CN102822992A - 半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件 - Google Patents

半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象基板(20)的处理液(19)供给至处理对象基板(20)的表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件(10b)设成接触或接近至此处理对象基板(20)的表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成表面呈凹凸面的处理对象基板(20)的凹凸形成步骤。根据此半导体装置的制造方法，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

Description

半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件
技术领域
本发明是有关于一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件。
背景技术
从前，在结晶系太阳能电池中，是通过使在硅基板中的平面状表面变形成凹凸状，亦即利用所谓的「光阱效果」以谋求能量转换效率的提高。此是因为与基板表面为平面的情况相比，在凹凸的斜面上将一度反射的光也受光至邻接的凹凸的斜面上而吸收，藉此，能够实质上使来自表面的反射率降低。其结果，由于入射光的总量增大，所以得以实现转换效率的增加。
就上述形成凹凸构造的方法而言，例如，提出了在含有触媒的金属离子的氧化剂与氢氟酸的混合水溶液内，浸渍硅基板的方法（专利文献1）。据此，公开了在此基板表面得以形成多孔质硅层的技术。
＜先前技术文献＞
　＜专利文献1＞特开2005－183505号公报。
发明内容
技术问题
然而，上述凹凸构造的形成方法关于凹凸形状的形成的控制性仍不可谓十分足够。具体而言，以上述方法来说，首先，可认为由于硅基板表面上的金属自硅基板表面析出，藉而此金属得以当作分解触媒发挥其机能。如此一来，因为无法自在地控制此金属的析出位置或分布，故确保所形成的凹凸的大小或分布的一致性将极为困难，且此些特性的再现性亦不足。再者，在制作表面凹凸构造后，将金属除去之程序是困难的。
再加上，针对用以形成像这样一致的凹凸的具体手段来说，以其工业性乃至量产性作为考虑而进行的研究及开发，将可因应产业界的需求。
技术方案
本发明是通过解决上述至少一个技术课题，而在半导体基板上，实现了工业性乃至量产性优异，均一性及再现性良好的凹凸形状的表面。其结果，本发明为对以太阳能电池作为代表的各种半导体装置稳定的高性能化与其工业化的实现具有显着贡献者。
本发明之一的半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件设成接触或接近至此半导体基板表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成呈凹凸面的前述半导体基板表面的凹凸形成步骤。
根据此半导体装置的制造方法，由于依照转印用组件所具有的网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的网目形状当作模型或模具而可获得具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
本发明之另一半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给步骤；将位在形成凹凸的表面上或其上方具有触媒材的转印用组件，设成接触或接近至此半导体基板表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成呈凹凸面的前述半导体基板表面的凹凸形成步骤。
根据此半导体装置的制造方法，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状当作模型或模具而可获得具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的凹凸形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，本发明之一的半导体装置的制造装置，包含将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给装置；以及将具有触媒材的网目状转印用组件配置成接触或接近至此半导体基板表面的配置装置。
根据此半导体装置的制造装置，由于依照转印用组件所具有的网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的网目形状当作模型或模具而可以制造具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，本发明之另一半导体装置的制造装置，包含将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给装置；以及将位在形成凹凸的表面上或其上方具有触媒材的转印用组件，配置成接触或接近至此半导体基板表面的配置装置。
根据此半导体装置的制造装置，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状当作模型或模具而可以制造具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的凹凸形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，本发明之一的转印用组件为具有触媒材的网目状组件，其中，在半导体基板表面上存在具有氧化性及溶解性的处理液的状态下，将此触媒材配置成接触或接近至此半导体基板表面，藉此使此表面变形成凹凸状。
根据此转印用组件，由于依照转印用组件所具有的网目构造而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的网目构造当作模型或模具而可以稳定地供给具有因其反映而成之凹凸的半导体基板。
此外，本发明之另一转印用组件，在形成凹凸的表面上或其上方具有触媒材，其中，在半导体基板表面上存在具有氧化性及溶解性的处理液的状态下，将此触媒材配置成接触或接近至此半导体基板表面，藉此使此表面变形成凹凸状。
根据此转印用组件，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状当作模型或模具而可以稳定地供给具有因其反映而成之凹凸的半导体基板。
此外，本发明之一的半导体装置，将氧化且溶解半导体基板的处理液导入至此半导体基板表面上的同时，在具有触媒材的网目状转印用组件是设成接触或接近至该表面的状态下，未形成电极的前述表面是具有在前述状态下所形成的多孔质的凹凸形状。
