콕시, 아미노, (C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, 디(C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, 포스피노 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택된다. 각 R은 (C1-C5)알킬, (C2-C3)알케닐, (C2-C3)알키닐, (C5-C10)아릴, (C5-C8)아릴(C1-C4)알킬, (C1-C5)알콕시, (C2-C5)카발콕시, 아미노, (C1-C4)알킬아미노(C1-C4)알킬, 디(C1-C4)알킬아미노(C1-C4)알킬, 포스피노 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택되는 것이 바람직하고; 더욱 더 바람직하게는 (C1-C4)알킬, (C2-C3)알케닐, (C5-C8)아릴, (C1-C5)알콕시, 아미노, (C1-C3)알킬아미노(C1-C4)알킬, 디(C1-C3)알킬아미노(C1-C4)알킬, 포스피노 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택된다.
바람직한 유기금속 화합물은 화학식 II의 구조를 가진다.
R1 xX2 n-xM2n (II)
상기 식에서,
각 R1은 (C1-C6)알킬, (C2-C6)알케닐, (C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, 디(C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, (C5-C10)아릴, -NH2, (C1-C4)알킬아미노 및 디(C1-C4)알킬아미노로부터 독립적으로 선택되고;
각 X2는 H, 할로겐, (C1-C10)알콕시 및 R1으로부터 독립적으로 선택되며;
M2는 2족, 4족 또는 13족 금속이고;
x는 상기 R1 기의 원자가로서 정수이며;
n은 상기 M2의 원자가이고;
1 ≤ x ≤ n 이다.
아민 또는 포스핀, 예컨대 3차 아민 또는 3차 포스핀과 화학식 II의 유기금속 화합물의 부가물이 본 발명에 의해 고려된다. 각 R1은 (C1-C4)알킬, (C2-C4)알케닐, (C5-C10)아릴, -NH2, (C1-C4)알킬아미노 및 디(C1-C4)알킬아미노로부터 독립적으로 선택되는 것이 바람직하고; 더욱 바람직하게는 (C1-C4)알킬, (C5-C8)아릴, -NH2, (C1-C4)알킬아미노 및 디(C1-C4)알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다. R1의 바람직한 그룹은 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, 부틸, tert-부틸, 이소-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소-펜틸, 네오-펜틸, 비닐, 알릴, 프로파길, 아미노메틸, 아미노에틸, 아미노프로필, 디메틸아미노프로필, 메틸아미노, 디메틸아미노, 에틸메틸아미노 페닐, 사이클로펜타디에닐, 메틸사이클로펜타디에닐 및 펜타메틸사이클로펜타디에닐을 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. X2가 할로겐인 경우, 염소 및 브롬이 바람직하고, 염소가 더욱 바람직하다. M2가 2족 금속인 경우, x = 1 또는 2이다. M2가 4족 금속인 경우, x = 1, 2, 3 또는 4이다. M2 = 13족 금속인 경우, x = 1, 2 또는 3이다. M2는 바람직하게는, 마그네슘, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 인듐 또는 갈륨이고, 더욱 바람직하게는 알루미늄, 인듐 또는 갈륨이다.
