JPWO2011099594A1 - 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、並びに転写用部材 - Google Patents
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Abstract
Description
10b メッシュ状転写用部材
11 混合溶液による処理を行ったn型シリコン基板
12,22,22a 凸凹面又は凹凸面
13 酸化膜
15 窒化シリコン膜
17 触媒材
19 処理液
20,20a 処理対象基板
40 処理槽
42 保持具
30 多結晶基板
31 i型a−Si層
32 p+型a−Si層
34 表面電極層
36 裏面電極層
50,51,52 半導体装置の製造装置
55,56 供給装置
57a,57b,57c,57d ロール体
59 配置装置
100 半導体装置(太陽電池)
本実施形態では、まず、半導体装置(本実施形態では太陽電池)に用いられる半導体基板(処理対象となる基板、以下、「処理対象基板」ともいう。)の表面を凹凸形状にするための転写用部材10の製造方法について説明する。図1は、本実施形態における転写用部材の製造過程の一部の表面の走査型電子顕微鏡(以下、SEMという。)写真である。図2A乃至図2Dは、本実施形態における転写用部材10の製造方法の一過程を示す断面模式図である。また、図2Eは、本実施形態における処理対象基板への転写工程を説明する断面模式図である。また、図2Fは、本実施形態における転写工程後の処理対象基板を説明する断面模式図である。
ところで、本実施形態では、n型シリコン基板11の表面上に酸化膜(SiO2)13及び窒化シリコン(Si3N4)膜15が形成されているが、第1の実施形態は、この積層構造に限定されない。
第1の実施形態の変形例(1)の他に、例えば、n型シリコン基板11の表面上に酸化膜(SiO2)13のみが形成されたもの、あるいはn型シリコン基板11の表面上に直接に触媒材17が配置されたものであっても、第1の実施形態の効果の少なくとも一部の効果が奏され得る。ただし、触媒材17がn型シリコン基板11からの剥離するのを防止する観点、及びn型シリコン基板11自体の溶解からの保護の観点から言えば、n型シリコン基板11の表面上に直接に触媒材17が配置されたものよりも他の2つの態様の方が好ましく、第1の実施形態のような酸化膜(SiO2)13及び窒化シリコン(Si3N4)膜15が形成された構造が採用されることが最も好ましい。
本実施形態における処理対象基板の凹凸面の形成は、第1の実施形態における処理対象基板20が単結晶シリコン(111)基板である点を除いて、第1の実施形態の転写用部材10及び処理対象基板20の製造方法と同じである。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。
本実施形態は、処理対象基板20が多結晶シリコン(Poly−Si)基板である点、及び第1の実施形態における処理液19による処理時間が異なる点を除いて、第1の実施形態の転写用部材10及び処理対象基板20の製造方法と同じである。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。
図8は、本実施形態の多結晶シリコン基板を用いて製造した太陽電池100の主たる部分の断面模式図である。
ところで、上述の各実施形態では、図2Fに代表的に示されるように、転写用部材10が処理対象基板20に接触するか近接配置させた状態になるように配置された後に、処理液19が処理対象基板20の表面と触媒材17との間に供給されているが、上述の各実施形態はその態様に限定されない。
本実施形態では、主として、第1の実施形態の転写用部材10に代えて、図9に示すメッシュ状の転写用部材(以下、メッシュ状転写用部材という。)10bを用いた点を除いて、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。
本実施形態では、主として、第1の実施形態の転写用部材10に代えてメッシュ状転写用部材10bを用いた点、及び第1の実施形態の半導体装置の製造装置50を半導体装置の製造装置51に変更した点を除いて第1の実施形態と同様である。したがって、第1及び第5の実施形態と重複する説明は省略され得る。なお、本実施形態のメッシュ状転写用部材10bは、メッシュ株式会社製「αメッシュ」(メッシュ数400)よりも非常に廉価なSUS304をベース材料として、その上に、ニッケル(Ni)を15%含有したパラジウム(Pd)合金約0.5〜1μm、及び白金(Pt)約1μmを、それぞれの層厚でこの順に積層メッキしたものである。
なお、図12は、本実施形態における処理対象基板20に対してロール体57aが配置される前の状態を示している。図13は、本実施形態における処理対象基板20に対してロール体57aが配置された後(処理中)の状態の説明図である。また、本実施形態の処理対象基板20は、半導体基板である単結晶シリコン(100)基板である。
うち、フッ化水素酸水溶液(HF)の濃度は2.7Mであり、過酸化水素水(H2O2)の濃度は、8.1Mである。従って、本実施形態のように、特に、過酸化水素水(H2O2)の濃度が、1M以上10M以下の場合は、本実施形態の処理液19によって酸化されにくい貴金属類である、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、金(Au)、銀(Ag)及びそれらの内の少なくとも2種以上の合金の群から選ばれる少なくとも1種が触媒材として採用されることが好ましい。
本実施形態では、第6の実施形態の処理液19の温度及び濃度が変更された点、及びメッシュ状転写用部材10bの材質が変更された点を除いて、第6の実施形態と同様である。したがって、第1、第5、及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。ここで、本実施形態の処理液19については、フッ化水素酸水溶液(HF)の濃度は5.4Mであり、過酸化水素水(H2O2)の濃度は、7.2Mである。また、本実施形態の処理液19の温度は、25℃である。さらに、本実施形態のメッシュ状転写用部材10bは、第5の実施形態のメッシュ状転写用部材である。
本実施形態は、処理対象基板20の結晶方位が変更された点を除いて、第6の実施形態と同様である。したがって、第1、第5、及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。なお、本実施形態の処理対象基板20は、単結晶シリコン(111)基板である。
本実施形態では、第6の実施形態の半導体装置の製造装置51を半導体装置の製造装置52に変更した点を除いて第6の実施形態と同様である。したがって、第1及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。
ところで、上述の各実施形態では、処理対象基板20が単結晶シリコン基板、又は多結晶シリコン基板であったが、これに限定されない。例えば、炭化珪素(SiC)、GaAs、又はInGaAsのような半導体基板であっても、上述の各実施形態と同様の効果が奏され得る。加えて、転写用部材10についても、n型シリコン基板に限定されない。例えば、n型以外のシリコン基板、炭化珪素(SiC)基板、金属薄膜基板、高分子樹脂、又はフレキシブル基板であっても上述の各実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。