根据此半导体装置，由于依照转印用组件所具有的网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以可以成为具有使转印用组件的网目形状当作模型或模具反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的网目形状，即可获得具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，在上述各发明中，转印用组件对于作为处理对象的半导体基板，在使具有氧化性及溶解性的处理液加以作用而形成半导体基板表面的凹凸之际，以使用对这种处理液具有耐性（以耐蚀刻性或不溶性为代表）的材质较佳。虽无特别限定，但以转印用组件来说，得以采用结晶性的半导体基板或具有网目构造的组件。此外，在转印用组件中的凹凸，并未限定于使用如前所述的湿式化学蚀刻而形成的情况。例如，利用半导体技术或微机电系统(MEMS)技术的等向性或非等向性干式蚀刻，或是纳米压印法而形成的细微的凹凸形状亦能够适用。
此外，在上述各发明中，在网目状组件中，并未限定于如图9所代表的纵线与横线相互交差（例如呈网目状）而形成的情况。例如仅有纵线、或仅有横线的形状或构造；或者是一部分的领域仅为纵线或横线，且其它领域为纵线与横线相互交差的形状或构造，皆包含在网目状组件的范畴中。
此外，本发明人将半导体基板的凹凸的形成机制假定如下。首先，使转印用组件的表面的凹凸面或网目构造上所存在的触媒材接触至半导体基板面时，此触媒材是作为电化学反应的阴极作用，在触媒材的表面会发生氧化剂的分解反应。另一方面，阳极反应则发生在硅表面。就可能性高的阳极反应而言，可考虑为如下的反应示。
＜化1＞
Figure 567619DEST_PATH_IMAGE001
利用上述的阳极反应，例如在采用上述网目状转印用组件的情况下，可考虑硅表面会溶解而形成的多孔质状（多孔状）硅。更具体而言，本申请发明人考虑因为通过上述反应而生成氢离子（H＋），所以pH增加，亦即，因成为碱性所以平衡往右侧移动，故会促进硅的多孔质状的形成反应。亦即，通过碱的添加而可促进多孔质状的形成反应。此外，当触媒剂在半导体基板表面中作为处理液中的氧化剂的分解触媒而作用时，由此氧化剂所成生的原子状氧气将氧化半导体基板表面。如此一来，此氧化部位将利用溶解剂而将氧化层溶解，藉此实质上蚀刻此半导体表面。并且，半导体基板表面的氧化与在处理液中的溶解将重复进行，藉此反映转印用组件大约的表面形状，换言之，可考虑转印用组件的形状可通过转印，而形成反转的凹凸形状。因此，在上述各发明中，触媒材只要是上述处理液中可作为氧化剂的分解触媒加以作用者，并无特别限定。如一定要提及的话，触媒材较佳的代表例为由包含铂（Pt）、银（Ag）、钯（Pd）、金（Au）、铑（Rh）、及此些金属的合金群组中所选出之至少一种。
此外，在本申请中，「转印用组件具有触媒材」是指包含在转印用组件的表面上形成有触媒材的膜或层的状态，以及在转印用组件的表面上附着呈粒状或岛屿状触媒材的状态，并包含转印用组件上的触媒材作为触媒得以发挥其机能或性能的状态等各种各样的状态的概念。再者，「转印用组件具有触媒材」的意旨包含转印用组件本身即使可能含有无法避免的不纯物，仍仅由触媒材所形成的态样。此外，虽然像这样的触媒材是以通过公知的溅镀法所形成的膜、通过化学气相沉积(CVD)等所成的蒸镀膜、亦或是通过镀覆所形成的膜为代表性的一种态样，但并不以这些膜为限。
技术效果
根据本发明之一的半导体装置的制造方法，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状或网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状或网目形状当作模型或模具而获得具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，根据本发明之一的半导体装置的制造装置，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状或网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状或网目形状当作模型或模具而可以制造具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
此外，根据本发明之一的转印用组件，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状或网目构造而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状或网目构造当作模型或模具而可以稳定地供给具有因其反映而成之凹凸的半导体基板。 
附图说明
图1为本发明第一实施例中的转印用组件的制造过程的一部分表面的SEM（扫描式电子显微镜）照片。
图2A为表示本发明第一实施例中的转印用组件的制造方法的一过程的断面示意图。
图2B为表示本发明第一实施例中的转印用组件的制造方法的一过程的断面示意图。
图2C为表示本发明第一实施例中的转印用组件的制造方法的一过程的断面示意图。
图2D为表示本发明第一实施例中的转印用组件的制造方法的一过程的断面示意图。
图2E为表示本发明第一至第四实施例中的半导体装置的制造装置的主要部分的结构的概略图。
图2F为说明本发明第一实施例中对处理对象基板进行的转印工程的断面示意图。
图2G为说明本发明第一实施例中经转印工程后的处理对象基板的断面示意图。
图3为本发明第一实施例中的处理对象基板表面的SEM照片。
图4为说明本发明第一实施例的变形例（1）中经转印工程后的处理对象基板的断面示意图。
图5为本发明第二实施例中的处理对象基板表面的SEM照片。
图6为本发明第三实施例中的处理对象基板表面的SEM照片。
图7为本发明第三实施例中的处理对象基板表面的分光反射率特性图。
图8为本发明第四实施例中的太阳能电池的主要部分的断面示意图。
图9为本发明第五实施例中的网目状转印用组件的外观立体图。
图10为本发明第五实施例中的处理对象基板表面的光学显微镜照片（平面照片）。
图11A为本发明第五实施例中，利用雷射共轨焦显微镜所摄的测定对象部的平面照片。
图11B为表示在第11A图中，测定对象部（X－X）断面轮廓的断面图。
图12为表示本发明第六实施例中的半导体装置的制造装置的主要部分的结构的概略图。
图13为相对于本发明第六实施例中的处理对象基板，配置滚筒后（处理中）的状态的说明图。
图14A为本发明第六实施例中，在60℃下被处理的处理对象基板表面的光学显微镜照片（平面照片）。
图14B为本发明第六实施例中，在60℃下被处理的处理对象基板表面附近的断面的光学显微镜照片。