바람직한 유기금속 화합물은 트리알킬 인듐 화합물, 예컨대 트리메틸 인듐, 트리에틸 인듐, 트리-n-프로필 인듐, 트리-이소-프로필 인듐, 디메틸 이소-프로필 인듐, 디메틸 에틸 인듐, 디메틸 tert-부틸 인듐, 메틸 디-tert-부틸 인듐, 메틸 디-이소프로필 인듐 및 트리-3차부틸 인듐; 트리알킬 인듐-아민 부가물, 예컨대 트리알킬 인듐-3차아민 부가물; 디알킬 할로인듐 화합물, 예컨대 디메틸 인듐 클로라이드; 알킬 디할로인듐 화합물, 예컨대 메틸 디클로로인듐; 사이클로펜타디에닐 인듐; 트리알킬 인듐-트리알킬-포스핀 부가물, 예컨대 트리메틸 인듐-트리메틸 포스핀 부가물; 트리알킬 갈륨 화합물, 예컨대 트리메틸 갈륨, 트리에틸 갈륨, 트리-이소-프로필 갈륨, 트리-tert-부틸 갈륨, 디메틸 이소-프로필 갈륨, 디에틸 tert-부틸 갈륨, 메틸 디-이소-프로필 갈륨, 디메틸 tert-부틸 갈륨, 디메틸 네오-펜틸 갈륨 및 메틸 에틸 이소-프로필 갈륨; 트리알킬 갈륨-아민 부가물, 예컨대 트리알킬 갈륨-3차아민 부가물; 트리알킬 갈륨-포스핀 부가물; 알킬 디할로갈륨 화합물, 예컨대 메틸 디클로로갈륨, 에틸디클로로갈륨 및 메틸 디브로모갈륨; 디알킬 할로갈륨 화합물, 예컨대 디메틸 갈륨 클로라이드 및 디에틸 갈륨 클로라이드; 트리알킬알루미늄 화합물, 예컨대 트리메틸 알루미늄, 트리에틸 알루미늄, 트리-n-프로필 알루미늄, 트리-이소-프로필 알루미늄, 트리-tert-부틸 알루미늄, 디메틸 이소-프로필 알루미늄, 디메틸 에틸 알루미늄, 디메틸 tert-부틸 알루미늄, 메틸 디-tert-부틸 알루미늄 및 메틸 디-이소-프로필 알루미늄; 트리알킬알루미늄-아민 부가물, 예컨대 트리알킬알루미늄-3차아민 부가물; 디알킬 할로알루미늄 화합물, 예컨대 디메틸 알루미늄 클로라이드 및 디에틸알루미늄 클로라이드; 알킬 디할로알루미늄 화합물, 예컨대 메틸 알루미늄 디클로라이드, 에틸 알루미늄 디클로라이드 및 에틸 알루미늄 디브로마이드; 디사이클로펜타디에닐 마그네슘; 금속 디알킬아미도 화합물, 예컨대 테트라키스(에틸메틸아미노) 지르코늄 및 테트라키스(에틸메틸아미노) 하프늄; 금속 베타-디케토네이트, 예컨대 하프늄, 지르코늄, 탄탈륨 및 티타늄의 베타-디케토네이트; 및 금속 아미디네이트, 예컨대 구리, 란타늄, 루테늄 및 코발트의 아미디네이트를 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. 이러한 유기금속 화합물은 일반적으로 상업적으로 이용가능하고 당업계에 알려진 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 13족 유기금속 화합물은 예를 들어, 미국특허 제5,756,786호, 제6,680,397호 및 제6,770,769호에 개시된 방법에 의해 제조될 수 있다. 금속 아미디네이트 화합물은 예를 들어, 미국특허 제7,638,645호 및 제7,816,550호에 개시된 방법에 의해 제조될 수 있다.
가스 스트림은 제2 유입구를 통해 상기 스트리핑 칼럼의 제2 부분 내로 전달되고, 스트리핑 칼럼을 통해 제1 부분으로 향하게 되며, 제1 배출구를 통해 스트리핑 칼럼을 빠져나간다. 가스 스트림의 흐름은 유기금속 화합물의 흐름에 반대된다. 임의로, 가스는 가열될 수 있다. 다양한 가스 유속이 사용될 수 있고, 당업자들에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 유동하는 불활성 가스는 유기금속 화합물로부터 휘발성 불순물을 비말(飛沫) 동반하거나 그렇지 않으면 제거하고, 제1 배출구를 통해 스트리핑 칼럼을 빠져나갈 때 그러한 휘발성 불순물을 운반해 나간다. 바람직하게는, 가스는 불활성이다. 유기금속 화합물에 불활성인 어떤 가스도 본 발명에 사용될 수 있다. 예시적인 불활성 가스는 질소, 아르곤, 헬륨, 에탄, 에탄, 프로판 및 CO2를 포함하나, 이들에 한정되지는 않는다. CO2는 특정 유기금속 화합물과 복합체를 형성하므로 모든 유기금속 화합물에 사용하기에는 적절하지 않을 수 있다는 사실을 당업자라면 알 수 있을 것이다. 그러한 CO2 복합체는 당업자에게 주지되어 있다.