本実施形態では、まず、半導体装置(本実施形態では太陽電池)に用いられる半導体基板(処理対象となる基板、以下、「処理対象基板」ともいう。)の表面を凹凸形状にするための転写用部材10の製造方法について説明する。図1は、本実施形態における転写用部材の製造過程の一部の表面の走査型電子顕微鏡(以下、SEMという。)写真である。図2A乃至図2Dは、本実施形態における転写用部材10の製造方法の一過程を示す断面模式図である。また、図2Fは、本実施形態における処理対象基板への転写工程を説明する断面模式図である。また、図2Gは、本実施形態における転写工程後の処理対象基板を説明する断面模式図である。
Claims (19)
- 半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給工程と、
触媒材を備えるメッシュ状転写用部材を前記表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、
前記供給工程及び前記配置工程により、凹凸面となった前記表面を形成する凹凸形成工程と、を含む、
半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給工程と、
凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材を前記半導体基板の表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、
前記供給工程及び前記配置工程により、凹凸面となった前記半導体基板の表面を形成する凹凸形成工程と、を含む、
半導体装置の製造方法。 - 前記触媒材が、白金(Pt)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、金(Au)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、及びそれらの内の少なくとも1つを含む合金の群、から選ばれる少なくとも1種である、
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配置工程において、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状のロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に接触又は近接する前記配置状態を維持しつつ、前記ロール体を前記表面に対して相対的に移動かつ回転させる、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ロール体が、前記処理液を供給している、
請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配置工程において、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状の、スポンジ材料によって形成されたロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に当接させた状態を維持しつつ、前記ロール体を前記表面に対して相対的に移動かつ回転させる、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記処理液が、過酸化水素水(H2O2)、二クロム酸カリウム(K2Cr2O7)水溶液、マンガン酸カリウム(KMnO4)水溶液、硝酸(H2SO4)、硫酸等(HNO3)、及び、酸素(O2)又はオゾン(O3)を溶解させた水の群から選ばれる少なくとも1種の酸化剤と、フッ化水素酸(HF)との混合水溶液である、
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記転写用部材が、シリコン基板であり、かつ
前記転写用部材の表面上に形成された層間膜上に前記触媒材を有する、
請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記触媒材が、スパッタリング法、メッキ法、又はCVD法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜である、
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置が、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えた装置、又は大規模集積回路(LSI)を備えた装置である、
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給装置と、
触媒材を備えるメッシュ状転写用部材を前記表面に接触又は近接するように配置する配置装置と、を備える、
半導体装置の製造装置。 - 半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給装置と、
凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置する配置装置と、を備える、
半導体装置の製造装置。 - 前記配置装置は、ロール体を備え、かつ
前記ロール体の回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状の前記ロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に対向させるとともに、前記触媒材が前記表面に接触又は近接する前記配置状態を維持しつつ、前記ロール体を前記半導体基板の表面に対して相対的に移動かつ回転させる、
請求項11に記載の半導体装置の製造装置。 - 前記ロール体が、前記処理液を供給している、
請求項13に記載の半導体装置の製造装置。 - 触媒材を備えるメッシュ状部材であって、
半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、前記触媒材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、前記表面を凹凸状に変形させる、
転写用部材。 - 凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備え、
半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、前記触媒材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、前記表面を凹凸状に変形させる、
転写用部材。 - 前記転写用部材が、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状のロール体の表面上に沿って設けられている、
請求項15に記載の転写用部材。 - 半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液が前記半導体基板の表面上に導入されるとともに、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材が前記表面に接触又は近接した状態で形成される多孔質の凹凸形状を、電極が形成されていない前記表面が備えた、
半導体装置。 - 前記半導体装置が、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えた装置、又は大規模集積回路(LSI)を備えた装置である、
請求項18に記載の半導体装置。
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