图15为表示本发明第六实施例中，在60℃下被处理的处理对象基板表面的反射率的曲线图。
图16为表示本发明第六实施例中处理对象基板的生命期测定结果的映像图。
图17为本发明第六实施例的变形例（1）中处理对象基板表面的光学显微镜照片（平面照片）。
图18为表示本发明第六实施例的变形例（1）中处理对象基板表面的反射率的曲线图。
图19为本发明第六实施例的变形例（2）中处理对象基板表面的光学显微镜照片（平面照片）。
图20为表示本发明第六实施例的变形例（3）中半导体装置的制造装置的主要部的结构的概略图。
图21A为表示本发明第六实施例中其它滚筒及网目状转印用组件的断面图。
图21B为表示本发明第六实施例中其它滚筒及网目状转印用组件的断面图。
图21C为表示本发明第六实施例中其它滚筒及网目状转印用组件的断面图。
【主要组件符号说明】
10，10a：转印用组件
10b：网目状转印用组件
11：已使用混合溶液进行处理之n型硅基板
12，22，22a：凸凹面或凹凸面
13：氧化膜
15：氮化硅膜
17：触媒材
19：处理液
20，20a：处理对象基板
40：处理槽
42：保持具
30：多晶基板
31：i型a－Si层
32：p＋型a－Si层
34：表面电极层
36：背面电极层
50，51，52：半导体装置的制造装置
55，56：供给装置
57a，57b，57c，57d：滚筒
59：配置装置
100：半导体装置（太阳能电池）。 
具体实施方式
接下来，参照所附图式详细叙述本发明的实施例。此外，在此说明之际，在全部图式中，如未特别提及，则共通部分将标示共通的参照符号。此外，图中本实施例的要素并非总是保持着相互的缩小比例所绘制。
＜第一实施例＞
在本实施例，首先针对用以将使用在半导体装置（在本实施例中为太阳能电池）的半导体基板（作为处理对象的基板，以下亦称为「处理对象基板」）表面，形成为凹凸形状的转印用组件10的制造方法进行说明。图1为本实施例中的转印用组件的制造过程的一部分表面的扫描式电子显微镜（以下称为SEM）照片。图2A至图2D为表示本实施例中的转印用组件10的制造方法的一过程的断面示意图。此外，图2E为说明本实施例中对处理对象基板进行的转印步骤的断面示意图。图2F为说明本实施例中经转印步骤后的处理对象基板的断面示意图。
在转印用组件10的制造中，起初，将利用所谓的RCA洗净法进行过表面洗净处理的单晶n型硅（100）（电阻率：1～20Ωcm）基板，在摩尔浓度0.25mol／dm3的氢氧化钠（NaOH）与摩尔浓度0.6mol／dm3的2-丙醇的混合水溶液内浸渍20分钟。图1为进行过前述制造过程后的n型硅基板11表面的SEM照片，图2A为将图1概要地表示的断面构造图。如图1所示，可以形成均一性高的金字塔状的凹凸面12，也就是可以形成刻纹构造的面。根据本发明人的实验，通过将单晶硅（Si－（100））浸渍在含有2-丙醇且摩尔浓度为0.01mol／dm3～5mol／dm3程度的NaOH水溶液内10～30分钟，亦即通过进行所谓的非等向性碱蚀刻，可将基板表面中的入射光（红外线波长以下的光）的反射率，降低至显着低于仅为平坦或平面状的基板表面。
其次，如图2B所示，在n型硅基板11表面上形成薄的氧化膜（SiO2）13。本实施例的氧化膜13是使用湿式氧化法而进行。氧化膜13的厚度为数纳米（nm）～数百纳米（nm）。此氧化膜13是作为用以提高后述的触媒材相对于n型硅基板11表面的附着性的防剥离层。此外，关于此氧化膜13的形成，除上述湿式氧化法以外，可适用通常的热氧化法、CVD沉积法、或化学的氧化膜生成法中任一种。此外，氧化膜13的厚度即便为1μm以下，仍可形成稳定性高的薄膜。
在本实施例，如图2C所示，在上述氧化膜13上，更形成有作为层间膜的氮化硅（Si3N4）膜15。在此，本实施例的氮化硅膜15是使用称为cat-CVD法的沉积法所形成。其具体的条件是压力为1Pa。此外，关于流量，氮气（N2）为0.6sccm、氩气（Ar）则为0.4sccm。在前述条件下，通过将沉积时间设定为2小时，而形成约1μm厚度的氮化硅膜15。此外，氮化硅膜15的制造方法，除前述cat-CVD法以外，亦可适用减压CVD法及溅镀法。当采用减压CVD法时，由于氮化硅膜与n型硅基板11间的吸附性高的缘故，上述氧化膜13将变得不必要。
附带地，上述氮化硅膜15是作为转印用组件10中的n型硅基板11的保护膜、或作为相对于后述的处理液的不透水层发挥其机能，即用以作为所谓的中间层。因此，氮化硅膜15亦得以作为后述的触媒材17的防剥离层发挥其机能。在本实施例，如上所述，积层氧化膜13及氮化硅膜15二层是为了谋求触媒材17的防剥离的同时，使相对于后述的处理液的耐性提高，所以对转印用组件10的稳定性、可信赖性具有很大的贡献。
其次，如图2D所示，在本实施例，在氮化硅膜15上，使用电子光束（EB）蒸镀法形成作为触媒材17的铂（Pt）膜。本实施例的铂膜的膜厚约为50～100nm。此时，通过将n型硅基板11加热至350℃，让铂膜的附着力变强。此外，为了让相对于铂膜的n型硅基板11的附着力更为增强，在成膜后的惰性气体中，进行数百℃的加热处理亦为较佳的一种态样。在此，在本实施例，虽使用了电子光束（EB）蒸镀法形成铂（Pt）膜，但采用真空蒸镀法及溅镀法替代电子光束（EB）蒸镀法亦可。
接着，在上述金字塔状的凹凸面12上，将形成有触媒材17的膜的n型硅基板11作为转印用组件10使用，对作为处理对象的半导体基板的进行凹凸形状的形成。图2E为表示本实施例中半导体装置的制造装置50的主要部分的结构的概略图。本实施例的处理对象基板20为半导体基板的单晶硅（100）基板。
在本实施例，具备使上述金字塔状的凹凸面12与处理对象基板20相对向，使具有触媒材17的转印用组件10成为与处理对象基板20相接触或接近配置的状态所配置的配置装置。此外，为了避免处理对象基板20的表面的污染，将触媒材17的铂膜面上突起的顶部分事先利用RCA洗净法进行表面洗净处理。
其后，将作为溶解剂的氢氟酸（HF）与作为氧化剂的过氧化氢水（H2O2）的混合水溶液当作处理液19，供给至处理对象基板20的表面与触媒材17的铂膜之间（图2F）。在本实施例，前述配置装置是如图2E所示，使用保持具42，而使转印用组件10和与其相对向配置的处理对象基板20浸渍至作为处理液供给装置发挥其机能的处理槽40内的处理液19中，藉此进行前述处理。此外，更具体而言，处理液19为氢氟酸（HF）5.3M与过氧化氢水（H2O2）1.8M的混合水溶液（水1dm3中含有HF5.3mol与H2O21.8mol）。