유기금속 화합물은 스트리핑 칼럼의 제1 부분으로부터 제2 부분으로 흐르고, 불활성 가스는 그의 반대(반류) 방향으로 흐른다(반류). 제1 유입구에서 스트리핑 칼럼으로 들어가는 유기금속 화합물과 비교하여, 제2 배출구를 통해 스트리핑 칼럼을 빠져나가는 유기금속 화합물이 정제된다. 여기에서 사용된바, 상기 "정제된 유기금속 화합물"은 상대적으로 더 휘발성인 불순물이 제거된 유기금속 화합물을 지칭한다. 본 발명의 방법에 의해 수득되는 정제된 유기금속 화합물은 상대적으로 더 휘발성인 불순물이 감소되거나 많이 제거된 양을 가진다. 본 원에 사용된, 상기 "상대적으로 더 휘발성인"라는 것은 스트리핑 칼럼에 사용된 조건 하에서 유기금속 화합물 보다 높은 증기압을 가지는 불순물을 지칭한다. 예를 들어, 유기금속 화합물이 유기알루미늄 화합물, 특히 알킬알루미늄 화합물, 예컨대 디알킬알루미늄 할라이드 또는 트리알킬알루미늄인 경우, 상대적으로 더 휘발성인 실리콘-함유 불순물이 본 발명의 방법에 의해 제거된다. 정제된 유기금속 화합물이 실질적으로 실리콘-함유 불순물이 없는 것이 바람직하다. 상기 "실질적으로 없는"은 정제된 유기금속 화합물이 특정 불순물을 5 미만 ppm, 바람직하게는 3 미만 ppm, 더욱 바람직하게는 2 미만 ppm, 더욱 더 바람직하게는 1 미만 ppm, 그 보다 더 바람직하게는 ≤0.5 ppm 함유하는 것을 의미한다. 바람직하게는, 정제된 유기금속 화합물은 실리콘, 게르마늄 및 주석으로부터 선택된 금속 불순물을 ≤0.5 ppm 함유한다.
본 발명의 방법은 상대적으로 더 휘발성인 불순물을 제거하므로, 본 발명의 방법에 의해 수득한 정제된 유기금속 화합물은 필요에 따라, 예컨대 상대적으로 덜 휘발성인 불순물을 제거하기 위해 추가로 정제될 수 있다. 상기 용어 "상대적으로 덜 휘발성인"라는 것은 정제될 유기금속 화합물보다 낮은 증기압을 가지는 불순물을 지칭한다. 유기금속 화합물의 추가 정제를 위한 어떤 종래의 기술도 사용될 수 있으며, 이에는 예를 들어, 증류 또는 승화를 포함한다. 그러한 추가 정제 기술은 당업계에 주지되어 있다.
스트리핑 칼럼을 통한 유기금속 화합물 및 가스 스트림의 반류 흐름은 조 유기금속 화합물의 연속적 정제를 위한 방법을 제공한다. 그러나, 본 발명의 방법은 배치 정제 과정에도 사용될 수 있다.
본 발명의 정제된 유기금속 화합물은 고 순도 유기금속 화합물의 사용을 요구하는 다양한 적용, 예컨대 특정 촉매 적용 및 발광 다이오드와 같은 전자 디바이스의 제조에 사용될 수 있다. 본 발명의 정제된 유기금속 화합물은 다른 유기금속 화합물의 제조에 중간체로서도 사용될 수 있다.
실시예 1
하기 표에 본 발명에 따라 정제되는 다양한 유기금속 화합물을 예시하였다. 적합한 유기 용매는 필요한 경우 기술되었다.
화합물 | 융점 ( ℃) | 끓는점 ( ℃) | 용매 |
(CH3)3Ga | -15 | 56 | 부재 또는 LAB |
(CH3)3In | 88 | 101-103* | 스쿠알렌 |
(CH3)3Al | 15 | 125 | 없음 |
(CH3CH2)3Ga | -82 | 109 | 없음 |
(CH3CH2)3In | -32 | 184 | 없음 |
(CH3CH2)3Al | -46 | 128 | 없음 |
(CH3CH2)2GaCl | <10 | 60-62 @ 2mm Hg | 없음 |
(CH3)2AlCl | -21 | 127 | 없음 |
(CH3)2InCl | 218-219 | - | 인단 |
TDMAHf | 26-29 | 85 @ 0.1mm | 없음 |
TDMAZr | 57-60 | 80 @ 0.1mm | 없음 |
TEMAHf | < -20 | - | 없음 |
TEMAZr | < -20 | - | 없음 |
Cp2Mg | 180 | 290 | 스쿠알렌 |
하기 약어는 다음과 같은 의미를 갖춘다: LAB = 선형 알킬 벤젠; Cp = 사이클로펜타디에닐; TDMA = 테트라키스(디메틸아미노) 또는 [(CH3)2N]4; 및 TEMA = 테트라키스(에틸메틸아미노) 또는 [(CH3)(CH3CH2)N]4.