在上述条件中25℃的条件下，经过2小时后，对处理对象基板20的表面进行观察的结果，是如图2G所示，可确认形成了处理对象基板20的表面的凹凸面22。图3为在本实施例中所获得的处理对象基板20的表面的SEM照片。有趣的是，当试着将图1与图3相比较时，图1的转印用组件10的表面的凸凹面，在图3中则成为凸与凹相反的形状的凹凸面，可得知被转印为几乎为相同形状下的逆金字塔构造。此可考虑是因为处理对象基板20的蚀刻是由具有凹凸面12的不溶母体的转印用组件10的表面的凸部的顶部起，依序地沿着其凸形状朝向侧斜面而进行所致。因此，将作为转印用部材10的表面上的触媒材17的铂面与处理对象基板20的表面接触或尽可能地接近，而将转印用组件10因应所需增加按压至处理对象基板20的表面的压力较佳。但是，转印用组件10的表面的凸凹面12与处理对象基板20的表面（即所谓的被转印面）相密接，而使其间的处理液19被排除，而不得不避免处理对象基板20的蚀刻不发生的情况。因此，在转印用组件10的按压之际，为了经常保持适度的处理液19的供给，设定为根据经验的适度的接触或接近的条件即可。此外，在本实施例，利用处理液19的浸渍时间虽为2小时，但本发明人已确认即使此浸渍时间为数分钟～30分钟，仍能够形成相等的表面形状。
＜第一实施例的变形实施例（1）＞
附带地，在本实施例，在n型硅基板11表面上虽形成氧化膜（SiO2）13及氮化硅（Si3N4）膜15，但第一实施例并未限定于此积层构造。
例如，图4为说明本实施例中经转印步骤后的处理对象基板20a的断面示意图。如图4所示，本实施例的转印用组件10a是与第一实施例的转印用组件10相异，并未形成氧化膜13。因此，在n型硅基板11表面上，氮化硅（Si3N4）膜15是通过与第一实施例的成膜法相同的手段所形成。
即便为这种转印用组件10a，亦能够发挥第一实施例的效果中至少一部分的效果。亦即，处理对象基板20a表面，约略反映了转印用组件10a的表面的形状，换言之，转印用组件10a的表面的形状被转印的结果，形成了凹凸面22a。
＜第一实施例的变形实施例（2）＞
除第一实施例的变形实施例（1）以外，例如，即便为在n型硅基板11表面上，仅形成氧化膜（SiO2）13者、或即便为在n型硅基板11表面上，直接地配置触媒材17者，亦能够发挥第一实施例的效果中至少一部分的效果。但是，从防止触媒材17自n型硅基板11剥离的观点、以及保护n型硅基板11本身的溶解的观点来说，与在n型硅基板11表面上直接配置触媒材17者相较，其它二种态样较佳，最佳是采用像第一实施例一样地形成氧化膜（SiO2）13及氮化硅（Si3N4）膜15的构造。
＜第二实施例＞
在本实施例中处理对象基板的凹凸面的形成，除了第一实施例中的处理对象基板20为单晶硅（111）基板此点外，与第一实施例的转印用部材10及处理对象基板20的制造方法皆相同。因此，得以省略与第一实施例重复的说明。
图5为在本实施例中的作为处理对象的基板表面的SEM照片。如图5所示，虽然与处理对象基板20的表面相距的深度等、各别的凹凸上具有稍许差异，但几乎反映了转印用组件10的凹凸面，换言之，可得知转印用组件10的凹凸面所转印的刻纹构造，也就是凸与凹为相反的，即所谓逆金字塔状的面得以形成。因此，确认了并未取决于单晶硅基板的结晶方位，即得以进行转印。
＜第三实施例＞
本实施例除了处理对象基板20为多晶硅（Poly－Si）基板、以及与在第一实施例中利用处理液19的处理时间相异之外，与第一实施例的转印用部材10及处理对象基板20的制造方法皆相同。因此，得以省略与第一实施例重复的说明。
在本实施例，将作为处理对象基板20的多晶硅（Poly－Si）基板在处理液19内浸渍4小时。图6为在本实施例中处理对象基板20的表面的SEM照片。如图6所示，可观察到取决于处理对象基板20的平滑性，虽然各别的凹凸上具有稍许差异，但仍形成几乎与转印用组件10的凹凸构造相似的转印构造的刻纹构造（逆金字塔状）的面。在此，在处理对象基板20的表面形成凹凸的形成时间，可以通过在处理液19中的氢氟酸与过氧化氢水的浓度控制等，而使处理时间大幅度缩短。具体而言，例如，通过调整过氧化氢的浓度，可以使利用处理液19的处理时间大幅度缩短。
此外，图7为在本实施例中多晶硅基板表面的分光反射率特性图。图中的实线是表示本实施例中处理后的处理对象基板20的表面的结果，虚线则表示该处理前的处理对象基板20的表面的结果。由图7可明白得知，确认了利用本实施例的处理后的处理对象基板20的表面，与未处理的表面相比较，在300nm～800nm为止全部的波长中的反射率大幅的降低。
＜第四实施例＞
图8为使用本实施例的多晶硅基板而制造的太阳能电池100的主要部分的断面示意图。
在本实施例，在具有通过上述第三实施例所形成的凹凸状表面的n型的多晶硅基板30上，利用公知的成膜技术（例如，电浆气相沉积法（PCVD）法），积层而形成i型a－Si层31及p＋型a－Si层32。其后，在本实施例，作为透明导电膜的ITO膜，就表面电极层34、34而言，例如通过公知的溅镀法，形成至p＋型a－Si层32上。此外，在多晶硅基板30的反面上，作为背面电极层36的n＋型a－Si层则通过公知的成膜技术（例如，电浆气相沉积法（PCVD）法）加以形成。
如图8所示，使用具有通过进行上述第三实施例的处理所形成的表面的多晶硅基板30，以制造太阳能电池100，藉此，在太阳能电池100内部中，得以实现通过入射光的抗反射效果产生的光反射率的降低及光电流的提高。
此外，无论在上述任一个实施例的情况下，利用处理液19进行反应的机制，当参照图2E及图2F进行说明时，得以假定为如下所述。首先，在含有氢氟酸（HF水溶液）与作为氧化剂的过氧化氢水（H2O2水溶液）的处理液19之中，位在转印用组件10上或其上方的可当作触媒材17之铂膜，是在处理对象基板20的表面作为氧化剂的分解触媒加以作用。其结果，自此氧化剂所生成的原子状氧是将作为处理对象基板20的硅基板加以氧化。如此一来，即发生氧化部位通过处理液19中的氢氟酸而溶解的过程。藉此，处理对象基板20的表面的氧化及相对于处理液19中此氧化部位的溶解被促进的结果，反映了转印用组件的表面约略的形状，换言之，可考虑为转印用组件的表面的形状得以转印。
＜第一至第四实施例的其它变形实施例＞
附带地，在上述各实施例中，如图2F中代表性所示，使转印用组件10与处理对象基板20相接触接近配置的状态加以配置之后，虽然处理液19是供给至处理对象基板20的表面与触媒材17之间，但上述各实施例并未限定于此种态样。
例如，将处理液19供给至处理对象基板20的表面上之后，使转印用组件10与处理对象基板20相接触或接近配置的状态加以配置亦得以采用。采用此种顺序时，由于得以解决难以使处理液19均匀地分布至处理对象基板20的表面与触媒材17之间隙的难处，故为较佳的一种态样。
此外，在上述各实施例中，如图9所示，通过具有氧化处理对象基板20，且将溶解的处理液19供给至处理对象基板20的表面上的供给装置55；以及将转印用组件接触或接近至处理对象基板20的表面配置的配置装置56的半导体装置的制造装置50，进行各处理。此外，供给装置55及配置装置56更具有对任一的各处理，例如，监控处理液19的浓度等，或统一地进行控制的控制部。
＜第五实施例＞
在本实施例，主要来说，除了将第一实施例的转印用组件10替代为图9所示的网目状的转印用组件（以下称为网目状转印用组件。）10b之外，皆与第一实施例相同。因此，得以省略与第一实施例重复的说明。
本实施例的网目状转印用组件10b是对于MESH株式会社制「α网目」（网目数400），将镍（Ni）4μm、钯（Pd）1μm、铂（Pt）4μm，依照各别层厚依序积层镀覆而成。
在本实施例，在将已经RCA洗净的处理对象基板20浸渍至处理液19中的状态下，在处理对象基板20上载置网目状转印用组件10b进行30分钟的处理。其后，将处理对象基板20用超纯水清洗3分钟。
其结果，可获得形成有反映了网目状转印用组件10b的形状之凹凸的处理对象基板20。图10为在本实施例中处理对象基板20的表面的光学显微镜照片（平面照片）。此外，图11A为利用雷射共轨焦显微镜所摄的测定对象部的平面照片。图11B为表示在图11A中测定对象部（X－X）断面轮廓的断面图。
如图10、图11A、及图11B所示，虽然各别的凹凸上具有稍许差异，但几乎与网目状转印用组件10b的网目部分相对应而形成凹部构造的面是形成在处理对象基板20的表面上。因此，即便为采用了更为容易供给处理液19的具有细微的网目状构造的转印用组件的本实施例，亦已确认了能够发挥与上述各实施例的效果相同的效果。
＜第六实施例＞
在本实施例，主要来说，除了将第一实施例使用的转印用组件10替代为网目状转印用组件10b、以及将第一实施例的半导体装置的制造装置50变更为半导体装置的制造装置51以外，皆与第一实施例相同。因此，得以省略与第一及第五实施例重复的说明。此外，本实施例的网目状转印用组件10b，是以与MESH株式会社制「α网目」（网目数400）相较，非常廉价的SUS304作为基础材料，并将含有镍（Ni）15％的钯（Pd）合金约0.5～1μm、及铂（Pt）约1μm依照各别层厚依序积层镀覆在其上而成者。
图12为表示本实施例中半导体装置的制造装置51的主要部分的结构的概略图。此外，图12为表示相对于本实施例中处理对象基板20，配置滚筒57a前的状态。图13为相对于本实施例中处理对象基板20，配置滚筒57a后（处理中）的状态的说明图。此外，本实施例的处理对象基板20是作为半导体基板的单晶硅（100）基板。
如图12所示，本实施例的半导体装置的制造装置51，大致上分为将处理液19供给至处理对象基板20的表面上的供给装置55；以及将具有触媒材（在本实施例为Pt（铂）层）的网目状转印用组件10b接触或接近至处理对象基板20的表面加以配置的配置装置59。更具体的由配置装置59来看，在本实施例，网目状转印用组件10b是贴在与回转轴（图12中的R－R）相垂直的断面形状为圆状的滚筒57a的表面上，藉此沿着其表面上而设置。并且，配置装置59首先在将处理液19供给至处理对象基板20的表面上的状态下，为了能将网目状转印用组件10b的至少一部分，接触或接近至处理对象基板20的表面的配置状态，而使滚筒57a移动。其后，配置装置59是如图13所示，一方面维持其配置状态，并具有使滚筒57a对于处理对象基板20的表面而进行相对性的移动，并且使其回转的控制部。换言之，配置装置59在如当初图12所示的滚筒57a的位置与处理对象基板20的平面相对以使其移动之后，如图13所示，使滚筒57a对于处理对象基板20的表面而进行相对性地移动且回转。
因此，在本实施例， 60℃的处理液19被供给至处理对象基板20的表面上之后，通过滚筒57a的回转与移动，网目状转印用组件10b的不同部分依续不断地与处理对象基板20的平面相对。此外，在本实施例的处理液19之中，氢氟酸水溶液（HF）的浓度为2.7M，过氧化氢水（H2O2）的浓度为8.1M。因此，如本实施例，特别是过氧化氢水（H2O2）的浓度为1M以上10M以下的情况中，将选自由难以被本实施例的处理液19氧化的贵金属类的铂（Pt）、钯（Pd）、铑（Rh）、金（Au）、银（Ag）及此些之中至少二种以上的合金所组成之群组中至少一种当作触媒材加以采用较佳。
此外，本实施例中的滚筒57a的材质为镍（Ni），滚筒57a的直径则为35 mm。此外，滚筒57a的回转速度约为0.27转／秒，其移动速度则约为30 mm／秒。因此，例如将直径为6英寸的单晶硅晶圆当作处理对象基板20的情况，将可以在约5秒钟内完成本实施例的处理。此外，将如本实施例中通过移动滚筒57a，而对处理对象基板20的全体进行处理，替代为滚筒57a仅回转而不移动，而是移动处理对象基板20的装置的构造及控制的态样亦得以采用。再加上，为了提高处理速度，例如，亦得以适宜采用包含将复数枚6英寸的处理对象基板20连续进行处理的统合处理的态样的公知的处理态样。
进行上述处理的结果，其概要如图13所示，在滚筒57a通过之后，形成具有凹凸表面的处理对象基板20。图14A为本实施例中处理对象基板20的表面的光学显微镜照片（平面照片）。更有趣的是，当本发明人对处理对象基板20的表面详细地观察、分析时，在处理对象基板20的表面上，与通过网目状转印用组件10b所形成的凹凸不同的，换言之，与网目状转印用组件10b中的网目的位置相异的网目附近，更具体而言，在通过此网目而未形成凹部的凸部分的前述凹部的附近，可得知形成有无数个非贯通孔。此外，在本实施例的情况下，由于网目的间隔狭窄，所以凸部几乎都成为多孔质状。图14B为本实施例中处理对象基板20的表面附近的断面的光学显微镜照片。如图14B所示，可明显得知多孔质状（porous）层的厚度为500 nm程度薄。亦即，通过本实施例之半导体装置的制造装置51，形成表面为多孔质状的处理对象基板20。
在此，在调查本实施例处理对象基板20的表面的反射率时，得到了非常有趣的结果。图15为表示在60℃下已被处理的本实施例的处理对象基板20的表面的反射率的曲线图。此外，为了作为比较，亦准备了未处理的处理对象基板20、及具有在转印用组件10中所采用的刻纹构造的面的处理对象基板20（相当于图1的凸凹面12）。此外，在图15中，点线是表示未处理的处理对象基板20的结果，单点链线（图中是记载为「刻纹处理」）是表示具有前述刻纹构造的面的处理对象基板20的结果，实线则表示本实施例的处理对象基板20的结果。再者，本实施例的处理对象基板20的测定为了确认其再现性，而针对二个试料进行观测。
如图15所示，关于本实施例的处理对象基板20的表面的光的反射率，至少为反射率的测定处理装置（日本分光株式会社制，紫外可视近红外分光光度计，型式V－570）的可测定范围的波长300 nm以上800 nm以下的光的反射率，可确认与任一比较例相比都显着地变小。特别是短波长部分的反射率降低更为显着。此乃通过本实施例的处理，可考虑由于形成具有无数个细微的非贯通孔的表面的处理对象基板20所致。因此，通过本实施例的半导体装置的制造装置51及此制造方法，可以明显得知能够获得波长300 nm以上800 nm以下的光的反射率被抑制在15％以下的处理对象基板20。应特别一提的是，创作出这种能够大程度降低光反射率的处理对象基板20，仅需5秒程度的所谓工业性乃至量产性优异的制造方法及制造装置。此外，如上所述，即使有约500 nm的薄的多孔质状层的存在，仍可将反射率抑制在为15％以下此点亦值得特别一提。这是因为，由于多孔质状层较薄，例如，能够发挥容易形成pn接合的特有的效果。一般而言，在使用铂（Pt）或银（Ag）的粒子的多孔质状硅层的形成中，由于随着多孔质状层的厚度变厚，pn接合的形成会变得困难，使此多孔质状层使用氢氧化钠（NaOH）水溶液而溶解之后，再进行pn接合。在此情况中，为了除去多孔质状层，就结果来说反射率将会增加。但是，由于本实施例的多孔质状层的厚度非常的薄，所以可以说这种害处并不容易发生。