실시예 2
다소 과량의 트리프로필아민과 함께 트리메틸알루미늄-트리프로필아민 부가물 ("TMA-TPA")로 이루어진 스트림을 136 ℃의 온도에서 42 유닛/시의 속도로 내부 컨덴서가 장착된 팩킹 스트리핑 탑의 상부 섹션에 공급하였다. 질소 가스 스트림을 주변 온도에서 2 유닛/시의 속도로 스트리핑탑 저부에 반류로 공급하였다. 스트리핑탑 압력을 대기압보다 7-14 kPa (1-2 psi) 큰 압력으로 제어하고, 컨덴서는 65-75 ℃의 온도를 갖춘 가스 스트림이 배출되도록 작동시켰다. 스트리핑탑을 24 시간 이상 연속 실행시키고, 측정가능한 휘발성 탄화수소의 농도가 감소되고 실리콘-함유 불순물을 0.5 ppm 미만으로 함유하는 액체 TMA-TPA 스트림을 얻었다. 상대적으로 휘발성인 불순물의 제거 효율은 90% 이상이었다.
실시예 3
TMA-TPA를 TEMAZr로 대체하고, 헬륨을 가스 스트림으로 사용하는 것만을 제외하고 실시예 2의 과정을 반복하였다. 스트리핑탑의 온도는 TEMAZr이 액체로 존재하도록 유지하였다.
실시예 4
TMA-TPA를 LAB에 용해시킨(CH3)3Ga로 대체하는 것만을 제외하고 실시예 2의 과정을 반복하였다. 스트리핑탑의 온도는 110 ℃ 이하로 유지하였다.
실시예 5
TEMAZr을 TDMAHf로 대체하는 것만을 제외하고 실시예 3의 과정을 반복하였다. 스트리핑탑의 온도는 40 ℃ 이상으로 유지하였다.
실시예 6
TMA-TPA를 스쿠알렌에 용해시킨 (CH3)3In으로 대체하고, 헬륨을 가스로 사용하고, 스트리핑탑의 온도를 120 ℃ 이하, 바람직하게는 100 ℃ 이하로 유지하는 것만을 제외하고 실시예 2의 과정을 반복하였다.
실시예 7
LAB에 용해시킨 (CH3)3Ga를 스쿠알렌에 용해시킨 Cp2Mg로 대체하고, 메탄을 가스로 사용하는 것만을 제외하고 실시예 4의 과정을 반복하였다. 스트리핑탑의 온도를 175 ℃ 이하로 유지하였다.
Claims (15)
- (a) 액상의 조 유기금속 화합물을 제공하는 단계;
(b) 제1 유입구 및 제1 배출구를 갖춘 제1 부분, 및 제2 유입구 및 제2 배출구를 갖춘 제2 부분을 구비한 스트리핑 칼럼을 제공하는 단계;
(c) 상기 액상의 조 유기금속 화합물을 상기 제1 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제1 부분으로 공급하는 단계;
(d) 가스 스트림을 상기 제2 유입구를 통해 스트리핑 칼럼의 제2 부분으로 공급하는 단계;
(e) 상기 조 유기금속 화합물을 스트리핑 칼럼을 통해 상기 가스 스트림 흐름의 반대 방향으로 유도하는 단계; 및
(f) 상기 액상의 정제된 유기금속 화합물을 상기 제2 배출구로부터 수집하는 단계를 포함하는,
유기금속 화합물의 연속적 정제 방법. - 제 1 항에 있어서, 단계 (a)의 조 유기금속 화합물이 유기 용매 중에 용해된 방법.
- 제 1 항에 있어서, 조 유기금속 화합물이 마그네슘, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 게르마늄으로부터 선택된 하나 이상의 금속 원자를 포함하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 조 유기금속 화합물이 하기 화학식을 가지는 방법:
RaMmXm-aL
상기 식에서,
각 R은 (C1-C20)알킬, (C2-C20)알케닐, (C2-C20)알키닐, (C5-C20)아릴, (C5-C20)아릴(C1-C10)알킬, (C1-C20)알콕시, (C2-C10)카발콕시(carbalkoxy), 아미노, (C1-C12)알킬아미노(C1-C12)알킬, 디(C1-C20)알킬아미노(C1-C12)알킬, 포스피노 및 2가 리간드로부터 독립적으로 선택되고;
각 X는 H, R, 시아노 및 할로겐으로부터 독립적으로 선택되며;
L은 중성 리간드이고;
a는 R 기의 원자가로서 ≥1의 정수이며;
M은 2족 내지 14족 금속이고;
m은 M의 원자가이다. - 제 4 항에 있어서, 조 유기금속 화합물이 하기 화학식을 가지는 방법:
R1 xX2 n-xM2n
상기 식에서,
각 R1은 (C1-C6)알킬, (C2-C6)알케닐, (C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, 디(C1-C4)알킬아미노(C1-C6)알킬, (C5-C10)아릴, -NH2, (C1-C4)알킬아미노 및 디(C1-C4)알킬아미노로부터 독립적으로 선택되고;
각 X2는 H, 할로겐, (C1-C10)알콕시 및 R1으로부터 독립적으로 선택되며;
M2는 2족, 4족 또는 13족 금속이고;
x는 R1 기의 원자가로서 정수이며;
n은 M2의 원자가이고;
1 ≤ x ≤ n 이다. - 제 1 항에 있어서, 조 유기금속 화합물이 단계 (a)에서 가열되는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 정제된 유기금속 화합물이 실리콘, 게르마늄 및 주석으로부터 선택된 금속성 불순물을 0.5 ppm 이하로 함유하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 가스 스트림이 불활성인 방법.