再者，本发明人对本实施例的处理对象基板20的表面的载子生命期进行了调查。图16为表示本实施例中处理对象基板20的生命期测定结果的映射图。此外，在图16中，仅针对虚线所围绕的领域，施以本实施例的处理。
其结果，如上所述，本实施例的处理对象基板20的表面即使成为多孔质状而表面积显着地增加，载子生命期的减少率仍在仅10％以下。此应特别一提的结果，当与上述转印用基板10所采用的刻纹构造的面相互比较时，其差将更为显着。例如，针对在单晶硅（100）表面上所形成的转印用基板10中所采用的刻纹构造而言，为了露出界面能态密度高（111）的面，相对于此生命期的减少率变成50％以上，已确认了关于本实施例的处理对象基板20，其生命期的减少率得以抑制在10％以内。
＜第六实施例的变形实施例（1）＞
在本实施例，除了将第六实施例的处理液19的温度及浓度变更之外，皆与第六实施例相同。因此，得以省略第一、第五、及第六实施例重复的说明。在此，针对本实施例的处理液19，氢氟酸水溶液（HF）的浓度为5.4M，过氧化氢水（H2O2）的浓度则为7.2M。此外，本实施例的处理液19的温度为25℃。再者，本实施例的网目状转印用组件10b为第五实施例的网目状转印用组件。
在上述条件下，相对于处理对象基板20，进行了与第六实施例相同的处理。此外，本实施例的半导体装置的制造装置51及其制造方法亦与第六实施例相同，例如，将直径为6英寸的单晶硅晶圆作为处理对象基板20的情况，具有能够以约5秒完成处理的程度的优异的工业性乃至量产性。
图17为本实施例中处理对象基板20的表面的光学显微镜照片（平面照片）。如图17所示，虽然在处理对象基板20的表面上能够观测到网目构造，但却确认了光学显微镜照片中的浓淡非常的不明显，利用此网目构造的转印所成的凹凸的深度非常的浅。此可考虑是因为在进行硅的溶解时，利用转印所反映出的网目构造的凹凸的一部分会溶解所致。
此外，图18为表示本实施例处理对象基板20的表面的反射率的曲线图。此外，为了作为比较，亦准备了未处理的处理对象基板20、及具有在转印用基板10中所采用的刻纹构造的面的处理对象基板20（相当于图1的凸凹面12）。此外，记载在图中的内容，是与图15相同。
如图18所示，关于本实施例的处理对象基板20的表面的光的反射率，在与第六实施例相同的测定装置中，波长300nm以上800nm以下的光的反射率已确认与比较例的任一者相比皆显着地变小。再者，即便与第六实施例的结果相互比较，亦可明白得知反射率显着的降低。因此，通过本实施例的半导体装置的制造装置51及其制造方法，可明显得知波长300nm以上800nm以下的光的反射率得以抑制在6％以下的处理对象基板20，在室温（25℃）下可以得到。再加上，可得知本实施例的处理对象基板20的表面亦与第六实施例的结果相同地，具有从表面起约500nm厚度的多孔质状层。因此，在本实施例，即便有约500nm的薄的多孔质状层的存在，仍得以将反射率抑制在6％以下此点亦值得特别一提。
＜第六实施例的变形实施例（2）＞
本实施例除了处理对象基板20的结晶方位被变更之外，皆与第六实施例相同。因此，得以省略与第一、第五、及第六实施例重复的说明。此外，本实施例的处理对象基板20为单晶硅（111）基板。
图19为本实施例中处理对象基板20的表面的光学显微镜照片（平面照片）。如图19所示，即便结晶方位为与第六实施例相异的情况，已确认能够形成同样的凹凸形状。在此，应特别一提的是，第六实施例中半导体装置的制造装置及制造方法并不取决于半导体基板的结晶方位。这是因为针对上述转印用基板10中所采用的刻纹构造，相对于只能适用于具有面方位（100）的单晶硅基板，本实施例的半导体装置的制造装置51及其制造方法的适用并不取决于面方位。再者，已可得知不仅单晶硅，即使在多晶硅中适用本实施例的情况，亦可形成与本实施例相同的网目构造的转印与多孔质状的表面。
＜第六实施例的变形实施例（3）＞
在本实施例，除了将第六实施例的半导体装置的制造装置51变更为半导体装置的制造装置52此点以外，皆与第六实施例相同。因此，得以省略与第一及第六实施例重复的说明。
图20为表示本实施例中半导体装置的制造装置52的主要部的结构的概略图。此外，为了简化图示，并未绘制网目状转印用组件10b的网目形状。如图20所示，本实施例的半导体装置的制造装置52是用以代替第六实施例的供给装置55，将配置装置59的一部分作为处理液19的流路加以利用，在滚筒57侧则采用供给处理液19的供给装置56。此外，本实施例的滚筒57b是以海绵材料所构成。因此，滚筒57b在保持着使自供给装置56供给的处理液19浸入海绵材料的状态的同时，可以适宜的在外侧、也就是网目状转印用组件10b侧供给处理液19。在采用本实施例的供给装置56的情况下，亦可发挥与第六实施例的效果相同的效果。此外，本实施例中利用海绵状的滚筒57b的处理液的供给，是通过变更此供给装置56供给处理液19的供给量或滚筒57b对处理对象基板20按压的轻重程度，或者是滚筒57b的回转速度或移动速度，而可以适宜增减利用此处理液19及网目状转印用组件10b所进行之作用的程度，故为较佳的一种态样。作为具体的一例来说，将本实施例的网目状转印用组件10b，在处理对象基板20的表面上按压数秒钟的状态下使其抵接，藉而得以发挥与第六实施例的效果相同的效果。因此，为了对处理对象基板20的表面全体进行处理，只须边将这种抵接状态维持一定时间，边使滚筒57b相对于处理对象基板20的表面进行相对性地移动且回转即可。
此外，虽然在第六实施例及其变形实施例（1）、（2）、（3）中滚筒57a的形状，其与回转轴（图12中的R－R）相垂直的断面形状为圆状，但滚筒的形状并未限定于此。例如，如图21A所示，即使采用与回转轴相垂直的断面形状为扇状的滚筒57b与配置在其外周曲面上的网目状转印用组件10b的情况下，亦能够发挥与本实施例的效果相同的效果。在采用扇状的滚筒57c的情况下，具有滚筒57c回转的角度范围较小的优点。此外，用以替代滚筒57a，采用与回转轴相垂直的断面形状为多角形（例如，图21B的八角形）的滚筒57d亦可。使滚筒57d相对于处理对象基板20相对地回转移动之际，为了将与处理对象基板20间的距离保持为几乎一定，与滚筒57d的回转轴相垂直的断面形状为正多角形状较佳。此外，此多角形状并未限定为八角形，其它如六角形或十二角形等亦可。此外，如图21C所示，亦能够采用网目状转印用组件10b是仅沿着滚筒57d的一部分的外周面上所设置的一种态样。因此，因应处理对象基板20的对象或面积，选定适宜的滚筒及网目状转印用组件。
＜其它实施例＞
附带地，在上述各实施例中，处理对象基板20虽为单晶硅基板或多结晶硅基板，但并未限定于此。例如，即使如碳化硅（SiC）、砷化镓(GaAs)或砷化铟镓(InGaAs)的半导体基板，亦得以发挥与上述各实施例相同的效果。再加上，转印用组件10亦未限定于n型硅基板。例如，即使为n型以外的硅基板、碳化硅（SiC）基板、金属薄膜基板、高分子树脂或可挠式基板，亦得以发挥与上述各实施例的效果相同的效果。
此外，在上述各实施例中，虽然采用铂作为触媒材17，但触媒材17并未限定于铂。例如，触媒材17是选自由银（Ag）、钯（Pd）、金（Au）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Ir）及包含至少其中之一的合金所组成之群组中至少一种，就是在处理液19中可利用作为氧化剂（例如，过氧化氢）的分解触媒而作用者。例如，即使触媒材为以金（Au）作为主成分而含有钯（Pd）与铂（Pt）的合金、以金（Au）作为主成分而含有钯（Pd）的合金、以金（Au）作为主成分而含有银（Ag）与铜（Cｕ）的合金、以金（Au）作为主成分而含有银（Ag）与铜（Cｕ）及钯（Pd）的合金、Mo（钼）与W（钨）与Ir（铱）与铂（Pt）的合金、Fe（铁）与Co（钴）与Ni（镍）与铂（Pt）的合金，皆可发挥上述各实施例的至少一部分的效果。再加上，前述各触媒材添加少量其它金属亦不会造成妨碍。例如，为了增高耐磨耗性或耐久性等，只要为本发明所属技术领域中具有通常知识者，可以添加适宜、适切的金属。
再者，在第六实施例及其变形实施例中，选择在处理液19内浓度特别高的氧化剂，也就是过氧化氢水（H2O2）的影响下不易被氧化的贵金属类，例如，选自由铂（Pt）、钯（Pd）、铑（Rh）、金（Au）及包含此些的合金所组成之群组中至少一种当作触媒材，是因为较容易维持其触媒的性能，故为更佳的一种态样。此外，在本段落中「合金」的意义亦与上述触媒材17的说明的意旨相同。
再加上，对促进氧化有所贡献的触媒物质（亦即，触媒材17）并未限定于上述金属。例如，亦得以采用包含氧化物化合物、碳合金化合物及无机化合物的其它公知的触媒物质或具有与前述相等机能的各种复合体等。
此外，在第一至第三实施例中，可应需要，在转印用组件10的母体基板（在第一实施例为n型硅基板11）面与触媒材17间，使用作为如上述第一实施例中为了增高附着性的防剥离层或处理液19的不透水层发挥其机能的中间层介于其间为较佳的一种态样。
此外，无论在上述任一实施例中，在转印用组件具有触媒材的态样中，包含在转印用组件的表面上形成有触媒材的膜或层的状态、以及在转印用组件的表面上触媒材呈粒状或岛屿状附着的状态，并包含转印用组件上的触媒材作为触媒得以发挥其机能乃至性能的状态等各种各样的态样。可当作上述各触媒材17的金属，以代表性来看，虽然得以采用利用公知的溅镀法、镀覆法或CVD法等所成的蒸镀膜，或者是由化合物的涂布覆膜等经还原生成而形成的膜等，但上述各实施例并不以这些膜为限。
此外，在上述各实施例中，虽然使用了氢氟酸（HF）与过氧化氢水（H2O2）的混合水溶液作为处理液19，但处理液19并未限定于此混合水溶液。例如，通过采用选自由过氧化氢水（H2O2）、二铬酸钾（K2Cr2O7）水溶液、过锰酸钾（KMnO4）水溶液、硝酸（H2SO4）、硫酸（HNO3）等以及使氧气（O2）或臭氧（O3）溶解的水所组成的群组中至少一种氧化剂与氢氟酸（HF）的混合水溶液作为处理液19，而得以发挥上述各实施例的至少一部分的效果（例如多孔质状表面的形成）。并且，作为前述处理液19的例子，采用各种高氧化性溶液或臭氧水等情况，特别是在第六实施例及其变形实施例中，选择不易被处理液19氧化的贵金属类当作触媒材较佳。
此外，作为上述第四实施例中的太阳能电池100的例子，亦得以适用于第一实施例、第二实施例、第五实施例、第六实施例及其它实施例之中。特别是在第六实施例及其变形实施例中，由于处理对象基板20的表面成为多孔质状，所以处理对象基板20的表面积显着增加的同时，光的反射率明显地变低，因此可谋求对太阳能电池的光电转换效率有所贡献的短路电流（JSC）值的提高。再者，特别值得一提的是，即使表面积显着的增加，仍得以抑制载子生命期的降低，因此亦得以获得高开路电压（VOC）。
此外，在第五实施例、第六实施例及其变形实施例中所采用的网目状转印用组件10b的基础材料亦无限定。例如，即使使用在有机高分子材料上透过镀覆镍（Ni）而将钯（Pd）或铂（Pt）镀覆者来替代前述网目状转印用组件10b的情况下，已确认了可发挥与上述各实施例的效果相同的效果。因此，可得知可以在量产性乃至工业性更为优异的条件下进行上述各实施例的处理。
再者，作为应用第六实施例及其变形实施例的其它太阳能电池的态样，可以采用以下的构造。首先，将网目状转印用组件的网目不存在的部分的形状，预先形成为一般所采用的硅太阳能电池的（代表性而言在俯视下）梳状的表面电极的形状之后，再施行第六实施例等的各处理。如此一来，在当作处理对象基板的硅基板表面上，形成了与梳状的表面电极相对应的凸部；以及网目状转印用组件的形状所反映的凹部。其结果，虽然网目状转印用组件的形状所反映的凹部与其附近的表面成为多孔质状，但对应于梳状的表面电极的凸部表面却不会成为多孔质状。其后，在对应于梳状的表面电极的凸部表面上利用公知的手法形成银电极，而得以制作出太阳能电池。根据这种太阳能电池，例如，处理对象基板具有平面的情况中，在平坦面上，由于可以形成银电极，电极的形成将变得容易。另一方面，在此电极以外的领域，由于上述短路电流（JSC）值的提高与载子生命期的降低抑制效果，可以同时实现高开路电压（VOC）。
此外，无论在上述任一实施例，作为太阳能电池所采用的处理对象基板20，不仅第四实施例的多晶硅基板，采用单晶硅基板或上述非晶质硅基板等亦为较佳的一种态样。
再加上，在上述第四实施例、第六实施例及其变形实施例中，半导体装置虽然以太阳能电池为例，但半导体装置的例子并未限于太阳能电池。例如，关于具有MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）构造的装置或具有大规模集成电路（LSI）的装置，使用上述各实施例的转印用组件10，10a，10b的凹凸形状的形成处理，得以对各种装置的性能提升带来很大的贡献。此外，相同地，关于如发光组件乃至受光组件等光学装置的半导体装置，使用上述各实施例的转印用组件10，10a，10b的凹凸形状的形成，得以对此装置的性能提升带来很大的贡献。
此外，上述各实施例的公开，仅为用以说明此些实施例之记载，并非用以限定本发明之记载。再加上，存在于包含各实施例的其它组合的本发明范围内的变形实施例，亦应包含在申请专利范围中。
产业上的利用可能性
本发明得以对使用转印用组件而制造的处理对象基板，进而对使用处理对象基板而制造的半导体装置的性能提高、高机能化的实现具有显着贡献。因此，得以广泛利用在以太阳能电池或发光组件乃至受光组件等光学装置为代表的半导体装置的领域中。

Claims (19)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给步骤；
将具有触媒材的网目状转印用组件，设成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态的配置步骤；以及
通过该供给步骤及该配置步骤以形成呈凹凸面的该半导体基板的该表面的凹凸形成步骤。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给步骤；
在形成有凹凸的表面上或上方，将具有触媒材的转印用组件，设成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态的配置步骤；以及
通过该供给步骤及该配置步骤以形成呈凹凸面的该半导体基板的该表面的凹凸形成步骤。
3.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该触媒材是选自由铂（Pt）、银（Ag）、钯（Pd）、金（Au）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Ir）及包含至少其中之一的合金所组成之群组中至少一种。
4.如权利要求1所述之半导体装置的制造方法，其特征在，在该配置步骤中，包含与回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形或扇形的滚筒，将沿该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分，边维持在接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面进行相对性地移动且回转。
5.如权利要求4所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该滚筒是用以供给该处理液。
6.如权利要求1所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，在该配置步骤中，包含与回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形、或扇形的由海绵材料所形成的滚筒，将沿该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分，边维持在抵接至该半导体基板的该表面的状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面相对性地移动且回转。
7.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该处理液是选自由过氧化氢水（H2O2）、二铬酸钾（Kr2Cr2O7）水溶液、过锰酸钾（KMnO4）水溶液、硝酸（H2SO4）、硫酸（HNO3）、以及使氧气（O2）或臭氧（O3）溶解至水中的溶液所组成之群组中的至少一种氧化剂与氢氟酸（HF）的混合水溶液。
8.如权利要求2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该转印用组件为硅基板，且在该转印用组件的表面上所形成的层间膜上，具有该触媒材。
9.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该触媒材是通过溅镀法、镀覆法、或化学气相沉积法所形成的膜，或是由化合物的涂布膜经还原生成而形成的膜。
10.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置为太阳能电池、光学装置、具有微机电系统构造的装置或具有大规模集成电路（LSI）的装置。
11.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包含：
将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给装置；以及
将具有触媒材的网目状转印用组件，配置成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置装置。
12.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包括：
将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给装置；以及
在形成有凹凸的表面上或上方，将具有触媒材的转印用组件，配置成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置装置。
13.如权利要求11所述之半导体装置的制造装置，其特征在于，该配置装置具有滚筒，且与该滚筒的回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形、或扇形的该滚筒，沿着该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分是与该半导体基板的该表面相对向的同时，边维持在使该触媒材接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面进行相对性地移动且回转。
14.如权利要求13所述之半导体装置的制造装置，其特征在于，该滚筒是用以供给该处理液。
15.一种转印用组件，其特征在于，是具有触媒材的网目状元件，当在半导体基板的表面上，存在具氧化性及溶解性的处理液的状态下，将该触媒材配置成接触或接近至该半导体基板的该表面，藉此使该半导体基板的该表面呈凹凸状地变形。
16.一种转印用组件，其特征在于，在形成有凹凸的表面上或上方，具有触媒材，当在半导体基板的表面上，存在具氧化性及溶解性的处理液的状态下，将该触媒材配置成接触或接近至该半导体基板的该表面，藉此使该半导体基板的该表面呈凹凸状地变形。
17.如权利要求15所述之转印用组件，其特征在于，该转印用组件沿着与回转轴相垂直的断面形状呈圆状、多角形状、或扇状的滚筒的表面上而设置。
18.一种半导体装置，其特征在于，将氧化且溶解半导体基板的处理液，导入至该半导体基板的表面上的同时，当具有触媒材的网目状转印用组件是设成接触或接近至该表面的状态下，未形成电极的该表面具有在前述状态下所形成的多孔质的凹凸形状。
19.如权利要求18所述之半导体装置，其特征在于，该半导体装置为太阳能电池、光学装置、具有微机电系统构造的装置、或具有大规模集成电路的装置。
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