- 제 8 항에 있어서, 가스 스트림이 질소, 아르곤, 헬륨, 메탄, 에탄, 프로판 및 CO2로부터 선택되는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 스트리핑 칼럼이 열 전달 구역(zone)을 추가로 포함하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 스트리핑 칼럼이 물질 전달 장치를 추가로 포함하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 물질 전달 장치가 랜덤 팩킹, 구조화 팩킹, 트레이 및 이들의 조합으로부터 선택되는 방법.
- (a) 액상의 조 유기금속 화합물 공급원;
(b) 스트리핑 가스 공급원;
(c) 제1 유입구 및 제1 배출구를 갖춘 제1 부분, 및 제2 유입구 및 제2 배출구를 갖춘 제2 부분을 구비한 스트리핑 칼럼;
(d) 상기 조 유기금속 화합물 공급원과 유체 소통하는 제1 유입구;
(e) 상기 스트리핑 가스 공급원과 유체 소통하는 제2 유입구; 및
(f) 정제된 유기금속 화합물의 수집기와 유체 소통하는 제2 배출구를 포함하고,
여기서 상기 스트리핑 칼럼내 조 유기금속 화합물의 흐름은 상기 스트리핑 칼럼내 스트리핑 가스의 흐름에 반대 방향인,
유기금속 화합물을 연속적으로 정제하기 위한 장치. - 제 13 항에 있어서, 스트리핑 칼럼이 열 전달 구역을 추가로 포함하는 장치.
- 제 13 항에 있어서, 스트리핑 칼럼이 물질 전달 장치를 추가로 포함하는 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161507334P | 2011-07-13 | 2011-07-13 | |
US61/507,334 | 2011-07-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130009689A true KR20130009689A (ko) | 2013-01-23 |
KR101912111B1 KR101912111B1 (ko) | 2018-10-26 |
Family
ID=46466361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120076612A KR101912111B1 (ko) | 2011-07-13 | 2012-07-13 | 유기금속 화합물의 정제방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8901335B2 (ko) |
EP (1) | EP2545973B1 (ko) |
JP (1) | JP6054659B2 (ko) |
KR (1) | KR101912111B1 (ko) |
CN (1) | CN102875582B (ko) |
TW (1) | TWI486354B (ko) |
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EP2545972A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-16 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound purification by two steps distillation |
EP2559682B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-08-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Organometallic compound preparation |
EP2559681B1 (en) | 2011-08-15 | 2016-06-22 | Dow Global Technologies LLC | Organometallic compound preparation |
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-
2012
- 2012-07-12 EP EP12176093.8A patent/EP2545973B1/en active Active
- 2012-07-12 JP JP2012156138A patent/JP6054659B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 CN CN201210336140.7A patent/CN102875582B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 TW TW101125266A patent/TWI486354B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-07-13 US US13/549,401 patent/US8901335B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-13 KR KR1020120076612A patent/KR101912111B1/ko active IP Right Grant
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CN102875582B (zh) | 2015-09-30 |
CN102875582A (zh) | 2013-01-16 |
JP2013032354A (ja) | 2013-02-14 |
US8901335B2 (en) | 2014-12-02 |
TWI486354B (zh) | 2015-06-01 |
KR101912111B1 (ko) | 2018-10-26 |
EP2545973B1 (en) | 2020-03-04 |
US20130184480A1 (en) | 2013-07-18 |
EP2545973A1 (en) | 2013-01-16 |
TW201311706A (zh) | 2013-03-16 |
JP6054659B2 (ja) | 2016-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |